JP2020102475A - チップ抵抗器およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、抵抗体と一対の電極との接合性を向上させることができるチップ抵抗器およびその製造方法を提供することを目的とするものである。【解決手段】本発明のチップ抵抗器は、抵抗体1と、前記抵抗体1の両端部に設けられた一対の電極2を有し、前記抵抗体1と前記一対の電極2との間には合金層3が前記抵抗体1から前記一対の電極2に至る断面にわたって存在している。前記抵抗体1の少なくとも一面に金属層6を形成した後、前記抵抗体1の前記金属層6が形成された面に前記一対の電極2を溶接によって接合する。【選択図】図1
Description
本発明は、各種電子機器に使用される金属板を抵抗体としたチップ抵抗器およびその製造方法に関する。
従来のチップ抵抗器は、金属で構成された抵抗体の両端部に一対の電極が形成されていた。また、一対の電極は抵抗体に溶接によって接続されていた。
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1が知られている。
上記従来のチップ抵抗器においては、抵抗体として不導体を形成し易いニクロム、鉄クロムを用いると、その酸化膜によって一対の電極との接合性が悪化する可能性があるという課題を有していた。
本発明は上記従来の課題を解決するもので、抵抗体と一対の電極との接合性を向上させることができるチップ抵抗器およびその製造方法を提供することを目的とする。
第1の態様に係るチップ抵抗器は、抵抗体と、前記抵抗体の両端部に設けられた一対の電極を有し、前記抵抗体と前記一対の電極との間には合金層が前記抵抗体から前記一対の電極に至る断面にわたって存在している。
第2の態様に係るチップ抵抗器では、第1の態様において、前記合金層は、前記抵抗体の金属と前記一対の電極の金属とすずとを含む。
第3の態様に係るチップ抵抗器では、第1の態様において、前記合金層には空隙が存在しない。
第4の態様に係るチップ抵抗器では、第1の態様において、前記抵抗体をニクロムまたは鉄クロムで構成した。
第5の態様に係るチップ抵抗器では、第1の態様において、前記合金層の厚みは1μm以下である。
第6の態様に係るチップ抵抗器の製造方法は、前記抵抗体の少なくとも一面にすずを含有する金属層を形成する工程と、前記抵抗体の前記金属層が形成された面に前記一対の電極を溶接によって接合する工程とを備えた。
本発明のチップ抵抗器は、すずを含有する金属層によって抵抗体の表面の酸化を抑える
ことができるため、抵抗体の酸化膜によって一対の電極との接合性が悪化するのを抑制できる。
ことができるため、抵抗体の酸化膜によって一対の電極との接合性が悪化するのを抑制できる。
図1は本開示の一実施の形態におけるチップ抵抗器の断面図である。
本開示の一実施の形態における抵抗器は、図1に示すように、金属で構成された抵抗体1と、抵抗体1の一面(下面)の両端部に設けられた一対の電極2と、抵抗体1と一対の電極2との間に介在する合金層3と、抵抗体1の一面の一対の電極2間に形成された第1の保護膜4と、抵抗体の他面(上面)に形成された第2の保護膜5とを備えている。
上記構成において、前記抵抗体1は、ニクロム、鉄クロム等のクロムを有する金属板で構成されている。また、抵抗体1は上面視にて矩形状になっている。
さらに、抵抗体1には抵抗値を調整するために、抵抗体1を貫通するトリミング溝を形成してもよい。
前記一対の電極2は、抵抗体1の長手方向(一対の電極2間に流れる電流の向き(X方向))の両端部の一面(下面)に設けられ、抵抗体1とは別体の銅板で形成されている。一対の電極2の上面が抵抗体1の下面に合金層3を介して接合されている。なお、一対の電極2は抵抗体1の両端面に形成してもよい。
そしてさらに、一対の電極2の周囲にはめっき層(以下、図示せず)が施されており、これにより、チップ抵抗器は実装用基板に実装される。本明細書では、実装用基板がある側を下方としている。
前記合金層3は、抵抗体1の下面と一対の電極2の上面との間に介在している。すなわち、抵抗体1と一対の電極2との間の合金層3が、抵抗体1から一対の電極2に至る断面にわたって存在している。この合金層3の厚みは1μm以下である。合金層3は、抵抗体1を構成する金属と一対の電極2を構成する金属とすずとで形成されている。
前記第1の保護膜4は、抵抗体1の一面の一対の電極2間に形成され、エポキシ樹脂またはシリコン樹脂で構成されている。第1の保護膜4は一対の電極2より厚みが薄い。前記第2の保護膜5は、抵抗体1の他面(上面)に形成され、エポキシ樹脂またはシリコン樹脂で構成されている。
以下、本開示の一実施の形態におけるチップ抵抗器の製造方法について図面を参照しながら説明する。
まず、図2(a)に示すように、ニクロム、鉄クロム等からなる金属板で構成された抵抗体1を用意し、この抵抗体1の下面全体にすずを含有する金属層6をめっきして、一定の厚みの低融点金属層を形成する。この金属層6は、抵抗体1の下面全体ではなく、少なくとも一対の電極2が接合される箇所に形成されていればよい。
次に、図2(b)に示すように、抵抗体1の下面の両端部に金属層6を介して銅板を溶接し、一対の電極2を形成する。
このとき、抵抗体1を構成する金属と一対の電極2を構成する金属が金属層6に拡散して合金層3が形成される。
次に、図2(c)に示すように、抵抗体1の下面の一対の電極2間の不要な金属層6を酸によって溶解して除去する。なお、切削等の機械的な方法で除去してもよい。
その後、抵抗体1の下面の一対の電極2間に第1の保護膜4を形成し、抵抗体の上面に第2の保護膜5を形成する。
なお、図2では、チップ抵抗器が1つのものについて説明したが、チップ抵抗器が複数形成されるシート状抵抗体を用い、ダイシングで個片状に分割して個々のチップ抵抗器が得られるようにしてもよい。
一実施の形態におけるチップ抵抗器は、すずを含有する金属層6を少なくとも抵抗体1の一対の電極2と接する面に形成しているため、抵抗体1の酸化が抑制され、これにより、抵抗体1をニクロム、鉄クロム等の不導体膜を形成し易いもので構成しても、抵抗体1と一対の電極2との溶接が容易で、さらに、溶接強度も強くなる。
ここで、抵抗体1と一対の電極2との間の金属層6を単に加熱して接合する場合、溶融したすずが抵抗体1、一対の電極2を構成する金属に拡散して合金層3を作る。この際、金属層6が拡散した分だけその体積が減少し、この結果、抵抗体1との界面に空洞ができて、抵抗値が安定しない可能性がある。
また、抵抗値を安定させるために体積が減少するのを補えるように金属層6の厚みを厚く、例えば4μm以上とすると、金属層6のTCR(抵抗温度係数)が大きいため、チップ抵抗器全体のTCRが大きくなってしまう。逆に、金属層6の厚みを1μm程度に薄くすれば、上述したように界面の空洞によって抵抗値が安定しなくなる。
これに対して、本実施の形態におけるチップ抵抗器では、金属層6を加熱して接合するのではなく、抵抗体1と一対の電極2とを溶接で接合、すなわち加圧しながら加熱している。これにより、抵抗体1、一対の電極2と金属層6とが接する界面に空洞が実質的に存在せず、抵抗体1と一対の電極2との間に合金層3のみが介在する。この結果、抵抗値がより安定する。
また、体積の減少を補う必要はないため、金属層6(合金層3)の厚みを薄く、例えば1μm以下とすることができ、これにより、金属層6の大きなTCRがチップ抵抗器全体のTCR、抵抗値に及ぼす影響が小さくなる。
本発明に係るチップ抵抗器およびその製造方法は、抵抗体と一対の電極との接合性を向上させることができるという効果を有するものであり、特に各種電子機器に使用される金属板を抵抗体としたチップ抵抗器等に適用することにより有用となる。
1 抵抗体
2 一対の電極
3 合金層
6 金属層
2 一対の電極
3 合金層
6 金属層
Claims (6)
- 抵抗体と、前記抵抗体の両端部に設けられた一対の電極を有し、前記抵抗体と前記一対の電極との間には合金層が前記抵抗体から前記一対の電極に至る断面にわたって存在しているチップ抵抗器。
- 前記合金層は、前記抵抗体の金属と前記一対の電極の金属とすずとを含む請求項1に記載のチップ抵抗器。
- 前記合金層には空隙が存在しない請求項1に記載のチップ抵抗器。
- 前記抵抗体をニクロムまたは鉄クロムで構成した請求項1に記載のチップ抵抗器。
- 前記合金層の厚みは1μm以下である請求項1に記載のチップ抵抗器。
- 前記抵抗体の少なくとも一面にすずを含有する金属層を形成する工程と、前記抵抗体の前記金属層が形成された面に前記一対の電極を溶接によって接合する工程とを備えたチップ抵抗器の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2018237833A JP2020102475A (ja) | 2018-12-20 | 2018-12-20 | チップ抵抗器およびその製造方法 |
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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ID=71139827
Family Applications (1)
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JP2018237833A Pending JP2020102475A (ja) | 2018-12-20 | 2018-12-20 | チップ抵抗器およびその製造方法 |
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2018
- 2018-12-20 JP JP2018237833A patent/JP2020102475A/ja active Pending
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