JPH10202045A - 排ガス処理設備 - Google Patents
排ガス処理設備Info
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- JPH10202045A JPH10202045A JP9007904A JP790497A JPH10202045A JP H10202045 A JPH10202045 A JP H10202045A JP 9007904 A JP9007904 A JP 9007904A JP 790497 A JP790497 A JP 790497A JP H10202045 A JPH10202045 A JP H10202045A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体製造設備からの可燃性・爆発性ガスを
含む排ガスを加熱酸化分解させる排ガス処理設備におい
て、反応塔への空気、Ｎ2 ガスの供給が合理化され、か
つ反応塔が閉塞している場合には半導体製造設備を停止
させるインターロック機構を備えた排ガス処理設備を提
供すること。 【解決手段】 空気配管３１の空気流量計３２の上流側
に空気開閉弁６３、Ｎ2ガス配管４１のＮ2 ガス流量計
４２の上流側にＮ2 ガス開閉弁６４を設置し、半導体製
造設備１の起動・停止信号が入力される電磁弁６１によ
って開閉させる。また、空気流量計３２、Ｎ2 ガス流量
計４２と半導体製造設備１との間にコントローラー６５
を設置し、半導体製造設備１の起動信号の入力時点から
所定時間内に空気流量計３２、Ｎ2 ガス流量計４２から
所定の流量であることが入力されない場合にはインター
ロック信号を出力させて半導体製造設備１を停止させ
る。
含む排ガスを加熱酸化分解させる排ガス処理設備におい
て、反応塔への空気、Ｎ2 ガスの供給が合理化され、か
つ反応塔が閉塞している場合には半導体製造設備を停止
させるインターロック機構を備えた排ガス処理設備を提
供すること。 【解決手段】 空気配管３１の空気流量計３２の上流側
に空気開閉弁６３、Ｎ2ガス配管４１のＮ2 ガス流量計
４２の上流側にＮ2 ガス開閉弁６４を設置し、半導体製
造設備１の起動・停止信号が入力される電磁弁６１によ
って開閉させる。また、空気流量計３２、Ｎ2 ガス流量
計４２と半導体製造設備１との間にコントローラー６５
を設置し、半導体製造設備１の起動信号の入力時点から
所定時間内に空気流量計３２、Ｎ2 ガス流量計４２から
所定の流量であることが入力されない場合にはインター
ロック信号を出力させて半導体製造設備１を停止させ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造設備から
排出される爆発性ガス、可燃性ガスを含む排ガスを処理
するための排ガス処理設備に関するものであり、更に詳
しくは排ガス処理設備に供給される空気および窒素（Ｎ
2 ）ガスの消費を合理化させると共に、排ガス処理設備
が閉塞するなどの異常が発生している場合にはインター
ロック機構を作動させて半導体製造設備を停止させるよ
うにした排ガス処理設備に関するものである。
排出される爆発性ガス、可燃性ガスを含む排ガスを処理
するための排ガス処理設備に関するものであり、更に詳
しくは排ガス処理設備に供給される空気および窒素（Ｎ
2 ）ガスの消費を合理化させると共に、排ガス処理設備
が閉塞するなどの異常が発生している場合にはインター
ロック機構を作動させて半導体製造設備を停止させるよ
うにした排ガス処理設備に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は半導体製造設備から排出される排
ガスを処理するための従来例の加熱酸化分解方式の排ガ
ス処理設備２’の要部の部分破断斜視図であり、図３は
全体の配管系統図である。この排ガス処理設備２’は半
導体装置の製造プロセスの成膜工程において使用される
シラン（ＳｉＨ4 ）系およびＴＥＯＳ（テトラエトキシ
シラン）（（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ）4 Ｓｉ）系の如き爆発性ガ
ス、可燃性ガスを含む排ガスを処理し無害化する設備で
ある。図２、図３を参照して、排ガス処理設備２’は半
導体製造設備１から排出され排ガス配管９を経て導入さ
れる排ガスを加熱酸化分解させる反応塔１０と、分解後
のガスを洗浄して大気中へ放出させる排気洗浄塔２０
と、それらに使用される酸化用の空気、希釈その他用の
窒素（Ｎ2 ）ガス、および冷却水、洗浄水の配管と流量
計からなっている。
ガスを処理するための従来例の加熱酸化分解方式の排ガ
ス処理設備２’の要部の部分破断斜視図であり、図３は
全体の配管系統図である。この排ガス処理設備２’は半
導体装置の製造プロセスの成膜工程において使用される
シラン（ＳｉＨ4 ）系およびＴＥＯＳ（テトラエトキシ
シラン）（（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ）4 Ｓｉ）系の如き爆発性ガ
ス、可燃性ガスを含む排ガスを処理し無害化する設備で
ある。図２、図３を参照して、排ガス処理設備２’は半
導体製造設備１から排出され排ガス配管９を経て導入さ
れる排ガスを加熱酸化分解させる反応塔１０と、分解後
のガスを洗浄して大気中へ放出させる排気洗浄塔２０
と、それらに使用される酸化用の空気、希釈その他用の
窒素（Ｎ2 ）ガス、および冷却水、洗浄水の配管と流量
計からなっている。
【０００３】すなわち、反応塔１０は上方から排ガス導
入部１１、反応部１２、水冷部１３からなるが、排ガス
導入部１１へは排ガスを酸化分解させるための空気が空
気配管３１から空気流量計３２を経て供給されている。
また、急激な酸化分解が起こることを防ぐためと、酸
化分解によって生成する粉末状のＳｉＯ2 （酸化ケイ
素）などの固形物が反応部１２の導入ノズル１２Ｎ内ま
たはその周辺に付着し閉塞に至ることを防ぐためのＮ2
ガスがＮ2 ガス配管４１からＮ2 ガス流量計４２を経て
供給されている。反応部１２は二重筒となっており、内
筒の外周面にはヒーター１２Ｈが設置されて内筒内を加
熱するようになっているが、ヒーター１２Ｈの熱を内筒
面で均一化するための空気が空気配管４９によって外筒
と内筒との間へ供給されている。円筒内には反応温度測
定用の熱電対１２Ｐが挿入されている。水冷部１３は加
熱酸化分解された排ガスを水冷する部分である。
入部１１、反応部１２、水冷部１３からなるが、排ガス
導入部１１へは排ガスを酸化分解させるための空気が空
気配管３１から空気流量計３２を経て供給されている。
また、急激な酸化分解が起こることを防ぐためと、酸
化分解によって生成する粉末状のＳｉＯ2 （酸化ケイ
素）などの固形物が反応部１２の導入ノズル１２Ｎ内ま
たはその周辺に付着し閉塞に至ることを防ぐためのＮ2
ガスがＮ2 ガス配管４１からＮ2 ガス流量計４２を経て
供給されている。反応部１２は二重筒となっており、内
筒の外周面にはヒーター１２Ｈが設置されて内筒内を加
熱するようになっているが、ヒーター１２Ｈの熱を内筒
面で均一化するための空気が空気配管４９によって外筒
と内筒との間へ供給されている。円筒内には反応温度測
定用の熱電対１２Ｐが挿入されている。水冷部１３は加
熱酸化分解された排ガスを水冷する部分である。
【０００４】また、冷却および洗浄のための水道水配管
５１は分岐され、一方の冷却水配管５２は冷却水流量計
５３を経て反応塔１０の水冷部１３へ供給され、他方の
洗浄水配管５４は洗浄水流量計５５を経て排気洗浄塔２
０の上下２か所へ供給されており、水冷部１３からの排
水は排水管５６によって系外へ導かれ、排気洗浄塔２０
からの排水は排水管５７を経て排水管５６に合流されて
いる。そして、半導体製造設備１からの排ガスは排ガス
配管９から反応塔１０の上部の排ガス導入部１１へ導か
れ、反応部１２で加熱酸化分解された後、水冷部１３を
経て排気洗浄塔２０へ送り込まれ、水洗浄されて大気中
へ放出される。
５１は分岐され、一方の冷却水配管５２は冷却水流量計
５３を経て反応塔１０の水冷部１３へ供給され、他方の
洗浄水配管５４は洗浄水流量計５５を経て排気洗浄塔２
０の上下２か所へ供給されており、水冷部１３からの排
水は排水管５６によって系外へ導かれ、排気洗浄塔２０
からの排水は排水管５７を経て排水管５６に合流されて
いる。そして、半導体製造設備１からの排ガスは排ガス
配管９から反応塔１０の上部の排ガス導入部１１へ導か
れ、反応部１２で加熱酸化分解された後、水冷部１３を
経て排気洗浄塔２０へ送り込まれ、水洗浄されて大気中
へ放出される。
【０００５】なお、半導体製造設備から排出される排ガ
スの処理に関して、特開昭６３ー６２５２８号公報に係
る「排気ガス処理装置」には、排気ガス導入管の排気ガ
スと空気の接触部分付近の内壁面に洗滌液の連結通水部
を設け、これにより排気ガスの燃焼による生成酸化物の
沈着を防ぐ排気ガス処理装置が開示されているが、その
内容は上述の図３の配管系統図における排ガス導入部１
１内の構造に対応するものである。また、特開平７ー３
２３２１１号公報に係る「半導体製造排ガス除害方法と
その装置」には、半導体製造排ガスを水洗して水溶成分
を除去し、次いで水洗排ガスを加熱分解させた後、粉塵
を水洗除去する方法、ないしはこれらに加えて加熱分解
ゾーンに蓄積した粉塵を噴射除去する方法とその装置が
開示されているが、その内容は排ガス処理のプロセスの
組み合わせに関するものである。上記の何れにも排ガス
処理装置に使用される分解用ガスや希釈用ガスの消費の
合理化、ないしは加熱酸化分解の生成物によるラインの
閉塞に対処させるインターロック機構についての記述は
ない。
スの処理に関して、特開昭６３ー６２５２８号公報に係
る「排気ガス処理装置」には、排気ガス導入管の排気ガ
スと空気の接触部分付近の内壁面に洗滌液の連結通水部
を設け、これにより排気ガスの燃焼による生成酸化物の
沈着を防ぐ排気ガス処理装置が開示されているが、その
内容は上述の図３の配管系統図における排ガス導入部１
１内の構造に対応するものである。また、特開平７ー３
２３２１１号公報に係る「半導体製造排ガス除害方法と
その装置」には、半導体製造排ガスを水洗して水溶成分
を除去し、次いで水洗排ガスを加熱分解させた後、粉塵
を水洗除去する方法、ないしはこれらに加えて加熱分解
ゾーンに蓄積した粉塵を噴射除去する方法とその装置が
開示されているが、その内容は排ガス処理のプロセスの
組み合わせに関するものである。上記の何れにも排ガス
処理装置に使用される分解用ガスや希釈用ガスの消費の
合理化、ないしは加熱酸化分解の生成物によるラインの
閉塞に対処させるインターロック機構についての記述は
ない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図３を参照して、従来
例の排ガス処理設備２’においては、排ガスを酸化分解
させるための空気が空気配管３１から６０〜７０Ｌ／ｍ
ｉｎの流量で反応塔１０の排ガス導入部１１へ供給され
ており、希釈と付着防止のためのＮ2 ガスがＮ2ガス配
管４１から２０〜３０Ｌ／ｍｉｎの流量で同じく排ガス
導入部１１へ供給されているが、何れも終日２４時間流
されている。しかし、半導体製造設備１から排出される
排ガスは１日当たり約７時間であり、それ以外の約１７
時間は空気とＮ2 ガスは無益に流されている。また、排
ガスを加熱酸化分解させた時に生成する粉末状のＳｉＯ
2 などの固形物が反応部１２の導入ノズル１２Ｎないし
はその周辺部に付着し、排ガス流入管を閉塞させる場合
がある。
例の排ガス処理設備２’においては、排ガスを酸化分解
させるための空気が空気配管３１から６０〜７０Ｌ／ｍ
ｉｎの流量で反応塔１０の排ガス導入部１１へ供給され
ており、希釈と付着防止のためのＮ2 ガスがＮ2ガス配
管４１から２０〜３０Ｌ／ｍｉｎの流量で同じく排ガス
導入部１１へ供給されているが、何れも終日２４時間流
されている。しかし、半導体製造設備１から排出される
排ガスは１日当たり約７時間であり、それ以外の約１７
時間は空気とＮ2 ガスは無益に流されている。また、排
ガスを加熱酸化分解させた時に生成する粉末状のＳｉＯ
2 などの固形物が反応部１２の導入ノズル１２Ｎないし
はその周辺部に付着し、排ガス流入管を閉塞させる場合
がある。
【０００７】従って、本発明は半導体製造設備から排ガ
スが排出されている時以外は、空気およびＮ2 ガスを停
止して運転コストを低減させ得ると共に、排ガス処理設
備が閉塞しているなどの異常がある時には自動的に半導
体製造設備を停止させ得る排ガス処理設備を提供するこ
とを課題とする。
スが排出されている時以外は、空気およびＮ2 ガスを停
止して運転コストを低減させ得ると共に、排ガス処理設
備が閉塞しているなどの異常がある時には自動的に半導
体製造設備を停止させ得る排ガス処理設備を提供するこ
とを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の課題は請求項１の
構成によって解決されるが、その解決手段を実施の形態
によって例示すれば、図１は本実施の形態による排ガス
処理設備２の配管系統図であり、反応塔１０に接続され
る空気配管３１の空気流量計３２の上流側に空気開閉弁
６３が設置され、同じく反応塔１０に接続されるＮ2 ガ
ス配管４１のＮ2 ガス流量計４２の上流側にＮ2 ガス開
閉弁６４が設置され、これらの空気開閉弁６３およびＮ
2 ガス開閉弁６４は何れもエア圧で開閉されるエアオペ
レートタイプであって、半導体製造設備１からの起動信
号および停止信号が入力される電磁弁６１によってエア
圧が操作されて開閉される。従って、空気およびＮ2 ガ
スは半導体製造設備１が稼働している時のみ排ガス処理
設備２へ供給され、無駄に消費されない。また、空気開
閉弁６３およびＮ2 ガス開閉弁６４は何れも制御不能な
状態になった時に閉となるノーマリークローズタイプの
弁が設置されており、そのような場合にも空気やＮ2 ガ
スの放出は防がれる。
構成によって解決されるが、その解決手段を実施の形態
によって例示すれば、図１は本実施の形態による排ガス
処理設備２の配管系統図であり、反応塔１０に接続され
る空気配管３１の空気流量計３２の上流側に空気開閉弁
６３が設置され、同じく反応塔１０に接続されるＮ2 ガ
ス配管４１のＮ2 ガス流量計４２の上流側にＮ2 ガス開
閉弁６４が設置され、これらの空気開閉弁６３およびＮ
2 ガス開閉弁６４は何れもエア圧で開閉されるエアオペ
レートタイプであって、半導体製造設備１からの起動信
号および停止信号が入力される電磁弁６１によってエア
圧が操作されて開閉される。従って、空気およびＮ2 ガ
スは半導体製造設備１が稼働している時のみ排ガス処理
設備２へ供給され、無駄に消費されない。また、空気開
閉弁６３およびＮ2 ガス開閉弁６４は何れも制御不能な
状態になった時に閉となるノーマリークローズタイプの
弁が設置されており、そのような場合にも空気やＮ2 ガ
スの放出は防がれる。
【０００９】更には、上記の課題は請求項４の構成によ
って解決されるが、その解決手段を例示すれば図１を参
照して、空気流量計３２およびＮ2 ガス流量計４２と半
導体製造設備１との間にはコントローラー６５が設置さ
れ、空気流量計３２およびＮ2 ガス流量計４２からそれ
ぞれ流量を示す信号が入力されると共に、半導体製造設
備１から起動信号が入力され、内蔵タイマーが起動信号
が入力された時からの経過時間をカウントするようにな
っている。そして所定時間内に空気流量計３２およびＮ
2 ガス流量計４２の少なくとも何れか一方から所定の流
量にあることの信号が入力されない場合には、コントロ
ーラー６５は異常が発生していると判断してインターロ
ック信号を出力し半導体製造設備１を停止させる。
って解決されるが、その解決手段を例示すれば図１を参
照して、空気流量計３２およびＮ2 ガス流量計４２と半
導体製造設備１との間にはコントローラー６５が設置さ
れ、空気流量計３２およびＮ2 ガス流量計４２からそれ
ぞれ流量を示す信号が入力されると共に、半導体製造設
備１から起動信号が入力され、内蔵タイマーが起動信号
が入力された時からの経過時間をカウントするようにな
っている。そして所定時間内に空気流量計３２およびＮ
2 ガス流量計４２の少なくとも何れか一方から所定の流
量にあることの信号が入力されない場合には、コントロ
ーラー６５は異常が発生していると判断してインターロ
ック信号を出力し半導体製造設備１を停止させる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の排ガ
ス処理設備について具体的に説明する。
ス処理設備について具体的に説明する。
【００１１】図１は本発明の実施の形態による排ガス処
理設備２の配管系統図であり、基本的には図２、図３に
示した従来の排ガス処理設備２’と共通する部分が多い
が、本発明の排ガス処理設備２が従来の排ガス処理設備
２’と異なるところは、反応塔１０の排ガス導入部１１
へ接続されている空気配管３１およびＮ2 ガス配管４１
と、排ガスを排出する半導体製造設備１との間に制御機
構が設けられていることにある。
理設備２の配管系統図であり、基本的には図２、図３に
示した従来の排ガス処理設備２’と共通する部分が多い
が、本発明の排ガス処理設備２が従来の排ガス処理設備
２’と異なるところは、反応塔１０の排ガス導入部１１
へ接続されている空気配管３１およびＮ2 ガス配管４１
と、排ガスを排出する半導体製造設備１との間に制御機
構が設けられていることにある。
【００１２】本発明の排ガス処理設備２においては、ノ
ーマリークローズタイプ、すなわち全停電時など、制御
が不可能な状態になった時には「閉」となるタイプのエ
アオペレート弁である空気開閉弁６３を空気配管３１の
空気流量計３２の上流側に設置し、同様にノーマリーク
ローズタイプのエアオペレート弁であるＮ2 ガス開閉弁
６４をＮ2 ガス配管４１のＮ2 ガス流量計４２の上流側
に設置して、それらの開閉は排ガスを排出する半導体製
造設備の起動信号と停止信号（例えば直流電圧２４Ｖと
０Ｖとのオン・オフ信号）によって駆動される電磁弁６
１によって空気開閉弁６３およびＮ2 ガス開閉弁６４の
エア圧を制御して行なうようにしている。なお、空気開
閉弁６３、Ｎ2 ガス開閉弁６４にノーマリクローズタイ
プの弁を採用するのは、前述したような制御不能な状態
において、空気が半導体製造設備１内へ逆流するなどの
トラブルを予防し、半導体製造設備１と排ガス処理装置
２との安全性を高めるためである。また空気開閉弁６
３、Ｎ2 ガス開閉弁６４にエアオペレート弁を採用する
のは、可燃性ガス、爆発性ガスが万が一にも漏出するこ
とを考慮したものであり、電気的に作動する弁は採用し
にくい。従ってまた電磁弁６１も空気開閉弁６３、Ｎ2
ガス開閉弁６４とは離れた位置に設置される。
ーマリークローズタイプ、すなわち全停電時など、制御
が不可能な状態になった時には「閉」となるタイプのエ
アオペレート弁である空気開閉弁６３を空気配管３１の
空気流量計３２の上流側に設置し、同様にノーマリーク
ローズタイプのエアオペレート弁であるＮ2 ガス開閉弁
６４をＮ2 ガス配管４１のＮ2 ガス流量計４２の上流側
に設置して、それらの開閉は排ガスを排出する半導体製
造設備の起動信号と停止信号（例えば直流電圧２４Ｖと
０Ｖとのオン・オフ信号）によって駆動される電磁弁６
１によって空気開閉弁６３およびＮ2 ガス開閉弁６４の
エア圧を制御して行なうようにしている。なお、空気開
閉弁６３、Ｎ2 ガス開閉弁６４にノーマリクローズタイ
プの弁を採用するのは、前述したような制御不能な状態
において、空気が半導体製造設備１内へ逆流するなどの
トラブルを予防し、半導体製造設備１と排ガス処理装置
２との安全性を高めるためである。また空気開閉弁６
３、Ｎ2 ガス開閉弁６４にエアオペレート弁を採用する
のは、可燃性ガス、爆発性ガスが万が一にも漏出するこ
とを考慮したものであり、電気的に作動する弁は採用し
にくい。従ってまた電磁弁６１も空気開閉弁６３、Ｎ2
ガス開閉弁６４とは離れた位置に設置される。
【００１３】更に、コントローラー６５が設置されてお
り、空気流量計３２およびＮ2 ガス流量計４２のそれぞ
れから空気またはＮ2 ガスの流量を示す信号がコントロ
ーラー６５へ入力され、かつ半導体製造設備１の起動信
号と停止信号（直流電圧２４Ｖと０Ｖとのオン・オフ信
号）が、電磁弁６１へ入力されると同時に、コントロー
ラー６５へも入力されるようになっている。そして半導
体製造設備１の起動信号（直流電圧２４Ｖ）がコントロ
ーラー６５へ入力されると内蔵されているタイマーが時
間のカウントを開始し、その起動信号によって同時に駆
動される電磁弁６１を介して供給が開始される空気およ
びＮ2 ガスの空気流量計３２およびＮ2ガス流量計４２
との少なくとも何れか一方からの所定の流量であること
の信号が所定時間内にコントローラー６５へ入力されな
いと、コントローラー６５は排ガス処理設備２に異常が
あると判断して、インターロック信号を半導体製造設備
１に対して出力し、半導体製造設備１を停止させるよう
になっている。
り、空気流量計３２およびＮ2 ガス流量計４２のそれぞ
れから空気またはＮ2 ガスの流量を示す信号がコントロ
ーラー６５へ入力され、かつ半導体製造設備１の起動信
号と停止信号（直流電圧２４Ｖと０Ｖとのオン・オフ信
号）が、電磁弁６１へ入力されると同時に、コントロー
ラー６５へも入力されるようになっている。そして半導
体製造設備１の起動信号（直流電圧２４Ｖ）がコントロ
ーラー６５へ入力されると内蔵されているタイマーが時
間のカウントを開始し、その起動信号によって同時に駆
動される電磁弁６１を介して供給が開始される空気およ
びＮ2 ガスの空気流量計３２およびＮ2ガス流量計４２
との少なくとも何れか一方からの所定の流量であること
の信号が所定時間内にコントローラー６５へ入力されな
いと、コントローラー６５は排ガス処理設備２に異常が
あると判断して、インターロック信号を半導体製造設備
１に対して出力し、半導体製造設備１を停止させるよう
になっている。
【００１４】本発明の排ガス処理設備２は以上のように
構成されるが、次にその作用を説明する。なお、水冷部
１３における冷却水、排気洗浄塔２０における洗浄水は
従来通り供給され、反応部１２も従来通りヒーター１２
Ｈによって加熱されるものとする。
構成されるが、次にその作用を説明する。なお、水冷部
１３における冷却水、排気洗浄塔２０における洗浄水は
従来通り供給され、反応部１２も従来通りヒーター１２
Ｈによって加熱されるものとする。
【００１５】半導体製造設備１が起動されると、その起
動信号（例えば直流電圧２４Ｖ）によって駆動される電
磁弁６１が空気配管３１の空気開閉弁６３にエア圧を加
え「開」として反応塔１０への空気の供給を開始し、同
時に同様にしてＮ2 ガス配管４１の空気開閉弁６４を
「開」とし反応塔１０へのＮ2 ガスの供給を開始する。
半導体製造設備１からの起動信号によって空気およびＮ
2 ガスが反応塔１０へ供給されるので、半導体製造設備
１からの排ガスが本発明の排ガス処理設備２に到達する
までには十分な時間的余裕が確保される。
動信号（例えば直流電圧２４Ｖ）によって駆動される電
磁弁６１が空気配管３１の空気開閉弁６３にエア圧を加
え「開」として反応塔１０への空気の供給を開始し、同
時に同様にしてＮ2 ガス配管４１の空気開閉弁６４を
「開」とし反応塔１０へのＮ2 ガスの供給を開始する。
半導体製造設備１からの起動信号によって空気およびＮ
2 ガスが反応塔１０へ供給されるので、半導体製造設備
１からの排ガスが本発明の排ガス処理設備２に到達する
までには十分な時間的余裕が確保される。
【００１６】そして、半導体製造設備１からの排ガスは
排ガス配管９から反応塔１０の上部の排ガス導入部１１
へ導かれ、反応部１２で加熱酸化分解された後、水冷部
１３を経て排気洗浄塔２０へ送り込まれ、水洗浄されて
大気中へ放出される。
排ガス配管９から反応塔１０の上部の排ガス導入部１１
へ導かれ、反応部１２で加熱酸化分解された後、水冷部
１３を経て排気洗浄塔２０へ送り込まれ、水洗浄されて
大気中へ放出される。
【００１７】半導体製造設備１が停止される場合は、起
動の場合と全く逆である。その停止信号（直流電圧０
Ｖ）によって電磁弁６１がエアオペレートの空気開閉弁
６３、およびエアオペレート弁のＮ2 ガス開閉弁６４の
エア圧を解放して「閉」とし、反応塔１０への空気およ
びＮ2 ガスの供給を停止する。 従って、酸化用の空気
や希釈用および付着防止用のＮ2 ガスが無益に流される
ことが防止される。
動の場合と全く逆である。その停止信号（直流電圧０
Ｖ）によって電磁弁６１がエアオペレートの空気開閉弁
６３、およびエアオペレート弁のＮ2 ガス開閉弁６４の
エア圧を解放して「閉」とし、反応塔１０への空気およ
びＮ2 ガスの供給を停止する。 従って、酸化用の空気
や希釈用および付着防止用のＮ2 ガスが無益に流される
ことが防止される。
【００１８】また、排ガス処理設備２においては、排ガ
スが加熱酸化分解されて生ずる粉末状のＳｉＯ2 等の固
形物が反応塔１０の反応部１２、特に導入ノズル１２
Ｎ、およびその周辺に付着して詰まりを発生させ易い
が、そのような場合において、半導体製造設備１が起動
されると、その起動信号は電磁弁６１へ入力されて空気
開閉弁６３およびＮ2 ガス開閉弁６４を開とし、空気お
よびＮ2 ガスは排ガス導入部１１へ供給され始め、同時
にその起動信号はコントローラー６５へ入力され、内蔵
タイマーが経過時間をカウントし始める。空気とＮ2 ガ
スが所定の流量で流れていることの信号が空気流量計３
２およびＮ2 ガス流量計４２の少なくとも何れか一方か
ら所定時間内にコントローラー６５へ入力されないと、
コントローラー６５は反応塔１０を含む排ガス処理設備
２において閉塞が生じていると判断してインターロック
信号を出力し半導体製造設備１を停止させる。従って、
反応塔１０の圧力が高まり、予期しない大事故に繋がり
かねない危険を未然に防止する。
スが加熱酸化分解されて生ずる粉末状のＳｉＯ2 等の固
形物が反応塔１０の反応部１２、特に導入ノズル１２
Ｎ、およびその周辺に付着して詰まりを発生させ易い
が、そのような場合において、半導体製造設備１が起動
されると、その起動信号は電磁弁６１へ入力されて空気
開閉弁６３およびＮ2 ガス開閉弁６４を開とし、空気お
よびＮ2 ガスは排ガス導入部１１へ供給され始め、同時
にその起動信号はコントローラー６５へ入力され、内蔵
タイマーが経過時間をカウントし始める。空気とＮ2 ガ
スが所定の流量で流れていることの信号が空気流量計３
２およびＮ2 ガス流量計４２の少なくとも何れか一方か
ら所定時間内にコントローラー６５へ入力されないと、
コントローラー６５は反応塔１０を含む排ガス処理設備
２において閉塞が生じていると判断してインターロック
信号を出力し半導体製造設備１を停止させる。従って、
反応塔１０の圧力が高まり、予期しない大事故に繋がり
かねない危険を未然に防止する。
【００１９】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、勿論、本発明はこれに限られることなく、本発明
の技術的精神に基づいて種々の変形が可能である。
たが、勿論、本発明はこれに限られることなく、本発明
の技術的精神に基づいて種々の変形が可能である。
【００２０】例えば本発明の形態においては、排ガス処
理設備で処理する排ガスとして、ＳｉＨ4 および（Ｃ2
Ｈ5 Ｏ）4 Ｓｉを例示したが、これら含Ｓｉ系のガス以
外に、ゲルマン（ＧｅＨ4 ）、アルシン（ＡｓＨ3 ）、
ホスフィン（ＰＨ3 ）、ジボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）など、酸
化されて粉末状の固形物を生成するガスも処理対象とな
る。また粉末状の固形物を生成しないまでも水素（Ｈ
2 ）、メタン（ＣＨ4 ）、エタン（Ｃ2 Ｈ6 ）も対象に
含まれる。
理設備で処理する排ガスとして、ＳｉＨ4 および（Ｃ2
Ｈ5 Ｏ）4 Ｓｉを例示したが、これら含Ｓｉ系のガス以
外に、ゲルマン（ＧｅＨ4 ）、アルシン（ＡｓＨ3 ）、
ホスフィン（ＰＨ3 ）、ジボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）など、酸
化されて粉末状の固形物を生成するガスも処理対象とな
る。また粉末状の固形物を生成しないまでも水素（Ｈ
2 ）、メタン（ＣＨ4 ）、エタン（Ｃ2 Ｈ6 ）も対象に
含まれる。
【００２１】また本実施の形態においては、冷却水およ
び洗浄水について特に制御の対象としなかったが、空気
やＮ2 ガスと同様に、半導体製造設備１からの起動信号
と停止信号とによって反応塔１０および洗浄放出塔２０
へ供給し停止するようにしてもよい。
び洗浄水について特に制御の対象としなかったが、空気
やＮ2 ガスと同様に、半導体製造設備１からの起動信号
と停止信号とによって反応塔１０および洗浄放出塔２０
へ供給し停止するようにしてもよい。
【００２２】また本発明の形態においては、空気開閉弁
６３およびＮ2 ガス開閉弁６４をエアオペレート弁と
し、これらを電磁弁とすることは避けたが、簡便のため
にはこれらを電磁弁として半導体製造設備１からの起動
信号と停止信号とによって直接に開閉するようにしても
よい。
６３およびＮ2 ガス開閉弁６４をエアオペレート弁と
し、これらを電磁弁とすることは避けたが、簡便のため
にはこれらを電磁弁として半導体製造設備１からの起動
信号と停止信号とによって直接に開閉するようにしても
よい。
【００２３】
【発明の効果】本発明は以上に説明したような形態で実
施され、次に記載するような効果を奏する。
施され、次に記載するような効果を奏する。
【００２４】請求項１の排ガス処理設備によれば、排ガ
ス処理設備の稼働時のみに空気およびＮ2 ガスを反応塔
へ供給するので、空気およびＮ2 ガスの無益な消費を解
消し得る。
ス処理設備の稼働時のみに空気およびＮ2 ガスを反応塔
へ供給するので、空気およびＮ2 ガスの無益な消費を解
消し得る。
【００２５】例えば、空気を７０Ｌ／ｍｉｎの流量で２
４時間流した場合には１００，８００Ｌ／ｄａｙとな
り、半導体製造設備から排ガスが排出される７時間／ｄ
ａｙの間に使用される空気量は２９，４００Ｌ／ｄａｙ
であるから、その差７１，４００Ｌ／ｄａｙの無駄が解
消されるので、空気の単価を３．７円／ｍ2 として１カ
月当り７，９２５円が削減される。
４時間流した場合には１００，８００Ｌ／ｄａｙとな
り、半導体製造設備から排ガスが排出される７時間／ｄ
ａｙの間に使用される空気量は２９，４００Ｌ／ｄａｙ
であるから、その差７１，４００Ｌ／ｄａｙの無駄が解
消されるので、空気の単価を３．７円／ｍ2 として１カ
月当り７，９２５円が削減される。
【００２６】また、Ｎ2 ガスを３０Ｌ／ｍｉｎの流量で
２４時間流した場合には４３，２００Ｌ／ｄａｙとな
り、半導体製造設備から排ガスが使用される７時間／ｄ
ａｙの間に使用されるＮ2 ガス量は１２，６００Ｌ／ｄ
ａｙであるから、その差３０，６００Ｌ／ｄａｙの無駄
が解消されるので、Ｎ2 ガスの単価を１６円／ｍ3 とし
て１カ月当り１４，６８８円が削減される。すなわち、
空気とＮ2 ガスとで２２，６１３円／月の削減となる。
半導体の量産ラインでは同様な排ガス処理設備が２０台
程度設置されるが、仮に２０台とすると合計で４５２，
２６０円／月が削減される。
２４時間流した場合には４３，２００Ｌ／ｄａｙとな
り、半導体製造設備から排ガスが使用される７時間／ｄ
ａｙの間に使用されるＮ2 ガス量は１２，６００Ｌ／ｄ
ａｙであるから、その差３０，６００Ｌ／ｄａｙの無駄
が解消されるので、Ｎ2 ガスの単価を１６円／ｍ3 とし
て１カ月当り１４，６８８円が削減される。すなわち、
空気とＮ2 ガスとで２２，６１３円／月の削減となる。
半導体の量産ラインでは同様な排ガス処理設備が２０台
程度設置されるが、仮に２０台とすると合計で４５２，
２６０円／月が削減される。
【００２７】請求項２の排ガス処理設備によれば、全停
電時など、制御が不能な状態になった場合においても、
例えばＮ2 ガス開閉弁６４は閉となるので、無駄な放出
が避けられる。また、空気開閉弁６３も閉とされ、半導
体製造設備１への逆流を防ぎ、かつ爆発性ガス、可燃性
ガスが漏出している場合の安全性を高める。
電時など、制御が不能な状態になった場合においても、
例えばＮ2 ガス開閉弁６４は閉となるので、無駄な放出
が避けられる。また、空気開閉弁６３も閉とされ、半導
体製造設備１への逆流を防ぎ、かつ爆発性ガス、可燃性
ガスが漏出している場合の安全性を高める。
【００２８】請求項４の排ガス処理設備によれば、半導
体製造設備の起動信号によって空気開閉弁およびＮ2 ガ
ス流量計との少なくとも何れか一方において所定の流量
が得られない場合にはコントローラーが半導体製造設備
を停止させるので、反応塔内の圧力が高まって予期しな
い大事故に繋がりかねない危険を未然に防止する。
体製造設備の起動信号によって空気開閉弁およびＮ2 ガ
ス流量計との少なくとも何れか一方において所定の流量
が得られない場合にはコントローラーが半導体製造設備
を停止させるので、反応塔内の圧力が高まって予期しな
い大事故に繋がりかねない危険を未然に防止する。
【図１】本実施の形態の排ガス処理設備の配管系統図で
ある。
ある。
【図２】従来例の排ガス処理設備の要部の部分破断斜視
図である。
図である。
【図３】同設備の配管系統図である。
１……半導体製造設備、２……排ガス処理設備、１０…
…反応塔、１１……排ガス導入部、１２……反応部、１
３……水冷部、２０……排気洗浄塔、３１……空気配
管、３２……空気流量計、４１……Ｎ2 ガス配管、４２
……Ｎ2 ガス流量計、６１……電磁弁、６３……空気開
閉弁、６４……Ｎ2 ガス開閉弁、６５……コントローラ
ー。
…反応塔、１１……排ガス導入部、１２……反応部、１
３……水冷部、２０……排気洗浄塔、３１……空気配
管、３２……空気流量計、４１……Ｎ2 ガス配管、４２
……Ｎ2 ガス流量計、６１……電磁弁、６３……空気開
閉弁、６４……Ｎ2 ガス開閉弁、６５……コントローラ
ー。
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体製造設備から排出される可燃性ガ
ス、爆発性ガスを含む排ガスを導入すると共に、酸化の
ための空気および希釈その他のための窒素ガスを供給し
て、前記排ガスを加熱酸化分解させ無害な酸化物として
処理する排ガス処理設備において、 前記半導体製造設備の起動信号によって開、停止信号に
よって閉とされる空気開閉弁が空気供給配管に設置さ
れ、同じく前記半導体製造設備の起動信号によって開、
停止信号によって閉とされる窒素ガス開閉弁が窒素ガス
供給配管に設置されており、 前記半導体製造設備の稼働時のみに前記空気および前記
窒素ガスが供給されることを特徴とする排ガス処理設
備。 - 【請求項２】 前記空気開閉弁および前記窒素ガス開閉
弁が全停電時などの制御不能時において閉となるように
設定されている弁であることを特徴とする請求項１に記
載の排ガス処理設備。 - 【請求項３】 前記空気開閉弁および前記窒素ガス開閉
弁がエア圧操作弁であり、前記半導体設備からの前記起
動信号および前記停止信号が入力される電磁弁によって
エア圧が操作されて開閉されることを特徴とする請求項
１または請求項２に記載の排ガス処理設備。 - 【請求項４】 前記空気供給配管における前記空気開閉
弁の下流側に空気流量計、前記窒素ガス供給配管におけ
る前記窒素ガス開閉弁の下流側に窒素ガス流量計、およ
びそれらの流量計と前記半導体製造設備との間にコント
ローラーが設置されており、それらの間において、 前記空気流量計からの前記空気の流量を示す信号、およ
び前記窒素ガス流量計からの前記窒素ガスの流量を示す
信号が独立して前記コントローラーへ入力され、かつ前
記半導体製造設備の前記起動信号が前記コントローラー
へ入力されて、該コントローラーのタイマーが前記起動
信号の入力後の経過時間をカウントするようになってお
り、 前記半導体製造設備からの前記起動信号によって前記空
気開閉弁および前記窒素ガス開閉弁が開とされ、同時に
前記コントローラーの前記タイマーが前記経過時間のカ
ウントを開始した後、所定時間内に前記空気流量計およ
び前記窒素ガス流量計の少なくとも何れか一方から所定
の流量であることの信号が前記コントローラーへ入力さ
れない場合には、前記コントローラーがインターロック
信号を出力して前記半導体製造設備を停止させることを
特徴とする請求項１に記載の排ガス処理設備。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9007904A JPH10202045A (ja) | 1997-01-20 | 1997-01-20 | 排ガス処理設備 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9007904A JPH10202045A (ja) | 1997-01-20 | 1997-01-20 | 排ガス処理設備 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10202045A true JPH10202045A (ja) | 1998-08-04 |
Family
ID=11678560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9007904A Pending JPH10202045A (ja) | 1997-01-20 | 1997-01-20 | 排ガス処理設備 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10202045A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009082892A (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-23 | Kanken Techno Co Ltd | 排ガス処理装置の温度制御方法及び該方法を用いた排ガス処理装置と排ガス処理システム |
| JP2010166005A (ja) * | 2009-01-19 | 2010-07-29 | Tokyo Electron Ltd | レシピの作成装置、この作成方法、処理装置、このメンテナンス方法、処理装置のインターロックシステム及びこのインターロック方法 |
| JP2013131746A (ja) * | 2011-12-20 | 2013-07-04 | Asml Netherlands Bv | ポンプシステム、二酸化炭素供給システム、抽出システム、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法 |
| JP2020007202A (ja) * | 2018-07-11 | 2020-01-16 | 国立大学法人大阪大学 | Ｉｉｉ族窒化物基板およびｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法 |
-
1997
- 1997-01-20 JP JP9007904A patent/JPH10202045A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009082892A (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-23 | Kanken Techno Co Ltd | 排ガス処理装置の温度制御方法及び該方法を用いた排ガス処理装置と排ガス処理システム |
| JP2010166005A (ja) * | 2009-01-19 | 2010-07-29 | Tokyo Electron Ltd | レシピの作成装置、この作成方法、処理装置、このメンテナンス方法、処理装置のインターロックシステム及びこのインターロック方法 |
| JP2013131746A (ja) * | 2011-12-20 | 2013-07-04 | Asml Netherlands Bv | ポンプシステム、二酸化炭素供給システム、抽出システム、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法 |
| JP2015146047A (ja) * | 2011-12-20 | 2015-08-13 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | ポンプシステム、二酸化炭素供給システム、抽出システム、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法 |
| US9575406B2 (en) | 2011-12-20 | 2017-02-21 | Asml Netherlands B.V. | Pump system, a carbon dioxide supply system, an extraction system, a lithographic apparatus and a device manufacturing method |
| JP2020007202A (ja) * | 2018-07-11 | 2020-01-16 | 国立大学法人大阪大学 | Ｉｉｉ族窒化物基板およびｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法 |
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