JP2020069532A - レーザ加工装置及びレーザ加工方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1に示されるように、レーザ加工装置1は、複数の移動機構5,6と、支持部7と、1対のレーザ加工ヘッド10A,10Bと、光源ユニット8と、制御部9と、を備えている。以下、第1方向をX方向、第1方向に垂直な第2方向をY方向、第1方向及び第2方向に垂直な第3方向をZ方向という。本実施形態では、X方向及びY方向は水平方向であり、Z方向は鉛直方向である。
[レーザ加工ヘッドの構成]
[作用及び効果]
[変形例]
図9に示されるレーザ加工装置101は、対象物100に集光点(少なくとも集光領域の一部)を合わせてレーザ光を照射することにより、対象物100に改質領域を形成する。レーザ加工装置101は、対象物100にトリミング加工及び剥離加工を施し、半導体デバイスを取得(製造)する。トリミング加工は、対象物100において不要部分を除去するための加工である。剥離加工は、対象物100の一部分を剥離するための加工である。
<加工条件I>
分岐数4、分岐ピッチBPy20μm、分岐ピッチBPx30μm、加工速度800mm、周波数80kHz
<実験結果>
改質エリアの幅10mm(加工ライン数500本):ベベル部BBまでの亀裂到達×
改質エリアの幅20mm(加工ライン数1000本):ベベル部BBまでの亀裂到達×
改質エリアの幅25mm(加工ライン数1252本):ベベル部BBまでの亀裂到達×
改質エリアの幅30mm(加工ライン数1500本):ベベル部BBまでの亀裂到達△
改質エリアの幅35mm(加工ライン数1752本):ベベル部BBまでの亀裂到達○(反り量0.3mm)
<加工条件II>
分岐数4、分岐ピッチBPy30μm、分岐ピッチBPx30μm、加工速度800mm、周波数80kHz
<実験結果>
改質エリアの幅10mm(加工ライン数333本):ベベル部BBまでの亀裂到達×
改質エリアの幅20mm(加工ライン数666本):ベベル部BBまでの亀裂到達×
改質エリアの幅25mm(加工ライン数833本):ベベル部BBまでの亀裂到達×
改質エリアの幅30mm(加工ライン数1000本):ベベル部BBまでの亀裂到達×
改質エリアの幅100mm(加工ライン数3333本):ベベル部BBまでの亀裂到達×
インデックス=(分岐数)×インデックス入力値
次に、第2実施形態について説明する。第2実施形態の説明では、第1実施形態と異なる点を説明し、第1実施形態と重複する説明を省略する。
次に、第3実施形態について説明する。第3実施形態の説明では、第1実施形態と異なる点を説明し、第1実施形態と重複する説明を省略する。
次に、第4実施形態について説明する。第4実施形態の説明では、第1実施形態と異なる点を説明し、第1実施形態と重複する説明を省略する。
以上、本発明の一態様は、上述した実施形態に限定されない。
[作用及び効果]
Claims (10)
- 対象物にレーザ光を照射することにより、前記対象物の内部において仮想面に沿って改質領域を形成するレーザ加工装置であって、
前記対象物を支持する支持部と、
前記支持部によって支持された前記対象物に前記レーザ光を照射する照射部と、
前記レーザ光の集光点の位置が前記仮想面に沿って移動するように前記支持部及び前記照射部の少なくとも一方を移動させる移動機構と、
前記支持部、前記照射部及び前記移動機構を制御する制御部と、
前記レーザ光の入射方向に沿う方向から前記対象物を撮像する撮像部と、を備え、
前記制御部は、並ぶように配された複数の並行ラインを有する加工用ラインに沿って、前記レーザ光を前記対象物に照射させて、前記改質領域を前記対象物に形成する第1前処理を実行し、
前記撮像部は、前記第1前処理により複数の前記並行ラインを有する加工用ラインに沿って前記改質領域を形成した場合の加工状態を映す第1画像を取得する、レーザ加工装置。 - 前記制御部は、一本の加工用ラインに沿って、前記レーザ光を前記対象物に照射させて、前記改質領域を前記対象物に形成する第2前処理を実行し、
前記撮像部は、前記第2前処理により前記一本の加工用ラインに沿って前記改質領域を形成した場合の加工状態を映す第2画像を取得する、請求項1に記載のレーザ加工装置。 - 前記制御部は、前記第2画像に映る加工状態を判定し、当該判定結果に応じて前記第2前処理の加工条件を変更する、請求項2に記載のレーザ加工装置。
- 前記制御部は、前記第2画像に映る加工状態が第1スライシング状態か否かを判定し、前記第1スライシング状態ではない場合に前記第2前処理の加工条件を変更し、
前記第1スライシング状態は、前記改質領域に含まれる複数の改質スポットから延びる亀裂が、前記一本の加工用ラインに沿う方向に伸展する状態である、請求項3に記載のレーザ加工装置。 - 前記制御部は、前記第1画像に映る加工状態を判定し、当該判定結果に応じて前記第1前処理の加工条件を変更する、請求項1〜4の何れか一項に記載のレーザ加工装置。
- 前記第1前処理では、並ぶように配された複数の並行ラインを有する加工用ラインに沿って、第1加工条件で前記レーザ光を前記対象物に照射させて、前記改質領域を前記対象物に形成し、
前記撮像部は、前記第1画像として、第1規定量のレーザ加工後の加工状態を映す画像を取得し、
前記制御部は、前記第1画像に基づいて、前記第1前処理による前記第1規定量のレーザ加工後の加工状態が第2スライシング状態か否かを判定し、前記第2スライシング状態ではない場合に前記第1加工条件を変更し、
前記第2スライシング状態は、前記改質領域に含まれる複数の改質スポットから延びる亀裂が、前記並行ラインに沿う方向及び前記並行ラインと交差する方向に伸展して互いに繋がる状態である、請求項5に記載のレーザ加工装置。 - 前記第1前処理では、並ぶように配された複数の並行ラインを有する加工用ラインに沿って、第2加工条件で前記レーザ光を前記対象物に照射させて、前記改質領域を前記対象物に形成し、
前記撮像部は、前記第1画像として、第1規定量のレーザ加工後の加工状態を映す画像と、前記第1規定量よりも多い第2規定量のレーザ加工後の加工状態を映す画像と、を取得し、
前記制御部は、
前記第1規定量のレーザ加工後の加工状態を映す画像としての前記第1画像に基づいて、前記第1前処理による前記第1規定量のレーザ加工後の加工状態が第2スライシング状態か否かを判定し、
前記第1規定量のレーザ加工後の加工状態が第2スライシング状態の場合、前記第2加工条件を変更し、
前記第1規定量のレーザ加工後の加工状態が第2スライシング状態ではない場合、前記第2規定量のレーザ加工後の加工状態を映す画像としての前記第1画像に基づいて、前記第1前処理による前記第2規定量のレーザ加工後の加工状態が第2スライシング状態か否かを判定し、
前記第2規定量のレーザ加工後の加工状態が前記第2スライシング状態ではない場合に、前記第2加工条件を変更し、
前記第2スライシング状態は、前記改質領域に含まれる複数の改質スポットから延びる亀裂が、前記並行ラインに沿う方向及び前記並行ラインと交差する方向に伸展して互いに繋がる状態である、請求項5に記載のレーザ加工装置。 - 前記対象物は、条件決定用のウェハである、請求項1〜7の何れか一項に記載のレーザ加工装置。
- 前記対象物は、半導体デバイス用のウェハである、請求項1〜7の何れか一項に記載のレーザ加工装置。
- 対象物にレーザ光を照射することにより、前記対象物の内部において仮想面に沿って改質領域を形成するレーザ加工方法であって、
並ぶように配された複数の並行ラインを有する加工用ラインに沿って、前記レーザ光を前記対象物に照射させて、前記改質領域を前記対象物に形成する第1前工程と、
前記第1前工程により複数の前記並行ラインを有する加工用ラインに沿って前記改質領域を形成した場合の加工状態を映す第1画像を取得する第1撮像工程と、を備えるレーザ加工方法。
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