JP2020013813A - 接合装置および接合方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】基板同士を接合する接合装置において、基板間の位置ずれを抑制することができる技術を提供する。【解決手段】本開示による接合装置は、第1保持部と、第2保持部と、撮像ユニットと、移動機構とを備える。第1保持部は、第1基板を保持する。第2保持部は、第1保持部と対向配置され、第1基板に接合される第2基板を保持する。撮像ユニットは、第1基板の第2基板との対向面に形成された第1アライメントマークを撮像する第1撮像部、および、第2基板の第1基板との対向面に形成された第2アライメントマークを撮像する第2撮像部を含む。移動機構は、第1保持部と第2保持部との間の平面領域内において、撮像ユニットを第1方向および第1方向と交差する第2方向に沿って移動させる。【選択図】図3

Description

本開示は、接合装置および接合方法に関する。
従来、半導体ウェハやガラス基板等の基板同士を接合する技術が知られている。たとえば、特許文献1には、第1保持部を用いて第1基板を保持し、第1保持部と対向配置された第2保持部を用いて第2基板を保持した後、第1保持部および第2保持部を接近させることにより、第1基板と第2基板とを接合する接合装置が開示されている。
特開2016−134446号公報
本開示は、基板同士を接合する接合装置において、基板間の位置ずれを抑制することができる技術を提供する。
本開示の一態様による接合装置は、第1保持部と、第2保持部と、撮像ユニットと、移動機構とを備える。第1保持部は、第1基板を保持する。第2保持部は、第1保持部と対向配置され、第1基板に接合される第2基板を保持する。撮像ユニットは、第1基板の第2基板との対向面に形成された第1アライメントマークを撮像する第1撮像部、および、第2基板の第1基板との対向面に形成された第2アライメントマークを撮像する第2撮像部を含む。移動機構は、第1保持部と第2保持部との間の平面領域内において、撮像ユニットを第1方向および第1方向と交差する第2方向に沿って移動させる。
本開示によれば、基板同士を接合する接合装置において、基板間の位置ずれを抑制することができる。
図1は、実施形態に係る接合システムの構成例を示す図である。 図2は、実施形態に係る真空接合ブロックの構成例を示す図である。 図3は、実施形態に係る真空接合装置の構成例を示す図である。 図4は、実施形態に係る真空接合装置の構成例を示す図である。 図5は、撮像ユニットの構成例を示す図である。 図6は、真空接合装置において実行される一連の処理の手順の一例を示すフローチャートである。 図7は、広域撮像処理の動作例を示す図である。 図8は、プリアライメント処理の動作例を示す図である。 図9は、第1チャックマーク撮像処理の動作例を示す図である。 図10は、第2チャックマーク撮像処理の動作例を示す図である。 図11は、第2ファインアライメント処理の動作例を示す図である。
以下に、本開示による接合装置および接合方法を実施するための形態(以下、「実施形態」と記載する)について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示による接合装置および接合方法が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。
<接合システムの構成>
まず、実施形態に係る接合システムの構成について図1を参照して説明する。図1は、実施形態に係る接合システムの構成例を示す図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸方向、Y軸方向およびZ軸方向を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。
図1に示す実施形態に係る接合システム100は、第1基板W1と第2基板W2とを接合することによって重合基板Tを形成する。
図1に示すように、接合システム100は、搬入出ブロック1と、受渡ブロック2と、搬送ブロック3と、表面処理ブロック4と、常圧接合ブロック5と、真空接合ブロック6とを備える。
搬入出ブロック1は、載置台7と、搬送領域8とを備える。載置台7は、複数(たとえば、4つ)のカセット載置板101を備える。各カセット載置板101にはそれぞれカセットC1〜C4が配置される。カセットC1〜C4は、複数枚(たとえば、25枚)の基板を水平状態で収容可能である。カセットC1は複数枚の第1基板W1を収容し、カセットC2は複数枚の第2基板W2を収容し、カセットC3は、複数枚の重合基板Tを収容する。また、カセットC4は、たとえば、不具合が生じた基板を回収するためのカセットである。
搬送領域8は、載置台7に隣接して配置される。搬送領域8には、Y軸方向に沿って延在する搬送路102と、この搬送路102に沿って移動可能な搬送装置103とが設けられる。搬送装置103は、X軸方向にも移動可能かつZ軸まわりに旋回可能であり、カセットC1〜C4および受渡ブロック2に対して第1基板W1、第2基板W2および重合基板Tの搬入出を行う。
受渡ブロック2は、搬入出ブロック1に隣接して設けられる。受渡ブロック2は、受渡部104を備える。受渡部104は、複数枚の第1基板W1、第2基板W2および重合基板Tを多段に収容可能である。
搬送ブロック3は、受渡ブロック2に隣接して設けられる。搬送ブロック3には、たとえば、X軸方向に沿って延在する搬送路105と、この搬送路105に沿って移動可能な搬送装置106とが設けられる。搬送装置106は、Y軸方向にも移動可能かつZ軸まわりに旋回可能であり、受渡ブロック2、表面処理ブロック4、常圧接合ブロック5および真空接合ブロック6に対して第1基板W1、第2基板W2および重合基板Tの搬入出を行う。
表面処理ブロック4、常圧接合ブロック5および真空接合ブロック6は、搬送ブロック3に隣接して設けられる。
表面処理ブロック4には、たとえば、表面親水化装置と表面改質装置とが配置される。表面親水化装置は、第1基板W1および第2基板W2の接合面に対して純水などの親水化処理液を供給することにより、これらの接合面を親水化する。表面改質装置は、第1基板W1および第2基板W2の接合面を処理ガスのプラズマによって改質する。
常圧接合ブロック5には、第1基板W1と第2基板W2とを常圧雰囲気下において接合する常圧接合装置が配置される。なお、表面親水化装置、表面改質装置および常圧接合装置の構成は特に限定されないが、たとえば、特許第6040123号等に記載された表面親水化装置、表面改質装置および接合装置の構成が採用され得る。
真空接合ブロック6では、第1基板W1と第2基板W2とを減圧雰囲気下において接合する真空接合装置が配置される。真空接合ブロック6および真空接合装置の構成については、後述する。
また、接合システム100は、制御装置200を備える。制御装置200は、接合システム100の動作を制御する。かかる制御装置200は、たとえばコンピュータであり、図示しない制御部と記憶部とを備える。記憶部は、たとえばRAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)、ハードディスクといった記憶デバイスで構成されており、接合処理等の各種処理を制御するプログラムを格納する。制御部は、たとえばCPU(Central Processing Unit)であり、記憶部に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって接合システム100の動作を制御する。
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体に記録されていたものであって、その記録媒体から制御装置200の記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記録媒体としては、たとえばハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルディスク(MO)、メモリカードなどがある。
<真空接合ブロックの構成>
次に、真空接合ブロック6の構成について図2を参照して説明する。図2は、実施形態に係る真空接合ブロック6の構成例を示す図である。
図2に示すように、真空接合ブロック6には、受渡部108と、搬送装置109と、真空接合装置110とが配置される。
受渡部108は、搬送ブロック3と搬送装置109との間に配置される。受渡部108は、第1基板W1、第2基板W2および重合基板Tを保持可能である。たとえば、受渡部108は、第1基板W1を上方から吸着保持する吸着保持部と、第2基板W2を下方から支持する複数(たとえば、3つ)の支持ピンとを備える。搬送ブロック3に配置される搬送装置106は、第1基板W1の接合面を下方に向けた状態で、受渡部108が備える吸着保持部に第1基板W1を受け渡す。また、搬送装置106は、第2基板W2の接合面を上方に向けた状態で、受渡部108が備える複数の支持ピンに第2基板W2を受け渡す。また、搬送装置106は、後述する搬送装置109によって受渡部108の複数の支持ピンに受け渡された重合基板Tを受け取って受渡ブロック2の受渡部104へ搬送する。
搬送装置109は、水平方向に沿って伸縮可能なアーム部とZ軸まわりに旋回可能な基部とを備え、受渡部108および真空接合装置110に対して第1基板W1、第2基板W2および重合基板Tの搬入出を行う。
たとえば、搬送装置109は、受渡部108の吸着保持部に保持された第1基板W1を下方から支持することによって受渡部108から受け取り、受け取った第1基板W1を真空接合装置110へ搬入する。また、搬送装置109は、受渡部108の複数の支持ピンに支持された第2基板W2を下方から支持することによって受渡部108から受け取り、受け取った第2基板W2を真空接合装置110へ搬入する。また、搬送装置109は、真空接合装置110から重合基板Tを搬出して受渡部108の複数の支持ピンに受け渡す。
真空接合装置110は、密閉された処理空間を内部に形成可能なチャンバ10を備える。真空接合装置110は、第1基板W1と第2基板W2とをチャンバ10に収容した後、チャンバ10内を減圧する。そして、真空接合装置110は、第1基板W1と第2基板W2とを減圧雰囲気下で接合する。
また、真空接合装置110は、第1基板W1および第2基板W2の接合面に設けられたアライメントマークを撮像する撮像ユニット50と、撮像ユニット50を移動させる移動機構60とを備える。移動機構60は、X軸方向に沿って撮像ユニット50を移動可能であるとともに、Y軸方向に沿って撮像ユニット50を移動させることも可能である。以下、真空接合装置110の構成について具体的に説明する。
<真空接合装置の構成>
図3および図4は、実施形態に係る真空接合装置110の構成例を示す図である。なお、図3は、真空接合装置110をX軸方向に沿って見た図であり、図4は、真空接合装置110をY軸方向に沿って見た図である。
図3および図4に示すように、真空接合装置110は、チャンバ10と、第1保持部20と、第2保持部30と、昇降部40と、撮像ユニット50と、移動機構60と、複数の第3撮像部70と、複数の光源80とを備える。
チャンバ10は、第1容器11と、第2容器12と、開閉機構13とを備える。第1容器11は、第2保持部30と対向する側すなわち下方が開放された凹状に形成され、第1保持部20を内部に収容する。第2容器12は、第1保持部20と対向する側すなわち上方が開放された凹状に形成され、第2保持部30を内部に収容する。開閉機構13は、第1容器11を鉛直方向に沿って移動させる。かかるチャンバ10は、開閉機構13により第1容器11を移動させて第2容器12と当接させることによって、密閉された処理空間を内部に形成する。
第1容器11の天井部には、第1容器11を上下に貫通する複数の貫通孔111が形成される。複数の貫通孔111は、第1保持部20の径方向外方に形成される。各貫通孔111は、透明部材112によって塞がれた状態となっている。透明部材112は、たとえば石英ガラス等で形成され、貫通孔111の下部、すなわち、処理空間側に寄せて配置される。
第2容器12の底部には、第2容器12を上下に貫通する複数の貫通孔121が形成される。複数の貫通孔121は、第2保持部30の径方向外方であって複数の貫通孔111と対向する位置に形成される。各貫通孔121は、透明部材122によって塞がれた状態となっている。透明部材122は、たとえば石英ガラス等で形成される。
また、第2容器12の底部中央には、第2容器12を上下に貫通する貫通孔123が形成される。貫通孔123には、後述するシャフト31が挿通される。また、第2容器12の下面中央には、円筒状のベローズ124の一端が接続される。ベローズ124は、貫通孔123の周囲を取り囲むように設けられる。ベローズ124の他端は、後述する昇降部40の支持板41の上面に接続される。
第2容器12の底部には、チャンバ10内を吸気するための排気管16が接続される。排気管16は、真空ポンプ等の排気装置17に接続される。
開閉機構13は、複数(たとえば、2つ)のシャフト131と、複数の駆動部132とを備える。シャフト131は、鉛直方向に沿って延在し、第1容器11の外周部から外方に向かって突出するフランジ部113に先端部が接続される。駆動部132は、シャフト131を鉛直方向に沿って移動させる。駆動部132は、第2容器12よりも下方に設置されたベースプレート14の上面に固定される。
第1保持部20は、第1基板W1を吸着保持する保持部であり、保持面を下方に向けた状態で、第1容器11の内部に収容される。第1基板W1は、第2基板W2との接合面を下方に向けた状態で第1保持部20に保持される。
第1保持部20は、たとえば、図示しない内部電極を有し、内部電極に電圧を印加することによって発生する静電気力を用いて第1基板W1を保持面に吸着させることができる。また、第1保持部20は、図示しない吸引管を介して真空ポンプ等の図示しない吸引装置に接続されており、吸引装置が発生させる吸引力によって第1基板W1を保持面に吸着させることができる。
第1保持部20の上部には、第1保持部20の水平位置を調整する調整部21が設けられる。調整部21は、第1保持部20をX軸方向またはY軸方向に移動させることができる。また、調整部21は、第1保持部20を鉛直軸周りに回転させることができる。すなわち、調整部21は、第1保持部20の水平方向における向きを変更することができる。
第1保持部20の外周部には、複数の透明部材22が設けられる。透明部材22は、たとえば石英ガラス等で形成される。各透明部材22には、後述する第2ファインアライメント処理に用いられるアライメントマーク(以下、「第1チャックマーク」と記載する)が、たとえば金属蒸着等によって形成される。
第2保持部30は、第2基板W2を吸着保持する保持部であり、保持面を上方に向けた状態で、第2容器12の内部に収容される。第2基板W2は、第1基板W1との接合面を上方に向けた状態で第2保持部30に保持される。第1保持部20と同様、第2保持部30も静電気力または吸引力を用いて第2基板W2を保持面に吸着させることができる。
第2保持部30の下部には、鉛直方向に延在するシャフト31の先端が接続される。シャフト31は、第2容器12の貫通孔123に挿通され、ベローズ124によって周囲を覆われた状態となっている。シャフト31の下端部は、後述する昇降部40の支持板41に接続される。
第2保持部30の外周部には、複数の透明部材32が設けられる。透明部材32は、たとえば石英ガラス等で形成される。透明部材22と同様、各透明部材32には、後述する第2ファインアライメント処理に用いられる第2チャックマークが、たとえば金属蒸着等によって形成される。
昇降部40は、支持板41と、複数の支柱部材42と、複数の駆動部43とを備える。支持板41は、第2容器12とベースプレート14との間に配置される平板である。支柱部材42は、先端側において支持板41に接続され、他端側において駆動部43に接続される。駆動部43は、支柱部材42を鉛直方向に沿って移動させる。駆動部43は、ベースプレート14に固定される。
昇降部40は、複数の駆動部43を用いて複数の支柱部材42および支持板41を上昇させることにより、支持板41に接続されたシャフト31およびシャフト31に接続された第2保持部30を上昇させる。また、昇降部40は、複数の支柱部材42を個別に移動させることによって、第2保持部30の水平度を調整することができる。
撮像ユニット50は、第1基板W1に設けられたアライメントマークおよび第2基板W2に設けられたアライメントマークを撮像する。ここで、撮像ユニット50の構成について図5を参照して説明する。図5は、撮像ユニットの構成例を示す図である。
図5に示すように、撮像ユニット50には、第1撮像部51と、第2撮像部52と、第1変位センサ53と、第2変位センサ54とが一体的に設けられている。
第1撮像部51は、第1基板W1の下面に設けられた第1アライメントマークを撮像する。具体的には、第1撮像部51は、第1広域用撮像部511と、第1局所用撮像部512とを含む。第1広域用撮像部511は、第1広域用対物レンズ513と、第1広域用対物レンズ513の高さ位置を調整する第1広域用フォーカス部514とを備える。また、第1局所用撮像部512は、第1局所用対物レンズ515と、第1局所用対物レンズ515の高さ位置を調整する第1局所用フォーカス部516とを備える。第1広域用対物レンズ513は、たとえばマクロレンズであり、第1局所用対物レンズ515は、第1広域用対物レンズ513よりも倍率が高いマイクロレンズである。
第1撮像部51は、第1広域用撮像部511を用いることで、第1基板W1の下面を比較的広い範囲で撮像することができる。また、第1撮像部51は、第1局所用撮像部512を用いることで、第1基板W1の下面に設けられた第1アライメントマークを第1広域用撮像部511よりも高精細に撮像することができる。また、第1撮像部51は、第1広域用フォーカス部514および第1局所用フォーカス部516を用いることで、第1広域用対物レンズ513および第1局所用対物レンズ515の焦点を第1基板W1の下面に合わせることができる。
第2撮像部52は、第2基板W2の上面に設けられた第2アライメントマークを撮像する。具体的には、第2撮像部52は、第2広域用撮像部521と、第2局所用撮像部522とを含む。第2広域用撮像部521は、第2広域用対物レンズ523と、第2広域用対物レンズ523の高さ位置を調整する第2広域用フォーカス部524とを備える。また、第2局所用撮像部522は、第2局所用対物レンズ525と、第2局所用対物レンズ525の高さ位置を調整する第2局所用フォーカス部526とを備える。第2広域用対物レンズ523は、たとえばマクロレンズであり、第2局所用対物レンズ525は、第2広域用対物レンズ523よりも倍率が高いマイクロレンズである。
第2撮像部52は、第2広域用撮像部521を用いることで、第2基板W2の上面を比較的広い範囲で撮像することができる。また、第2撮像部52は、第2局所用撮像部522を用いることで、第2基板W2の上面に設けられた第2アライメントマークを第2広域用撮像部521よりも高精細に撮像することができる。また、第2撮像部52は、第2広域用フォーカス部524および第2局所用フォーカス部526を用いることで、第2広域用対物レンズ523および第2局所用対物レンズ525の焦点を第2基板W2の上面に合わせることができる。
第1広域用撮像部511および第1局所用撮像部512は、第1広域用対物レンズ513および第1局所用対物レンズ515を上方に向けた状態で、後述する移動機構60の取付部65に取り付けられる。また、第2広域用撮像部521および第2局所用撮像部522は、後述する移動機構60の取付部65に対し、第1広域用撮像部511および第1局所用撮像部512と上下対称に配置される。すなわち、第2広域用撮像部521は、第2広域用対物レンズ523を下方に向けた状態で、第1広域用撮像部511の下方に配置される。また、第2局所用撮像部522は、第2局所用対物レンズ525を下方に向けた状態で、第1局所用撮像部512の下方に配置される。
撮像ユニット50は、上記のように構成されており、第1基板W1に設けられた第1アライメントマークと第2基板W2に設けられた第2アライメントマークとを第1撮像部51および第2撮像部52を用いて同時に撮像することができる。
第1広域用撮像部511が有する第1広域用対物レンズ513の光軸と、第2広域用撮像部521が有する第2広域用対物レンズ523の光軸とは、いずれも鉛直方向に延在し、かつ、同一直線上に配置される。これにより、たとえば第1基板W1上のある座標を中心とする領域を第1広域用撮像部511により撮像したときに、その座標と同じ座標を中心とする第2基板W2上の領域を第2広域用撮像部521により撮像することができる。このため、後述するプリアライメント処理において、第1基板W1に設けられた第1アライメントマークの位置を第2基板W2に設けられた第2アライメントマークの位置に合わせ込む処理が容易である。
同様に、第1局所用撮像部512が有する第1局所用対物レンズ515の光軸と、第2局所用撮像部522が有する第2局所用対物レンズ525の光軸とは、いずれも鉛直方向に延在し、かつ、同一直線上に配置される。これにより、第1基板W1上のある座標を中心とする領域を第1局所用撮像部512により撮像したときに、その座標と同じ座標を中心とする第2基板W2上の領域を第2局所用撮像部522により撮像することができる。このため、後述する第1ファインアライメント処理において、第1基板W1に設けられた第1アライメントマークの位置を第2基板W2に設けられた第2アライメントマークの位置に合わせ込む処理が容易である。
第1変位センサ53および第2変位センサ54は、たとえば、レーザ変位計である。第1変位センサ53は、第1基板W1の下面にレーザ光を照射し、その反射光を受光することで、第1基板W1の下面までの距離を計測する。同様に、第2変位センサ54は、第2基板W2の上面にレーザ光を照射し、その反射光を受光することで、第2基板W2の上面までの距離を計測する。第1変位センサ53は、第1広域用撮像部511と第1局所用撮像部512との間に配置され、第2変位センサ54は、第2広域用撮像部521と第2局所用撮像部522との間に配置される。
図3および図4に戻り、移動機構60について説明する。移動機構60は、第1保持部20と第2保持部30との間の平面領域において、撮像ユニット50をX軸方向およびY軸方向に沿って移動させる。
アライメントマークは、基板に対して常に同じ位置に設けられるとは限らず、たとえば基板の外周部に設けられることもあれば、基板のより内側に設けられることもある。実施形態に係る真空接合装置110によれば、移動機構60を用いることで、アライメントマークがどの位置に設けられていても、その位置まで撮像ユニット50を移動させることができる。
また、移動機構60は、第1撮像部51と第2撮像部52とを一体的に移動させるため、移動に起因する第1撮像部51および第2撮像部52間の撮像位置のずれを生じ難くすることができる。
図3および図4に示すように、移動機構60は、門型の形状を有しており、一対の第1延在部61,61、一対の脚部62,62、一対の第1駆動部63,63、第2延在部64、取付部65および第2駆動部66を備える。
一対の第1延在部61,61は、たとえばボールネジおよびリニアガイド等を含んで構成される。一対の第1延在部61,61は、ベースプレート14上に固定されて、X軸方向に沿って延在する。
一対の第1延在部61,61は、チャンバ10よりも外側かつ開閉機構13よりも内側に配置される。具体的には、一対の第1延在部61,61のうち一方の第1延在部61は、チャンバ10のY軸負方向側かつ開閉機構13のY軸正方向側に配置され、他方の第1延在部61は、チャンバ10のY軸正方向側かつ開閉機構13のY軸負方向側に配置される。
一対の脚部62,62は、鉛直方向に沿って延在する部材であり、一対の第1延在部61,61に接続される。一対の第1駆動部63,63は、たとえばモータを含んで構成され、一対の第1延在部61,61に沿って一対の脚部62,62を移動させる。
第2延在部64は、たとえばボールネジおよびリニアガイド等を含んで構成される。第2延在部64は、一対の脚部62,62に架け渡され、Y軸方向に沿って延在する。
取付部65は、第2延在部64に接続される。取付部65には、撮像ユニット50が取り付けられる。第2駆動部66は、たとえばモータを含んで構成され、第2延在部64に沿って取付部65および取付部65に取り付けられた撮像ユニット50を移動させる。
かかる移動機構60によれば、一対の脚部62,62をX軸方向に沿って移動させることで、撮像ユニット50を、第1保持部20と第2保持部30との間における撮像位置と、チャンバ10外方における退避位置との間で移動させることができる。また、移動機構60によれば、一対の脚部62,62をX軸方向に沿って移動させるとともに、取付部65をY軸方向に沿って移動させることで、第1保持部20と第2保持部30との間の平面領域において、撮像ユニット50を様々な撮像位置に配置させることができる。
図3に示すように、第3撮像部70は、チャンバ10における第1容器11の上部に昇降機構71を介して固定される。昇降機構71は、第3撮像部70の高さ位置を調整する。また、第3撮像部70は、対物レンズ72を有する。対物レンズ72の少なくとも一部は、第1容器11に形成された貫通孔111の内部に配置された状態となっている。
このように、実施形態に係る真空接合装置110では、第1容器11に貫通孔111を設けて、かかる貫通孔111の内部に第3撮像部70の対物レンズ72を配置することとした。これにより、観察対象である透明部材22,32上の第1チャックマークおよび第2チャックマークに対物レンズ72をより近付けることができる。このため、対物レンズ72の焦点距離が短い場合であっても、対物レンズ72の焦点を第1チャックマークおよび第2チャックマークに適切に合わせることができる。
第3撮像部70は、透明部材22に形成された第1チャックマークを透明部材112を介して撮像する。また、第3撮像部70は、透明部材32に形成された第2チャックマークを透明部材112および透明部材22を介して撮像する。
光源80は、光軸を鉛直上方に向けた状態で、チャンバ10における第2容器12の下方に配置される。光源80は、透明部材122を介して処理空間内に光を照射する。光源80から照射される光は、たとえば赤外光である。なお、光源80から照射される光は、レーザ光であってもよい。
光源80から透明部材122を介して処理空間内に照射された光は、透明部材32、透明部材22および透明部材112を介して第3撮像部70の対物レンズ72に入射する。
<真空接合装置の具体的動作>
次に、真空接合装置110において実行される一連の処理の手順について図6〜図11を参照して説明する。図6は、真空接合装置110において実行される一連の処理の手順の一例を示すフローチャートである。また、図7は広域撮像処理の動作例を示す図であり、図8はプリアライメント処理の動作例を示す図である。また、図9は第1チャックマーク撮像処理の動作例を示す図であり、図10は第2チャックマーク撮像処理の動作例を示す図であり、図11は第2ファインアライメント処理の動作例を示す図である。
なお、図6に示す各処理手順は、制御装置200の記憶部に格納されているプログラムを制御装置200の制御部が読み出すとともに、読み出した命令に基づいて制御部が真空接合装置110を制御することにより実行される。また、図6には、第1保持部20に第1基板W1が保持され、第2保持部30に第2基板W2が保持された後の各処理手順を示している。ステップS101の開始前において、チャンバ10は開いた状態、すなわち、第1容器11が上昇した状態となっている。
図6に示すように、真空接合装置110では、まず、厚み測定処理が行われる(ステップS101)。厚み測定処理では、まず、撮像ユニット50をチャンバ10外方の退避位置から第1保持部20と第2保持部30との間の厚み測定位置まで移動させる。つづいて、撮像ユニット50から第1基板W1の下面までの距離を第1変位センサ53を用いて計測するとともに、撮像ユニット50から第2基板W2の上面までの距離を第2変位センサ54を用いて計測する。第1変位センサ53および第2変位センサ54による計測結果は、制御装置200に出力される。
制御装置200は、第1変位センサ53による計測結果と、予め取得しておいた撮像ユニット50から第1保持部20の保持面までの距離とを用いて第1基板W1の厚みを算出する。同様に、制御装置200は、第2変位センサ54による計測結果と、予め取得しておいた撮像ユニット50から第2保持部30の保持面までの距離とを用いて第2基板W2の厚みを算出する。
つづいて、真空接合装置110では、広域撮像処理が行われる(ステップS102)。広域撮像処理では、まず、移動機構60を用いて、たとえば、第2基板W2の第2アライメントマークM2が形成される位置として予め決められた撮像位置に撮像ユニット50の第2広域用撮像部521を移動させる。その後、撮像ユニット50の第1広域用撮像部511を用いて第1基板W1の第1アライメントマークM1を撮像し、第2広域用撮像部521を用いて第2基板W2の第2アライメントマークM2を撮像する(図7参照)。第1広域用撮像部511および第2広域用撮像部521の撮像結果は、制御装置200に出力される。
つづいて、真空接合装置110では、プリアライメント処理が行われる(ステップS103)。プリアライメント処理では、第1広域用撮像部511および第2広域用撮像部521の撮像結果に基づき、調整部21を制御することによって第1保持部20の水平位置を調整する(図8参照)。
たとえば、第1アライメントマークM1は、クロス形状を有し、第2アライメントマークM2は、四角形の内部をクロス形状にくり抜いた形状を有する。プリアライメント処理では、調整部21を用いて第1保持部20の水平位置を調整することにより、第1アライメントマークM1のクロス形状と第2アライメントマークM2のクロス形状とを一致させる。なお、ステップS102およびステップS103の処理は、たとえば、第1アライメントマークM1の位置と第2アライメントマークM2の位置とのずれ量が閾値以内となるまで、複数回繰り返されても良い。
つづいて、真空接合装置110では、局所撮像処理が行われる(ステップS104)。局所撮像処理では、まず、移動機構60を用いて、たとえば、広域撮像処理によって検出された第2アライメントマークM2の位置に撮像ユニット50の第2局所用撮像部522を移動させる。その後、第1基板W1の下面に設けられた第1アライメントマークM1を、撮像ユニット50の第1局所用撮像部512を用いて撮像する。また、第2基板W2の上面に設けられた第2アライメントマークM2を、撮像ユニット50の第2局所用撮像部522を用いて撮像する。第1局所用撮像部512および第2局所用撮像部522の撮像結果は、制御装置200に出力される。
つづいて、真空接合装置110では、第1ファインアライメント処理が行われる(ステップS105)。第1ファインアライメント処理では、第1局所用撮像部512および第2局所用撮像部522の撮像結果に基づき、調整部21を制御することによって第1保持部20の水平位置をさらに調整する。これにより、第1基板W1と第2基板W2とが位置決めされた状態となる。なお、ステップS104およびステップS105の処理は、たとえば、第1アライメントマークM1の位置と第2アライメントマークM2の位置とのずれ量が閾値以内となるまで、複数回繰り返されても良い。
つづいて、真空接合装置110では、第1チャックマーク撮像処理が行われる(ステップS106)。第1チャックマーク撮像処理では、まず、移動機構60を用いて、たとえば、透明部材32に設けられた第2チャックマークM4が設けられる位置として予め決められた撮像位置に撮像ユニット50の第2局所用撮像部522を移動させる。その後、撮像ユニット50の第1局所用撮像部512を用いて透明部材22の第1チャックマークM3を撮像し、第2局所用撮像部522を用いて透明部材32の第2チャックマークM4を撮像する(図9参照)。第1局所用撮像部512および第2局所用撮像部522の撮像結果は、制御装置200に出力され、第1基板W1と第2基板W2とが位置決めされた状態における第1チャックマークM3および第2チャックマークM4の位置関係を示す情報として記憶部に記憶される。
つづいて、真空接合装置110では、退避処理が行われる(ステップS107)。退避処理では、移動機構60を用いて、撮像ユニット50をチャンバ10外方の退避位置へ移動させる。
つづいて、真空接合装置110では、チャンバ閉処理が行われる(ステップS108)。チャンバ閉処理では、開閉機構13を用いて第1容器11を下降させることにより、第1容器11と第2容器12に当接させる。これにより、第1容器11の内部に密閉された処理空間が形成される。チャンバ閉処理に伴い、第1保持部20に保持された第1基板W1は、第2保持部30に保持された第2基板W2に接触しない程度に接近する。
つづいて、真空接合装置110では、減圧処理が行われる(ステップS109)。減圧処理では、排気装置17を用いてチャンバ10の内部を排気することにより、処理空間を減圧する。これにより、真空接合装置110のチャンバ10内は、たとえば0.005Pa以下の高真空状態となる。
つづいて、真空接合装置110では、接近処理が行われる(ステップS110)。接近処理では、第1基板W1と第2基板W2とのギャップが予め決められた値(たとえば、100μm)となるように、昇降部40を用いて第2保持部30を上昇させる。このときの第2保持部30を上昇させる距離は、ステップS101における厚み測定処理において測定された第1基板W1および第2基板W2の厚みに基づいて決定される。
ここで、チャンバ閉処理において、仮に第1容器11の移動方向が鉛直方向からずれていた場合、第1基板W1の水平位置がずれることで、第1ファインアライメント処理において第1基板W1と第2基板W2とが位置決めされた状態が崩れてしまうおそれがある。接近処理において、第2容器12の移動方向が鉛直方向からずれていた場合も同様である。そこで、真空接合装置110では、以下の第2チャックマーク撮像処理および第2ファインアライメント処理が行われる。
まず、真空接合装置110では、第2チャックマーク撮像処理が行われる(ステップS111)。第2チャックマーク撮像処理では、昇降機構71を用いて第3撮像部70を移動させることにより、透明部材32の第2チャックマークM4に対物レンズ72の焦点を合わせる。その後、光源80から光を照射しつつ、第3撮像部70により透明部材32の第2チャックマークM4を撮像する(図10参照)。つづいて、昇降機構71を用いて第3撮像部70を移動させることにより、透明部材22の第1チャックマークM3に対物レンズ72の焦点を合わせる。その後、光源80から光を照射しつつ、第3撮像部70により透明部材22の第1チャックマークM3を撮像する。第3撮像部70による撮像結果は、制御装置200に出力される。
つづいて、真空接合装置110では、第2ファインアライメント処理が行われる(ステップS112)。第2ファインアライメント処理において、制御装置200は、第3撮像部70による撮像結果から、接近処理後における第1チャックマークM3および第2チャックマークM4の位置関係に関する情報を取得する。そして、制御装置200は、接近処理後の両チャックマークM3,M4の位置関係が、第1ファインアライメント処理後の両チャックマークM3,M4の位置関係と一致するように、調整部21を用いて第1保持部20の水平位置を調整する(図11参照)。
このように、真空接合装置110では、第1保持部20および第2保持部30を移動させて第1基板W1および第2基板W2を接近させた後、第1チャックマークM3および第2チャックマークM4に基づいて再度アライメント処理を行うこととした。これにより、仮に、第1保持部20および第2保持部30の移動に伴って、第1基板W1と第2基板W2とが位置決めされた状態が崩れたとしても、接合処理を行う前に、第1基板W1と第2基板W2とが位置決めされた状態に戻すことができる。したがって、第1基板W1と第2基板W2とを精度よく接合することができる。
つづいて、真空接合装置110では、接合処理が行われる(ステップS113)。接合処理では、たとえば、昇降部40を用いて第2保持部30をさらに上昇させることにより、第1基板W1と第2基板W2とを接触させ且つ押圧して、第1基板W1と第2基板W2とを接合する。なお、真空接合装置110は、シャフト31の下方からシャフト31に突き当たってシャフト31を上方へ押し上げる加圧機構をさらに備えていてもよい。かかる場合、真空接合装置110は、加圧機構を用いて、第1基板W1と第2基板W2とをより大きい力で押圧することができる。
その後、第1保持部20による第1基板W1の吸着保持を解除し、チャンバ10の内部を大気開放した後、開閉機構13を用いて第1容器11を上昇させる。その後、第2保持部30による第2基板W2の吸着保持を解除し、第2保持部30に設けられた図示しない複数(たとえば、3つ)の支持ピンを上昇させることで、重合基板Tを第2保持部30から浮かせた状態とする。その後、重合基板Tは、搬送装置109によって真空接合装置110から搬出されて受渡部108に受け渡される。
その後、搬送ブロック3の搬送装置106が、真空接合ブロック6の受渡部108から重合基板Tを取り出して受渡ブロック2の受渡部104に受け渡す。その後、搬入出ブロック1の搬送装置103が、受渡ブロック2の受渡部104から重合基板Tを取り出してカセット載置板101に載置されたカセットC3に収容する。これにより、一連の処理が終了する。
<変形例>
上述した実施形態では、撮像ユニット50が門型の移動機構60に支持される場合の例について説明したが、移動機構60は、必ずしも門型であることを要しない。たとえば、移動機構60は、撮像ユニット50を片持ちする構成であってもよい。すなわち、移動機構60は、単一の第1延在部61と、この第1延在部61に沿って移動可能な単一の脚部62と、この脚部62に接続される第2延在部64とを備える構成であってもよい。また、移動機構60は、たとえば、Y軸方向に延在するレールと、このレールに沿って移動可能な水平多関節ロボットとを含んで構成されても良い。この場合、撮像ユニット50は、たとえば、水平多関節ロボットにおけるアームの先端に取り付けられ、水平多関節ロボットによってX軸方向に沿って移動可能である。
また、上述した実施形態では、第1保持部20と第2保持部30とが鉛直方向において対向配置され、且つ、第1保持部20の下方に第2保持部30が配置される場合の例について説明したが、第1保持部20および第2保持部30の配置関係は、本例に限定されない。
また、上述した実施形態では、第3撮像部70が透過型の撮像部である場合の例について説明したが、第3撮像部70は、反射型の撮像部であってもよい。第3撮像部70として反射型の撮像部を用いた場合、第2容器12の貫通孔121、透明部材122および光源80が不要となるため、真空接合装置110の構成を簡略化することができる。
上述してきたように、実施形態に係る接合装置(一例として、真空接合装置110)は、第1保持部20と、第2保持部30と、撮像ユニット50と、移動機構60とを備える。第1保持部20は、第1基板W1を保持する。第2保持部30は、第1保持部20と対向配置され、第1基板W1に接合される第2基板W2を保持する。撮像ユニット50は、第1基板W1の第2基板W2との対向面に形成された第1アライメントマークM1を撮像する第1撮像部51、および、第2基板W2の第1基板W1との対向面に形成された第2アライメントマークM2を撮像する第2撮像部52を含む。移動機構60は、第1保持部20と第2保持部30との間の平面領域内において、撮像ユニット50を第1方向(一例として、X軸方向)および第1方向と交差する第2方向(一例として、Y軸方向)に沿って移動させる。
アライメントマークは、基板に対して常に同じ位置に設けられるとは限らず、たとえば基板の外周部に設けられることもあれば、基板のより内側に設けられることもある。実施形態に係る接合装置によれば、移動機構60を用いることで、アライメントマークがどの位置に設けられていても、その位置まで撮像ユニット50を移動させることができる。また、移動機構60は、第1撮像部51と第2撮像部52とを一体的に移動させるため、移動に起因する第1撮像部51および第2撮像部52間の撮像位置のずれを生じ難くすることができる。これらにより、アライメント処理の精度を高めることができることから、第1基板W1および第2基板W2間の位置ずれを抑制することができる。
また、撮像ユニット50は、第1撮像部51が有する対物レンズ(一例として、第1広域用対物レンズ513、第1局所用対物レンズ515)の光軸と、第2撮像部52が有する対物レンズ(一例として、第2広域用対物レンズ523、第2局所用対物レンズ525)の光軸とが同一直線上に配置されてもよい。
これにより、たとえば、第1基板W1上のある座標を中心とする領域を第1撮像部51により撮像したときに、その座標と同じ座標を中心とする第2基板W2上の領域を第2撮像部52により撮像することができる。したがって、たとえば、アライメント処理において、第1基板W1に設けられた第1アライメントマークM1の位置を第2基板W2に設けられた第2アライメントマークM2の位置に合わせ込む処理を容易化することができる。
また、第1撮像部51は、第1対物レンズ(一例として、第1広域用対物レンズ513)と、第1対物レンズよりも倍率が高い第2対物レンズ(一例として、第1局所用対物レンズ515)とを備えていてもよい。また、第2撮像部52は、第3対物レンズ(一例として、第2広域用対物レンズ523)と、第3対物レンズよりも倍率が高い第4対物レンズ(一例として、第2局所用対物レンズ525)とを備えていてもよい。この場合、撮像ユニット50は、第1対物レンズの光軸と第3対物レンズの光軸とが同一直線上に配置され、且つ、第2対物レンズの光軸と第4対物レンズの光軸とが同一直線上に配置されてもよい。
これにより、たとえば、プリアライメント処理およびファインアライメント処理において、第1基板W1に設けられた第1アライメントマークM1の位置を第2基板W2に設けられた第2アライメントマークM2の位置に合わせ込む処理を容易化することができる。
また、移動機構60は、第1延在部61と、脚部62と、第1駆動部63と、第2延在部64と、第2駆動部66とを備えていてもよい。第1延在部61は、第1方向および第2方向のうちの一方(一例として、X軸方向)に沿って延在する。脚部62は、第1延在部61に接続される。第1駆動部63は、第1延在部61に沿って脚部62を移動させる。第2延在部64は、脚部62に接続され、第1方向および前記第2方向のうちの他方(一例として、Y軸方向)に沿って延在する。第2駆動部66は、第2延在部64に沿って撮像ユニット50を移動させる。
これにより、第1保持部20と第2保持部30との間の平面領域内において、撮像ユニット50を第1方向および第1方向と交差する第2方向に沿って移動させることができる。
また、実施形態に係る接合装置は、チャンバ10をさらに備えていてもよい。チャンバ10は、第2保持部30と対向する側が開放され、第1保持部20を収容する第1容器11と、第1保持部20と対向する側が開放され、第2保持部30を収容する第2容器12と、第1容器11を移動させる開閉機構13とを備え、開閉機構13により第1容器11を移動させて第2容器12と当接させることによって、密閉された処理空間を内部に形成する。この場合、移動機構60は、第1容器11と第2容器12とが離れた状態において、撮像ユニット50を、第1保持部20と第2保持部30との間における撮像位置と、チャンバ10の外方における退避位置との間で移動させる。
これにより、第1保持部20と第2保持部30との間に撮像ユニット50を配置させて、第1アライメントマークM1および第2アライメントマークM2を撮像することができる。また、チャンバ10内に処理空間を形成する際には、撮像ユニット50をチャンバ10外に退避させることができる。
また、実施形態に係る接合装置は、第1透明部材(一例として、透明部材22)と、第2透明部材(一例として、透明部材32)と、第3透明部材(一例として、透明部材112)と、第3撮像部70とをさらに備えていてもよい。第1透明部材は、第1保持部20の外周部に設けられ、第3アライメントマーク(一例として、第1チャックマークM3)が形成される。第2透明部材は、第2保持部30の外周部において、第1透明部材と対向する位置に設けられ、第4アライメントマーク(一例として、第2チャックマークM4)が形成される。第3透明部材は、第1容器11における第1透明部材と対向する位置に設けられる。第3撮像部70は、第1透明部材に形成された第3アライメントマークをチャンバ10の外部から第3透明部材を介して撮像し、第2透明部材に形成された第4アライメントマークをチャンバ10の外部から第3透明部材および第2透明部材を介して撮像する。
これにより、チャンバ10を閉じた後においても、チャンバ10の内部に配置される第3アライメントマークおよび第4アライメントマークをチャンバ10の外部から第3撮像部70を用いて撮像することができる。
また、第1容器11は、処理空間の内部と外部とを連通する貫通孔111を有し、第3透明部材は、貫通孔111の内部において処理空間側に寄せて配置されてもよい。また、この場合、第3撮像部70が有する対物レンズ72は、少なくとも一部が貫通孔111の内部に配置されてもよい。
これにより、観察対象である第3アライメントマークおよび第4アライメントマークに対して第3撮像部70の対物レンズ72をより近付けることができる。このため、対物レンズ72の焦点距離が短い場合であっても、対物レンズ72の焦点を第3アライメントマークおよび第4アライメントマークに適切に合わせることができる。
また、実施形態に係る接合装置は、調整部21と、制御部(一例として、制御装置200)とを備えていてもよい。調整部21は、第1保持部20の水平位置を調整する。制御部は、撮像ユニット50、移動機構60、開閉機構13、第3撮像部70および調整部21を制御する。また、制御部は、第1撮像処理(一例として、局所撮像処理)と、第1アライメント処理(一例として、第1ファインアライメント処理)と、第2撮像処理(一例として、第1チャックマーク撮像処理)と、チャンバ閉処理と、第3撮像処理(一例として、第2チャックマーク撮像処理)と、第2アライメント処理(一例として、第2ファインアライメント処理)とを実行する。第1撮像処理は、撮像ユニット50を第1保持部20と第2保持部30との間の撮像位置に配置させて、第1アライメントマークM1および第2アライメントマークM2を撮像する。第1アライメント処理は、第1撮像処理の結果に基づき、調整部21を用いて第1保持部20の水平位置を調整する。第2撮像処理は、第1アライメント処理後、撮像ユニット50を第1透明部材と第2透明部材との間の撮像位置に配置させて、第3アライメントマークおよび第4アライメントマークを撮像する。チャンバ閉処理は、第2撮像処理後、第1容器11を移動させて第2容器12と当接させることによってチャンバ10の内部に処理空間を形成する。第3撮像処理は、チャンバ閉処理後、第3撮像部70を用いて第3アライメントマークおよび第4アライメントマークを撮像する。第2アライメント処理は、第3撮像処理後、第2撮像処理の結果と第3撮像処理の結果とに基づき、調整部21を用いて第1保持部20の水平位置を調整する。
これにより、仮に、第1アライメント処理によって第1基板W1と第2基板W2とが位置決めされた状態が、その後のチャンバ閉処理によって崩されたとしても、第1基板W1および第2基板W2が位置決めされた状態に戻すことができる。したがって、第1基板W1と第2基板W2とを精度よく接合することができる。
今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
M1 第1アライメントマーク
M2 第2アライメントマーク
W1 第1基板
W2 第2基板
T 重合基板
6 真空接合ブロック
20 第1保持部
30 第2保持部
50 撮像ユニット
51 第1撮像部
52 第2撮像部
60 移動機構
110 真空接合装置

Claims (9)

  1. 第1基板を保持する第1保持部と、
    前記第1保持部と対向配置され、前記第1基板に接合される第2基板を保持する第2保持部と、
    前記第1基板の前記第2基板との対向面に形成された第1アライメントマークを撮像する第1撮像部、および、前記第2基板の前記第1基板との対向面に形成された第2アライメントマークを撮像する第2撮像部を含む撮像ユニットと、
    前記第1保持部と前記第2保持部との間の平面領域内において、前記撮像ユニットを第1方向および前記第1方向と交差する第2方向に沿って移動させる移動機構と
    を備える、接合装置。
  2. 前記撮像ユニットは、
    前記第1撮像部が有する対物レンズの光軸と、前記第2撮像部が有する対物レンズの光軸とが同一直線上に配置される、請求項1に記載の接合装置。
  3. 前記第1撮像部は、
    第1対物レンズと、
    前記第1対物レンズよりも倍率が高い第2対物レンズと
    を備え、
    前記第2撮像部は、
    第3対物レンズと、
    前記第3対物レンズよりも倍率が高い第4対物レンズと
    を備え、
    前記撮像ユニットは、
    前記第1対物レンズの光軸と前記第3対物レンズの光軸とが同一直線上に配置され、且つ、前記第2対物レンズの光軸と前記第4対物レンズの光軸とが同一直線上に配置される、請求項2に記載の接合装置。
  4. 前記移動機構は、
    前記第1方向および前記第2方向のうちの一方に沿って延在する第1延在部と、
    前記第1延在部に接続される脚部と、
    前記第1延在部に沿って前記脚部を移動させる第1駆動部と、
    前記脚部に接続され、前記第1方向および前記第2方向のうちの他方に沿って延在する第2延在部と、
    前記第2延在部に沿って前記撮像ユニットを移動させる第2駆動部と
    を備える、請求項1〜3のいずれか一つに記載の接合装置。
  5. 前記第2保持部と対向する側が開放され、前記第1保持部を収容する第1容器と、前記第1保持部と対向する側が開放され、前記第2保持部を収容する第2容器と、前記第1容器を移動させる開閉機構とを備え、前記開閉機構により前記第1容器を移動させて前記第2容器と当接させることによって、密閉された処理空間を内部に形成するチャンバ
    を備え、
    前記移動機構は、
    前記第1容器と前記第2容器とが離れた状態において、前記撮像ユニットを、前記第1保持部と前記第2保持部との間における撮像位置と、前記チャンバの外方における退避位置との間で移動させる、請求項1〜4のいずれか一つに記載の接合装置。
  6. 前記第1保持部の外周部に設けられ、第3アライメントマークが形成された第1透明部材と、
    前記第2保持部の外周部において、前記第1透明部材と対向する位置に設けられ、第4アライメントマークが形成された第2透明部材と、
    前記第1容器における前記第1透明部材と対向する位置に設けられた第3透明部材と、
    前記第1透明部材に形成された前記第3アライメントマークを前記チャンバの外部から前記第3透明部材を介して撮像し、前記第2透明部材に形成された前記第4アライメントマークを前記チャンバの外部から前記第3透明部材および前記第2透明部材を介して撮像する第3撮像部と
    を備える、請求項5に記載の接合装置。
  7. 前記第1容器は、
    前記処理空間の内部と外部とを連通する貫通孔を有し、
    前記第3透明部材は、
    前記貫通孔の内部において前記処理空間側に寄せて配置され、
    前記第3撮像部が有する対物レンズは、
    少なくとも一部が前記貫通孔の内部に配置される、請求項6に記載の接合装置。
  8. 前記第1保持部の水平位置を調整する調整部と、
    前記撮像ユニット、前記移動機構、前記開閉機構、前記第3撮像部および前記調整部を制御する制御部と
    を備え、
    前記制御部は、
    前記撮像ユニットを前記第1保持部と前記第2保持部との間の撮像位置に配置させて、前記第1アライメントマークおよび前記第2アライメントマークを撮像する第1撮像処理と、前記第1撮像処理の結果に基づき、前記調整部を用いて前記第1保持部の水平位置を調整する第1アライメント処理と、前記第1アライメント処理後、前記撮像ユニットを前記第1透明部材と前記第2透明部材との間の撮像位置に配置させて、前記第3アライメントマークおよび前記第4アライメントマークを撮像する第2撮像処理と、前記第2撮像処理後、前記第1容器を移動させて前記第2容器と当接させることによって前記チャンバの内部に前記処理空間を形成するチャンバ閉処理と、前記チャンバ閉処理後、前記第3撮像部を用いて前記第3アライメントマークおよび前記第4アライメントマークを撮像する第3撮像処理と、前記第3撮像処理後、前記第2撮像処理の結果と前記第3撮像処理の結果とに基づき、前記調整部を用いて前記第1保持部の水平位置を調整する第2アライメント処理とを実行する、請求項6または7に記載の接合装置。
  9. 第1基板と第2基板とを接合する接合方法であって、
    前記第1基板を第1保持部に保持させる第1保持工程と、
    前記第1保持部と対向配置される第2保持部に前記第2基板を保持させる第2保持工程と、
    前記第1基板の前記第2基板との対向面に形成された第1アライメントマークを撮像する第1撮像部、および、前記第2基板の前記第1基板との対向面に形成された第2アライメントマークを撮像する第2撮像部を含む撮像ユニットを、前記第1保持部と前記第2保持部との間の平面領域内において第1方向および前記第1方向と交差する第2方向に沿って移動させる移動機構を用いて、前記撮像ユニットを移動させる移動工程と、
    前記撮像ユニットを用いて、前記第1アライメントマークおよび前記第2アライメントマークを撮像する撮像工程と
    を含む、接合方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220094076A (ko) * 2020-12-28 2022-07-05 주식회사 테스 기판접합장치의 예비정렬장치 및 예비정렬방법
WO2022210857A1 (ja) * 2021-03-31 2022-10-06 ボンドテック株式会社 接合装置、接合システムおよび接合方法
JP7394638B2 (ja) 2020-01-28 2023-12-08 東京エレクトロン株式会社 研削装置、及び研削方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7333710B2 (ja) * 2019-05-28 2023-08-25 東京エレクトロン株式会社 接合装置及び接合方法
KR20210023298A (ko) * 2019-08-22 2021-03-04 삼성전자주식회사 기판 본딩 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조 방법
KR102420993B1 (ko) * 2020-06-30 2022-07-15 참엔지니어링(주) 리페어 장치
KR20220008514A (ko) 2020-07-14 2022-01-21 삼성전자주식회사 웨이퍼 본딩 장치 및 웨이퍼 본딩 방법
US20220157633A1 (en) * 2020-11-17 2022-05-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Wafer bonding apparatus
CN115312438A (zh) * 2022-03-21 2022-11-08 北京芯士联半导体科技有限公司 接合装置的推动销构造
CN116759360B (zh) * 2023-08-18 2023-10-20 苏州芯慧联半导体科技有限公司 一种晶圆对准装置及镜头误差校准方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005294800A (ja) * 2003-12-02 2005-10-20 Bondotekku:Kk 接合方法及びこの方法により作成されるデバイス並びに表面活性化装置及びこの装置を備えた接合装置
JP2013102117A (ja) * 2011-10-21 2013-05-23 Tokyo Electron Ltd 貼り合わせ装置及び該貼り合わせ装置を用いた貼り合わせ位置調整方法
JP2017118000A (ja) * 2015-12-25 2017-06-29 東京エレクトロン株式会社 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3719965B2 (ja) * 2001-08-29 2005-11-24 住友重機械工業株式会社 位置合わせ装置及び位置合わせ方法
JP3938539B2 (ja) * 2002-10-28 2007-06-27 芝浦メカトロニクス株式会社 ボンディング装置及びボンディング方法
KR101484348B1 (ko) * 2007-08-10 2015-01-19 가부시키가이샤 니콘 기판접합장치 및 기판접합방법
KR100898146B1 (ko) * 2007-09-28 2009-05-19 주식회사 디엠에스 기판에 식각 영역을 만들기 위한 장치
JP2010067705A (ja) * 2008-09-09 2010-03-25 Adwelds:Kk アライメント方法およびアライメント装置
JP5376379B2 (ja) * 2010-08-30 2013-12-25 株式会社ブイ・テクノロジー マイクロレンズアレイを使用した露光装置及び光学部材
KR20140041720A (ko) * 2011-07-15 2014-04-04 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 투광성 경질 기판 적층체의 제조 방법 및 투광성 경질 기판 접합 장치
JP5593299B2 (ja) * 2011-11-25 2014-09-17 東京エレクトロン株式会社 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6200224B2 (ja) * 2012-09-13 2017-09-20 日本メクトロン株式会社 フォトマスク、フォトマスク組、露光装置および露光方法
JP2014089360A (ja) * 2012-10-31 2014-05-15 Adtec Engineeng Co Ltd フィルムマスク修正装置
JP6104700B2 (ja) * 2013-05-16 2017-03-29 東京エレクトロン株式会社 接合方法、接合装置および接合システム
JP2015078852A (ja) * 2013-10-15 2015-04-23 株式会社ディスコ アライメント方法
US20160001543A1 (en) * 2014-07-07 2016-01-07 Tokyo Electron Limited Bonding device, bonding system, and bonding method
JP6353374B2 (ja) * 2015-01-16 2018-07-04 東京エレクトロン株式会社 接合装置、接合システムおよび接合方法
JP6345605B2 (ja) 2015-01-16 2018-06-20 東京エレクトロン株式会社 接合装置、接合システムおよび接合方法
JP6562828B2 (ja) * 2015-12-11 2019-08-21 東京エレクトロン株式会社 検査装置、接合装置、接合システムおよび検査方法
JP6390925B2 (ja) * 2016-05-11 2018-09-19 パナソニックIpマネジメント株式会社 部品実装装置
KR101882395B1 (ko) * 2016-11-16 2018-07-26 주식회사 엠에스텍 기판 위치정렬 방법 및 그 방법을 사용하는 합착기
US10872873B2 (en) * 2017-11-14 2020-12-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for bonding wafers and bonding tool

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005294800A (ja) * 2003-12-02 2005-10-20 Bondotekku:Kk 接合方法及びこの方法により作成されるデバイス並びに表面活性化装置及びこの装置を備えた接合装置
JP2013102117A (ja) * 2011-10-21 2013-05-23 Tokyo Electron Ltd 貼り合わせ装置及び該貼り合わせ装置を用いた貼り合わせ位置調整方法
JP2017118000A (ja) * 2015-12-25 2017-06-29 東京エレクトロン株式会社 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7394638B2 (ja) 2020-01-28 2023-12-08 東京エレクトロン株式会社 研削装置、及び研削方法
KR20220094076A (ko) * 2020-12-28 2022-07-05 주식회사 테스 기판접합장치의 예비정렬장치 및 예비정렬방법
KR102472252B1 (ko) 2020-12-28 2022-11-30 주식회사 테스 기판접합장치의 예비정렬장치 및 예비정렬방법
WO2022210857A1 (ja) * 2021-03-31 2022-10-06 ボンドテック株式会社 接合装置、接合システムおよび接合方法
JP7156753B1 (ja) * 2021-03-31 2022-10-19 ボンドテック株式会社 接合装置、接合システムおよび接合方法

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