CN110626017A - 电磁波吸收复合板 - Google Patents

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Abstract

一种电磁波吸收复合板，其包括层压在电磁波吸收膜上的电磁波屏蔽膜；所述电磁波吸收膜包括形成在塑料膜的表面上的单层或多层金属薄膜；所述金属薄膜具有在多个方向上具有不规则宽度和间隔的大量(多个)基本平行的不连续线性划痕；所述电磁波屏蔽膜是导电金属箔、具有导电金属薄膜或涂层的塑料膜，或碳板；并且电磁波屏蔽膜与电磁波吸收膜的面积比为10‑80％。

Description

电磁波吸收复合板
技术领域
本发明涉及一种电磁波吸收复合板，其对期望频率范围内的电磁波噪声具有高吸收能力，并且能够变换使电磁波噪声吸收能力最大化的频率范围。
背景技术
电器和电子器具发出电磁波噪声，并且环境电磁波噪声侵入它们使信号中含有噪声。为了防止电磁波噪声的发出和侵入，电器和电子器具通常用金属板屏蔽。还提出了在电器和电子器具中设置电磁波吸收膜，以吸收电磁波噪声。
例如，WO 2010/093027 A1公开了一种在电磁波吸收能力上具有降低的各向异性的线性刮痕的金属薄膜-塑料复合膜，其包括塑料膜和在塑料膜的至少一个表面上形成的单层或多层的金属薄膜，所述金属薄膜具有大量在多个方向上具有不规则宽度和间隔的基本平行的不连续线性划痕。WO 2010/093027 A1描述了线性刮痕的金属薄膜-塑料复合膜可通过介电层与电磁波反射器(金属板、网或网孔、具有金属薄膜的塑料膜等)层压以获得复合电磁波吸收器。该复合电磁波吸收器对宽频电磁波噪声具有高吸收能力，但对特定频率范围内的电磁波噪声不具有表现出特别大的吸收能力的功能，也没有使电磁波吸收能力最大化的频率范围变换的功能。
WO 2013/081043 A1公开了一种电磁波吸收复合板，其包括(a)第一电磁波吸收膜，其包括塑料膜，以及在该塑料膜的至少一个表面上形成的单层或多层金属薄膜，所述金属薄膜具有在多个方向上具有不规则宽度和间隔的基本平行的不连续线性划痕；和(b)第二电磁波吸收膜，其由分散有磁性和非磁性颗粒的树脂或橡胶制成。该电磁波吸收复合板对宽频率下的电磁波噪声具有高吸收能力，但对特定频率范围内的电磁波噪声不具有表现出特别大的吸收能力的功能，也没有使电磁波吸收能力最大化的频率范围变换的功能。
发明内容
发明目的
因此，本发明的目的是提供一种电磁波吸收复合板，其对期望频率范围内的电磁波噪声具有高吸收能力，并且能够变换使电磁波噪声吸收能力最大化的频率范围。
由于针对上述目的进行了深入研究，发明人发现，可通过将电磁波屏蔽膜层压在具有金属薄膜(具有在多个方向上具有不规则宽度和间隔的大量(多个)基本平行的不连续线性划痕)的电磁波吸收膜上，并将电磁波屏蔽膜与电磁波吸收膜的面积比设置为10-80％，来获得电磁波吸收复合板，该电磁波吸收复合板对期望的频率范围内的电磁波噪声具有高吸收能力，并且能够变换使电磁波噪声吸收能力最大化的频率范围。基于这样的发现完成了本发明。
因此，本发明的电磁波吸收复合板包括电磁波吸收膜和层压在电磁波吸收膜上的电磁波屏蔽膜；
电磁波吸收膜包括形成在塑料膜表面上的单层或多层金属薄膜，该金属薄膜具有在多个方向上具有不规则宽度和间隔的大量(多个)基本平行的不连续线性划痕；并且
电磁波屏蔽膜与电磁波吸收膜的面积比为10-80％。
电磁波屏蔽膜与电磁波吸收膜的面积比优选为20-80％，更优选为30-70％，最优选为40-60％。
电磁波屏蔽膜优选地为导电金属箔；具有导电金属薄膜或涂层的塑料膜；或碳板。
电磁波吸收膜中90％或更多的线性划痕的宽度优选地在0.1μm-100μm范围内，并且平均为1μm-50μm，并且横向间隔在1μm-500μm的范围内，并且平均为1μm-200μm。
电磁波吸收膜中的线性划痕优选地具有30-90°的范围内的锐角交叉角θs。
电磁波屏蔽膜中的导电金属优选地为选自由铝、铜、银、锡、镍、钴、铬及其合金组成的组中的至少一种。
电磁波吸收膜和电磁波屏蔽膜优选地都为矩形或正方形。
附图说明
图1(a)是显示本发明电磁波吸收复合板的示例的分解平面图。
图1(b)是显示本发明的电磁波吸收复合板的示例的平面图。
图2(a)是显示构成本发明的电磁波吸收复合板的电磁波吸收膜的示例的横截面图。
图2(b)是显示电磁波吸收膜的线性划痕的示例的局部平面图。
图2(c)是沿着图2(b)中的线A-A截取的横截面图。
图2(d)是显示图2(c)中的部分B的放大横截面图。
图2(e)是显示电磁波吸收膜的另一个示例的横截面图。
图2(f)显示图2(e)中的部分C的放大横截面图。
图3(a)显示用于形成线状划痕的装置的示例的透视图。
图3(b)是显示图3(a)的装置的平面图。
图3(c)是沿图3(b)中的线B-B截取的横截面图。
图3(d)是显示形成相对于复合膜的移动方向倾斜的线性划痕的原理的放大局部平面图。
图3(e)是显示图3(a)的装置中的图案辊和推动辊对复合膜的倾斜角度的局部平面图。
图4是显示用于形成线性划痕的装置的局部横截面图。
图5是显示用于形成线性划痕的装置的另一个示例的透视图。
图6(a)是显示本发明的电磁波吸收复合板的另一个示例的平面图。
图6(b)是显示本发明的电磁波吸收复合板的又一个示例的平面图。
图7(a)是显示用于测量对入射波的反射波和透射波的功率的系统的平面图。
图7(b)是显示图7(a)的系统的示意性局部横截面图。
图8是显示放置在微带线MSL上的样品的示例的平面图。
图9是显示电磁波吸收复合板的样品1(线性划痕的交叉角θs＝90°，且铝箔片的面积比＝0％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图10是显示电磁波吸收复合板的样品2(线性划痕的交叉角θs＝90°，且铝箔片的面积比＝20％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图11是显示电磁波吸收复合板的样品3(线性划痕的交叉角θs＝90°，且铝箔片的面积比＝40％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图12是显示电磁波吸收复合板的样品4(线性划痕的交叉角θs＝90°，且铝箔片的面积比＝50％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图13是显示电磁波吸收复合板的样品5(线性划痕的交叉角θs＝90°，且铝箔片的面积比＝60％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图14是显示电磁波吸收复合板的样品6(线性划痕的交叉角θs＝90°，且铝箔片的面积比＝80％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图15是显示电磁波吸收复合板的样品7(线性划痕的交叉角θs＝90°，且铝箔片的面积比＝100％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图16是显示电磁波吸收复合板的样品21和22(51和52)的平面图。
图17是显示包括不同形状的铝箔片的电磁波吸收复合板的样品21和22噪声吸收比P损耗/P入射以及样品1和4的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图18(a)是显示当实施例4的电磁波吸收复合板放置在Fire Stick TV中的IC芯片上时，从Fire Stick TV泄漏的在频率约3GHz的电磁波噪声的图。
图18(b)是显示在没有电磁波吸收复合板的情况下从Fire Stick TV泄漏的在频率约3GHz的电磁波噪声的图。
图19是显示包括石墨粉/炭黑的碳板片的电磁波吸收复合板的样品31-33的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图20是显示电磁波吸收复合板的样品41(线性划痕的交叉角θs＝60°，且铝箔片的面积比＝20％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图21是显示电磁波吸收复合板的样品42(线性划痕的交叉角θs＝60°，且铝箔片的面积比＝30％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图22是显示电磁波吸收复合板的样品43(线性划痕的交叉角θs＝60°，且铝箔片的面积比＝40％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图23是显示电磁波吸收复合板的样品44(线性划痕的交叉角θs＝60°，且铝箔片的面积比＝50％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图24是显示电磁波吸收复合板的样品45(线性划痕的交叉角θs＝60°，且铝箔片的面积比＝60％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图25是显示电磁波吸收复合板的样品46(线性划痕的交叉角θs＝60°，且铝箔片的面积比＝70％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图26是显示电磁波吸收复合板的样品47(线性划痕的交叉角θs＝60°，且铝箔片的面积比＝80％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图27是显示电磁波吸收复合板的样品48(线性划痕的交叉角θs＝60°，且铝箔片的面积比＝100％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图28是显示电磁波吸收复合板的样品51(线性划痕的交叉角θs＝60°，且铝箔片的距离D＝0mm)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图29是显示电磁波吸收复合板的样品52(线性划痕的交叉角θs＝60°，且铝箔片的距离D＝5mm)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图30是显示电磁波吸收复合板的样品53(线性划痕的交叉角θs＝60°，且铝箔片的距离D＝10mm)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图31是显示电磁波吸收复合板的样品54(线性划痕的交叉角θs＝60°，且铝箔片的距离D＝15mm)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图32是显示电磁波吸收复合板的样品55(线性划痕的交叉角θs＝60°，且铝箔片的距离D＝20mm)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图33是显示电磁波吸收复合板的样品56(线性划痕的交叉角θs＝60°，且铝箔片的距离D＝25mm)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图34是显示电磁波吸收复合板的样品61(线性划痕的交叉角θs＝30°，且铝箔片的面积比＝20％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图35是显示电磁波吸收复合板的样品62(线性划痕的交叉角θs＝30°，且铝箔片的面积比＝30％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图36是显示电磁波吸收复合板的样品63(线性划痕的交叉角θs＝30°，且铝箔片的面积比＝40％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图37是显示电磁波吸收复合板的样品64(线性划痕的交叉角θs＝30°，且铝箔片的面积比＝50％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图38是显示电磁波吸收复合板的样品65(线性划痕的交叉角θs＝30°，且铝箔片的面积比＝60％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图39是显示电磁波吸收复合板的样品66(线性划痕的交叉角θs＝30°，且铝箔片的面积比＝70％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图40是显示电磁波吸收复合板的样品67(线性划痕的交叉角θs＝30°，且铝箔片的面积比＝80％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图41是显示电磁波吸收复合板的样品68(线性划痕的交叉角θs＝30°，且铝箔片的面积比＝100％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图42是显示电磁波吸收复合板的样品71(线性划痕的交叉角θs＝30°，且铝箔片的距离D＝0mm)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图43是显示电磁波吸收复合板的样品72(线性划痕的交叉角θs＝30°，且铝箔片的距离D＝5mm)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图44是显示电磁波吸收复合板的样品73(线性划痕的交叉角θs＝30°，且铝箔片的距离D＝10mm)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图45是显示电磁波吸收复合板的样品74(线性划痕的交叉角θs＝30°，且铝箔片的距离D＝15mm)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图46是显示电磁波吸收复合板的样品75(线性划痕的交叉角θs＝30°，且铝箔片的距离D＝20mm)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图47是显示电磁波吸收复合板的样品76(线性划痕的交叉角θs＝30°，且铝箔片的距离D＝25mm)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图48是显示电磁波吸收复合板的样品81(线性划痕的交叉角θs＝60°，且铜箔片的面积比＝20％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图49是显示电磁波吸收复合板的样品82(线性划痕的交叉角θs＝60°，且铜箔片的面积比＝30％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图50是显示电磁波吸收复合板的样品83(线性划痕的交叉角θs＝60°，且铜箔片的面积比＝40％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图51是显示电磁波吸收复合板的样品84(线性划痕的交叉角θs＝60°，且铜箔片的面积比＝50％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图52是显示电磁波吸收复合板的样品85(线性划痕的交叉角θs＝60°，且铜箔片的面积比＝60％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图53是显示电磁波吸收复合板的样品86(线性划痕的交叉角θs＝60°，且铜箔片的面积比＝70％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图54是显示电磁波吸收复合板的样品87(线性划痕的交叉角θs＝60°，且铜箔片的面积比＝80％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图55是显示电磁波吸收复合板的样品88(线性划痕的交叉角θs＝60°，且铜箔片的面积比＝100％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图56是显示电磁波吸收复合板的样品91(线性划痕的交叉角θs＝60°，且铜箔片的距离D＝0mm)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图57是显示电磁波吸收复合板的样品92(线性划痕的交叉角θs＝60°，且铜箔片的距离D＝5mm)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图58是显示电磁波吸收复合板的样品93(线性划痕的交叉角θs＝60°，且铜箔片的距离D＝10mm)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图59是显示电磁波吸收复合板的样品94(线性划痕的交叉角θs＝60°，且铜箔片的距离D＝15mm)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图60是显示电磁波吸收复合板的样品95(线性划痕的交叉角θs＝60°，且铜箔片的距离D＝20mm)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图61是显示电磁波吸收复合板的样品96(线性划痕的交叉角θs＝60°，且铜箔片的距离D＝25mm)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图62是显示电磁波吸收复合板的样品101(线性划痕的交叉角θs＝45°，且铜箔片的面积比＝20％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图63是显示电磁波吸收复合板的样品102(线性划痕的交叉角θs＝45°，且铜箔片的面积比＝30％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图64是显示电磁波吸收复合板的样品103(线性划痕的交叉角θs＝45°，且铜箔片的面积比＝40％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图65是显示电磁波吸收复合板的样品104(线性划痕的交叉角θs＝45°，且铜箔片的面积比＝50％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图66是显示电磁波吸收复合板的样品105(线性划痕的交叉角θs＝45°，且铜箔片的面积比＝60％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图67是显示电磁波吸收复合板的样品106(线性划痕的交叉角θs＝45°，且铜箔片的面积比＝70％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图68是显示电磁波吸收复合板的样品107(线性划痕的交叉角θs＝45°，且铜箔片的面积比＝80％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图69是显示电磁波吸收复合板的样品108(线性划痕的交叉角θs＝45°，且铜箔片的面积比＝100％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图70是显示电磁波吸收复合板的样品111(线性划痕的交叉角θs＝45°，且铜箔片的距离＝0mm)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图71是显示电磁波吸收复合板的样品112(线性划痕的交叉角θs＝45°，且铜箔片的距离＝5mm)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图72是显示电磁波吸收复合板的样品113(线性划痕的交叉角θs＝45°，且铜箔片的距离＝10mm)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图73是显示电磁波吸收复合板的样品114(线性划痕的交叉角θs＝45°，且铜箔片的距离＝15mm)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图74是显示电磁波吸收复合板的样品115(线性划痕的交叉角θs＝45°，且铜箔片的距离＝20mm)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图75是显示电磁波吸收复合板的样品116(线性划痕的交叉角θs＝45°，且铜箔片的距离＝25mm)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图76是显示电磁波吸收复合板的样品121(线性划痕的交叉角θs＝30°，且铜箔片的面积比＝20％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图77是显示电磁波吸收复合板的样品122(线性划痕的交叉角θs＝30°，且铜箔片的面积比＝30％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图78是显示电磁波吸收复合板的样品123(线性划痕的交叉角θs＝30°，且铜箔片的面积比＝40％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图79是显示电磁波吸收复合板的样品124(线性划痕的交叉角θs＝30°，且铜箔片的面积比＝50％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图80是显示电磁波吸收复合板的样品125(线性划痕的交叉角θs＝30°，且铜箔片的面积比＝60％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图81是显示电磁波吸收复合板的样品126(线性划痕的交叉角θs＝30°，且铜箔片的面积比＝70％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图82是显示电磁波吸收复合板的样品127(线性划痕的交叉角θs＝30°，且铜箔片的面积比＝80％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图83是显示电磁波吸收复合板的样品128(线性划痕的交叉角θs＝30°，且铜箔片的面积比＝100％)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图84是显示电磁波吸收复合板的样品131(线性划痕的交叉角θs＝30°，且铜箔片的距离＝0mm)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图85是显示电磁波吸收复合板的样品132(线性划痕的交叉角θs＝30°，且铜箔片的距离＝5mm)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图86是显示电磁波吸收复合板的样品133(线性划痕的交叉角θs＝30°，且铜箔片的距离＝10mm)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图87是显示电磁波吸收复合板的样品134(线性划痕的交叉角θs＝30°，且铜箔片的距离＝15mm)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图88是显示电磁波吸收复合板的样品135(线性划痕的交叉角θs＝30°，且铜箔片的距离＝20mm)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
图89是显示电磁波吸收复合板的样品136(线性划痕的交叉角θs＝30°，且铜箔片的距离＝25mm)的噪声吸收比P损耗/P入射的图。
具体实施方式
将参照附图详细阐释本发明的实施方式，并应注意，除非另有说明，否则对一个实施方式的阐释适用于其他实施方式。而且，以下阐释不是限制性的，而是可在本发明的范围内进行各种修改。
图1(a)示出了电磁波吸收膜1和层压在电磁波吸收膜1上的电磁波屏蔽膜2，其构成本发明的电磁波吸收复合板10，并且图1(b)示出了本发明的电磁波吸收复合板10的示例，其包括电磁波吸收膜1和电磁波屏蔽膜2。
[1]电磁波吸收膜
如图2(a)和图2(b)所示，电磁波吸收膜1包括塑料膜11和形成在塑料膜11的至少一个表面上的单层或多层金属薄膜12，金属薄膜12具有在多个方向上具有不规则宽度和间隔的大量(多个)基本平行的不连续线性划痕。
(1)塑料膜
形成塑料膜11的树脂不受特别限制，只要它们除了绝缘之外还具有足够的强度、柔韧性和可加工性即可，并且它们可为例如聚酯(聚对苯二甲酸乙二醇酯等)、聚芳基硫醚(聚苯硫醚等)、聚酰胺、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚砜、聚醚醚酮、聚碳酸酯、丙烯酸树脂、聚苯乙烯、聚烯烃(聚乙烯、聚丙烯等)等。从强度和成本角度，聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)是优选的。塑料膜11的厚度为约8μm-30μm。
(2)金属薄膜
形成金属薄膜12的金属没有特别限制，只要其具有导电性即可，并且从耐蚀性和成本角度，它们优选地为铝、铜、银、锡、镍、钴、铬及其合金，特别是铝、铜、镍及其合金。金属薄膜12的厚度优选为0.01μm或更大。虽然没有限制，但金属薄膜12的厚度上限实际上可为约10μm。当然，在高频电磁波的吸收能力基本上没有变化的情况下，金属薄膜12可比10μm更厚。因此，金属薄膜12的厚度优选为0.01μm-10μm，更优选0.01μm-5μm，最优选0.01μm-1μm。金属薄膜12可通过气相沉积法(物理气相沉积法，比如真空气相沉积法、溅射法和离子镀法；或化学气相沉积法，比如等离子体CVD法、热CVD法和光CVD法)、电镀法或箔键合法来制备。
从导电性、耐腐蚀性和成本角度，当金属薄膜12具有单层结构时，金属薄膜12优选由铝或镍制成。当金属薄膜12具有多层结构时，一层可由非磁性金属制成，而另一层可由磁性金属制成。非磁性金属包括铝、铜、银、锡及其合金，而磁性金属包括镍、钴、铬及其合金。磁性金属薄膜的厚度优选为0.01μm或更大，而非磁性金属薄膜的厚度优选为0.1μm或更大。尽管没有限制，但其厚度的上限实际上可为约10μm。更优选地，磁性金属薄膜的厚度为0.01μm-5μm，而非磁性金属薄膜的厚度为0.1μm-5μm。图2(e)和2(f)显示了形成在塑料膜11上的两层(金属薄膜12a、12b)。
(3)线性划痕
在图2(b)和2(c)所示的示例中。金属薄膜12具有在两个方向上具有不规则宽度和间隔的大量基本平行的不连续线性划痕13(13a、13b)。为了阐释的目的，在图2(c)中放大了线性划痕13的深度。如图2(d)中所示，线性划痕13具有各种宽度W和间隔I。线性划痕13的宽度W和间隔I由形成线性划痕之前与金属薄膜12的表面S对应的高度所决定。由于线性划痕13具有各种宽度W和间隔I，因此电磁波吸收膜1可在有效地吸收较宽频率范围内的电磁噪声。
90％或更多的线性划痕13的宽度W的范围优选0.1μm-100μm，更优选0.5μm-50μm，最优选0.5μm-20μm。线性划痕13的平均宽度Wav优选为1μm-50μm、更优选1μm-10μm，最优选1μm-5μm。
线性划痕13的横向间隔I的范围优选为1μm-500μm，更优选1μm-100μm，最优选1μm-50μm，特别是1μm-30μm。线性划痕13的平均横向间隔Iav优选为1μm-200μm，更优选5μm-50μm，最优选5μm-30μm。
由于线性划痕13的长度Ls由滑动条件(主要是图案辊和复合膜的相对圆周速度，以及复合膜对图案辊的滑动方向)决定，因此大多数线性划痕13具有基本相同的长度Ls(基本上等于平均长度Lsav)，除非滑动条件发生改变。线性划痕13的长度Ls实际上为约1mm-100mm，优选为2mm-10mm，但没有特别限制。
除非另有说明，否则线性划痕13a、13b的锐角交叉角θs可简称为“交叉角θs”，其优选地为30-90°，更优选45-90°。通过调整复合膜相对图案辊的滑动条件(相对圆周速度、滑动方向等)，可得到具有各种交叉角θs的线性划痕13。
(4)生产方法
图3(a)-3(e)显示了在两个方向上形成线性划痕113(113a、113b)的装置的示例。该装置包括从上游按此顺序设置的(a)卷轴221，从卷轴221展开具有形成于塑料膜上的金属薄膜112的复合膜100；(b)第一图案辊202a，设置在与金属薄膜112侧的复合膜100的横向方向不同的方向上；(c)第一推动辊203a，设置在金属薄膜112的相对侧上的第一图案辊202a的上游；(d)第二图案辊202b，相对于金属薄膜112侧时的复合薄膜100的横向方向，设置在与第一图案辊202a相反的方向上；(e)第二推动辊203b，设置在金属薄膜112的相对侧上的图案辊202b的下游；(f)电阻测量装置204a，设置在第一图案辊202a和第二图案辊202b之间的金属薄膜112侧上；(g)第二电阻测量装置204b，在金属薄膜112侧上，设置在第二图案辊202b的下游；和(h)卷轴224，围绕卷轴224卷绕线性刮痕复合膜(电磁波吸收膜)111。此外，在预定位置上设置多个导辊222、223。每个图案辊202a、202b由支承辊(例如橡胶辊)205a、205b旋转支撑。
如图3(c)所示，由于每个推动辊203a、203b的位置低于复合膜100与每个图案辊202a、202b滑动接触的位置，因此将复合膜100的金属薄膜112推至每个图案辊202a、202b。满足此条件时，可调整每个推动辊203a、203b的垂直位置以控制每个图案辊202a、202b对金属薄膜112的按压力，以及与中心角θ1成比例的滑动距离。
图3(d)显示了复合膜100上形成相对于复合膜100的移动方向倾斜的线性划痕113a的原理。由于图案辊202a相对于复合膜100的移动方向倾斜，因此图案辊202a上的细硬颗粒的移动方向(旋转方向)a与复合膜100的移动方向b不同。在图案辊202a上点A处的细硬颗粒与金属薄膜112接触从而形成划痕B(如由X所示)之后，细硬颗粒移动到点A’，并且划痕B移动到点B’。当细硬颗粒从点A移动到点A’时，连续形成划痕，产生了从点B’延伸到点A’的线性划痕113a。
可通过改变每个图案辊202a、202b相对于复合膜100的角度和/或每个图案辊202a、202b相对于复合膜100移动速度的圆周速度，调整由第一图案辊202a和第二图案辊202b形成的第一和第二线性划痕的方向和交叉角θs。例如，当图案辊202a的圆周速度a相对于复合膜100的移动速度b增加时，线性划痕113a可倾斜，例如，相对于复合膜100的移动方向成45°，如图3(d)中由Y所示的线C’D’一样。类似地，可通过改变图案辊202a相对于复合膜100的横向方向的倾角θ2来改变图案辊202a的圆周速度a。对于图案辊202b也是这样。因此，通过调整图案辊202a和202b，可改变线性划痕113a和113b的方向。
由于每个图案辊202a，202b相对于复合膜100倾斜，因此与每个图案辊202a、202b滑动接触，可能在横向方向上向复合膜100施加力。因此，为了防止复合膜100的横向移动，优选调整每个推动辊203a、203b相对于每个图案辊202a、202b的垂直位置和/或角度。例如，适当调整图案辊202a和推动辊203a的轴之间的交叉角θ3可提供具有横向分布以消除横向分量的按压力，从而防止横向移动。调整图案辊202a和推动辊203a之间的距离也有助于防止横向移动。为了防止复合膜100的横向移动和断裂，从复合膜100的横向方向倾斜的第一图案辊202a和第二图案辊202b的旋转方向优选与复合膜100的移动方向相同。
如图3(b)所示，每个电阻测量装置(辊)204a、204b包括一对通过绝缘部分的电极(未示出)，在该绝缘部分之间测量线性划伤的金属薄膜112的电阻。将电阻测量装置204a、204b测得的电阻与目标电阻进行比较，以根据它们的不同而调整操作条件比如复合膜100的移动速度、图案辊202a、202b的旋转速度和倾斜角θ2、推送辊203a、203b的位置和倾斜角θ3等。
为了增加图案辊202a、202b对复合膜100的按压力，可在图案辊202a、202b之间提供第三推动辊203c，如图4所示。第三推动辊203C与中心角θ1成比例增加了金属薄膜12的滑动距离，导致更长的线性划痕113a、113b。调整第三推动辊203c的位置和倾斜角有助于防止复合膜100的横向移动。
图5显示了用于形成在两个垂直方向上定向的线性划痕的装置的示例。该装置与图3(a)-3(e)所示装置不同之处在于，第二图案辊232b平行于复合膜100的横向方向。因此，将仅仅阐释与图3(a)-3(e)所示的那些不同的部分。第二图案辊232b的旋转方向可与复合膜100的移动方向相同或相反。而且，第二推动辊233b可在第二图案辊232b的上游或下游。该装置使线性划痕113a’的方向(线E’F’)与复合膜100的横向方向对齐，如图3(d)中Z所示，从而形成90°交叉的线性划痕。
不仅决定线性划痕的倾斜角和交叉角，而且决定其深度、宽度、长度和间隔的操作条件是复合膜100的移动速度、图案辊的旋转速度和倾斜角以及按压力等。复合膜100的移动速度优选为5-200m/分钟，并且图案辊的圆周速度优选为10-2000m/分钟。图案辊的倾斜角θ2优选为20°-60°，特别是约45°。复合膜100的张力(与按压力平行)优选0.05-5kgf/cm宽。
用于形成线性划痕的装置中使用的图案辊优选地为具有锐边和表面莫氏硬度为5或更大的细颗粒的辊，例如，JP 2002-59487A中所述的金刚石辊。因为线性划痕的宽度由细颗粒的尺寸决定，所以90％或更多的细金刚石颗粒的尺寸优选在1μm-1000μm的范围内，更优选在10μm-200μm的范围内。细金刚石颗粒最好以50％或更大的面积比附着至辊表面。
[2]电磁波屏蔽膜
为了反射发射电磁波吸收膜1的电磁波噪声，并再次投射到电磁波吸收膜1上，电磁波屏蔽膜2应具有反射电磁波噪声的功能。为了有效地展示这种功能，电磁波屏蔽膜2优选地为导电金属箔；具有导电金属薄膜或涂层的塑料膜；或碳板。电磁波吸收膜1和电磁波屏蔽膜2优选地通过非导电粘合剂层压，所述非导电粘合剂可为已知的粘合剂。
(1)导电金属箔
导电金属优选地为选自由铝、铜、银、锡、镍、钴、铬及其合金组成的组中的至少一种。导电金属箔的厚度优选为5μm-50μm。
(2)导电金属薄膜或涂层
导电金属薄膜优选地为上述导电金属的气相沉积膜。气相沉积金属薄膜的厚度可为数十纳米至数十微米。其上形成有上述导电金属的气相沉积膜的塑料膜可与电磁波吸收膜1中的塑料膜11相同。
(3)导电金属涂层
导电金属涂层可通过如下形成：用包含高度分散于热塑性树脂或光固化树脂中的导电金属粉末(比如银粉等)的油墨(膏)涂覆塑料膜，干燥所得涂层，并且然后在必要时用紫外线照射所述涂层。导电油墨(膏)可为已知的，例如，光固化导电油墨组合物(JP 2016-14111A)，其包括导电填料、光引发剂和聚合物分散剂，导电填料的按质量计百分比为70-90％；并且导电填料是颗粒尺寸D50为0.3μm-3.0μm的银粉，其中按质量计50％或更多呈鳞片、箔或薄片状。其上涂覆有导电金属的塑料膜可与电磁波吸收膜1中的塑料膜11相同。
(4)碳板
用作电磁波屏蔽膜的碳板可为市售的PGS(注册商标)石墨板(购自PanasonicCorporation)，该石墨板通过在惰性气体中在超高温度下对聚酰亚胺膜进行热处理而形成，碳板(散热板)包括石墨粉和炭黑等。
可用作石墨粉/炭黑的碳板是具有如下结构的散热板(JP 2015-170660A)：其中炭黑均匀地分散在细石墨颗粒之间，细石墨颗粒/炭黑质量比为75/25-95/5，密度为1.9g/cm3或更高，并且平面内热导率为570W/mK或更高。细石墨颗粒的优选具有5μm-100μm的平均直径和200nm或更大的平均厚度。该散热板的厚度优选为25μm-250μm。
该散热板可通过包括以下的方法形成：(1)制备分散体，该分散体包含按质量计总共为5-25％的细石墨颗粒和炭黑，以及按质量计0.05-2.5％的在有机溶剂中的粘结剂树脂，细石墨颗粒与炭黑的质量比为75/25-95/5；(2)将施加分散体到支撑板的表面的步骤和干燥步骤重复多次，以形成包含细石墨颗粒、炭黑和粘结剂树脂的含树脂的复合板；(3)燃烧含树脂的复合板以去除粘结剂树脂；和(4)按压所得的细石墨颗粒/炭黑复合板以致密化。
[3]电磁波吸收膜和电磁波屏蔽膜的设置
(1)面积比
如图1(b)中所示，电磁波屏蔽膜2与电磁波吸收膜1的面积比为10-80％。当面积比小于10％或大于80％时，在期望频率范围内的电磁波噪声的吸收能力没有充分最大化。这是出人意料的结果，并且电磁波屏蔽膜2与电磁波吸收膜1的面积比为10-80％是本发明的一个重要特征。面积比的下限优选为20％、更优选30％、进一步优选40％、最优选45％。面积比的上限优选为70％、更优选65％、最优选60％。电磁波屏蔽膜2与电磁波吸收膜1的面积比范围例如优选为20-80％、更优选30-70％、进一步优选40-65％、最优选45-60％。
(2)位置
电磁波屏蔽膜2的中心优选地位于电磁波吸收膜1的中心，但可偏离以改变电磁波吸收能力具有峰值的频率。电磁波屏蔽膜2的位置变化可以图6(a)所示通过将电磁波屏蔽膜2相对于电磁波吸收膜1在一个方向上移动，或如图6(b)所示通过减小电磁波屏蔽膜2的尺寸以使电磁波屏蔽膜2的四边从电磁波吸收膜1的四边向内回撤。在这两种情况下，由于电磁波屏蔽膜2如何相对于电磁波吸收膜1移动或改变尺寸影响电磁波吸收能力具有峰值的频率，因此优选根据使电磁波吸收能力最大化的频率范围来确定。当然，在6(a)和6(b)的任一个中，电磁波屏蔽膜2与电磁波吸收膜1的面积比应满足上述要求。
将参照以下实施例更详细地阐释本发明，而不期望将本发明限制于此。
参考例1
使用具有如图5所示结构的装置，该装置包括具有粒径分布为50μm-80μm的电镀细金刚石颗粒的图案辊232a、232b，在厚度为0.05μm的铝薄膜中形成以90°的交叉角θs在两个方向上定向的线性划痕，该铝薄膜通过真空气相沉积法在厚度为16μm的双轴取向聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜的表面上形成。线性划伤的铝薄膜的光学显微照片显示，线性划痕具有以下特征：
宽度W的范围：0.5μm-5μm，
平均宽度Wav：2μm，
间隔I的范围：2μm-30μm，
平均间隔Iav：20μm，
平均长度Lsav：5mm，和
交叉角θs：90°。
参考例2
使用图3所示结构的装置，该装置包括具有粒径分布为50μm-80μm的电镀细金刚石颗粒的图案辊202a、202b，在厚度为0.05μm的铝薄膜中形成以60°的交叉角θs在两个方向上定向的线性划痕，该铝薄膜通过真空气相沉积法在厚度为16μm的PET膜的表面上形成。线性划伤的铝薄膜的光学显微照片显示，线性划痕具有以下特征：
宽度W的范围：0.5μm-5μm，
平均宽度Wav：2μm，
间隔I的范围：2μm-30μm，
平均间隔Iav：20μm，
平均长度Lsav：5mm，和
交叉角θs：60°。
参考例3
通过与参考例2相同的方法，将通过真空气相沉积法在厚度为16μm的PET膜的表面上形成的厚度为0.05μm的铝薄膜，提供以45°的交叉角θs在两个方向上定向的线性划痕，不同之处是将交叉角θs改为45°，从而制备电磁波吸收膜。
参考例4
通过与参考例2相同的方法，将通过真空气相沉积法在厚度为16μm的PET膜的表面上形成的厚度为0.05μm的铝薄膜，提供以30°的交叉角θs在两个方向上定向的线性划痕，不同之处是将交叉角θs改为30°，从而制备电磁波吸收膜。
实施例1
从参考例1中获得的电磁波吸收膜(线性划痕的交叉角θs：90°)切下50mm x 50mm的电磁波吸收膜片，并通过非导电粘合剂将尺寸为L(0mm、10mm、20mm、25mm、30mm、40mm和50mm)x 50mm的铝箔片(厚度：15μm)层压在每个电磁波吸收膜片1上(如图8所示)而制备样品1-7。在每个样品中，铝箔片的中心与电磁波吸收膜片的中心对齐。
使用如图所示7(a)和7(b)的系统，该系统包括50Ω的微带线MSL(64.4mmx4.4mm)、支撑微带线MSL的绝缘基板300、附接到绝缘基板300的下表面的接地电极301、连接到微带线MSL两端的导体插脚302、302、网络分析仪NA以及将网络分析仪NA连接至导线插脚302、302的同轴电缆303、303，通过粘合剂将每个样品附接到绝缘基板300的上表面，使得每个样品的中心与的微带线MSL的中心对齐，如图8所示，以测量入射波功率为0.1-6GHz的反射波功率S11和透射波功率S12。
通过从输入如图7(a)和7(b)中所示的系统中的入射功率P入射减去反射波功率S11和透射波功率S12确定功率损耗P损耗，并且通过P损耗除以入射功率P入射确定噪声吸收比P损耗/P入射。结果如图9至15和表1所示。
表1
注：(1)θs表示线性划痕的交叉角。
(2)铝箔片与电磁波吸收膜片的面积比。
带有*的样品超出本发明的范围。
在没有铝箔片层压在电磁波吸收膜片上的样品1中，在约2GHz的频率下，最大噪声吸收比P损耗/P入射为0.88。在具有相同尺寸的铝箔片层压在电磁波吸收膜片上的样品7中，在约3.7GHz的频率下，最大噪声吸收比P损耗/P入射为0.90。另一方面，在具有对应于面积比为50％的尺寸的铝箔片层压在电磁波吸收膜片上的样品4中，在约1.9GHz的频率下，最大噪声吸收比P损耗/P入射高达0.96。在具有对应于面积比为80％的尺寸的铝箔片层压在电磁波吸收膜片上的样品6中，最大噪声吸收比P损耗/P入射高达0.93，但有最大噪声吸收比P损耗/P入射的频率显示为变换至3.4GHz。因此可见，由此可见，为了使期望频率范围内的噪声吸收比P损耗/P入射最大化，铝箔片(电磁波屏蔽膜)与电磁波吸收膜片的面积比应为10-80％。
实施例2
通过非导电粘合剂将25mm x 50mm的铝箔片(厚度：15μm)层压在实施例1中使用的50mm x 50mm的每个电磁波吸收膜片(线性划痕的交叉角θs：90°)上，使得如图6(a)所示的电磁波吸收膜片的一侧X1和铝箔片的一侧X2(平行于X1)之间的距离D分别为0mm、5mm和10mm而制备样品11-13。如图7(a)所示，将每个样品放置在绝缘基板300上的微带线MSL上，以测量其在0.1-6GHz范围内的噪声吸收比P损耗/P入射。对于每个样品，距离D、在2GHz下的噪声吸收比P损耗/P入射、最大噪声吸收比P损耗/P入射和最大噪声吸收比下的频率如表2所示。
表2
注：(1)θs表示线性划痕的交叉角。
(2)D为电磁波吸收膜片的一侧X1与铝箔片的一侧X2之间的距离。
从表2可见，(a)随着铝箔片的中心移动到接近电磁波吸收膜片的中心，在2GHz下的噪声吸收比P损耗/P入射增加，以及(b)随着铝箔片的中心移动到远离电磁波吸收膜片的中心，在2GHz下的噪声吸收比P损耗/P入射降低，但在与2GHz不同的频率(接近4GHz)下的噪声吸收比P损耗/P入射最大化。这表明，在半导体的噪声频率区域，铝箔的中心优选尽可能接近电磁波吸收膜的中心，而在其他频率区域，铝箔的中心可从电磁波吸收膜片的中心移动以使噪声吸收比P损耗/P入射最大化。
实施例3
如图16所示，将面积比为50％的正方形铝箔片和面积比为50％的方框形铝箔片层压到每个与实施例1相同的50mm x 50mm的电磁波吸收膜片上，以使它们的中心彼此对齐而制备样品21和22。测量每个样品的噪声吸收比P损耗/P入射。测量结果以及样品1和4的测量结果示于图17中。
从图17可见，用面积比为50％的正方形铝箔片层压的样品21，在与样品4的频率不同的频率下，表现出与用25mm x 50mm的铝箔片层压的样品4相同水平的最大噪声吸收比P损耗/P入射。另一方面，用形状不同、面积比相同的铝箔片层压的样品22，与样品21相比，在宽频率范围内表现出非常低的噪声吸收比P损耗/P入射。这表明，(a)尽管面积比相同，但通过改变铝箔片(电磁波屏蔽膜)的形状，可改变表现出最大噪声吸收比P损耗/P入射的频率；并且(b)在面积比相同的铝箔片中，具有占据电磁波吸收膜片中心部分的形状的铝箔片具有较高的噪声吸收比P损耗/P入射。
实施例4
制备与覆盖亚马逊的Fire Stick TV中的IC芯片一样大的电磁波吸收复合板，其结构与实施例1中的结构相同。电磁波吸收膜片为尺寸与IC芯片相同的正方形，并且铝箔片为与电磁波吸收膜片的面积比为50％的矩形。铝箔片的一对相对侧与电磁波吸收膜片的一对相对侧对齐，并且与铝箔片的一对相对侧垂直的另一对相对侧之间的距离是电磁波吸收膜片的另一对相对侧之间的距离的50％。层压的铝箔片的中心与电磁波吸收膜片的中心对齐。即，实施例4的电磁波吸收复合板的形状如图1(b)所示。
在从Fire Stick TV上移除盖子的情况下，将实施例4的电磁波吸收复合板放置在Fire Stick TV中的IC芯片上，从而通过购自Keisoku Giken Co.，Ltd的频谱分析仪VSA6G2A测量从Fire Stick TV泄漏的电磁波噪声。结果如图18(a)所示。此外，在移除盖子但电磁波吸收复合板未放置在IC芯片上的情况下，测量从Fire Stick TV泄漏的电磁波噪声。结果如图18(b)所示。从图18(a)和18(b)可见，当本发明的电磁波吸收复合板放置在IC芯片上时，从Fire Stick TV泄漏的频率为约3GHz的电磁波噪声显著降低。
实施例5
以与实施例1中相同的方式制备各电磁波吸收复合板，不同的是将尺寸为20mm x50mm(样品31)、25mm x 50mm(样品32)和50mm x 50mm(样品33)的石墨粉/炭黑的各碳板片代替铝箔片层压在50mm x 50mm电磁波吸收膜片上，使其中心对齐。以与JP 2015-170660A的实施例1中相同的方法制备石墨粉/炭黑的碳板。以与实施例1中相同的方法测量每个样品的噪声吸收比P损耗/P入射。结果如图19所示。
从图19可见，即使使用碳板片代替铝箔片时，也得到了与实施例1中相同的结果。
尽管在上述实施例中使用了各电磁波吸收复合板，其中在铝薄膜中具有90°交叉角的线性划痕的电磁波吸收膜层压有铝箔或石墨粉/炭黑的碳片作为电磁波屏蔽膜，但是本发明不限于这些电磁波吸收复合板，而是可在本发明的范围内改变。例如，金属薄膜不限于铝薄膜，而是可为铜薄膜等；线性划痕的交叉角不限于90°，而是可在30-90°的范围内变化；以及可使用铜箔、铝箔、导电油墨的涂层(其中分散有铜、银等粉末)代替铝箔作电磁波屏蔽膜。
实施例6
如图8所示，通过非导电粘合剂将尺寸为L(10mm、15mm、20mm、25mm、30mm、35mm、40mm和50mm)x 50mm的铝箔片(厚度：15μm)层压在从参考例获得的电磁波吸收膜(线性划痕的交叉角θs：60°)中切下的50mm x 50mm的电磁波吸收膜片上而制备样品41-18。在每个样品中，铝箔片的中心与电磁波吸收膜片的中心对齐。通过与实施例1中相同的方法测定样品41-48各自的噪声吸收比P损耗/P入射。结果如图20-27和表3所示。
表3
注：(1)θs表示线性划痕的交叉角。
(2)铝箔片与电磁波吸收膜片的面积比。
(3)P损耗/P入射在整个频率范围内都很低。
带有*的样品超出本发明的范围。
在彼此层压的具有相同尺寸的电磁波吸收膜片和铝箔片的样品48中，噪声吸收比P损耗/P入射在整个频率范围内都很低。另一方面，在面积比为20-80％的铝箔片层压在电磁波吸收膜片上的样品41-47中，在1.9-4.1GHz的范围内不同的频率下，最大噪声吸收比P损耗/P入射高达0.93-0.99。这表明，为了使在期望频率范围内的噪声吸收比P损耗/P入射最大化，铝箔片(电磁波屏蔽膜)与电磁波吸收膜片的面积比应为10-80％。
实施例7
通过非导电粘合剂将25mm x 50mm的铝箔片(厚度：15μm)层压在与实施例6中使用的相同的50mm x 50mm的电磁波吸收膜片(线性划痕的交叉角θs：60°)上，使得如图6(a)所示的电磁波吸收膜片的一侧X1与铝箔片的一侧X2(平行于X1)之间的距离D分别为0mm、5mm、10mm、15mm、20mm和25mm而制备样品51-56。以与实施例2中相同的方式测量0.1-6GHz范围内的每个样品的噪声吸收比P损耗/P入射。每个样品的噪声吸收比P损耗/P入射与距离D之间的关系如图28-33所示。从图28-33可见，噪声吸收比P损耗/P入射的曲线随着距离D的改变而急剧改变。
实施例8
如图8所示，通过非导电粘合剂将L(10mm、15mm、20mm、25mm、30mm、35mm、40mm和50mm)x 50mm的铝箔片(厚度：15μm)层压在从参考例4获得的电磁波吸收膜(线性划痕的交叉角θs：30°)中切下的50mm x 50mm电磁波吸收膜片上而制备样品61-68。在每个样品中，铝箔片的中心与电磁波吸收膜片的中心对齐。通过与实施例1相同的方法测定样品61-68各自的噪声吸收比P损耗/P入射。结果如图34-41和表4所示。
表4
注：(1)θs表示线性划痕的交叉角。
(2)铝箔片与电磁波吸收膜片的面积比。
(3)在约5GHz的频率下噪声吸收比P损耗/P入射为0.98，并且在2.1GHz的频率下具有0.93的大峰值。
(4)在约5GHz或更大的频率下噪声吸收比P损耗/P入射为0.98，并且在2.1GHz的频率下具有0.92的大峰值。
(5)在4GHz或更大的频率下噪声吸收比P损耗/P入射为0.97，并且在2.3GHz的频率下具有0.9的大峰值。
(6)在4.2GHz的频率下噪声吸收比P损耗/P入射为0.97，并且在2.4GHz的频率下具有0.9的大峰值。
(7)在整个频率范围内P损耗/P入射都很低。
带有*的样品超出本发明的范围。
在彼此层压的具有相同尺寸的电磁波吸收膜片和铝箔片的样品68中，在整个频率范围内噪声吸收比P损耗/P入射都很低。另一方面，在面积比为20-80％的铝箔片层压在电磁波吸收膜片上的样品61-67中，在2.1-4.2GHz的范围内不同的频率下，最大噪声吸收比P损耗/P入射高达0.9-0.98。这表明，为了使在期望频率范围内的噪声吸收比P损耗/P入射最大化，铝箔片(电磁波屏蔽膜)与电磁波吸收膜片的面积比应为10-80％。
实施例9
通过非导电粘合剂将25mm x 50mm的铝箔片(厚度：15μm)层压在与实施例8中使用的50mm x 50mm的电磁波吸收膜片(线性划痕的交叉角θs：30°)上，使得如图6(a)所示的电磁波吸收膜片的一侧X1与铝箔片的一侧X2(平行于X1)之间的距离D分别为0mm、5mm、10mm、15mm、20mm和25mm而制备样品71-76。以与实施例2中相同的方式测量0.1-6GHz范围内的每个样品的噪声吸收比P损耗/P入射。每个样品的噪声吸收比P损耗/P入射与距离D之间的关系如图42-47所示。从图42-47可见，噪声吸收比P损耗/P入射的曲线随着距离D的改变而急剧改变。
实施例10
如图8所示，通过非导电粘合剂将L(10mm、15mm、20mm、25mm、30mm、35mm、40mm和50mm)x 50mm的铜箔片(厚度：15μm)层压在从参考例2获得的电磁波吸收膜(线性划痕的交叉角θs：60°)中切下的50mm x 50mm电磁波吸收膜片上而制备样品81-88。在每个样品中，铜箔片的中心与电磁波吸收膜片的中心对齐。通过与实施例1相同的方法测定样品81-88各自的噪声吸收比P损耗/P入射。结果如图48-55和表5所示。
表5
注：(1)θs表示线性划痕的交叉角。
(2)铜箔片与电磁波吸收膜片的面积比。
(3)在整个频率范围内P损耗/P入射都很低。
带有*的样品超出本发明的范围。
在彼此层压的具有相同尺寸的电磁波吸收膜片和铜箔片的样品88中，在整个频率范围内噪声吸收比P损耗/P入射都很低。另一方面，在面积比为20-80％的铜箔片层压在电磁波吸收膜片上的样品81-87中，在1.9-4.2GHz的范围内不同的频率下，最大噪声吸收比P损耗/P入射高达0.95-0.99。这表明，为了使在期望频率范围内的噪声吸收比P损耗/P入射最大化，铜箔片(电磁波屏蔽膜)与电磁波吸收膜片的面积比应为10-80％。
实施例11
通过非导电粘合剂将25mm x 50mm的铜箔片(厚度：15μm)层压在与实施例10中使用相同50mm x 50mm的电磁波吸收膜片(线性划痕的交叉角θs：60°)上，使得如图6(a)所示的电磁波吸收膜片的一侧X1与铜箔片的一侧X2(平行于X1)之间的距离D分别为0mm、5mm、10mm、15mm、20mm和25mm而制备样品91-96。以与实施例2中相同的方式测量0.1-6GHz范围内的每个样品的噪声吸收比P损耗/P入射。每个样品的噪声吸收比P损耗/P入射与距离D之间的关系如图56-61所示。从图56-61可见，噪声吸收比P损耗/P入射的曲线随着距离D的改变而急剧改变。
实施例12
如图8所示，通过非导电粘合剂将L(10mm、15mm、20mm、25mm、30mm、35mm、40mm和50mm)x 50mm的铜箔片(厚度：15μm)层压在从参考例3获得的电磁波吸收膜(线性划痕的交叉角θs：45°)中切下的50mm x 50mm电磁波吸收膜片上而制备样品101-108。在每个样品中，铜箔片的中心与电磁波吸收膜片的中心对齐。通过与实施例1相同的方法测定样品101-108各自的噪声吸收比P损耗/P入射。结果如图62-69和表6所示。
表6
注：(1)θs表示线性划痕的交叉角。
(2)铜箔片与电磁波吸收膜片的面积比。
(3)在整个频率范围内P损耗/P入射都很低。
带有*的样品超出本发明的范围。
在彼此层压的具有相同尺寸的电磁波吸收膜片和铜箔片具有相同尺寸的样品108中，在整个频率范围内噪声吸收比P损耗/P入射都很低。另一方面，在面积比为20-80％的铜箔片层压在电磁波吸收膜片上的样品101-107中，在2.4-4.2GHz的范围内不同的频率下，最大噪声吸收比P损耗/P入射高达0.90-0.98。这表明，为了使在期望频率范围内的噪声吸收比P损耗/P入射最大化，铜箔片(电磁波屏蔽膜)与电磁波吸收膜片的面积比应为10-80％。
实施例13
通过非导电粘合剂将25mm x 50mm的铜箔片(厚度：15μm)层压在与实施例12中使用相同50mm x 50mm的电磁波吸收膜片(线性划痕的交叉角θs：45°)上，使得如图6(a)所示的电磁波吸收膜片的一侧X1与铜箔片的一侧X2(平行于X1)之间的距离D分别为0mm、5mm、10mm、15mm、20mm和25mm而制备样品111-116。以与实施例2中相同的方式测量0.1-6GHz范围内的每个样品的噪声吸收比P损耗/P入射。每个样品的噪声吸收比P损耗/P入射与距离D之间的关系如图70-75所示。从图70-75可见，噪声吸收比P损耗/P入射的曲线随着距离D的改变而急剧改变。
实施例14
如图8所示，通过非导电粘合剂将L(10mm、15mm、20mm、25mm、30mm、35mm、40mm和50mm)x 50mm的铜箔片(厚度：15μm)层压在从参考例4获得的电磁波吸收膜(线性划痕的交叉角θs：30°)中切下的50mm x 50mm电磁波吸收膜片上而制备样品121-128。在每个样品中，铜箔片的中心与电磁波吸收膜片的中心对齐。通过与实施例1相同的方法测定样品121-128各自的噪声吸收比P损耗/P入射。结果如图76-83和表7所示。
表7
注：(1)θs表示线性划痕的交叉角。
(2)铜箔片与电磁波吸收膜片的面积比。
(3)在整个频率范围内P损耗/P入射都很低。
带有*的样品超出本发明的范围。
在彼此层压的具有相同尺寸的电磁波吸收膜片和铜箔片的样品128中，在整个频率范围内噪声吸收比P损耗/P入射都很低。另一方面，在面积比为20-80％的铜箔片层压在电磁波吸收膜片上的样品121-127中，在2.1-4.2GHz的范围内不同的频率下，最大噪声吸收比P损耗/P入射高达0.9-0.98。这表明，为了使在期望频率范围内的噪声吸收比P损耗/P入射最大化，铜箔片(电磁波屏蔽膜)与电磁波吸收膜片的面积比应为10-80％。
实施例15
通过非导电粘合剂将25mm x 50mm的铜箔片(厚度：15μm)层压在与实施例14中使用相同50mm x 50mm的电磁波吸收膜片(线性划痕的交叉角θs：30°)上，使得如图6(a)所示的电磁波吸收膜片的一侧X1与铜箔片的一侧X2(平行于X1)之间的距离D分别为0mm、5mm、10mm、15mm、20mm和25mm而制备样品131-136。以与实施例2中相同的方式测量0.1-6GHz范围内的每个样品的噪声吸收比P损耗/P入射。每个样品的噪声吸收比P损耗/P入射与距离D之间的关系如图84-89所示。从图84-89可见，噪声吸收比P损耗/P入射的曲线随着距离D的改变而急剧改变。
本发明的效果
具有上述结构的本发明的电磁波吸收复合板具有优异的电磁波吸收能力，并且可通过将电磁波屏蔽膜与电磁波吸收膜的面积比在10-80％的范围内进行改变，而使期望频率范围内的电磁波噪声吸收能力最大化。当用于发射特定频率下的电磁波噪声的电子电器和零部件时，其电磁波噪声可被这种电磁波吸收复合板有效地吸收。
参考数字说明
10：电磁波吸收复合板
1：电磁波吸收膜
11：塑料膜
12、12a、12b、112：金属薄膜
13、13a、13b、113、113a、113b：线性划痕
2：电磁波屏蔽膜
100：金属薄膜-塑料复合膜
202a、202b、232a、232b：图案辊
203a、203b、233a、233b：推动辊
204a、204b、234a、234b：电阻测量装置(辊)
205a、205b、235a：支承辊
221、224：卷轴
222、223：导辊
300：绝缘基板
301：接地电极
302：导体插脚
303：同轴电缆
D：电磁波吸收膜片的一侧X1与金属箔片的一侧X2之间的距离
MSL：微带线
NA：网络分析仪
θs：电磁波吸收膜中线性划痕的交叉角
L：线性划痕的长度
W：线性划痕的宽度
I：线性划痕的间隔

Claims (8)

1.一种电磁波吸收复合板，其包括电磁波吸收膜和层压在所述电磁波吸收膜上的电磁波屏蔽膜；
所述电磁波吸收膜具有形成在塑料膜表面上的单层或多层金属薄膜；所述金属薄膜具有在多个方向上具有不规则宽度和间隔的大量(多个)基本平行的不连续线性划痕；并且
所述电磁波屏蔽膜与所述电磁波吸收膜的面积比为10-80％。
2.根据权利要求1所述的电磁波吸收复合板，其中所述电磁波屏蔽膜与所述电磁波吸收膜的所述面积比为20-80％。
3.根据权利要求2所述的电磁波吸收复合板，其中所述电磁波屏蔽膜与所述电磁波吸收膜的所述面积比为30-70％。
4.根据权利要求1所述的电磁波吸收复合板，其中所述电磁波屏蔽膜是导电金属箔；具有导电金属薄膜或涂层的塑料膜；或碳板。
5.根据权利要求1所述的电磁波吸收复合板，其中所述电磁波吸收膜中的90％或更多的所述线性划痕的宽度在0.1μm-100μm的范围内，并且平均为1μm-50μm，以及横向间隔在1μm-500μm的范围内，平均为1μm-200μm。
6.根据权利要求1所述的电磁波吸收复合板，其中所述电磁波吸收膜中的所述线性划痕具有30-90°的范围内的锐角交叉角θs。
7.根据权利要求4所述的电磁波吸收复合板，其中所述电磁波屏蔽膜中的所述导电金属为选自由铝、铜、银、锡、镍、钴、铬及其合金组成的组中的至少一种。
8.据权利要求1-7中任一项所述的电磁波吸收复合板，其中所述电磁波吸收膜和所述电磁波屏蔽膜都为矩形或正方形。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115466940B (zh) * 2022-08-15 2023-10-20 中国电子科技集团公司第十二研究所 一种金刚石基微波体衰减材料，制备及应用

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102597064B1 (ko) * 2022-04-28 2023-10-31 주식회사 현대케피코 전자파 차폐재 및 그 제조방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004270143A (ja) * 2003-03-05 2004-09-30 Tdk Corp 電波吸収体、電波吸収パネル、電波吸収衝立、電波吸収壁、電波吸収天井および電波吸収床
CN101065008A (zh) * 2006-04-28 2007-10-31 日东电工株式会社 具有传导或吸收电磁波特性的结构
CN102046370A (zh) * 2009-02-13 2011-05-04 加川清二 带线状痕迹的金属薄膜-塑料复合膜及其制造装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10135682A (ja) * 1996-10-25 1998-05-22 Michiharu Takahashi 多層電波吸収体
JP2002059487A (ja) 2000-08-14 2002-02-26 Seiji Kagawa 多孔質フィルムの製造装置
JP4889180B2 (ja) * 2002-10-17 2012-03-07 学校法人五島育英会 多周波帯対応電波吸収体
KR100896739B1 (ko) * 2007-09-13 2009-05-11 주식회사 엠피코 전자파 흡수 및 차폐용 필름과 이의 제조 방법, 전자파흡수 및 차폐용 필름을 채용한 전선 및 케이블
JP5559668B2 (ja) * 2010-12-07 2014-07-23 清二 加川 電磁波吸収体
WO2012124770A1 (ja) * 2011-03-17 2012-09-20 住友化学株式会社 金属複合体組成物及びその混合物
CN103959927B (zh) 2011-11-30 2017-07-18 加川清二 复合电磁波吸收片
US20170002488A1 (en) * 2013-11-25 2017-01-05 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Noise-absorbing sheet
JP5563175B1 (ja) 2014-03-05 2014-07-30 清二 加川 高熱伝導率の放熱シート及びその製造方法
JP6309842B2 (ja) 2014-07-03 2018-04-11 田中貴金属工業株式会社 光硬化型導電性インク組成物
TWI608789B (zh) * 2015-03-27 2017-12-11 台虹科技股份有限公司 電磁波遮蔽膜及具電磁波遮蔽功能的電路板
US9907179B2 (en) * 2016-04-25 2018-02-27 Tdk Corporation Electronic circuit package
EP3478046A4 (en) * 2016-06-22 2020-02-19 Maxell Holdings, Ltd. ELECTRIC WAVE ABSORPTION SHEET
JP6208394B1 (ja) 2017-05-23 2017-10-04 加川　清二 電磁波吸収フィルタ
WO2019031243A1 (ja) * 2017-08-09 2019-02-14 住友金属鉱山株式会社 電磁波吸収粒子、電磁波吸収粒子分散液、電磁波吸収粒子の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004270143A (ja) * 2003-03-05 2004-09-30 Tdk Corp 電波吸収体、電波吸収パネル、電波吸収衝立、電波吸収壁、電波吸収天井および電波吸収床
CN101065008A (zh) * 2006-04-28 2007-10-31 日东电工株式会社 具有传导或吸收电磁波特性的结构
CN102046370A (zh) * 2009-02-13 2011-05-04 加川清二 带线状痕迹的金属薄膜-塑料复合膜及其制造装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115466940B (zh) * 2022-08-15 2023-10-20 中国电子科技集团公司第十二研究所 一种金刚石基微波体衰减材料，制备及应用

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