KR20200088220A - 어레이들 사이에 서브미크론 y-축 정렬을 갖는 복수의 선형 센서 어레이 - Google Patents
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Abstract
제1 센서 어레이, 제2 센서 어레이 및 장착 기재를 포함하는 센서 어레이 조립체. 제1 센서 어레이는 제1 공정 방향 폭 및 제1 포토사이트를 포함하는 반면, 제2 센서 어레이는 제2 공정 방향 폭 및 제2 포토사이트를 포함한다. 제1 및 제2 센서 어레이들은 장착 기재 상에 개별적으로 고정된다. 제1 포토사이트는 제2 포토사이트와 정밀 정렬된다.
Description
현재 개시된 실시예들은 센서 어레이(sensor array), 보다 구체적으로는 복수의 선형 센서 어레이, 더욱 더 구체적으로는 포토사이트(photosite)들의 어레이들 사이에 서브미크론(submicron) y-축 정렬을 갖는 복수의 선형 센서 어레이에 관한 것이다.
복수의 선형으로 정렬된 포토다이오드 또는 포토사이트를 포함하는 센서 어레이가 당업계에 잘 알려져 있다. 예를 들어, 통상적으로 전폭(full width) 센서 어레이로 지칭되는 선형 센서 어레이는 스캐닝될 기재(substrate)의 폭 이상의 길이를 갖는 광 센서/포토다이오드/포토사이트의 어레이 또는 복수의 어레이를 포함한다. 그러나, 그러한 어레이들을 제조하기 위한 기존의 장비로 인해, 어레이들은 각각의 센서 어레이가 고정된 개수의 광 센서 행(row), 예컨대 4개의 행을 포함한다는 점에서 제한을 갖는다.
일부 경우에, 4개 초과의 광 센서 행을 갖는 센서 어레이를 형성하는 것이 바람직할 수 있다. 그러나, 그러한 경우에, 4개의 평행한 광 센서 행의 인접 세트들이 장착 기재에 위치되고 접합되어야 한다. 따라서, 각각의 어레이가 4개의 포토사이트 행을 포함하는 복수의 평행하게 형성된 센서 어레이를 갖는 웨이퍼가 장착 기재 상에 위치되고 그에 접합되는 서브어레이(sub-array)들로 슬라이싱되어야 한다. 종래의 슬라이싱 및 배치 작업에 내재하는 제한은 센서 어레이 조립체(sensor array assembly)가 형성될 수 있는 정확도를 제어한다. 요컨대, 인접 센서 어레이들의 반복가능한 고도로 정확한 정렬된 배치는 특정 수준의 정확도 및 정밀도로만 수행될 수 있는 어렵고 시간 소모적인 공정이다.
본 개시 내용은, 표준 단일 어레이 조립체들에 비해 몇몇 이점이 얻어지게 하는, 센서 어레이들, 예컨대 상부 및 하부 센서 어레이들의 군들 사이의 거의 완벽한 정렬을 갖는 복수의 선형 센서 어레이들의 실시예들을 기술한다.
복수의 선형 센서 어레이들의 전술한 실시예들은 공지된 센서 어레이들에 비해 다양한 이점을 제공한다. 예를 들어, 본 명세서에 개시된 본 센서 어레이들은 상부 및 하부 어레이들의 샘플링을 오프셋시킴으로써 이미지 스캐닝 속도를 크게 증가시킨다. 또한, 그러한 센서 어레이들은 노이즈를 감소시키기 위해 이중, 삼중 등의 샘플링, 즉 동일한 스폿(sport)을 2회 이상 검출하는 것, 또는 다른 말로 각각의 그룹화된 센서 어레이로 동일한 스폿을 검출하는 것을 수행하는 능력을 제공한다. 또한 추가로, 본 센서 어레이들은 공지된 컬러 스캐닝 시스템에 비해 이점을 제공하기 위한 컬러 필터들의 다양한 구성을 포함할 수 있다. 예를 들어, 일천이백(1,200)의 인치당 도트(dot per inch, dpi)에서의 진정한 4색 스캐닝뿐만 아니라 8색 이미지 스캐닝이 가능하다. 다양한 실시예는 공지된 스캐닝 시스템들에 비해 전체 어레이에 걸쳐 개선된 공간적으로 분해된 분광 광도계 측정을 허용한다.
본 명세서에 예시된 태양에 따르면, 제1 센서 어레이, 제2 센서 어레이 및 장착 기재를 포함하는 센서 어레이 조립체가 제공된다. 제1 센서 어레이는 제1 공정 방향 폭 및 제1 포토사이트를 포함하는 반면, 제2 센서 어레이는 제2 공정 방향 폭 및 제2 포토사이트를 포함한다. 제1 및 제2 센서 어레이들은 장착 기재 상에 고정된다. 제1 센서 어레이는 제2 센서 어레이로부터 제1 거리에 위치되고, 제1 거리는 제1 공정 방향(process direction) 폭 또는 제2 공정 방향 폭 이상이고, 제1 포토사이트는 제2 포토사이트와 정밀 정렬된다.
본 명세서에 예시된 다른 태양에 따르면, 제1 센서 어레이, 제2 센서 어레이, 희생 구역(sacrificial zone) 및 장착 기재를 포함하는 센서 어레이 조립체가 제공된다. 제1 센서 어레이는 제1 포토사이트를 포함하는 반면, 제2 센서 어레이는 제2 포토사이트를 포함한다. 희생 구역은 제1 센서 어레이와 제2 센서 어레이 사이에 배열되고 이들을 연결한다. 제1 및 제2 센서 어레이들은 장착 기재 상에 접합된다. 희생 구역은 제1 센서 어레이 및 제2 센서 어레이가 장착 기재에 접합되고 제1 포토사이트가 제2 포토사이트와 정밀 정렬된 후에 제거된다.
본 명세서에 예시된 또 다른 태양에 따르면, 제1 센서 어레이, 제2 센서 어레이, 희생 구역 및 장착 기재를 포함하는 센서 어레이 조립체가 제공된다. 제1 센서 어레이는 제1 포토사이트 행 및 제2 포토사이트 행을 포함하고, 여기서 제1 포토사이트 행은 제1 포토사이트를 포함하고, 제2 포토사이트 행은 제2 포토사이트를 포함한다. 제2 센서 어레이는 제3 포토사이트 행 및 제4 포토사이트 행을 포함하고, 여기서 제3 포토사이트 행은 제3 포토사이트를 포함하고, 제4 포토사이트 행은 제4 포토사이트를 포함한다. 희생 구역은 제1 센서 어레이와 제2 센서 어레이 사이에 배열된다. 제1 및 제2 센서 어레이들은 장착 기재 상에 접합된다. 희생 구역은 제1 센서 어레이 및 제2 센서 어레이가 장착 기재에 접합되고 제1 포토사이트가 제2 포토사이트, 제3 포토사이트 및 제4 포토사이트와 정밀 정렬된 후에 제거된다.
도 1은 현재 개시된 복수의 선형 센서 어레이, 예컨대 이중 선형 센서 어레이의 일 실시예의 평면도.
도 2는 도 1의 둘러싸인 영역(2)의 평면도.
도 3은 제1 선형 센서 어레이의 일부분의 일 실시예의 확대 평면도.
도 4는 제2 선형 센서 어레이의 일부분의 일 실시예의 확대 평면도.
도 5는 서로에 대해 정밀 정렬되는, 도 3에 도시된 제1 선형 센서 어레이의 일부분과 도 4에 도시된 제2 선형 센서 어레이의 일부분의 일 실시예의 확대 평면도.
도 6은 제1 선형 센서 어레이의 일부분의 일 실시예의 확대 평면도.
도 7은 제2 선형 센서 어레이의 일부분의 일 실시예의 확대 평면도.
도 8은 서로에 대해 정밀 정렬되는, 도 6에 도시된 제1 선형 센서 어레이의 일부분과 도 7에 도시된 제2 선형 센서 어레이의 일부분의 일 실시예의 확대 평면도.
도 9는 서로에 대해 정밀 정렬되는, 제1 선형 센서 어레이의 일부분과 제2 선형 센서 어레이의 일부분의 일 실시예의 확대 평면도.
도 10은 마스크의 일 실시예를 포함하는 단일 포토사이트의 일 실시예의 평면도.
도 11은 마스크의 일 실시예를 포함하는 단일 포토사이트의 일 실시예의 평면도.
도 12는 마스크의 일 실시예를 포함하는 단일 포토사이트의 일 실시예의 평면도.
도 13은 제1 선형 센서 어레이, 제2 선형 센서 어레이 및 이들 사이의 희생 부분의 일부분의 확대 평면도로서, 여기서 제1 선형 센서 어레이 및 제2 선형 센서 어레이가 서로에 대해 정밀 정렬 상태에 있는, 확대 평면도.
도 14는 서로에 대해 정밀 정렬되는, 제1 선형 센서 어레이의 일부분과 제2 선형 센서 어레이의 일부분의 일 실시예의 확대 평면도로서, 여기서 포토사이트들의 각자의 행 내의 각각의 포토사이트가 필터를 포함하는, 확대 평면도.
도 15는 제1 선형 센서 어레이, 제2 선형 센서 어레이, 제3 선형 센서 어레이, 제1 선형 센서 어레이와 제2 선형 센서 어레이 사이의 제1 희생 부분, 및 제2 선형 센서 어레이와 제3 선형 센서 어레이 사이의 제2 희생 부분의 일부분의 확대 평면도로서, 여기서 제1 선형 센서 어레이, 제2 선형 센서 어레이, 및 제3 선형 센서 어레이가 서로에 대해 정밀 정렬 상태에 있는, 확대 평면도.
도 2는 도 1의 둘러싸인 영역(2)의 평면도.
도 3은 제1 선형 센서 어레이의 일부분의 일 실시예의 확대 평면도.
도 4는 제2 선형 센서 어레이의 일부분의 일 실시예의 확대 평면도.
도 5는 서로에 대해 정밀 정렬되는, 도 3에 도시된 제1 선형 센서 어레이의 일부분과 도 4에 도시된 제2 선형 센서 어레이의 일부분의 일 실시예의 확대 평면도.
도 6은 제1 선형 센서 어레이의 일부분의 일 실시예의 확대 평면도.
도 7은 제2 선형 센서 어레이의 일부분의 일 실시예의 확대 평면도.
도 8은 서로에 대해 정밀 정렬되는, 도 6에 도시된 제1 선형 센서 어레이의 일부분과 도 7에 도시된 제2 선형 센서 어레이의 일부분의 일 실시예의 확대 평면도.
도 9는 서로에 대해 정밀 정렬되는, 제1 선형 센서 어레이의 일부분과 제2 선형 센서 어레이의 일부분의 일 실시예의 확대 평면도.
도 10은 마스크의 일 실시예를 포함하는 단일 포토사이트의 일 실시예의 평면도.
도 11은 마스크의 일 실시예를 포함하는 단일 포토사이트의 일 실시예의 평면도.
도 12는 마스크의 일 실시예를 포함하는 단일 포토사이트의 일 실시예의 평면도.
도 13은 제1 선형 센서 어레이, 제2 선형 센서 어레이 및 이들 사이의 희생 부분의 일부분의 확대 평면도로서, 여기서 제1 선형 센서 어레이 및 제2 선형 센서 어레이가 서로에 대해 정밀 정렬 상태에 있는, 확대 평면도.
도 14는 서로에 대해 정밀 정렬되는, 제1 선형 센서 어레이의 일부분과 제2 선형 센서 어레이의 일부분의 일 실시예의 확대 평면도로서, 여기서 포토사이트들의 각자의 행 내의 각각의 포토사이트가 필터를 포함하는, 확대 평면도.
도 15는 제1 선형 센서 어레이, 제2 선형 센서 어레이, 제3 선형 센서 어레이, 제1 선형 센서 어레이와 제2 선형 센서 어레이 사이의 제1 희생 부분, 및 제2 선형 센서 어레이와 제3 선형 센서 어레이 사이의 제2 희생 부분의 일부분의 확대 평면도로서, 여기서 제1 선형 센서 어레이, 제2 선형 센서 어레이, 및 제3 선형 센서 어레이가 서로에 대해 정밀 정렬 상태에 있는, 확대 평면도.
달리 정의되지 않는 한, 본 명세서에 사용된 모든 기술적 및 과학적 용어는 이들 실시예가 속하는 당업자에게 통상적으로 이해되는 바와 동일한 의미를 갖는다. 본 명세서에 사용되는 바와 같이, "공정 방향"은 프린터, 복사기, 스캐너 등을 통한 매체 운송 방향을 의미하도록 의도되는 반면, "공정 횡단 방향(cross process direction)"은 프린터, 복사기, 스캐너 등을 통한 매체 운송 방향에 수직, 또는 다른 말로 공정 방향에 수직을 의미하도록 의도된다. 본 명세서에 사용되는 바와 같이, "상부" 및 "하부" 센서 어레이들이 공정 방향으로 오프셋된 2개의 어레이를 지칭한다는 것이 이해되어야 한다. 예를 들어, 상부 센서 어레이는 공정 방향으로 이동하는 매체를 스캐닝하는, 공정 방향과 관련하여 제1 센서 어레이인 반면, 하부 센서 어레이는 공정 방향으로 이동하는 매체를 스캐닝하는, 공정 방향과 관련하여 제2 센서 어레이이다. 본 명세서에 사용되는 바와 같이, "정밀 정렬" 및 "서브미크론 정렬"은 1 마이크로미터 이하 내의 정렬을 의미하도록 의도된다. 예를 들어, 전술한 용어들은 +/- 0.9 마이크로미터(μm) 내까지 정렬된 포토사이트 중심선들을 의미하는 것으로 해석될 수 있지만, 이 용어들은 그 정확도로 제한되지 않는다. 또한, 본 명세서에 기술된 정밀/서브미크론 정렬이 센서 어레이를 장착 기재에 고정하는 데 사용되는 접합 재료, 예컨대 접착제의 유리 전이 온도(Tg) 미만의 온도에서 유지되는 것으로 여겨진다는 것이 이해되어야 한다. 부가적으로, 동등한 양의 접합 재료가 각각의 센서 어레이에 대해 사용된다면, 장착 기재에 접합된 각각의 센서 어레이에 대해 동등한 양의 이동이 일어나야 하는 것으로 여겨진다. 또한, "사다리꼴"은 본 명세서에 사용되는 바와 같이, 예각, 직각, 둔각, 이등변, 평행사변형, 삼등변, 직사각형, 마름모꼴 및 정사각형 사다리꼴들을 포함한다.
또한, 본 명세서에 사용되는 바와 같이, "프린터", "프린터 시스템", "인쇄 시스템", "프린터 장치" 및 "인쇄 장치"는 임의의 목적을 위해 인쇄물 출력 기능을 수행하는 디지털 복사기, 서적 제작기, 팩시밀리기, 다기능 기계 등과 같은 임의의 기기(apparatus)를 포함하는 반면, 본 명세서에 사용되는 바와 같은 "다기능 장치(multi-function device)" 및 "MFD"는 프린터, 복사기, 팩스기 및/또는 스캐너를 포함하지만 이로 한정되지 않는 복수의 상이한 이미징 장치를 포함하고 유선 연결 또는 무선 연결을 통해 근거리 네트워크, 광역 네트워크, 이더넷 기반 네트워크 또는 인터넷에 대한 연결을 추가로 제공할 수 있는 장치를 의미하도록 의도된다. MFD는 또한 몇몇 기능을 하나의 유닛 내에 조합한 임의의 하드웨어를 지칭할 수 있다. 예를 들어, MFD는 독립형 프린터, 하나 이상의 개인용 컴퓨터, 독립형 스캐너, 휴대 전화기, MP3 플레이어, 오디오 전자장치, 비디오 전자장치, GPS 시스템, 텔레비전, 기록 및/또는 재생 매체 또는 임의의 다른 유형의 소비자 또는 비-소비자 아날로그 및/또는 디지털 전자장치를 포함할 수 있지만 이로 한정되지 않는다. 부가적으로, 본 명세서에 사용되는 바와 같이, "시트(sheet)", "종이 시트", "매체", "인쇄가능 매체" 및 "종이"는, 예를 들어 종이, 슬라이드(transparency), 양피지(parchment), 필름, 천(fabric), 플라스틱, 사진-마무리 종이(photo-finishing paper), 또는 정보 또는 마킹이 상부에 가시화 및/또는 재현될 수 있는 웨브 형태의 다른 코팅된 또는 비-코팅된 기재 매체를 지칭한다.
본 명세서에 사용되는 바와 같이, "광 센서", "포토사이트", 및 "포토다이오드"와 같은 용어들이 상호 교환가능하게 사용되며, 예컨대 광을 전류와 같은 전기 에너지로 변환시키는 요소, 예컨대 반도체 장치 - 이 전기 에너지는 후속적으로 요소 상에 충돌하는 광의 양, 예컨대 강도, 지속시간 등을 정량화하는 데 사용될 수 있음 - 를 의미하도록 의도된다는 것이 이해되어야 한다. "광 센서 어레이"는, 예를 들어 128개의 포토사이트의 4개의 평행하고 인접한 행을 갖는 어레이와 같은 포토사이트들의 2차원(2D) 어레이를 의미하도록 의도된다.
본 명세서에 사용되는 바와 같이, 용어 '평균'은 결과 데이터 또는 결정이 복수의 입력 데이터에 기초하여 획득되는 임의의 계산을 포함하는 것으로 폭넓게 해석될 것이며, 이는 롤링 입력에 기초한 가중된 평균, 예 또는 아니오 결정 등을 포함할 수 있지만 이로 한정되지 않는다. 또한, 본 명세서에 사용되는 바와 같이, 시스템 또는 요소와 조합된 어구 "~ 중 적어도 하나를 포함하다" 및 "~ 중 적어도 하나를 포함하는"은 시스템 또는 요소가 어구 이후에 열거된 요소들 중 하나 이상을 포함함을 의미하도록 의도된다. 예를 들어, 제1 요소, 제2 요소 및 제3 요소 중 적어도 하나를 포함하는 장치는 하기의 구조적 설비들 중 임의의 것으로 해석되도록 의도된다: 제1 요소를 포함하는 장치; 제2 요소를 포함하는 장치; 제3 요소를 포함하는 장치; 제1 요소 및 제2 요소를 포함하는 장치; 제1 요소 및 제3 요소를 포함하는 장치; 제1 요소, 제2 요소 및 제3 요소를 포함하는 장치; 또는 제2 요소 및 제3 요소를 포함하는 장치. 어구 "~ 중 적어도 하나에 사용되는"이 본 명세서에 사용될 때 유사한 해석이 의도된다. 또한, 본 명세서에 사용되는 바와 같이, "및/또는"은 언급된 요소들 또는 조건들 중 하나 이상이 포함되거나 발생할 수 있음을 나타내는 데 사용되는 문법적 접속사를 의미하도록 의도된다. 예를 들어, 제1 요소, 제2 요소 및/또는 제3 요소를 포함하는 장치는 하기의 구조적 설비들 중 임의의 것으로 해석되도록 의도된다: 제1 요소를 포함하는 장치; 제2 요소를 포함하는 장치; 제3 요소를 포함하는 장치; 제1 요소 및 제2 요소를 포함하는 장치; 제1 요소 및 제3 요소를 포함하는 장치; 제1 요소, 제2 요소 및 제3 요소를 포함하는 장치; 또는 제2 요소 및 제3 요소를 포함하는 장치.
또한, 본 명세서에 기술된 것과 유사하거나 동등한 임의의 방법, 장치 또는 재료가 이들 실시예의 실시 또는 시험에 사용될 수 있지만, 방법, 장치 및 재료의 일부 실시예가 이제 기술된다.
광범위하게는, 본 발명은 센서 어레이 조립체의 다양한 실시예를 포함한다. 일부 실시예에서, 센서 어레이 조립체(50)는 센서 어레이(52), 센서 어레이(54) 및 장착 기재(56)를 포함한다. 명확함을 위해, 공정 방향이 양방향 화살표(58)에 의해 지시된다는 것이 이해되어야 한다. 센서 어레이(52)는 공정 방향 폭(60) 및 적어도 포토사이트(62)를 포함한다. 센서 어레이(54)는 공정 방향 폭(64) 및 적어도 포토사이트(66)를 포함한다. 센서 어레이(52, 54)들은 장착 기재(56) 상에 개별적으로 고정된다. 본 명세서에 사용되는 바와 같은 "개별적으로 고정된"은 센서 어레이(52, 54)들이 서로 접촉하지 않음을 의미하도록 의도되지만, 센서 어레이(52, 54)들 둘 모두가 장착 기재(56)에 동시에 고정되는 것이 가능하다. 포토사이트(62)는 포토사이트(66)와 정밀 정렬된다. 일부 실시예에서, 센서 어레이(52)는 제2 어레이(54)로부터 거리(68)에 위치된다. 거리(68)는 공정 방향 폭(60) 또는 공정 방향 폭(64) 이상이다.
센서 어레이(52, 54)들 각각이 복수의 서브어레이, 예컨대 각각 서브어레이(70, 72)들로부터 형성될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 일부 실시예에서, 센서 어레이(52)는 복수의 포토사이트를 각각 포함하는 적어도 2개의 서브어레이(70)를 포함하고, 센서 어레이(54)는 복수의 포토사이트를 각각 포함하는 적어도 2개의 서브어레이(72)를 포함한다. 적어도 2개의 서브어레이(70)의 복수의 포토사이트 중 각각의 포토사이트는 적어도 2개의 서브어레이(72)의 복수의 포토사이트 중 각각의 상보적 포토사이트와 정밀 정렬된다. 본 명세서에 사용되는 바와 같은 "상보적 포토사이트들"은 서로 일치하는 정렬된 어레이들로부터의 포토사이트들, 예컨대 각각의 어레이의 제1 포토사이트, 각각의 어레이의 제2 포토사이트 등을 의미하도록 의도된다. 또한, 센서 어레이(52, 54) 각각은 복수의 포토사이트를 포함하지만, 명확성을 위해, 행당 각각의 포토사이트 중 하나만이 도면에 라벨링되어 있다. 또한 추가로, 센서 어레이(52, 54) 각각은 포토사이트들의 복수의 행을 포함할 수 있다.
도면에서 알 수 있는 바와 같이, 센서 어레이(52, 54)들은 서로에 대해 정밀 정렬되고, 이는 이어서 포토사이트(62) 및 포토사이트(66)가 서로에 대해 정밀 정렬되게 한다. 정밀 정렬은 공정 방향(58)에 관하여 포토사이트들의 선형 배열을 보여주는 파선(74)에 의해 나타내어진다. 지금까지, 센서 어레이(52, 54)들 사이에서 가능한 정렬 수준은 슬라이싱 및 배치 작업에 의해 제한되었다. 센서 어레이 조립체(50)는, 그의 제조 방법으로 인해, 정밀 정렬된 포토사이트(62, 66)들을 또한 포함하는 센서 어레이(52, 54)들 사이의 정밀 정렬된 포토사이트들을 포함한다.
일부 실시예에서, 포토사이트(62)는 마스킹된(masked) 부분(76) 및 비-마스킹된(unmasked) 부분(78)을 포함하는 반면, 포토사이트(66)는 마스킹된 부분(80) 및 비-마스킹된 부분(82)을 포함한다. 일부 실시예에서, 마스킹된 부분(76)은 비-마스킹된 부분(82)과 정렬되고, 마스킹된 부분(80)은 비-마스킹된 부분(78)과 정렬된다. 전술한 정렬은 공정 방향(58)에 관하여 마스킹된 부분 및 비-마스킹된 부분의 선형 배열을 보여주는 파선(84, 86)에 의해 나타내어진다. 또한, 일부 실시예에서, 비-마스킹된 부분(78)은 마스킹된 부분(80)과 완전히 정렬되지는 않는다. 그러한 실시예에서, 상부 및 하부 센서 어레이들로부터의 비-마스킹된 부분들은 서로 부분적으로 중첩될 수 있다. 예를 들어, 도 9에 도시된 바와 같이, 비-마스킹된 부분(88)은 비-마스킹된 부분(90)과 부분적으로 중첩된다.
일부 실시예에서, 비-마스킹된 부분(78) 및 비-마스킹된 부분(82) 각각은 일정 형상을 포함한다. 예를 들어, 형상은 사다리꼴, 삼각형, 원, 타원, 4개 초과의 변을 포함하는 다각형, 및 이들의 조합을 포함할 수 있지만 이로 한정되지 않는다. 전술한 형상의 실시예는 도 10 내지 도 12에 도시된 다양한 가능한 마스킹된 영역(91)에 의해 나타내어지며, 여기서 영역(91)들 중 하나 이상이 각각의 포토사이트 상에 포함될 수 있다. 그러나, 비-마스킹된 부분들의 다양한 형상의 배열이 집합적으로 완전한 비-마스킹된 포토사이트를 생성할 때 센서 어레이 조립체의 성능이 개선되는 것으로 여겨지는 것이 이해되어야 한다. 예를 들어, 비-마스킹된 채로 남아 있는 상이한 1/4 부분을 각각 포함하는 4개의 정렬된 포토사이트는 집합적으로 완전히 비-마스킹된 포토사이트를 생성할 것이다. 비-마스킹된 부분의 크기 및 배열에 따라, 다양한 양의 인치당 도트(dpi)가 스캐닝될 수 있다. 따라서, 예를 들어, 공정 방향 및 공정 횡단 방향 둘 모두에서 600 dpi로 스캐닝하도록 배열된 포토사이트들을 포함하는 어레이에 대해, 각각의 포토사이트의 1/2과 동등한 비-마스킹된 부분을 도입하는 것(도 3 내지 도 5 참조)은 공정 횡단 방향에서 1,200 dpi 스캐닝이 얻어지게 하는 반면, 각각의 포토사이트의 1/4과 동등한 비-마스킹된 부분을 도입하는 것(도 6 내지 도 8 참조)은 공정 방향 및 공정 횡단 방향 둘 모두에서 1,200 dpi 스캐닝이 얻어지게 한다.
일부 실시예에서, 비-마스킹된 부분(78)은 필터(92)를 포함하고, 비-마스킹된 부분(82)은 필터(94)를 포함한다. 일부 실시예에서, 필터(92)는 제1 스펙트럼, 예컨대 약 480 nm 내지 약 530 nm 범위의 파장을 통과시키고, 필터(94)는 제2 스펙트럼, 예컨대 약 530 nm 내지 약 580 nm 범위의 파장을 통과시킨다. 일부 실시예에서, 제1 스펙트럼은 제2 스펙트럼과 상이하지만, 일부 실시예에서 제1 스펙트럼은 제2 스펙트럼과 동일하다.
일부 실시예에서, 센서 어레이(52)는 포토사이트 행(96) 및 포토사이트 행(98)을 포함하는 반면, 센서 어레이(54)는 포토사이트 행(100) 및 포토사이트 행(102)을 포함한다. 포토사이트 행(96)은 적어도 포토사이트(62)를 포함하고, 포토사이트 행(98)은 적어도 포토사이트(104)를 포함하고, 포토사이트 행(100)은 적어도 포토사이트(66)를 포함하고, 포토사이트 행(102)은 적어도 포토사이트(106)를 포함한다. 포토사이트(62)는 포토사이트(66), 포토사이트(104) 및 포토사이트(106)와 정밀 정렬된다. 전술한 정렬은 공정 방향(58)에 관하여 마스킹된 부분 및 비-마스킹된 부분의 선형 배열을 보여주는 파선(74)에 의해 나타내어진다.
일부 실시예에서, 포토사이트(62)는 마스킹된 부분(76) 및 비-마스킹된 부분(78)을 포함하고, 포토사이트(66)는 마스킹된 부분(80) 및 비-마스킹된 부분(82)을 포함하고, 포토사이트(104)는 마스킹된 부분(108) 및 비-마스킹된 부분(110)을 포함하고, 포토사이트(106)는 마스킹된 부분(112) 및 비-마스킹된 부분(114)을 포함한다. 일부 실시예에서, 마스킹된 부분(76)은 비-마스킹된 부분(82)과 정렬되고, 마스킹된 부분(80)은 비-마스킹된 부분(78)과 정렬되고, 마스킹된 부분(108)은 비-마스킹된 부분(114)과 정렬되고, 마스킹된 부분(112)은 비-마스킹된 부분(110)과 정렬된다. 전술한 정렬은 공정 방향(58)에 관하여 마스킹된 부분 및 비-마스킹된 부분의 선형 배열을 보여주는 파선(84, 86)에 의해 나타내어진다. 또한, 일부 실시예에서, 비-마스킹된 부분(78)은 마스킹된 부분(80)과 완전히 정렬되지는 않고, 비-마스킹된 부분(110)은 마스킹된 부분(112)과 완전히 정렬되지는 않는다. 그러한 실시예에서, 상부 및 하부 센서 어레이들로부터의 비-마스킹된 부분들은 서로 부분적으로 중첩될 수 있다. 예를 들어, 도 9에 도시된 바와 같이, 비-마스킹된 부분(88)은 비-마스킹된 부분(90)과 부분적으로 중첩되고, 비-마스킹된 부분(116)은 비-마스킹된 부분(118)과 부분적으로 중첩된다.
일부 실시예에서, 비-마스킹된 부분(78), 비-마스킹된 부분(82), 비-마스킹된 부분(110), 및 비-마스킹된 부분(114) 각각은 일정 형상을 포함한다. 예를 들어, 형상은 사다리꼴, 삼각형, 원, 타원, 4개 초과의 변을 포함하는 다각형, 및 이들의 조합을 포함할 수 있지만 이로 한정되지 않는다. 전술한 형상의 실시예가 도 10 내지 도 12에 나타나 있다. 그러나, 비-마스킹된 부분들의 다양한 형상의 배열이 집합적으로 완전한 비-마스킹된 포토사이트를 생성할 때 센서 어레이 조립체의 성능이 개선되는 것으로 여겨지는 것이 이해되어야 한다. 예를 들어, 비-마스킹된 채로 남아 있는 상이한 1/4 부분을 각각 포함하는 4개의 정렬된 포토사이트는 집합적으로 완전히 비-마스킹된 포토사이트를 생성할 것이다. 비-마스킹된 부분의 크기 및 배열에 따라, 다양한 양의 인치당 도트(dot per inch, dpi)가 스캐닝될 수 있다. 따라서, 예를 들어, 공정 방향 및 공정 횡단 방향 둘 모두에서 600 dpi로 스캐닝하도록 배열된 포토사이트들을 포함하는 어레이에 대해, 각각의 포토사이트의 1/2과 동등한 비-마스킹된 부분을 도입하는 것(도 3 내지 도 5 참조)은 공정 횡단 방향에서 1,200 dpi 스캐닝이 얻어지게 하는 반면, 각각의 포토사이트의 1/4과 동등한 비-마스킹된 부분을 도입하는 것(도 6 내지 도 8 참조)은 공정 방향 및 공정 횡단 방향 둘 모두에서 1,200 dpi 스캐닝이 얻어지게 한다.
일부 실시예에서, 비-마스킹된 부분(78)은 필터(92)를 포함하고, 비-마스킹된 부분(82)은 필터(94)를 포함하고, 비-마스킹된 부분(110)은 필터(120)를 포함하고, 비-마스킹된 부분(114)은 필터(122)를 포함한다. 일부 실시예에서, 필터(92)는 제1 스펙트럼, 예컨대 약 400 nm 내지 약 450 nm 범위의 파장을 통과시키고, 필터(94)는 제2 스펙트럼, 예컨대 약 490 nm 내지 약 520 nm 범위의 파장을 통과시키고, 필터(120)는 제3 스펙트럼, 예컨대 약 560 nm 내지 약 590 nm 범위의 파장을 통과시키고, 필터(122)는 제4 스펙트럼, 예를 들어 약 635 nm 내지 약 700 nm 범위의 파장을 통과시킨다. 일부 실시예에서, 제1 스펙트럼은 제2 스펙트럼, 제3 스펙트럼 및 제4 스펙트럼과 상이하다. 일부 실시예에서, 제1 스펙트럼은 제2 스펙트럼, 제3 스펙트럼 및 제4 스펙트럼 중 적어도 하나와 동일하다.
광범위하게는, 본 발명은 센서 어레이 조립체의 다른 실시예들을 포함한다. 일부 실시예에서, 센서 어레이 조립체(150)는 센서 어레이(152), 센서 어레이(154), 희생 구역(156) 및 장착 기재(158)를 포함한다. 센서 어레이(152)는 적어도 포토사이트(160)를 포함하는 반면, 센서 어레이(154)는 적어도 포토사이트(162)를 포함한다. 희생 구역(156)은 센서 어레이(152, 154)들 사이에 배열되고 이들을 연결한다. 센서 어레이(152, 154)들은 장착 기재(158)에 접합된다. 센서 어레이(152, 154)들이 장착 기재(158)에 접합된 후에 희생 구역(156)이 제거된다. 포토사이트(160)는 포토사이트(162)와 정밀 정렬된다. 정밀 정렬은 공정 방향(58)에 관하여 포토사이트들의 선형 배열을 보여주는 파선(163)에 의해 나타내어진다. 전술한 것을 고려하여, 희생 구역(156)의 제거 후에, 센서 어레이(152, 154)들은 장착 기재(158)에 개별적으로 고정된다.
센서 어레이(152, 154)들 각각이, 예컨대 도 1에 도시된 서브어레이들과 유사한 복수의 서브어레이로부터 형성될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 또한, 센서 어레이(152, 154) 각각은 복수의 포토사이트를 포함하지만, 명확성을 위해, 행당 각각의 포토사이트 중 하나만이 도면에 라벨링되어 있다. 또한 추가로, 센서 어레이(152, 154) 각각은 포토사이트들의 복수의 행을 포함할 수 있다.
광범위하게는, 본 발명은 센서 어레이 조립체의 다른 실시예들을 포함한다. 일부 실시예에서, 센서 어레이 조립체(150)는 센서 어레이(152), 센서 어레이(154), 희생 구역(156) 및 장착 기재(158)를 포함한다. 센서 어레이(152)는 포토사이트 행(164) 및 포토사이트 행(166)을 포함한다. 포토사이트 행(164)은 적어도 포토사이트(160)를 포함하고, 포토사이트 행(166)은 적어도 포토사이트(172)를 포함한다. 센서 어레이(154)는 포토사이트 행(168) 및 포토사이트 행(170)을 포함한다. 포토사이트 행(168)은 적어도 포토사이트(162)를 포함하고, 포토사이트 행(170)은 적어도 포토사이트(174)를 포함한다. 희생 구역(156)은 센서 어레이(152)와 센서 어레이(154) 사이에 배열된다. 센서 어레이(152, 154)들은 장착 기재(158)에 접합된다. 센서 어레이(152, 154)들이 장착 기재(158)에 접합된 후에 희생 구역(156)이 제거된다. 포토사이트(160)는 포토사이트(162), 포토사이트(172) 및 포토사이트(174)와 정밀 정렬된다. 전술한 것을 고려하여, 희생 구역(156)의 제거 후에, 센서 어레이(152, 154)들은 장착 기재(158)에 개별적으로 고정된다.
센서 어레이(152, 154)들 각각이, 예컨대 도 1에 도시된 서브어레이들과 유사한 복수의 서브어레이로부터 형성될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 또한, 센서 어레이(152, 154) 각각은 복수의 포토사이트를 포함하지만, 명확성을 위해, 행당 각각의 포토사이트 중 하나만이 도면에 라벨링되어 있다.
일부 실시예에서, 센서 어레이(152)는 포토사이트 행(176) 및 포토사이트 행(178)을 추가로 포함하고, 센서 어레이(154)는 포토사이트 행(180) 및 포토사이트 행(182)을 추가로 포함한다. 포토사이트 행(176)은 적어도 포토사이트(184)를 포함하고, 포토사이트 행(178)은 적어도 포토사이트(186)를 포함하고, 포토사이트 행(180)은 적어도 포토사이트(188)를 포함하고, 포토사이트 행(182)은 적어도 포토사이트(190)를 포함한다. 포토사이트(160)는 포토사이트(162), 포토사이트(172), 포토사이트(174), 포토사이트(184), 포토사이트(186), 포토사이트(188) 및 포토사이트(190)와 정밀 정렬된다.
일부 실시예에서, 포토사이트(160)는 필터(192)를 포함하고, 포토사이트(162)는 필터(194)를 포함하고, 포토사이트(172)는 필터(196)를 포함하고, 포토사이트(174)는 필터(198)를 포함하고, 포토사이트(184)는 필터(200)를 포함하고, 포토사이트(186)는 필터(202)를 포함하고, 포토사이트(188)는 필터(204)를 포함하고, 포토사이트(190)는 필터(206)를 포함한다. 몇몇 실시예에서, 필터(192)는 제1 스펙트럼, 예컨대 약 400 nm 내지 약 450 nm 범위의 파장을 통과시키고, 필터(194)는 제2 스펙트럼, 예컨대 약 450 nm 내지 약 490 nm 범위의 파장을 통과시키고, 필터(196)는 제3 스펙트럼, 예컨대 약 490 nm 내지 약 520 nm 범위의 파장을 통과시키고, 필터(198)는 제4 스펙트럼, 예컨대 약 520 nm 내지 약 560 nm 범위의 파장을 통과시키고, 필터(200)는 제5 스펙트럼, 예컨대 약 560 nm 내지 약 590 nm 범위의 파장을 통과시키고, 필터(202)는 제6 스펙트럼, 예컨대 약 590 nm 내지 약 635 nm 범위의 파장을 통과시키고, 필터(204)는 제7 스펙트럼, 예컨대 약 635 nm 내지 약 700 nm 범위의 파장을 통과시키고, 필터(206)는 제8 스펙트럼, 예컨대 약 700 nm 내지 약 730 nm 범위의 파장을 통과시킨다. 일부 실시예에서, 제1 스펙트럼은 제2 스펙트럼, 제3 스펙트럼, 제4 스펙트럼, 제5 스펙트럼, 제6 스펙트럼, 제7 스펙트럼 및 제8 스펙트럼과 상이하다. 일부 실시예에서, 제1 스펙트럼은 제2 스펙트럼, 제3 스펙트럼, 제4 스펙트럼, 제5 스펙트럼, 제6 스펙트럼, 제7 스펙트럼 및 제8 스펙트럼 중 적어도 하나와 동일하다.
전술된 센서 어레이의 실시예가 정밀 정렬된 포토사이트들 상에 하나 이상의 컬러 필터를 포함할 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 따라서, 포토사이트들의 각각의 열(column)은 하나 이상의 측정된 값으로부터 스펙트럼 데이터를 제공하는 분광 광도계로서 작용할 수 있다. 예를 들어, 8개의 고유 컬러 필터를 갖는 실시예에서, 서로에 대해 정밀 정렬 상태에 있는 8개의 포토사이트가 동일한 스캐닝된 영역에 대해 8개의 고유 스펙트럼 출력을 제공할 수 있다.
또한, 전술된 센서 어레이의 실시예가 2개 초과의 정밀 정렬된 센서 어레이를 포함할 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 예를 들어, 센서 어레이 조립체(250)는 희생 구역(256)에 의해 분리 및 연결되는 센서 어레이(252) 및 센서 어레이(254)를 포함하고, 센서 어레이(254)로부터 분리되고 희생 구역(260)에 의해 연결되는 센서 어레이(258)를 추가로 포함한다. 센서 어레이(252, 254, 258)들은 다른 실시예들에 대해 전술된 것과 유사하게, 장착 기재(262)에 접합된다. 센서 어레이(252)는 적어도 포토사이트(264)를 포함하고, 센서 어레이(254)는 적어도 포토사이트(266)를 포함하고, 센서 어레이(258)는 적어도 포토사이트(268)를 포함한다. 다른 실시예들과 관련하여 전술된 바와 같이, 센서 어레이(252, 254, 258)들 각각이 복수의 포토사이트, 및/또는 복수의 포토사이트 행을 포함할 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 센서 어레이(252, 254, 258)들이 장착 기재(262)에 접합된 후에, 희생 구역(256, 260)들이 제거됨으로써, 장착 기재(262)에 접합된 센서 어레이(252, 254, 258)들만을 남긴다. 이들 실시예에서, 포토사이트(264, 266, 268)들 및 이에 의해 센서 어레이(252, 254, 258)들은 서로 정밀 정렬된다.
전술된 센서 어레이 조립체의 다양한 실시예가 이전에 더 어려웠고/어렵거나 달성하기 비현실적이었던 스캐닝 기기 및 스캐닝 작업에 추가된 기능을 가능하게 한다는 것이 이해되어야 한다. 예를 들어, 둘 이상의 센서 어레이의 정밀 정렬을 고려하여, 스캐닝 기기 내에서의 조립체의 기울어짐 보정(skew correction)이 용이하게 달성될 수 있다. 모두 공통 기재 상에 장착된 둘 이상의 센서 어레이는, 각각의 어레이가 수직 이미지, 예컨대 수직 선을 실질적으로 동일한, 거의 정확히 동일한, 또는 정확히 동일한 방식으로 검출할 때까지, 회전될 수 있다. 부가적으로, 스캐닝 기기의 조립 동안에 어레이들의 의도적인 기울어짐이 도입될 수 있다. 예를 들어, 2개 이상의 센서 어레이는, 제1 센서 어레이가 제2 센서 어레이에 대해 픽셀 폭의 절반만큼 이동됨으로써, 제1 어레이가 제2 센서 어레이 내의 픽셀(포토사이트)들 사이의 간극에 속하는 이미지 데이터를 감지하게 할 수 있도록, 의도적으로 기울어질 수 있다. 전술한 배열은, 예를 들어 13 마이크로미터일 수 있는 작은 픽셀간 간극(pixel-to-pixel gap)에 대해 보정할 수 있어야 한다.
전술한 것을 고려하여, 본 발명이 어레이들 사이에 서브미크론 정렬을 갖는 단일 회로 기판 상에 제작된 복수의 선형 센서 어레이를 포함한다는 것이 또한 이해되어야 한다. 또한, 어레이 포토사이트들의 적절한 마스킹은 공정 방향 및/또는 공정 횡단 방향에서 일천이백(1,200)의 인치당 도트(dpi)의 해상도로 스캐닝하는 능력을 갖는 센서가 얻어지게 할 수 있다. 또한 추가로, 제2, 제3 등의 정밀 정렬된 어레이는 센서에 추가적인 필터링을 적용함으로써 더 높은 충실도의 분광 광도계를 제공할 기회를 제공한다. 현재 개시된 복수의 센서 어레이는 스캔 속도를 증가시키고, 해상도를 개선하고, 중복 샘플링 및/또는 오버샘플링을 허용하고, 8개 이상의 컬러 이미지 센서로 용이하게 확장가능하다.
Claims (26)
- 센서 어레이 조립체(sensor array assembly)로서,
제1 공정 방향(process direction) 폭 및 제1 포토사이트(photosite)를 포함하는 제1 센서 어레이;
제2 공정 방향 폭 및 제2 포토사이트를 포함하는 제2 센서 어레이; 및
상기 제1 센서 어레이 및 상기 제2 센서 어레이가 상부에 개별적으로 고정되는 장착 기재(substrate)
를 포함하고,
상기 제1 포토사이트는 상기 제2 포토사이트와 정밀 정렬되는, 센서 어레이 조립체. - 제1항에 있어서, 상기 제1 센서 어레이는 복수의 포토사이트들을 각각 포함하는 적어도 2개의 제1 서브어레이(sub-array)들을 포함하고, 상기 제2 센서 어레이는 복수의 포토사이트들을 각각 포함하는 적어도 2개의 제2 서브어레이들을 포함하고, 상기 적어도 2개의 제1 서브어레이들의 상기 복수의 포토사이트들은 상기 적어도 2개의 제2 서브어레이들의 상기 복수의 포토사이트들과 정밀 정렬되는, 센서 어레이 조립체.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 센서 어레이는 상기 제2 센서 어레이로부터 제1 거리에 위치되고, 상기 제1 거리는 상기 제1 공정 방향 폭 또는 상기 제2 공정 방향 폭 이상인, 센서 어레이 조립체.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 포토사이트는 제1 마스킹된(masked) 부분 및 제1 비-마스킹된(unmasked) 부분을 포함하고, 상기 제2 포토사이트는 제2 마스킹된 부분 및 제2 비-마스킹된 부분을 포함하는, 센서 어레이 조립체.
- 제4항에 있어서, 상기 제1 마스킹된 부분은 상기 제2 비-마스킹된 부분과 정렬되고, 상기 제2 마스킹된 부분은 상기 제1 비-마스킹된 부분과 정렬되는, 센서 어레이 조립체.
- 제4항에 있어서, 상기 제1 비-마스킹된 부분은 상기 제2 비-마스킹된 부분과 부분적으로 중첩 정렬되는, 센서 어레이 조립체.
- 제4항에 있어서, 상기 제1 비-마스킹된 부분 및 상기 제2 비-마스킹된 부분 각각은 사다리꼴, 삼각형, 4개 초과의 변을 포함하는 다각형, 및 이들의 조합의 군으로부터 선택되는 형상을 포함하는, 센서 어레이 조립체.
- 제4항에 있어서, 상기 제1 비-마스킹된 부분은 제1 필터를 포함하고, 상기 제2 비-마스킹된 부분은 제2 필터를 포함하는, 센서 어레이 조립체.
- 제8항에 있어서, 상기 제1 필터는 제1 스펙트럼을 통과시키고, 상기 제2 필터는 제2 스펙트럼을 통과시키는, 센서 어레이 조립체.
- 제9항에 있어서, 상기 제1 스펙트럼은 상기 제2 스펙트럼과 상이한, 센서 어레이 조립체.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 센서 어레이는 제1 포토사이트 행(row) 및 제2 포토사이트 행을 포함하고, 상기 제2 센서 어레이는 제3 포토사이트 행 및 제4 포토사이트 행을 포함하고, 상기 제1 포토사이트 행은 상기 제1 포토사이트를 포함하고, 상기 제2 포토사이트 행은 제3 포토사이트를 포함하고, 상기 제3 포토사이트 행은 상기 제2 포토사이트를 포함하고, 상기 제4 포토사이트 행은 제4 포토사이트를 포함하고, 상기 제1 포토사이트는 상기 제2 포토사이트, 상기 제3 포토사이트 및 상기 제4 포토사이트와 정밀 정렬되는, 센서 어레이 조립체.
- 제11항에 있어서, 상기 제1 포토사이트는 제1 마스킹된 부분 및 제1 비-마스킹된 부분을 포함하고, 상기 제2 포토사이트는 제2 마스킹된 부분 및 제2 비-마스킹된 부분을 포함하고, 상기 제3 포토사이트는 제3 마스킹된 부분 및 제3 비-마스킹된 부분을 포함하고, 상기 제4 포토사이트는 제4 마스킹된 부분 및 제4 비-마스킹된 부분을 포함하는, 센서 어레이 조립체.
- 제12항에 있어서, 상기 제1 마스킹된 부분은 상기 제2 비-마스킹된 부분과 정렬되고, 상기 제2 마스킹된 부분은 상기 제1 비-마스킹된 부분과 정렬되고, 상기 제3 마스킹된 부분은 상기 제4 비-마스킹된 부분과 정렬되고, 상기 제4 마스킹된 부분은 상기 제3 비-마스킹된 부분과 정렬되는, 센서 어레이 조립체.
- 제12항에 있어서, 상기 제1 비-마스킹된 부분은 상기 제2 비-마스킹된 부분과 부분적으로 중첩 정렬되고, 상기 제3 비-마스킹된 부분은 상기 제4 비-마스킹된 부분과 부분적으로 중첩 정렬되는, 센서 어레이 조립체.
- 제12항에 있어서, 상기 제1 비-마스킹된 부분, 상기 제2 비-마스킹된 부분, 상기 제3 비-마스킹된 부분 및 상기 제4 비-마스킹된 부분 각각은 사다리꼴, 삼각형, 4개 초과의 변을 포함하는 다각형, 및 이들의 조합의 군으로부터 선택되는 형상을 포함하는, 센서 어레이 조립체.
- 제12항에 있어서, 상기 제1 비-마스킹된 부분은 제1 필터를 포함하고, 상기 제2 비-마스킹된 부분은 제2 필터를 포함하고, 상기 제3 비-마스킹된 부분은 제3 필터를 포함하고, 상기 제4 비-마스킹된 부분은 제4 필터를 포함하는, 센서 어레이 조립체.
- 제16항에 있어서, 상기 제1 필터는 제1 스펙트럼을 통과시키고, 상기 제2 필터는 제2 스펙트럼을 통과시키고, 상기 제3 필터는 제3 스펙트럼을 통과시키고, 상기 제4 필터는 제4 스펙트럼을 통과시키는, 센서 어레이 조립체.
- 제17항에 있어서, 상기 제1 스펙트럼은 상기 제2 스펙트럼, 상기 제3 스펙트럼 및 상기 제4 스펙트럼과 상이한, 센서 어레이 조립체.
- 제1항에 있어서,
제3 공정 방향 폭 및 제3 포토사이트를 포함하는 제3 센서 어레이를 추가로 포함하고,
상기 제3 센서 어레이는 상기 장착 기재에 개별적으로 고정되고, 상기 제1 포토사이트, 상기 제2 포토사이트 및 상기 제3 포토사이트는 서로 정밀 정렬되는, 센서 어레이 조립체. - 센서 어레이 조립체로서,
제1 포토사이트를 포함하는 제1 센서 어레이;
제2 포토사이트를 포함하는 제2 센서 어레이;
상기 제1 센서 어레이와 상기 제2 센서 어레이 사이에 배열되고 이들을 연결하는 제1 희생 구역(sacrificial zone); 및
상기 제1 센서 어레이 및 상기 제2 센서 어레이가 상부에 접합되는 장착 기재
를 포함하고,
상기 제1 희생 구역은 상기 제1 센서 어레이 및 상기 제2 센서 어레이가 상기 장착 기재에 접합되고 상기 제1 포토사이트가 상기 제2 포토사이트와 정밀 정렬된 후에 제거되는, 센서 어레이 조립체. - 제20항에 있어서,
제3 포토사이트를 포함하는 제3 센서 어레이;
상기 제2 센서 어레이와 상기 제3 센서 어레이 사이에 배열되고 이들을 연결하는 제2 희생 구역
을 추가로 포함하고,
상기 제3 센서 어레이는 상기 장착 기재에 접합되고, 상기 제2 희생 구역은 상기 제1 센서 어레이, 상기 제2 센서 어레이 및 상기 제3 센서 어레이가 상기 장착 기재에 접합되고 상기 제1 포토사이트, 상기 제2 포토사이트 및 상기 제3 포토사이트가 서로 정밀 정렬된 후에 제거되는, 센서 어레이 조립체. - 센서 어레이 조립체로서,
제1 포토사이트를 포함하는 제1 포토사이트 행, 및 제2 포토사이트를 포함하는 제2 포토사이트 행을 포함하는 제1 센서 어레이;
제3 포토사이트를 포함하는 제3 포토사이트 행, 및 제4 포토사이트를 포함하는 제4 포토사이트 행을 포함하는 제2 센서 어레이;
상기 제1 센서 어레이와 상기 제2 센서 어레이 사이에 배열되는 희생 구역; 및
상기 제1 센서 어레이 및 상기 제2 센서 어레이가 상부에 접합되는 장착 기재
를 포함하고,
상기 희생 구역은 상기 제1 센서 어레이 및 상기 제2 센서 어레이가 상기 장착 기재에 접합되고 상기 제1 포토사이트가 상기 제2 포토사이트, 상기 제3 포토사이트 및 상기 제4 포토사이트와 정밀 정렬된 후에 제거되는, 센서 어레이 조립체. - 제22항에 있어서, 상기 제1 센서 어레이는 제5 포토사이트 행 및 제6 포토사이트 행을 추가로 포함하고, 상기 제2 센서 어레이는 제7 포토사이트 행 및 제8 포토사이트 행을 추가로 포함하고, 상기 제5 포토사이트 행은 제5 포토사이트를 포함하고, 상기 제6 포토사이트 행은 제6 포토사이트를 포함하고, 상기 제7 포토사이트 행은 제7 포토사이트를 포함하고, 상기 제8 포토사이트 행은 제8 포토사이트를 포함하고, 상기 제1 포토사이트는 상기 제2 포토사이트, 상기 제3 포토사이트, 상기 제4 포토사이트, 상기 제5 포토사이트, 상기 제6 포토사이트, 상기 제7 포토사이트 및 상기 제8 포토사이트와 정밀 정렬되는, 센서 어레이 조립체.
- 제23항에 있어서, 상기 제1 포토사이트는 제1 필터를 포함하고, 상기 제2 포토사이트는 제2 필터를 포함하고, 상기 제3 포토사이트는 제3 필터를 포함하고, 상기 제4 포토사이트는 제4 필터를 포함하고, 상기 제5 포토사이트는 제5 필터를 포함하고, 상기 제6 포토사이트는 제6 필터를 포함하고, 상기 제7 포토사이트는 제7 필터를 포함하고, 상기 제8 포토사이트는 제8 필터를 포함하는, 센서 어레이 조립체.
- 제24항에 있어서, 상기 제1 필터는 제1 스펙트럼을 통과시키고, 상기 제2 필터는 제2 스펙트럼을 통과시키고, 상기 제3 필터는 제3 스펙트럼을 통과시키고, 상기 제4 필터는 제4 스펙트럼을 통과시키고, 상기 제5 필터는 제5 스펙트럼을 통과시키고, 상기 제6 필터는 제6 스펙트럼을 통과시키고, 상기 제7 필터는 제7 스펙트럼을 통과시키고, 상기 제8 필터는 제8 스펙트럼을 통과시키는, 센서 어레이 조립체.
- 제25항에 있어서, 제1 스펙트럼은 상기 제2 스펙트럼, 상기 제3 스펙트럼, 상기 제4 스펙트럼, 상기 제5 스펙트럼, 상기 제6 스펙트럼, 상기 제7 스펙트럼 및 상기 제8 스펙트럼과 상이한, 센서 어레이 조립체.
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US10943895B2 (en) * | 2019-01-14 | 2021-03-09 | Xerox Corporation | Method of fabricating a plurality of linear arrays with submicron y-axis alignment |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000209412A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 原稿読取装置 |
US20020181033A1 (en) * | 2001-05-29 | 2002-12-05 | Xerox Corporation | Imaging apparatus having multiple linear photosensor arrays with different spatial resolutions |
US20110001037A1 (en) * | 2009-07-02 | 2011-01-06 | Xerox Corporation | Image sensor with integration time compensation |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4746793A (en) * | 1986-09-10 | 1988-05-24 | Hewlett-Packard Company | Mask for spectrophotometer photodiode array having a bridge portion that substantially covers each photodiode |
JPH02305063A (ja) * | 1989-05-18 | 1990-12-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | イメージセンサ |
US5148268A (en) | 1991-04-26 | 1992-09-15 | Xerox Corporation | Multiplexing arrangement for controlling data produced by a color images sensor array |
JP2007324988A (ja) * | 2006-06-01 | 2007-12-13 | Fuji Xerox Co Ltd | 画像処理装置 |
US7990528B2 (en) | 2009-09-29 | 2011-08-02 | Xerox Corporation | High resolution linear image sensing using multi-row low resolution image sensor |
US8129258B2 (en) | 2009-12-23 | 2012-03-06 | Xerox Corporation | Method for dicing a semiconductor wafer, a chip diced from a semiconductor wafer, and an array of chips diced from a semiconductor wafer |
JP2012003009A (ja) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子及びその製造方法並びに撮影装置 |
JP5825817B2 (ja) * | 2011-04-01 | 2015-12-02 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子及び撮像装置 |
MY189992A (en) * | 2012-02-21 | 2022-03-22 | Massachusetts Inst Technology | Spectrometer devices |
JP6123736B2 (ja) * | 2014-05-30 | 2017-05-10 | コニカミノルタ株式会社 | 画像形成装置及び露光位置調整方法 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000209412A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 原稿読取装置 |
US20020181033A1 (en) * | 2001-05-29 | 2002-12-05 | Xerox Corporation | Imaging apparatus having multiple linear photosensor arrays with different spatial resolutions |
US20110001037A1 (en) * | 2009-07-02 | 2011-01-06 | Xerox Corporation | Image sensor with integration time compensation |
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