JP2020113976A - アレイ間のサブマイクロメートルy軸位置合わせを有する複数の線形センサアレイ - Google Patents

アレイ間のサブマイクロメートルy軸位置合わせを有する複数の線形センサアレイ Download PDF

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Abstract

【課題】既知のセンサアレイよりも、画像走査速度の大幅な増加やノイズ低減、あるいは8色画像走査など優れた利点を備えたイメージセンサアレイを提供する。【解決手段】センサアレイアセンブリ50は、第1のセンサアレイ52と、第2のセンサアレイ54と、実装基板56と、を含む。第1のセンサアレイは、第1のプロセス方向幅及び第1のフォトサイト62を含み、一方で、第2のセンサアレイは、第2のプロセス方向幅及び第2のフォトサイト66を含む。第1及び第2のセンサアレイは、実装基板上に別個に固定されている。第1のフォトサイトは、第2のフォトサイトと精密に位置合わせされている。【選択図】図2

Description

本開示の実施形態は、センサアレイ、より具体的には、複数の線形センサアレイ、更により具体的には、フォトサイトのアレイ間のサブマイクロメートルy軸位置合わせを有する複数の線形センサアレイに関する。
複数の線形に位置合わせされたフォトダイオード又はフォトサイトを備えるセンサアレイは、当該技術分野において周知である。例えば、全幅センサアレイと一般に呼ばれる線形センサアレイは、走査される基板の幅以上の長さを有する光センサ/フォトダイオード/フォトサイトのアレイ又は複数のアレイを含む。しかしながら、そのようなアレイを作製するための既存の設備に起因して、アレイは、各センサアレイが一定数の光センサ行、例えば、4行を含むという点で制限を有する。
場合によっては、4よりも多い光センサ行を有するセンサアレイを形成することが望ましい場合がある。しかしながら、そのような場合、4つの平行な光センサ行の隣接するセットが、実装基板に位置付けられ、接合されなければならない。したがって、各アレイが4つの行のフォトサイトを備える、複数の平行に形成されたセンサアレイを有するウェハをスライスしてサブアレイにし、実装基板上に位置付けて、基板に接合しなければならない。従来のスライシング及び配置操作に固有の制限は、センサアレイアセンブリを形成することができる正確さを制御する。要するに、隣接するセンサアレイの、反復可能で非常に正確な位置合わせされた配置は、特定の精度及び精密度までしか実行することができない、困難なかつ時間がかかるプロセスである。
本開示は、センサアレイのグループ間、例えば、上部センサアレイと下部センサアレイとの間の、ほぼ完全な位置合わせを有する複数の線形センサアレイの実施形態を説明し、これらの実施形態は、標準的な単一のアレイアセンブリに優るいくつかの利点をもたらす。
複数の線形センサアレイの前述の実施形態は、既知のセンサアレイよりも様々な利点を提供する。例えば、本明細書に開示される本センサアレイは、上部アレイ及び下部アレイのサンプリングをオフセットすることによって、画像走査速度を大幅に増加させる。更に、このようなセンサアレイは、ノイズを低減するために二重、三重などのサンプリングを実行する能力、すなわち、同じスポットを2回以上検出するか、又は言い換えれば、グループ化されたセンサアレイごとに同じスポットを検出する能力を提供する。なお更に、本センサアレイは、既知の色走査システムに優る利点をもたらすカラーフィルタの様々な構成を含んでもよい。例えば、1200dpi(1インチ当たりドット数(dots per inch、dpi))での真の4色走査、並びに8色画像走査が可能である。様々な実施形態は、既知の走査システムに優る、アレイ全体にわたる改善された空間分解分光光度測定を可能にする。
本明細書に示される態様によれば、第1のセンサアレイと、第2のセンサアレイと、実装基板と、を含むセンサアレイアセンブリが提供される。第1のセンサアレイは、第1のプロセス方向幅及び第1のフォトサイトを含み、一方で、第2のセンサアレイは、第2のプロセス方向幅及び第2のフォトサイトを含む。第1及び第2のセンサアレイは、実装基板上に固定される。第1のセンサアレイは、第2のセンサアレイから第1の距離に位置付けられ、第1の距離は、第1のプロセス方向幅又は第2のプロセス方向幅以上であり、第1のフォトサイトは、第2のフォトサイトと精密に位置合わせされている。
本明細書に示される他の態様によれば、第1のセンサアレイと、第2のセンサアレイと、犠牲区域と、実装基板と、を含むセンサアレイアセンブリが提供される。第1のセンサアレイは、第1のフォトサイトを含み、一方で、第2のセンサアレイは、第2のフォトサイトを含む。犠牲区域は、第1のセンサアレイと第2のセンサアレイとの間に配置され、第1のセンサアレイ及び第2のセンサアレイを接続する。第1及び第2のセンサアレイは、実装基板上に接合される。第1のセンサアレイ及び第2のセンサアレイが実装基板に接合された後に犠牲区域は除去され、第1のフォトサイトは、第2のフォトサイトと精密に位置合わせされる。
本明細書に示される更に他の態様によれば、第1のセンサアレイと、第2のセンサアレイと、犠牲区域と、実装基板と、を含むセンサアレイアセンブリが提供される。第1のセンサアレイは、第1の行のフォトサイト及び第2の行のフォトサイトを含み、第1の行のフォトサイトは、第1のフォトサイトを含み、第2の行のフォトサイトは、第2のフォトサイトを含む。第2のセンサアレイは、第3の行のフォトサイト及び第4の行のフォトサイトを含み、第3の行のフォトサイトは、第3のフォトサイトを含み、第4の行のフォトサイトは、第4のフォトサイトを含む。犠牲区域は、第1のセンサアレイと第2のセンサアレイとの間に配置される。第1及び第2のセンサアレイは、実装基板上に接合される。第1のセンサアレイ及び第2のセンサアレイが実装基板に接合された後に犠牲区域は除去され、第1のフォトサイトは、第2のフォトサイト、第3のフォトサイト、及び第4のフォトサイトと精密に位置合わせされる。
本開示の複数の線形センサアレイ、例えば、デュアル線形センサアレイの実施形態の上面図である。 図1の囲まれた領域2の上面図である。 第1の線形センサアレイの一部分の実施形態の拡大上面図である。 第2の線形センサアレイの一部分の実施形態の拡大上面図である。 互いに対して精密に位置合わせされた、図3に描かれた第1の線形センサアレイの一部分及び図4に描かれた第2の線形センサアレイの一部分の実施形態の拡大上面図である。 第1の線形センサアレイの一部分の実施形態の拡大上面図である。 第2の線形センサアレイの一部分の実施形態の拡大上面図である。 互いに対して精密に位置合わせされた、図6に描かれた第1の線形センサアレイの一部分及び図7に描かれた第2の線形センサアレイの一部分の実施形態の拡大上面図である。 互いに対して精密に位置合わせされた、第1の線形センサアレイの一部分及び第2の線形センサアレイの一部分の実施形態の拡大上面図である。 マスクの実施形態を含む単一のフォトサイトの実施形態の上面図である。 マスクの実施形態を含む単一のフォトサイトの実施形態の上面図である。 マスクの実施形態を含む単一のフォトサイトの実施形態の上面図である。 第1の線形センサアレイ、第2の線形センサアレイ、及びそれらの間の犠牲部分の一部分の拡大上面図であり、第1の線形センサアレイ及び第2の線形センサアレイが互いに対して精密に位置合わせされている。 互いに対して精密に位置合わせされた第1の線形センサアレイの一部分及び第2の線形センサアレイの一部分の実施形態の拡大上面図であり、それぞれの行のフォトサイトにおける各フォトサイトがフィルタを含む。 第1の線形センサアレイ、第2の線形センサアレイ、第3の線形センサアレイ、第1の線形センサアレイと第2の線形センサアレイとの間の第1の犠牲部分、及び第2の線形センサアレイと第3の線形センサアレイとの間の第2の犠牲部分の一部分の拡大上面図であり、第1の線形センサアレイ、第2の線形センサアレイ、及び第3の線形センサアレイが、互いに対して精密に位置合わせされている。
別途定義されない限り、本明細書で使用される全ての技術用語及び科学用語は、これらの実施形態が属する分野の当業者によって一般的に理解される意味と同じ意味を有する。本明細書で使用するとき、「プロセス方向」は、プリンタ、複写機、スキャナなどを通じた媒体輸送の方向を意味することを意図し、一方で、「横プロセス方向」は、プリンタ、複写機、スキャナなどを通じた媒体輸送の方向に対して垂直、あるいは他の用語では、プロセス方向に対して垂直を意味することを意図している。本明細書で使用するとき、「上部」及び「下部」センサアレイは、プロセス方向にオフセットされた2つのアレイを指すことを理解されたい。例えば、上部センサアレイは、プロセス方向に対して、プロセス方向に移動する媒体を走査する第1のセンサアレイであり、一方で、下部センサアレイは、プロセス方向に対して、プロセス方向に移動する媒体を走査する第2のセンサアレイである。本明細書で使用するとき、「精密な位置合わせ」及び「サブマイクロメートルの位置合わせ」は、1マイクロメートル以内の位置合わせを意味することを意図する。例えば、前述の用語は、+/−0.9マイクロメートル(μm)以内に位置合わせされたフォトサイト中心線を意味すると解釈され得るが、これらの用語は、その精度に限定されない。更に、本明細書に記載される精密な/サブマイクロメートルの位置合わせは、センサアレイを実装基板、例えば接着剤に固定するために使用される接合材料のガラス転移温度(Tg)未満の温度で維持されると考えられることを理解されたい。加えて、同等量の接合材料が各センサアレイに使用されることを条件として、実装基板に接合される各センサアレイに対して同等の移動が生じるはずであると考えられる。なお更に、本明細書で使用するとき、「台形」は、鋭角、直角、鈍角、二等辺、平行四辺形、3辺が等しい、矩形、菱形、及び正方形の台形を含む。
更に、本明細書で使用するとき、「プリンタ」、「プリンタシステム」、「印刷システム」、「プリンタデバイス」、及び「印刷デバイス」は、任意の目的のために印刷出力機能を実行する、デジタル複写機、製本機械、ファクシミリ機械、多機能機械などのような任意の装置を包含し、一方で、本明細書で使用するとき、「多機能デバイス」及び「MFD(multi−function device)」は、限定するものではないが、プリンタ、複写機、ファックス機械、及び/又はスキャナを含む、複数の異なる撮像デバイスを含むデバイスであって、有線接続又は無線接続のいずれかを介して、ローカルエリアネットワーク、ワイドエリアネットワーク、イーサネット(登録商標)に基づいたネットワーク、又はインターネットへの接続を更に提供し得るデバイスを意味することを意図する。MFDは、いくつかの機能を組み合わせて1つのユニットにする、任意のハードウェアを更に指すことができる。例えば、MFDとしては、スタンドアロンプリンタ、1つ以上のパーソナルコンピュータ、スタンドアロンスキャナ、携帯電話、MP3プレーヤ、オーディオエレクトロニクス、ビデオエレクトロニクス、GPSシステム、テレビ、記録媒体及び/若しくは再生媒体、又は任意の他のタイプの消費者若しくは非消費者向けアナログエレクトロニクス及び/若しくはデジタルエレクトロニクスを挙げることができるが、これらに限定されない。加えて、本明細書で使用するとき、「シート」、「紙のシート」、「媒体」、「印刷可能な媒体」、及び「紙」は、例えば、情報又はマーキングを視覚化及び/又は再生することができるウェブの形態での、紙、透明物、羊皮紙、フィルム、布地、プラスチック、写真仕上げ紙、又は他のコーティングされた若しくはコーティングされていない基板媒体を指す。
本明細書で使用するとき、「光センサ」、「フォトサイト」、及び「フォトダイオード」などの用語は、互換的に使用され、素子、例えば、半導体デバイスを意味することが意図されており、その素子は、光を電流などの電気エネルギーに変換し、その電気エネルギーは、続いて、素子に衝突する光の量、例えば強度、持続時間などを定量化するために使用され得ることを理解されたい。「光センサアレイ」は、フォトサイトの2次元(two dimensional、2D)アレイ、例えば、128個のフォトサイトの4つの平行な隣接する行を有するアレイなどを意味することを意図する。
本明細書で使用するとき、用語「平均」は、複数の入力データに基づいて結果データ又は決定が得られる任意の計算を含むように広く解釈されるべきであり、これには、限定するものではないが、加重平均、段階的な入力に基づく「はい」又は「いいえ」の決定などが挙げられる。更に、本明細書で使用するとき、システム又は要素と組み合わせた語句「のうちの少なくとも1つを備える」及び「のうちの少なくとも1つを備えている」は、そのシステム又は要素が、その語句の後に列挙される要素のうちの1つ以上を含むことを意味することを意図する。例えば、第1の要素、第2の要素、及び第3の要素のうちの少なくとも1つを備えるデバイスは、以下の構造的構成のうちのいずれか1つ、すなわち、デバイスが第1の要素を備えるか、デバイスが第2の要素を備えるか、デバイスが第3の要素を備えるか、デバイスが第1の要素と第2の要素とを備えるか、デバイスが第1の要素と第3の要素とを備えるか、デバイスが第1の要素と、第2の要素と、第3の要素とを備えるか、又はデバイスが第2の要素と第3の要素とを備えると解釈されることを意図する。語句「〜のうちの少なくとも1つにおいて使用される(used in at least one of:)」が本明細書で使用される場合も、類似する解釈が意図される。更に、本明細書で使用される場合、「及び/又は」は、列挙された要素又は条件のうちの1つ以上が含まれ得ること、又は発生し得ることを示すために使用される、文法的な接続詞を意味することを意図する。例えば、第1の要素、第2の要素、及び/又は第3の要素を備えるデバイスは、デバイスが第1の要素を備えるか、デバイスが第2の要素を備えるか、デバイスが第3の要素を備えるか、デバイスが第1の要素と第2の要素とを備えるか、デバイスが第1の要素と第3の要素とを備えるか、デバイスが第1の要素と、第2の要素と、第3の要素とを備えるか、又はデバイスが第2の要素と第3の要素とを備える構造的構成のうちのいずれか1つと解釈されることを意図する。
更に、本明細書で説明される方法、デバイス、又は材料に類似する、又は同等の任意の方法、デバイス、又は材料を、これらの実施形態の実施又は試験に使用することができるが、方法、デバイス、及び材料のいくつかの実施形態を以下に説明する。
広くは、本開示は、センサアレイアセンブリの様々な実施形態を含む。いくつかの実施形態では、センサアレイアセンブリ50は、センサアレイ52、センサアレイ54、及び実装基板56を備える。明確さのために、プロセス方向は、双方向矢印58によって指定されることを理解されたい。センサアレイ52は、プロセス方向幅60及び少なくともフォトサイト62を備える。センサアレイ54は、プロセス方向幅64及び少なくともフォトサイト66を備える。センサアレイ52及び54は、実装基板56上に別個に固定される。本明細書で使用するとき、「別個に固定される」とは、センサアレイ52及び54が互いに接触していないことを意味することを意図するが、センサアレイ52及び54の両方が実装基板56に同時に固定されることが可能である。フォトサイト62は、フォトサイト66と精密に位置合わせされている。いくつかの実施形態では、センサアレイ52は、第2のアレイ54から距離68に位置付けられている。距離68は、プロセス方向幅60又はプロセス方向幅64以上である。
センサアレイ52及び54のそれぞれは、複数のサブアレイ、例えば、サブアレイ70及び72から、それぞれ形成されてもよいことを理解されたい。いくつかの実施形態では、センサアレイ52は、複数のフォトサイトをそれぞれ含む少なくとも2つのサブアレイ70を備え、センサアレイ54は、複数のフォトサイトをそれぞれ含む少なくとも2つのサブアレイ72を備える。少なくとも2つのサブアレイ70の複数のフォトサイトの各フォトサイトは、少なくとも2つのサブアレイ72の複数のフォトサイトのそれぞれの相補的なフォトサイトと精密に位置合わせされる。本明細書で使用するとき、「相補的なフォトサイト」は、互いに一致する位置合わせされたアレイからのフォトサイト、例えば、各アレイの第1のフォトサイト、各アレイの第2のフォトサイトなどを意味することを意図する。更に、センサアレイ52及び54のそれぞれは、複数のフォトサイトを備えるが、明確さのために、1行当たりの各フォトサイトのうちの1つのみが図面にラベル付けされている。なお更に、センサアレイ52及び54のそれぞれは、複数行のフォトサイトを備えてもよい。
図面に見られるように、センサアレイ52及び54は互いに対して精密に位置合わせされており、その結果、フォトサイト62及びフォトサイト66が互いに対して精密に位置合わせされる。精密な位置合わせは、プロセス方向58に対するフォトサイトの線形配置を示す破線74によって表される。これまで、センサアレイ52と54との間で可能な位置合わせのレベルは、スライシング及び配置操作によって制限されていた。センサアレイアセンブリ50は、その製造方法に起因して、センサアレイ52と54との間の精密に位置合わせされたフォトサイトを含み、これはまた、精密に位置合わせされたフォトサイト62及び66も含む。
いくつかの実施形態では、フォトサイト62は、マスクされた部分76及びマスクされていない部分78を含み、一方で、フォトサイト66は、マスクされた部分80及びマスクされていない部分82を含む。いくつかの実施形態では、マスクされた部分76は、マスクされていない部分82と位置合わせされ、マスクされた部分80は、マスクされていない部分78と位置合わせされる。前述の位置合わせは、マスクされた部分及びマスクされていない部分の相対プロセス方向58の線形配置を示す破線84及び86によって表される。更に、いくつかの実施形態では、マスクされていない部分78は、マスクされた部分80と完全に位置合わせされていない。このような実施形態では、上部及び下部センサアレイからのマスクされていない部分は、互いに部分的に重なり合ってもよい。例えば、図9に描かれるように、マスクされていない部分88は、マスクされていない部分90と部分的に重なり合う。
いくつかの実施形態では、マスクされていない部分78及びマスクされていない部分82のそれぞれは、ある形状を含む。例えば、その形状としては、台形、三角形、円、楕円、4つを超える辺を含む多角形、及びこれらの組み合わせを挙げることができるが、これらに限定されない。前述の形状の実施形態は、図10〜図12に描かれる様々な可能なマスクされた領域91によって表され、領域91のうちの1つ以上は、各フォトサイト上に含まれてもよい。しかしながら、マスクされていない部分の様々な形状の配置が集合的に、完全にマスクされていないフォトサイトをもたらすとき、センサアレイアセンブリの性能が改善されると考えられると理解されるべきである。例えば、マスクされていないままの異なる1/4部分をそれぞれ含む4つの位置合わせされたフォトサイトは集合的に、完全にマスクされていないフォトサイトをもたらす。マスクされていない部分のサイズ及び配置に応じて、1インチ当たりドット数(dpi)の様々な量を走査してもよい。したがって、例えば、プロセス及び横プロセス方向の両方において600dpiで走査するように配置されたフォトサイトを含むアレイについては、各フォトサイトの半分に相当するマスクされていない部分を導入すること(図3〜図5を参照)により、横プロセス方向において1200dpiの走査をもたらし、一方で、各フォトサイトの1/4に相当するマスクされていない部分を導入すること(図6〜図8を参照)により、プロセス方向及び横プロセス方向の両方において1200dpiの走査をもたらす。
いくつかの実施形態では、マスクされていない部分78は、フィルタ92を含み、マスクされていない部分82は、フィルタ94を含む。いくつかの実施形態では、フィルタ92は、第1のスペクトル、例えば、約480nm〜約530nmの範囲の波長を通過させ、フィルタ94は、第2のスペクトル、例えば、約530nm〜約580nmの範囲の波長を通過させる。いくつかの実施形態では、第1のスペクトルは、第2のスペクトルとは異なるが、いくつかの実施形態では、第1のスペクトルは、第2のスペクトルと同じである。
いくつかの実施形態では、センサアレイ52は、フォトサイトの行96及びフォトサイトの行98を備え、センサアレイ54は、フォトサイトの行100及びフォトサイトの行102を備える。フォトサイトの行96は、少なくともフォトサイト62を含み、フォトサイトの行98は、少なくともフォトサイト104を含み、フォトサイトの行100は、少なくともフォトサイト66を含み、フォトサイトの行102は、少なくともフォトサイト106を含む。フォトサイト62は、フォトサイト66、フォトサイト104、及びフォトサイト106と精密に位置合わせされている。前述の位置合わせは、マスクされた部分及びマスクされていない部分の相対プロセス方向58の線形配置を示す破線74によって表される。
いくつかの実施形態では、フォトサイト62は、マスクされた部分76及びマスクされていない部分78を含み、フォトサイト66は、マスクされた部分80及びマスクされていない部分82を含み、フォトサイト104は、マスクされた部分108及びマスクされていない部分110を含み、フォトサイト106は、マスクされた部分112及びマスクされていない部分114を含む。いくつかの実施形態では、マスクされた部分76は、マスクされていない部分82と位置合わせされ、マスクされた部分80は、マスクされていない部分78と位置合わせされ、マスクされた部分108は、マスクされていない部分114と位置合わせされ、マスクされた部分112は、マスクされていない部分110と位置合わせされる。前述の位置合わせは、マスクされた部分及びマスクされていない部分の相対プロセス方向58の線形配置を示す破線84及び86によって表される。更に、いくつかの実施形態では、マスクされていない部分78は、マスクされた部分80と完全に位置合わせされず、マスクされていない部分110は、マスクされた部分112と完全に位置合わせされていない。このような実施形態では、上部及び下部センサアレイからのマスクされていない部分は、互いに部分的に重なり合ってもよい。例えば、図9に描かれるように、マスクされていない部分88はマスクされていない部分90と部分的に重なり合い、マスクされていない部分116はマスクされていない部分118と部分的に重なり合う。
いくつかの実施形態において、マスクされていない部分78、マスクされていない部分82、マスクされていない部分110、及びマスクされていない部分114のそれぞれは、ある形状を含む。例えば、その形状としては、台形、三角形、円、楕円、4つを超える辺を含む多角形、及びこれらの組み合わせを挙げることができるが、これらに限定されない。前述の形状の実施形態は、図10〜図12に表される。しかしながら、マスクされていない部分の様々な形状の配置が集合的に、完全にマスクされていないフォトサイトをもたらすとき、センサアレイアセンブリの性能が改善されると考えられると理解されるべきである。例えば、マスクされていないままの異なる1/4部分をそれぞれ含む4つの位置合わせされたフォトサイトは集合的に、完全にマスクされていないフォトサイトをもたらす。マスクされていない部分のサイズ及び配置に応じて、1インチ当たりドット数(dpi)の様々な量を走査してもよい。したがって、例えば、プロセス及び横プロセス方向の両方において600dpiで走査するように配置されたフォトサイトを含むアレイについては、各フォトサイトの半分に相当するマスクされていない部分を導入すること(図3〜図5を参照)により、横プロセス方向において1200dpiの走査をもたらし、一方で、各フォトサイトの1/4に相当するマスクされていない部分を導入すること(図6〜図8を参照)により、プロセス方向及び横プロセス方向の両方において1200dpiの走査をもたらす。
いくつかの実施形態では、マスクされていない部分78はフィルタ92を含み、マスクされていない部分82はフィルタ94を含み、マスクされていない部分110はフィルタ120を含み、マスクされていない部分114はフィルタ122を含む。いくつかの実施形態では、フィルタ92は、第1のスペクトル、例えば、約400nm〜約450nmの範囲の波長を通過させ、フィルタ94は、第2のスペクトル、例えば、約490nm〜約520nmの範囲の波長を通過させ、フィルタ120は、第3のスペクトル、例えば、約560nm〜約590nmの範囲の波長を通過させ、フィルタ122は、第4のスペクトル、例えば、約635nm〜約700nmの範囲の波長を通過させる。いくつかの実施形態では、第1のスペクトルは、第2のスペクトル、第3のスペクトル、及び第4のスペクトルとは異なる。いくつかの実施形態では、第1のスペクトルは、第2のスペクトル、第3のスペクトル、及び第4のスペクトルのうちの少なくとも1つと同じである。
広くは、本開示は、センサアレイアセンブリの他の実施形態を含む。いくつかの実施形態では、センサアレイアセンブリ150は、センサアレイ152、センサアレイ154、犠牲区域156、及び実装基板158を備える。センサアレイ152は、少なくともフォトサイト160を備え、一方、センサアレイ154は、少なくともフォトサイト162を含む。犠牲区域156は、センサアレイ152及び154の間に配置され、センサアレイ152及び154を接続する。センサアレイ152及び154は、実装基板158に接合される。センサアレイ152及び154が実装基板158に接合された後、犠牲区域156が除去される。フォトサイト160は、フォトサイト162と精密に位置合わせされている。精密な位置合わせは、プロセス方向58に対するフォトサイトの線形配置を示す破線163によって表される。上記を考慮して、犠牲区域156の除去後、センサアレイ152及び154は、実装基板158に別個に固定される。
センサアレイ152及び154のそれぞれは、例えば、図1に描かれるサブアレイと同様に、複数のサブアレイから形成されてもよいことを理解されたい。更に、センサアレイ152及び154のそれぞれは、複数のフォトサイトを備えるが、明確さのために、1行当たりの各フォトサイトのうちの1つのみが図面にラベル付けされている。なお更に、センサアレイ152及び154のそれぞれは、複数行のフォトサイトを備えてもよい。
広くは、本開示は、センサアレイアセンブリの他の実施形態を含む。いくつかの実施形態では、センサアレイアセンブリ150は、センサアレイ152、センサアレイ154、犠牲区域156、及び実装基板158を備える。センサアレイ152は、フォトサイトの行164及びフォトサイトの行166を含む。フォトサイトの行164は、少なくともフォトサイト160を含み、フォトサイトの行166は、少なくともフォトサイト172を含む。センサアレイ154は、フォトサイトの行168及びフォトサイトの行170を含む。フォトサイトの行168は、少なくともフォトサイト162を含み、フォトサイトの行170は、少なくともフォトサイト174を含む。犠牲区域156は、センサアレイ152とセンサアレイ154との間に配置される。センサアレイ152及び154は、実装基板158に接合される。センサアレイ152及び154が実装基板158に接合された後、犠牲区域156が除去される。フォトサイト160は、フォトサイト162、フォトサイト172、及びフォトサイト174と精密に位置合わせされている。上記を考慮して、犠牲区域156の除去後、センサアレイ152及び154は、実装基板158に別々に固定される。
センサアレイ152及び154のそれぞれは、例えば、図1に描かれるサブアレイと同様に、複数のサブアレイから形成されてもよいことを理解されたい。更に、センサアレイ152及び154のそれぞれは、複数のフォトサイトを備えるが、明確さのために、1行当たりの各フォトサイトのうちの1つのみが図面にラベル付けされている。
いくつかの実施形態では、センサアレイ152は、フォトサイトの行176及びフォトサイトの行178を更に備え、センサアレイ154は、フォトサイトの行180及びフォトサイトの行182を更に備える。フォトサイトの行176は、少なくともフォトサイト184を含み、フォトサイトの行178は、少なくともフォトサイト186を含み、フォトサイトの行180は、少なくともフォトサイト188を含み、フォトサイトの行182は、少なくともフォトサイト190を含む。フォトサイト160は、フォトサイト162、フォトサイト172、フォトサイト174、フォトサイト184、フォトサイト186、フォトサイト188、及びフォトサイト190と精密に位置合わせされている。
いくつかの実施形態では、フォトサイト160はフィルタ192を含み、フォトサイト162はフィルタ194を含み、フォトサイト172はフィルタ196を含み、フォトサイト174はフィルタ198を含み、フォトサイト184はフィルタ200を含み、フォトサイト186はフィルタ202を含み、フォトサイト188はフィルタ204を含み、フォトサイト190はフィルタ206を含む。いくつかの実施形態では、フィルタ192は、第1のスペクトル、例えば、約400nm〜約450nmの範囲の波長を通過させ、フィルタ194は、第2のスペクトル、例えば、約450nm〜約490nmの範囲の波長を通過させ、フィルタ196は、第3のスペクトル、例えば、約490nm〜約520nmの範囲の波長を通過させ、フィルタ198は、第4のスペクトル、例えば、約520nm〜約560nmの範囲の波長を通過させ、フィルタ200は、第5のスペクトル、例えば、約560nm〜約590nmの範囲の波長を通過させ、フィルタ202は、第6のスペクトル、例えば、約590nm〜約635nmの範囲の波長を通過させ、フィルタ204は、第7のスペクトル、例えば、約635nm〜約700nmの範囲の波長を通過させ、フィルタ206は、第8のスペクトル、例えば、約700nm〜約730nmの範囲の波長を通過させる。いくつかの実施形態では、第1のスペクトルは、第2のスペクトル、第3のスペクトル、第4のスペクトル、第5のスペクトル、第6のスペクトル、第7のスペクトル、及び第8のスペクトルとは異なる。いくつかの実施形態では、第1のスペクトルは、第2のスペクトル、第3のスペクトル、第4のスペクトル、第5のスペクトル、第6のスペクトル、第7のスペクトル、及び第8のスペクトルのうちの少なくとも1つと同じである。
上記のセンサアレイの実施形態は、精密に位置合わせされたフォトサイト上に1つ以上のカラーフィルタを含んでもよいことを理解されたい。したがって、フォトサイトの各列は、1つ以上の測定値からスペクトルデータを提供する分光光度計として機能し得る。例えば、8つの固有のカラーフィルタを有する実施形態では、互いに対して精密に位置合わせされた8つのフォトサイトは、同じ走査領域に対して8つの固有のスペクトル出力を提供することができる。
更に、上記のセンサアレイの実施形態は、3つ以上の精密に位置合わせされたセンサアレイを含み得ることを理解されたい。例えば、センサアレイアセンブリ250は、犠牲区域256によって分離及び接続されたセンサアレイ252及びセンサアレイ254を備え、センサアレイ254から分離され、かつ犠牲区域260によって接続されたセンサアレイ258を更に備える。センサアレイ252、254、及び258は、他の実施形態に関して上記したのと同様に、実装基板262に接合される。センサアレイ252は少なくともフォトサイト264を備え、センサアレイ254は少なくともフォトサイト266を備え、センサアレイ258は少なくともフォトサイト268を備える。他の実施形態に関して上記したように、センサアレイ252、254、及び258はそれぞれ、複数のフォトサイト、及び/又は複数行のフォトサイトを備えてもよいことを理解されたい。センサアレイ252、254、及び258が実装基板262に接合された後、犠牲区域256及び260が除去され、それによって、実装基板262に接合されたセンサアレイ252、254、及び258のみが残る。これらの実施形態では、フォトサイト264、266、及び268、並びにそれによってセンサアレイ252、254、及び258は、互いに精密に位置合わせされている。
上記に述べたセンサアレイアセンブリの様々な実施形態は、これまで達成するのがより困難かつ/又は非実用的であった走査動作及び走査装置への追加機能を可能にすることを理解されたい。例えば、2つ以上のセンサアレイの精密な位置合わせを考慮すると、走査装置内のアセンブリの歪み補正が容易に達成され得る。共通基板上に全て実装された2つ以上のセンサアレイは、各アレイが垂直画像、例えば垂直線を、実質的に同じ手法、ほぼ正確に同じ手法、又は正確に同じ手法で検出するまで、回転されてもよい。加えて、アレイの意図的な歪みが、走査装置のアセンブリ中に導入され得る。例えば、2つ以上のセンサアレイは、第1のセンサアレイが第2のセンサアレイに対して半分の画素幅だけシフトされるように意図的に歪められてもよく、それにより、第1のアレイが、第2のセンサアレイ内の画素(フォトサイト)間の間隙に収まる画像データを感知することが可能になる。前述の構成は、例えば13マイクロメートルであり得る小さな画素間の間隙を補正することが可能であるべきである。
上記を考慮して、本開示は、アレイ間にサブマイクロメートルの位置合わせを有する単一回路基板上に作製された複数の線形センサアレイを含むことを更に理解されたい。更に、アレイのフォトサイトの適切なマスキングは、プロセス方向及び/又は横プロセス方向において、1200dpi(インチ当たりドット数)の解像度で走査する能力を有するセンサを得ることができる。なお更に、第2、第3などの精密に位置合わせされたアレイは、センサに追加のフィルタリングを適用する機会を提供し、それによって、より高い忠実度の分光光度計を提供する。本開示の複数のセンサアレイは、走査速度を増加させ、解像度を向上させ、冗長サンプリング及び/又はオーバーサンプリングを可能にし、8つ以上の色画像センサまで容易に拡張可能である。

Claims (26)

  1. センサアレイアセンブリであって、
    第1のプロセス方向幅及び第1のフォトサイトを備える第1のセンサアレイと、
    第2のプロセス方向幅及び第2のフォトサイトを備える第2のセンサアレイと、
    前記第1のセンサアレイ及び前記第2のセンサアレイが別個に固定された実装基板と、を備え、
    前記第1のフォトサイトが、前記第2のフォトサイトと精密に位置合わせされている、センサアレイアセンブリ。
  2. 前記第1のセンサアレイが、複数のフォトサイトをそれぞれ含む少なくとも2つの第1のサブアレイを備え、前記第2のセンサアレイが、複数のフォトサイトをそれぞれ含む少なくとも2つの第2のサブアレイを備え、前記少なくとも2つの第1のサブアレイの前記複数のフォトサイトが、前記少なくとも2つの第2のサブアレイの前記複数のフォトサイトと精密に位置合わせされている、請求項1に記載のセンサアレイアセンブリ。
  3. 前記第1のセンサアレイが、前記第2のセンサアレイから第1の距離に位置付けられており、前記第1の距離が、前記第1のプロセス方向幅又は前記第2のプロセス方向幅以上である、請求項1に記載のセンサアレイアセンブリ。
  4. 前記第1のフォトサイトが、第1のマスクされた部分及び第1のマスクされていない部分を含み、前記第2のフォトサイトが、第2のマスクされた部分及び第2のマスクされていない部分を含む、請求項1に記載のセンサアレイアセンブリ。
  5. 前記第1のマスクされた部分が、前記第2のマスクされていない部分と位置合わせされており、前記第2のマスクされた部分が、前記第1のマスクされていない部分と位置合わせされている、請求項4に記載のセンサアレイアセンブリ。
  6. 前記第1のマスクされていない部分が、前記第2のマスクされていない部分と部分的に重なり合って位置合わせされている、請求項4に記載のセンサアレイアセンブリ。
  7. 前記第1のマスクされていない部分及び前記第2のマスクされていない部分のそれぞれが、台形、三角形、4つを超える辺を含む多角形、及びこれらの組み合わせの群から選択される形状を含む、請求項4に記載のセンサアレイアセンブリ。
  8. 前記第1のマスクされていない部分が第1のフィルタを含み、前記第2のマスクされていない部分が第2のフィルタを含む、請求項4に記載のセンサアレイアセンブリ。
  9. 前記第1のフィルタが第1のスペクトルを通過させ、前記第2のフィルタが第2のスペクトルを通過させる、請求項8に記載のセンサアレイアセンブリ。
  10. 前記第1のスペクトルが、前記第2のスペクトルとは異なる、請求項9に記載のセンサアレイアセンブリ。
  11. 前記第1のセンサアレイが、第1の行のフォトサイト及び第2の行のフォトサイトを含み、前記第2のセンサアレイが、第3の行のフォトサイト及び第4の行のフォトサイトを含み、前記第1の行のフォトサイトが、前記第1のフォトサイトを含み、前記第2の行のフォトサイトが、第3のフォトサイトを含み、前記第3の行のフォトサイトが、前記第2のフォトサイトを含み、前記第4の行のフォトサイトが、第4のフォトサイトを含み、前記第1のフォトサイトが、前記第2のフォトサイト、前記第3のフォトサイト、及び前記第4のフォトサイトと精密に位置合わせされている、請求項1に記載のセンサアレイアセンブリ。
  12. 前記第1のフォトサイトが、第1のマスクされた部分及び第1のマスクされていない部分を含み、前記第2のフォトサイトが、第2のマスクされた部分及び第2のマスクされていない部分を含み、前記第3のフォトサイトが、第3のマスクされた部分及び第3のマスクされていない部分を含み、前記第4のフォトサイトが、第4のマスクされた部分及び第4のマスクされていない部分を含む、請求項11に記載のセンサアレイアセンブリ。
  13. 前記第1のマスクされた部分が前記第2のマスクされていない部分と位置合わせされており、前記第2のマスクされた部分が前記第1のマスクされていない部分と位置合わせされており、前記第3のマスクされた部分が前記第4のマスクされていない部分と位置合わせされており、前記第4のマスクされた部分が前記第3のマスクされていない部分と位置合わせされている、請求項12に記載のセンサアレイアセンブリ。
  14. 前記第1のマスクされていない部分が、前記第2のマスクされていない部分と部分的に重なり合って位置合わせされており、前記第3のマスクされていない部分が、前記第4のマスクされていない部分と部分的に重なり合って位置合わせされている、請求項12に記載のセンサアレイアセンブリ。
  15. 前記第1のマスクされていない部分、前記第2のマスクされていない部分、前記第3のマスクされていない部分、及び前記第4のマスクされていない部分のそれぞれが、台形、三角形、4つを超える辺を含む多角形、及びこれらの組み合わせの群から選択される形状を含む、請求項12に記載のセンサアレイアセンブリ。
  16. 前記第1のマスクされていない部分が第1のフィルタを含み、前記第2のマスクされていない部分が第2のフィルタを含み、前記第3のマスクされていない部分が第3のフィルタを含み、前記第4のマスクされていない部分が第4のフィルタを含む、請求項12に記載のセンサアレイアセンブリ。
  17. 前記第1のフィルタが第1のスペクトルを通過させ、前記第2のフィルタが第2のスペクトルを通過させ、前記第3のフィルタが第3のスペクトルを通過させ、前記第4のフィルタが第4のスペクトルを通過させる、請求項16に記載のセンサアレイアセンブリ。
  18. 前記第1のスペクトルが、前記第2のスペクトル、前記第3のスペクトル、及び前記第4のスペクトルとは異なる、請求項17に記載のセンサアレイアセンブリ。
  19. 第3のプロセス方向幅及び第3のフォトサイトを備える第3のセンサアレイを更に備え、
    前記第3のセンサアレイが、前記実装基板に別個に固定されており、前記第1のフォトサイト、前記第2のフォトサイト、及び前記第3のフォトサイトが、互いに精密に位置合わせされている、請求項1に記載のセンサアレイアセンブリ。
  20. センサアレイアセンブリであって、
    第1のフォトサイトを備える第1のセンサアレイと、
    第2のフォトサイトを備える第2のセンサアレイと、
    前記第1のセンサアレイと前記第2のセンサアレイとの間に配置されており、かつ前記第1のセンサアレイ及び前記第2のセンサアレイを接続している、第1の犠牲区域と、
    前記第1のセンサアレイ及び前記第2のセンサアレイが接合されている実装基板と、を備え、
    前記第1のセンサアレイ及び前記第2のセンサアレイが前記実装基板に接合された後に前記第1の犠牲区域が除去され、前記第1のフォトサイトが前記第2のフォトサイトと精密に位置合わせされている、センサアレイアセンブリ。
  21. 第3のフォトサイトを備える第3のセンサアレイと、
    前記第2のセンサアレイと前記第3のセンサアレイとの間に配置されており、かつ前記第2のセンサアレイ及び前記第3のセンサアレイを接続している、第2の犠牲区域と、を更に備え、
    前記第3のセンサアレイが前記実装基板に接合されており、前記第1のセンサアレイ、前記第2のセンサアレイ、及び前記第3のセンサアレイが前記実装基板に接合された後に前記第2の犠牲区域が除去され、前記第1のフォトサイト、前記第2のフォトサイト、及び前記第3のフォトサイトが互いに精密に位置合わせされている、請求項20に記載のセンサアレイアセンブリ。
  22. センサアレイアセンブリであって、
    第1の行のフォトサイト及び第2の行のフォトサイトを備える第1のセンサアレイであって、前記第1の行のフォトサイトが第1のフォトサイトを含み、前記第2の行のフォトサイトが第2のフォトサイトを含む、第1のセンサアレイと、
    第3の行のフォトサイト及び第4の行のフォトサイトを備える第2のセンサアレイであって、前記第3の行のフォトサイトが第3のフォトサイトを含み、前記第4の行のフォトサイトが第4のフォトサイトを含む、第2のセンサアレイと、
    前記第1のセンサアレイと前記第2のセンサアレイとの間に配置された犠牲区域と、
    前記第1のセンサアレイ及び前記第2のセンサアレイが接合されている実装基板と、を備え、
    前記第1のセンサアレイ及び前記第2のセンサアレイが前記実装基板に接合された後に前記犠牲区域が除去され、前記第1のフォトサイトが、前記第2のフォトサイト、前記第3のフォトサイト、及び前記第4のフォトサイトと精密に位置合わせされている、センサアレイアセンブリ。
  23. 前記第1のセンサアレイが、第5の行のフォトサイト及び第6の行のフォトサイトを更に備え、前記第2のセンサアレイが、第7の行のフォトサイト及び第8の行のフォトサイトを更に備え、前記第5の行のフォトサイトが第5のフォトサイトを含み、前記第6の行のフォトサイトが第6のフォトサイトを含み、前記第7の行のフォトサイトが第7のフォトサイトを含み、前記第8の行のフォトサイトが第8のフォトサイトを含み、前記第1のフォトサイトが、前記第2のフォトサイト、前記第3のフォトサイト、前記第4のフォトサイト、前記第5のフォトサイト、前記第6のフォトサイト、前記第7のフォトサイト、及び前記第8のフォトサイトと精密に位置合わせされている、請求項22に記載のセンサアレイアセンブリ。
  24. 前記第1のフォトサイトが第1のフィルタを含み、前記第2のフォトサイトが第2のフィルタを含み、前記第3のフォトサイトが第3のフィルタを含み、前記第4のフォトサイトが第4のフィルタを含み、前記第5のフォトサイトが第5のフィルタを含み、前記第6のフォトサイトが第6のフィルタを含み、前記第7のフォトサイトが第7のフィルタを含み、前記第8のフォトサイトが第8のフィルタを含む、請求項23に記載のセンサアレイアセンブリ。
  25. 前記第1のフィルタが第1のスペクトルを通過させ、前記第2のフィルタが第2のスペクトルを通過させ、前記第3のフィルタが第3のスペクトルを通過させ、前記第4のフィルタが第4のスペクトルを通過させ、前記第5のフィルタが第5のスペクトルを通過させ、前記第6のフィルタが第6のスペクトルを通過させ、前記第7のフィルタが第7のスペクトルを通過させ、前記第8のフィルタが第8のスペクトルを通過させる、請求項24に記載のセンサアレイアセンブリ。
  26. 前記第1のスペクトルが、前記第2のスペクトル、前記第3のスペクトル、前記第4のスペクトル、前記第5のスペクトル、前記第6のスペクトル、前記第7のスペクトル、及び前記第8のスペクトルとは異なる、請求項25に記載のセンサアレイアセンブリ。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10943895B2 (en) * 2019-01-14 2021-03-09 Xerox Corporation Method of fabricating a plurality of linear arrays with submicron y-axis alignment

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02305063A (ja) * 1989-05-18 1990-12-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd イメージセンサ
JP2000209412A (ja) * 1999-01-11 2000-07-28 Fuji Photo Film Co Ltd 原稿読取装置
JP2003037707A (ja) * 2001-05-29 2003-02-07 Xerox Corp 空間分解能が異なる複数のリニアフォトセンサアレイを備える影像装置
JP2007324988A (ja) * 2006-06-01 2007-12-13 Fuji Xerox Co Ltd 画像処理装置
JP2012003009A (ja) * 2010-06-16 2012-01-05 Fujifilm Corp 固体撮像素子及びその製造方法並びに撮影装置
JP2012215785A (ja) * 2011-04-01 2012-11-08 Canon Inc 固体撮像素子及び撮像装置
JP2015227943A (ja) * 2014-05-30 2015-12-17 コニカミノルタ株式会社 画像形成装置及び露光位置調整方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4746793A (en) * 1986-09-10 1988-05-24 Hewlett-Packard Company Mask for spectrophotometer photodiode array having a bridge portion that substantially covers each photodiode
US5148268A (en) 1991-04-26 1992-09-15 Xerox Corporation Multiplexing arrangement for controlling data produced by a color images sensor array
US8212197B2 (en) * 2009-07-02 2012-07-03 Xerox Corporation Image sensor with integration time compensation
US7990528B2 (en) 2009-09-29 2011-08-02 Xerox Corporation High resolution linear image sensing using multi-row low resolution image sensor
US8129258B2 (en) 2009-12-23 2012-03-06 Xerox Corporation Method for dicing a semiconductor wafer, a chip diced from a semiconductor wafer, and an array of chips diced from a semiconductor wafer
CA2863626A1 (en) * 2012-02-21 2013-08-29 Massachusetts Institute Of Technology Spectrometer devices

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02305063A (ja) * 1989-05-18 1990-12-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd イメージセンサ
JP2000209412A (ja) * 1999-01-11 2000-07-28 Fuji Photo Film Co Ltd 原稿読取装置
JP2003037707A (ja) * 2001-05-29 2003-02-07 Xerox Corp 空間分解能が異なる複数のリニアフォトセンサアレイを備える影像装置
JP2007324988A (ja) * 2006-06-01 2007-12-13 Fuji Xerox Co Ltd 画像処理装置
JP2012003009A (ja) * 2010-06-16 2012-01-05 Fujifilm Corp 固体撮像素子及びその製造方法並びに撮影装置
JP2012215785A (ja) * 2011-04-01 2012-11-08 Canon Inc 固体撮像素子及び撮像装置
JP2015227943A (ja) * 2014-05-30 2015-12-17 コニカミノルタ株式会社 画像形成装置及び露光位置調整方法

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