JP2020034604A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 信頼性の向上が可能な表示装置を提供する。【解決手段】 一実施形態に係る表示装置は、第１基板と、第１有機膜と、第１方向に延出している第１凸部と、前記第１方向に交差する第２方向に延出する第２凸部と、前記第２方向において前記第１凸部に並び、前記第１方向に延出している第３凸部とを有し、前記第１基板と対向する第２基板と、画像を表示する第１領域の周囲の第２領域に位置し、前記第１基板と前記第２基板とを接着しているシール材と、を備え、前記第１凸部、前記第２凸部、及び前記第３凸部は、前記第１有機膜と前記シール材との間に位置する。【選択図】 図１

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

近年、種々の形状の表示装置が提案されている。表示装置は、複数の層で構成された表示パネルを有する。表示パネルに衝撃等が加わった場合、表示パネルを構成する複数の層の内の接着強度の弱い層が剥離する可能性がある。

特開２０１５−２２５２２７号公報

本実施形態の目的は、信頼性の向上が可能な表示装置を提供することにある。

一実施形態によれば、第１基板と、第１有機膜と、第１方向に延出している第１凸部と、前記第１方向に交差する第２方向に延出する第２凸部と、前記第２方向において前記第１凸部に並び、前記第１方向に延出している第３凸部とを有し、前記第１基板と対向する第２基板と、画像を表示する第１領域の周囲の第２領域に位置し、前記第１基板と前記第２基板とを接着しているシール材と、を備え、前記第１凸部、前記第２凸部、及び前記第３凸部は、前記第１有機膜と前記シール材との間に位置する、表示装置が提供される。

他の実施形態によれば、有機膜と、前記有機膜を有する第１凸部と、前記第１凸部と並び、前記有機膜を有する第２凸部と、前記第１凸部及び前記第２凸部の間に位置する第１凹部とを有する第１基板と、第３凸部と、前記第３凸部と並んでいる第４凸部とを有し、前記第１基板と対向する第２基板と、画像を表示する第１領域の周囲の第２領域に位置し、前記第１基板と前記第２基板とを接着しているシール材と、を備え、前記第１基板は、前記第２基板よりも外側に延出している実装部を有し、前記第１凸部、前記第２凸部、及び前記第１凹部は、前記シール材に重畳し、前記第３凸部及び前記第４凸部は、前記第１凹部に重畳している、表示装置が提供される。

図１は、第１実施形態の表示装置の外観の一例を示す平面図である。 図２は、第１実施形態の表示装置の外観の一例を示す平面図である。 図３は、第１実施形態の表示装置の外観の一例を示す平面図である。 図４は、第１実施形態に係るタッチセンサの一構成例を示す平面図である。 図５は、図４に示したセンサ電極及び副画素の一例を示す平面図である。 図６は、副画素の基本構成及び等価回路を示す図である。 図７は、図１乃至図３に示した表示パネルの一部の一構成例を示す断面図である。 図８は、図１乃至図３に示した領域の第１基板の構成例を模式的に示す平面図である。 図９は、図１乃至図３に示した領域の第２基板の構成例を模式的に示す平面図である。 図１０は、図９に示したＡ−Ａ線に沿った表示パネルの断面図である。 図１１は、図９に示したＢ−Ｂ線に沿った表示パネルの断面図である。 図１２は、図９に示したＣ−Ｃ線に沿った第２基板の断面図である。 図１３は、第１実施形態の変形例１に係る第１基板の構成例を模式的に示す平面図である。 図１４は、第１実施形態の変形例１に係る第２基板の構成例を模式的に示す平面図である。 図１５は、図１４に示したＤ−Ｄ線に沿った表示パネルの断面図である。 図１６は、第１実施形態の変形例２に係る第１基板の構成例を模式的に示す平面図である。 図１７は、第１実施形態の変形例２に係る第２基板の構成例を模式的に示す平面図である。 図１８は、図１４に示したＥ−Ｅ線に沿った表示パネルの断面図である。 図１９は、図１乃至図３に示した表示パネルの第１基板の一部の構造を示す断面図である。 図２０は、第２実施形態に係る表示パネルの一部の構造を示す断面図である。 図２１は、第２実施形態に係る表示パネルの断面図である。

以下、いくつかの実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

以下、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰについて説明する。一例として、各実施形態においては、表示装置ＤＳＰが液晶表示装置である場合について説明する。
まず、図１、図２、及び図３を参照して、第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰの外観の一例について説明する。なお、第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰの外観は、図１乃至図３に示す外観に限らない。
図１は、第１実施形態の表示装置ＤＳＰの外観の一例を示す平面図である。図中の第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していてもよい。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、それぞれ、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面の一辺が延出する方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。本明細書において、第３方向Ｚを示す矢印の先端に向かう方向を上方（あるいは、単に上）と称し、第３方向Ｚを示す矢印の先端から逆に向かう方向を下方（あるいは、単に下）と称する。「第１部材の上の第２部材」及び「第１部材の下の第２部材」とした場合、第２部材は、第１部材に接していてもよく、又は第１部材から離れて位置していてもよい。また、第３方向Ｚを示す矢印の先端側に表示装置ＤＳＰを観察する観察位置があるものとし、この観察位置から、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ−Ｙ平面に向かって見ることを平面視という。以下、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙの長さを幅と称し、第１方向Ｘの長さを横幅と称し、第２方向Ｙの長さを縦幅と称し、第３方向Ｚの長さを厚さと称する場合もある。

表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと、ＩＣチップ２とを備えている。
図１に示した例では、平面視した場合、表示パネルＰＮＬは、略長方形状に形成されている。表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１に対向している第２基板ＳＵＢ２と、シール材ＳＥと、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に保持された表示機能層（本実施形態では、後述する液晶層ＬＣ）と、を備えている。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とは、これらの間に所定のギャップを形成した状態で、シール材ＳＥによって貼り合わされている。液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間とシール材ＳＥとによって囲まれた空間に充填されている。表示パネルＰＮＬは、シール材ＳＥによって囲まれた内側に画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡを囲む額縁状の非表示領域ＮＤＡとを有している。シール材ＳＥは、非表示領域ＮＤＡに位置している。図１では、シール材ＳＥを左上がりの斜線で示している。図１に示した例では、シール材ＳＥは、矩形枠状である。また、表示領域ＤＡは、角部に丸みを帯びたラウンド形状である。なお、シール材ＳＥは、矩形枠状以外の形状であってもよい。また、表示領域ＤＡは、略矩形状であってもよいし、矩形以外の多角形状であってもよい。

表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡに複数の副画素ＰＸを備えている。ここで、副画素とは、画素信号に応じて個別に制御することができる最小単位を示し、例えば、後述する走査線Ｇと信号線Ｓとが交差する位置に配置されたスイッチング素子を含む領域に存在する。また、主画素は、複数の副画素で構成される。例えば、赤色に対応する副画素、緑色に対応する副画素、及び青色に対応する副画素により１つの主画素が構成される。他の例では、赤色に対応する副画素、緑色に対応する副画素、青色に対応する副画素、及び白色に対応する副画素により１つの主画素が構成される。主画素は、表示領域ＤＡに表示される画像の最小単位に相当する。複数の副画素ＰＸは、表示領域ＤＡにマトリクス状に配置されている。

ＩＣチップ２などの表示パネルＰＮＬの駆動に必要な信号供給源は、非表示領域ＮＤＡに位置している。図１に示した例では、ＩＣチップ２は、第２基板ＳＵＢ２の１つの基板側縁（又は、基板端部と称する場合もある）ＳＥＧ２１よりも外側に延出した第１基板ＳＵＢ１の実装部ＭＴ１に実装されている。言い換えると、ＩＣチップ２は、実装部ＭＴ１に重畳している。なお、実装部ＭＴ１にＩＣチップ２が実装される構造に限らず、実装部ＭＴ１に接続されるフレキシブル・プリント・サーキットと（ＦＰＣ）基板にＩＣチップ２が設けられていてもよい。実装部ＭＴ１は、第１基板ＳＵＢ１の１つの基板側縁ＳＥＧ１１に沿って形成されている。図示していないが、第１基板ＳＵＢ１は、実装部ＭＴ１に信号供給源を接続するための接続端子（以下、パッドと称する）を備えている。パッドには、後述する走査線Ｇや信号線Ｓなどと電気的に接続されたものが含まれる。なお、図１に示した例では、第２基板ＳＵＢ２の他の３つの基板側縁ＳＥＧ２２、ＳＥＧ２３、及びＳＥＧ２４は、それぞれ、第１基板ＳＵＢ１の他の３つの基板側縁ＳＥＧ１２、ＳＥＧ１３、及びＳＥＧ１４と対向している。ＩＣチップ２は、画像を表示する表示モードにおいて画像表示に必要な信号を出力するディスプレイドライバを内蔵している。また、ＩＣチップ２は、表示装置ＤＳＰへの物体の接近又は接触を検出するタッチセンシングモードを制御するタッチコントローラを内蔵している。なお、タッチコントローラは、ＩＣチップ２とは異なる他のＩＣチップに内蔵されていてもよい。

表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１に溝部ＧＲを有している。溝部ＧＲは、非表示領域ＮＤＡに位置している。図１に示した例では、溝部ＧＲは、シール材ＳＥに重畳している。溝部ＧＲは、第２基板ＳＵＢ２の基板側縁ＳＥＧ２１乃至ＳＥＧ２４に沿って矩形枠状に形成されている。溝部ＧＲは、基板側縁ＳＥＧ１１（ＳＥＧ２１）側に位置する溝部ＧＲ１と、基板側縁ＳＥＧ１２（ＳＥＧ２２）側に位置する溝部ＧＲ２と、基板側縁ＳＥＧ１３（ＳＥＧ２３）側に位置する溝部ＧＲ３と、基板側縁ＳＥＧ１４（ＳＥＧ２４）側に位置する溝部ＧＲ４とを含む。

表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１に凸部ＤＰを備えている。凸部ＤＰは、非表示領域ＮＤＡに位置している。凸部ＤＰは、例えば、シール材ＳＥや溝部ＧＲと重畳している。図１に示した例では、凸部ＤＰは、シール材ＳＥに沿って表示領域ＤＡの周囲に配置されている。凸部ＤＰの一部は、表示領域ＤＡの全周囲に亘って配置され、凸部ＤＰの一部は、実装部ＭＴ１側で分断されている。また、凸部ＤＰの一部は、実装部ＭＴ１（基板側縁ＳＥＧ１１）側のみに位置している。なお、凸部ＤＰの全部が、表示領域ＤＡの全周囲に亘って配置されていてもよい。凸部ＤＰの一部は、基板側縁ＳＥＧ１２乃至ＳＥＧ１４の内のいずれか１つの基板側縁側のみに位置していてもよい。また、凸部ＤＰの全部が、表示領域ＤＡの周囲の途中で分断されていてもよい。

表示パネルＰＮＬは、第２基板ＳＵＢ２に凸部ＵＰを備えている。凸部ＵＰは、非表示領域ＮＤＡに位置している。凸部ＵＰは、例えば、シール材ＳＥや溝部ＧＲと重畳している。図１に示した例では、凸部ＵＰは、シール材ＳＥに沿って表示領域ＤＡの周囲に配置されている。凸部ＵＰは、表示領域ＤＡの全周囲に亘って配置されている。なお、凸部ＵＰの一部が、表示領域ＤＡの全周囲に亘って配置され、凸部ＵＰの一部が、実装部ＭＴ１側で分断されていてもよい。凸部ＵＰの一部は、基板側縁ＳＥＧ１１乃至ＳＥＧ１４の内のいずれか１つの基板側縁側のみに位置していてもよい。また、凸部ＵＰの全部が表示領域ＤＡの周囲の途中で分断されていてもよい。

表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１の背面側からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型、第２基板ＳＵＢ２の前面側からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型、あるいは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型のいずれであってもよい。

また、表示パネルＰＮＬの詳細な構成について、ここでは説明を省略するが、表示パネルＰＮＬは、Ｘ−Ｙ平面に平行な基板主面に沿った横電界を利用する表示モード、基板主面の法線に沿った縦電界を利用する表示モード、基板主面に対して斜め方向に傾斜した傾斜電界を利用する表示モード、さらには、上記の横電界、縦電界、及び、傾斜電界を適宜組み合わせて利用する表示モードに対応したいずれの構成を備えていてもよい。

図２は、第１実施形態の表示装置ＤＳＰの外観の一例を示す平面図である。図２に示した例では、平面視した場合、表示パネルＰＮＬは、略ラウンド形状に形成されている。表示パネルＰＮＬは、切り欠き部ＮＴ１を有している。切り欠き部ＮＴ１は、第１基板ＳＵＢ１に形成された切り欠き部ＮＴ１１と、第２基板ＳＵＢ２に形成された切り欠き部ＮＴ１２とを含む。切り欠き部ＮＴ１１は、切り欠き部ＮＴ１２に重畳している。切り欠き部ＮＴ１１は、第２方向Ｙにおいて、基板側縁ＳＥＧ１１と反対側の基板側縁ＳＥＧ１２側に位置し、基板側縁ＳＥＧ１１側に窪んでいる。切り欠き部ＮＴ１２は、第２方向Ｙにおいて、基板側縁ＳＥＧ２１と反対側の基板側縁ＳＥＧ２２側に位置し、基板側縁ＳＥＧ２１側に窪んでいる。表示領域ＤＡは、切り欠き部ＮＴ１に沿って基板側縁ＳＥＧ１１（ＳＥＧ２１）側に窪んでいる略ラウンド形状に形成されている。シール材ＳＥは、表示領域ＤＡの形状に沿って表示領域ＤＡの周囲に配置されている。シール材ＳＥは、切り欠き部ＮＴ１に沿って基板側縁ＳＥＧ１２（ＳＥＧ２２）側で屈曲している。凸部ＤＰは、シール材ＳＥに沿って表示領域ＤＡの周囲に配置されている。凸部ＤＰは、シール材ＳＥに沿って基板側縁ＳＥＧ１２側で切り欠き部ＮＴ１１に沿って屈曲している。凸部ＵＰは、シール材ＳＥに沿って表示領域ＤＡの周囲に配置されている。凸部ＵＰは、シール材ＳＥに沿って基板側縁ＳＥＧ２２側で切り欠き部ＮＴ１２に沿って屈曲している。

図３は、第１実施形態の表示装置ＤＳＰの外観の一例を示す平面図である。図３に示した例では、平面視した場合、表示パネルＰＮＬは、略ラウンド形状に形成されている。表示パネルＰＮＬは、切り欠き部ＮＴ２を有している。切り欠き部ＮＴ２は、実装部ＭＴ１の領域ＢＬＡと、第２基板ＳＵＢ２に形成された切り欠き部ＮＴ２２とを含む。領域ＢＬＡは、切り欠き部ＮＴ２２に重畳している。切り欠き部ＮＴ２２は、第２基板ＳＵＢ２の基板側縁ＳＥＧ２１側に位置し、基板側縁ＳＥＧ２２側に窪んでいる。ＩＣチップ２は、実装部ＭＴ１において切欠き部ＮＴ２２に重畳する領域ＢＬＡの第１方向Ｘの両側にそれぞれ位置する実装部ＭＴ１の２つの領域に接続されている。言い換えると、２つのＩＣチップ２は、領域ＢＬＡ以外の実装部ＭＴ１の複数の領域に接続されている。なお、ＩＣチップ２は、領域ＢＬＡ以外の実装部ＭＴ１の１つの領域に接続されていてもよい。表示領域ＤＡは、切り欠き部ＮＴ２２に沿って基板側縁ＳＥＧ１２（ＳＥＧ２２）側に窪んでいる略ラウンド形状に形成されている。シール材ＳＥは、表示領域ＤＡの形状に沿って表示領域ＤＡの周囲に配置されている。シール材ＳＥは、切り欠き部ＮＴ２２に沿って基板側縁ＳＥＧ１１（ＳＥＧ２１）側で屈曲している。凸部ＤＰは、シール材ＳＥに沿って表示領域ＤＡの周囲に配置されている。凸部ＤＰは、シール材ＳＥに沿って基板側縁ＳＥＧ１１側で屈曲している。凸部ＵＰは、シール材に沿って表示領域ＤＡの周囲に配置されている。凸部ＵＰは、シール材ＳＥに沿って基板側縁ＳＥＧ２１側で屈曲している。

図３に示した例では、表示パネルＰＮＬは、配線の導通等を検査するためのパッドＩＰＤを備えている。パッドＩＰＤは、非表示領域ＮＤＡに位置し、第２基板ＳＵＢ２の基板側縁ＳＥＧ２２よりも外側に延出した第１基板ＳＵＢ１の実装部ＭＴ２に実装されている。実装部ＭＴ２は、第２方向Ｙにおいて、実装部ＭＴ１と反対側に位置している。実装部ＭＴ２は、第１基板ＳＵＢ１の基板側縁ＳＥＧ１２に沿って形成されている。

図４は、タッチセンサＴＳの一構成例を示す平面図である。ここでは、自己容量方式のタッチセンサＴＳについて説明するが、タッチセンサＴＳは相互容量方式であってもよい。図４に示した例では、図１に示した表示パネルＰＮＬを用いてタッチセンサＴＳを説明するが、図２及び図３に示した表示パネルＰＮＬにもタッチセンサＴＳを適用できる。
タッチセンサＴＳは、マトリクス状に配置された複数のセンサ電極（検出電極）Ｒｘ（Ｒｘ１、Ｒｘ２…）と、複数のセンサ配線Ｌ（Ｌ１、Ｌ２…）と、を備えている。複数のセンサ電極Ｒｘは、表示領域ＤＡに位置し、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配置されている。１つのセンサ電極Ｒｘは、１つのセンサブロックＢを構成している。センサブロックＢとは、タッチセンシングが可能な最小単位である。複数のセンサ配線Ｌは、表示領域ＤＡにおいて、それぞれ第２方向Ｙに沿って延出し、第１方向Ｘに並んでいる。センサ配線Ｌの各々は、例えば後述する信号線Ｓと重畳する位置に設けられている。また、センサ配線Ｌの各々は、非表示領域ＮＤＡに引き出され、ＩＣチップ２もしくはＦＰＣ基板等の他の外部回路に電気的に接続されている。センサ配線Ｌは、非表示領域ＮＤＡにおいて端子部Ｔを有している。

ここで、第１方向Ｘに並んだセンサ配線Ｌ１乃至Ｌ３と、第２方向Ｙに並んだセンサ電極Ｒｘ１乃至Ｒｘ３との関係に着目する。センサ配線Ｌ１は、センサ電極Ｒｘ１乃至Ｒｘ３と重畳し、センサ電極Ｒｘ１と電気的に接続されている。
センサ配線Ｌ２は、センサ電極Ｒｘ２及びＲｘ３と重畳し、センサ電極Ｒｘ２と電気的に接続されている。ダミー配線Ｄ２０は、センサ配線Ｌ２から離間している。ダミー配線Ｄ２０は、センサ電極Ｒｘ１と重畳し、センサ電極Ｒｘ１と電気的に接続されている。センサ配線Ｌ２及びダミー配線Ｄ２０は、同一の信号線上に位置している。

センサ配線Ｌ３は、センサ電極Ｒｘ３と重畳し、センサ電極Ｒｘ３と電気的に接続されている。ダミー配線Ｄ３１は、センサ電極Ｒｘ１と重畳し、センサ電極Ｒｘ１と電気的に接続されている。ダミー配線Ｄ３２は、ダミー配線Ｄ３１及びセンサ配線Ｌ３から離間している。ダミー配線Ｄ３２は、センサ電極Ｒｘ２と重畳し、センサ電極Ｒｘ２と電気的に接続されている。センサ配線Ｌ３、ダミー配線Ｄ３１及びＤ３２は、同一の信号線上に位置している。

タッチセンシングモードにおいては、ＩＣチップ２、例えば、ＩＣチップ２に内蔵されたタッチコントローラは、センサ配線Ｌにタッチ駆動電圧を印加する。これにより、センサ電極Ｒｘにはタッチ駆動電圧が印加され、センサ電極Ｒｘでのセンシングが行われる。センサ電極Ｒｘでのセンシング結果に対応したセンサ信号は、センサ配線Ｌを介してＩＣチップ２（タッチコントローラ）に出力される。ＩＣチップ２（タッチコントローラ）、又は外部のホストは、センシング信号に基づいて、表示装置ＤＳＰへの物体の接近又は接触の有無及び物体の位置座標を検出する。
なお、表示モードにおいては、センサ電極Ｒｘは、コモン電圧（Ｖｃｏｍ）が印加された共通電極ＣＥとして機能する。コモン電圧は、ＩＣチップ２、例えば、ＩＣチップ２に内蔵されたディスプレイドライバに含まれる電圧供給部からセンサ配線Ｌを介して印加される。

図５は、図４に示したセンサ電極Ｒｘ及び副画素ＰＸを示す平面図である。図５において、第２方向Ｙに対して反時計回りに鋭角に交差する方向を方向Ｄ１と定義し、第２方向Ｙに対して時計回りに鋭角に交差する方向を方向Ｄ２と定義する。なお、第２方向Ｙと方向Ｄ１とのなす角度θ１は、第２方向Ｙと方向Ｄ２とのなす角度θ２とほぼ同一である。

１つのセンサ電極Ｒｘは、複数の副画素ＰＸに亘って配置されている。図示した例では、第２方向Ｙに沿って奇数行目に位置する副画素ＰＸは、方向Ｄ１に沿って延出している。また、第２方向Ｙに沿って偶数行目に位置する副画素ＰＸは、方向Ｄ２に沿って延出している。一例では、１つのセンサ電極Ｒｘには、第１方向Ｘに沿って６０〜７０個の主画素ＭＰが配置され、第２方向に沿って６０〜７０個の主画素ＭＰが配置されている。なお、副画素ＰＸは、図５に示したように配列されていなくともよい。

図６は、副画素ＰＸの基本構成及び等価回路を示す図である。
複数の走査線Ｇは、走査線駆動回路ＧＤに接続されている。複数の信号線Ｓは、信号線駆動回路ＳＤに接続されている。走査線Ｇ及び信号線Ｓは、それぞれ、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）などの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金などによって形成されている。走査線Ｇ及び信号線Ｓは、それぞれ、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。一例では、走査線Ｇは、例えば、モリブデン（Ｍо）−タングステン（Ｗ）合金によって形成されている。また、一例では、信号線Ｓは、チタン（Ｔｉ）−アルミニウム（Ａｌ）−チタン（Ｔｉ）の順に積層された積層体で形成されている。なお、走査線Ｇ及び信号線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくてもよく、それらの一部が屈曲していてもよい。例えば、信号線Ｓは、その一部が屈曲していたとしても、第２方向Ｙに延出しているものとする。

共通電極ＣＥは、センサブロックＢ毎にそれぞれ設けられている。共通電極ＣＥは、コモン電圧（Ｖｃｏｍ）の電圧供給部ＣＤに接続され、複数の副画素ＰＸに亘って配置されている。共通電極ＣＥは、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成された透明電極である。また、共通電極ＣＥは、それぞれ上記の通りＩＣチップ２、例えば、ＩＣチップ２に内蔵されたタッチコントローラにも接続され、タッチセンシングモードにおいてタッチ駆動電圧が印加されるセンサ電極Ｒｘを形成している。

各副画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＣ等を備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。走査線Ｇは、第１方向Ｘに並んだ副画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに並んだ副画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成された透明電極である。画素電極ＰＥの各々は、共通電極ＣＥと対向し、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって液晶層ＬＣを駆動している。保持容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと同電位の電極、及び、画素電極ＰＥと同電位の電極の間に形成される。

図７は、図１乃至図３に示した表示パネルＰＮＬの一部の構造を示す断面図である。図７は、例えば、副画素ＰＸに相当する領域の構造を示している。図７に示した例は、横電界を利用する表示モードが適用された例に相当する。
第１基板ＳＵＢ１は、絶縁基板１０、絶縁層１１、絶縁層１２、絶縁層１３、絶縁層１４、絶縁層１５、信号線Ｓ（Ｓ１、Ｓ２、…）、金属配線ＭＬ（ＭＬ１、ＭＬ２、…）、共通電極ＣＥ、及び配向膜ＡＬ１などを備えている。
絶縁基板１０は、ガラス基板や可撓性の樹脂基板などの光透過性を有する基板である。絶縁基板１０は、上面１０Ａと、上面１０Ａと反対側の下面１０Ｂとを有する。絶縁層１１は、絶縁基板１０の上に位置している。絶縁層１２は、絶縁層１１の上に位置している。信号線Ｓは、絶縁層１２の上に位置している。図７に示した例では、信号線Ｓ１と信号線Ｓ２とは、第１方向Ｘにおいて離間している。絶縁層１３は、上面１３Ａと、上面１３Ａと反対側の下面１３Ｂとを有する。絶縁層１３は、絶縁層１２の上に位置し、信号線Ｓを覆っている。金属配線ＭＬは、絶縁層１３の上に位置している。金属配線ＭＬは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）などの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金などによって形成されている。金属配線ＭＬは、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。一例では、金属配線ＭＬは、チタン（Ｔｉ）−アルミニウム（Ａｌ）−チタン（Ｔｉ）の順に積層された積層体で形成されている。金属配線ＭＬは、例えば、センサ電極Ｒｘと電気的に接続されるセンサ配線Ｌとしても機能する。センサ配線Ｌとして機能する場合、金属配線ＭＬは、センサ電極Ｒｘ、例えば、共通電極ＣＥと電気的に接続される。図７に示した例では、金属配線ＭＬ１及びＭＬ２は、それぞれ、信号線Ｓ１及びＳ２の直上に位置している。絶縁層１４は、上面１４Ａと、上面１４Ａと反対側の下面１４Ｂとを有する。絶縁層１４は、絶縁層１３の上に位置し、絶縁層１３及び金属配線ＭＬを覆っている。共通電極ＣＥは、絶縁層１４の上に位置している。絶縁層１５は、共通電極ＣＥの上に位置し、共通電極ＣＥを覆っている。言い換えると、絶縁層１２と絶縁層１２の上の位置する絶縁層１５との間には、絶縁層１３、絶縁層１４、及び共通電極ＣＥが位置している。画素電極ＰＥ（ＰＥ１）は、絶縁層１５の上に位置している。配向膜ＡＬ１は、絶縁層１５の上に位置し、絶縁層１５及び画素電極ＰＥを覆っている。なお、第１基板ＳＵＢ１において、各層の間には、他の層が位置していてもよい。

絶縁層１１、１２、及び１５は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物などの無機絶縁材料によって形成された無機絶縁層である。絶縁層１１、１２、及び１５は、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。絶縁層１３及び１４は、例えば、アクリル樹脂などの有機絶縁材料によって形成された有機絶縁層（有機膜）である。

第２基板ＳＵＢ２は、絶縁基板２０、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、及び配向膜ＡＬ２などを備えている。
絶縁基板２０は、絶縁基板１０と同様に、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する基板である。絶縁基板２０は、上面２０Ａと、上面２０Ａと反対側の下面２０Ｂとを有する。遮光層ＢＭ及びカラーフィルタＣＦは、絶縁基板１０に対向する下面２０Ｂ側に位置している。カラーフィルタＣＦは、画素電極ＰＥ（ＰＥ１）と対向する位置に配置され、その一部が遮光層ＢＭの下側に重畳している。カラーフィルタＣＦは、赤色のカラーフィルタＣＦＲ、緑色のカラーフィルタＣＦＧ、及び青色のカラーフィルタＣＦＢを有している。なお、カラーフィルタＣＦは、白色のカラーフィルタを有していてもよい。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦの下に位置し、カラーフィルタＣＦを覆っている。オーバーコート層ＯＣは、透明な樹脂によって形成されている。オーバーコート層は例えば透明の有機材料で形成され、透明の有機膜ということも出来る。配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣの下に位置し、オーバーコート層ＯＣを覆っている。配向膜ＡＬ１及び配向膜ＡＬ２は、例えば、水平配向性を示す材料によって形成されている。なお、第２基板ＳＵＢ２において、各層の間には、他の層が位置していてもよい。

上述した第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、配向膜ＡＬ１及び配向膜ＡＬ２が対向するように配置されている。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、図７に示すように所定のセルギャップが形成された状態で前述したシール材ＳＥによって接着されている。液晶層ＬＣは、配向膜ＡＬ１と配向膜ＡＬ２との間に保持されている。液晶層ＬＣは、液晶分子ＬＭを備えている。液晶層ＬＣは、ポジ型（誘電率異方性が正）の液晶材料、あるいは、ネガ型（誘電率異方性が負）の液晶材料によって構成されている。

偏光板ＰＬ１を含む光学素子ＯＤ１は、絶縁基板１０に接着されている。偏光板ＰＬ２を含む光学素子ＯＤ２は、絶縁基板２０に接着されている。なお、光学素子ＯＤ１及び光学素子ＯＤ２は、必要に応じて位相差板、散乱層、反射防止層などを備えていてもよい。

このような表示パネルＰＮＬにおいては、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されていないオフ状態において、液晶分子ＬＭは、配向膜ＡＬ１及び配向膜ＡＬ２の間で所定の方向に初期配向している。このようなオフ状態では、照明装置ＩＬから表示パネルＰＮＬに向けて照射された光は、光学素子ＯＤ１及び光学素子ＯＤ２によって吸収され、暗表示となる。一方、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されたオン状態においては、液晶分子ＬＭは、電界により初期配向方向とは異なる方向に配向し、その配向方向は電界によって制御される。このようなオン状態では、照明装置ＩＬからの光の一部は、光学素子ＯＤ１及び光学素子ＯＤ２を透過し、明表示となる。

図８は、図１乃至図３に示した領域ＡＲの第１基板ＳＵＢ１の構成例を模式的に示す平面図である。図８には、説明に必要な構成のみを示している。
第１基板ＳＵＢ１は、非表示領域ＮＤＡに、溝部ＧＲ（ＧＲ４）と、周辺配線ＷＲ１と、複数の凸部ＤＰ（ＤＰ１、ＤＰ２、ＤＰ３、ＤＰ４、ＤＰ５、ＤＰ６…）と、複数の凹部ＤＤ（ＤＤ１、ＤＤ２、ＤＤ３、ＤＤ４、ＤＤ５、ＤＤ６…）と、複数の金属配線ＡＭ（ＡＭ１、ＡＭ２…）とを有している。

溝部ＧＲは、第１基板ＳＵＢ１の基板側縁よりも表示領域ＤＡ側に位置する端部ＧＥ１を有している。図８に示した例では、溝部ＧＲ４は、基板側縁ＳＥＧ１４よりも表示領域ＤＡ側に位置する端部ＧＥ１４を有している。溝部ＧＲ４は、例えば、第１方向Ｘにおいて、基板側縁ＳＥＧ１４から端部ＧＥ１４に亘って形成されている。基板側縁ＳＥＧ１４から端部ＧＥ１４までの溝部ＧＲ４の横幅は、例えば、１５０μｍ〜２００μｍである。
周辺配線ＷＲ１は、非表示領域ＮＤＡにおいて、第１基板ＳＵＢ１の基板側縁よりも表示領域ＤＡ側に位置している。図８に示した例では、周辺配線ＷＲ１は、非表示領域ＮＤＡにおいて、基板側縁ＳＥＧ１４よりも表示領域ＤＡ側に位置し、第２方向Ｙに延出している。

複数の凸部ＤＰは、間隔を置いて並んでいる。複数の凸部ＤＰは、例えば、溝部ＧＲに重畳している。図８に示した例では、凸部ＤＰ１乃至ＤＰ６は、溝部ＧＲ４に重畳している。凸部ＤＰ１乃至ＤＰ６は、溝部ＧＲ４において、第１方向Ｘに間隔を置いて並び、第２方向Ｙに延出している。凸部ＤＰ１乃至ＤＰ５の横幅ＤＷｘ１は、例えば、７μｍ以下である。なお、横幅ＤＷｘ１は、７μｍより大きくてもよい。凸部ＤＰ６の横幅ＤＷｘ２は、凸部ＤＰ１乃至ＤＰ５の横幅ＤＷｘ１のほぼ半分であり、例えば、２μｍ〜４μｍである。凸部ＤＰ１は、第１方向Ｘにおいて、端部ＧＥ１４から基板側縁ＳＥＧ１４側に距離ＤＤＳｘ０で離間している。距離ＤＤＳｘ０は、例えば、２０〜２５μｍである。凸部ＤＰ１は、周辺配線ＷＲ１に重畳している。凸部ＤＰ２は、第１方向Ｘにおいて、凸部ＤＰ１から基板側縁ＳＥＧ１４側に距離ＤＤＳｘ１で離間している。距離ＤＤＳｘ１は、例えば、１５μｍ〜２０μｍである。凸部ＤＰ３は、第１方向Ｘにおいて、凸部ＤＰ２から基板側縁ＳＥＧ１４側に距離ＤＤＳｘ２で離間している。距離ＤＤＳｘ２は、例えば、１５μｍ〜２０μｍである。凸部ＤＰ４は、第１方向Ｘにおいて、凸部ＤＰ３から基板側縁ＳＥＧ１４側に距離ＤＤＳｘ３で離間している。距離ＤＤＳｘ３は、例えば、１５μｍ〜２０μｍである。凸部ＤＰ４は、後述する金属配線ＡＭ１から第２方向Ｙの矢印の先端が向かう方向に離間している。言い換えると、凸部ＤＰ４は、金属配線ＡＭ１から第２方向Ｙに延長する延長線上に位置し、金属配線ＡＭ１と重畳していない。なお、凸部ＤＰ４は、金属配線ＡＭ１に重畳していてもよい。凸部ＤＰ５は、第１方向Ｘにおいて、凸部ＤＰ４から基板側縁ＳＥＧ１４側に距離ＤＤＳｘ４で離間している。距離ＤＤＳｘ４は、例えば、１５μｍ〜２０μｍである。凸部ＤＰ６は、第１方向Ｘにおいて、凸部ＤＰ５から基板側縁ＳＥＧ１４側に距離ＤＤＳｘ５で離間している。距離ＤＤＳｘ５は、例えば、１５μｍ〜２０μｍである。凸部ＤＰ６は、基板側縁ＳＥＧ１４に沿って第２方向Ｙに延出している。凸部ＤＰ６は、後述する金属配線ＡＭ２から第２方向Ｙの矢印の先端が向かう方向に離間している。言い換えると、凸部ＤＰ６は、金属配線ＡＭ２から第２方向Ｙに延長する延長線上に位置し、金属配線ＡＭ２と重畳していない。なお、凸部ＤＰ６は、金属配線ＡＭ２に重畳していてもよい。図８に示した例では、６つの凸部ＤＰが配置されているとしたが、６つより多い数の凸部ＤＰが配置されていてもよいし、６つより少ない数の凸部ＤＰが配置されていてもよい。また、距離ＤＤＳｘ０乃至ＤＤＳｘ５は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。

凹部ＤＤは、連続する２つの凸部ＤＰの間に位置している。複数の凹部ＤＤは、間隔を置いて並んでいる。複数の凹部ＤＤは、例えば、溝部ＧＲに重畳している。図８に示した例では、凹部ＤＤ１乃至ＤＤ６は、溝部ＧＲ４に重畳している。凹部ＤＤ１乃至ＤＤ６は、溝部ＧＲ４において、第１方向Ｘに間隔を置いて並び、第２方向Ｙに延出している。凹部ＤＤ１は、端部ＧＥ１４及び凸部ＤＰ１の間に位置している。凹部ＤＤ２は、凸部ＤＰ１及び凸部ＤＰ２の間に位置している。凹部ＤＤ３は、凸部ＤＰ２及び凸部ＤＰ３の間に位置している。凹部ＤＤ４は、凸部ＤＰ３と凸部ＤＰ４及び金属配線ＡＭ１との間に位置している。凹部ＤＤ５は、凸部ＤＰ４及び金属配線ＡＭ１と凸部ＤＰ５との間に位置している。凹部ＤＤ６は、凸部ＤＰ５と凸部ＤＰ６及び金属配線ＡＭ２との間に位置している。

複数の金属配線ＡＭは、間隔を置いて並んでいる。複数の金属配線ＡＭは、例えば、溝部ＧＲに重畳している。金属配線ＡＭは、表示パネルＰＮＬを研磨する際に寸法を確認するために用いられる。そのため、金属配線ＡＭは、表示パネルＰＮＬを平面視した場合に湾曲している領域や研磨される領域の開始位置、終了位置、及び中間位置等に配置されている。一例として、表示パネルＰＮＬを平面視した場合に湾曲している領域や研磨される領域は、表示パネルの角部等である。金属配線ＡＭは、例えば、第１基板ＳＵＢ１の角部の開始位置、終了位置、及び中間位置に配置されている。図８に示した例では、金属配線ＡＭ１及びＡＭ２は、溝部ＧＲ４に重畳している。金属配線ＡＭ１及びＡＭ２は、溝部ＧＲ４において、第１方向Ｘに間隔を置いて並び、第２方向Ｙに延出している。金属配線ＡＭ１は、第１方向Ｘにおいて、凸部ＤＰ３及びＤＰ５の間に位置している。金属配線ＡＭ１は、凸部ＤＰ４から第２方向Ｙの矢印の先端が向かう方向と反対方向に離間している。金属配線ＡＭ２は、基板側縁ＳＥＧ１４に沿って第２方向Ｙに延出している。金属配線ＡＭ２は、凸部ＤＰ６から第２方向Ｙの矢印の先端が向かう方向と反対方向に離間している。なお、図８に示した例では、２つの金属配線ＡＭが非表示領域ＮＤＡに配置されているとしたが、１つの金属配線ＡＭが配置されていてもよいし、２つより多い数の金属配線ＡＭが非表示領域ＮＤＡに配置されていてもよい。

図９は、図１乃至図３に示した領域ＡＲの第２基板ＳＵＢ２の構成例を模式的に示す平面図である。図９には、説明に必要な構成のみを示している。ここでは、図８に示した第１基板ＳＵＢ１の主要部を一点鎖線及び二点鎖線等で示している。
第２基板ＳＵＢ２は、非表示領域ＮＤＡに、複数の凸部ＵＰ（ＵＰ１、ＵＰ２、ＵＰ３…）と、複数の凹部ＵＤ（ＵＤ１、ＵＤ２、ＵＤ３…）と、凹凸層ＵＥとを有している。
複数の凸部ＵＰは、間隔を置いて並んでいる。図９に示した例では、凸部ＵＰ１乃至ＵＰ３は、第１方向Ｘに間隔を置いて並び、第２方向Ｙに延出している。凸部ＵＰ１乃至ＵＰ３の横幅ＵＷｘ１は、例えば、７μｍ以下である。横幅ＵＷｘ１は、７μｍより大きくてもよい。凸部ＵＰ１は、凹部ＤＤ２に重畳している。なお、凸部ＵＰ１は、凸部ＤＰ１に重畳していてもよいし、凸部ＤＰ２に重畳していてもよい。凸部ＵＰ２は、第１方向Ｘにおいて、凸部ＵＰ１から基板側縁ＳＥＧ１４側に距離ＵＤＳｘ１で離間している。距離ＵＤＳｘ１は、例えば、１５μｍ〜２０μｍである。凸部ＵＰ２は、凹部ＤＤ３に重畳している。なお、凸部ＵＰ２は、凸部ＤＰ２に重畳していてもよいし、凸部ＤＰ３に重畳していてもよい。凸部ＵＰ３は、第１方向Ｘにおいて、凸部ＵＰ２から基板側縁ＳＥＧ１４側に距離ＵＤＳｘ２で離間している。距離ＵＤＳｘ２は、例えば、１５μｍ〜２０μｍである。また、凸部ＵＰ３は、第１方向Ｘにおいて、凹凸層ＵＥから表示領域ＤＡ側に距離ＵＤＳｘ３で離間している。距離ＵＤＳｘ３は、例えば、１０μｍ〜１５μｍである。凸部ＵＰ３は、凹部ＤＤ４に重畳している。なお、凸部ＵＰ３は、凸部ＤＰ３に重畳していてもよいし、凸部ＤＰ４及び金属配線ＡＭ１に重畳していてもよい。

凹部ＵＤは、連続する２つの凸部ＵＰの間に位置している。複数の凹部ＵＤは、間隔を置いて並んでいる。図９に示した例では、凹部ＵＤ１乃至ＵＤ３は、第１方向Ｘに間隔を置いて並び、第２方向Ｙに延出している。凹部ＵＤ１は、凸部ＵＰ１及び凸部ＵＰ２の間に位置している。凹部ＵＤ１は、凸部ＤＰ２に重畳している。なお、凹部ＵＤ１は、凹部ＤＤ２に重畳していてもよいし、凹部ＤＤ３に重畳していてもよい。凹部ＵＤ２は、凸部ＵＰ２及び凸部ＵＰ３の間に位置している。凹部ＵＤ２は、凸部ＤＰ３に重畳している。なお、凹部ＵＤ２は、凹部ＤＤ３に重畳していてもよいし、凹部ＤＤ４に重畳していてもよい。凹部ＵＤ３は、凸部ＵＰ３と凸部ＵＰ１１乃至ＵＰ２２との間に位置している。凹部ＵＤ３は、凸部ＤＰ４及び金属配線ＡＭ２に重畳している。なお、凹部ＵＤ３は、凹部ＤＤ４に重畳していてもよいし、凹部ＤＤ５に重畳していてもよい。

凹凸層ＵＥは、複数の凸部ＰＲ（ＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ３、ＰＲ４、ＰＲ５、ＰＲ６、ＰＲ７、ＰＲ８、ＰＲ９、ＰＲ１０、ＰＲ１１、ＰＲ１２…）と、複数の凹部ＤＥ（ＤＥ１、ＤＥ２、ＤＥ３、ＤＥ４、ＤＥ５、ＤＥ６、ＤＥ７、ＤＥ８、ＤＥ９、ＤＥ１０、ＤＥ１１…）とを有している。凹凸層ＵＥは、例えば、第２基板ＳＵＢ２の基板側縁に沿って配置されている。複数の凸部ＰＲは、複数の凸部ＵＰと異なる方向に間隔を置いて並んでいる。複数の凸部ＰＲは、例えば、複数の凸部ＵＰよりも小さい間隔で並んでいる。凹部ＤＥは、連続する２つの凸部ＰＲの間に位置している。複数の凹部ＤＥは、複数の凹部ＤＤと異なる方向に間隔を置いて並んでいる。このように、例えば、凹凸層ＵＥに配置することで、複数の凸部ＰＲを個別に別体で配置するよりも複数の凸部ＰＲを一体に形成した凹凸層ＵＥを配置することで複数の凸部ＰＲが剥がれることを抑制できる。

図９に示した例では、凹凸層ＵＥは、基板側縁ＳＥＧ２４に沿って第２方向Ｙに延出している。凹凸層ＵＥは、第１方向Ｘにおいて、凸部ＵＰ３から基板側縁ＳＥＧ１４側に距離ＵＤＳｘ３で離間している。凹凸層ＵＥは、凸部ＰＲ１乃至ＰＲ１２と、凹部ＤＥ１乃至ＤＥ１１とを有している。凸部ＰＲ１乃至ＰＲ１２は、第２方向Ｙに間隔ＵＤＳｙを置いて並び、第１方向Ｘに延出している。距離ＵＤＳｙは、距離ＵＤＳｘ１乃至ＵＤＳｘ３より小さく、例えば、７μｍ〜１０μｍである。なお、距離ＵＤＳｙは、７μｍより小さくてもよいし、１０μｍよりも大きくてもよい。また、凸部ＰＲ１乃至ＰＲ１２は、第２方向Ｙにおいて異なる間隔で並んでいてもよい。凸部ＰＲ１乃至ＰＲ１２の横幅ＵＷｘ２は、例えば、４５μｍ〜５０μｍである。凸部ＰＲ１乃至ＰＲ１２の縦幅ＵＷｙは、例えば、７μｍ以下である。なお、縦幅ＵＷｙは、７μｍよりも大きくてもよい。なお、凸部ＰＲ１乃至ＰＲ１２は、一体に形成されていなくともよく、別体で個別に配置されていてもよい。凹部ＤＥ１乃至ＤＥ１１は、第２方向Ｙに間隔を置いて並び、第１方向Ｘに延出している。凹部ＤＥ１は、凸部ＰＲ１及び凸部ＰＲ２の間に位置している。凹部ＤＥ２は、凸部ＰＲ２及び凸部ＰＲ３の間に位置している。凹部ＤＥ３は、凸部ＰＲ３及び凸部ＰＲ４の間に位置している。凹部ＤＥ４は、凸部ＰＲ４及び凸部ＰＲ５の間に位置している。凹部ＤＥ５は、凸部ＰＲ５及び凸部ＰＲ６の間に位置している。凹部ＤＥ６は、凸部ＰＲ６及び凸部ＰＲ７の間に位置している。凹部ＤＥ７は、凸部ＰＲ７及び凸部ＰＲ８の間に位置している。凹部ＤＥ８は、凸部ＰＲ８及び凸部ＰＲ９の間に位置している。凹部ＤＥ９は、凸部ＰＲ９及び凸部ＰＲ１０の間に位置している。凹部ＤＥ１０は、凸部ＰＲ１０及び凸部ＰＲ１１の間に位置している。凹部ＤＥ１１は、凸部ＰＲ１１及び凸部ＰＲ１２の間に位置している。

図１０は、図９に示したＡ−Ａ線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。図１０は、表示パネルＰＮＬの非表示領域ＮＤＡを示している。
図１０に示した例では、溝部ＧＲ４は、絶縁層１２乃至１４等を貫通して形成されている。溝部ＧＲ４は、絶縁層１２の端部１２Ｅ１、絶縁層１３の端部１３Ｅ１及び絶縁層１４の端部１４Ｅ１と基板側縁ＳＥＧ１４との間に位置している。端部１３Ｅ１は、基板側縁ＳＥＧ１４よりも表示領域ＤＡ側に位置している。端部１２Ｅ１は、第１方向Ｘにおいて、端部１３Ｅ１よりも基板側縁ＳＥＧ１４側に位置している。端部１４Ｅ１は、第１方向Ｘにおいて、端部１３Ｅ１よりも表示領域ＤＡ側に位置している。言い換えると、端部１２Ｅ１は、溝部ＧＲ４において、絶縁層１３及び絶縁層１４から露出し、端部１３Ｅ１は、溝部ＧＲ４において、絶縁層１４から露出している。なお、端部１２Ｅ１は、第１方向Ｘにおいて、端部１３Ｅ１と同じ位置に位置していてもよいし、端部１３Ｅ１よりも表示領域ＤＡ側に位置していてもよい。端部１４Ｅ１は、第１方向Ｘにおいて、端部１３Ｅ１と同じ位置に位置していてもよいし、端部１３Ｅ１よりも基板側縁ＳＥＧ１４側に位置していてもよい。また、端部１３Ｅ１は、例えば、図８及び図９に示した端部ＧＥ１４に相当する。なお、端部１４Ｅ１が端部ＧＥ１４に相当していてもよい。このように形成された溝部ＧＲ（ＧＲ４）によって、表示パネルＰＮＬの外部から絶縁層１３及び１４を伝わる水分の侵入経路を遮断することができる。

第１基板ＳＵＢ１は、非表示領域ＮＤＡに周辺配線ＷＲ１乃至ＷＲ４等を備えている。周辺配線ＷＲ１は、走査線Ｇと同じ層に配置され、走査線Ｇと同一材料により形成されている。図１０に示した例では、周辺配線ＷＲ１は、絶縁層１１と絶縁層１２の端部１２Ｅ１との間に位置している。なお、周辺配線ＷＲ１は、第３方向Ｚにおいて、絶縁層１２の間に位置していてもよい。この場合、走査線Ｇも、第３方向Ｚにおいて、周辺配線ＷＲ１と同様に絶縁層１２の間に位置している。周辺配線ＷＲ１は、静電気や外部からの電界が表示領域ＤＡに作用することを防ぐガードリングや光漏れを防ぐための遮光層として機能するため、各種配線よりも外側に配置されている。図１０に示した例では、周辺配線ＷＲ１を覆うため、端部１２Ｅ１は、絶縁層１３の端部１３Ｅ１及び絶縁層１４の端部１４Ｅ１よりも基板側縁ＳＥＧ１４側に延出している。一方で、絶縁層１１と絶縁層１２との間の密着強度が弱いため、端部１２Ｅ１は、基板側縁ＳＥＧ１４まで延出していない。言い換えると、端部１２Ｅ１は、基板側縁ＳＥＧ１４よりも表示領域ＤＡ側に位置している。周辺配線ＷＲ２は、信号線Ｓと同層に配置され、信号線Ｓと同一材料により形成されている。図１０に示した例では、周辺配線ＷＲ２は、絶縁層１２及び絶縁層１３の間に位置している。絶縁層１５は、絶縁層１４の上から端部１４Ｅ１の側面を通って端部１３Ｅ１の側面まで延出している。端部１３Ｅ１及び端部１４Ｅ１が段差となっているため、絶縁層１５は、端部１３Ｅ１及び１４Ｅ１に付着しやすい。周辺配線ＷＲ３及びＷＲ４は、画素電極ＰＥと同層に配置され、画素電極と同一材料により形成されている。図１０に示した例では、周辺配線ＷＲ３及びＷＲ４は、絶縁層１５及び配向膜ＡＬ１の間に位置している。周辺配線ＷＲ３は、絶縁層１５の上で、周辺配線ＷＲ４よりも表示領域ＤＡ側に位置している。周辺配線ＷＲ４は、絶縁層１５に沿って絶縁層１４の上から端部１４Ｅ１側を通って端部１３Ｅ１の側面側まで延出している。配向膜ＡＬ１は、絶縁層１５及び周辺配線ＷＲ４の上から端部１３Ｅ１及び１４Ｅ１側を通って溝部ＧＲ４まで延出している。例えば、絶縁層１５の上に配向膜ＡＬ１を直接配置した場合には、配向膜ＡＬ１と絶縁層１５との密着強度が弱いために剥離する可能性がある。本実施形態では、周辺配線ＷＲ４と絶縁層１５及び配向膜ＡＬ１との密着強度が、例えば、配向膜ＡＬ１と絶縁層１５との密着強度よりも十分強いために、周辺配線ＷＲ４と絶縁層１５又は配向膜ＡＬ１との間で剥離する可能性が、例えば、配向膜ＡＬ１と絶縁層１５との間で剥離する可能性よりも低い。しかし、周辺配線ＷＲ４を基板側縁ＳＥＧ１４まで延出させると、静電気放電（Electro-Static Discharge:ＥＳＤ）や周辺配線ＷＲ４の腐食等の問題が生じる可能性がある。

凸部ＤＰは、第２基板ＳＵＢ２に向かって突出している。凸部ＤＰは、例えば、絶縁層１３及び絶縁層１５を含み、これらの順に積層されて形成されている。一例では、凸部ＤＰは、配向膜ＡＬ１との接着強度が弱い。なお、凸部ＤＰは、配向膜ＡＬ１を含んでいてもよい。凸部ＤＰは、絶縁層１３及び絶縁層１５の少なくとも一方を含んでいればよい。凸部ＤＰは、絶縁層１３、絶縁層１５、及び配向膜ＡＬ１以外の層を含んでいてもよい。また、凸部ＤＰ以外の突出した部分を凸部と称する場合もある。凸部ＤＰは、頂部ＤＶを有している。凸部ＤＰは、頂部ＤＶ以外が配向膜ＡＬ１で覆われている。言い換えると、凸部ＤＰにおいて、少なくとも頂部ＤＶが配向膜ＡＬ１から露出している。なお、凸部ＤＰは、頂部ＤＶ以外の部分が配向膜ＡＬ１から露出していてもよいし、全体が配向膜ＡＬ１から露出していてもよい。凸部ＤＰの断面形状は、例えば、頂部ＤＶに向かって鋭角に先細る形状に形成されている。一例では、凸部ＤＰの断面形状は、略三角形状に形成されている。凸部ＤＰの厚さは、例えば、絶縁層１３の厚さ以上である。言い換えると、凸部ＤＰの厚さは、例えば、絶縁層１３及び絶縁層１４の厚さの半分以上である。一例では、凸部ＤＰの厚さは、２．０μｍ〜３．０μｍである。このような断面形状や厚さで凸部ＤＰを形成することで、第１基板ＳＵＢ１の製造時に配向膜ＡＬ１を凸部ＤＰに塗布した際に配向膜ＡＬ１が凸部ＤＰから凹部ＤＤ側に流れ落ちるために、凸部ＤＰにおいて、少なくとも頂部ＤＶは、配向膜ＡＬ１から露出する。なお、凸部ＤＰの断面形状は、第１基板ＳＵＢ１の製造工程において配向膜ＡＬ１から露出する部分が形成される断面形状であれば前述した形状以外の形状に形成されていてもよい。また、凸部ＤＰの厚さは、第１基板ＳＵＢ１の製造工程において配向膜ＡＬ１から露出する部分が形成される厚さであれば絶縁層１３の厚さより小さくてもよい。凸部ＤＰは、例えば、シール材ＳＥに接している。頂部ＤＶは、シール材ＳＥと十分な接着強度、例えば、絶縁層１５と配向膜ＡＬ１よりも強い接着強度で接着し得る。凹部ＤＤは、連続する２つの凸部ＤＰに対して絶縁基板１０側に窪んでいる。凹部ＤＤは、例えば、絶縁層１２、絶縁層１３や、絶縁層１４等を貫通して形成され、連続する２つの凸部ＤＰ及び絶縁層１１で構成されている。

図１０に示した例では、凸部ＤＰ１は、端部１２Ｅ１の上に位置している。言い換えると、凸部ＤＰ１は、シール材ＳＥと端部１２Ｅ１との間に位置している。凸部ＤＰ２乃至ＤＰ６は、絶縁層１１の上に位置している。言い換えると、凸部ＤＰ２乃至ＤＰ６は、シール材ＳＥと絶縁層１１との間に位置している。凸部ＤＰ１は、第３方向Ｚにおいて、凸部ＤＰ２乃至ＤＰ６よりも高い位置に位置している。なお、凸部ＤＰ１と絶縁層１２との間には、他の層が位置していてもよい。凸部ＤＰ２乃至ＤＰ６と絶縁層１１との間には、他の層が位置していてもよい。凸部ＤＰ１は、端部１２Ｅ１の上に位置していなくともよい。凸部ＤＰ１は、端部１２Ｅ１と絶縁層１１とに跨って位置していてもよい。また、凸部ＤＰ２は、端部１２Ｅ１の上に位置していてもよい。凸部ＤＰ１は、頂部ＤＶ１を有している。凸部ＤＰ２は、頂部ＤＶ２を有している。凸部ＤＰ３は、頂部ＤＶ３を有している。凸部ＤＰ４は、頂部ＤＶ４を有している。凸部ＤＰ５は、頂部ＤＶ５を有している。凸部ＤＰ６は、頂部ＤＶ６を有している。頂部ＤＶ１乃至ＤＶ６は、それぞれ、配向膜ＡＬ１から露出し、シール材ＳＥに接着している。なお、頂部ＤＶ１乃至ＤＶ６の内の少なくとも１つが、シール材ＳＥに接着していればよい。凹部ＤＤ１乃至ＤＤ６には、配向膜ＡＬ１が位置している。なお、凹部ＤＤ１乃至ＤＤ６において、絶縁層１１及び配向膜ＡＬ１の間に、他の層が位置していてもよい。

遮光層ＢＭは、絶縁基板２０まで貫通するスリットＳＬ１を有している。スリットＳＬ１を形成することで遮光層ＢＭを伝わって水分が侵入することを防止できる。なお、前述した周辺配線ＷＲ１は、スリットＳＬ１と重畳する位置に配置されているため、スリットＳＬ１からの光漏れを抑制する。また、遮光層ＢＭは、液晶層ＬＣと重畳する領域においてスリットＳＬ２を有している。スリットＳＬ２を形成することで遮光層ＢＭを介した表示領域ＤＡへの電荷の移動を遮断できる。これにより、表示パネルＰＮＬの製造工程において、静電気が表示領域ＤＡに集中するのを抑制し、表示パネルＰＮＬが損傷するのを抑制することが可能である。なお、前述した周辺配線ＷＲ２は、スリットＳＬ２と重畳する位置に配置されているため、スリットＳＬ２からの光漏れを抑制する。また、カラーフィルタＣＦＲ及びＣＦＢは、スリットＳＬ２内に第３方向Ｚに重畳して配置されている。このため、周辺配線ＷＲ２の周囲を透過した光に対してもスリットＳＬ２からの光漏れを抑制することができる。

第２基板ＳＵＢ２は、スペーサＳＰ１乃至ＳＰ３などを備えている。スペーサＳＰ１乃至ＳＰ４は、オーバーコート層ＯＣの下に位置し、第１基板ＳＵＢ１側に向かって突出している。スペーサＳＰ１乃至ＳＰ３は、樹脂材料によって形成されている。また、スペーサＳＰ１と重畳する位置に高さ調整のためのカラーフィルタＣＦＢが配置されている。

凸部ＵＰは、オーバーコート層ＯＣの下に位置し、第１基板ＳＵＢ１に向かって突出している。凸部ＵＰは、例えば、スペーサＳＰ１乃至ＳＰ３と同じ層に位置している。凸部ＵＰは、スペーサＳＰ１乃至ＳＰ３等と同じ材料で形成され、例えば、樹脂材料によって形成されている。つまり、凸部ＵＰは、スペーサに相当する。一例では、凸部ＵＰは、配向膜ＡＬ２との接着強度が弱く、配向膜ＡＬ２は、シール材ＳＥとの接着強度が弱い。凸部ＵＰは、頂部ＵＶを有している。凸部ＵＰは、頂部ＵＶ以外が配向膜ＡＬ２で覆われている。言い換えると、凸部ＵＰにおいて、少なくとも頂部ＵＶが配向膜ＡＬ２から露出している。なお、凸部ＵＰは、頂部ＵＶ以外の部分が配向膜ＡＬ２から露出していてもよいし、全体が配向膜ＡＬ２から露出していてもよい。凸部ＵＰの断面形状は、例えば、頂部ＵＶに向かって鋭角に先細る形状に形成されている。一例では、凸部ＵＰの断面形状は、三角形状に形成されている。一例では、凸部ＵＰの厚さは、２．０μｍ以上である。なお、凸部ＵＰの断面形状は、第２基板ＳＵＢ２の製造工程において配向膜ＡＬ２から露出する部分が形成される断面形状であれば前述した形状以外の形状に形成されていてもよい。凸部ＵＰは、例えば、シール材ＳＥに接している。頂部ＵＶとシール材ＳＥとの接着強度は、例えば、凸部ＵＰと配向膜ＡＬ２との接着強度よりも強い。また、頂部ＵＶとシール材ＳＥとの接着強度は、例えば、配向膜ＡＬ２とシール材ＳＥとの接着強度よりも強い。凹部ＵＤは、連続する２つの凸部ＵＰに対して絶縁基板２０側に窪んでいる。凹部ＵＤは、例えば、連続する２つの凸部ＵＰ及びオーバーコート層ＯＣで構成されている。前述したような断面形状や厚さで凸部ＵＰを形成することで、第２基板ＳＵＢ２の製造時に配向膜ＡＬ２を凸部ＵＰに塗布した際に配向膜ＡＬ２が凸部ＵＰから凹部ＵＤ側に流れ落ちるために、凸部ＵＰは、少なくとも頂部ＵＶが配向膜ＡＬ２から露出する。なお、凸部ＵＰと重畳する位置に高さ調整のためのカラーフィルタＣＦＢが配置されていてもよい。

図１０に示した例では、凸部ＵＰ１乃至ＵＰ３は、オーバーコート層ＯＣの下に位置し、第１基板ＳＵＢ１に向かって突出している。言い換えると、凸部ＵＰ１乃至ＵＰ３は、シール材ＳＥとオーバーコート層ＯＣとの間に位置している。凸部ＵＰ１乃至ＵＰ３は、スペーサＳＰ１乃至ＳＰ３と同じ層に位置している。なお、凸部ＵＰ１乃至ＵＰ３とオーバーコート層ＯＣとの間には、他の層が位置していてもよい。凸部ＵＰ１は、頂部ＵＶ１を有している。凸部ＵＰ２は、頂部ＵＶ２を有している。凸部ＵＰ３は、頂部ＵＶ３を有している。頂部ＵＶ１乃至頂部ＵＶ３は、それぞれ、配向膜ＡＬ２から露出し、シール材ＳＥに接着している。なお、頂部ＵＶ１乃至ＵＶ３の内の少なくとも１つが、シール材ＳＥに接着していればよい。凹部ＵＤ１乃至ＵＤ３には、配向膜ＡＬ２が位置している。なお、凹部ＵＤ１乃至ＵＤ３において、オーバーコート層ＯＣと配向膜ＡＬ２との間に、他の層が位置していてもよい。

凹凸層ＵＥは、オーバーコート層ＯＣの下に位置している。凹凸層ＵＥは、例えば、凸部ＵＰやスペーサＳＰ１乃至ＳＰ３と同じ層に位置している。凹凸層ＵＥは、スペーサＳＰ１乃至ＳＰ３等と同じ材料で形成され、例えば、樹脂材料によって形成されている。つまり、凹凸層ＵＥは、スペーサに相当する。一例では、凹凸層ＵＥは、配向膜ＡＬ２との接着強度が弱い。凸部ＰＲは、頂部ＰＶを有している。凸部ＰＲは、頂部ＰＶ以外が配向膜ＡＬ２で覆われている。言い換えると、凸部ＰＲにおいて、少なくとも頂部ＰＶが配向膜ＡＬ２から露出している。なお、凸部ＰＲは、頂部ＰＶ以外の部分が配向膜ＡＬ２から露出していてもよいし、全体が配向膜ＡＬ２から露出していてもよい。なお、凹凸層ＵＥと重畳する位置に高さ調整のためのカラーフィルタＣＦＢが配置されていてもよい。

図１０に示した例では、凹凸層ＵＥは、オーバーコート層ＯＣの下に位置している。言い換えると、凹凸層ＵＥは、シール材とオーバーコート層ＯＣとの間に位置している。なお、凹凸層ＵＥとオーバーコート層ＯＣとの間には、他の層が位置していてもよい。凹凸層ＵＥは、凸部ＰＲ１１を有している。凸部ＰＲ１１は、頂部ＰＶ１１を有している。凸部ＰＲ１１の頂部ＰＶ１１は、シール材ＳＥに接着している。なお、頂部ＵＶ１乃至ＵＶ３の内の少なくとも１つが、シール材ＳＥに接着していれば、頂部ＰＶ１１は、シール材ＳＥに接着していなくともよい。
液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とシール材ＳＥとによって囲まれている。

図１１は、図９に示したＢ−Ｂ線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。図１１は、表示パネルＰＮＬの非表示領域ＮＤＡを示している。
図１１に示した例では、金属配線ＡＭ１及びＡＭ２は、絶縁層１１の上に位置している。言い換えると、金属配線ＡＭ１及びＡＭ２は、シール材ＳＥと絶縁層１１との間に位置している。金属配線ＡＭ１及び金属配線ＡＭ２は、絶縁層１２及び配向膜ＡＬ１で覆われている。なお、凸部ＤＰ３は、金属配線ＡＭ１の上に位置していてもよいし、金属配線ＡＭ１の上から絶縁層１１に跨って位置していてもよい。凸部ＤＰ５は、金属配線ＡＭ１の上に位置していてもよいし、金属配線ＡＭ１の上から絶縁層１１に跨って位置していてもよい。また、凸部ＤＰ５は、金属配線ＡＭ２の上に位置していてもよいし、金属配線ＡＭ２の上から絶縁層１１に跨って位置していてもよい。また、凸部ＰＲ２は、頂部ＰＶ２を有している。頂部ＰＶ２は、シール材ＳＥに接着している。なお、頂部ＵＶ１乃至ＵＶ３の内の少なくとも１つが、シール材ＳＥに接着していれば、頂部ＰＶ２は、シール材ＳＥに接着していなくともよい。

図１２は、図９に示したＣ−Ｃ線に沿った第２基板ＳＵＢ２の断面図である。図１２は、第２基板ＳＵＢ２の非表示領域ＮＤＡを示している。
複数の凸部ＰＲは、それぞれ、第３方向Ｚにおいて第１基板ＳＵＢ１側に突出している。複数の凸部ＰＲは、第１基板ＳＵＢ１側と反対側で接続部ＣＴを介して接続されている。言い換えると、複数の凸部ＰＲは、頂部ＰＶと反対側で接続部ＣＴを介して接続され、一体に形成されている。接続部ＣＴは、頂部ＰＶとオーバーコート層ＯＣとの間に位置している。凸部ＰＲの断面形状は、例えば、頂部ＰＶに向かって鋭角に先細る形状に形成されている。一例では、凸部ＰＲの断面形状は、三角形状に形成されている。なお、凸部ＰＲの断面形状は、第２基板ＳＵＢ２の製造工程において配向膜ＡＬ２から露出する部分が形成される断面形状であれば前述した形状以外の形状に形成されていてもよい。凸部ＰＲは、例えば、シール材ＳＥに接している。頂部ＰＶとシール材ＳＥとの接着強度は、例えば、凸部ＰＲと配向膜ＡＬ２との接着強度よりも強い。また、頂部ＰＶとシール材ＳＥとの接着強度は、例えば、配向膜ＡＬ２とシール材ＳＥとの接着強度よりも強い。凹部ＤＥは、連続する２つの凸部ＰＲに対して接続部ＣＴ側に窪んでいる。例えば、凹部ＤＥの深さＤＰＴは、接続部ＣＴの厚さＴＫよりも大きい。凹部ＤＥは、例えば、連続する２つの凸部ＰＲ及び接続部ＣＴで構成されている。前述したような断面形状や厚さで凸部ＰＲを形成することで、第２基板ＳＵＢ２の製造時に配向膜ＡＬ２を凸部ＰＲに塗布した際に配向膜ＡＬ２が凸部ＰＲから凹部ＤＥ側に流れ落ちるために、凸部ＰＲにおいて、少なくとも頂部ＰＶは、配向膜ＡＬ２から露出する。

図１２に示した例では、凹凸層ＵＥは、凸部ＰＲ４乃至ＰＲ８と、凹部ＤＥ４乃至ＤＥ７とを有している。凸部ＰＲ４は、頂部ＰＶ４を有している。凸部ＰＲ５は、頂部ＰＶ５を有している。凸部ＰＲ６は、頂部ＰＶ６を有している。凸部ＰＲ７は、頂部ＰＶ７を有している。凸部ＰＲ８は、頂部ＰＶ８を有している。凸部ＰＲ４乃至ＰＲ８は、第１基板ＳＵＢ１側と反対側で接続部ＣＴを介して接続されている。接続部ＣＴは、オーバーコート層ＯＣと頂部ＰＶ４乃至ＰＶ８との間に位置している。言い換えると、凸部ＰＲ４乃至ＰＲ８と接続部ＣＴとは、オーバーコート層ＯＣとシール材ＳＥとの間に位置している。接続部ＣＴは、例えば、オーバーコート層ＯＣに接している。頂部ＰＶ４乃至ＰＶ８は、それぞれ、配向膜ＡＬ２から露出し、シール材ＳＥに接着している。なお、頂部ＰＶ４乃至ＰＶ８の内の少なくとも１つが、シール材ＳＥに接着していればよい。凹部ＤＥ４乃至ＤＥ７には、配向膜ＡＬ２が位置している。なお、凹部ＤＥ４乃至ＤＥ７において、接続部ＣＴと配向膜ＡＬ２との間に、他の層が位置していてもよい。

本実施形態によれば、表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１に対向する第２基板ＳＵＢ２と、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接着しているシール材ＳＥとを備えている。第２基板ＳＵＢ２は、凸部ＵＰと、凹凸層ＵＥとを有している。凸部ＵＰは、第１基板ＳＵＢ１に向かって突出している。凸部ＵＰの断面形状は、例えば、第２基板ＳＵＢ２に向かって鋭角に先細る形状に形成されている。このように凸部ＵＰを形成することで、第２基板ＳＵＢ２の製造時に配向膜ＡＬ２を凸部ＵＰに塗布したとしても、少なくとも凸部ＵＰの頂部ＵＶが配向膜ＡＬ２から露出する。凹凸層ＵＥは、凸部ＰＲを有している。凸部ＰＲは、第１基板ＳＵＢ１に向かって突出している。凸部ＰＲの断面形状は、例えば、第２基板ＳＵＢ２に向かって鋭角に先細る形状に形成されている。このように凸部ＰＲを形成することで、第２基板ＳＵＢ２の製造時に配向膜ＡＬ２を凸部ＰＲに塗布したとしても、少なくとも凸部ＰＲの頂部ＰＶが配向膜ＡＬ２から露出する。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを張り合わせた際に、頂部ＵＶ及び頂部ＰＶは、シール材ＳＥと直接接着する。そのため、表示装置ＤＳＰは、十分な接着強度で接着可能な領域を形成することができる。表示装置ＤＳＰは、衝撃等によって表示パネルＰＮＬに生じる剥離を抑制することができる。したがって、表示装置ＤＳＰの信頼性を向上することができる。
また、平面視した場合、凸部ＵＰは、例えば、第２方向Ｙに延出し、凸部ＰＲは、例えば、第１方向Ｘに延出している。このように異なる方向に延出する複数の凸部を配置することで表示パネルＰＮＬに生じる剥離を抑制することができる。

次に、変形例や他の実施形態に係る表示装置ＤＳＰについて説明する。以下に説明する変形例や他の実施形態において、前述した第１実施形態と同一の部分には、同一の参照符号を付しその詳細な説明を省略あるいは簡略化し、第１実施形態と異なる部分を中心に詳細に説明する。なお、他の実施形態においても、前述の実施形態と同様の効果を得ることができる。
第１実施形態の変形例１に係る表示装置ＤＳＰは、凸部ＤＰ及び凸部ＵＰの構成が第１実施形態の表示装置ＤＳＰと相違する。
図１３は、第１実施形態の変形例１に係る第１基板ＳＵＢ１の構成例を模式的に示す平面図である。図１３は、図１乃至図３に示した領域ＡＲの第１基板ＳＵＢ１に相当する。図１３には、説明に必要な構成のみを示している。

複数の凸部ＤＰの内の一部の凸部ＤＰは、軸部ＤＸと、軸部ＤＸから延出する複数の枝部ＤＢとを有している。なお、全ての凸部ＤＰが、軸部ＤＸと、軸部ＤＸから延出する複数の枝部ＤＢとを有していてもよい。図１３に示した例では、凸部ＤＰ３は、第２方向Ｙに延出する軸部ＤＸ３と、軸部ＤＸ３から第１方向Ｘに延出する複数の枝部ＤＢ３とを有している。軸部ＤＸ３の横幅ＤＷｘ３は、凸部ＤＰ１の横幅ＤＷｘ１と同じであり、例えば、７μｍ以下である。なお、横幅ＤＷｘ３は、７μｍより大きくてもよい。軸部ＤＸ３は、第１方向Ｘにおいて、凸部ＤＰ２から基板側縁ＳＥＧ１４側に距離ＤＤＳｘ２で離間している。複数の枝部ＤＢ３は、第１方向Ｘにおいて、軸部ＤＸ３から基板側縁ＳＥＧ１４側に延出している。なお、複数の枝部ＤＢ３は、第１方向Ｘにおいて、軸部ＤＸ３から表示領域ＤＡ側のみに延出していてもよいし、軸部ＤＸ３から基板側縁ＳＥＧ１４側及び表示領域ＤＡ側の両方に延出していてもよい。複数の枝部ＤＢ３は、第２方向Ｙに間隔ＤＩｙを置いて並んでいる。間隔ＤＩｙは、例えば、１４μｍである。枝部ＤＢ３は、第１方向Ｘにおいて、金属配線ＡＭ１には対向していない。言い換えると、凸部ＤＰ３は、第１方向Ｘにおいて、金属配線ＡＭ１に対向する部分には枝部ＤＢ３を有していない。枝部ＤＢ３が軸部ＤＸ３から延出している凸部ＤＰ３の横幅ＤＢＷｘ１は、例えば、１４μｍである。

図１３に示した例では、凸部ＤＰ４は、第２方向Ｙに延出する軸部ＤＸ４と、軸部ＤＸ４から第１方向Ｘに延出する複数の枝部ＤＢ４とを有している。軸部ＤＸ４の横幅は、例えば、軸部ＤＸ３の横幅ＤＷｘ３と同じである。軸部ＤＸ４は、第１方向Ｘにおいて、軸部ＤＸ３から基板側縁ＳＥＧ１４側に距離ＤＤＳｘ３で離間している。また、軸部ＤＸ４は、第１方向Ｘにおいて、軸部ＤＸ３から基板側縁ＳＥＧ１４側に延出している枝部ＤＢ３から基板側縁ＳＥＧ１４側に距離ＤＩｘ１で離間している。距離ＤＩｘ１は、例えば、１１μｍである。複数の枝部ＤＢ４は、第１方向Ｘにおいて、軸部ＤＸ４から基板側縁ＳＥＧ１４側及び表示領域ＤＡ側の両方に延出している。複数の枝部ＤＢ４は、２つの対となる枝部ＤＢ４が第１方向Ｘにおいて互いに反対方向に軸部ＤＸ４から延出するように配置されている。なお、複数の枝部ＤＢ４は、第１方向Ｘにおいて、軸部ＤＸ４から基板側縁ＳＥＧ１４側のみに延出していてもよいし、軸部ＤＸ４から表示領域ＤＡ側のみに延出していてもよい。複数の枝部ＤＢ４は、複数の枝部ＤＢ３と同様に、第２方向Ｙに間隔ＤＩｙを置いて並んでいる。複数の枝部ＤＢ４は、第１方向Ｘにおいて、複数の枝部ＤＢ３に対向していない。言い換えると、枝部ＤＢ４は、第１方向Ｘにおいて、２つの枝部ＤＢ３の間の軸部ＤＸ３に対向している。２つの対となる枝部ＤＢ４が軸部ＤＸ４から基板側縁ＳＥＧ１４側及び表示領域ＤＡ側の両方に延出している凸部ＤＰ４の横幅ＤＢＷｘ２は、例えば、２１μｍである。

図１３に示した例では、凸部ＤＰ５は、第２方向Ｙに延出する軸部ＤＸ５と、軸部ＤＸ５から第１方向Ｘに延出する複数の枝部ＤＢ５とを有している。軸部ＤＸ５の横幅は、例えば、軸部ＤＸ３の横幅ＤＷｘ３と同じである。軸部ＤＸ５は、第１方向Ｘにおいて、軸部ＤＸ４から基板側縁ＳＥＧ１４側に距離ＤＤＳｘ４で離間している。複数の枝部ＤＢ５の一部は、第１方向Ｘにおいて、軸部ＤＸ５から表示領域ＤＡ側に延出している。複数の枝部ＤＢ５の一部は、第１方向Ｘにおいて、軸部ＤＸ５から基板側縁ＳＥＧ１４側及び表示領域ＤＡ側の両方に延出している。複数の枝部ＤＢ５の一部は、２つの対となる枝部ＤＢ５が第１方向Ｘにおいて互いに反対方向に軸部ＤＸ５から延出するように配置されている。２つの対となる枝部ＤＢ５は、第１方向Ｘにおいて、軸部ＤＸ４から基板側縁ＳＥＧ１４側に距離ＤＩｘ２で離間している。距離ＤＩｘ２は、例えば、１１μｍである。なお、複数の枝部ＤＢ５は、第１方向Ｘにおいて、表示領域ＤＡ側のみに延出していてもよいし、基板側縁ＳＥＧ１４側のみに延出していてもよい。また、複数の枝部ＤＢ５は、第１方向Ｘにおいて、表示領域ＤＡ側及び基板側縁ＳＥＧ１４側の両方に延出していてもよい。複数の枝部ＤＢ５は、複数の枝部ＤＢ３と同様に、第２方向Ｙに間隔ＤＩｙを置いて並んでいる。枝部ＤＢ５は、第１方向Ｘにおいて、金属配線ＡＭ１及びＡＭ２に対向していない。言い換えると、凸部ＤＰ５は、第１方向Ｘにおいて、金属配線ＡＭ１及びＡＭ２の少なくとも一方に対向する部分には枝部ＤＢ５を有していない。複数の枝部ＤＢ５は、第１方向Ｘにおいて、複数の枝部ＤＢ４に対向していない。言い換えると、枝部ＤＢ５は、第１方向Ｘにおいて、２つの枝部ＤＢ４の間の軸部ＤＸ４に対向している。２つの対となる枝部ＤＢ５が軸部ＤＸ５から基板側縁ＳＥＧ１４側及び表示領域ＤＡ側の両方に延出している凸部ＤＰ５の横幅は、例えば、凸部ＤＰ４の横幅ＤＢＷｘ２と同じである。枝部ＤＢ５が軸部ＤＸ５から基板側縁ＳＥＧ１４側に延出している凸部ＤＰ５の横幅は、例えば、凸部ＤＰ３の横幅ＤＢＷｘ１と同じである。

図１３に示した例では、凸部ＤＰ６は、第２方向Ｙに延出する軸部ＤＸ６と、軸部ＤＸ６から第１方向Ｘに延出する複数の枝部ＤＢ６とを有している。軸部ＤＸ６の横幅は、例えば、軸部ＤＸ３の横幅ＤＷｘ３と同じである。軸部ＤＸ６は、第１方向Ｘにおいて、軸部ＤＸ５から基板側縁ＳＥＧ１４側に距離ＤＤＳｘ５で離間している。また、軸部ＤＸ６は、第１方向Ｘにおいて、軸部ＤＸ５から基板側縁ＳＥＧ１４側に延出している枝部ＤＢ５から基板側縁ＳＥＧ１４側に距離ＤＩｘ３で離間している。距離ＤＩｘ３は、例えば、１１μｍである。複数の枝部ＤＢ６は、第１方向Ｘにおいて、軸部ＤＸ６から表示領域ＤＡ側に延出している。複数の枝部ＤＢ６は、複数の枝部ＤＢ３と同様に、第２方向Ｙに間隔ＤＩｙを置いて並んでいる。複数の枝部ＤＢ６は、第１方向Ｘにおいて、複数の枝部ＤＢ５に対向していない。言い換えると、枝部ＤＢ６は、第１方向Ｘにおいて、２つの枝部ＤＢ５の間の軸部ＤＸ５に対向している。枝部ＤＢ６が軸部ＤＸ６から表示領域ＤＡ側に延出している凸部ＤＰ６の横幅は、例えば、凸部ＤＰ３の横幅ＤＢＷｘ１と同じである。

図１４は、第１実施形態の変形例１に係る第２基板ＳＵＢ２の構成例を模式的に示す平面図である。図１４は、図１乃至図３に示した領域ＡＲの第２基板ＳＵＢ２に相当する。図１４には、説明に必要な構成のみを示している。ここでは、図１３に示した第１基板ＳＵＢ１の主要部を一点鎖線及び二点鎖線等で示している。

第２基板ＳＵＢ２は、非表示領域ＮＤＡに、複数の凸部ＵＰ（ＵＰ１、ＵＰ２、ＵＰ３、ＵＰ４、ＵＰ５…）と、複数の凹部ＵＤ（ＵＤ１、ＵＤ２、ＵＤ３、ＵＤ４…）とを有している。
複数の凸部ＤＰの内の一部の凸部ＵＰは、軸部ＵＸと、軸部ＵＸから延出する複数の枝部ＵＢとを有している。なお、全ての凸部ＵＰが、軸部ＵＸと、軸部ＵＸから延出する複数の枝部ＵＢとを有していてもよい。図１４に示した例では、凸部ＵＰ３は、第２方向Ｙに延出する軸部ＵＸ３と、軸部ＵＸ３から第１方向Ｘに延出する複数の枝部ＵＢ３とを有している。軸部ＵＸ３の横幅ＵＷｘ３は、凸部ＵＰ１の横幅ＵＷｘ１と同じであり、例えば、７μｍ以下である。なお、横幅ＵＷｘ３は、７μｍより大きくてもよい。軸部ＵＸ３は、凹部ＤＤ３に重畳している。なお、軸部ＵＸ３は、凸部ＤＰ３に重畳していてもよいし、凸部ＤＰ４に重畳していてもよい。軸部ＵＸ３は、第１方向Ｘにおいて、凸部ＵＰ２から基板側縁ＳＥＧ２４側に距離ＵＤＳｘ２で離間している。複数の枝部ＵＢ３は、第１方向Ｘにおいて、軸部ＵＸ３から基板側縁ＳＥＧ２４側及び表示領域ＤＡ側の両方に延出している。複数の枝部ＵＢ３は、第１方向Ｘの基板側縁ＳＥＧ２４側と表示領域ＤＡ側とに交互に軸部ＵＸ３から延出するように配置されている。言い換えると、軸部ＵＸ３から第１方向Ｘの基板側縁ＳＥＧ２４側に延出する枝部ＵＢ３は、軸部ＵＸ３から第１方向Ｘの表示領域ＤＡ側に延出する連続する２つの枝部ＵＢ３の間に位置している。なお、複数の枝部ＵＢ３は、第１方向Ｘにおいて、軸部ＵＸ３から表示領域ＤＡ側のみに延出していてもよいし、軸部ＵＸ３から基板側縁ＳＥＧ２４側のみに延出していてもよい。複数の枝部ＵＢ３は、第２方向Ｙに間隔ＵＩｙを置いて並んでいる。間隔ＵＩｙは、例えば、１４μｍである。枝部ＵＢ３が軸部ＵＸ３から延出している凸部ＵＰ３の横幅ＵＢＷｘは、例えば、１４μｍである。

図１４に示した例では、凸部ＵＰ４は、第２方向Ｙに延出する軸部ＵＸ４と、軸部ＵＸ４から第１方向Ｘに延出する複数の枝部ＵＢ４とを有している。軸部ＵＸ４の横幅は、例えば、軸部ＵＸ３の横幅ＵＷｘ３と同じである。軸部ＵＸ４は、凹部ＤＤ４に重畳している。なお、軸部ＵＸ４は、凸部ＤＰ４に重畳していてもよいし、凸部ＤＰ５に重畳していてもよい。軸部ＵＸ４は、第１方向Ｘにおいて、軸部ＵＸ３から基板側縁ＳＥＧ２４側に距離ＵＤＳｘ４で離間している。距離ＵＤＳｘ４は、例えば、１８μｍである。複数の枝部ＵＢ４は、第１方向Ｘにおいて、基板側縁ＳＥＧ２４側及び表示領域ＤＡ側の両方に延出している。複数の枝部ＵＢ４は、第１方向Ｘの基板側縁ＳＥＧ２４側と表示領域ＤＡ側とに交互に軸部ＵＸ４から延出するように配置されている。言い換えると、軸部ＵＸ４から第１方向Ｘの基板側縁ＳＥＧ２４側に延出する枝部ＵＢ４は、軸部ＵＸ４から第１方向Ｘの表示領域ＤＡ側に延出する連続する２つの枝部ＵＢ４の間に位置している。なお、複数の枝部ＵＢ４は、第１方向Ｘにおいて、軸部ＵＸ４から表示領域ＤＡ側のみに延出していてもよいし、軸部ＵＸ４から基板側縁ＳＥＧ２４側のみに延出していてもよい。複数の枝部ＵＢ４は、複数の枝部ＵＢ３と同様に、第２方向Ｙに間隔ＵＩｙを置いて並んでいる。軸部ＵＸ４から第１方向Ｘの表示領域ＤＡ側に延出する枝部ＵＢ４は、軸部ＵＸ３から第１方向Ｘの基板側縁ＳＥＧ２４側に延出する枝部ＵＢ３と対向している。軸部ＵＸ４から第１方向Ｘの表示領域ＤＡ側に延出する枝部ＵＢ４は、軸部ＵＸ３から第１方向Ｘの基板側縁ＳＥＧ２４側に延出する枝部ＵＢ３から第１方向Ｘに距離ＵＩｘで離間している。距離ＵＩｘは、例えば、４μｍである。枝部ＵＢ４が軸部ＵＸ４から延出している凸部ＵＰ４の横幅は、例えば、凸部ＵＰ３の横幅ＵＢＷｘと同じである。

図１４に示した例では、凸部ＵＰ５は、第２方向Ｙに延出する軸部ＵＸ５と、軸部ＵＸ５から第１方向Ｘに延出する複数の枝部ＵＢ５とを有している。軸部ＵＸ５の横幅は、例えば、軸部ＵＸ３の横幅ＵＷｘ３と同じである。軸部ＵＸ５は、凹部ＤＤ５に重畳している。なお、軸部ＵＸ５は、凸部ＤＰ５に重畳していてもよいし、凸部ＤＰ６に重畳していてもよい。軸部ＵＸ５は、第１方向Ｘにおいて、軸部ＵＸ４から基板側縁ＳＥＧ２４側に距離ＵＤＳｘ５で離間している。距離ＵＤＳｘ５は、例えば、１８μｍである。複数の枝部ＵＢ５は、第１方向Ｘにおいて、基板側縁ＳＥＧ２４側及び表示領域ＤＡ側の両方に延出している。複数の枝部ＵＢ５は、第１方向Ｘの基板側縁ＳＥＧ２４側と表示領域ＤＡ側とに交互に軸部ＵＸ５から延出するように配置されている。言い換えると、軸部ＵＸ５から第１方向Ｘの基板側縁ＳＥＧ２４側に延出する枝部ＵＢ５は、軸部ＵＸ５から第１方向Ｘの表示領域ＤＡ側に延出する連続する２つの枝部ＵＢ５の間に位置している。なお、複数の枝部ＵＢ５は、第１方向Ｘにおいて、軸部ＵＸ５から表示領域ＤＡ側のみに延出していてもよいし、軸部ＵＸ５から基板側縁ＳＥＧ２４側のみに延出していてもよい。複数の枝部ＵＢ５は、複数の枝部ＵＢ３と同様に、第２方向Ｙに間隔ＵＩｙを置いて並んでいる。軸部ＵＸ５から第１方向Ｘの表示領域ＤＡ側に延出する枝部ＵＢ５は、軸部ＵＸ４から第１方向Ｘの基板側縁ＳＥＧ２４側に延出する枝部ＵＢ４と対向している。軸部ＵＸ５から第１方向Ｘの表示領域ＤＡ側に延出する枝部ＵＢ５は、例えば、軸部ＵＸ４から第１方向Ｘの基板側縁ＳＥＧ２４側に延出する枝部ＵＢ４から第１方向Ｘに距離ＵＩｘで離間している。枝部ＵＢ５が軸部ＵＸ５から延出している凸部ＵＰ５の横幅は、例えば、凸部ＵＰ３の横幅ＵＢＷｘと同じである。
図１４に示した例では、凹部ＵＤ４は、凸部ＵＰ４及び凸部ＵＰ５の間に位置している。凹部ＵＤ４は、凸部ＤＰ５に重畳している。なお、凹部ＵＤ４は、凹部ＤＤ４に重畳していてもよいし、凹部ＤＤ５に重畳していてもよい。

図１５は、図１４に示したＤ−Ｄ線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。図１５は、表示パネルＰＮＬの非表示領域ＮＤＡを示している。
図１５に示した例では、凸部ＵＰ４及びＵＰ５は、オーバーコート層ＯＣの下に位置し、第１基板ＳＵＢ１に向かって突出している。言い換えると、凸部ＵＰ４及びＵＰ５は、オーバーコート層ＯＣとシール材ＳＥとの間に位置している。凸部ＵＰ４及びＵＰ５は、スペーサＳＰ１乃至ＳＰ３と同じ層に位置している。なお、凸部ＵＰ４及びＵＰ５とオーバーコート層ＯＣとの間には、他の層が位置していてもよい。凸部ＵＰ４は、頂部ＵＶ４を有している。凸部ＵＰ５は、頂部ＵＶ５を有している。頂部ＵＶ４及び頂部ＵＶ５は、それぞれ、配向膜ＡＬ２から露出し、シール材ＳＥに接着している。なお、頂部ＵＶ１乃至ＵＶ５の内の少なくとも１つが、シール材ＳＥに接着していればよい。凹部ＵＤ４には、配向膜ＡＬ２が位置している。なお、凹部ＵＤ４において、オーバーコート層ＯＣと配向膜ＡＬ２との間に、他の層が位置していてもよい。
このような変形例１においても、第１実施形態と同様の効果が得られる。

第１実施形態の変形例２に係る表示装置ＤＳＰは、凸部ＤＰ及び凸部ＵＰの構成が第１実施形態の表示装置ＤＳＰと相違する。
図１６は、第１実施形態の変形例２に係る第１基板ＳＵＢ１の構成例を模式的に示す平面図である。図１６は、図１乃至図３に示した領域ＡＲの第１基板ＳＵＢ１に相当する。図１６には、説明に必要な構成のみを示している。
第１基板ＳＵＢ１は、非表示領域ＮＤＡに、複数の凸部ＤＰ（ＤＰ７、ＤＰ８、ＤＰ９…）と、複数の凹部ＤＤ（ＤＤ７、ＤＤ８、ＤＤ９、ＤＤ１０…）とを有している。

図１６に示した例では、凸部ＤＰ７乃至ＤＰ９は、溝部ＧＲ４に重畳している。凸部ＤＰ７乃至ＤＰ９は、溝部ＧＲ４において、第１方向Ｘに間隔を置いて並び、第２方向Ｙに延出している。凸部ＤＰ７乃至ＤＰ９の横幅ＤＷｘ４は、例えば、７μｍ以下である。なお、横幅ＤＷｘ４は、７μｍより大きくてもよい。凸部ＤＰ７は、第１方向Ｘにおいて、端部ＧＥ１４から基板側縁ＳＥＧ１４側に距離ＤＤＳｘ６で離間している。距離ＤＤＳｘ６は、例えば、２０〜２５μｍである。凸部ＤＰ７は、周辺配線ＷＲ１に重畳している。凸部ＤＰ８は、第１方向Ｘにおいて、凸部ＤＰ７から基板側縁ＳＥＧ１４側に距離ＤＤＳｘ７で離間している。距離ＤＤＳｘ７は、例えば、４０μｍ〜４５μｍである。凸部ＤＰ９は、第１方向Ｘにおいて、凸部ＤＰ８から基板側縁ＳＥＧ１４側に距離ＤＤＳｘ８で離間している。距離ＤＤＳｘ８は、例えば、４０μｍ〜４５μｍである。また、凸部ＤＰ９は、第１方向Ｘにおいて、基板側縁ＳＥＧ１４から表示領域ＤＡ側に距離ＤＤＳｘ９で離間している。距離ＤＤＳｘ９は、例えば、２０μｍ〜２５μｍである。図１６に示した例では、３つの凸部ＤＰが配置されているとしたが、３つより多い数の凸部ＤＰが配置されていてもよいし、３つより少ない数の凸部ＤＰが配置されていてもよい。また、距離ＤＤＳｘ６乃至ＤＤＳｘ９は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。

図１６に示した例では、凹部ＤＤ７乃至ＤＤ１０は、溝部ＧＲ４に重畳している。凹部ＤＤ７乃至ＤＤ１０は、溝部ＧＲ４において、第１方向Ｘに間隔を置いて並び、第２方向Ｙに延出している。凹部ＤＤ７は、端部ＧＥ１４及び凸部ＤＰ７の間に位置している。凹部ＤＤ８は、凸部ＤＰ７及び凸部ＤＰ８の間に位置している。凹部ＤＤ９は、凸部ＤＰ８及び凸部ＤＰ９の間に位置している。凹部ＤＤ１０は、凸部ＤＰ９と基板側縁ＳＥＧ１４との間に位置している。

図１６に示した例では、金属配線ＡＭ１は、第１方向Ｘにおいて、凸部ＤＰ８及びＤＰ９の間に位置している。言い換えると、金属配線ＡＭ１は、凹部ＤＤ９に重畳している。金属配線ＡＭ２は、凸部ＤＰ９から第２方向Ｙの矢印の先端が向かう方向と反対方向に離間している。言い換えると、金属配線ＡＭ２は、凹部ＤＤ１０に重畳している。

図１７は、第１実施形態の変形例２に係る第２基板ＳＵＢ２の構成例を模式的に示す平面図である。図１７は、図１乃至図３に示した領域ＡＲの第２基板ＳＵＢ２に相当する。図１７には、必要な構成のみを示している。ここでは、図１７に示した第１基板ＳＵＢ１の主要部を一点鎖線及び二点鎖線等で示している。
第２基板ＳＵＢ２は、複数の凸部ＵＰ（ＵＰ６、ＵＰ７、ＵＰ８、ＵＰ９、ＵＰ１０…）と、複数の凹部ＵＤ（ＵＤ５、ＵＤ６、ＵＤ７、ＵＤ８…）とを有している。
図１７に示した例では、凸部ＵＰ６乃至ＵＰ１０は、第１方向Ｘに間隔を置いて並び、第２方向Ｙに延出している。凸部ＵＰ６乃至ＵＰ１０の横幅ＵＷｘ４は、例えば、７μｍ以下である。横幅ＵＷｘ４は、７μｍより大きくてもよい。凸部ＵＰ６及びＵＰ７は、凹部ＤＤ８に重畳している。凸部ＵＰ７は、第１方向Ｘおいて、凸部ＵＰ６から基板側縁ＳＥＧ１４側に距離ＵＤＳｘ６で離間している。距離ＵＤＳｘ６は、例えば、１０μｍ〜１５μｍである。なお、凸部ＵＰ６は、凸部ＤＰ７に重畳していてもよい。凸部ＵＰ７は、凸部ＤＰ８に重畳していてもよい。凸部ＵＰ８は、第１方向Ｘにおいて、凸部ＵＰ７から基板側縁ＳＥＧ１４側に距離ＵＤＳｘ７で離間している。距離ＵＤＳｘ７は、例えば、２０μｍ〜２５μｍである。凸部ＵＰ８及び凸部ＵＰ９は、凹部ＤＤ９に重畳している。凸部ＵＰ９は、第１方向Ｘにおいて、凸部ＵＰ８から基板側縁ＳＥＧ１４側に距離ＵＤＳｘ８で離間している。距離ＵＤＳｘ８は、１０μｍ〜１５μｍである。なお、凸部ＵＰ８は、凸部ＤＰ８に重畳していてもよいし、金属配線ＡＭ１に重畳していてもよい。凸部ＵＰ９は、凸部ＤＰ９に重畳していてもよいし、金属配線ＡＭ１に重畳していてもよい。凸部ＵＰ１０は、第１方向Ｘにおいて、凸部ＵＰ９から基板側縁ＳＥＧ１４側に距離ＵＤＳｘ９で離間している。距離ＵＤＳｘ９は、例えば、２０μｍ〜２５μｍである。凸部ＵＰ１０は、凹部ＤＤ１０に重畳している。なお、凸部ＵＰ１０は、凸部ＵＰ９に重畳していてもよいし、金属配線ＡＭ２に重畳していてもよい。

図１８は、図１４に示したＥ−Ｅ線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。図１８は、表示パネルＰＮＬの非表示領域ＮＤＡを示している。
図１８に示した例では、凸部ＤＰ７は、端部１２Ｅ１の上に位置している。言い換えると、凸部ＤＰ７は、シール材ＳＥと端部１２Ｅ１との間に位置している。凸部ＤＰ８及びＤＰ９は、絶縁層１１の上に位置している。言い換えると、凸部ＤＰ８及びＤＰ９は、シール材ＳＥと絶縁層１１との間に位置している。凸部ＤＰ７は、第３方向Ｚにおいて、凸部ＤＰ８及びＤＰ９よりも高い位置に位置している。なお、凸部ＤＰ７と絶縁層１２との間には、他の層が位置していてもよい。凸部ＤＰ８及びＤＰ９と絶縁層１１との間には、他の層が位置していてもよい。凸部ＤＰ７は、端部１２Ｅ１の上に位置していなくともよい。凸部ＤＰ７は、端部１２Ｅ１と絶縁層１１とに跨って位置していてもよい。凸部ＤＰ７は、頂部ＤＶ７を有している。凸部ＤＰ８は、頂部ＤＶ８を有している。凸部ＤＰ９は、頂部ＤＶ９を有している。頂部ＤＶ７乃至ＤＶ９は、それぞれ、配向膜ＡＬ１から露出し、シール材ＳＥに接着している。なお、頂部ＤＶ７乃至ＤＶ９の内の少なくとも１つが、シール材ＳＥに接着していればよい。凹部ＤＤ７乃至ＤＤ１０には、配向膜ＡＬ１が位置している。なお、凹部ＤＤ７乃至ＤＤ１０において、絶縁層１１及び配向膜ＡＬ１の間に、他の層が位置していてもよい。

図１８に示した例では、凸部ＵＰ６乃至ＵＰ１０は、オーバーコート層ＯＣの下に位置し、第１基板ＳＵＢ１に向かって突出している。凸部ＵＰ６乃至ＵＰ１０は、スペーサＳＰ１乃至ＳＰ３と同じ層に位置している。なお、凸部ＵＰ６乃至ＵＰ１０とオーバーコート層ＯＣとの間には、他の層が位置していてもよい。凸部ＵＰ６は、頂部ＵＶ６を有している。凸部ＵＰ７は、頂部ＵＶ７を有している。凸部ＵＰ８は、頂部ＵＶ８を有している。凸部ＵＰ９は、頂部ＵＶ９を有している。凸部ＵＰ１０は、頂部ＵＶ１０を有している。頂部ＵＶ６乃至頂部ＵＶ１０は、それぞれ、配向膜ＡＬ２から露出し、シール材ＳＥに接着している。なお、頂部ＵＶ６乃至ＵＶ１０の内の少なくとも１つが、シール材ＳＥに接着していればよい。凹部ＵＤ５乃至ＵＤ８には、配向膜ＡＬ２が位置している。なお、凹部ＵＤ５乃至ＵＤ８において、オーバーコート層ＯＣと配向膜ＡＬ２との間に、他の層が位置していてもよい。
このような変形例２においても、第１実施形態と同様の効果が得られる。

第１実施形態の変形例３に係る表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１の構成が第１実施形態の表示装置ＤＳＰと相違する。
図１９は、図１乃至図３に示した表示パネルＰＮＬの第１基板ＳＵＢ１の一部の構造を示す断面図である。
第１基板ＳＵＢ１は、半導体層ＳＣ１、走査線ＦＧ（ＦＧ１９１…）、金属層ＬＳ（ＬＳ１９１…）、半導体層ＳＣ２、電極層ＥＴ（ＥＴ１９１、１９２…）、走査線ＳＧ（ＳＧ１９１…）、及び透明電極ＴＥ（ＴＥ１９１…）などをさらに備えている。
絶縁層１２は、絶縁層１２１と、絶縁層１２１の上に位置する絶縁層１２２と、絶縁層１２２の上に位置する絶縁層１２３と、絶縁層１２３の上の位置する絶縁層１２４とを含む。絶縁層１２１乃至１２４は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物などの無機絶縁材料によって形成された無機絶縁層である。絶縁層１２１乃至１２４は、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。

半導体層ＳＣ１は、絶縁層１１と絶縁層１２１との間に位置している。半導体層ＳＣ１は、例えば、シリコン系の半導体である。一例では、半導体層ＳＣ１は、多結晶シリコン（ポリシリコン）で形成されている。半導体層ＳＣ１は、電気抵抗が高い高抵抗領域と、高抵抗領域よりも電気抵抗が小さい低抵抗領域とを有している。走査線ＦＧは、絶縁層１２１と絶縁層１２２との間に位置している。走査線ＦＧは、半導体層ＳＣ１の高抵抗領域に対向している。金属層ＬＳは、絶縁層１２１と絶縁層１２２との間に位置している。金属層ＬＳは、半導体層ＳＣ２に対向している。図１９に示した例では、金属層ＬＳ１９１は、走査線ＦＧ１９１と同じ層に位置し、走査線ＦＧ１９１から離間している。半導体層ＳＣ２は、絶縁層１２２と絶縁層１２３との間に位置している。
この半導体層ＳＣ１に関わるトランジスタは、応答性能に優れ、例えばゲート駆動回路等の内蔵回路として用いられる。

半導体層ＳＣ２は、例えば、金属酸化物系の半導体である。一例では、半導体層ＳＣ２は、インジウム、ガリウム、亜鉛、及び錫のうち少なくとも１つの金属を含む金属酸化物で形成されている。電極層ＥＴは、半導体層ＳＣ２の端部を覆っている。電極層ＥＴは、例えば、チタン（Ｔｉ）等の金属材料で形成されている。図１９に示した例では、電極層ＥＴ１９１は、半導体層ＳＣ２の一端部を覆い、電極層ＥＴ１９２は、電極層ＥＴ１９１で覆われた一端部と反対側の半導体層ＳＣ２の他端部を覆っている。走査線ＳＧは、絶縁層１２３と絶縁層１２４との間に位置している。走査線ＦＧ及びＳＧと金属層ＬＳとは、同一の金属材料で形成されている。例えば、走査線ＦＧ及びＳＧと金属層ＬＳとは、走査線Ｇと同一材料により形成されている。図１９に示した例では、走査線ＳＧ１９１は、半導体層ＳＣ２に対向している。
この半導体層ＳＣ２に関わるトランジスタは、例えば副画素ＰＸに用いられる。

信号線Ｓは、絶縁層１２４と絶縁層１３との間に位置している。図１９に示した例では、信号線Ｓ１９１は、絶縁層１２１乃至１２４を貫通するコンタクトホールＣＨ１９１を介して半導体層ＳＣ１の一端部に接続されている。信号線Ｓ１９２は、絶縁層１２１乃至１２４を貫通するコンタクトホールＣＨ１９２を介して、信号線Ｓ１９１が接続されている一端部と反対側の半導体層ＳＣ１の他端部に接続されている。信号線Ｓ１９３は、絶縁層１２４及び１２３を貫通するコンタクトホールＣＨ１９３を介して電極層ＥＴ１９１に接続されている。信号線Ｓ１９４は、絶縁層１２４及び１２３を貫通するコンタクトホールＣＨ１９４を介して電極層ＥＴ１９２に接続されている。図１９に示した例では、金属配線ＭＬ１９１は、絶縁層１３を貫通するコンタクトホールＣＨ１９５を介して信号線Ｓ１９３に接続されている。透明電極ＴＥは、共通電極ＣＥと同じ層に位置し、共通電極ＣＥと同一材料により形成されている。図１９に示した例では、透明電極ＴＥ１９１は、絶縁層１４と絶縁層１５との間に位置している。透明電極ＴＥ１９１は、絶縁層１４を貫通するコンタクトホールＣＨ１９６を介して金属配線ＭＬ１９１に接続されている。図１９に示した例では、画素電極ＰＥ１９１は、絶縁層１５を貫通するコンタクトホールＣＨ１９７を介して透明電極ＴＥ１９１に接続されている。
このような変形例３においても、第１実施形態と同様の効果が得られる。

第２実施形態に係る表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬの構造が第１実施形態の表示装置ＤＳＰと相違する。
図２０は、第２実施形態に係る表示パネルＰＮＬの一部の構造を示す断面図である。図２０は、例えば、副画素ＰＸに相当する領域の構造の一例を示す断面図である。図２０に示した例は、横電界を利用する表示モード、例えば、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードを適用した構成例に相当する。

共通電極ＣＥは、絶縁層１３の上に位置している。金属配線ＭＬは、共通電極ＣＥに接し、信号線Ｓに重畳している。絶縁層１５は、共通電極ＣＥ及び金属配線ＭＬの上に位置している。図２０に示した例では、絶縁層１５は、共通電極ＣＥ及び金属配線ＭＬを覆っている。

図２１は、第２実施形態に係る表示パネルＰＮＬの断面図である。図２１は、図９に示したＡ−Ａ線に沿った第２実施形態の表示パネルＰＮＬの断面図に相当する。図２１は、表示パネルＰＮＬの非表示領域ＮＤＡを示している。
図２１に示した例では、溝部ＧＲ４は、絶縁層１３の端部１３Ｅ１と基板側縁ＳＥＧ１４との間に位置している。絶縁層１５は、絶縁層１３の上から端部１３Ｅ１の側面まで延出している。周辺配線ＷＲ４は、絶縁層１５に沿って絶縁層１３の上から端部１３Ｅ１の側面側まで延出している。配向膜ＡＬ１は、周辺配線ＷＲ４の上から端部１３Ｅ１側を通って溝部ＧＲ４まで延出している。
このような第２実施形態においても、第１実施形態と同様の効果が得られる。

また、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。例えば、表示装置ＤＳＰは、前述した実施形態及び変形例に示したように、第２基板ＳＵＢ２においてスペーサＳＰと同じ材料で形成された非表示領域ＮＤＡの凸部及び凹部のパターンと同じパターンを、第１
基板ＳＵＢ１において絶縁層１３及び絶縁層１４の少なくとも一方を用いて形成した構成であってもよい。また、表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１において絶縁層１３に形成された非表示領域ＮＤＡの凸部及び凹部パターンと同じパターンを、第２基板ＳＵＢ２においてスペーサＳＰと同じ材料を用いて形成した構成であってもよい。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

ＤＳＰ…表示装置、ＰＮＬ…表示パネル、ＳＵＢ１…第１基板、ＳＵＢ２…第２基板、ＳＥ…シール材、ＬＣ…液晶層、ＧＲ…溝部、ＤＰ、ＵＰ、ＰＲ…凸部、ＤＤ、ＵＤ、ＤＥ…凹部、１０…絶縁基板、１１、１２、１３、１４、１５…絶縁層、Ｓ…信号線、ＭＬ、ＡＭ１、ＡＭ２…金属配線、ＣＥ…共通電極、ＡＬ１、ＡＬ２…配向膜、ＤＡ…表示領域、ＮＤＡ…非表示領域、ＷＲ１、ＷＲ２、ＷＲ３、ＷＲ４、ＷＲ５…周辺配線。

Claims (16)

1. 第１基板と、
   第１有機膜と、第１方向に延出している第１凸部と、前記第１方向に交差する第２方向に延出する第２凸部と、前記第２方向において前記第１凸部に並び、前記第１方向に延出している第３凸部とを有し、前記第１基板と対向する第２基板と、
   画像を表示する第１領域の周囲の第２領域に位置し、前記第１基板と前記第２基板とを接着しているシール材と、を備え、
   前記第１凸部、前記第２凸部、及び前記第３凸部は、前記第１有機膜と前記シール材との間に位置する、表示装置。
2. 前記第１凸部及び前記第３凸部は、前記第１基板と反対側で接続部を介して接続されている、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第２基板は、前記第１凸部、前記第３凸部、及び前記接続部で構成された第１凹部を有し、
   前記第１凹部の深さは、前記接続部の厚さよりも大きい、請求項２に記載の表示装置。
4. 前記第２基板は、前記第２凸部に並び、前記第２方向に延出している第４凸部を有し、
   前記第４凸部は、前記シール材に重畳し、
   前記第１凸部及び前記第３凸部の第１間隔は、前記第２凸部及び前記第４凸部の第２間隔よりも小さい、請求項２又は３に記載の表示装置。
5. 前記第１凸部及び前記第３凸部は、前記第２凸部よりも前記第２基板の第１端部側に位置している、請求項２又は３に記載の表示装置。
6. 前記第１凸部及び前記第３凸部は、前記第２凸部から延出している、請求項１に記載の表示装置。
7. 前記第１凸部、前記第２凸部及び前記第３凸部の頂部は、前記シール材に接している、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の表示装置。
8. 前記第２基板は、第１配向膜を有し、
   前記第１凸部、前記第２凸部及び前記第３凸部の前記頂部は、前記第１配向膜から露出している、請求項７に記載の表示装置。
9. 前記第１基板は、第２有機膜と、前記第２有機膜を有する第５凸部と、前記第５凸部と並び、前記第２有機膜を有する第６凸部とを有し、
   前記第５凸部及び前記第６凸部は、前記第２方向に延出し、前記シール材に重畳している、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の表示装置。
10. 前記第１基板は、前記第５凸部及び前記第６凸部の間に位置する第２凹部を有し、
    前記第２凸部は、前記第２凹部に重畳する、請求項９に記載の表示装置。
11. 前記第１基板は、第１絶縁基板と、前記第１絶縁基板の上に位置する第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に位置する第２絶縁層と、前記第２絶縁層の上に位置する第３絶縁層と、前記第３絶縁層の上に位置する第２配向膜と、前記第２領域に位置する溝部とをさらに備え、
    前記第２有機膜は、前記第２絶縁層及び前記第３絶縁層の間に位置し、
    前記溝部は、前記第２絶縁層及び前記第２有機膜を貫通して形成され、
    前記第５凸部及び前記第６凸部は、前記溝部に位置し、
    前記第５凸部及び前記第６凸部は、前記第２配向膜から露出し、前記シール材に接している、請求項９又は１０に記載の表示装置。
12. 前記第５凸部及び前記第６凸部は、前記第２有機膜と前記第３絶縁層とが積層されて形成されている、請求項１１に記載の表示装置。
13. 前記第１基板は、前記第５凸部と前記第６凸部の間に位置する金属配線をさらに備えている、請求項９乃至１２のいずれか１項に記載の表示装置。
14. 前記第２有機膜は、第１有機層と、前記第１有機層の上に位置する第２有機層とを有する、請求項９乃至１３のいずれか１項に記載の表示装置。
15. 前記第１基板は、前記第５凸部から前記第１方向に延出する第７凸部を有する、請求項９乃至１４のいずれか１項に記載の表示装置。
16. 有機膜と、前記有機膜を有する第１凸部と、前記第１凸部と並び、前記有機膜を有する第２凸部と、前記第１凸部及び前記第２凸部の間に位置する第１凹部とを有する第１基板と、
    第３凸部と、前記第３凸部と並んでいる第４凸部とを有し、前記第１基板と対向する第２基板と、
    画像を表示する第１領域の周囲の第２領域に位置し、前記第１基板と前記第２基板とを接着しているシール材と、を備え、
    前記第１基板は、前記第２基板よりも外側に延出している実装部を有し、
    前記第１凸部、前記第２凸部、及び前記第１凹部は、前記シール材に重畳し、
    前記第３凸部及び前記第４凸部は、前記第１凹部に重畳している、表示装置。

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