JP2020040047A - 光触媒分散液、光触媒複合材料および光触媒装置 - Google Patents
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Abstract
Description
前記光触媒複合材料と、
前記基材に光触媒活性を生じさせる光照射部材と、
処理しようとする物質を前記光触媒複合材料に供給する供給部材と
を具備するものであって、
前記光により触媒活性を生じた前記光触媒複合材料が、前記物質を処理するための化学反応を促進する装置である。
実施形態に係る光触媒分散液は、図1に示されるように、光触媒粒子10と銀ナノワイヤ11を含み、これらは分散媒(図示せず)中に分散されている。光触媒粒子と銀ナノワイヤとは直接結合されていないが、これらが共存していることで、それぞれが凝集などをしにくくなっているものと考えられる。
図2で示すように実施形態に係る光触媒複合材料20は、基材21と光触媒層22を具備する。光触媒層22は、光触媒粒子23と銀ナノワイヤ24を含む。このような光触媒複合材料は、第1の実施形態で説明した光触媒分散液を基材の表面に塗布し、乾燥することで得ることができる。
図3に、第3の実施形態にかかる光触媒装置の構成の一例を表す概略図を示す。
(光触媒分散液の調整)
平均粒子径20nmの酸化タングステン微粒子と平均直径20nm、平均長さ10μmの銀ナノワイヤを水に分散させて、酸化タングステン1質量%、銀ナノワイヤ0.1質量%の光触媒分散液を得る。光触媒分散液は1日放置しても分散状態は変化しない。
厚さ150μmのPETフィルム(10cm×10cm)を未処理で0.5質量%の平均直径4nmで平均長さ1μmの繊維状のアルミナ水和物分散液1gを滴下し、全面に広げた後、室温で1時間乾燥して下地層を形成させる。
アセトアルデヒド分解試験では、初期濃度10ppmに対して6000ルクスの蛍光灯による光照射を15分した場合には0ppmになる。遮光した試料を用いた場合、同じ時間経過後の濃度は10ppmである。
上記光触媒を70℃の水中で1日放置する。剥がれは見られず、光触媒活性、暗所での抗菌性もほとんど変化しない。
ルチル型酸化チタン微粒子3gとチオウレア10gの混合物を400℃で加熱する。得られる粉末をボールミルで微細化して平均粒子径10nmの硫黄ドープ酸化チタン微粒子を得る。酸化タングステンの代わりに硫黄ドープ酸化チタンを用いることを除いては実施例1と同様にして光触媒複合材料を得る。
アセトアルデヒド分解試験では、初期濃度10ppmに対して光照射20分後には0ppmになる。遮光した試料を用いた場合、同じ時間経過後の濃度は10ppmである。
上記光触媒を70℃の水中で1日放置する。剥がれは見られず、光触媒活性もほとんど変化しない。
(光触媒分散液の調整)
平均直径70nm、平均長さ50μmの銀ナノワイヤを用いることは除いては実施例1と同様にして光触媒分散液を形成させる。
アルミ板上に形成されたメラミン樹脂膜(10cm×10cm)を未処理で光触媒分散液を下地層を形成せずに直接刷毛で塗布する。全面に広げた後、室温で3時間乾燥する。
アセトアルデヒド分解試験では、初期濃度10ppmに対して光照射20分後には0ppmになる。遮光した試料を用いた場合、同じ時間経過後の濃度は10ppmである。
上記光触媒を70℃の水中で1日放置する。剥がれは見られず、光触媒活性もほとんど変化しない。
二塩化スズと水とをステンレス反応管中、180℃で加熱して粒子径100nmから200nmの酸化スズ微粒子を得る。酸化タングステンの代わりに酸化スズを用いることを除いては実施例1と同様にして光触媒複合材料を得る。
アセトアルデヒド分解試験では、初期濃度10ppmに対して光照射17分後には0ppmになる。遮光した試料を用いた場合、同じ時間経過後の濃度は10ppmである。
上記光触媒を水中で1日放置する。剥がれは見られず、光触媒活性もほとんど変化しない。
助触媒として平均粒子径100nmの鉄ニッケル複合酸化物粒子(Fe2NiO4)を添加して酸化タングステン1質量%、銀ナノワイヤ0.1質量%、鉄ニッケル複合酸化物0.05質量%の光触媒分散液を用いることを除いては実施例1と同様にして光触媒複合材料を得る。
アセトアルデヒド分解試験では、初期濃度10ppmに対して光照射13分後には0ppmになる。遮光した試料を用いた場合、同じ時間経過後の濃度は10ppmである。
上記光触媒を水中に1日放置する。剥がれは見られず、光触媒活性もほとんど変化しない。
銀ナノワイヤ0.001質量%の光触媒分散液を得ることを除いては実施例1と同様にして光触媒複合材料を得る。
アセトアルデヒド分解試験では、初期濃度10ppmに対して光照射18分後には0ppmになる。遮遮光した試料を用いた場合、同じ時間経過後の濃度は10ppmである。
銀ナノワイヤ0.01質量%の光触媒分散液を得ることを除いては実施例1と同様にして光触媒複合材料を得る。
アセトアルデヒド分解試験では、初期濃度10ppmに対して光照射17分後には0ppmになる。遮光した試料を用いた場合、同じ時間経過後の濃度は10ppmである。
実施例1で得られる光触媒複合材料と白色LEDと小型のファンを有する光触媒装置を冷蔵庫中に設置する。電源と制御装置は冷蔵の外部に設置する。
LEDで光を照射しながら光触媒装置を駆動し、10ppmのメチルメルカプタンの初期濃度は30分後に0になる。
銀ナノワイヤを用いないことを除いては実施例1と同様にして光触媒複合材料を形成させる。
アセトアルデヒド分解試験では、初期濃度10ppmに対して光照射20分後には0ppmになる。遮光した試料を用いた場合、同じ時間経過後の濃度は10ppmである。
上記光触媒を水中で1日放置する。若干の剥がれが見られる。
銀ナノワイヤの代わりに平均粒子径3nmの銀ナノ粒子を用いることを除いては実施例1と同様にして光触媒分散液および光触媒複合材料を形成させる。
アセトアルデヒド分解試験では、初期濃度10ppm、光照射18分後には0ppmになる。遮光した試料を用いた場合、同じ時間経過後の濃度は10ppmである。
上記光触媒を水中で1日放置する。銀ナノ粒子の流失と、若干の膜の剥がれが見られる。
Claims (17)
- 光触媒粒子と銀ナノワイヤと分散媒とを含む、光触媒分散液。
- 前記光触媒が、酸化タングステン、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ニオブ、および酸化スズからなる群から選択される金属酸化物を含む、請求項1に記載の光触媒分散液。
- 助触媒をさらに含む、請求項1または2に記載の光触媒分散液。
- 前記銀ナノワイヤの平均直径が10〜200nm、平均長さが1〜50μmである、請求項1〜3のいずれか1項に記載の光触媒分散液。
- 前記光触媒粒子の平均直径が2〜500nmである、請求項1〜4のいずれか1項に記載の光触媒分散液。
- 前記光触媒粒子の平均直径が前記銀ナノワイヤの平均直径の1/5〜5倍である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の光触媒分散液。
- 基材と光触媒層とを具備し、前記光触媒層は光触媒粒子と銀ナノワイヤとを含む、光触媒複合材料。
- 前記光触媒粒子が酸化タングステンを含む、請求項7に記載の光触媒複合材料。
- 前記触媒層が助触媒をさらに含む、請求項7または8に記載の光触媒複合材料。
- 前記基材と前記光触媒層との間に下地層をさらに具備する、請求項7〜9のいずれか1項に記載の光触媒複合材料。
- 前記下地層が無機酸化物を含む、請求項10に記載の光触媒複合材料。
- 前記無機酸化物がアルミニウムの酸化物である、請求項11に記載の光触媒複合材料。
- 請求項7〜12のいずれか1項に記載の光触媒複合材料と、
前記基材に光触媒活性を生じさせる光照射部材と、
処理しようとする物質を前記光触媒複合材料に供給する供給部材と
を具備する光触媒装置であって、
前記光により触媒活性を生じた前記光触媒複合材料が、前記物質を処理するための化学反応を促進する、
光触媒装置。 - 前記光照射部材がLEDである請求項13記載の光触媒装置。
- 前記供給部材がファンである、請求項13または14に記載の光触媒装置。
- 前記物質が前記光触媒複合材料の正面に供給され、前記化学反応により生成した生成物が、前記光触媒複合材料の裏面から放出される、請求項13〜15のいずれか1項に記載の光触媒装置。
- 前記光触媒層が、前記物質を吸着する吸着材をさらに含む、請求項13〜16のいずれか1項に記載の光触媒装置。
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