JP2020004940A - 電磁波吸収複合シート - Google Patents
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Abstract
【課題】 所望の周波数域の電磁波ノイズに対して高い吸収能を有する電磁波吸収複合シートを提供する。【解決手段】 電磁波吸収フィルムの上に電磁波シールドフィルムを積層してなり、電磁波吸収フィルムが、プラスチックフィルムの一面に設けた単層又は多層の金属薄膜に多数（複数）の実質的に平行で断続的な線状痕を不規則な幅及び間隔で複数方向に形成してなり、電磁波シールドフィルムが、導電性金属の箔、導電性金属の薄膜又は塗膜を有するプラスチックフィルム、又はカーボンシートであり、電磁波吸収フィルムに対する電磁波シールドフィルムの面積率が10〜80％である電磁波吸収複合シート。【選択図】 図1(b)
Description
本発明は所望の周波数域の電磁波ノイズに対して高い吸収能を有するとともに、電磁波ノイズ吸収能が極大化する周波数域をシフトすることができる電磁波吸収複合シートに関する。
電気機器及び電子機器から電磁波ノイズが放射されるだけでなく、周囲の電磁波ノイズが侵入し、もって信号にノイズが混入することになる。電磁波ノイズの放射及び侵入を防止するために、従来から電気機器及び電子機器を金属シートでシールドすることが行われている。また、電気機器及び電子機器内に電磁波吸収フィルムを設け、電磁波ノイズを吸収することも提案されている。
例えば、WO 2010/093027 A1（特許文献1）は、プラスチックフィルムと、その少なくとも一面に設けた単層又は多層の金属薄膜とを有し、前記金属薄膜に多数の実質的に平行で断続的な線状痕が不規則な幅及び間隔で複数方向に形成されていることを特徴とする電磁波吸収能の異方性が低減された線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムを開示している。特許文献1は、線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルムと電磁波反射体（金属のシート、ネット又はメッシュ、金属薄膜を形成したプラスチックフィルム等）とを誘電体層を介して積層し、複合型電磁波吸収体とすることができることを記載している。この複合型電磁波吸収体は広い周波数の電磁波ノイズに対して高い吸収能を有するが、特定の周波数の電磁波ノイズに対して特に大きな吸収能を発揮するという機能、及び電磁波ノイズ吸収能が極大化する周波数域をシフトする機能は有していない。
WO 2013/081043 A1（特許文献2）は、(a) プラスチックフィルムと、その少なくとも一面に設けた単層又は多層の金属薄膜とを有し、前記金属薄膜に多数の実質的に平行で断続的な線状痕が不規則な幅及び間隔で複数方向に形成された第一の電磁波吸収フィルムと、(b) 磁性粒子又は非磁性導電性粒子が分散した樹脂又はゴムからなる第二の電磁波吸収フィルムとからなることを特徴とする複合電磁波吸収シートを開示している。この複合型電磁波吸収体は広い周波数の電磁波ノイズに対して高い吸収能を有するが、特定の周波数の電磁波ノイズに対して特に大きな吸収能を発揮するという機能、及び電磁波ノイズ吸収能が極大化する周波数域をシフトする機能は有していない。
従って本発明の目的は、所望の周波数域の電磁波ノイズに対して高い吸収能を有するとともに、電磁波ノイズ吸収能が極大化する周波数域をシフトすることができる電磁波吸収複合シートを提供することである。
上記目的に鑑み鋭意研究の結果、本発明者は、多数（複数）の実質的に平行で断続的な線状痕を不規則な幅及び間隔で複数方向に形成した金属薄膜を有する電磁波吸収フィルムの上に電磁波シールドフィルムを積層し、かつ前記電磁波吸収フィルムに対する前記電磁波シールドフィルムの面積率を10〜80％に設定することにより、所望の周波数域の電磁波ノイズに対して高い吸収能を有する電磁波吸収複合シートが得られることを発見し、本発明に想到した。
すなわち、本発明の電磁波吸収複合シートは、
電磁波吸収フィルムの上に電磁波シールドフィルムを積層してなり、
前記電磁波吸収フィルムが、プラスチックフィルムの一面に設けた単層又は多層の金属薄膜に多数（複数）の実質的に平行で断続的な線状痕を不規則な幅及び間隔で複数方向に形成してなり、
前記電磁波吸収フィルムに対する前記電磁波シールドフィルムの面積率が10〜80％であることを特徴とする。
電磁波吸収フィルムの上に電磁波シールドフィルムを積層してなり、
前記電磁波吸収フィルムが、プラスチックフィルムの一面に設けた単層又は多層の金属薄膜に多数（複数）の実質的に平行で断続的な線状痕を不規則な幅及び間隔で複数方向に形成してなり、
前記電磁波吸収フィルムに対する前記電磁波シールドフィルムの面積率が10〜80％であることを特徴とする。
前記電磁波吸収フィルムに対する前記電磁波シールドフィルムの面積率は20〜80％であるのが好ましく、30〜70％であるのがより好ましく、40〜60％であるのが最も好ましい。
前記電磁波シールドフィルムは導電性金属の箔、導電性金属の薄膜又は塗膜を有するプラスチックフィルム、又はカーボンシートであるのが好ましい。
前記電磁波吸収フィルムにおける前記線状痕の幅は、90％以上が0.1〜100μmの範囲内にあって平均1〜50μmであり、前記線状痕の横手方向間隔が1〜500μmの範囲内にあって平均1〜200μmであるのが好ましい。
前記電磁波吸収フィルムの線状痕の鋭角側の交差角θsは30〜90°の範囲内であるのが好ましい。
前記電磁波シールドフィルムにおける前記導電性金属はアルミニウム、銅、銀、錫、ニッケル、コバルト、クロム及びこれらの合金からなる群から選ばれた少なくとも一種であるのが好ましい。
前記電磁波吸収フィルム及び前記電磁波シールドフィルムはいずれも長方形又は正方形であるのが好ましい。
上記構成を有する本発明の電磁波吸収複合シートは、優れた電磁波吸収能を有するとともに、電磁波吸収フィルムに対する電磁波シールドフィルムの面積率を10〜80％の範囲内で変更することにより、所望の周波数域の電磁波ノイズに対する吸収能を最大化することができる。このような電磁波吸収複合シートは、特定の周波数の電磁波ノイズを出す電子機器や電子部品に使用することにより、その電磁波ノイズを効率的に吸収することができる。
本発明の実施形態を添付図面を参照して詳細に説明するが、特に断りがなければ一つの実施形態に関する説明は他の実施形態にも適用される。また下記説明は限定的ではなく、本発明の技術的思想の範囲内で種々の変更をしても良い。
図1(a) は本発明の電磁波吸収複合シート10を構成する電磁波吸収フィルム1と、電磁波吸収フィルム1の上に積層する電磁波シールドフィルム2とを示し、図1(b) は電磁波吸収フィルム1と電磁波シールドフィルム2からなる本発明の電磁波吸収複合シート10の一例を示す。
[1] 電磁波吸収フィルム
図2(a) 及び図2(b) に示すように、電磁波吸収フィルム1は、プラスチックフィルム11と、その少なくとも一面に設けた単層又は多層の金属薄膜12とを有し、金属薄膜12に多数（複数）の実質的に平行で断続的な線状痕13が不規則な幅及び間隔で複数方向に形成されている。
図2(a) 及び図2(b) に示すように、電磁波吸収フィルム1は、プラスチックフィルム11と、その少なくとも一面に設けた単層又は多層の金属薄膜12とを有し、金属薄膜12に多数（複数）の実質的に平行で断続的な線状痕13が不規則な幅及び間隔で複数方向に形成されている。
(1) プラスチックフィルム
プラスチックフィルム11を形成する樹脂は、絶縁性とともに十分な強度、可撓性及び加工性を有する限り特に制限されず、例えばポリエステル（ポリエチレンテレフタレート等）、ポリアリーレンサルファイド（ポリフェニレンサルファイド等）、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリスチレン、ポリオレフィン（ポリエチレン、ポリプロピレン等）等が挙げられる。強度及びコストの観点から、ポリエチレンテレフタレート（PET）が好ましい。プラスチックフィルム11の厚さは8〜30μm程度で良い。
プラスチックフィルム11を形成する樹脂は、絶縁性とともに十分な強度、可撓性及び加工性を有する限り特に制限されず、例えばポリエステル（ポリエチレンテレフタレート等）、ポリアリーレンサルファイド（ポリフェニレンサルファイド等）、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリスチレン、ポリオレフィン（ポリエチレン、ポリプロピレン等）等が挙げられる。強度及びコストの観点から、ポリエチレンテレフタレート（PET）が好ましい。プラスチックフィルム11の厚さは8〜30μm程度で良い。
(2) 金属薄膜
金属薄膜12を形成する金属は導電性を有する限り特に限定されないが、耐食性及びコストの観点からアルミニウム、銅、銀、錫、ニッケル、コバルト、クロム及びこれらの合金が好ましく、特にアルミニウム、銅、ニッケル及びこれらの合金が好ましい。金属薄膜12の厚さは0.01μm以上が好ましい。厚さの上限は特に限定的でないが、実用的には10μm程度で十分である。勿論、10μm超の金属薄膜12を用いても良いが、高周波数の電磁波ノイズの吸収能はほとんど変わらない。従って、金属薄膜12の厚さは0.01〜10μmが好ましく、0.01〜5μmがより好ましく、0.01〜1μmが最も好ましい。金属薄膜12は蒸着法（真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理蒸着法、又はプラズマCVD法、熱CVD法、光CVD法等の化学気相蒸着法）、めっき法又は箔接合法により形成することができる。
金属薄膜12を形成する金属は導電性を有する限り特に限定されないが、耐食性及びコストの観点からアルミニウム、銅、銀、錫、ニッケル、コバルト、クロム及びこれらの合金が好ましく、特にアルミニウム、銅、ニッケル及びこれらの合金が好ましい。金属薄膜12の厚さは0.01μm以上が好ましい。厚さの上限は特に限定的でないが、実用的には10μm程度で十分である。勿論、10μm超の金属薄膜12を用いても良いが、高周波数の電磁波ノイズの吸収能はほとんど変わらない。従って、金属薄膜12の厚さは0.01〜10μmが好ましく、0.01〜5μmがより好ましく、0.01〜1μmが最も好ましい。金属薄膜12は蒸着法（真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理蒸着法、又はプラズマCVD法、熱CVD法、光CVD法等の化学気相蒸着法）、めっき法又は箔接合法により形成することができる。
金属薄膜12が単層の場合、金属薄膜12は導電性、耐食性及びコストの観点からアルミニウム又はニッケルからなるのが好ましい。また金属薄膜12が複層の場合、一方を非磁性金属により形成し、他方を磁性金属により形成しても良い。非磁性金属としてアルミニウム、銅、銀、錫又はこれらの合金が挙げられ、磁性金属としてニッケル、コバルト、クロム又はこれらの合金が挙げられる。磁性金属薄膜の厚さは0.01μm以上が好ましく、非磁性金属薄膜の厚さは0.1μm以上が好ましい。厚さの上限は特に限定的でないが、両者とも実用的には10μm程度で良い。より好ましくは、磁性金属薄膜の厚さは0.01〜5μmであり、非磁性金属薄膜の厚さは0.1〜5μmである。図2(e) 及び図2(f) はプラスチックフィルム11に二層の金属薄膜12a，12bを形成した場合を示す。
(3) 線状痕
図2(b) 及び図2(c) に示す例では、金属薄膜12に多数の実質的に平行で断続的な線状痕13a，13bが二方向に不規則な幅及び間隔で形成されている。なお、説明のために図2(c) では線状痕13の深さを誇張している。図2(d) に示すように、二方向に配向した線状痕13は種々の幅W及び間隔Iを有する。後述するように、線状痕13はランダムに付着した硬質微粒子（ダイヤモンド微粒子）を有するパターンロールの摺接により形成されるので、線状痕13の間隔Iは横手方向及び長手方向で変わらない。以下横手方向間隔Iについて説明するが、その説明はそのまま長手方向間隔にも当てはまる。線状痕13の幅Wは線状痕形成前の金属薄膜12の表面Sに相当する高さで求め、線状痕13の間隔Iは、線状痕形成前の金属薄膜12の表面Sに相当する高さにおける線状痕13の間隔とする。線状痕13が種々の幅W及び間隔Iを有するので、電磁波吸収フィルム1は広範囲にわたる周波数の電磁波ノイズを効率良く吸収することができる。
図2(b) 及び図2(c) に示す例では、金属薄膜12に多数の実質的に平行で断続的な線状痕13a，13bが二方向に不規則な幅及び間隔で形成されている。なお、説明のために図2(c) では線状痕13の深さを誇張している。図2(d) に示すように、二方向に配向した線状痕13は種々の幅W及び間隔Iを有する。後述するように、線状痕13はランダムに付着した硬質微粒子（ダイヤモンド微粒子）を有するパターンロールの摺接により形成されるので、線状痕13の間隔Iは横手方向及び長手方向で変わらない。以下横手方向間隔Iについて説明するが、その説明はそのまま長手方向間隔にも当てはまる。線状痕13の幅Wは線状痕形成前の金属薄膜12の表面Sに相当する高さで求め、線状痕13の間隔Iは、線状痕形成前の金属薄膜12の表面Sに相当する高さにおける線状痕13の間隔とする。線状痕13が種々の幅W及び間隔Iを有するので、電磁波吸収フィルム1は広範囲にわたる周波数の電磁波ノイズを効率良く吸収することができる。
線状痕13の幅Wの90％以上は0.1〜100μmの範囲内にあるのが好ましく、0.5〜50μmの範囲内にあるのがより好ましく、0.5〜20μmの範囲内にあるのが最も好ましい。線状痕13の平均幅Wavは1〜50μmであるのが好ましく、1〜10μmがより好ましく、1〜5μmが最も好ましい。
線状痕13の横手方向間隔Iは1〜500μmの範囲内にあるのが好ましく、1〜100μmの範囲内にあるのがより好ましく、1〜50μmの範囲内にあるのが最も好ましく、1〜30μmの範囲内にあるのが特に好ましい。また線状痕13の横手方向平均間隔Iavは1〜200μmが好ましく、5〜50μmがより好ましく、5〜30μmが最も好ましい。
線状痕13の長さLsは、摺接条件（主としてロール及びフィルムの相対的な周速、により決まるので、摺接条件を変えない限り大部分がほぼ同じである（ほぼ平均長さに等しい）。線状痕13の長さLsは特に限定的でなく、実用的には1〜100 mm程度で良く、好ましくは2〜10 mmである。
線状痕13a，13bの鋭角側の交差角（以下特に断りがなければ単に「交差角」とも言う）θsは30〜90°が好ましく、60〜90°がより好ましい。複合フィルムとパターンロールとの摺接条件（摺接方向、周速比等）を調整することにより、種々の交差角θsの線状痕13が得られる。
(4) 製造方法
図3(a)〜図3(e) は線状痕を二方向に形成する装置の一例を示す。この装置は、(a) 金属薄膜を形成したプラスチックフィルム（金属薄膜−プラスチック複合フィルム）200を巻き出すリール221と、(b) 複合フィルム100の幅方向と異なる方向で金属薄膜12の側に配置された第一のパターンロール202aと、(c) 第一のパターンロール202aの上流側で金属薄膜12の反対側に配置された第一の押えロール203aと、(d) 複合フィルム100の幅方向に関して第一のパターンロール202aと逆方向にかつ金属薄膜12の側に配置された第二のパターンロール202bと、(e) 第二のパターンロール202bの下流側で金属薄膜12の反対側に配置された第二の押えロール203bと、(f) 第一及び第二のパターンロール202a，202bの間で金属薄膜12の側に配置された電気抵抗測定手段204aと、(g) 第二のパターンロール202bの下流側で金属薄膜12の側に配置された電気抵抗測定手段204bと、(h) 線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルム（電磁波吸収フィルム）111を巻き取るリール224とを有する。その他に、所定の位置に複数のガイドロール222，223が配置されている。各パターンロール202a，202bは、撓みを防止するためにバックアップロール（例えばゴムロール）205a，205bで支持されている。
図3(a)〜図3(e) は線状痕を二方向に形成する装置の一例を示す。この装置は、(a) 金属薄膜を形成したプラスチックフィルム（金属薄膜−プラスチック複合フィルム）200を巻き出すリール221と、(b) 複合フィルム100の幅方向と異なる方向で金属薄膜12の側に配置された第一のパターンロール202aと、(c) 第一のパターンロール202aの上流側で金属薄膜12の反対側に配置された第一の押えロール203aと、(d) 複合フィルム100の幅方向に関して第一のパターンロール202aと逆方向にかつ金属薄膜12の側に配置された第二のパターンロール202bと、(e) 第二のパターンロール202bの下流側で金属薄膜12の反対側に配置された第二の押えロール203bと、(f) 第一及び第二のパターンロール202a，202bの間で金属薄膜12の側に配置された電気抵抗測定手段204aと、(g) 第二のパターンロール202bの下流側で金属薄膜12の側に配置された電気抵抗測定手段204bと、(h) 線状痕付き金属薄膜−プラスチック複合フィルム（電磁波吸収フィルム）111を巻き取るリール224とを有する。その他に、所定の位置に複数のガイドロール222，223が配置されている。各パターンロール202a，202bは、撓みを防止するためにバックアップロール（例えばゴムロール）205a，205bで支持されている。
図3(c) に示すように、各パターンロール202a，202bとの摺接位置より低い位置で各押えロール203a，203bが複合フィルム100に接するので、複合フィルム100の金属薄膜12は各パターンロール202a，202bに押圧される。この条件を満たしたまま各押えロール203a，203bの縦方向位置を調整することにより、各パターンロール202a，202bの金属薄膜12への押圧力を調整でき、また中心角θ1に比例する摺接距離も調整できる。
図3(d) は線状痕13aが複合フィルム100の進行方向に対して斜めに形成される原理を示す。複合フィルム100の進行方向に対してパターンロール202aは傾斜しているので、パターンロール202a上の硬質微粒子の移動方向（回転方向）aと複合フィルム100の進行方向bとは異なる。そこでXで示すように、任意の時点においてパターンロール202a上の点Aにおける硬質微粒子が金属薄膜12と接触して痕Bが形成されたとすると、所定の時間後に硬質微粒子は点A’まで移動し、痕Bは点B’まで移動する。点Aから点A’まで硬質微粒子が移動する間、痕は連続的に形成されるので、点B’から点A’まで延在する線状痕13aが形成されたことになる。
第一及び第二のパターンロール202a，202bで形成される第一及び第二の線状痕の方向及び交差角θsは、各パターンロール202a，202bの複合フィルム100に対する角度、及び／又は複合フィルム100の走行速度に対する各パターンロール202a，202bの周速度を変更することにより調整することができる。例えば、複合フィルム100の走行速度bに対するパターンロール202aの周速度aを増大させると、図3(d) のYで示すように線状痕13aを線分C’D’のように複合フィルム100の進行方向に対して45°にすることができる。同様に、複合フィルム100の幅方向に対するパターンロール202aの傾斜角θ2を変えると、パターンロール202aの周速度aを変えることができる。これはパターンロール202bについても同様である。従って、両パターンロール202a，202bの調整により、線状痕13a，13bの方向を変更することができる。
各パターンロール202a，202bは複合フィルム100に対して傾斜しているので、各パターンロール202a，202bとの摺接により複合フィルム100は幅方向の力を受ける。従って、複合フィルム100の蛇行を防止するために、各パターンロール202a，202bに対する各押えロール203a，203bの縦方向位置及び／又は角度を調整するのが好ましい。例えば、パターンロール202aの軸線と押えロール203aの軸線との交差角θ3を適宜調節すると、幅方向の力をキャンセルするように押圧力の幅方向分布が得られ、もって蛇行を防止することができる。またパターンロール202aと押えロール203aとの間隔の調整も蛇行の防止に寄与する。複合フィルム100の蛇行及び破断を防止するために、複合フィルム100の幅方向に対して傾斜した第一及び第二のパターンロール202a，202bの回転方向は複合フィルム100の進行方向と同じであるのが好ましい。
図3(b) に示すように、ロール形の各電気抵抗測定手段204a，204bは絶縁部40を介して一対の電極（図示せず）を有し、それらの間で線状痕付き金属薄膜12の電気抵抗を測定する。電気抵抗測定手段204a，204bで測定した電気抵抗値をフィードバックして、複合フィルム100の走行速度、パターンロール202a，202bの回転速度及び傾斜角θ2、押えロール203a，203bの位置及び傾斜角θ3等の運転条件を調整する。
複合フィルム100に対するパターンロール202a，202bの押圧力を増大するために、図4に示すようにパターンロール202a，202bの間に第三の押えロール203cを設けても良い。第三の押えロール203cにより中心角θ1に比例する金属薄膜12の摺接距離も増大し、線状痕13a，13bは長くなる。第三の押えロール203cの位置及び傾斜角を調整すると、複合フィルム100の蛇行の防止にも寄与できる。
図5は直交する二方向に配向する線状痕を形成する装置の例を示す。この装置は、第二のパターンロール232bが複合フィルム100の幅方向と平行に配置されている点で図3(a)〜図3(e) に示す装置と異なる。従って、図3(a)〜図3(e) に示す装置と異なる部分のみ以下説明する。第二のパターンロール232bの回転方向は複合フィルム100の進行方向と同じでも逆でも良い。また第二の押えロール233bは第二のパターンロール232bの上流側でも下流側でも良い。この装置は、図3(d) においてZで示すように、線状痕113a'の方向（線分E’F’）を複合フィルム100の幅方向にし、90°で交差する線状痕を形成するのに適している。
線状痕の傾斜角及び交差角だけでなく、それらの深さ、幅、長さ及び間隔を決める運転条件は、複合フィルム100の走行速度、パターンロールの回転速度及び傾斜角及び押圧力等である。複合フィルムの走行速度は5〜200 m/分が好ましく、パターンロールの周速は10〜2,000 m/分が好ましい。パターンロールの傾斜角θ2は20°〜60°が好ましく、特に約45°が好ましい。複合フィルム100の張力（押圧力に比例する）は0.05〜5 kgf/cm幅が好ましい。
線状痕形成装置に使用するパターンロールは、鋭い角部を有するモース硬度5以上の微粒子を表面に有するロール、例えば特開2002-59487号に記載されているダイヤモンドロールが好ましい。線状痕の幅は微粒子の粒径により決まるので、ダイヤモンド微粒子の90％以上は1〜1,000μmの範囲内の粒径を有するのが好ましく、10〜200μｍの範囲内の粒径がより好ましい。ダイヤモンド微粒子はロール面に50％以上の面積率で付着しているのが好ましい。
[2] 電磁波シールドフィルム
電磁波吸収フィルム1を透過した電磁波ノイズを反射して電磁波吸収フィルム1に再投入させるために、電磁波シールドフィルム2は電磁波ノイズを反射する機能を有する必要がある。かかる機能を効果的に発揮するために、電磁波シールドフィルム2は導電性金属の箔、導電性金属の薄膜又は塗膜を有するプラスチックフィルム、又はカーボンシートであるのが好ましい。電磁波吸収フィルム1と電磁波シールドフィルム2の積層は、非導電性接着剤を介して行うのが好ましい。接着剤又は粘着剤は公知のもので良い。
電磁波吸収フィルム1を透過した電磁波ノイズを反射して電磁波吸収フィルム1に再投入させるために、電磁波シールドフィルム2は電磁波ノイズを反射する機能を有する必要がある。かかる機能を効果的に発揮するために、電磁波シールドフィルム2は導電性金属の箔、導電性金属の薄膜又は塗膜を有するプラスチックフィルム、又はカーボンシートであるのが好ましい。電磁波吸収フィルム1と電磁波シールドフィルム2の積層は、非導電性接着剤を介して行うのが好ましい。接着剤又は粘着剤は公知のもので良い。
(1) 導電性金属の箔
前記導電性金属はアルミニウム、銅、銀、錫、ニッケル、コバルト、クロム及びこれらの合金からなる群から選ばれた少なくとも一種の金属からなるのが好ましい。導電性金属の箔は5〜50μmの厚さを有するものが好ましい。
前記導電性金属はアルミニウム、銅、銀、錫、ニッケル、コバルト、クロム及びこれらの合金からなる群から選ばれた少なくとも一種の金属からなるのが好ましい。導電性金属の箔は5〜50μmの厚さを有するものが好ましい。
(2) 導電性金属の薄膜又は塗膜
前記導電性金属の薄膜は前記導電性金属の蒸着膜であるのが好ましい。金属蒸着膜の厚さは数十nm〜数十μmであれば良い。前記導電性金属の蒸着膜を形成するプラスチックフィルムは電磁波吸収フィルム1のプラスチックフィルム11と同じで良い。
前記導電性金属の薄膜は前記導電性金属の蒸着膜であるのが好ましい。金属蒸着膜の厚さは数十nm〜数十μmであれば良い。前記導電性金属の蒸着膜を形成するプラスチックフィルムは電磁波吸収フィルム1のプラスチックフィルム11と同じで良い。
(3) 導電性金属の塗膜
前記導電性金属の塗膜は、熱可塑樹脂又は光硬化性樹脂に銀粉等の導電性金属粉を高分散させたインク（ペースト）をプラスチックフィルムに塗布し、乾燥させた後、紫外線照射を行うことにより形成することができる。導電性インク（ペースト）は公知のもので良く、例えば70〜90質量％の導電性フィラー、光重合開始剤及び高分子分散剤を含有し、導電性フィラーの50質量％以上が鱗片状、箔状又はフレーク状であって、D50の粒径が0.3〜3.0μｍの銀粉である光硬化型導電性インク組成物（特開2016-14111号）を使用することができる。前記導電性金属の塗膜を形成するプラスチックフィルムは電磁波吸収フィルム1のプラスチックフィルム11と同じで良い。
前記導電性金属の塗膜は、熱可塑樹脂又は光硬化性樹脂に銀粉等の導電性金属粉を高分散させたインク（ペースト）をプラスチックフィルムに塗布し、乾燥させた後、紫外線照射を行うことにより形成することができる。導電性インク（ペースト）は公知のもので良く、例えば70〜90質量％の導電性フィラー、光重合開始剤及び高分子分散剤を含有し、導電性フィラーの50質量％以上が鱗片状、箔状又はフレーク状であって、D50の粒径が0.3〜3.0μｍの銀粉である光硬化型導電性インク組成物（特開2016-14111号）を使用することができる。前記導電性金属の塗膜を形成するプラスチックフィルムは電磁波吸収フィルム1のプラスチックフィルム11と同じで良い。
(4) カーボンシート
電磁波シールドフィルムとして使用するカーボンシートは、ポリイミドフィルムを不活性ガス中で超高温加熱処理することにより形成した市販のPGS（登録商標）グラファイトシート（パナソニック株式会社）、グラファイト粉末とカーボンブラックからなるカーボンシート（放熱シート）等である。
電磁波シールドフィルムとして使用するカーボンシートは、ポリイミドフィルムを不活性ガス中で超高温加熱処理することにより形成した市販のPGS（登録商標）グラファイトシート（パナソニック株式会社）、グラファイト粉末とカーボンブラックからなるカーボンシート（放熱シート）等である。
グラファイト粉末／カーボンブラックのカーボンシートとして、グラファイト微粒子の間にカーボンブラックが均一に分散した構造を有し、グラファイト微粒子／カーボンブラックの質量比が75/25〜95/5であり、1.9 g/cm3以上の密度を有し、かつ面内方向に570 W/mK以上の熱伝導率を有する放熱シート（特開2015-170660号）を使用することができる。グラファイト微粒子は5〜100μmの平均径及び200 nm以上の平均厚さを有するのが好ましい。この放熱シートは25〜250μmの厚さを有するのが好ましい。
この放熱シートは、(1) 合計で5〜25質量％のグラファイト微粒子及びカーボンブラックと、0.05〜2.5質量％のバインダ樹脂とを含有し、前記グラファイト微粒子と前記カーボンブラックとの質量比が75/25〜95/5である有機溶媒分散液を調製し、(2) 前記分散液を支持板の一面に塗布した後乾燥する工程を複数回繰り返すことにより、前記グラファイト微粒子、前記カーボンブラック及び前記バインダ樹脂からなる樹脂含有複合シートを形成し、(3) 前記樹脂含有複合シートを焼成することにより前記バインダ樹脂を除去し、(4) 得られたグラファイト微粒子／カーボンブラック複合シートをプレスすることにより緻密化する方法により形成することができる。
[3] 電磁波吸収フィルムと電磁波シールドフィルムの配置
(1) 面積比
図1(b) に示すように、電磁波吸収フィルム1に対する電磁波シールドフィルム2の面積率は10〜80％である。面積率が10％未満であるか80％超であると、所望の周波数域での電磁波ノイズに対する吸収能の極大化が十分でなくなる。これは予期できなかった結果であり、電磁波吸収フィルム1に対する電磁波シールドフィルム2の面積率が10〜80％であることは本発明の重要な特徴である。面積率の下限は20％が好ましく、30％がより好ましく、40％がさらに好ましく、45％が最も好ましい。また、面積率の上限は70％が好ましく、65％がより好ましく、60％が最も好ましい。電磁波吸収フィルム1に対する電磁波シールドフィルム2の面積率の範囲は、例えば、20〜80％が好ましく、30〜70％がより好ましく、40〜65％がさらに好ましく、45〜60％が最も好ましい。
(1) 面積比
図1(b) に示すように、電磁波吸収フィルム1に対する電磁波シールドフィルム2の面積率は10〜80％である。面積率が10％未満であるか80％超であると、所望の周波数域での電磁波ノイズに対する吸収能の極大化が十分でなくなる。これは予期できなかった結果であり、電磁波吸収フィルム1に対する電磁波シールドフィルム2の面積率が10〜80％であることは本発明の重要な特徴である。面積率の下限は20％が好ましく、30％がより好ましく、40％がさらに好ましく、45％が最も好ましい。また、面積率の上限は70％が好ましく、65％がより好ましく、60％が最も好ましい。電磁波吸収フィルム1に対する電磁波シールドフィルム2の面積率の範囲は、例えば、20〜80％が好ましく、30〜70％がより好ましく、40〜65％がさらに好ましく、45〜60％が最も好ましい。
(2) 位置
電磁波吸収フィルム1の中心に電磁波シールドフィルム2の中心が位置するのが好ましいが、電磁波吸収能のピーク周波数を変えるためにずらしても良い。電磁波シールドフィルム2の位置ずれには、図6(a) に示すように電磁波吸収フィルム1に対して電磁波シールドフィルム2を一方向にずらす場合、及び図6(b) に示すように電磁波シールドフィルム2の四辺が電磁波吸収フィルム1の四辺から離隔するように、電磁波シールドフィルム2のサイズを小さくする場合がある。いずれの場合も電磁波吸収能のピーク周波数に影響があるので、電磁波吸収能が極大化する周波数域に応じて電磁波シールドフィルム2のずらし方及びサイズを適宜設定するのが好ましい。なお、図6(a) の場合及び図6(b) の場合のいずれでも、電磁波吸収フィルム1に対する電磁波シールドフィルム2の面積率は上記条件を満たす必要がある。
電磁波吸収フィルム1の中心に電磁波シールドフィルム2の中心が位置するのが好ましいが、電磁波吸収能のピーク周波数を変えるためにずらしても良い。電磁波シールドフィルム2の位置ずれには、図6(a) に示すように電磁波吸収フィルム1に対して電磁波シールドフィルム2を一方向にずらす場合、及び図6(b) に示すように電磁波シールドフィルム2の四辺が電磁波吸収フィルム1の四辺から離隔するように、電磁波シールドフィルム2のサイズを小さくする場合がある。いずれの場合も電磁波吸収能のピーク周波数に影響があるので、電磁波吸収能が極大化する周波数域に応じて電磁波シールドフィルム2のずらし方及びサイズを適宜設定するのが好ましい。なお、図6(a) の場合及び図6(b) の場合のいずれでも、電磁波吸収フィルム1に対する電磁波シールドフィルム2の面積率は上記条件を満たす必要がある。
本発明を以下の実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。
参考例1
粒径分布が50〜80μmのダイヤモンド微粒子を電着したパターンロール232a，232bを有する図5に示す構造の装置を用い、厚さ16μmの二軸延伸ポリエチレンテレフタレート（PET）フィルムの一面に真空蒸着法により形成した厚さ0.05μmのアルミニウム薄膜に、交差角θsが90°の二方向に配向した線状痕を形成した。線状痕付きアルミニウム薄膜の光学顕微鏡写真から、電磁波吸収フィルムの線状痕は下記特性を有することが分った。
幅Wの範囲：0.5〜5μm
平均幅Wav：2μm
間隔Iの範囲：2〜30μm
平均間隔Iav：20μm
平均長さLsav：5 mm
鋭角側の交差角θs：90°
粒径分布が50〜80μmのダイヤモンド微粒子を電着したパターンロール232a，232bを有する図5に示す構造の装置を用い、厚さ16μmの二軸延伸ポリエチレンテレフタレート（PET）フィルムの一面に真空蒸着法により形成した厚さ0.05μmのアルミニウム薄膜に、交差角θsが90°の二方向に配向した線状痕を形成した。線状痕付きアルミニウム薄膜の光学顕微鏡写真から、電磁波吸収フィルムの線状痕は下記特性を有することが分った。
幅Wの範囲：0.5〜5μm
平均幅Wav：2μm
間隔Iの範囲：2〜30μm
平均間隔Iav：20μm
平均長さLsav：5 mm
鋭角側の交差角θs：90°
参考例2
粒径分布が50〜80μmのダイヤモンド微粒子を電着したパターンロール202a，202bを有する図3に示す構造の装置を用い、厚さ16μmのPETフィルムの一面に真空蒸着法により形成した厚さ0.05μmのアルミニウム薄膜に、交差角θsが60°の二方向に配向した線状痕を形成した。線状痕付きアルミニウム薄膜の光学顕微鏡写真から、線状痕は下記特性を有することが分った。
幅Wの範囲：0.5〜5μm
平均幅Wav：2μm
間隔Iの範囲：2〜30μm
平均間隔Iav：20μm
平均長さLsav：5 mm
鋭角側の交差角θs：60°
粒径分布が50〜80μmのダイヤモンド微粒子を電着したパターンロール202a，202bを有する図3に示す構造の装置を用い、厚さ16μmのPETフィルムの一面に真空蒸着法により形成した厚さ0.05μmのアルミニウム薄膜に、交差角θsが60°の二方向に配向した線状痕を形成した。線状痕付きアルミニウム薄膜の光学顕微鏡写真から、線状痕は下記特性を有することが分った。
幅Wの範囲：0.5〜5μm
平均幅Wav：2μm
間隔Iの範囲：2〜30μm
平均間隔Iav：20μm
平均長さLsav：5 mm
鋭角側の交差角θs：60°
参考例3
交差角θsを45°とした以外参考例2と同じ方法で、厚さ16μmのPETフィルムの一面に真空蒸着法により形成した厚さ0.05μmのアルミニウム薄膜に交差角θsが45°の二方向に配向した線状痕を有する電磁波吸収フィルムを作製した。
交差角θsを45°とした以外参考例2と同じ方法で、厚さ16μmのPETフィルムの一面に真空蒸着法により形成した厚さ0.05μmのアルミニウム薄膜に交差角θsが45°の二方向に配向した線状痕を有する電磁波吸収フィルムを作製した。
参考例4
交差角θsを30°とした以外参考例2と同じ方法で、厚さ16μmのPETフィルムの一面に真空蒸着法により形成した厚さ0.05μmのアルミニウム薄膜に交差角θsが30°の二方向に配向した線状痕を有する電磁波吸収フィルムを作製した。
交差角θsを30°とした以外参考例2と同じ方法で、厚さ16μmのPETフィルムの一面に真空蒸着法により形成した厚さ0.05μmのアルミニウム薄膜に交差角θsが30°の二方向に配向した線状痕を有する電磁波吸収フィルムを作製した。
実施例1
参考例1で得られた線状痕の交差角θsが90°の電磁波吸収フィルムから、50 mm×50 mmのサイズの電磁波吸収フィルム片を切り取った。この電磁波吸収フィルム片に、図8に示すようにL（0 mm，10 mm，20 mm，25 mm，30 mm，40 mm，及び50 mm）×50 mmのサイズのアルミニウム箔片（厚さ：15μm）を非導電性接着剤を介して積層し、サンプル1〜7を作成した。各サンプルにおいて、アルミニウム箔片の中心は電磁波吸収フィルム片の中心と一致していた。
参考例1で得られた線状痕の交差角θsが90°の電磁波吸収フィルムから、50 mm×50 mmのサイズの電磁波吸収フィルム片を切り取った。この電磁波吸収フィルム片に、図8に示すようにL（0 mm，10 mm，20 mm，25 mm，30 mm，40 mm，及び50 mm）×50 mmのサイズのアルミニウム箔片（厚さ：15μm）を非導電性接着剤を介して積層し、サンプル1〜7を作成した。各サンプルにおいて、アルミニウム箔片の中心は電磁波吸収フィルム片の中心と一致していた。
図7(a) 及び図7(b) に示すように、50ΩのマイクロストリップラインMSL（64.4 mm×4.4 mm）と、マイクロストリップラインMSLを支持する絶縁基板300と、絶縁基板300の下面に接合された接地グランド電極301と、マイクロストリップラインMSLの両端に接続された導電性ピン302，302と、ネットワークアナライザNAと、ネットワークアナライザNAを導電性ピン302，302に接続する同軸ケーブル303，303とで構成されたシステムを用い、図8に示すように各サンプルの中心がマイクロストリップラインMSLの中心と一致するように、絶縁基板300に各サンプルを粘着剤により貼付し、0.1〜6 GHzの入射波に対して、反射波S11の電力及び透過波S12の電力を測定した。
図7(a) 及び図7(b) に示すシステムに入射した電力から反射波S11の電力及び透過波S12の電力を差し引くことにより、電力損失Plossを求め、Plossを入射電力Pinで割ることによりノイズ吸収率Ploss/Pinを求めた。結果を図9〜図15及び表1に示す。
*印を有するサンプルは本発明の範囲外。
電磁波吸収フィルム片にアルミニウム箔片を積層しないサンプル1では最大ノイズ吸収率Ploss/Pinが0.88で、そのときの周波数が約2 GHzであり、電磁波吸収フィルム片に同サイズのアルミニウム箔片を積層したサンプル7では最大ノイズ吸収率Ploss/Pinが0.90で、そのときの周波数が約3.7 GHzであった。これに対して、電磁波吸収フィルム片に面積率が50％のサイズのアルミニウム箔片を積層したサンプル4では、最大ノイズ吸収率Ploss/Pinが0.96と高く、そのときの周波数が約1.9 GHzであった。なお、電磁波吸収フィルム片に面積率が80％のサイズのアルミニウム箔片を積層したサンプル6では、最大ノイズ吸収率Ploss/Pinは0.93と高いが、最大ノイズ吸収率Ploss/Pinを示す周波数は3.4 GHzに移動していた。従って、所望の周波数域でノイズ吸収率Ploss/Pinを最大化するには、電磁波吸収フィルムに対するアルミニウム箔（電磁波シールドフィルム）の面積率を10〜80％とする必要があることが分かる。
実施例2
実施例1で用いた線状痕の交差角θsが90°の50 mm×50 mmのサイズの電磁波吸収フィルム片に、25 mm×50 mmのサイズのアルミニウム箔片（厚さ：15μm）を、図6(a) に示すように電磁波吸収フィルム片の一辺X1とアルミニウム箔片の一辺X2（X1と平行）との距離Dが0 mm，5 mm及び10 mmとなるように、非導電性接着剤を介して積層し、サンプル11〜13を作成した。各サンプルを、図7(a) に示すように絶縁基板300上のマイクロストリップラインMSLの上に載置し、0.1〜6 GHzにおけるノイズ吸収率Ploss/Pinを測定した。各サンプルの距離D、2 GHzにおけるノイズ吸収率Ploss/Pin、及び最大ノイズ吸収率Ploss/Pin並びにそのときの周波数を表2に示す。
実施例1で用いた線状痕の交差角θsが90°の50 mm×50 mmのサイズの電磁波吸収フィルム片に、25 mm×50 mmのサイズのアルミニウム箔片（厚さ：15μm）を、図6(a) に示すように電磁波吸収フィルム片の一辺X1とアルミニウム箔片の一辺X2（X1と平行）との距離Dが0 mm，5 mm及び10 mmとなるように、非導電性接着剤を介して積層し、サンプル11〜13を作成した。各サンプルを、図7(a) に示すように絶縁基板300上のマイクロストリップラインMSLの上に載置し、0.1〜6 GHzにおけるノイズ吸収率Ploss/Pinを測定した。各サンプルの距離D、2 GHzにおけるノイズ吸収率Ploss/Pin、及び最大ノイズ吸収率Ploss/Pin並びにそのときの周波数を表2に示す。
表2から明らかなように、(a) アルミニウム箔片の中心が電磁波吸収フィルム片の中心に近づくにつれて2 GHzにおけるノイズ吸収率Ploss/Pinが増大し、また(b) アルミニウム箔片の中心が電磁波吸収フィルム片の中心から遠ざかると、2 GHzにおける吸収率Ploss/Pinは低下するが、最大ノイズ吸収率Ploss/Pinは2 GHzと異なる周波数（4 GHz周辺）において極大化した。これから、半導体のノイズ周波数域ではアルミニウム箔と電磁波吸収フィルムの中心ができるだけ近い方が良いが、それ以外の周波数域でノイズ吸収率Ploss/Pinを極大化するには、アルミニウム箔片の中心を電磁波吸収フィルム片の中心からずらせば良いことが分かる。
実施例3
図16に示すように、50 mm×50 mmのサイズの電磁波吸収フィルム片上に、面積率が50％で正方形のアルミニウム箔片、及び面積率が50％で正方形の枠形のアルミニウム箔片をそれぞれ中心が一致するように積層し、サンプル21及び22を作成した。各サンプルのノイズ吸収率Ploss/Pinを測定した。測定結果をサンプル1及び4の結果とともに図17に示す。
図16に示すように、50 mm×50 mmのサイズの電磁波吸収フィルム片上に、面積率が50％で正方形のアルミニウム箔片、及び面積率が50％で正方形の枠形のアルミニウム箔片をそれぞれ中心が一致するように積層し、サンプル21及び22を作成した。各サンプルのノイズ吸収率Ploss/Pinを測定した。測定結果をサンプル1及び4の結果とともに図17に示す。
図17から明らかなように、面積率が50％で正方形のアルミニウム箔片を積層したサンプル21は、25 mm×50 mmのサイズのアルミニウム箔片を積層したサンプル4と同程度の最大ノイズ吸収率Ploss/Pinを示したが、最大ノイズ吸収率Ploss/Pinのときの周波数は異なっていた。一方、同じ面積率だが形状が異なるサンプル22のノイズ吸収率Ploss/Pinは広い周波数範囲にわたってサンプル21より著しく低かった。これから、(a) 同じ面積率でもアルミニウム箔（電磁波シールドフィルム）の形状を変更することにより、最大ノイズ吸収率Ploss/Pinを示す周波数を変更することができ、(b) 同じ面積率のアルミニウム箔では、電磁波吸収フィルム片の中心部を占める形状を有する方がノイズ吸収率Ploss/Pinが高くなることが分った。
実施例4
アマゾンのFire Stick TVのICチップを覆う電磁波吸収複合シートを作成した。電磁波吸収フィルムはICチップと同じ大きの正方形であり、アルミニウム箔は電磁波吸収フィルムに対する面積率が50％の長方形で、一方の対向辺が電磁波吸収フィルムの一方の対向辺と一致しており、それらに直交する他方の対向辺の間隔が電磁波吸収フィルムの他方の対向辺の間隔の50％であった。また、積層されたアルミニウム箔の中心は電磁波吸収フィルムの中心と一致していた。すなわち、実施例4の電磁波吸収複合シートは、図1(b) に示す形状を有していた。
アマゾンのFire Stick TVのICチップを覆う電磁波吸収複合シートを作成した。電磁波吸収フィルムはICチップと同じ大きの正方形であり、アルミニウム箔は電磁波吸収フィルムに対する面積率が50％の長方形で、一方の対向辺が電磁波吸収フィルムの一方の対向辺と一致しており、それらに直交する他方の対向辺の間隔が電磁波吸収フィルムの他方の対向辺の間隔の50％であった。また、積層されたアルミニウム箔の中心は電磁波吸収フィルムの中心と一致していた。すなわち、実施例4の電磁波吸収複合シートは、図1(b) に示す形状を有していた。
Fire Stick TVのカバーを取り外し、実施例4の電磁波吸収複合シートをFire Stick TVのICチップ上に配置し、株式会社計測技術研究所のスペクトラムアナライザVSA6G2Aにより、Fire Stick TVから漏洩する電磁波ノイズを計測した。結果を図18(a) に示す。また、カバーを取り外したが電磁波吸収複合シートをICチップ上に配置しないで、Fire Stick TVから漏洩する電磁波ノイズを計測した。結果を図18(b) に示す。図18(a) 及び図18(b) から明らかなように、本発明の電磁波吸収複合シートをICチップ上に配置することにより、Fire Stick TVから漏洩する周波数が3 GHz近傍の電磁波ノイズは著しく減少した。
実施例5
アルミニウム箔片の代わりに20 mm×50 mm（サンプル31）、25 mm×50 mm（サンプル32）及び50 mm×50 mm（サンプル33）のサイズのグラファイト粉末／カーボンブラックの各カーボンシート片を、50 mm×50 mmのサイズの電磁波吸収フィルムにそれぞれの中心が一致するように積層した以外、実施例1と同様にして各電磁波吸収複合シートを作成した。なお、グラファイト粉末／カーボンブラックのカーボンシートは特開2015-170660号の実施例1と同じ方法により形成した。各サンプルのノイズ吸収率Ploss/Pinを実施例1と同様にして測定した。結果を図19に示す。
アルミニウム箔片の代わりに20 mm×50 mm（サンプル31）、25 mm×50 mm（サンプル32）及び50 mm×50 mm（サンプル33）のサイズのグラファイト粉末／カーボンブラックの各カーボンシート片を、50 mm×50 mmのサイズの電磁波吸収フィルムにそれぞれの中心が一致するように積層した以外、実施例1と同様にして各電磁波吸収複合シートを作成した。なお、グラファイト粉末／カーボンブラックのカーボンシートは特開2015-170660号の実施例1と同じ方法により形成した。各サンプルのノイズ吸収率Ploss/Pinを実施例1と同様にして測定した。結果を図19に示す。
図19から明らかなように、アルミニウム箔片の代わりにカーボンシート片を使用しても、実施例1と同様の結果が得られた。
上記実施例では金属薄膜に90°の交差角の線状痕を形成した電磁波吸収フィルムに、電磁波シールドフィルムとしてアルミニウム箔、及びグラファイト粉末／カーボンブラックのカーボンシートを積層した電磁波吸収複合シートを使用したが、本発明はこられの電磁波吸収複合シートに限定されず、本発明の範囲内で種々の変更が可能である。例えば、線状痕の交差角は90°に限らず30〜90°の範囲内で変更可能であり、また電磁波シールドフィルムとしてアルミニウム箔以外にも、銅箔や、アルミニウム、銅、銀等の粉末を分散させた導電性インクの塗膜等も同様に使用可能である。
実施例6
参考例2で得られた線状痕の交差角θsが60°の電磁波吸収フィルムから切り取った50 mm×50 mmのサイズの電磁波吸収フィルム片に、図8に示すようにL（10 mm，15 mm，20 mm，25 mm，30 mm，35 mm，40 mm，50 mm）×50 mmのサイズのアルミニウム箔片（厚さ：15μm）を非導電性接着剤を介して積層し、サンプル41〜48を作成した。各サンプルにおいて、アルミニウム箔片の中心は電磁波吸収フィルム片の中心と一致していた。実施例1と同じ方法により各サンプル41〜48のノイズ吸収率Ploss/Pinを求めた。結果を図20〜図27及び表3に示す。
参考例2で得られた線状痕の交差角θsが60°の電磁波吸収フィルムから切り取った50 mm×50 mmのサイズの電磁波吸収フィルム片に、図8に示すようにL（10 mm，15 mm，20 mm，25 mm，30 mm，35 mm，40 mm，50 mm）×50 mmのサイズのアルミニウム箔片（厚さ：15μm）を非導電性接着剤を介して積層し、サンプル41〜48を作成した。各サンプルにおいて、アルミニウム箔片の中心は電磁波吸収フィルム片の中心と一致していた。実施例1と同じ方法により各サンプル41〜48のノイズ吸収率Ploss/Pinを求めた。結果を図20〜図27及び表3に示す。
(2) Ploss/Pinが全体的に低かった。
*印を有するサンプルは本発明の範囲外。
電磁波吸収フィルム片に同サイズのアルミニウム箔片を積層したサンプル48ではノイズ吸収率Ploss/Pinが全体的に低かった。これに対して、電磁波吸収フィルム片に面積率が20〜80％のサイズのアルミニウム箔片を積層したサンプル41〜47では、最大ノイズ吸収率Ploss/Pinが0.93〜0.99と高く、そのときの周波数は1.9 GHz〜4.1 GHzの範囲で変化していた。これから、所望の周波数域でノイズ吸収率Ploss/Pinを最大化するには、電磁波吸収フィルムに対するアルミニウム箔（電磁波シールドフィルム）の面積率を10〜80％とすれば良いことが分かる。
実施例7
実施例6に用いたのと同じ線状痕の交差角θsが60°の50 mm×50 mmのサイズの電磁波吸収フィルム片に、25 mm×50 mmのサイズのアルミニウム箔片（厚さ：15μm）を、図6(a) に示すように電磁波吸収フィルム片の一辺X1とアルミニウム箔片の一辺X2（X1と平行）との距離Dが0 mm，5 mm，10 mm，15 mm，20 mm及び25 mmとなるように、非導電性接着剤を介して積層し、サンプル51〜56を作成した。各サンプルの0.1〜6 GHzにおけるノイズ吸収率Ploss/Pinを実施例2と同様にして測定した。各サンプルのノイズ吸収率Ploss/Pinと距離Dとの関係を図28〜図33に示す。図28〜図33から明らかなように、距離Dが変化するにつれてノイズ吸収率Ploss/Pinの曲線は大きく変化した。
実施例6に用いたのと同じ線状痕の交差角θsが60°の50 mm×50 mmのサイズの電磁波吸収フィルム片に、25 mm×50 mmのサイズのアルミニウム箔片（厚さ：15μm）を、図6(a) に示すように電磁波吸収フィルム片の一辺X1とアルミニウム箔片の一辺X2（X1と平行）との距離Dが0 mm，5 mm，10 mm，15 mm，20 mm及び25 mmとなるように、非導電性接着剤を介して積層し、サンプル51〜56を作成した。各サンプルの0.1〜6 GHzにおけるノイズ吸収率Ploss/Pinを実施例2と同様にして測定した。各サンプルのノイズ吸収率Ploss/Pinと距離Dとの関係を図28〜図33に示す。図28〜図33から明らかなように、距離Dが変化するにつれてノイズ吸収率Ploss/Pinの曲線は大きく変化した。
実施例8
参考例4で得られた線状痕の交差角θsが30°の電磁波吸収フィルムから切り取った50 mm×50 mmのサイズの電磁波吸収フィルム片に、図8に示すようにL（10 mm，15 mm，20 mm，25 mm，30 mm，35 mm，40 mm，50 mm）×50 mmのサイズのアルミニウム箔片（厚さ：15μm）を非導電性接着剤を介して積層し、サンプル61〜68を作成した。各サンプルにおいて、アルミニウム箔片の中心は電磁波吸収フィルム片の中心と一致していた。実施例1と同じ方法により各サンプル61〜68のノイズ吸収率Ploss/Pinを求めた。結果を図34〜図41及び表4に示す。
参考例4で得られた線状痕の交差角θsが30°の電磁波吸収フィルムから切り取った50 mm×50 mmのサイズの電磁波吸収フィルム片に、図8に示すようにL（10 mm，15 mm，20 mm，25 mm，30 mm，35 mm，40 mm，50 mm）×50 mmのサイズのアルミニウム箔片（厚さ：15μm）を非導電性接着剤を介して積層し、サンプル61〜68を作成した。各サンプルにおいて、アルミニウム箔片の中心は電磁波吸収フィルム片の中心と一致していた。実施例1と同じ方法により各サンプル61〜68のノイズ吸収率Ploss/Pinを求めた。結果を図34〜図41及び表4に示す。
(2) 周波数約5 GHzの領域に0.98のノイズ吸収率Ploss/Pinがあるが、周波数2.1 GHzに0.93のノイズ吸収率Ploss/Pinの大きな極大値があった。
(3) 周波数約5 GHz以上の領域に0.98のノイズ吸収率Ploss/Pinがあるが、周波数2.1 GHzに0.92のノイズ吸収率Ploss/Pinの大きな極大値があった。
(4) 周波数4 GHz以上の領域に0.97のノイズ吸収率Ploss/Pinがあるが、周波数2.3 GHzに0.9のノイズ吸収率Ploss/Pinの大きな極大値があった。
(5) 周波数4.2 GHzの領域に0.97のノイズ吸収率Ploss/Pinがあるが、周波数2.4 GHzに0.9のノイズ吸収率Ploss/Pinの大きな極大値があった。
(6) Ploss/Pinが全体的に低かった。
*印を有するサンプルは本発明の範囲外。
電磁波吸収フィルム片に同サイズのアルミニウム箔片を積層したサンプル68ではノイズ吸収率Ploss/Pinが全体的に低かった。これに対して、電磁波吸収フィルム片に面積率が20〜80％のサイズのアルミニウム箔片を積層したサンプル61〜67では、最大ノイズ吸収率Ploss/Pinが0.9〜0.98と高く、そのときの周波数は2.1 GHz〜4.2 GHzの範囲で変化していた。これから、所望の周波数域でノイズ吸収率Ploss/Pinを最大化するには、電磁波吸収フィルムに対するアルミニウム箔（電磁波シールドフィルム）の面積率を10〜80％とすれば良いことが分かる。
実施例9
実施例8に用いたのと同じ線状痕の交差角θsが30°の50 mm×50 mmのサイズの電磁波吸収フィルム片に、25 mm×50 mmのサイズのアルミニウム箔片（厚さ：15μm）を、図6(a) に示すように電磁波吸収フィルム片の一辺X1とアルミニウム箔片の一辺X2（X1と平行）との距離Dが0 mm，5 mm，10 mm，15 mm，20 mm及び25 mmとなるように、非導電性接着剤を介して積層し、サンプル71〜76を作成した。各サンプルの0.1〜6 GHzにおけるノイズ吸収率Ploss/Pinを実施例2と同様にして測定した。各サンプルのノイズ吸収率Ploss/Pinと距離Dとの関係を図42〜図47に示す。図42〜図47から明らかなように、距離Dが変化するにつれてノイズ吸収率Ploss/Pinの曲線は大きく変化した。
実施例8に用いたのと同じ線状痕の交差角θsが30°の50 mm×50 mmのサイズの電磁波吸収フィルム片に、25 mm×50 mmのサイズのアルミニウム箔片（厚さ：15μm）を、図6(a) に示すように電磁波吸収フィルム片の一辺X1とアルミニウム箔片の一辺X2（X1と平行）との距離Dが0 mm，5 mm，10 mm，15 mm，20 mm及び25 mmとなるように、非導電性接着剤を介して積層し、サンプル71〜76を作成した。各サンプルの0.1〜6 GHzにおけるノイズ吸収率Ploss/Pinを実施例2と同様にして測定した。各サンプルのノイズ吸収率Ploss/Pinと距離Dとの関係を図42〜図47に示す。図42〜図47から明らかなように、距離Dが変化するにつれてノイズ吸収率Ploss/Pinの曲線は大きく変化した。
実施例10
参考例2で得られた線状痕の交差角θsが60°の電磁波吸収フィルムから切り取った50 mm×50 mmのサイズの電磁波吸収フィルム片に、図8に示すようにL（10 mm，15 mm，20 mm，25 mm，30 mm，35 mm，40 mm，50 mm）×50 mmのサイズの銅箔片（厚さ：15μm）を非導電性接着剤を介して積層し、サンプル81〜88を作成した。各サンプルにおいて、銅箔片の中心は電磁波吸収フィルム片の中心と一致していた。実施例1と同じ方法により各サンプル81〜88のノイズ吸収率Ploss/Pinを求めた。結果を図48〜図55及び表5に示す。
参考例2で得られた線状痕の交差角θsが60°の電磁波吸収フィルムから切り取った50 mm×50 mmのサイズの電磁波吸収フィルム片に、図8に示すようにL（10 mm，15 mm，20 mm，25 mm，30 mm，35 mm，40 mm，50 mm）×50 mmのサイズの銅箔片（厚さ：15μm）を非導電性接着剤を介して積層し、サンプル81〜88を作成した。各サンプルにおいて、銅箔片の中心は電磁波吸収フィルム片の中心と一致していた。実施例1と同じ方法により各サンプル81〜88のノイズ吸収率Ploss/Pinを求めた。結果を図48〜図55及び表5に示す。
(2) Ploss/Pinが全体的に低かった。
*印を有するサンプルは本発明の範囲外。
電磁波吸収フィルム片に同サイズの銅箔片を積層したサンプル88ではノイズ吸収率Ploss/Pinが全体的に低かった。これに対して、電磁波吸収フィルム片に面積率が20〜80％のサイズの銅箔片を積層したサンプル81〜87では、最大ノイズ吸収率Ploss/Pinが0.95〜0.99と高く、そのときの周波数は1.9 GHz〜4.2 GHzの範囲で変化していた。これから、所望の周波数域でノイズ吸収率Ploss/Pinを最大化するには、電磁波吸収フィルムに対する銅箔（電磁波シールドフィルム）の面積率を10〜80％とすれば良いことが分かる。
実施例11
実施例10に用いたのと同じ線状痕の交差角θsが60°の50 mm×50 mmのサイズの電磁波吸収フィルム片に、25 mm×50 mmのサイズの銅箔片（厚さ：15μm）を、図6(a) に示すように電磁波吸収フィルム片の一辺X1と銅箔片の一辺X2（X1と平行）との距離Dが0 mm，5 mm，10 mm，15 mm，20 mm及び25 mmとなるように、非導電性接着剤を介して積層し、サンプル91〜96を作成した。各サンプルの0.1〜6 GHzにおけるノイズ吸収率Ploss/Pinを実施例2と同様にして測定した。各サンプルのノイズ吸収率Ploss/Pinと距離Dとの関係を図56〜図61に示す。図56〜図61から明らかなように、距離Dが変化するにつれてノイズ吸収率Ploss/Pinの曲線は大きく変化した。
実施例10に用いたのと同じ線状痕の交差角θsが60°の50 mm×50 mmのサイズの電磁波吸収フィルム片に、25 mm×50 mmのサイズの銅箔片（厚さ：15μm）を、図6(a) に示すように電磁波吸収フィルム片の一辺X1と銅箔片の一辺X2（X1と平行）との距離Dが0 mm，5 mm，10 mm，15 mm，20 mm及び25 mmとなるように、非導電性接着剤を介して積層し、サンプル91〜96を作成した。各サンプルの0.1〜6 GHzにおけるノイズ吸収率Ploss/Pinを実施例2と同様にして測定した。各サンプルのノイズ吸収率Ploss/Pinと距離Dとの関係を図56〜図61に示す。図56〜図61から明らかなように、距離Dが変化するにつれてノイズ吸収率Ploss/Pinの曲線は大きく変化した。
実施例12
参考例3で得られた線状痕の交差角θsが45°の電磁波吸収フィルムから切り取った50 mm×50 mmのサイズの電磁波吸収フィルム片に、図8に示すようにL（10 mm，15 mm，20 mm，25 mm，30 mm，35 mm，40 mm，50 mm）×50 mmのサイズの銅箔片（厚さ：15μm）を非導電性接着剤を介して積層し、サンプル101〜108を作成した。各サンプルにおいて、銅箔片の中心は電磁波吸収フィルム片の中心と一致していた。実施例1と同じ方法により各サンプル101〜108のノイズ吸収率Ploss/Pinを求めた。結果を図62〜図69及び表6に示す。
参考例3で得られた線状痕の交差角θsが45°の電磁波吸収フィルムから切り取った50 mm×50 mmのサイズの電磁波吸収フィルム片に、図8に示すようにL（10 mm，15 mm，20 mm，25 mm，30 mm，35 mm，40 mm，50 mm）×50 mmのサイズの銅箔片（厚さ：15μm）を非導電性接着剤を介して積層し、サンプル101〜108を作成した。各サンプルにおいて、銅箔片の中心は電磁波吸収フィルム片の中心と一致していた。実施例1と同じ方法により各サンプル101〜108のノイズ吸収率Ploss/Pinを求めた。結果を図62〜図69及び表6に示す。
(2) Ploss/Pinが全体的に低かった。
*印を有するサンプルは本発明の範囲外。
電磁波吸収フィルム片に同サイズの銅箔片を積層したサンプル108ではノイズ吸収率Ploss/Pinが全体的に低かった。これに対して、電磁波吸収フィルム片に面積率が20〜80％のサイズの銅箔片を積層したサンプル101〜107では、最大ノイズ吸収率Ploss/Pinが0.90〜0.98と高く、そのときの周波数は2.4 GHz〜4.2 GHzの範囲で変化していた。これから、所望の周波数域でノイズ吸収率Ploss/Pinを最大化するには、電磁波吸収フィルムに対する銅箔（電磁波シールドフィルム）の面積率を10〜80％とすれば良いことが分かる。
実施例13
実施例12に用いたのと同じ線状痕の交差角θsが45°の50 mm×50 mmのサイズの電磁波吸収フィルム片に、25 mm×50 mmのサイズの銅箔片（厚さ：15μm）を、図6(a) に示すように電磁波吸収フィルム片の一辺X1と銅箔片の一辺X2（X1と平行）との距離Dが0 mm，5 mm，10 mm，15 mm，20 mm及び25 mmとなるように、非導電性接着剤を介して積層し、サンプル111〜116を作成した。各サンプルの0.1〜6 GHzにおけるノイズ吸収率Ploss/Pinを実施例2と同様にして測定した。各サンプルのノイズ吸収率Ploss/Pinと距離Dとの関係を図70〜図75に示す。図70〜図75から明らかなように、距離Dが変化するにつれてノイズ吸収率Ploss/Pinの曲線は大きく変化した。
実施例12に用いたのと同じ線状痕の交差角θsが45°の50 mm×50 mmのサイズの電磁波吸収フィルム片に、25 mm×50 mmのサイズの銅箔片（厚さ：15μm）を、図6(a) に示すように電磁波吸収フィルム片の一辺X1と銅箔片の一辺X2（X1と平行）との距離Dが0 mm，5 mm，10 mm，15 mm，20 mm及び25 mmとなるように、非導電性接着剤を介して積層し、サンプル111〜116を作成した。各サンプルの0.1〜6 GHzにおけるノイズ吸収率Ploss/Pinを実施例2と同様にして測定した。各サンプルのノイズ吸収率Ploss/Pinと距離Dとの関係を図70〜図75に示す。図70〜図75から明らかなように、距離Dが変化するにつれてノイズ吸収率Ploss/Pinの曲線は大きく変化した。
実施例14
参考例4で得られた線状痕の交差角θsが30°の電磁波吸収フィルムから切り取った50 mm×50 mmのサイズの電磁波吸収フィルム片に、図8に示すようにL（10 mm，15 mm，20 mm，25 mm，30 mm，35 mm，40 mm，50 mm）×50 mmのサイズの銅箔片（厚さ：15μm）を非導電性接着剤を介して積層し、サンプル121〜128を作成した。各サンプルにおいて、銅箔片の中心は電磁波吸収フィルム片の中心と一致していた。実施例1と同じ方法により各サンプル121〜128のノイズ吸収率Ploss/Pinを求めた。結果を図76〜図83及び表7に示す。
参考例4で得られた線状痕の交差角θsが30°の電磁波吸収フィルムから切り取った50 mm×50 mmのサイズの電磁波吸収フィルム片に、図8に示すようにL（10 mm，15 mm，20 mm，25 mm，30 mm，35 mm，40 mm，50 mm）×50 mmのサイズの銅箔片（厚さ：15μm）を非導電性接着剤を介して積層し、サンプル121〜128を作成した。各サンプルにおいて、銅箔片の中心は電磁波吸収フィルム片の中心と一致していた。実施例1と同じ方法により各サンプル121〜128のノイズ吸収率Ploss/Pinを求めた。結果を図76〜図83及び表7に示す。
(2) Ploss/Pinが全体的に低かった。
*印を有するサンプルは本発明の範囲外。
電磁波吸収フィルム片に同サイズの銅箔片を積層したサンプル128ではノイズ吸収率Ploss/Pinが全体的に低かった。これに対して、電磁波吸収フィルム片に面積率が20〜80％のサイズの銅箔片を積層したサンプル121〜127では、最大ノイズ吸収率Ploss/Pinが0.9〜0.98と高く、そのときの周波数は2.1 GHz〜4.2 GHzの範囲で変化していた。これから、所望の周波数域でノイズ吸収率Ploss/Pinを最大化するには、電磁波吸収フィルムに対する銅箔（電磁波シールドフィルム）の面積率を10〜80％とすれば良いことが分かる。
実施例15
実施例14に用いたのと同じ線状痕の交差角θsが30°の50 mm×50 mmのサイズの電磁波吸収フィルム片に、25 mm×50 mmのサイズの銅箔片（厚さ：15μm）を、図6(a) に示すように電磁波吸収フィルム片の一辺X1と銅箔片の一辺X2（X1と平行）との距離Dが0 mm，5 mm，10 mm，15 mm，20 mm及び25 mmとなるように、非導電性接着剤を介して積層し、サンプル131〜136を作成した。各サンプルの0.1〜6 GHzにおけるノイズ吸収率Ploss/Pinを実施例2と同様にして測定した。各サンプルのノイズ吸収率Ploss/Pinと距離Dとの関係を図84〜図89に示す。図84〜図89から明らかなように、距離Dが変化するにつれてノイズ吸収率Ploss/Pinの曲線は大きく変化した。
実施例14に用いたのと同じ線状痕の交差角θsが30°の50 mm×50 mmのサイズの電磁波吸収フィルム片に、25 mm×50 mmのサイズの銅箔片（厚さ：15μm）を、図6(a) に示すように電磁波吸収フィルム片の一辺X1と銅箔片の一辺X2（X1と平行）との距離Dが0 mm，5 mm，10 mm，15 mm，20 mm及び25 mmとなるように、非導電性接着剤を介して積層し、サンプル131〜136を作成した。各サンプルの0.1〜6 GHzにおけるノイズ吸収率Ploss/Pinを実施例2と同様にして測定した。各サンプルのノイズ吸収率Ploss/Pinと距離Dとの関係を図84〜図89に示す。図84〜図89から明らかなように、距離Dが変化するにつれてノイズ吸収率Ploss/Pinの曲線は大きく変化した。
10・・・電磁波吸収複合シート
1・・・電磁波吸収フィルム
11・・・プラスチックフィルム
12，12a，12b・・・金属薄膜
13，13a，13b・・・線状痕
2・・・電磁波シールドフィルム
100・・・金属薄膜−プラスチック複合フィルム
202a，202b，232a，232b・・・パターンロール
203a，203b，233a，233b・・・押えロール
204a，204b，234a，234b・・・電気抵抗測定手段（ロール）
205a，205b，235a・・・バックアップロール
221，224・・・リール
222，223・・・ガイドロール
300・・・絶縁基板
301・・・接地グランド電極
302・・・導電性ピン
303・・・同軸ケーブル
D・・・電磁波吸収フィルム片の一辺X1とアルミニウム箔片の一辺X2との距離
MSL・・・マイクロストリップライン
NA・・・ネットワークアナライザ
θs・・・電磁波吸収フィルムにおける線状痕の交差角
Ls・・・線状痕の長さ
W・・・線状痕の幅
I・・・線状痕の間隔
1・・・電磁波吸収フィルム
11・・・プラスチックフィルム
12，12a，12b・・・金属薄膜
13，13a，13b・・・線状痕
2・・・電磁波シールドフィルム
100・・・金属薄膜−プラスチック複合フィルム
202a，202b，232a，232b・・・パターンロール
203a，203b，233a，233b・・・押えロール
204a，204b，234a，234b・・・電気抵抗測定手段（ロール）
205a，205b，235a・・・バックアップロール
221，224・・・リール
222，223・・・ガイドロール
300・・・絶縁基板
301・・・接地グランド電極
302・・・導電性ピン
303・・・同軸ケーブル
D・・・電磁波吸収フィルム片の一辺X1とアルミニウム箔片の一辺X2との距離
MSL・・・マイクロストリップライン
NA・・・ネットワークアナライザ
θs・・・電磁波吸収フィルムにおける線状痕の交差角
Ls・・・線状痕の長さ
W・・・線状痕の幅
I・・・線状痕の間隔
Claims (8)
- 電磁波吸収複合シートであって、
電磁波吸収フィルムの上に電磁波シールドフィルムを積層してなり、
前記電磁波吸収フィルムが、プラスチックフィルムの一面に設けた単層又は多層の金属薄膜に多数（複数）の実質的に平行で断続的な線状痕を不規則な幅及び間隔で複数方向に形成してなり、
前記電磁波吸収フィルムに対する前記電磁波シールドフィルムの面積率が10〜80％であることを特徴とする電磁波吸収複合シート。 - 請求項1に記載の電磁波吸収複合シートにおいて、前記電磁波吸収フィルムに対する前記電磁波シールドフィルムの面積率が20〜80％であることを特徴とする電磁波吸収複合シート。
- 請求項2に記載の電磁波吸収複合シートにおいて、前記電磁波吸収フィルムに対する前記電磁波シールドフィルムの面積率が30〜70％であることを特徴とする電磁波吸収複合シート。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の電磁波吸収複合シートにおいて、前記電磁波シールドフィルムが導電性金属の箔、導電性金属の薄膜又は塗膜を有するプラスチックフィルム、又はカーボンシートであることを特徴とする電磁波吸収複合シート。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の電磁波吸収複合シートにおいて、前記電磁波吸収フィルムにおける前記線状痕の幅が、90％以上が0.1〜100μmの範囲内にあって平均1〜50μmであり、前記線状痕の横手方向間隔が1〜500μmの範囲内にあって平均1〜200μmであることを特徴とする電磁波吸収複合シート。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の電磁波吸収複合シートにおいて、前記電磁波吸収フィルムの線状痕の鋭角側の交差角θsが30〜90°の範囲内であることを特徴とする電磁波吸収複合シート。
- 請求項4に記載の電磁波吸収複合シートにおいて、前記電磁波シールドフィルムにおける前記導電性金属がアルミニウム、銅、銀、錫、ニッケル、コバルト、クロム及びこれらの合金からなる群から選ばれた少なくとも一種であることを特徴とする電磁波吸収複合シート。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の電磁波吸収複合シートにおいて、前記電磁波吸収フィルム及び前記電磁波シールドフィルムがいずれも長方形又は正方形であることを特徴とする電磁波吸収複合シート。
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