JP2020010352A5 - 撮像装置 - Google Patents

Description

本発明は撮像装置に関する。

第１の態様によると、撮像装置は、光学系を透過した光を光電変換する第１光電変換部と、前記第１光電変換部へ入射する光の一部を遮光する第１遮光部とを有し、前記第１光電変換部での光電変換に基づいて信号を出力する第１画素と、前記光学系を透過した光を光電変換して電荷を生成する第２光電変換部と、前記第２光電変換部へ入射する光の一部を遮光する第２遮光部とを有し、前記第２光電変換部での光電変換に基づいて信号を出力する第２画素と、を有する撮像素子と、前記第１画素から出力された信号および前記第２画素から出力された信号の少なくとも一方を、前記光学系の射出瞳の位置、射出瞳の距離、前記光学系の光軸からの距離、および被写界深度の少なくとも一つの情報に基づいて選択し、選択した信号に基づいて、前記光学系による像が前記撮像素子に合焦する合焦位置に前記光学系の位置を制御する制御部と、を備える。
第２の態様によると、撮像装置は、光学系を透過した光を光電変換する第１光電変換部と、前記第１光電変換部へ入射する光の一部を遮光する第１遮光部とを有し、前記第１光電変換部での光電変換に基づいて信号を出力する第１画素と、前記光学系を透過した光を光電変換して電荷を生成する第２光電変換部と、前記第２光電変換部へ入射する光の一部を遮光する第２遮光部とを有し、前記第２光電変換部での光電変換に基づいて信号を出力する第２画素と、を有する撮像素子と、前記第１画素および前記第２画素の少なくとも一方を、前記光学系の射出瞳の位置、射出瞳の距離、前記光学系の光軸からの距離および被写界深度の少なくとも一つの情報に基づいて選択し、選択した前記第１画素および前記第２画素の少なくとも一方から出力された信号に基づいて、前記光学系による像が前記撮像素子に合焦する合焦位置に、前記光学系の位置を制御する制御部と、を備える。

Claims (12)

1. 光学系を透過した光を光電変換する第１光電変換部と、前記第１光電変換部へ入射する光の一部を遮光する第１遮光部とを有し、前記第１光電変換部での光電変換に基づいて信号を出力する第１画素と、
   前記光学系を透過した光を光電変換して電荷を生成する第２光電変換部と、前記第２光電変換部へ入射する光の一部を遮光する第２遮光部とを有し、前記第２光電変換部での光電変換に基づいて信号を出力する第２画素と、を有する撮像素子と、
   前記第１画素から出力された信号および前記第２画素から出力された信号の少なくとも一方を、前記光学系の射出瞳の位置、射出瞳の距離、前記光学系の光軸からの距離、および被写界深度の少なくとも一つの情報に基づいて選択し、選択した信号に基づいて、前記光学系による像が前記撮像素子に合焦する合焦位置に前記光学系の位置を制御する制御部と、
   を備える撮像装置。
2. 光学系を透過した光を光電変換する第１光電変換部と、前記第１光電変換部へ入射する光の一部を遮光する第１遮光部とを有し、前記第１光電変換部での光電変換に基づいて信号を出力する第１画素と、
   前記光学系を透過した光を光電変換して電荷を生成する第２光電変換部と、前記第２光電変換部へ入射する光の一部を遮光する第２遮光部とを有し、前記第２光電変換部での光電変換に基づいて信号を出力する第２画素と、を有する撮像素子と、
   前記第１画素および前記第２画素の少なくとも一方を、前記光学系の射出瞳の位置、射出瞳の距離、前記光学系の光軸からの距離および被写界深度の少なくとも一つの情報に基づいて選択し、選択した前記第１画素および前記第２画素の少なくとも一方から出力された信号に基づいて、前記光学系による像が前記撮像素子に合焦する合焦位置に、前記光学系の位置を制御する制御部と、
   を備える撮像装置。
3. 請求項１または２に記載の撮像装置において、
   前記第１遮光部は、前記第１光電変換部から第１間隔で設けられ、
   前記第２遮光部は、前記第２光電変換部から前記第１間隔とは異なる第２間隔で設けられる撮像装置。
4. 請求項１から３までのいずれか一項に記載の撮像装置において、
   前記第１画素は第１マイクロレンズを有し、前記第１光電変換部は前記第１マイクロレンズを透過した光を光電変換し、
   前記第２画素は第２マイクロレンズを有し、前記第２光電変換部は前記第２マイクロレンズを透過した光を光電変換し、
   前記第１マイクロレンズと前記第１遮光部との間隔は、前記第２マイクロレンズと前記第２遮光部との間隔と異なる撮像装置。
5. 請求項１から４までのいずれか一項に記載の撮像装置において、
   前記第１遮光部の面積は、前記第２遮光部の面積と異なる撮像装置。
6. 請求項１から４までのいずれか一項に記載の撮像装置において、
   前記第１遮光部が光を遮光する遮光面積は、前記第２遮光部が光を遮光する遮光面積と異なる撮像装置。
7. 請求項１から６までのいずれか一項に記載の撮像装置において、
   前記第１画素は、前記光学系の第１領域を透過した光を受光し、
   前記第２画素は、前記光学系の前記第１領域とは異なる第２領域を透過した光を受光する撮像装置。
8. 請求項１から７までのいずれか一項に記載の撮像装置において、
   前記第１光電変換部が光電変換する光量と、前記第２光電変換部が光電変換する光量とは異なる撮像装置。
9. 請求項１から８までのいずれか一項に記載の撮像装置において、
   複数の前記第１画素と複数の前記第２画素とを備え、
   複数の前記第１画素のうち少なくとも２つの前記第１画素がそれぞれ有する前記第１遮光部の面積は、前記撮像素子上の位置によって異なり、
   複数の前記第２画素のうち少なくとも２つの前記第２画素がそれぞれ有する前記第２遮光部の面積は、前記撮像素子の位置によって異なる撮像装置。
10. 請求項９に記載の撮像装置において、
    複数の前記第１画素のうち、前記撮像素子の中央付近にある前記第１画素が有する前記第１遮光部の面積は、前記撮像素子の端付近にある前記第１画素が有する前記第１遮光部の面積よりも小さく、
    複数の前記第２画素のうち、前記撮像素子の中央付近にある前記第２画素が有する前記第２遮光部の面積は、前記撮像素子の端付近にある前記第２画素が有する前記第２遮光部の面積よりも小さい撮像装置。
11. 請求項１から１０までのいずれか一項に記載の撮像装置において、
    複数の前記第１画素と複数の前記第２画素とを備え、
    前記第１画素の数は、前記第２画素の数と異なる撮像装置。
12. 請求項１から１１までのいずれか一項に記載の撮像装置において、
    前記第１遮光部は前記第１画素に配置される回路の配線であり、前記第２遮光部は前記第２画素に配置される回路の配線である撮像装置。