JP2020028095A - 振動デバイス、振動デバイスの製造方法、電子機器および移動体 - Google Patents
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Abstract
Description
半導体基板、および、前記振動片と電気的に接続されている回路部、を備えるIC基板と、
前記半導体基板に直接接合されているリッドと、
を有し、
前記半導体基板および前記リッドはそれぞれP型半導体であるか、または、前記半導体基板および前記リッドはそれぞれN型半導体である。
≪第1実施形態≫
まず、本発明の振動デバイスの第1実施形態について説明する。
図1は、本発明の振動デバイスの第1実施形態を示す分解斜視図である。図2は、図1に示す振動デバイスが備えるIC(Integrated Circuit)基板を示す平面図である。図3は、図1に示す振動デバイスの断面図である。図4は、図2に示すIC基板に形成されている回路を示すブロック図である。図5は、図4に示す回路の一部を示す回路図である。
振動片2は、例えばATカットと呼ばれるカット角で切り出された水晶素板を備えている。なお、ATカットとは、水晶の結晶軸であるX軸とZ軸とを含む平面(Y面)をX軸回りにZ軸から反時計方向に約35度15分程度回転させて得られる主面を有するように切り出されていることをいう。また、振動片2の主面は、X軸に平行な長軸を有する長方形をなしている。
半導体基板31は、P型半導体であって、導電性を有する。このような半導体基板31は、振動片2を支持したり回路部32を形成したりするためのベース基板として用いられる。
図5に示す発振回路322は、破線で囲んだ領域である。発振回路322により、振動片2を発振させることができる。
次に、本発明の振動デバイスの第2実施形態について説明する。
図6は、本発明の振動デバイスの第2実施形態を示す断面図である。
さらに、本実施形態では、リッド4もN型半導体であって、導電性を有する。
以上のような第2実施形態においても、第1実施形態と同様の効果が得られる。
次に、本発明の振動デバイスの第3実施形態について説明する。
図7は、本発明の振動デバイスの第3実施形態を示す断面図である。
なお、図7では、半導体基板31が電源電位Vddに接続され、コンデンサー電極35がグランド電位GNDに接続されているが、図7とは反対に、半導体基板31がグランド電位GNDに接続され、コンデンサー電極35が電源電位Vddに接続されていてもよい。
次に、本発明の振動デバイスの第4実施形態について説明する。
図8は、本発明の振動デバイスの第4実施形態が備えるIC基板を示す平面図である。図9は、図8に示すIC基板を備える振動デバイスの断面図である。図10は、図8に示すIC基板に形成されている回路の一部を示す回路図である。
以上のような第4実施形態においても、第1〜第3実施形態と同様の効果が得られる。
次に、本発明の振動デバイスの製造方法の実施形態について説明する。
図11は、本発明の振動デバイスの製造方法の実施形態を説明するための工程図である。図12〜図17は、それぞれ図11に示す製造方法を説明するための図である。なお、以下の説明では、図3に示す振動デバイス1の製造方法を例に説明する。また、以下の説明では、半導体基板31およびリッド4が、それぞれシリコンを主材料とする場合を例に説明する。
[1−1]IC基板3の製造
まず、図12に示すように、IC基板3を形成するためのシリコン基板30を用意する。本実施形態に係るシリコン基板30は、P型半導体である。なお、シリコン基板30は、N型半導体であってもよい。また、このシリコン基板30には、あらかじめ回路部32を形成しておく。
次に、必要に応じて研磨処理を施す。これにより、シリコン基板30が薄板化される。
以上のようにして、図15に示すIC基板3が得られる。
次に、振動片2を用意し、IC基板3に載置する。そして、図16に示すように、バンプ6を介して、振動片2とIC基板3との間を接続する。
[2−1]リッド4の製造
次に、リッド4を形成するための図示しないシリコン基板を用意する。本実施形態に係るリッド4は、P型半導体である。なお、前述した半導体基板31がN型半導体である場合、リッド4はN型半導体とされる。すなわち、リッド4の半導体の極性は、シリコン基板30と同じに設定される。
以上のようにしてリッド4が得られる。
次に、図17に示すように、リッド4の凹部41に振動片2が収まるように、半導体基板31とリッド4とを重ねて積層体10を得る。
図18は、本発明の電子機器の実施形態であるモバイル型のパーソナルコンピューターを示す斜視図である。
図19において、携帯電話機1200は、図示しないアンテナ、複数の操作ボタン1202、受話口1204および送話口1206を備え、操作ボタン1202と受話口1204との間には、表示部1208が配置されている。このような携帯電話機1200にはフィルター、共振器、基準クロック等として機能する振動デバイス1が内蔵されている。
図21は、本発明の移動体の実施形態である自動車を示す斜視図である。
Claims (13)
- 振動片と、
半導体基板、および、前記振動片と電気的に接続されている回路部、を備えるIC基板と、
前記半導体基板に直接接合されているリッドと、
を有し、
前記半導体基板および前記リッドはそれぞれP型半導体であるか、または、前記半導体基板および前記リッドはそれぞれN型半導体であることを特徴とする振動デバイス。 - 前記半導体基板および前記リッドは、それぞれシリコンを主材料とする請求項1に記載の振動デバイス。
- 前記IC基板は、前記振動片と電気的に接続されているマウント電極を備えており、
前記半導体基板の表面に設けられている絶縁膜と、
前記絶縁膜の前記半導体基板とは反対側に設けられ、前記マウント電極の面積よりも大きい面積を持つコンデンサー電極と、
を有する請求項1または2に記載の振動デバイス。 - 前記半導体基板および前記リッドは、それぞれN型半導体であり、
前記半導体基板は電源電位に接続され、前記コンデンサー電極はグランド電位に接続されている請求項3に記載の振動デバイス。 - 前記半導体基板および前記リッドは、それぞれP型半導体であり、
前記半導体基板はグランド電位に接続され、前記コンデンサー電極は電源電位に接続されている請求項3に記載の振動デバイス。 - 前記マウント電極と前記グランド電位との間に設けられている周波数調整用コンデンサーを有し、
前記周波数調整用コンデンサーは、前記絶縁膜、前記コンデンサー電極および前記半導体基板により構成されている請求項5に記載の振動デバイス。 - 前記電源電位と前記グランド電位との間に設けられているデカップリングコンデンサーを有し、
前記デカップリングコンデンサーは、前記絶縁膜、前記コンデンサー電極および前記半導体基板により構成されている請求項4または5に記載の振動デバイス。 - 前記絶縁膜は、前記半導体基板の表面のうち前記振動片に対向する第1面に設けられている請求項7に記載の振動デバイス。
- 前記絶縁膜は、前記半導体基板の表面のうち前記振動片に対向する第1面とは反対側の第2面に設けられている請求項7に記載の振動デバイス。
- 前記回路部は、前記振動片を駆動する回路を含む請求項1ないし9のいずれか1項に記載の振動デバイス。
- 半導体基板および回路部を備えるIC基板に振動片を載置し、前記回路部と前記振動片とを電気的に接続する工程と、
前記振動片を介して前記IC基板とリッドとを重ねて、前記半導体基板と前記リッドとを直接接合する工程と、
を有し、
前記半導体基板および前記リッドはそれぞれP型半導体であるか、または、前記半導体基板および前記リッドはそれぞれN型半導体であることを特徴とする振動デバイスの製造方法。 - 請求項1ないし10のいずれか1項に記載の振動デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
- 請求項1ないし10のいずれか1項に記載の振動デバイスを備えることを特徴とする移動体。
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---|---|---|---|---|
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1098121A (ja) * | 1996-08-29 | 1998-04-14 | Harris Corp | 集積回路及びパッケージング方法 |
JPH1197564A (ja) * | 1997-09-24 | 1999-04-09 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2008131197A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電振動子及び圧電振動子の製造方法 |
JP2008193175A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-21 | Citizen Miyota Co Ltd | 圧電デバイス |
JP2017092515A (ja) * | 2015-11-02 | 2017-05-25 | セイコーエプソン株式会社 | 集積回路装置、電子デバイス、電子機器、および基地局 |
JP2017139717A (ja) * | 2016-02-02 | 2017-08-10 | 新日本無線株式会社 | 圧電発振器及びその製造方法 |
JP2018026649A (ja) * | 2016-08-09 | 2018-02-15 | 新日本無線株式会社 | 発振装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (21)
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---|---|---|---|---|
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JP3379285B2 (ja) * | 1995-05-16 | 2003-02-24 | 株式会社村田製作所 | 高周波フィルタ |
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JP2011147053A (ja) * | 2010-01-18 | 2011-07-28 | Seiko Epson Corp | 圧電振動片、圧電発振器 |
JP2011223234A (ja) | 2010-04-08 | 2011-11-04 | Seiko Epson Corp | 圧電振動子、圧電デバイス、貫通電極構造、半導体装置、半導体パッケージ |
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JP2017011211A (ja) * | 2015-06-25 | 2017-01-12 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
JP6836121B2 (ja) * | 2016-08-19 | 2021-02-24 | セイコーエプソン株式会社 | 実装構造体、超音波デバイス、超音波探触子、超音波装置、電子機器、及び実装構造体の製造方法 |
JP2019114937A (ja) * | 2017-12-25 | 2019-07-11 | セイコーエプソン株式会社 | 振動デバイス、電子機器および移動体 |
JP2019121944A (ja) * | 2018-01-09 | 2019-07-22 | セイコーエプソン株式会社 | 振動デバイス、回路装置、振動デバイスの製造方法、電子機器及び移動体 |
JP6687049B2 (ja) * | 2018-03-12 | 2020-04-22 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、電子デバイス用回路基板、電子機器、移動体 |
JP7287116B2 (ja) * | 2019-05-30 | 2023-06-06 | セイコーエプソン株式会社 | 振動デバイスおよび電子機器 |
-
2018
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2019
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1098121A (ja) * | 1996-08-29 | 1998-04-14 | Harris Corp | 集積回路及びパッケージング方法 |
JPH1197564A (ja) * | 1997-09-24 | 1999-04-09 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2008131197A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電振動子及び圧電振動子の製造方法 |
JP2008193175A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-21 | Citizen Miyota Co Ltd | 圧電デバイス |
JP2017092515A (ja) * | 2015-11-02 | 2017-05-25 | セイコーエプソン株式会社 | 集積回路装置、電子デバイス、電子機器、および基地局 |
JP2017139717A (ja) * | 2016-02-02 | 2017-08-10 | 新日本無線株式会社 | 圧電発振器及びその製造方法 |
JP2018026649A (ja) * | 2016-08-09 | 2018-02-15 | 新日本無線株式会社 | 発振装置及びその製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11863157B2 (en) | 2020-02-28 | 2024-01-02 | Seiko Epson Corporation | Vibrator device |
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