JP2020072101A - パワーユニット、パワーユニットの製造方法、パワーユニットを有する電気装置及びヒートシンク - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 42
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 42
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 39
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
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Abstract
Description
特許文献1に記載の発明にあっては、ヒートシンクのモジュール搭載面に凹部を設け、絶縁放熱シート又は放熱グリスを介して発熱部品であるパワー半導体スイッチング素子を当該凹部に配置する。
パワー半導体スイッチング素子の配置部に凹部が設けられることによって、半導体チップ(スイッチング素子)をヒートシンクの放熱面に近づけることができ、当該放熱面への熱伝導性が良好になる。
また一般に、ヒートシンクに設けた凹部に半導体チップやその実装基板を配置した場合、その後に半導体チップや電気回路の樹脂封止を行う必要がある。この場合、封止樹脂を硬化させるための熱処理により、ヒートシンクが加熱されることとなる。モジュール搭載用の凹部を設けることによって薄肉化したヒートシンクが加熱により変形するおそれがあり、製造精度が劣化するおそれがある。
また、凹部の形成により発生したヒートシンクの薄肉部は変形しやすくなる。その変形により、凹部の内縁位置に応力が集中し破断するおそれがある。
前記ヒートシンクは、凹部を有し、平面視で前記凹部の底面は、前記凹部の上端開口の縁より隔たりを介して内側に配置され、前記底面の外縁から前記上端開口の縁に向かう隆起部を有し、
前記パワーモジュールの底部が前記隆起部より内側に配され前記底面に前記金属板の前記一面が熱的及び機械的に接続されている。
また、ヒートシンクは、凹部の底面の外縁から上端開口の縁に向かう隆起部を有するから、隆起部により補強されてヒートシンクの強度が向上するとともに、隆起部により組立て時のパワーモジュールの位置決めが容易になりパワーユニットの組立性が向上する。
本パワーユニット1は、パワーモジュール10と、ヒートシンク20とを備える。
パワーモジュール10は、樹脂封止型のパッケージでモジュール化されたものである。パワーモジュール10の斜視図を図2、図3に示す。
パワーモジュール10は、封止樹脂11と、封止樹脂11に一面である下面12aを露出させた金属板12と、金属板12の下面12aの反対面である上面12b側に設置され、パワー半導体スイッチング素子13を含み、封止樹脂11に封止された回路部14と、回路部14の電極を外部に取り出し、内端部が封止樹脂11に封止された電極端子15とを有する。
例えば、パワーモジュール10は、導体パターンを表裏に有した回路基板の上面にパワー半導体スイッチング素子13及び電極端子15を実装し、必要な配線接続をボンディングワイヤ等で行って回路部14を構成し、回路基板の下面の導体ベタパターンを金属板12の上面12bにはんだ等の熱伝導性接合剤30により接合して構成される。金属板12の上面12bにセラミック等による絶縁層を形成し、その上にパワー半導体スイッチング素子13等を接続する導体パターンを形成してもよい。
その後、封止樹脂11による樹脂封止工程を実施する。
封止樹脂11は、金属板12の下面12a以外の面、パワー半導体スイッチング素子13を含む回路部14、電極端子15の内端部を覆い、封止する。
凹部21の底面21aに金属板12の下面12aがはんだ等の熱伝導性接合剤30により接合されることで、熱的及び機械的に接続されている。
以上により、パワー半導体スイッチング素子13からの熱が金属板12を介してヒートシンク20に伝導するようにされている。
傾斜面S1の上端は、上端開口の縁21tに一致していてもよいし、上端開口の縁21tより下位置(凹部内位置)に傾斜面S1の上端を配置して、傾斜面S1の上端から上端開口の縁21tまでを垂直な側面としてよい。
いずれにしても凹部21の内縁角部が隆起部R1により補強されてヒートシンク20の破断強度が向上する。
また、パワーモジュール10の底部を凹部21に配置する作業において、パワーモジュール10の底部が隆起部R1より内側に配されるように傾斜面S1によって案内される。これによりヒートシンク20に対してパワーモジュール10が容易に精度よく位置決めされ、組立て性が向上する。
封止樹脂11の側面11sと上端開口の縁21tとの間に隔たりGAがあることで、封止樹脂11が凹部21に嵌合しないから、ヒートシンク20と封止樹脂11との熱膨張係数差による熱応力が発生しない。
図4に示すようにパワーユニット1は、パワーモジュール10を複数備え、ヒートシンク20には、凹部21が複数設けられる。本実施形態ではパワーモジュール10及び凹部21が3ずつである。パワーユニット1は、一の凹部21に対して一のパワーモジュール10がそれぞれ、図1に示した接合構造で配設されたものである。
ヒートシンク20の下面にジャケット31が、放熱突起22を内部に収めるようにパッキン33で周囲を水密されて取り付けられ、冷媒液が流通する流路空間32が形成される。図7に示すように、ヒートシンク20は、ジャケット31との間でパッキン33を圧着状態で固定するボルトを挿通する複数の取付孔23、及びパッキン33の取付部33Gを有する。複数の取付孔23とパッキン33の取付部33Gは、凹部21の周囲の厚みのある部分とされ、パッキン33、ジャケット31の取り付けによるヒートシンク20の変形は避けられる。
パワーモジュール10の製造工程を実施しパワーモジュール10を完成させる。そのパワーモジュール10の製造工程の中に、樹脂封止工程が含まれる。樹脂封止工程では、パワーモジュール10のうち封止樹脂11以外の構成による組立体を成形型に設置し、成形型に樹脂を充填するなどの方法により同組立体の封止箇所を樹脂で覆うとともに、成形型の成形面で封止樹脂11の外面を成形し、封止樹脂11を硬化させるための熱処理を実行する。
上記のような凹部21を有したヒートシンク20を別途、準備しておく。
以上のように樹脂封止工程を実施した後、ヒートシンク20の凹部21にパワーモジュール10を配置し、凹部21の底面21aに金属板12の下面12aを接合するモジュール実装工程を実施する。
また、ヒートシンク20は、凹部21の底面21aの外縁G1から上端開口の縁21tに向かう隆起部R1を有するから、隆起部R1により凹部21の縁部が補強されてヒートシンク20の強度が向上するとともに、隆起部R1により組立て時の案内面として機能する傾斜面S1が構成されパワーユニット1の組立性が向上する。
このような補強効果と案内機能(位置決め機能)を得るためには、隆起部、傾斜面は図1に示すように平面状の傾斜面S1とこれを形成する隆起部R1であってもよいし、図8に示すように曲面状の傾斜面S2とこれを形成する隆起部R2であってもよい。また、隆起部は図9に示すように底面21aの外縁G1から上端開口の縁21tに向かって昇る階段状に形成された隆起部R3を実施してもよい。階段状の隆起部R3によっても、補強効果及び位置決め機能を奏する。いずれにしても隆起部の表面は、底面21aの外縁G1から上端開口の縁21tに向かって、連続的又は段階的に高さが増すとともに外側に遷移する形状である。
以上の実施形態の製造方法によれば、凹部21による薄肉部を有するヒートシンク20を、パワーモジュール10の樹脂封止工程時の加熱により変形させることが避けられ、パワーユニット1の製造精度を向上することができる。
パワー半導体スイッチング素子13は、例えばIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)、サイリスタなどが適用されるがこれらに限定されるものではない。
3つのパワーモジュールを組み込んだ1つのパワーユニットを開示したが、1つのパワーユニットへのパワーモジュールの組込み数は、1つでもよいし、3つ以外の複数でもよい。
また、ヒートシンクに放熱突起を設けること、液冷式にすること等は任意である。
本開示に記載のパワーユニット1は、電気自動車等の種々の電気装置に用いられてもよい。
10 パワーモジュール
11 封止樹脂
12 金属板
12a 下面
13 パワー半導体スイッチング素子
14 回路部
15 電極端子
20 ヒートシンク
21 凹部
Claims (7)
- パワーモジュールと、ヒートシンクとを備えるパワーユニットであって、
前記パワーモジュールは、
封止樹脂と、
前記封止樹脂に一面を露出させた金属板と、
前記金属板の前記一面の反対面側に設置され、前記封止樹脂に封止された回路部と、
を有し、
前記ヒートシンクは、凹部を有し、平面視で前記凹部の底面は、前記凹部の上端開口の縁より隔たりを介して内側に配置され、前記底面の外縁から前記上端開口の縁に向かう隆起部を有し、
前記パワーモジュールの底部が前記隆起部より内側に配され前記底面に前記金属板の前記一面が熱的及び機械的に接続されたパワーユニット。 - 前記隆起部は、前記底面の外縁から前記上端開口の縁に向かう平面状又は曲面状の傾斜面である請求項1に記載のパワーユニット。
- 前記隆起部は、前記底面の外縁から前記上端開口の縁に向かって昇る階段状である請求項1に記載のパワーユニット。
- 前記パワーモジュールを複数備え、
前記ヒートシンクには、前記凹部が複数設けられ、
一の前記凹部に対して一の前記パワーモジュールが配設された請求項1から請求項3のうちいずれか一に記載のパワーユニット。 - 請求項1から請求項4のうちいずれか一に記載のパワーユニットの製造方法であって、
前記パワーモジュールの前記封止樹脂を硬化させるための熱処理を含めた樹脂封止工程を実施した後、
前記ヒートシンクの前記凹部に前記パワーモジュールを配置し、前記凹部の底面に前記金属板の前記一面を接合するモジュール実装工程を実施するパワーユニットの製造方法。 - 請求項1から請求項4のうちいずれか一に記載のパワーユニットを有する、
電気装置。 - 凹部を有し、平面視で前記凹部の底面は、前記凹部の上端開口の縁より隔たりを介して内側に配置され、前記底面の外縁から前記上端開口の縁に向かう隆起部を有する、
ヒートシンク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018202497A JP2020072101A (ja) | 2018-10-29 | 2018-10-29 | パワーユニット、パワーユニットの製造方法、パワーユニットを有する電気装置及びヒートシンク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2020072101A true JP2020072101A (ja) | 2020-05-07 |
Family
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
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JP (1) | JP2020072101A (ja) |
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A621 | Written request for application examination |
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