JP2020007202A5

JP2020007202A5 -

Info

Publication number: JP2020007202A5
Application number: JP2018131691A
Authority: JP
Filing date: 2018-07-11
Publication date: 2021-06-17
Anticipated expiration: 2038-07-11

Claims

表面と、裏面と、前記表面と前記裏面との間の内層と、を有するＩＩＩ族窒化物の基材部を有し、
前記基材部の前記表面の炭素濃度が前記内層の炭素濃度よりも高い、ＩＩＩ族窒化物基板。
前記基材部の表面は、その上にＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるための面である、請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物基板。
前記基材部の前記表面の酸素濃度が前記内層の酸素濃度よりも低い、請求項１又は２に記載のＩＩＩ族窒化物基板。
前記基材部の前記表面は、＋ｃ面であり、前記基材部の前記裏面は、−ｃ面である、請求項２に記載のＩＩＩ族窒化物基板。
前記基材部の表面の炭素濃度は、５×１０^１９［ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３］以上であり、
前記基材部の表面の酸素濃度は、１×１０^２０［ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３］以上である、
請求項１〜４のいずれか一項に記載のＩＩＩ族窒化物基板。
前記基材部の表面の炭素濃度は、１．５×１０^２０〜５×１０^２０［ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３］の範囲内であり、
前記基材部の表面の酸素濃度は、１×１０^２０〜１×１０^２１［ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３］の範囲内である、請求項５に記載のＩＩＩ族窒化物基板。
前記基材部の酸素濃度は、１×１０^２０〜１×１０^２１［ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３］の範囲内であり、
前記基材部の炭素濃度は、１×１０^１７〜５×１０^２０［ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３］の範囲内である、請求項１〜６のいずれか一項に記載のＩＩＩ族窒化物基板。
前記基材部中の炭素濃度は、前記表面から前記裏面への厚み方向に沿って徐々に変化する、請求項１〜７のいずれか一項に記載のＩＩＩ族窒化物基板。
前記基材部中の酸素濃度は、前記表面から前記裏面への厚み方向に沿って徐々に変化する、請求項１〜８のいずれか一項に記載のＩＩＩ族窒化物基板。
ＩＩＩ族元素の酸化物と還元性ガスとを反応させ、又は前記ＩＩＩ族元素の金属と酸化性ガスとを反応させて、ＩＩＩ族元素酸化物ガスを生成する工程と、
前記ＩＩＩ族元素酸化物ガスを育成チャンバ内に供給する工程と、
ＣＨ_４ガス、Ｃ_２Ｈ_６ガス、Ｃ_３Ｈ_８ガス、Ｃ_４Ｈ_１０ガス、Ｃ_２Ｈ_４ガス、Ｃ_３Ｈ_６ガス、Ｃ_４Ｈ_８ガス、Ｃ_２Ｈ_２ガス、Ｃ_３Ｈ_４ガスのうちの少なくとも１つの炭素元素含有ガスを前記育成チャンバ内に供給する工程と、
窒素元素含有ガスを前記育成チャンバ内に供給する工程と、
前記炭素元素含有ガスの雰囲気下で前記ＩＩＩ族元素酸化物ガスと前記窒素含有ガスとを反応させて、ＩＩＩ族窒化物結晶を生成する工程と、
を含み、
前記ＩＩＩ族窒化物結晶の成長初期から成長中期にかけて、前記ＩＩＩ族元素酸化物ガスを成長後期に比べて高濃度に生成させ、前記育成チャンバに高濃度に供給する共に、前記炭素元素含有ガスを前記育成チャンバに高濃度に供給し、
前記ＩＩＩ族窒化物結晶の成長後期には、前記ＩＩＩ族元素酸化物ガスを前記成長初期から成長中期と比べて低濃度に生成させ、前記育成チャンバに低濃度に供給すると共に、前記炭素元素含有ガスを前記育成チャンバに低濃度に供給する、
ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。
前記炭素元素含有ガスと、前記育成チャンバ内に存在して前記ＩＩＩ族元素酸化物ガス以外の酸素を含む物質とを反応させて、酸化物ガスを生成する工程と、
前記酸化物ガスを前記育成チャンバ外に排出する工程と、
をさらに含む、請求項１０に記載のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。