JP2020047751A - モールド樹脂封止型半導体装置の制御基板への取付方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図3及び図4において、モールド樹脂封止型半導体装置は、モールド樹脂10で封止された半導体素子、例えばスイッチング動作により電力変換を行うパワー半導体素子11と、パワー半導体素子11を支持固定し、外部配線と接続するリードフレーム12を有している。リードフレーム12は、表面がニッケルメッキされた銅製のものが用いられている。リードフレーム12には、パワー半導体素子11の信号パッドとインナーリード13がリフロー半田付けされ、信号端子14がボンディングワイヤ15によりパワー半導体素子11の信号パッドと接続されている。信号端子14は、半田16によって制御基板17に半田付けされており、信号端子14と制御基板17が電気的に接続されている。
図5において、まず、ステップS500で示す実装工程で、表面がニッケルメッキされた銅製のリードフレーム12に、パワー半導体素子11とインナーリード13がリフロー半田付けされ、その後、パワー半導体素子11の信号パットと信号端子14がボンディングワイヤ15にてワイヤボンディングされる。
上記リードフレームに上記半導体素子がリフロー半田付けされた後、上記半導体素子と上記信号端子をボンディングワイヤでワイヤボンディングする実装工程と、上記半導体素子、上記リードフレームの一部、上記ボンディングワイヤ、及び上記信号端子の上記接続端部をモールド樹脂で被覆するトランスファー成形工程と、上記リードフレームの酸化膜成長を抑制して上記モールド樹脂の硬化を進行させるアフターキュア工程と、上記リードフレームを成形し、曲げ加工を行うタイバーカット、曲げ加工工程と、上記アフターキュア工程後に、上記リードフレームの酸化膜を除去するプラズマ還元工程と、上記信号端子を上記制御基板に半田付けする信号端子と制御基板の半田付け工程と、を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1に係るモールド樹脂封止型半導体装置の信号端子を示す斜視図であり、図2は、モールド樹脂封止型半導体装置の製造工程から制御基板へ取付工程を示すフロー図である。なお、信号端子を除く他の部分については、図3、図4で示す従来のモールド樹脂封止型半導体装置と同じであり、以下の説明では図1及び図2と共に、図3、図4も用いて説明する。
上記において、ステップS500の工程からステップS503の工程がモールド樹脂封止型半導体装置の製造工程となり、ステップS201の工程がプラズマ還元工程となり、ステップS504の工程が信号端子14と制御基板17の半田付け工程となるが、ステップS500からステップS201のプラズマ還元工程が一つの製造ラインで実施され、ステップS504の信号端子14と制御基板17の半田付け工程が別の製造ラインで実施される。
従って、例示されていない無数の変形例が、本願に開示される技術の範囲内において想定される。例えば、少なくとも1つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合が含まれるものとする。
上記リードフレームに上記半導体素子がリフロー半田付けされた後、上記半導体素子と上記信号端子をボンディングワイヤでワイヤボンディングする実装工程と、上記半導体素子、上記リードフレームの一部、上記ボンディングワイヤ、及び上記信号端子の上記接続端部をモールド樹脂で被覆するトランスファー成形工程と、上記リードフレームの酸化膜の成長を抑制して上記モールド樹脂の硬化を進行させるアフターキュア工程と、上記リードフレームを成形し、曲げ加工を行うタイバーカット、曲げ加工工程と、上記アフターキュア工程後に、水素雰囲気中で上記信号端子の上記制御基板への半田付け部に大気圧プラズマを照射して水素還元反応を生成させ、上記信号端子の酸化膜を除去するプラズマ還元工程と、上記信号端子を上記制御基板に半田付けする信号端子と制御基板の半田付け工程と、を備えたことを特徴とする。
Claims (3)
- 半導体素子と、上記半導体素子を支持固定するリードフレームの一部と、制御基板に半田付けされる信号端子と上記半導体素子とを接続するボンディングワイヤと、上記信号端子の上記ボンディングワイヤとの接続端部と、をモールド樹脂で被覆するモールド樹脂封止型半導体装置を上記制御基板へ取付ける方法であって、
上記リードフレームに上記半導体素子がリフロー半田付けされた後、上記半導体素子と上記信号端子をボンディングワイヤでワイヤボンディングする実装工程と、
上記半導体素子、上記リードフレームの一部、上記ボンディングワイヤ、及び上記信号端子の上記接続端部をモールド樹脂で被覆するトランスファー成形工程と、
上記リードフレームの酸化膜成長を抑制して上記モールド樹脂の硬化を進行させるアフターキュア工程と、
上記リードフレームを成形し、曲げ加工を行うタイバーカット、曲げ加工工程と、
上記アフターキュア工程後に、上記リードフレームの酸化膜を除去するプラズマ還元工程と、
上記信号端子を上記制御基板に半田付けする信号端子と制御基板の半田付け工程と、
を備えたことを特徴とするモールド樹脂封止型半導体装置の制御基板への取付け方法。 - 上記アフターキュア工程は、窒素雰囲中で行われることを特徴とする請求項1に記載のモールド樹脂封止型半導体装置の制御基板への取付け方法。
- 上記プラズマ還元工程は、水素雰囲気中で大気圧プラズマを照射して行われることを特徴とする請求項1または2に記載のモールド樹脂封止型半導体装置の制御基板への取付け方法。
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