JP2020030429A - 電子機器 - Google Patents
電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020030429A JP2020030429A JP2019201452A JP2019201452A JP2020030429A JP 2020030429 A JP2020030429 A JP 2020030429A JP 2019201452 A JP2019201452 A JP 2019201452A JP 2019201452 A JP2019201452 A JP 2019201452A JP 2020030429 A JP2020030429 A JP 2020030429A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- emitting
- layer
- emitting panel
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 19
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 159
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 90
- 239000000463 material Substances 0.000 description 42
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 33
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 33
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 30
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 description 25
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 22
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 18
- HEZMWWAKWCSUCB-PHDIDXHHSA-N (3R,4R)-3,4-dihydroxycyclohexa-1,5-diene-1-carboxylic acid Chemical compound O[C@@H]1C=CC(C(O)=O)=C[C@H]1O HEZMWWAKWCSUCB-PHDIDXHHSA-N 0.000 description 15
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 15
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 14
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 14
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 13
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 12
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 11
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 11
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 7
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 6
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 4
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 102100031786 Adiponectin Human genes 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101000775469 Homo sapiens Adiponectin Proteins 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 3
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 3
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 3
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical class C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 2
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinoline Chemical group C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N iridium(3+) Chemical compound [Ir+3] MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 2
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 2-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenol zinc Chemical compound [Zn].Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1.Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1 UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C=CC1=CC=CC=C1 AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C(C)(C)C)=CC=C21 OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQVFZEYHQJJGPD-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(10-phenylanthracen-9-yl)phenyl]carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 UQVFZEYHQJJGPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDCOSPFEMPUOFY-UHFFFAOYSA-N 9-phenyl-3-[4-(10-phenylanthracen-9-yl)phenyl]carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=2C=C3C4=CC=CC=C4N(C=4C=CC=CC=4)C3=CC=2)C=C1 DDCOSPFEMPUOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical compound [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000004397 blinking Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 description 1
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- AOZVYCYMTUWJHJ-UHFFFAOYSA-K iridium(3+) pyridine-2-carboxylate Chemical compound [Ir+3].[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1 AOZVYCYMTUWJHJ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 150000002605 large molecules Chemical class 0.000 description 1
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- CRWAGLGPZJUQQK-UHFFFAOYSA-N n-(4-carbazol-9-ylphenyl)-4-[2-[4-(n-(4-carbazol-9-ylphenyl)anilino)phenyl]ethenyl]-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=CC=1C=CC(C=C1)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21)C1=CC=CC=C1 CRWAGLGPZJUQQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJNJGJDDJIBTBP-UHFFFAOYSA-N n-(9,10-diphenylanthracen-2-yl)-n,9-diphenylcarbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C(C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=C(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=2)C3=C1 AJNJGJDDJIBTBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DYIZHKNUQPHNJY-UHFFFAOYSA-N oxorhenium Chemical compound [Re]=O DYIZHKNUQPHNJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000078 poly(4-vinyltriphenylamine) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920006350 polyacrylonitrile resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 150000002909 rare earth metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910003449 rhenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N tetrachloro-1,4-benzoquinone Chemical compound ClC1=C(Cl)C(=O)C(Cl)=C(Cl)C1=O UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIIYLLUYRFRKMG-UHFFFAOYSA-N tetrathianaphthacene Chemical compound C1=CC=CC2=C3SSC(C4=CC=CC=C44)=C3C3=C4SSC3=C21 JIIYLLUYRFRKMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- QGJSAGBHFTXOTM-UHFFFAOYSA-K trifluoroerbium Chemical compound F[Er](F)F QGJSAGBHFTXOTM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- QEPMORHSGFRDLW-UHFFFAOYSA-L zinc;2-(2-hydroxyphenyl)-3h-1,3-benzoxazole-2-carboxylate Chemical compound [Zn+2].OC1=CC=CC=C1C1(C([O-])=O)OC2=CC=CC=C2N1.OC1=CC=CC=C1C1(C([O-])=O)OC2=CC=CC=C2N1 QEPMORHSGFRDLW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/30—Driver circuits
- H05B45/37—Converter circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/56—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof provided with illuminating means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B15/00—Special procedures for taking photographs; Apparatus therefor
- G03B15/02—Illuminating scene
- G03B15/03—Combinations of cameras with lighting apparatus; Flash units
- G03B15/05—Combinations of cameras with electronic flash apparatus; Electronic flash units
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/70—Circuitry for compensating brightness variation in the scene
- H04N23/71—Circuitry for evaluating the brightness variation
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/70—Circuitry for compensating brightness variation in the scene
- H04N23/74—Circuitry for compensating brightness variation in the scene by influencing the scene brightness using illuminating means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B44/00—Circuit arrangements for operating electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/10—Controlling the intensity of the light
- H05B45/12—Controlling the intensity of the light using optical feedback
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/30—Driver circuits
- H05B45/395—Linear regulators
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/60—Circuit arrangements for operating LEDs comprising organic material, e.g. for operating organic light-emitting diodes [OLED] or polymer light-emitting diodes [PLED]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B47/00—Circuit arrangements for operating light sources in general, i.e. where the type of light source is not relevant
- H05B47/10—Controlling the light source
- H05B47/105—Controlling the light source in response to determined parameters
- H05B47/11—Controlling the light source in response to determined parameters by determining the brightness or colour temperature of ambient light
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B47/00—Circuit arrangements for operating light sources in general, i.e. where the type of light source is not relevant
- H05B47/10—Controlling the light source
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
- Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
- Y02B20/40—Control techniques providing energy savings, e.g. smart controller or presence detection
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Stroboscope Apparatuses (AREA)
- Studio Devices (AREA)
- Exposure Control For Cameras (AREA)
- Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)
Abstract
Description
発明の一態様は、有機エレクトロルミネッセンス(Electroluminescen
ce、以下ELとも記す)現象を利用した発光装置及び電子機器、並びにそれらの駆動方
法に関する。
有機EL素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層(EL層と
も記す)を挟んだものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の有機化合
物からの発光を得ることができる。
とができ、照明等に応用できる面光源としての利用価値も高い。
直進するため、一の物体が投影する影は、光源が小さいほど明瞭になる。これにより、例
えば、フラッシュを用いて人の顔を暗い場所で撮影すると、鼻の影が頬に投影されてしま
う場合がある。
真で白一色になってしまう場合がある(いわゆる白飛び)。一方、フラッシュの発光が弱
すぎると、暗い部分が写真で黒一色になってしまう場合がある(いわゆる黒潰れ)。した
がって、環境や被写体の状況によって、光量の調整が可能なフラッシュが求められている
。
同じ光量を発する場合、点光源は、面光源や線光源に比べて、単位面積当たりの光量を大
きくするか、発光時間を長くする必要がある。該発光ダイオードは発熱を伴って発光する
ため、大電流を流しての発光や長時間の発光により、該発光ダイオードの発熱量は多くな
り、寿命が低下する恐れや、素子が破壊する恐れがある。高輝度型の発光ダイオードであ
っても、信頼性の観点から、1.0A以上、さらには1.5A以上の電流を流すことは困
難である。
とする。または、本発明の一態様は、信頼性の高い発光装置を提供することを目的の一と
する。または、本発明の一態様は、消費電力の低い発光装置を提供することを目的の一と
する。または、本発明の一態様は、影が生じにくい発光装置を提供することを目的の一と
する。または、本発明の一態様は、発光装置の小型化や軽量化を目的の一とする。
供給することができる定電流電源と、制御信号を供給することができる制御装置と、スタ
ートスイッチを備え、スタートスイッチの開閉動作に伴い制御パルス信号を供給すること
ができる駆動回路と、定電流パルスが供給される発光パネルと、を有し、制御信号は、定
電流パルスの大きさを制御する信号であり、発光パネルは発光素子を有し、発光素子の電
流密度が10mA/cm2以上1000mA/cm2以下である。
の定電流を定電流電源が供給するように、制御パルス信号を供給すればよい。
スを供給することができる開閉回路と、制御信号が供給され、定電流を供給することがで
きる定電流電源と、制御信号を供給することができる制御装置と、スタートスイッチを備
え、スタートスイッチの開閉動作に伴い制御パルス信号を供給することができる駆動回路
と、定電流パルスが供給される発光パネルと、を有し、制御信号は、定電流パルスの大き
さを制御する信号であり、発光パネルは発光素子を有し、発光素子の電流密度が10mA
/cm2以上1000mA/cm2以下である。
の定電流を開閉回路が供給するように、制御パルス信号を供給すればよい。
ことができる光センサをさらに有していてもよい。このとき、該制御装置は、演算部を備
え、第1の検出信号が供給される。そして、制御装置は、演算部で第1の検出信号を用い
た演算を行い、演算結果に応じた定電流を定電流電源が供給するように、制御信号を供給
する。
ことができる距離センサをさらに有していてもよい。このとき、該制御装置は、演算部を
備え、第2の検出信号が供給される。そして、制御装置は、演算部で第2の検出信号を用
いた演算を行い、演算結果に応じた定電流を定電流電源が供給するように、制御信号を供
給する。
てもよい。このとき、該制御装置は、演算部を備え、第1の検出信号及び第2の検出信号
が供給される。そして、制御装置は、演算部で第1の検出信号及び第2の検出信号を用い
た演算を行い、演算結果に応じた定電流を定電流電源が供給するように、制御信号を供給
する。
子と、を有し、発光素子は、第2の電極よりも支持基板側の第1の電極と、第1の電極と
重なる第2の電極と、第1の電極及び第2の電極の間のEL層と、を有していてもよい。
このとき、支持基板が可撓性を有し、発光パネルが曲面を有していてもよい。
バータと、直流電流が供給され、定電流を供給することができるDCDCコンバータと、
を有していてもよい。
ある電圧の直流電流を異なる電圧の直流電流に変換する装置をDCDCコンバータという
。また、電流センサとともにDCDCコンバータを用いて定電流電源を構成することがで
きる。
第1の電圧より高い第2の電圧を供給する第1のDCDCコンバータと、第2の電圧が供
給されるコンデンサと、コンデンサから電荷が供給され、定電流を供給することができる
第2のDCDCコンバータと、を有していてもよい。
明の一態様である。
高い発光装置を提供できる。または、消費電力の低い発光装置を提供できる。または、影
が生じにくい発光装置を提供できる。または、発光装置の小型化や軽量化を実現できる。
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において
、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、
その繰り返しの説明は省略する。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置の構成について、図1及び図2を用いて説
明する。
る光量を調整できる。光量は、発光装置の使用者が手動で調整してもよいし、光センサが
検出した発光装置の周囲の明るさや、距離センサが検出した対象物(カメラの被写体など
)までの距離等に応じて発光装置が自動で調整してもよい。また、演算処理が可能な制御
装置において、該明るさや該距離、又は事前に撮影した画像等の情報を用いて演算を行い
、該演算の結果に基づいて光量を調整してもよい。
を用いると、膜厚が小さく大面積の素子を容易に形成することができる。同じ光量を発す
る場合、面光源は、点光源や線光源に比べて、単位面積当たりの光量を小さくできる、又
は発光時間を短くできる。また、発光面積が広いため放熱しやすい。したがって、発光パ
ネルの局所的な発熱による劣化を抑制できる。つまり、本発明の一態様の発光装置は、調
整可能な光量の範囲が広く、信頼性が高い。
図1(A)に示す発光装置100は、発光パネル120、駆動回路130、定電流電源1
40a、及び制御装置150を有する。図1(A)に示す発光装置100において、DC
DCコンバータが供給する電流の時間の経過に伴う変化の一例を図1(D)に示す。例え
ば、2Aの電流を50ミリ秒の間、発光パネル120に供給することができる。
ることができる。また、発光パネル120には該定電流パルスが供給される。
さを制御する信号である。定電流パルスの大きさを変化させることで、発光パネル120
の光量を調整できる。
50に供給される場合、制御装置150は該信号に応じた制御信号を供給してもよい。ま
た、各種センサからの検出信号が制御装置150に供給される場合、制御装置150は該
検出信号に応じた制御信号を供給してもよい。また、制御装置150が演算部を有してい
る場合、制御装置150は、制御装置150に供給された信号を用いて演算を行い、演算
結果に応じた制御信号を供給してもよい。
きる。ここで、駆動回路130は、スタートスイッチ132の開閉動作に伴い制御パルス
信号を出力する。例えば、半値幅が1ミリ秒以上1000ミリ秒以下の定電流を定電流電
源140aが供給するように、制御パルス信号を出力する。定電流電源140aは、駆動
回路130から制御パルス信号が供給されるため、パルス状の定電流を発光パネル120
に供給できる。
発光パネル120は、面光源であり、支持基板と、支持基板上の発光素子と、を有する。
発光素子は単数であっても複数であってもよい。複数の発光素子に供給される定電流パル
スの大きさは、一つの制御信号によって制御されていてもよいし、複数の制御信号によっ
てそれぞれ独立に制御されていてもよい。
基板側の第1の電極と、第1の電極と重なる第2の電極と、第1の電極及び第2の電極の
間のEL層とを有する。なお、発光パネル120の構成は、実施の形態2において詳細に
説明し、有機EL素子の構成は、実施の形態3において詳細に説明する。
m2以上200cm2以下、より好ましくは15cm2以上100cm2以下である。
/cm2以下、好ましくは10mA/cm2以上1500mA/cm2以下、より好まし
くは10mA/cm2以上1700mA/cm2未満、さらに好ましくは1mA/cm2
以上2000mA/cm2以下の範囲で光量を調整することができる。
の面積を大きくすることが容易であり、単位面積当たりの光量を少なくできる。これによ
り、単位面積当たりの発熱量を低減できる。したがって、無機材料を用いた発光ダイオー
ド等を用いる場合に比べて、発光パネルの劣化が少なく、信頼性の高い発光装置を提供で
きる。
に比べて薄く、軽量にすることができる。また、発光に伴う発熱が発光パネル120の広
い面積に分散されるため、効率よく放熱される。これにより、発光パネル120への蓄熱
が抑制され、発光パネル120の劣化が抑制される。
ッシュとして用いても被写体に影が生じにくい。
パネル120を構成できる。例えば、互いに補色の関係にある色を呈する光を発する複数
の発光性の有機化合物を用いることができる。または、赤色、緑色及び青色を呈する光を
発する3種類の発光性の有機化合物を用いることができる。また、さまざまな発光スペク
トルを多様な有機化合物から選択して用いることができる。これにより、ホワイトバラン
スに優れた発光装置を得ることができる。
スペクトルを得られる。幅が広い発光スペクトルを有する光は、自然光に近く、写真の撮
影に好適である。
のフラッシュの色や色温度を可変とすることで、写真を撮影したときの被写体、環境、雰
囲気等の再現性を高めることができる。また、発光装置が発光パネルを複数有し、各発光
パネルで異なる色を呈する構成であってもよい。
曲面を有する筐体に沿わせて配置することができる。これにより、筐体に用いる意匠を損
なうことなく発光装置を配置することができる。例えば、カメラの曲面を有する筐体に沿
って、フラッシュを配置することができる。
制御装置150が演算部を有する場合、制御装置150に供給される信号を用いて演算を
行うことができる。制御装置150に供給される信号としては、光センサや距離センサ等
の各種センサから供給される検出信号や、該検出信号がアンプを介して増幅された信号、
該検出信号や増幅された信号がコンバータを介してアナログ信号からデジタル信号に変換
された信号等が挙げられる。制御装置150は、例えば、CPU(Central Pr
ocessing Unit)や、DSP(Digital Signal Proce
ssor)等のプロセッサー、演算プログラムを保存するRAM、ROM等のメモリを有
していてもよい。
定電流電源140aは、直流電流を供給するACDCコンバータと、直流電流が供給され
るDCDCコンバータと、を有する。DCDCコンバータが定電流を供給するタイミング
は、制御パルス信号を用いて制御される。これにより、定電流パルスの波形を整えること
ができる。
駆動回路130は、所定の幅の制御パルス信号を供給する。所定の幅としては、例えば、
1ミリ秒以上1000ミリ秒以下、好ましくは10ミリ秒以上100ミリ秒以下である。
を用いて、駆動回路130を構成することができる。
、ラッチ回路はトリガ信号を供給し、トリガ信号が供給されたモノステイブル・マルチバ
イブレータは、所定の幅を有する矩形波を、制御パルス信号として供給する。
制御パルス信号を用いて制御する構成を示したが、後述する構成例2のように、制御パル
ス信号を開閉回路110に供給してもよい。
図1(B)に示す発光装置101は、開閉回路110、発光パネル120、駆動回路13
0、定電流電源140a、制御装置150、及び光センサ160を有する。
ができる。定電流電源140aは、制御信号が供給され、定電流を供給することができる
。また、発光パネル120には該定電流パルスが供給される。発光パネル120は構成例
1と同様の構成を適用できる。
できる。制御装置150は演算部を有し、該演算部において該検出信号を用いた演算を行
い、演算結果に応じた定電流を定電流電源140aが供給するように、制御信号を定電流
電源140aに供給することができる。定電流電源140aは、制御装置150から制御
信号が供給されるため、光センサ160が検出した光量に応じて調整された定電流を、発
光パネル120に供給できる。
きる。ここで、駆動回路130は、スタートスイッチ132の開閉動作に伴い制御パルス
信号を出力する。例えば、半値幅が1ミリ秒以上1000ミリ秒以下の定電流を開閉回路
110が供給するように、制御パルス信号を出力する。開閉回路110は、駆動回路13
0から制御パルス信号が供給されるため、パルス状の定電流を発光パネル120に供給で
きる。
0が発する光量を調整することができる。例えば、周囲の明るさを光センサ160で検知
し、制御装置150で演算を行うことで、発光パネルが最適な光量を発するよう発光パネ
ル120に供給する電流を調整できる。
の光量を検出するほど(被写体の周囲が明るいほど)、発する光量が少なくなるように制
御してもよい。これにより、写真の白飛びや黒潰れを抑制できる。
60の検出する光量が一定量以下となったときに発光するよう制御し、さらに検出する光
量が少ないほど(周囲が暗く発光装置101の発光が認識しやすい環境であるほど)、発
する光量が少なくなるように制御してもよい。これにより、必要以上の光を発することを
防止できるため、発光装置の省電力化、長寿命化を図ることができる。
光センサ160は、フォトダイオードなどの光電変換素子を有する。光センサ160は受
光した光量に応じた検出信号を制御装置150に供給する。
開閉回路110は、定電流と制御パルス信号が供給されている間、定電流パルスを発光パ
ネル120に供給する。
体的には、パワートランジスタのゲートに制御パルス信号を供給し、第1の電極に定電流
を供給し、第2の電極に発光パネル120を電気的に接続して、開閉回路110を構成で
きる。
を図1(C)に示す。また、開閉回路110が供給する電流の時間の経過に伴う変化の一
例を図1(D)に示す。例えば、2Aの電流を50ミリ秒の間、発光パネル120に供給
することができる。
図2(A)に示す発光装置102は、定電流電源の構成と、距離センサ162及びカウン
タ回路155を備える点と、で、図1(B)に示す発光装置101と異なる。なお、他の
構成は発光装置101と同じであるため、上記構成例2の説明を参酌するものとする。
距離センサ162は、測定した距離に応じた検出信号を制御装置150に供給する。距離
センサ162には、超音波距離センサ、レーザ距離センサ等の各種センサを用いることが
できる。
を行う。そして、演算結果に応じた定電流を定電流電源140bが供給するように、制御
信号を定電流電源140bに供給することができる。定電流電源140bは、制御装置1
50から制御信号が供給されるため、光センサ160が検出した光量や距離センサ162
が測定した距離に応じて調整された定電流を、開閉回路110に供給できる。
した距離に応じて、発光パネル120が発する光量を調整することができる。例えば、発
光装置102をカメラのフラッシュとして用いる場合、被写体の周囲の明るさを光センサ
160で検知し、被写体からカメラまでの距離を距離センサ162で検知し、制御装置1
50で演算を行うことで、発光パネルが最適な光量を発するよう発光パネル120に供給
する電流を調整できる。これにより、写真の白飛びや黒潰れを抑制できる。また、必要以
上の光を発することを防止できるため、発光装置の省電力化、長寿命化を図ることができ
る。
定電流電源140bは、第1の電圧を供給する電池と、第1の電圧が供給され第1の電圧
より高い第2の電圧を供給する第1のDCDCコンバータと、第2の電圧が供給されるコ
ンデンサと、コンデンサから電荷が供給される第2のDCDCコンバータと、を有する。
る。
る。
、第2のDCDCコンバータは定電流を供給することができる。なお、コンデンサに蓄え
られた電荷が所定の量を下回ると、第2のDCDCコンバータは定電流を供給できなくな
る。
ば50ミリ秒)より長く、定電流を供給することができる。電流が開閉回路110を流れ
ると、コンデンサに蓄えられた電荷が消費され、ついには定電流電源140bが定電流を
供給することができなくなる。その結果、矩形波でない電流が発光パネル120に流れる
ことにより、発光パネル120が所定の輝度より低い輝度で発光し、電力が不要に消費さ
れてしまう。開閉回路110は、このように電力が不要に消費されないように、所定の時
間、電流を供給した後に、電流の供給を停止することができる。なお、開閉回路110が
供給する電流の時間の変化に伴う変化の一例を図2(C)に示す。
により、携帯が容易な発光装置102を提供することができる。
カウンタ回路155は駆動回路130が制御パルス信号を供給した回数を積算する。これ
により発光パネル120を発光させた回数を知ることができる。
がある。
ス信号の幅を長くしてもよい。これにより、発光パネル120の発光時間を長くして、低
下した発光パネル120の明るさを補てんすることができる。
て、定電流電源140bが供給する定電流の大きさを大きくしてもよい。これにより、低
下した発光パネル120の明るさを補てんすることができる。
な発光装置を提供できる。また、面光源の発光パネルを有するため、フラッシュとして用
いても被写体に影が生じにくい発光装置を提供できる。また、無機材料を用いた発光ダイ
オード等を用いる場合に比べて、多くの光量を発しても発光パネルの劣化が少なく、信頼
性の高い発光装置を提供できる。また、キセノンランプ等を用いる場合に比べて、発光装
置の小型化、薄型化が実現できる。
。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置に用いることができる発光パネルの構成に
ついて、図3〜図5を用いて説明する。
図3(A)は、本発明の一態様の発光パネルを示す平面図であり、図3(B)は、図3(
A)を一点鎖線A−Bで切断した断面図である。
7に囲まれた空間415内に、発光素子403を備える。発光素子403は、ボトムエミ
ッション構造の有機EL素子であり、具体的には、支持基板401上に可視光を透過する
第1の電極421を有し、第1の電極421上にEL層423を有し、EL層423上に
可視光を反射する第2の電極425を有する。
エミッション構造であってもよい。
の電極421上には、補助配線417と重なる領域に、絶縁層419が設けられている。
第1の端子409aと第2の電極425は、絶縁層419によって電気的に絶縁されてい
る。第2の端子409bは、第2の電極425と電気的に接続する。なお、本実施の形態
では、補助配線417上に第1の電極421が形成されている構成を示すが、第1の電極
421上に補助配線417を形成してもよい。
と支持基板401の界面に光取り出し構造411aを設けることで、全反射の影響で大気
に取り出せない光を低減し、発光パネルの光の取り出し効率を向上させることができる。
好ましい。光取り出し構造411bが凹凸を有する場合、光取り出し構造411bと第1
の電極421の間に、平坦化層413を設けることが好ましい。これによって、第1の電
極421を平坦な膜とすることができ、EL層423における第1の電極421の凹凸に
起因するリーク電流の発生を抑制することができる。また、平坦化層413と支持基板4
01との界面に、光取り出し構造411bを有するため、全反射の影響で大気に取り出せ
ない光を低減し、発光パネルの光の取り出し効率を向上させることができる。
いることができる。また、光取り出し構造411a及び光取り出し構造411bとして、
半球レンズ、マイクロレンズアレイや、凹凸構造が施されたフィルム、光拡散フィルム等
を用いることもできる。例えば、支持基板401上に上記レンズやフィルムを、支持基板
401又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率を有する接着剤等を用いて接着す
ることで、光取り出し構造411a及び光取り出し構造411bを形成することができる
。
る面のほうが平坦である。平坦化層413の材料としては、透光性を有し、高屈折率であ
る材料(例えば、屈折液等の液状物質、ガラス、樹脂等)を用いることができる。
る。その場合、可視光を反射する第2の電極を鏡として用いることができ、好ましい。
図4(A)は、本発明の一態様の発光パネルを示す平面図であり、図5(A)(B)は、
それぞれ図4(A)を一点鎖線X1−Y1で切断した断面図である。
子1250が設けられている。絶縁膜1224上には補助配線1206が設けられており
、第1の電極1201と電気的に接続する。補助配線1206の一部は露出しており端子
として機能する。第1の電極1201の端部及び導電層1210の端部は隔壁1205で
覆われている。また、第1の電極1201を介して補助配線1206を覆う隔壁1205
が設けられている。発光素子1250は、支持基板1220、封止基板1228、及び封
止材1227により封止されている。支持基板1220の表面には光取り出し構造120
9が貼り合わされている。支持基板1220及び封止基板1228に可撓性を有する基板
を用いることで、可撓性を有する発光パネルを実現できる。
板1220上に可視光を透過する第1の電極1201を有し、第1の電極1201上にE
L層1202を有し、EL層1202上に可視光を反射する第2の電極1203を有する
。
0及び光取り出し構造1209の代わりに、光取り出し構造を有する支持基板1229が
設けられている。支持基板1229は支持体としての機能及び発光パネルの光の取り出し
効率を向上させる機能の双方を有する。
成する方法としては、例えば、可撓性を有する基板上に、発光素子を直接形成する第1の
方法と、可撓性を有する基板とは異なる耐熱性の高い基板(以下、作製基板と記す)上に
発光素子を形成した後、作製基板と発光素子とを剥離して、可撓性を有する基板に発光素
子を転置する第2の方法と、がある。
ける温度に対して耐熱性を有する基板を用いる場合には、第1の方法を用いると、工程が
簡略化されるため好ましい。
縁膜等を、可撓性を有する基板に転置することができる。したがって、透水性が高く、耐
熱性が低い有機樹脂等を、可撓性を有する基板の材料として用いても、可撓性を有し、信
頼性が高い発光パネルを作製できる。
図4(B)は、本発明の一態様の発光パネルを示す平面図であり、図6(A)(B)は、
それぞれ図4(B)を一点鎖線X2−Y2で切断した断面図の一例であり、図6(C)は
、図4(B)を一点鎖線X3−Y3で切断した断面図である。
例2と異なる。ここでは相違点のみを詳細に説明し、共通点については発光パネルの構成
例2の説明を参酌するものとする。
ないように、封止材1226を有することが好ましい。具体的には、発光パネルの一部を
開口した後、露出した電極及びEL層を少なくとも覆うように封止材1226を形成すれ
ばよい。封止材1226には、封止材1227と同様の材料を用いることができ、同一の
材料であっても異なる材料であってもよい。
(B)では、隔壁1205が形成されている位置を開口した場合の例を示した。
、カメラのレンズの周囲に発光部を配置できる。そして、該発光部をカメラのフラッシュ
として用いることができる。
本発明の一態様の発光パネルに用いることができる材料の一例を記す。
発光素子からの光を取り出す側の基板には該光を透過する材料を用いる。例えば、ガラス
、石英、セラミック、サファイア、有機樹脂などの材料を用いることができる。
に、可撓性を有する程度の厚さの基板を用いることで、可撓性を有する発光パネルを実現
できる。また、可撓性を有する発光パネルを使用しないときに折りたたんで収納すること
もできる。これにより、写真スタジオのレフ板(board reflector)に換
えて、広い面積でフラッシュ発光する照明装置として用いることができる。または、折り
畳むことができる照明装置を提供することができる。
ケイ酸ガラス等を用いることができる。
厚さのガラスや、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(
PEN)等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチ
ルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート(PC)樹脂、ポリエーテルスルホン(PES
)樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド
樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。特に、熱膨張係数の低い材料を用いることが
好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、PET等を好適に用いるこ
とができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機樹脂に
混ぜて熱膨張係数を下げた基板を使用することもできる。このような材料を用いた基板は
、重量が軽いため、該基板を用いた発光パネルも軽量にすることができる。
た基板の他に、金属材料や合金材料を用いた金属基板等を用いることもできる。金属材料
や合金材料は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、発光パネルの局所
的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。可撓性や曲げ性を得るためには、金属基
板の厚さは、10μm以上200μm以下が好ましく、20μm以上50μm以下である
ことがより好ましい。
ケル、又はアルミニウム合金もしくはステンレス等の金属の合金などを好適に用いること
ができる。
理が施された基板を用いてもよい。例えば、スピンコート法やディップ法などの塗布法、
電着法、蒸着法、又はスパッタリング法などを用いて絶縁膜を形成してもよいし、酸素雰
囲気で放置する又は加熱するほか、陽極酸化法などによって、基板の表面に酸化膜を形成
してもよい。
ハードコート層(例えば、窒化シリコン層など)や、押圧を分散可能な材質の層(例えば
、アラミド樹脂層など)等と積層されて構成されていてもよい。また、水分等による発光
素子の寿命の低下等を抑制するために、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜等の窒素と
珪素を含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等の透水性の低い
絶縁膜を有していてもよい。
、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い発光パネルとすることができる。
ることができる。当該ガラス層の厚さとしては20μm以上200μm以下、好ましくは
25μm以上100μm以下とする。このような厚さのガラス層は、水や酸素に対する高
いバリア性と可撓性を同時に実現できる。また、有機樹脂層の厚さとしては、10μm以
上200μm以下、好ましくは20μm以上50μm以下とする。このような有機樹脂層
をガラス層よりも外側に設けることにより、ガラス層の割れやクラックを抑制し、機械的
強度を向上させることができる。このようなガラス材料と有機樹脂の複合材料を基板に適
用することにより、極めて信頼性が高いフレキシブルな発光パネルとすることができる。
支持基板と発光素子の間に、絶縁膜を形成してもよい。絶縁膜には、酸化シリコン膜、窒
化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの無機絶縁膜を用いること
ができる。特に、発光素子への水分等の侵入を抑制するため、酸化シリコン膜、窒化シリ
コン膜、酸化アルミニウム膜等の透水性の低い絶縁膜を用いることが好ましい。同様の目
的や材料で、発光素子を覆う絶縁膜を設けてもよい。
隔壁には、有機樹脂又は無機絶縁材料を用いることができる。有機樹脂としては、例えば
、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキシ樹脂、又
はフェノール樹脂等を用いることができる。無機絶縁材料としては、酸化シリコン、酸化
窒化シリコン等を用いることができる。隔壁の作製が容易となるため、特に感光性の樹脂
を用いることが好ましい。
法、液滴吐出法(インクジェット法等)、印刷法(スクリーン印刷、オフセット印刷等)
等を用いればよい。
補助配線は必ずしも設ける必要は無いが、電極の抵抗に起因する電圧降下を抑制できるた
め、設けることが好ましい。
)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、ネオジム(Nd)、スカンジウム(Sc)、
ニッケル(Ni)、から選ばれた材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層
で又は積層して形成する。また、補助配線の材料としてアルミニウムを用いることもでき
る。アルミニウムを用いる場合には、透明酸化物導電材料を直接接して設けると腐食する
恐れがある。そのため、腐食が生じないように補助配線を積層構造とし、ITOなどと接
しない層にアルミニウムを用いることが好ましい。補助配線の膜厚は、0.1μm以上3
μm以下とすることができ、好ましくは、0.1μm以上0.5μm以下である。
発光パネルの封止方法は限定されず、例えば、固体封止であっても中空封止であってもよ
い。例えば、ガラスフリットなどのガラス材料や、二液混合型の樹脂などの常温で硬化す
る硬化樹脂、光硬化性の樹脂、熱硬化性の樹脂などの樹脂材料を用いることができる。発
光パネルは、窒素やアルゴンなどの不活性な気体で充填されていてもよく、PVC(ポリ
ビニルクロライド)樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹
脂、PVB(ポリビニルブチラル)樹脂、EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂等の
樹脂で充填されていてもよい。また、樹脂内に乾燥剤が含まれていてもよい。
光取り出し構造としては、半球レンズ、マイクロレンズアレイ、凹凸構造が施されたフィ
ルム、光拡散フィルム等を用いることができる。例えば、基板上に上記レンズやフィルム
を、該基板又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率を有する接着剤等を用いて接
着することで、光取り出し構造を形成することができる。
。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置に用いることができる発光素子について図
7を用いて説明する。
図7(A)に示す発光素子は、第1の電極201及び第2の電極205の間にEL層20
3を有する。本実施の形態では、第1の電極201が陽極として機能し、第2の電極20
5が陰極として機能する。
ると、EL層203に第1の電極201側から正孔が注入され、第2の電極205側から
電子が注入される。注入された電子と正孔はEL層203において再結合し、EL層20
3に含まれる発光物質が発光する。
い物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質(電子
輸送性及び正孔輸送性が高い物質)等を含む層をさらに有していてもよい。EL層203
には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含ん
でいてもよい。
3を有し、該EL層203では、正孔注入層301、正孔輸送層302、発光層303、
電子輸送層304、及び電子注入層305が、第1の電極201側からこの順に積層され
ている。
に複数のEL層が積層されていてもよい。この場合、積層されたEL層の間には、中間層
207を設けることが好ましい。中間層207は、電荷発生領域を少なくとも有する。
の間に、中間層207を有する。また、図7(D)に示す発光素子は、EL層をn層(n
は2以上の自然数)有し、各EL層の間には、中間層207を有する。
子と正孔の挙動について説明する。第1の電極201と第2の電極205の間に、発光素
子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、中間層207において正孔と電子が発生し、正
孔は第2の電極205側に設けられたEL層203(m+1)へ移動し、電子は第1の電
極201側に設けられたEL層203(m)へ移動する。EL層203(m+1)に注入
された正孔は、第2の電極205側から注入された電子と再結合し、当該EL層203(
m+1)に含まれる発光物質が発光する。また、EL層203(m)に注入された電子は
、第1の電極201側から注入された正孔と再結合し、当該EL層203(m)に含まれ
る発光物質が発光する。よって、中間層207において発生した正孔と電子は、それぞれ
異なるEL層において発光に至る。
は、中間層を介さずにEL層同士を接して設けることができる。例えば、EL層の一方の
面に電荷発生領域が形成されている場合、その面に接してEL層を設けることができる。
の色の発光を得ることができる。例えば、二つのEL層を有する発光素子において、第1
のEL層の発光色と第2のEL層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素
子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。また、3つ以上のEL層を
有する発光素子の場合でも同様である。
以下に、それぞれの層に用いることができる材料を例示する。なお、各層は、単層に限ら
れず、二層以上積層してもよい。
陽極として機能する電極(第1の電極201)は、導電性を有する金属、合金、導電性化
合物等を一種又は複数種用いて形成することができる。特に、仕事関数の大きい(4.0
eV以上)材料を用いることが好ましい。例えば、インジウムスズ酸化物(ITO:In
dium Tin Oxide)、珪素もしくは酸化珪素を含有したインジウムスズ酸化
物、インジウム亜鉛酸化物、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、
グラフェン、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、
銅、パラジウム、チタン、又は金属材料の窒化物(例えば、窒化チタン)等が挙げられる
。
性材料を用いることができ、例えば、アルミニウム、銀、アルミニウムを含む合金等も用
いることができる。
陰極として機能する電極(第2の電極205)は、導電性を有する金属、合金、導電性化
合物などを1種又は複数種用いて形成することができる。特に、仕事関数が小さい(3.
8eV以下)材料を用いることが好ましい。例えば、元素周期表の第1族又は第2族に属
する元素(例えば、リチウム、セシウム等のアルカリ金属、カルシウム、ストロンチウム
等のアルカリ土類金属、マグネシウム等)、これら元素を含む合金(例えば、Mg−Ag
、Al−Li)、ユーロピウム、イッテルビウム等の希土類金属、これら希土類金属を含
む合金、アルミニウム、銀等を用いることができる。
性材料を用いることができる。例えば、ITO、珪素又は酸化珪素を含有したインジウム
スズ酸化物等も用いることができる。
ースト等を用いる場合には、塗布法やインクジェット法を用いれば良い。
正孔注入層301は、正孔注入性の高い物質を含む層である。
ウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の金属酸化物や、また、フタロシア
ニン(略称:H2Pc)、銅(II)フタロシアニン(略称:CuPc)等のフタロシア
ニン系の化合物を用いることができる。
ルアミン)(略称:PVTPA)などの高分子化合物や、ポリ(3,4−エチレンジオキ
シチオフェン)/ポリ(スチレンスルホン酸)(PEDOT/PSS)等の酸を添加した
高分子化合物を用いることができる。
が電荷発生領域であると、仕事関数を考慮せずに様々な導電性材料を該陽極に用いること
ができる。電荷発生領域を構成する材料については後述する。
正孔輸送層302は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。
、10−6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。例えば、
4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NP
B又はα−NPD)、4−フェニル−4’−(9−フェニルフルオレン−9−イル)トリ
フェニルアミン(略称:BPAFLP)等の芳香族アミン化合物、4,4’−ジ(N−カ
ルバゾリル)ビフェニル(略称:CBP)、9−[4−(10−フェニル−9−アントリ
ル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA)、9−フェニル−3−[4−(
10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:PCzPA
)等のカルバゾール誘導体、2−tert−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アン
トラセン(略称:t−BuDNA)、9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称
:DNA)、9,10−ジフェニルアントラセン(略称:DPAnth)等の芳香族炭化
水素化合物、PVK、PVTPA等の高分子化合物など、種々の化合物を用いることがで
きる。
発光層303は、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いるこ
とができる。
−(9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]−N,N’−ジフェニルスチルベン−4
,4’−ジアミン(略称:YGA2S)、N−(9,10−ジフェニル−2−アントリル
)−N,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCAPA)、ル
ブレン等が挙げられる。
4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)ピコ
リナート(略称:FIrpic)、トリス(2−フェニルピリジナト−N,C2’)イリ
ジウム(III)(略称:Ir(ppy)3)(アセチルアセトナト)ビス(3,5−ジ
メチル−2−フェニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:Ir(mppr−Me
)2(acac))等の有機金属錯体が挙げられる。
質(ホスト材料)に分散させた構成としても良い。ホスト材料としては、各種のものを用
いることができ、ゲスト材料よりも最低空軌道準位(LUMO準位)が高く、最高被占有
軌道準位(HOMO準位)が低い物質を用いることが好ましい。
制することができる。また、ゲスト材料の濃度が高いことによる濃度消光を抑制すること
ができる。
バゾール誘導体)や、後述の電子輸送性の高い物質(例えば、キノリン骨格又はベンゾキ
ノリン骨格を有する金属錯体や、オキサゾール系配位子又はチアゾール系配位子を有する
金属錯体)等を用いることができる。具体的には、トリス(8−キノリノラト)アルミニ
ウム(III)(略称:Alq)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(4−フェニ
ルフェノラト)アルミニウム(III)(略称:BAlq)などの金属錯体、3−(4−
ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−
トリアゾール(略称:TAZ)、バソフェナントロリン(略称:BPhen)、バソキュ
プロイン(略称:BCP)などの複素環化合物や、CzPA、DNA、t−BuDNA、
DPAnthなどの縮合芳香族化合物、NPB等の芳香族アミン化合物等を用いることが
できる。
ン等の結晶化を抑制する物質をさらに添加しても良い。また、ゲスト材料へのエネルギー
移動をより効率良く行うためにNPB、あるいはAlq等をさらに添加しても良い。
体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、発光層を2つ有する発光素子に
おいて、第1の発光層の発光色と第2の発光層の発光色を補色の関係になるようにするこ
とで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。また、発光層
を3つ以上有する発光素子の場合でも同様である。
電子輸送層304は、電子輸送性の高い物質を含む層である。
、特に、10−6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質であることが好ましい。
ゾキノリン骨格を有する金属錯体等や、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾオ
キサゾラト]亜鉛(略称:Zn(BOX)2)、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)
ベンゾチアゾラト]亜鉛(略称:Zn(BTZ)2)などのオキサゾール系、チアゾール
系配位子を有する金属錯体などを用いることができる。また、TAZ、BPhen、BC
Pなども用いることができる。
電子注入層305は、電子注入性の高い物質を含む層である。
ウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム、酸化リチウム等のようなアルカリ金属、アル
カリ土類金属、又はそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウムのよ
うな希土類金属化合物を用いることができる。また、上述した電子輸送層304を構成す
る物質を用いることもできる。
電荷発生領域は、正孔輸送性の高い有機化合物に電子受容体(アクセプター)が添加され
た構成であっても、電子輸送性の高い有機化合物に電子供与体(ドナー)が添加された構
成であってもよい。また、これらの両方の構成が積層されていてもよい。
材料が挙げられ、電子輸送性の高い有機化合物としては、例えば、上述の電子輸送層に用
いることができる材料が挙げられる。
ルオロキノジメタン(略称:F4−TCNQ)、クロラニル等を挙げることができる。ま
た、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第4族乃至第8族に
属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、
酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レ
ニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定
であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
期表における第13族に属する金属及びその酸化物、炭酸塩を用いることができる。具体
的には、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、イッテルビウム、インジウム
、酸化リチウム、炭酸セシウムなどを用いることが好ましい。また、テトラチアナフタセ
ンのような有機化合物を電子供与体として用いてもよい。
蒸着法を含む)、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することが
できる。
。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を用いた電子機器について図8及び図9を
用いて説明する。
を有する携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)や携帯情報端末等が備えるカメ
ラのフラッシュ等に用いることができる。また、自転車や自動車のライト、灯台、装飾用
途などのイルミネーション等に用いることができる。
は、筐体7301、レンズ7304、発光装置7310等を有する。発光装置7310に
は、本発明の一態様の発光装置が適用されている。発光装置7310の発光部7303は
、レンズ7304を囲うように配置されている。本発明の一態様の発光装置は可撓性を有
するため、湾曲させることができる。デジタルスチルカメラ7300では、非発光部73
05が筐体7301の形状に沿って折り曲げられているため、発光部7303をレンズ7
304の周囲に広く配置できる。これにより、フラッシュを用いて人の顔を暗い場所で撮
影する場合であっても、例えば鼻の影が頬に投影されにくくすることができる。なお、発
光素子を非発光部7305に同一の工程で作製して設け、動作状態を示すインジケータに
用いてもよい。
ともいえる)を図8(B)に示し、該一面の背面(裏面ともいえる)を図8(C)に示す
。
60等を有する。発光装置7360には、本発明の一態様の発光装置が適用されている。
発光装置7360は発光部7353及び非発光部7355を有し、発光部7353は、レ
ンズ7354を囲うように配置されている。発光部7353は、非発光時に鏡として用い
る仕様であってもよい。
7353bを有する変形例である。
、2つの発光パネル7353a、7353b、駆動回路730、2つの定電流電源740
a、740b、及び2つの制御装置750a、750bを有する。
対応した信号や、各種センサからの検出信号が供給される。2つの制御装置750a、7
50bは、供給された信号に応じた制御信号をそれぞれ供給する。
を発光パネル7353aに供給する。定電流電源740bは、制御装置750bから供給
された制御信号に応じた定電流パルスを発光パネル7353bに供給する。したがって、
2つの発光パネル7353a、7353bはそれぞれ独立に光量が調整される。これによ
り、発光装置が発する光量をより幅広い範囲で調整できるようになり、好ましい。
ルの色温度が異なる場合は、それぞれの発光パネルの光量を調整することで発光装置が適
切な色温度の光を発することができる。
a、7353bは、それぞれ独立に駆動回路730から制御パルス信号が供給される。つ
まり、駆動回路730は、2つの発光パネル7353a、7353bに同一の制御パルス
信号を供給してもよいし、異なる制御パルス信号を供給してもよい。
60が3つ以上の発光パネルを有していてもよい。また、光量の調整ができない発光パネ
ルと、本発明の一態様の光量の調整ができる発光パネルと、を組み合わせてもよい。
それぞれ独立に発光させることができる。例えば、一方の発光パネルの発光のみで十分で
ある場合は、一方の発光パネルのみを発光させ、より多くの光量が必要なときのみ双方の
発光パネルを発光させてもよい。これにより、発光装置の消費電力や発光パネルの劣化を
抑制できる。
。ライト7405には、本発明の一態様の発光装置が適用されている。
。ライト7415には、本発明の一態様の発光装置が適用されている。
用いて周囲の明るさを検知し、周囲が十分明るいときはライトを点灯しない、周囲が十分
暗いときはライトを点灯し点滅させる、周囲の明るさが不十分ではあるが光が検出できる
ときは、ライトを点灯し点滅させ、かつ光量を多くする、等の制御を行うことができる。
このように、本発明の一態様の発光装置は、適宜最適な光量に調整して発光を行うことが
できるため、省電力なライトを実現できる。
。
線X1−Y1間の断面図を図5(B)に示す。なお、図4(A)では発光パネルの構成の
一部を省略して示す。
229上に絶縁膜1224を介して発光素子1250が設けられている。絶縁膜1224
上には補助配線1206が設けられており、第1の電極1201と電気的に接続する。補
助配線1206の一部は露出しており端子として機能する。第1の電極1201の端部及
び導電層1210の端部は隔壁1205で覆われている。また、第1の電極1201を介
して補助配線1206を覆う隔壁1205が設けられている。発光素子1250は、支持
基板1229、封止基板1228、及び封止材1227により封止されている。
を用い、封止基板1228として薄いガラス層及びポリエチレンテレフタレート(PET
)層を有する基板を用いた。これらの基板は可撓性を有し、本実施例の発光パネルは、フ
レキシブルな発光パネルである。また、本実施例の発光パネルにおける発光領域の面積は
56mm×42mmである。
板1229上に可視光を透過する第1の電極1201を有し、第1の電極1201上にE
L層1202を有し、EL層1202上に可視光を反射する第2の電極1203を有する
。
この順で形成した。本実施例において、被剥離層は、絶縁膜1224、補助配線1206
、第1の電極1201、及び隔壁1205を含む。
ッチが5.3mmになるように、また幅L2が322μmとなるようにした。第1の電極
1201としては、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO)膜を形成した。補助
配線1206を覆う隔壁1205は、幅L1が330μmとなるように計7本形成した。
を用いて被剥離層を作製基板より剥離した。これにより、被剥離層は仮支持基板側に設け
られる。
剤を用いて支持基板1229を貼り合わせた。支持基板1229としては、前述の通り、
ポリエステル系樹脂の拡散フィルムを用いた。その後、仮支持基板を剥離し、支持基板1
229上に第1の電極1201を露出させた。
層1202は、第1の電極1201側から、青色を呈する光を発する蛍光性化合物を含む
発光層を有する第1のEL層、中間層、並びに、緑色を呈する光を発する燐光性化合物を
含む発光層及び赤色を呈する光を発する燐光性化合物を含む発光層を有する第2のEL層
がこの順で積層した。第2の電極1203には、銀を用いた。
ことで硬化させた。そして、紫外光硬化型接着剤を用いて、支持基板1229と、封止基
板1228である、薄いガラス層及びポリエチレンテレフタレート(PET)層を有する
基板と、を貼り合わせた。
の電圧−輝度特性を、図11の凡例のうち「初期」として示す。また、発光パネルの発光
スペクトルを図12に示す。図12に示すように、本実施例の発光パネルは、青色を呈す
る光を発する蛍光性化合物、緑色を呈する光を発する燐光性化合物、赤色を呈する光を発
する燐光性化合物それぞれに由来する光がいずれも含まれる発光スペクトルを示すことが
わかった。
光パネルを、間隔をあけて3000回または1万回発光させた。発光1回につき、発光パ
ネルに2Aの電流を50ミリ秒(ms)間流した。このときの発光素子の電流密度は90
mA/cm2に相当する。また、発光の間隔(非発光の時間)は10秒とした。
を示す。
ほとんど変わらず、発光パネルの劣化が見られなかった。このことから、本実施例の発光
パネルの信頼性の高さが示された。
かを調べた。用いた有機EL素子の発光領域は2mm×2mmである。発光1回につき、
有機EL素子に電流を50ミリ秒(ms)間流した。
cm2に相当)。しかし、68mAの電流を流す(電流密度1700mA/cm2に相当
)と、有機EL素子はショートした。
00mA/cm2未満の範囲で、光量を調整することができると示唆された。このことか
ら、無機材料を用いた発光ダイオード等に比べて、有機EL素子には大電流を流すことが
できると考えられる。
101 発光装置
102 発光装置
110 開閉回路
120 発光パネル
130 駆動回路
132 スタートスイッチ
140a 定電流電源
140b 定電流電源
150 制御装置
155 カウンタ回路
160 光センサ
162 距離センサ
201 第1の電極
203 EL層
203a EL層
203b EL層
205 第2の電極
207 中間層
301 正孔注入層
302 正孔輸送層
303 発光層
304 電子輸送層
305 電子注入層
401 支持基板
403 発光素子
405 封止基板
407 封止材
409a 端子
409b 端子
411a 光取り出し構造
411b 光取り出し構造
413 平坦化層
415 空間
417 補助配線
419 絶縁層
421 第1の電極
423 EL層
425 第2の電極
730 駆動回路
732 スタートスイッチ
740a 定電流電源
740b 定電流電源
750a 制御装置
750b 制御装置
1201 第1の電極
1202 EL層
1203 第2の電極
1205 隔壁
1206 補助配線
1209 光取り出し構造
1210 導電層
1220 支持基板
1224 絶縁膜
1226 封止材
1227 封止材
1228 封止基板
1229 支持基板
1250 発光素子
7300 デジタルスチルカメラ
7301 筐体
7303 発光部
7304 レンズ
7305 非発光部
7310 発光装置
7350 携帯電話機
7351 筐体
7352 表示部
7353 発光部
7353a 発光パネル
7353b 発光パネル
7354 レンズ
7355 非発光部
7360 発光装置
7400 自転車
7405 ライト
7410 自動車
7415 ライト
Claims (2)
- 発光パネルとカメラとを有する電子機器であって、
前記発光パネルと前記カメラとは、電子機器が有する同一の面に設けられ、
前記発光パネルは、前記カメラとは重ならないように配置され、
前記発光パネルは、複数の有機EL素子を有し、
前記発光パネルは、発光部の面積が15cm2以上100cm2以下であり、
前記発光パネルは、面光源であり、前記カメラのフラッシュとして機能する電子機器。 - 発光パネルとカメラと光センサとを有する電子機器であって、
前記発光パネルと前記カメラと、電子機器が有する面のうち同一の面に設けられ、
前記発光パネルは、前記カメラとは重ならないように配置され、
前記発光パネルは、複数の有機EL素子を有し、
前記発光パネルは、発光部の面積が15cm2以上100cm2以下であり、
前記発光パネルは、面光源であり、前記カメラのフラッシュとして機能し、
前記発光パネルがフラッシュとして機能する際は、前記光センサが検出した光量に応じて、前記発光パネルが発する光量を調節する電子機器。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021120362A JP2021170134A (ja) | 2013-06-27 | 2021-07-21 | 電子機器 |
JP2023086140A JP2023124870A (ja) | 2013-06-27 | 2023-05-25 | 発光装置 |
JP2024073635A JP2024110960A (ja) | 2013-06-27 | 2024-04-30 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013134799 | 2013-06-27 | ||
JP2013134799 | 2013-06-27 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014128774A Division JP2015028918A (ja) | 2013-06-27 | 2014-06-24 | 発光装置、カメラ |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021120362A Division JP2021170134A (ja) | 2013-06-27 | 2021-07-21 | 電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020030429A true JP2020030429A (ja) | 2020-02-27 |
Family
ID=52115410
Family Applications (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014128774A Withdrawn JP2015028918A (ja) | 2013-06-27 | 2014-06-24 | 発光装置、カメラ |
JP2019201452A Withdrawn JP2020030429A (ja) | 2013-06-27 | 2019-11-06 | 電子機器 |
JP2021120362A Withdrawn JP2021170134A (ja) | 2013-06-27 | 2021-07-21 | 電子機器 |
JP2023086140A Withdrawn JP2023124870A (ja) | 2013-06-27 | 2023-05-25 | 発光装置 |
JP2024073635A Pending JP2024110960A (ja) | 2013-06-27 | 2024-04-30 | 発光装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014128774A Withdrawn JP2015028918A (ja) | 2013-06-27 | 2014-06-24 | 発光装置、カメラ |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021120362A Withdrawn JP2021170134A (ja) | 2013-06-27 | 2021-07-21 | 電子機器 |
JP2023086140A Withdrawn JP2023124870A (ja) | 2013-06-27 | 2023-05-25 | 発光装置 |
JP2024073635A Pending JP2024110960A (ja) | 2013-06-27 | 2024-04-30 | 発光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US9277627B2 (ja) |
JP (5) | JP2015028918A (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9939262B2 (en) | 2013-08-20 | 2018-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and camera |
JP6562608B2 (ja) | 2013-09-19 | 2019-08-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器、及び電子機器の駆動方法 |
JP6473589B2 (ja) | 2013-09-19 | 2019-02-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 携帯情報端末 |
JP6479375B2 (ja) | 2013-09-19 | 2019-03-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
KR102358935B1 (ko) | 2014-02-12 | 2022-02-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전자 기기 |
WO2018038340A2 (en) | 2016-08-24 | 2018-03-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electronic device including light-emitting elements and method of operating electronic device |
US10361659B2 (en) * | 2017-03-22 | 2019-07-23 | Intel IP Corporation | Power envelope tracker and adjustable strength DC-DC converter |
KR102009346B1 (ko) * | 2018-08-14 | 2019-08-12 | (주)현대포멕스 | 접을 수 있는 회로선과 led가 구비된 조명장치 및 이의 제조방법 |
JPWO2020053701A1 (ja) | 2018-09-12 | 2021-09-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
CN114207564A (zh) | 2019-08-02 | 2022-03-18 | 株式会社半导体能源研究所 | 功能面板、显示装置、输入输出装置、数据处理装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09274224A (ja) * | 1996-04-04 | 1997-10-21 | Olympus Optical Co Ltd | ストロボ装置 |
JP2003043558A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 撮像装置 |
EP1318670A1 (en) * | 2001-12-07 | 2003-06-11 | Seiko Precision Inc. | Image pick-up device and portable electronic device |
JP2003241266A (ja) * | 2002-02-15 | 2003-08-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 発光装置 |
JP2004350208A (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Tohoku Pioneer Corp | カメラ付き電子機器 |
JP2005333521A (ja) * | 2004-05-21 | 2005-12-02 | Konica Minolta Holdings Inc | 携帯端末 |
JP2008099019A (ja) * | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Fujitsu Ltd | 携帯端末 |
JP2008152087A (ja) * | 2006-12-19 | 2008-07-03 | Sony Corp | 表示装置及び電子機器 |
US20090122181A1 (en) * | 2003-12-05 | 2009-05-14 | Nikon Corporation | Photographic illumination device, image-capturing system, camera system and camera |
Family Cites Families (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH075138U (ja) * | 1993-06-15 | 1995-01-24 | ミノルタ株式会社 | 撮影レンズの情報表示装置 |
JP3576926B2 (ja) | 2000-05-25 | 2004-10-13 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
JP2008003627A (ja) * | 2000-07-25 | 2008-01-10 | Fujifilm Corp | 光源装置及び撮影装置 |
JP4288553B2 (ja) | 2000-07-25 | 2009-07-01 | 富士フイルム株式会社 | カメラのストロボ装置 |
WO2002012973A2 (en) | 2000-08-02 | 2002-02-14 | Seiko Epson Corporation | Electronic apparatus and control method |
US7430025B2 (en) | 2000-08-23 | 2008-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Portable electronic device |
US20020034930A1 (en) | 2000-09-11 | 2002-03-21 | Shunpei Yamazaki | Electronic device and method of usage thereof |
JP2003101836A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-04-04 | Kyocera Corp | 小型ストロボ装置 |
JP4233249B2 (ja) * | 2001-09-26 | 2009-03-04 | 富士フイルム株式会社 | 撮像装置用電子回路モジュール、及びカメラ装置 |
JP4068929B2 (ja) * | 2002-09-18 | 2008-03-26 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | ストロボ装置、及びそのストロボ装置を用いたカメラ |
JP2004180245A (ja) * | 2002-11-29 | 2004-06-24 | Casio Comput Co Ltd | 携帯端末機器、撮像装置、撮像方法及びプログラム |
JP2004241883A (ja) * | 2003-02-04 | 2004-08-26 | Minolta Co Ltd | 撮像装置 |
JP4316960B2 (ja) | 2003-08-22 | 2009-08-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 装置 |
TWI267822B (en) | 2004-04-30 | 2006-12-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | Organic electroluminescence device that can adjust chromaticity |
JP2006038991A (ja) * | 2004-07-23 | 2006-02-09 | Casio Comput Co Ltd | 携帯機器、撮影制御方法、及び、撮影制御プログラム |
JP2006138900A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Nikon Corp | 撮影用照明装置およびカメラ |
US8319714B2 (en) | 2004-12-22 | 2012-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, and method of operation thereof |
JP2006227188A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Ulvac Japan Ltd | 撮影用ライト及びこれを用いた照明方法 |
US8550907B2 (en) | 2005-03-18 | 2013-10-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Game machine |
JP4672458B2 (ja) * | 2005-06-23 | 2011-04-20 | ローム株式会社 | 自励式dc/dcコンバータの駆動回路およびそれを用いた発光装置ならびに電子機器 |
JP2007086178A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Fujifilm Corp | カメラのストロボ装置及び撮像装置 |
JP2007163876A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Canon Inc | 照明装置及び撮影装置 |
JP2007187855A (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Fujifilm Corp | 撮影装置 |
JP2008257086A (ja) | 2007-04-09 | 2008-10-23 | Sony Corp | 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 |
JP4548519B2 (ja) | 2007-10-16 | 2010-09-22 | セイコーエプソン株式会社 | 光源装置 |
JP2009129681A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法 |
JP4893600B2 (ja) | 2007-11-22 | 2012-03-07 | パナソニック電工株式会社 | 面状発光型照明装置 |
JP2009295769A (ja) | 2008-06-05 | 2009-12-17 | Nec Corp | Ledフラッシュ装置ならびに電子機器 |
JP2010004692A (ja) | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Mitsumi Electric Co Ltd | フラッシュ用電源装置 |
JP2010028366A (ja) | 2008-07-17 | 2010-02-04 | Nikon Corp | 電子カメラ、カメラシステム及び閃光装置 |
TWI408643B (zh) | 2008-09-18 | 2013-09-11 | Richtek Technology Corp | Led顯示系統及其控制方法以及該led顯示系統的驅動器及其控制方法 |
JP5493512B2 (ja) * | 2009-07-02 | 2014-05-14 | パナソニック株式会社 | 撮像装置、及びこれを搭載した携帯電話機 |
CN101695463B (zh) | 2009-10-24 | 2011-09-28 | 黄维克 | 具有视觉训练功能的镜架 |
US8963442B2 (en) | 2009-11-04 | 2015-02-24 | International Rectifier Corporation | Driver circuit with an increased power factor |
US20110241558A1 (en) | 2010-03-31 | 2011-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-Emitting Device and Driving Method Thereof |
WO2011155295A1 (en) | 2010-06-10 | 2011-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Dc/dc converter, power supply circuit, and semiconductor device |
KR101643617B1 (ko) | 2010-07-28 | 2016-08-10 | 삼성전자주식회사 | 디지털 촬영 장치 및 그의 슬립 모드 제어 방법 |
JP2010288307A (ja) * | 2010-08-04 | 2010-12-24 | Fujifilm Corp | カメラ |
JP2012129478A (ja) | 2010-12-17 | 2012-07-05 | Toshiba Lighting & Technology Corp | Elモジュールおよび照明装置 |
US9035337B2 (en) | 2011-02-14 | 2015-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting module, light-emitting panel, and lighting device |
JP2012209184A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Sony Corp | 有機電界発光素子、表示装置及び照明装置 |
JP2013061436A (ja) | 2011-09-13 | 2013-04-04 | Lenovo Singapore Pte Ltd | 液晶シャッタを備える電子機器 |
JP5918509B2 (ja) * | 2011-11-15 | 2016-05-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP5674701B2 (ja) | 2012-03-22 | 2015-02-25 | 株式会社東芝 | 情報処理端末装置 |
CN202634506U (zh) | 2012-04-11 | 2012-12-26 | 上海昌域投资管理有限公司 | 手机oled环形闪光灯 |
US8823611B2 (en) | 2012-06-07 | 2014-09-02 | Golconda Holdings, Llc | Portable frame-less reversible luminous suction cup display |
WO2014188895A1 (en) | 2013-05-21 | 2014-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and camera |
-
2014
- 2014-06-24 JP JP2014128774A patent/JP2015028918A/ja not_active Withdrawn
- 2014-06-26 US US14/315,675 patent/US9277627B2/en active Active
-
2016
- 2016-02-25 US US15/053,401 patent/US9462646B2/en active Active
- 2016-09-26 US US15/275,684 patent/US9961726B2/en active Active
-
2018
- 2018-04-20 US US15/958,305 patent/US10555386B2/en active Active
-
2019
- 2019-11-06 JP JP2019201452A patent/JP2020030429A/ja not_active Withdrawn
-
2020
- 2020-01-27 US US16/773,435 patent/US11172109B2/en active Active
-
2021
- 2021-07-21 JP JP2021120362A patent/JP2021170134A/ja not_active Withdrawn
-
2023
- 2023-05-25 JP JP2023086140A patent/JP2023124870A/ja not_active Withdrawn
-
2024
- 2024-04-30 JP JP2024073635A patent/JP2024110960A/ja active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09274224A (ja) * | 1996-04-04 | 1997-10-21 | Olympus Optical Co Ltd | ストロボ装置 |
JP2003043558A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 撮像装置 |
EP1318670A1 (en) * | 2001-12-07 | 2003-06-11 | Seiko Precision Inc. | Image pick-up device and portable electronic device |
JP2003174587A (ja) * | 2001-12-07 | 2003-06-20 | Seiko Precision Inc | 撮像装置および携帯電子機器 |
JP2003241266A (ja) * | 2002-02-15 | 2003-08-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 発光装置 |
JP2004350208A (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Tohoku Pioneer Corp | カメラ付き電子機器 |
US20090122181A1 (en) * | 2003-12-05 | 2009-05-14 | Nikon Corporation | Photographic illumination device, image-capturing system, camera system and camera |
JP2005333521A (ja) * | 2004-05-21 | 2005-12-02 | Konica Minolta Holdings Inc | 携帯端末 |
JP2008099019A (ja) * | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Fujitsu Ltd | 携帯端末 |
JP2008152087A (ja) * | 2006-12-19 | 2008-07-03 | Sony Corp | 表示装置及び電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9462646B2 (en) | 2016-10-04 |
US20160174313A1 (en) | 2016-06-16 |
US11172109B2 (en) | 2021-11-09 |
JP2015028918A (ja) | 2015-02-12 |
US20150003034A1 (en) | 2015-01-01 |
US20200163187A1 (en) | 2020-05-21 |
JP2023124870A (ja) | 2023-09-06 |
US20180242414A1 (en) | 2018-08-23 |
US9277627B2 (en) | 2016-03-01 |
JP2021170134A (ja) | 2021-10-28 |
US10555386B2 (en) | 2020-02-04 |
JP2024110960A (ja) | 2024-08-16 |
US9961726B2 (en) | 2018-05-01 |
US20170013689A1 (en) | 2017-01-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6793173B2 (ja) | 電子機器 | |
US11172109B2 (en) | Light-emitting device and camera | |
JP7185745B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6479375B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6473589B2 (ja) | 携帯情報端末 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191204 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20201016 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210202 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210402 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20210427 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20210726 |