JP2007227494A - 発光素子形成用の積層構造体、発光素子、および発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】サファイア上にAlNがエピタキシャル形成されたエピタキシャル基板上に、波長が300nm以下の光に対する吸収能を有さない組成範囲のAlGaNからなるn型層と、紫外領域に発光波長を有する組成範囲のAlGaNからなる発光層と、AlGaNからなるp型層とをMOCVDにてこの順に積層形成する。その際、n型層におけるSi原子の濃度値に対する、O原子とC原子の濃度値の総和の比率が0.8以下となるようにする。これは例えば、1100〜1200℃の成長温度あるいは10Torr〜50Torrの成長圧力で実現される。これにより、Siドナーの活性化率が向上し、比抵抗が1.5Ωcm以下で、転位密度が1010/cm2の高結晶品質のn型層が形成される。
【選択図】図2
Description
図1は、本発明の実施の形態に係る発光素子10の断面構造の一例を模式的に示す図である。発光素子10は、基板1の上に、n型層2と、発光層3と、p型層4とがこの順にエピタキシャル形成されてなる積層構造体である。ここで、基板1は、基材1aと、その上にエピタキシャル形成されてなる成長下地層1bとからなる、いわゆるエピタキシャル基板である(あるいはテンプレート基板とも称される)。また、発光素子10においては、p型層4の上に、Au/Niなどでp型電極5が形成されてなる。さらに、発光層3およびp型層4の一部をエッチング等にて除去することにより露出させたn型層2の上に、Al/Tiなどのn型電極6が形成されてなる。なお、図示の都合上、図1の図面における各層の厚みの比率および縦横の比率は、実際の比率を反映したものではない。
次に、上述したn型層2の低抵抗化を実現する好適な作製条件について説明する。図2、図3、図4、および図5はこれを説明するための図である。ここでは、基材1aとしてサファイアを用い、成長下地層1bとしてAlNを形成してなる基板1を用い、MOCVD法によって、種々の条件でn型層2を形成した場合について示す。原料ガスとしては、TMA(トリメチルアルミニウム)、TMG(トリメチルガリウム)、およびNH3を用い、それぞれの毎分の供給流量比が1:1:4000となるように供給している。また、Siドープのためのシランガスは、n型層2中のSi濃度が1×1019/cm2となるように供給している。
上述したような、基材1aとその上にIII族窒化物結晶膜がエピタキシャル形成されてなる成長下地層1bとから構成される基板1を用いて発光素子10を形成する場合、n型層2の形成に先立って、基板1を、所定の処理装置によって少なくとも1250℃以上に、好ましくは1500℃以上に加熱する熱処理を行ってもよい。これにより、成長下地層1bを構成するIII族窒化物結晶の結晶品質の改善が実現される。係る熱処理は、特に成長下地層1bの転位の低減や表面におけるピットの解消に対して有効である。例えば、転位密度は、おおよそ1/10以下にまで減少する。特に、刃状転位を効果的に合体消失させることができる。上述の実施の形態において述べたように、成長下地層1bにおいては1×1010/cm2程度ないしはそれ以上の転位を含んでいるが、n型層2の形成に先立って、熱処理を適宜に行うことにより、成長下地層1bの転位は熱処理前よりも1オーダー程度減少する。また、熱処理せずに形成したn型層2においては、1×1010/cm2以下という転位密度が実現されてなるが、係る熱処理後に形成したn型層2においても、やはり、熱処理しない場合よりも転位密度が1オーダー程度減少することが、本発明の発明者によって確認されている。また、n型層2における転位の進行方向を、膜厚成長方向に平行に貫通する方向から、傾きを生じせしめ、転位密度の合体消失を促進するという効果も有する。併せて、n型層2をAlNの格子定数にコヒーレントに成長させ大きな圧縮応力を生じさせることも確認されている。
1a 基材
1b 成長下地層
2 n型層
3 発光層
4 p型層
5 p型電極
6 n型電極
10 発光素子
Claims (8)
- 所定の基板と、
前記基板の上にエピタキシャル形成され、第1のIII族窒化物からなるn型層と、
を備え、
所定の機能層を上部に積層形成することで発光素子を得ることができる、発光素子形成用の積層構造体であって、
前記第1のIII族窒化物が、波長が300nm以下の光に対する吸収能を有さない組成範囲のAlxGa1-xN(0≦x≦1)であり、
前記n型層におけるSi原子の濃度値に対する、前記n型層における酸素原子と炭素原子の濃度値の総和の比率が、0.8以下である、
ことを特徴とする発光素子形成用の積層構造体。 - 請求項1に記載の積層構造体であって、
前記n型層が1150℃以上1200℃以下の温度で形成されてなる、
ことを特徴とする発光素子形成用の積層構造体。 - 請求項1または請求項2に記載の積層構造体であって、
前記n型層が10Torr以上50Torr以下の圧力で形成されてなる、
ことを特徴とする発光素子形成用の積層構造体。 - 請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の積層構造体であって、
前記基板が、
単結晶サファイアからなる基材と、
前記基材上にAlpGa1-pN(0.8≦p≦1)がエピタキシャル形成されてなる成長下地層と、
からなり、
前記成長下地層の上に前記下地層よりAlモル濃度が低い前記n型層が形成されてなる、
ことを特徴とする発光素子形成用の積層構造体。 - 発光素子であって、
請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の積層構造体の上に、第2のIII族窒化物からなる発光層と第3のIII族窒化物からなるp型層とがこの順にエピタキシャル形成されてなり、
前記第2のIII族窒化物が紫外領域に発光波長を有する組成範囲のAlyGa1-yN(0≦y≦1)である、
ことを特徴とする発光素子。 - 発光素子の製造方法であって、
所定の基板の上に第1のIII族窒化物からなるn型層をエピタキシャル形成するn型層形成工程と、
前記n型層の上に、第2のIII族窒化物からなる発光層をエピタキシャル形成する発光層形成工程と、
前記発光層の上に、第3のIII族窒化物からなるp型層をエピタキシャル形成する形成するp型層形成工程と、
を備え、
前記第1のIII族窒化物が波長が300nm以下の光に対する吸収能を有さない組成範囲のAlxGa1-xN(0≦x≦1)であり、
前記第2のIII族窒化物が紫外領域に発光波長を有する組成範囲のAlyGa1-yN(0≦y≦1)であり、
前記n型層形成工程においては、1150℃以上1200℃以下の温度で前記n型層を形成する、
ことを特徴とする発光素子の製造方法。 - 請求項6に記載の発光素子の製造方法であって、
前記n型層形成工程においては、10Torr以上50Torr以下の圧力で前記n型層を形成する、
ことを特徴とする発光素子の製造方法。 - 請求項6または請求項7に記載の発光素子の製造方法であって、
前記基板が、
単結晶サファイアからなる基材と、
前記基材上にAlpGa1-pN(0.8≦p≦1)がエピタキシャル形成されてなる成長下地層と、
からなり、
前記n型層形成工程においては、前記成長下地層の上に前記下地層よりAlモル濃度が低い前記n型層を形成する、
ことを特徴とする発光素子の製造方法。
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2006
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