JP2020057647A - 半導体モジュール - Google Patents
半導体モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020057647A JP2020057647A JP2018185309A JP2018185309A JP2020057647A JP 2020057647 A JP2020057647 A JP 2020057647A JP 2018185309 A JP2018185309 A JP 2018185309A JP 2018185309 A JP2018185309 A JP 2018185309A JP 2020057647 A JP2020057647 A JP 2020057647A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- solder layer
- electrode
- semiconductor element
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/2612—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
- H01L2224/26152—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers being formed on an item to be connected not being a semiconductor or solid-state body
- H01L2224/26175—Flow barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
【課題】はんだ層の角部にクラックが入りにくくすることができる半導体モジュールを提供する。【解決手段】基板20と、基板20上に載置されて、第1はんだ層41を介してはんだ付けされる電極30と、電極30上に載置されて、第2はんだ層42を介してはんだ付けされる半導体素子50と、を有する。電極30は、半導体素子50の角部に重なる位置に貫通孔62,64を有し、貫通孔62,64内には、第1はんだ層41と第2はんだ層42とを接続するはんだ部43を有する。【選択図】図2
Description
本発明は、半導体モジュールに関するものである。
セラミック基板、金属板、半導体素子の順に積層され、互いに接合する構造が知られている(例えば、特許文献1)。
ところで、基板上に電極をはんだ付けするとともに電極上に半導体素子をはんだ付けした半導体モジュールにおいて、一般的に、はんだ層の角部に応力が集中するため、はんだ層の角部にクラックが入る懸念があり、クラックの発生は最悪断線を招く。その対策として、はんだ層の厚みを厚くする必要があった。
本発明の目的は、はんだ層の角部にクラックが入りにくくすることができる半導体モジュールを提供することにある。
上記問題点を解決するための半導体モジュールは、基板と、前記基板上に載置されて、第1はんだ層を介してはんだ付けされる電極と、前記電極上に載置されて、第2はんだ層を介してはんだ付けされる半導体素子と、を有する半導体モジュールであって、前記電極は、前記半導体素子の角部に重なる位置に貫通孔を有し、前記貫通孔内には、前記第1はんだ層と前記第2はんだ層とを接続するはんだ部を有することを要旨とする。
これによれば、電極における半導体素子の角部に重なる位置の貫通孔内に第1はんだ層と第2はんだ層とを接続するはんだ部を有するので、貫通孔の位置のはんだの厚みは厚く、第2はんだ層の角部においてクラックが入りにくくすることができる。
また、半導体モジュールについて、前記はんだ部は前記貫通孔の全体に充填されているのが好ましい。
また、半導体モジュールについて、前記第1はんだ層の厚みは前記第2はんだ層の厚みよりも厚いのが好ましい。
また、半導体モジュールについて、前記第1はんだ層の厚みは前記第2はんだ層の厚みよりも厚いのが好ましい。
本発明によれば、はんだ層の角部にクラックが入りにくくすることができる。
以下、本発明を具体化した一実施形態を図面に従って説明する。
なお、図面において、水平面を、直交するX,Y方向で規定するとともに、上下方向をZ方向で規定している。
なお、図面において、水平面を、直交するX,Y方向で規定するとともに、上下方向をZ方向で規定している。
図1、図2に示すように、半導体モジュール10は、基板20と、電極30と、半導体素子50と、ヒートシンク70を有する。ヒートシンク70は、銅、アルミ等の熱良導性の金属板よりなる。金属板よりなるヒートシンク70は、水平面に配置されている。
基板20はヒートシンク70の上面に固定されている。基板20は、絶縁基板21と導体パターン22を有する。絶縁基板21の上面に導体パターン22がパターニングされている。
電極30は、銅板を所望の形状にくり抜くことにより構成されている。本実施形態では電極30は、四角形状の銅の平板によりなる。電極30は、基板20上に載置されている。電極30は、導体パターン22に対し第1はんだ層41を介してはんだ付けされている。
半導体素子50は、縦型の半導体素子であり、素子本体の上面及び下面に電極が形成されている。具体的には、半導体素子50としてIGBT、MOSトランジスタ、バイポーラトランジスタ、ダイオード等を挙げることができる。半導体素子50は、四角形状をなし、4つの角部51,52,53,54を有する。半導体素子50は、電極30上に載置されている。半導体素子50は、電極30に対し第2はんだ層42を介してはんだ付けされている。
第1はんだ層41の厚みはt1であり、第2はんだ層42の厚みはt2である。
半導体素子50は作動に伴い発熱し、その熱Q(図2参照)は下方のヒートシンク70に伝わり、ヒートシンク70で放熱される。
半導体素子50は作動に伴い発熱し、その熱Q(図2参照)は下方のヒートシンク70に伝わり、ヒートシンク70で放熱される。
図1,図2、図3に示すように、電極30は、半導体素子50の角部51,52,53,54に重なる位置に貫通孔61,62,63,64を有する。各貫通孔61,62,63,64は、断面形状が円形である。平面視において半導体素子50の角部51,52,53,54の先端と断面形状が円形の貫通孔61,62,63,64の中心が一致している。各貫通孔61,62,63,64内には、第1はんだ層41と第2はんだ層42とを接続するはんだ部43を有する。
図3に示すように、はんだ部43は、貫通孔61,62,63,64の全体に充填されている。つまり、はんだのフィレット45が貫通孔61,62,63,64に重なる位置において半導体素子50の下面の端部から電極30の上面にわたり形成されている。
貫通孔61,62,63,64の位置でのはんだの厚みt3は、第1はんだ層41の厚みt1と第2はんだ層42の厚みt2と基板20の厚みt4の和(=t1+t2+t4)である。
また、図3に示すように、第1はんだ層41の厚みt1と、第2はんだ層42の厚みt2との関係において、第1はんだ層41の厚みt1は第2はんだ層42の厚みt2よりも厚い(t1>t2)。具体的には、例えば、第1はんだ層41の厚みt1が0.2mm程度であるのに対し第2はんだ層42の厚みt2は0.1mm以下である。
なお、半導体素子50の上面には配線部材(図示略)が接続される。この配線部材は、基板20上に電極30をはんだ付けするとともに電極30上に半導体素子50をはんだ付けした後の工程において半導体素子50の上面に、はんだ付けされる。
次に、作用について説明する。
製造工程において、図4、図5に示すように、ヒートシンク70の上に基板20を固定したものを用意する。また、電極30と半導体素子50を用意する。
製造工程において、図4、図5に示すように、ヒートシンク70の上に基板20を固定したものを用意する。また、電極30と半導体素子50を用意する。
そして、基板20の上に、板状はんだ41aを配置し、その上に電極30を載置し、さらに、電極30の上に、板状はんだ42aを配置する。また、板状はんだ42aの上に半導体素子50を載置する。
その後、リフロー炉に入れて加熱することにより図1及び図2に示すように基板20上において電極30が第1はんだ層41を介してはんだ付けされるとともに、電極30上において半導体素子50が第2はんだ層42を介してはんだ付けされる。はんだリフロー時において第1はんだ層41となる溶融はんだ及び第2はんだ層42となる溶融はんだが貫通孔61,62,63,64に入り、はんだ部43となる。
このように製造された半導体モジュール10においては、第2はんだ層42の角部に応力集中が生じようとするが貫通孔61,62,63,64の位置のはんだの厚みt3は厚いので、はんだへの応力を緩和して、第2はんだ層42の角部においてクラックが入りにくくすることができる。
詳しくは、四角形の第2はんだ層42について、角部に応力が集中してクラックが入りやい。そのため、従来では、はんだ層の厚みを厚くする必要があったが、本実施形態においては、第2はんだ層42の厚みを厚くすることなく、はんだへの応力を緩和して第2はんだ層42の角部にクラックが入りにくくすることができる。
また、半導体素子50で発生する熱Q(図2参照)がZ方向においてヒートシンク70に伝わる際に、第2はんだ層42が薄いことにより放熱性に優れる。
また、上層の第2はんだ層42は薄いので、半導体素子50において発生する熱の放熱経路として、電極30の水平方向に熱を拡散させて熱を逃がしやすく放熱性に優れる。
また、上層の第2はんだ層42は薄いので、半導体素子50において発生する熱の放熱経路として、電極30の水平方向に熱を拡散させて熱を逃がしやすく放熱性に優れる。
また、図2に示すように電極30の高さHを所定値にする際に、厚い第1はんだ層41を厚み調整部位として用いることができる。詳しくは、ヒートシンク70の下面を基準として電極30の上面までの高さHを一定にするために、部品の厚みのばらつきに対し第1はんだ層41を公差吸収層として用いて第1はんだ層41の厚みt1で調整して高さHを一定にすることができる。
また、電極30に貫通孔61,62,63,64を設けることにより、はんだリフロー時において第1はんだ層41の余剰分が貫通孔61,62,63,64に入ることによって第1はんだ層41が図3において仮想線で示すように余剰のはんだS1が外に溢れ出ることを防止することができる。
また、電極30に貫通孔61,62,63,64を設けることにより、はんだリフロー時において第2はんだ層42の余剰分が貫通孔61,62,63,64に入ることによって第2はんだ層42が図3において仮想線で示すように余剰のはんだS2が外に溢れ出ることを防止することができる。
このように、半導体素子50及び電極30の下部品である基板20の幅方向の寸法を大きくすることなく余剰はんだが溢れ出るのが防止できる。さらに、貫通孔61,62,63,64が余剰はんだの吸収機能を有しているため、はんだ過多やはんだ不足に対処することができる。
貫通孔61,62,63,64を用いて、はんだのはみ出しを抑制することができるため、許容できる部品の寸法ばらつきを広げられ、部品費の抑制に繋げることが期待できる。また、はんだのはみ出しを抑制することができるため、はみ出し発生時の仕損費を低減できる。
上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
(1)半導体モジュール10の構成として、基板20と、基板20上に載置されて、第1はんだ層41を介してはんだ付けされる電極30と、電極30上に載置されて、第2はんだ層42を介してはんだ付けされる半導体素子50と、を有する。電極30は、半導体素子50の角部51,52,53,54に重なる位置に貫通孔61,62,63,64を有し、貫通孔61,62,63,64内には、第1はんだ層41と第2はんだ層42とを接続するはんだ部43を有する。よって、電極30における半導体素子50の角部51,52,53,54に重なる位置の貫通孔61,62,63,64内に第1はんだ層41と第2はんだ層42とを接続するはんだ部43を有するので、貫通孔61,62,63,64の位置のはんだの厚みt3は厚い。これにより、第2はんだ層42の角部51,52,53,54においてクラックが入りにくくすることができる。
(1)半導体モジュール10の構成として、基板20と、基板20上に載置されて、第1はんだ層41を介してはんだ付けされる電極30と、電極30上に載置されて、第2はんだ層42を介してはんだ付けされる半導体素子50と、を有する。電極30は、半導体素子50の角部51,52,53,54に重なる位置に貫通孔61,62,63,64を有し、貫通孔61,62,63,64内には、第1はんだ層41と第2はんだ層42とを接続するはんだ部43を有する。よって、電極30における半導体素子50の角部51,52,53,54に重なる位置の貫通孔61,62,63,64内に第1はんだ層41と第2はんだ層42とを接続するはんだ部43を有するので、貫通孔61,62,63,64の位置のはんだの厚みt3は厚い。これにより、第2はんだ層42の角部51,52,53,54においてクラックが入りにくくすることができる。
(2)はんだ部43は、貫通孔61,62,63,64の全体に充填されている。よって、電極30における半導体素子50の角部51,52,53,54に重なる位置の貫通孔61,62,63,64の位置でのはんだの厚みt3を広範囲で厚くできる。これにより、第2はんだ層42の角部51,52,53,54においてクラックがより入りにくくなる。
(3)第1はんだ層41の厚みt1は第2はんだ層42の厚みt2よりも厚い。よって、第1はんだ層41の厚みt1を厚くして、厚み調整することができる。
実施形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
実施形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
○ 図3においては、はんだ部43は、貫通孔61,62,63,64の全体に充填されていたが、これに限るものではない。例えば、図6に示すように、はんだのフィレット46が、貫通孔61,62,63,64に重なる位置において半導体素子50の下面の端部から下方(Z方向)に延びるような量であってもよい。他にも、図7に示すように、はんだのフィレット47が、貫通孔61,62,63,64に重なる位置において半導体素子50の下面の端部から半導体素子50の下面の端部よりも内方に延びるような量であってもよい。
○ 貫通孔61,62,63,64の断面形状は円形であったがこれに限るものではない。例えば、各貫通孔61,62,63,64は、断面形状が角形であってもよい。
○ 電極30において、半導体素子50における全ての角部51,52,53,54に重なる位置に貫通孔61,62,63,64を設けたが、これに限らない。例えば、電極30において、半導体素子50における角部51,52,53,54のうちの応力が加わりやすい角部について当該角部に重なる位置に貫通孔を設けてもよい。要は少なくとも1つの角部に重なる位置に貫通孔を設ければよい。
○ 電極30において、半導体素子50における全ての角部51,52,53,54に重なる位置に貫通孔61,62,63,64を設けたが、これに限らない。例えば、電極30において、半導体素子50における角部51,52,53,54のうちの応力が加わりやすい角部について当該角部に重なる位置に貫通孔を設けてもよい。要は少なくとも1つの角部に重なる位置に貫通孔を設ければよい。
○ 図4,5では板状はんだ41a,42aを配置したが、板状はんだ41a,42aに代わり、はんだペースト(クリームはんだ)を塗布してもよい。
10…半導体モジュール、20…基板、30…電極、41…第1はんだ層、42…第2はんだ層、43…はんだ部、50…半導体素子、51,52,53,54…角部、61,62,63,64…貫通孔、t1…厚み、t2…厚み。
Claims (3)
- 基板と、
前記基板上に載置されて、第1はんだ層を介してはんだ付けされる電極と、
前記電極上に載置されて、第2はんだ層を介してはんだ付けされる半導体素子と、
を有する半導体モジュールであって、
前記電極は、前記半導体素子の角部に重なる位置に貫通孔を有し、
前記貫通孔内には、前記第1はんだ層と前記第2はんだ層とを接続するはんだ部を有することを特徴とする半導体モジュール。 - 前記はんだ部は前記貫通孔の全体に充填されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体モジュール。
- 前記第1はんだ層の厚みは前記第2はんだ層の厚みよりも厚いことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018185309A JP2020057647A (ja) | 2018-09-28 | 2018-09-28 | 半導体モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018185309A JP2020057647A (ja) | 2018-09-28 | 2018-09-28 | 半導体モジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020057647A true JP2020057647A (ja) | 2020-04-09 |
Family
ID=70107642
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018185309A Pending JP2020057647A (ja) | 2018-09-28 | 2018-09-28 | 半導体モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2020057647A (ja) |
-
2018
- 2018-09-28 JP JP2018185309A patent/JP2020057647A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9867275B2 (en) | Modular power supply and method for manufacturing the same | |
KR101827186B1 (ko) | 반도체 모듈 및 인버터 장치 | |
US9318407B2 (en) | Pop package structure | |
EP3310140B1 (en) | Mounting assembly with a heatsink | |
JP6610590B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
US20050180116A1 (en) | Heatsink | |
JP2013247256A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2013201289A (ja) | 半導体装置 | |
JP5589950B2 (ja) | 電子装置 | |
TW201642417A (zh) | 半導體結構 | |
JP2011100912A (ja) | パワー半導体モジュールのプリント配線板への実装構造 | |
WO2019235189A1 (ja) | バスバー積層体及びそれを備える電子部品実装モジュール、バスバー積層体の製造方法 | |
JP2020057647A (ja) | 半導体モジュール | |
US20180332699A1 (en) | Printed circuit board | |
JP2007273835A (ja) | 金属ベース基板、及びそれを備える電子部品実装構造 | |
JP2017117927A (ja) | 電子部品の放熱構造 | |
JP6251420B1 (ja) | 電子モジュールおよび電子モジュールの製造方法 | |
JP2019129237A (ja) | 電子部品、電子部品の製造方法、機構部品 | |
JP6311568B2 (ja) | 電子装置 | |
JP2016076509A (ja) | 回路モジュール | |
CN110931447B (zh) | 控制用模块及印刷基板 | |
JP2017152459A (ja) | 基板及び半導体装置の基板実装方法 | |
WO2016017352A1 (ja) | Led実装用基板、led | |
KR102594797B1 (ko) | Pcb에 실장되는 반도체소자를 위한 방열장치 | |
JP2018207118A (ja) | 回路モジュール |