JP2019533832A - フレキシブル表示装置及びその製造方法 - Google Patents

フレキシブル表示装置及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2019533832A
JP2019533832A JP2019520113A JP2019520113A JP2019533832A JP 2019533832 A JP2019533832 A JP 2019533832A JP 2019520113 A JP2019520113 A JP 2019520113A JP 2019520113 A JP2019520113 A JP 2019520113A JP 2019533832 A JP2019533832 A JP 2019533832A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive layer
display device
flexible display
hole
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2019520113A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7312104B2 (ja
Inventor
胡坤
馮浩
袁波
蔡世星
張▲ティン▼▲ティン▼
宋艷芹
林立
胡思明
朱暉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kunshan New Flat Panel Display Technology Center Co Ltd
Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
Original Assignee
Kunshan New Flat Panel Display Technology Center Co Ltd
Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kunshan New Flat Panel Display Technology Center Co Ltd, Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd filed Critical Kunshan New Flat Panel Display Technology Center Co Ltd
Priority claimed from PCT/CN2017/116916 external-priority patent/WO2018121322A1/zh
Publication of JP2019533832A publication Critical patent/JP2019533832A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7312104B2 publication Critical patent/JP7312104B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/301—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements flexible foldable or roll-able electronic displays, e.g. thin LCD, OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78645—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with multiple gate
    • H01L29/78648—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with multiple gate arranged on opposing sides of the channel
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/851—Division of substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

フレキシブル表示装置及びその製造方法であって、該フレキシブル表示装置は、フレキシブル基板（１０）と、フレキシブル基板に形成される導電層（１１０）とを含み、導電層に少なくとも１つの凹部領域（１１１）が設置される。該凹部領域が存在するため、フレキシブル表示装置を曲げ又は折り畳む際に、導電層にクラック、又は割れが発生することを避け、導電層の折り曲げ時の品質及び信頼性を向上させる。

Description

本発明は、表示技術に関し、特にフレキシブル表示装置及びその製造方法に関する。
フレキシブル表示装置とは表示パネルを曲げ変形することができる表示装置を意味し、フレキシブル有機エレクトロルミネッセンス表示装置（ＯＬＥＤ）、フレキシブル電気泳動表示装置（ＥＰＤ）、フレキシブル液晶表示装置（ＬＣＤ）等の様々なタイプを含む。新世代の表示デバイスとして、薄くて軽く、コントラストが高く、迅速に応答でき、視野角が広く、輝度が高く、フルカラーである等の利点を有するため、携帯電話、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、デジタルカメラ、車載ディスプレイ、ノートパソコン、壁掛けテレビ及び軍事分野等での将来性が高い。
フレキシブル表示装置を曲げ又は折り畳む際に、脆性ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、薄膜トランジスタ）は割れやすく、割れたＴＦＴは、フレキシブル表示装置の表示効果に影響を与えるか、又はフレキシブル表示装置を正常に動作できないようにする。研究によって、脆性ＴＦＴの断裂は、主にディスプレイ体周囲のより太い導電層、特に導電層のフレキシブルで折り畳み可能な方向に集中していることが発見された。
従来技術において、割れやすい導電層に対して導電層の機械的信頼性を強化する多くの構想、例えば、導電層に穿孔することにより応力を解放すること、複数層の導電層を設置し、且つコンタクトホールを利用してそれを互いに接続させること、電極材料を例えばグラフェン、銀ナノワイヤー等に取り替えること、導電層の幅を減少させるとともに導電層の平滑度を向上させるようなことが提案されている。しかしながら、上記従来の導電層の機械的信頼性を強化する技術案の効果はいずれも低い。
これに鑑みて、本発明は、従来技術におけるフレキシブル表示装置を曲げ又は折り畳む際に、導電層にクラックが入りやすく、ひいては導電層が割れるという問題を解決するフレキシブル表示装置及びその製造方法を提供する。
第一態様において、本発明の一実施例はフレキシブル表示装置を提供し、フレキシブル表示装置は、フレキシブル基板と、フレキシブル基板に形成される導電層とを含み、導電層に少なくとも１つの凹部領域が設置される。
本発明の一実施例において、導電層がフレキシブル基板における電源線を構成する。
本発明の一実施例において、凹部領域のすべての側辺のうち最長の側辺、又は凹部領域の側辺の２点を接続する側辺接続線のうち最長の側辺接続線がフレキシブル表示装置の折り曲げ方向に一致する。
本発明の一実施例において、凹部領域は貫通穴及び／又はメクラ穴を含む。
本発明の一実施例において、導電層及びフレキシブル基板が延在方向に沿って折り曲げ領域及び非折り曲げ領域に分けられ、少なくとも１つの凹部領域が導電層の折り曲げ領域に設置され、折り曲げ領域の導電層の厚さが非折り曲げ領域の導電層の厚さより厚い。
本発明の一実施例において、導電層の折り曲げ領域の非延在方向における上縁又は下縁が非折り曲げ領域の導電層の同一側縁と共線である。
本発明の一実施例において、導電層の折り曲げ領域の非延在方向における上縁及び下縁がいずれも非折り曲げ領域の導電層の同一側縁と共線ではない。
本発明の一実施例において、フレキシブル表示装置が薄膜トランジスタ構造を用い、導電層がフレキシブル表示装置のソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、陰極又は陽極に電気的に接続されるか、又は、導電層がフレキシブル表示装置のソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、陰極又は陽極を構成する。
本発明の一実施例において、フレキシブル表示装置が薄膜トランジスタ構造を用い、導電層がフレキシブル表示装置のゲート電極におけるトップゲート及び／又はボトムゲートを構成し、ゲート電極は薄膜トランジスタ構造のチャネル層の上方に設置されるトップゲートと、チャネル層の下方に設置されるボトムゲートとを含み、トップゲートに少なくとも１つの凹部領域が設置され、トップゲートにおける凹部領域のチャネル層に平行する平面への投影がボトムゲートの平面への投影にカバーされ、及び／又は、ボトムゲートに少なくとも１つの凹部領域が設置され、ボトムゲートにおける凹部領域の平面への投影がトップゲートの平面への投影にカバーされる。
本発明の一実施例において、トップゲートにおける凹部領域の平面への投影の形状がボトムゲートの平面への投影の形状と同じであり、及び／又は、ボトムゲートにおける凹部領域の平面への投影の形状がトップゲートの平面への投影の形状と同じである。
本発明の一実施例において、導電層の少なくとも１つの凹部領域に有機材料が充填される。
本発明の一実施例において、少なくとも１つの凹部領域がフレキシブル表示装置の折り曲げ線方向に沿って１行又は複数行に設置されている。
本発明の一実施例において、複数行に設置されている凹部領域が位置を揃えて配列されるか、又は千鳥配列されている。
本発明の一実施例において、同一列の１つの凹部領域の線幅方向における断面幅又は同一列の複数の凹部領域の線幅方向における断面幅の和と導電層の線幅との比率が１／２以下である。
本発明の一実施例において、同一行の隣接する２つの凹部領域間の最小ピッチとフレキシブル表示装置の折り曲げ方向に一致する側辺又は側辺接続線との比率が１／２以上２以下である。
本発明の一実施例において、少なくとも１つの凹部領域で構成される形状のフレキシブル基板に平行な平面又はフレキシブル基板に垂直な平面への投影は、矩形、三角形、台形、菱形、円形、楕円形、正弦波状、ツイスト状及び鋸歯状のうちの１つ又は複数の組み合わせを含む。
本発明の一実施例において、導電層に設置される保護層を含み、保護層に被覆される導電層の凹部領域の穴径と導電層の幅との比率が０．１より小さい。
本発明の一実施例において、保護層に被覆されていない導電層の凹部領域の穴径と導電層の幅との比率が０．０８より大きい。
第二態様において、本発明の一実施例は更にフレキシブル表示装置の製造方法を提供し、当該方法は、フレキシブル基板を形成することと、電源線に要求される抵抗を決定することと、電源線に要求される抵抗に応じて、導電層の線幅及び凹部領域のデータを取得することと、導電層の線幅及び凹部領域のデータに基づいて、フレキシブル基板に電源線を形成することと、を含む。
第三態様において、本発明の一実施例は更にフレキシブル表示装置の製造方法を提供し、フレキシブル表示装置が薄膜トランジスタ構造であり、薄膜トランジスタ構造のゲート電極の製造方法は、ボトムゲートを製造することと、ボトムゲートの上方にボトムゲート絶縁層及びチャネル層を順に製造することと、チャネル層の上方にトップゲート絶縁層及びトップゲートを順に製造することと、を含み、トップゲートに少なくとも１つの凹部領域が設置され、トップゲートにおける凹部領域のチャネル層に平行する平面への投影がボトムゲートの平面への投影にカバーされ、及び／又は、ボトムゲートに少なくとも１つの凹部領域が設置され、ボトムゲートにおける凹部領域の平面への投影がトップゲートの平面への投影にカバーされる。
本発明の実施例に係るフレキシブル表示装置はフレキシブル基板及びフレキシブル基板に形成される導電層を含み、導電層に少なくとも１つの凹部領域が設置される。本発明の実施例に係るフレキシブル表示装置はフレキシブル基板に導電層を設置し、且つ導電層に少なくとも１つの凹部領域を設置することで、フレキシブル表示装置を曲げ又は折り畳む際に導電層にクラック又は割れが発生することを避け、導電層の折り曲げ時の品質及び信頼性を向上させる。
本発明の実施例１のフレキシブル表示装置の構造模式図である。 本発明の実施例２のフレキシブル表示装置の構造模式図である。 本発明の実施例３のフレキシブル表示装置の構造模式図である。 本発明の実施例４のフレキシブル表示装置の構造模式図である。 本発明の実施例５のフレキシブル表示装置の構造模式図である。 本発明の実施例６のフレキシブル表示装置の構造模式図である。 本発明の実施例７のフレキシブル表示装置の薄膜トランジスタ構造の構造模式図である。 本発明の実施例７のフレキシブル表示装置の薄膜トランジスタ構造のゲート電極の投影模式図である。 本発明の実施例８のフレキシブル表示装置の薄膜トランジスタ構造の構造模式図である。 本発明の実施例８のフレキシブル表示装置の薄膜トランジスタ構造のゲート電極の投影模式図である。 本発明の実施例９のフレキシブル表示装置の薄膜トランジスタ構造のゲート電極の製造フローチャートである。 本発明の実施例１０のフレキシブル表示装置の折り曲げ性能試験データの折れ線グラフである。 本発明の実施例１１のフレキシブル表示装置の折り曲げ性能試験データの折れ線グラフである。
本発明の目的、技術的手段及び利点をより明瞭にするために、以下、図面を参照しながら本発明を更に詳しく説明する。以下の説明及び特許請求の範囲によって、本発明の利点及び特徴が更に明瞭になる。ただし、図面はいずれも極めて簡素化されたタイプを用い、且つ正確でない比率を利用し、本発明の実施例の目的を容易且つ明瞭に補助的に説明する。
[実施例１]
図１は本発明の実施例１のフレキシブル表示装置の構造模式図である。図１に示すように、フレキシブル表示装置はフレキシブル基板１０及びフレキシブル基板１０に形成される電源線１１を含み、電源線１１は導電層１１０を含み、導電層１１０に貫通穴１１１を有する。貫通穴１１１によって電源線１１を折り曲げる際に生じた応力を分散させることができ、それによりフレキシブル表示装置を曲げ又は折り畳む際に電源線にクラック又は割れが発生することを避け、電源線の折り曲げ時の品質及び信頼性を向上させる。
本願の実施例において、導電層１１０の材料がアルミニウム金属、銅金属等の金属材料であってもよく、複数種の金属材料を複合してなる複合金属層であってもよく、更に酸化インジウムスズ等の透明材質の導電層であってもよい。導電層１１０の材料が導電性を有すればよい。
好ましくは、貫通穴１１１のすべての側辺のうち最長の側辺、又は貫通穴１１１の側辺の２点を接続するすべての側辺接続線のうち最長の側辺接続線が電源線１１の折り曲げ方向に一致する。側辺とは貫通穴形状のいずれか１つの辺を意味し、側辺接続線とは貫通穴の任意の側辺上の任意の２つの点の間の接続線を意味すると理解される。ここで、折り曲げ方向とは、電源線１１の折り曲げ時の軸方向、つまり電源線１１を折り曲げる際に生じた応力の伝達方向を意味し、更に、電源線１１の折り曲げ方向が電源線１１の折り曲げ時の折り曲げ線に垂直になる。例えば、フレキシブル表示装置の形状が長方形であり、折り曲げ操作は長辺に沿って折り曲げ、つまり２つの短辺が徐々に近づき又は重なる場合、その時の折り曲げ方向は長辺が位置する軸方向となる。
図１に示すように、本願の実施例において、貫通穴１１１の形状が長方形である。更に、長方形の貫通穴の長辺（つまり最長の側辺）が前記電源線１１の折り曲げ方向に一致し、つまり、前記長方形の貫通穴の長辺が前記フレキシブル表示装置の折り曲げ方向に一致し、従って、貫通穴１１１によって電源線１１を折り曲げる際に生じた応力を効率よく分散させることができる。
より好ましくは、導電層１１０の２００μｍ〜５００μｍ幅ごとに１行の貫通穴１１１が設置され、１行又は複数行の貫通穴１１１が導電層１１０に均一に分布され、このため、一定数の貫通穴を確保し、電源線１１を折り曲げる際に生じた応力を効率よく分散させることができるだけでなく、導電層１１０の品質及び信頼性を確保することもできる。例えば、導電層１１０の線幅が５００μｍより小さい場合、導電層１１０に１行の貫通穴１１１を有し、導電層１１０の線幅が５００μｍ以上１０００μｍ未満である場合、導電層１１０に２行の貫通穴１１１を有し、導電層１１０の線幅が１０００μｍ以上１５００μｍ未満である場合、導電層１１０に３行の貫通穴１１１を有し、導電層１１０の線幅が１５００μｍ以上２０００μｍ未満である場合、導電層１１０に４行の貫通穴１１１を有する。更に、導電層１１０がより広い線幅（２０００μｍより大きい）を有する場合、導電層１１０により多数行の貫通穴１１１が設置されてもよい。導電層１１０の線幅及び貫通穴１１１の行数を合理的に選択及び整合することにより、電源線１１の耐折り曲げ性を向上させることができるだけでなく、電源線１１がより優れた導電性を有することもできる。本実施例の貫通穴１１１の数が７つであり、７つの貫通穴１１１が１行で配列されている。
より好ましくは、同一列の１つの貫通穴１１１の線幅方向における断面幅又は同一列の複数の貫通穴１１１の線幅方向における断面幅の和と導電層１１０の線幅との比率が１／２以下である。本願の実施例において、長方形の貫通穴１１１の短辺ａ１と導電層１１０の線幅ａ２との比率が１／２以下である。更に、同一行の隣接する２つの貫通穴１１１間の最小ピッチａ３と最長の側辺又は最長の側辺接続線との比率（ここでは長方形の貫通穴１１１の長辺ａ４）が１／２以上２以下である。従って、電源線１１の耐折り曲げ性を向上させることができるだけでなく、電源線１１に、より優れた導電性を持たせることもできる。
それに対応して、本実施例は更にフレキシブル表示装置の製造方法を提供し、当該方法は、フレキシブル基板を形成することと、電源線に要求される抵抗を決定することと、電源線に要求される抵抗に応じて、導電層の線幅及び貫通穴のデータを取得することと、導電層の線幅及び貫通穴のデータに基づいて、フレキシブル基板に電源線を形成することと、を含む。フレキシブル基板に電源線を形成することは、まず特定の線幅の導線層（つまり電源線に要求される抵抗に応じて取得された導電層の線幅）を形成し、次に導電層に穿孔する（つまり電源線に要求される抵抗に応じて取得された貫通穴のデータ、例えば貫通穴の形状、大きさ、行数及び数等に基づいて導電層に穿孔する）ことを含んでもよい。
[実施例２]
図２は本発明の実施例２のフレキシブル表示装置の構造模式図である。図２に示すように、フレキシブル表示装置はフレキシブル基板２０及びフレキシブル基板２０に形成される電源線２１を含み、電源線２１は導電層２１０を含み、導電層２１０に貫通穴２１１を有する。貫通穴２１１によって電源線２１を折り曲げる際に生じた応力を分散させることができるため、フレキシブル表示装置を曲げ又は折り畳む際に電源線にクラック又は割れが発生することを避け、電源線の折り曲げ時の品質及び信頼性を向上させる。
本願の実施例において、導電層２１０の材料はアルミニウム金属、銅金属等の金属材料であってもよく、複数種の金属材料を複合してなる複合金属層であってもよく、更に酸化インジウムスズ等の透明材質の導電層であってもよい。導電層２１０の材料が導電性を有すればよい。
好ましくは、貫通穴２１１のすべての側辺のうち最長の側辺、又は貫通穴２１１の側辺の２点を接続するすべての側辺接続線のうち最長の側辺接続線が電源線２１の折り曲げ方向に一致する。図２に示すように、本願の実施例において、貫通穴２１１の形状が楕円形である。更に、楕円形の貫通穴の長軸（つまり最長の側辺接続線）が電源線２１の折り曲げ方向に一致し、つまり、楕円形の貫通穴の長軸がフレキシブル表示装置の折り曲げ方向に一致し、従って、貫通穴２１１によって電源線２１を折り曲げる際に生じた応力を効率よく分散させることができる。
より好ましくは、導電層２１０の２００μｍ−５００μｍ幅ごとに１行の貫通穴２１１が設置され、１行又は複数行の貫通穴２１１が導電層２１０に均一に分布され、このため、一定数の貫通穴を確保し、電源線２１を折り曲げる際に生じた応力を効率よく分散させることができるだけでなく、導電層２１０の品質及び信頼性を確保することもできる。本願の実施例において、貫通穴２１１の数が１４個であり、１４個の貫通穴２１１が複数行に配列（具体的には２行で配列）されており、且つ複数行が位置を揃えて配列されている。
より好ましくは、同一列の１つの貫通穴２１１の線幅方向における断面幅又は同一列の複数の貫通穴２１１の線幅方向における断面幅の和と導電層２１０の線幅との比率が１／２以下である。本願の実施例において、同一列の２つの楕円形の貫通穴２１１の短軸ｂ１の和２＊ｂ１（つまり同一列の複数の貫通穴２１１の線幅方向における最大断面幅の和）と導電層２１０の線幅ｂ２との比率が１／２以下である。更に、同一行の隣接する２つの貫通穴２１１間の最小ピッチｂ３と最長の側辺又は最長の側辺接続線との比率（ここでは楕円形の貫通穴２１１の長軸ｂ４）が１／２以上２以下である。従って、電源線２１の耐折り曲げ性を向上させることができるだけでなく、電源線２１に、より優れた導電性を持たせることもできる。
それに対応して、本実施例は更にフレキシブル表示装置の製造方法を提供し、当該方法は、フレキシブル基板を形成することと、電源線に要求される抵抗を決定することと、電源線に要求される抵抗に応じて、導電層の線幅及び貫通穴のデータを取得することと、導電層の線幅及び貫通穴のデータに基づいて、フレキシブル基板に電源線を形成することと、を含む。フレキシブル基板に電源線を形成することは、まず特定線幅の導線層（つまり電源線に要求される抵抗に応じて取得された導電層の線幅）を形成し、次に導電層に穿孔する（つまり電源線に要求される抵抗に応じて取得された貫通穴のデータ、例えば貫通穴の形状、大きさ、行数及び数等に基づいて導電層に穿孔する）ことを含んでもよい。
[実施例３]
図３は本発明の実施例３のフレキシブル表示装置の構造模式図である。図３に示すように、フレキシブル表示装置はフレキシブル基板３０及びフレキシブル基板３０に形成される電源線３１を含み、電源線３１は導電層３１０を含み、導電層３１０に貫通穴３１１を有する。貫通穴３１１によって電源線３１を折り曲げる際に生じた応力を分散させることができ、それによりフレキシブル表示装置を曲げ又は折り畳む際に電源線にクラック又は割れが発生することを避け、電源線の折り曲げ時の品質及び信頼性を向上させる。
本願の実施例において、導電層３１０の材料がアルミニウム金属、銅金属等の金属材料であってもよく、複数種の金属材料を複合してなる複合金属層であってもよく、更に酸化インジウムスズ等の透明材質の導電層であってもよい。導電層３１０の材料が導電性を有すればよい。
好ましくは、貫通穴３１１のすべての側辺のうち最長の側辺、又は貫通穴３１１の側辺の２点を接続するすべての側辺接続線のうち最長の側辺接続線が電源線３１の折り曲げ方向に一致する。図３に示すように、本願の実施例において、貫通穴３１１の形状が楕円形である。更に、楕円形の貫通穴の長軸（つまり最長の側辺接続線）が電源線３１の折り曲げ方向に一致し、つまり楕円形の貫通穴の長軸がフレキシブル表示装置の折り曲げ方向に一致し、従って、貫通穴３１１によって電源線３１を折り曲げる際に生じた応力を効率よく分散させることができる。
より好ましくは、導電層３１０の２００μｍ−５００μｍ幅ごとに１行の貫通穴３１１が設置され、１行又は複数行の貫通穴３１１が導電層３１０に均一に分布され、このため、一定数の貫通穴を確保し、電源線３１を折り曲げる際に生じた応力を効率よく分散させることができるだけでなく、導電層３１０の品質及び信頼性を確保することもできる。本願の実施例において、貫通穴３１１の数が１２個であり、１２個の貫通穴３１１が複数行に配列（具体的に２行で配列）されており、且つ複数行に千鳥配列されている。
より好ましくは、同一列の１つの貫通穴３１１の線幅方向における断面幅又は同一列の複数の貫通穴３１１の線幅方向における断面幅の和と導電層３１０の線幅との比率が１／２以下である。本願の実施例において、同一列に１つのみの貫通穴３１１がある場合、１つの貫通穴３１１の線幅方向における断面幅（ここで楕円形の貫通穴３１１の短軸ｃ１）と導電層３１０の線幅ｃ２との比率が１／２以下であり、又は、同一列に２つの貫通穴３１１がある場合、２つの貫通穴３１１の線幅方向における断面幅の和（ここで断面幅ｃ５と断面幅ｃ６との和）と導電層３１０の線幅ｃ２との比率が１／２以下である。更に、同一行の隣接する２つの貫通穴３１１間の最小ピッチｃ３と最長の側辺又は最長の側辺接続線との比率（ここで楕円形の貫通穴３１１の長軸ｃ４）が１／２以上２以下である。従って、電源線３１の耐折り曲げ性を向上させることができるだけでなく、電源線３１に、より優れた導電性を持たせることもできる。
それに対応して、本実施例は更にフレキシブル表示装置の製造方法を提供し、当該方法は、フレキシブル基板を形成することと、電源線に要求される抵抗を決定することと、電源線に要求される抵抗に応じて、導電層の線幅及び貫通穴のデータを取得することと、導電層の線幅及び貫通穴のデータに基づいて、フレキシブル基板に電源線を形成することと、を含む。フレキシブル基板に電源線を形成することは、まず特定線幅の導線層（つまり電源線に要求される抵抗に応じて取得された導電層の線幅）を形成し、次に導電層に穿孔する（つまり電源線に要求される抵抗に応じて取得された貫通穴のデータ、例えば貫通穴の形状、大きさ、行数及び数等に基づいて導電層に穿孔する）ことを含んでもよい。
[実施例４]
図４は本発明の実施例４のフレキシブル表示装置の構造模式図である。図４に示すように、フレキシブル表示装置はフレキシブル基板４０及びフレキシブル基板４０に形成される電源線４１を含み、電源線４１は導電層４１０を含み、導電層４１０に貫通穴４１１を有する。貫通穴４１１によって電源線４１を折り曲げる際に生じた応力を分散させることができ、それによりフレキシブル表示装置を曲げ又は折り畳む際に電源線にクラック又は割れが発生することを避け、電源線の折り曲げ時の品質及び信頼性を向上させる。
本願の実施例において、導電層４１０の材料がアルミニウム金属、銅金属等の金属材料であってもよく、複数種の金属材料を複合してなる複合金属層であってもよく、更に酸化インジウムスズ等の透明材質の導電層であってもよい。導電層４１０の材料が導電性を有すればよい。
好ましくは、貫通穴４１１のすべての側辺のうち最長の側辺、又は貫通穴４１１の側辺の２点を接続するすべての側辺接続線のうち最長の側辺接続線が電源線４１の折り曲げ方向に一致する。図４に示すように、本願の実施例において、貫通穴４１１の形状が菱形である。更に、菱形の貫通穴の長対角線（つまり最長の側辺接続線）が電源線４１の折り曲げ方向に一致し、つまり菱形の貫通穴の長対角線がフレキシブル表示装置の折り曲げ方向に一致し、従って、貫通穴４１１によって電源線４１を折り曲げる際に生じた応力を効率よく分散させることができる。
より好ましくは、導電層４１０の２００μｍ−５００μｍ幅ごとに１行の貫通穴４１１が設置され、１行又は複数行の貫通穴４１１が導電層４１０に均一に分布され、このため、一定数の貫通穴を確保し、電源線４１を折り曲げる際に生じた応力を効率よく分散させることができるだけでなく、導電層４１０の品質及び信頼性を確保することもできる。ここで、貫通穴４１１の数が１つであり、１つの貫通穴４１１が導電層４１０の中間位置に位置する。更に、同一列の１つの貫通穴４１１の線幅方向における断面幅又は同一列の複数の貫通穴４１１の線幅方向における断面幅の和と導電層４１０の線幅との比率は１／２以下である。本願の実施例において、菱形の貫通穴４１１の短対角線ｄ１と導電層４１０の線幅ｄ２との比率は１／２以下である。従って、電源線４１の耐折り曲げ性を向上させることができるだけでなく、電源線４１に、より優れた導電性を持たせることもできる。
それに対応して、本実施例は更にフレキシブル表示装置の製造方法を提供し、当該方法は、フレキシブル基板を形成することと、電源線に要求される抵抗を決定することと、電源線に要求される抵抗に応じて、導電層の線幅及び貫通穴のデータを取得することと、導電層の線幅及び貫通穴のデータに基づいて、フレキシブル基板に電源線を形成することと、を含む。フレキシブル基板に電源線を形成することは、まず特定線幅の導線層（つまり電源線に要求される抵抗に応じて取得された導電層の線幅）を形成し、次に導電層に穿孔する（つまり電源線に要求される抵抗に応じて取得された貫通穴のデータ、例えば貫通穴の形状、大きさ、行数及び数等に基づいて導電層に穿孔する）ことを含んでもよい。
本発明に係るフレキシブル表示装置において、貫通穴が更にほかの形状、例えば円形、正方形、不規則な図形等であってもよく、より好ましくは、貫通穴の形状が規則的な形状であり、それにより電源線に要求される抵抗に応じて取得された貫通穴のデータ、例えば貫通穴の具体的な形状、大きさ、行数及び数等に基づいて製造することが容易になる。
本発明の実施例に係るフレキシブル表示装置の導電層における貫通穴がほかの形状の凹部領域（例えばメクラ穴、貫通穴及びメクラ穴が共存する領域）であってもよく、本発明は該凹部領域の具体的な形状を制限しないと理解すべきである。
本発明の一実施例において、フレキシブル表示装置は薄膜トランジスタ構造を用い、導電層がフレキシブル表示装置のソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、陰極又は陽極に電気的に接続され、又は導電層がフレキシブル表示装置のソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、陰極又は陽極を構成する。以上から分かるように、本発明の実施例に係る導電層に折り曲げ応力を分散できる凹部領域が設けられるため、該導電層がフレキシブル表示装置の異なる導電部を構成する場合、これらの異なる導電部の耐折り曲げ性能が向上する。ただし、本発明は該導電層がフレキシブル表示装置のどの部分を構成するかを制限しない。
本発明に記載のいずれか１つの実施例に係るフレキシブル表示装置の導電層の凹部領域（例えば貫通穴又はメクラ穴）内にいずれも有機材料が充填されてもよく、それによりフレキシブル表示装置の折り曲げ応力の緩和に役立つと理解すべきである。
本発明の一実施例において、少なくとも１つの凹部領域で構成された形状の、フレキシブル基板に平行な平面又はフレキシブル基板に垂直な平面への投影は、矩形、三角形、台形、菱形、円形、楕円形、正弦波状、ツイスト状及び鋸歯状のうちの１つ又は複数の組み合わせを含む。本発明の実施例は凹部領域を複数の異なる形状に設置することにより、導電層の応力を十分に分散させる作用を実現することができ、それにより本発明の実施例に係るフレキシブル表示装置の応力を更に分散させる。
[実施例５]
図５は本発明の実施例５のフレキシブル表示装置の構造模式図である。図５に示すように、本発明の実施例５に係るフレキシブル表示装置は順に上から下まで（図５に示す上から下まで）積層配列された導電層４、絶縁層２及びフレキシブル基板３を含み、上から下まで積層配列された導電層４、絶縁層２及びフレキシブル基板３が延在方向に沿って折り曲げ領域Ｎ２及び非折り曲げ領域Ｎ１に区画され、折り曲げ領域Ｎ２の導電層４の厚さが非折り曲げ領域Ｎ１の導電層４の厚さより厚く、つまり折り曲げ領域Ｎ２の導電層４の下縁（下縁が図５に示す積層設置方向における下縁である）及び非折り曲げ領域Ｎ１の導電層４の下縁（下縁が図５に示す積層設置方向における下縁である）が同一水平線に位置し（つまり共線する）、折り曲げ領域Ｎ２の導電層４の上縁（上縁が図５に示す積層設置方向における上縁である）が水平方向に沿って非折り曲げ領域Ｎ１の導電層４の上縁（上縁が図５に示す積層設置方向における上縁である）より低い。
ただし、本発明の実施例に言及される延在方向とは水平方向、つまり図５に示す左右方向を意味し、非延在方向とは垂直方向、つまり図５に示す上下方向を意味する。
本発明の実施例に係るフレキシブル表示装置は絶縁層２を含まなくてもよいと理解すべきである。
本発明の実施例の理論的根拠は以下のとおりである。
改良前の導電層の抵抗は、
Ｒ１＝ρＬ／Ｓ１ （１）
である。
式（１）では、Ｓ１＝Ｗ＊ｈ１、Ｗが導電層の幅を示し、Ｌが導電層の長さを示し、ｈ１が導電層の厚さを示し、Ｓ１が導電層の横断面面積を示し、ρが導電層の密度値を示し、Ｒ１が導電層の抵抗を示す。
改良後の導電層の抵抗は、
Figure 2019533832
 である。
式（２）では、横断面面積Ｓ１＝Ｗ＊ｈ１、Ｓ２＝Ｗ＊（ｈ１＋ｈ２）、Ｓ１＝Ｓ３、Ｓ１＜Ｓ２、Ｌ１が折り曲げ領域の導電層の長さを示し、Ｌ２及びＬ３が厚さ増加後の非折り曲げ領域の導電層の長さを示し、Ｌ１＋Ｌ２＋Ｌ３＝Ｌ、Ｓ１が対応する折り曲げ領域の導電層の横断面面積を示し、Ｓ２及びＳ３が対応する厚さ増加後の非折り曲げ領域の導電層の横断面面積を示す。
改良前後の抵抗の大きさの差は、
Figure 2019533832
 である。
式（３）では、Ｌ−Ｌ１＞０、（１／Ｓ１）−（１／Ｓ２）＞０、従って、Ｒ１＞Ｒ１’であることが得られる。
要するに、上記分析から分かるように、厚さを増加した後、導電層の抵抗が効果的に減少する。
本発明の実施例５に係るフレキシブル表示装置は、フレキシブル表示装置を延在方向に沿って折り曲げ領域及び非折り曲げ領域に区画して、折り曲げ領域の導電層の厚さを非折り曲げ領域の導電層の厚さより大きくするように設定することで、フレキシブル表示装置の導電層の抵抗値を減少させるだけでなく、フレキシブル表示装置の折り曲げ領域の折り曲げ性能にも影響しない目的を実現し、フレキシブル表示装置を大画面の折り畳み可能なモバイル端末に応用するために、必要条件を提供する。
本発明の実施例１において、折り曲げ領域Ｎ２の導電層４の上縁（上縁が図５に示す積層設置方向における上縁である）及び非折り曲げ領域Ｎ１の導電層４の上縁（上縁が図５に示す積層設置方向における上縁である）が同一水平線に位置し（つまり共線で）、折り曲げ領域Ｎ２の導電層４の下縁（下縁が図５に示す積層設置方向における下縁である）が水平方向において非折り曲げ領域Ｎ１の導電層４の下縁（下縁が図５に示す積層設置方向における下縁である）より高く、それにより折り曲げ領域Ｎ２の導電層４の厚さを非折り曲げ領域Ｎ１の導電層４の厚さより厚くする目的を実現し、本発明の実施例に係るフレキシブル表示装置の適応性及び拡張性を十分に向上させてもよいと理解すべきである。
また、実際の状況に応じて、折り曲げ領域Ｎ２及び非折り曲げ領域Ｎ１の具体的な設置範囲及び設置位置を自由に設置してもよいが、本発明の実施例はここで制限しないことに注意すべきである。
好ましくは、本発明の実施例における導電層４を金属層として設置することにより、導電層４が導電作用を効率よく発揮することができる。
導電層４の材質を導電性プラスチック又は導電性ゴム等の材質として設置してもよいが、本発明がこれに制限されないことを理解すべきである。
[実施例６]
図６は本発明の実施例６のフレキシブル表示装置の構造模式図である。本発明の実施例５を基に、本発明の実施例６を実現し、本発明の実施例６は実施例５とほぼ同様であり、以下、主に相違点について説明し、同じ部分についてはさらに説明しない。図６に示すように、本発明の実施例６に係るフレキシブル表示装置の非折り曲げ領域Ｎ１の導電層４の上縁（上縁が図６に示す積層設置方向における上縁である）が延在方向（つまり水平方向）に沿って折り曲げ領域Ｎ２の導電層４の上縁（上縁が図６に示す積層設置方向における上縁である）より高く、且つ非折り曲げ領域Ｎ１の導電層４の下縁（下縁が図６に示す積層設置方向における下縁である）が延在方向（つまり水平方向）に沿って折り曲げ領域Ｎ２の導電層４の下縁（下縁が図６に示す積層設置方向における下縁である）より低い。
本発明の実施例６に係るフレキシブル表示装置は非折り曲げ領域Ｎ１の導電層４の上縁を延在方向（つまり水平方向）に沿って折り曲げ領域Ｎ２の導電層４の上縁より高くするように設置し、非折り曲げ領域Ｎ１の導電層４の下縁を延在方向（つまり水平方向）に沿って折り曲げ領域Ｎ２の導電層４の下縁より低くするように設置し、つまり非折り曲げ領域Ｎ１の導電層４の非延在方向（つまり垂直方向）の両端からそれぞれ非折り曲げ領域Ｎ１の導電層４の厚さを増加させることで、フレキシブル表示装置の導電層４の抵抗値を減少させるだけでなく、フレキシブル表示装置の折り曲げ領域Ｎ２の折り曲げ性能にも影響しない目的を効率よく実現する。
本発明に記載の実施例に説明されたフレキシブル表示装置の非折り曲げ領域Ｎ１の導電層４の上縁及び／又は下縁と、対応する折り曲げ領域Ｎ２の導電層４の上縁及び／又は下縁とが同一水平線に位置する場合、非折り曲げ領域Ｎ１の導電層４の上縁及び／又は下縁と、対応する折り曲げ領域Ｎ２の導電層４の上縁及び／又は下縁とが共線すればよく、水平線に位置するように強制的に要求されることではないと理解すべきである。
本発明の一実施例において、折り曲げ領域Ｎ２の導電層４の上縁及び／又は下縁（上縁及び下縁が図６に示す積層設置方向における上縁及び下縁である）が鋸歯状又は波状等の形状であり、それにより本発明の実施例に係るフレキシブル表示装置の拡張性及び適応性を十分に向上させる。
[実施例７及び実施例８]
図７ａは本発明の実施例７のフレキシブル表示装置の薄膜トランジスタ構造の構造模式図である。図７ｂは本発明の実施例７のフレキシブル表示装置の薄膜トランジスタ構造のゲート電極の投影模式図である。図７ａに示すように、薄膜トランジスタ構造のゲート電極１は薄膜トランジスタ構造のチャネル層７２の上方に設置されるトップゲート７１及びチャネル層７２の下方に設置されるボトムゲート７３を含んでもよい。トップゲート７１に少なくとも１つの貫通穴７１１が設置される。図７ｂに示すように、トップゲート７１における貫通穴７１１のチャネル層７２に平行する平面８２での投影８１１が、ボトムゲート７３の平面８２への投影８３にカバーされる。
ゲート電極１はチャネル層７２の両側に設置されるボトムゲート７３及びトップゲート７１を含むように設計され、トップゲート７１に少なくとも１つの貫通穴７１１が設置され、且つトップゲート７１がボトムゲート７３とともに相補的構造を形成する。トップゲート７１における貫通穴によってゲート電極１を折り曲げ又は変形する際に生じた応力集中を分散させ、ゲート電極１の耐折り曲げ性能を強化し、薄膜トランジスタ構造の折り曲げ又は割れによる故障を効果的に防止することができる。同時に、トップゲート７１及びボトムゲート７３が相補的構造を形成するため、トップゲート７１に貫通穴７１１を有するものの、トップゲート７１の貫通穴７１１に対応するチャネル層領域が該チャネル層領域の下方に設置されるボトムゲート７３にカバーされ、チャネル層７２に依然として連続した導電チャネルを形成することができる。このため、トップゲート７１及びボトムゲート７３が相補的に設置されるゲート電極１を用いると、薄膜トランジスタ構造の特性パラメータ（例えば、薄膜トランジスタ構造の縦横比）に影響を与えることがない。
図８ａは本発明の実施例８のフレキシブル表示装置の薄膜トランジスタ構造の構造模式図である。図８ｂは本発明の実施例８のフレキシブル表示装置の薄膜トランジスタ構造のゲート電極の投影模式図である。図８ａ及び図８ｂに示すように、薄膜トランジスタ構造のゲート電極１は薄膜トランジスタ構造のチャネル層７２の上方に設置されるトップゲート７１及びチャネル層７２の下方に設置されるボトムゲート７３を含んでもよい。ボトムゲート７３に少なくとも１つの貫通穴７１１が設置される。図８ｂに示すように、ボトムゲート７３における貫通穴７１１のチャネル層７２に平行する平面８２での投影８１１が、トップゲート７１のチャネル層７２に平行する平面８２での投影８１にカバーされる。
ただし、本発明の実施例に係るゲート電極１の構造はこれに限らず、ゲート電極１は、更にトップゲート７１及びボトムゲート７３にいずれも少なくとも１つの貫通穴７１１を設置して構成されてもよいと理解すべきである。トップゲート７１における貫通穴７１１のチャネル層７２に平行する平面８２への投影８１１が、ボトムゲート７３の平面８２への投影８３にカバーされ、且つボトムゲート７３における貫通穴７１１のチャネル層７２に平行する平面８２への投影８１１が、トップゲート７１の平面８２への投影８１にカバーさればよい。以下の実施例において、本発明は貫通穴７１１がトップゲート７１に設置される場合を例として説明したが、本発明の実施例では貫通穴７１１をトップゲート７１に設置するか、又はボトムゲート７３に設置するかについて、具体的に制限しない。
図７ａ及び図７ｂに示すように、一実施例において、トップゲート７１における貫通穴７１１のチャネル層７２に平行する平面８２への投影８１１の形状が、ボトムゲート７３のチャネル層７２に平行する平面８２への投影８３の形状と同じであってもよい。その時、トップゲート７１のチャネル層７２に平行する平面８２への投影８１１と、ボトムゲート７３のチャネル層７２に平行する平面８２への投影８３とが重なる領域は最も小さい。このため、薄膜トランジスタ構造の特性をある程度向上させることができる。ただし、プロセス上のバラツキ及び層間のずれがある場合を考慮して、トップゲート７１のチャネル層７２に平行する平面８２への投影８１１と、ボトムゲート７３のチャネル層７２に平行する平面８２への投影８３とが重なる領域を有することを許容すると理解すべきである。
さらなる実施例において、図８ａに示すように、ボトムゲート絶縁層７３１は更に切り抜き領域又は少なくとも１つの開穴部を含んでもよく、該切り抜き領域又は少なくとも１つの開穴部には、ボトムゲート絶縁層７３１の上方のチャネル層７２の平坦度が確保されるように、有機材料７３２が充填されてもよい。同時に、該少なくとも１つの開穴部に耐折り曲げ性能がより優れた有機材料７３２を充填することも、折り曲げ応力の緩和により役立つ。ただし、トップゲート絶縁層７１２も切り抜き領域又は少なくとも１つの開穴部を含んでもよく、該切り抜き領域又は少なくとも１つの開穴部に有機材料７３２が充填されてもよいと理解すべきである。図８ａに示す実施例において、ボトムゲート絶縁層７３１の切り抜き領域の形状はボトムゲート７３と相補的であるが、本発明の実施例に係るトップゲート絶縁層７１２／ボトムゲート絶縁層７３１の切り抜き領域の形状又は開穴部の位置は図７ａに示す構成に限らず、本発明の実施例では、トップゲート絶縁層７１２／ボトムゲート絶縁層７３１の切り抜き領域の形状並びに開穴部の位置及び数について、具体的に制限しないと理解すべきである。
図７ｂにはトップゲート７１の貫通穴７１１の数が１つであることを示すが、本発明の実施例に係るトップゲート７１の貫通穴７１１は複数であってもよい。トップゲート７１に複数の貫通穴７１１が設置される場合、複数の貫通穴７１１は１行又は複数行に配列されてもよく、本発明の実施例では貫通穴７１１の数及び具体的な配列方式について制限しない。
以上から分かるように、本発明の実施例７及び実施例８は、フレキシブル表示装置における薄膜トランジスタ構造のゲート電極に凹部領域を設置することにより、従来の薄膜トランジスタ構造の折り曲げ・変形時、応力の集中に起因して表示が故障するという問題を解決する。
[実施例９]
図９は本発明の実施例９のフレキシブル表示装置の薄膜トランジスタ構造のゲート電極の製造フローチャートである。図９に示すように、本発明の実施例９は薄膜トランジスタ構造のゲート電極の製造方法を提供し、該ゲート電極１の製造方法は、次のようなステップを含むことができる。
Ｓ１１：ボトムゲート７３を製造する。ボトムゲート７３を製造するとき、ボトムゲート７３に少なくとも１つの貫通穴７１１を製造する必要があり、貫通穴７１１のチャネル層７２に平行する平面８２への投影は、以降に製造されたトップゲート７１の平面８２への投影にカバーされるべきである。ボトムゲート７３は１つの基板上に製造されてもよく、本発明では該基板の材質及び内部構造について制限しないと理解すべきである。
Ｓ１２：ボトムゲート７３の上方にボトムゲート絶縁層７３１及びチャネル層７２を順に製造する。ボトムゲート絶縁層７３１は、ボトムゲート７３とチャネル層７２間の絶縁を形成するために用いられる。
Ｓ１３：チャネル層７２にトップゲート絶縁層７１２及びトップゲート７１を製造する。トップゲート７１を製造するとき、トップゲート７１に少なくとも１つの貫通穴７１１を製造してもよく、貫通穴７１１の平面８２への投影は、ボトムゲート７３のチャネル層７２に平行する平面８２への投影にカバーされるべきである。
本実施例に係るゲート電極１の製造方法によって、ゲート電極１はチャネル層７２の両側に設置されるボトムゲート７３及びトップゲート７１を含み、トップゲート７１及び／又はボトムゲート７３に少なくとも１つの貫通穴７１１が設置され、トップゲート７１とボトムゲート７３とが相補的構造を形成する。このように、ゲート電極１の耐折り曲げ性能を強化するとともに、薄膜トランジスタ構造の電気特性を確保することができる。
[実施例１０]
図１０は本発明の実施例１０のフレキシブル表示装置の折り曲げ性能試験データの折れ線グラフである。本発明の実施例１０では、折り曲げ性能試験を行う際に用いた電源線が５００μｍ幅の金属線であり、その導電層は保護層に被覆されていない（つまりテスト部分が電源線の非ＡＡ領域、非表示領域である）。図１０に示すように、図１０における座標の横軸が電源線の貫通穴の穴径を示し、座標の縦軸が電源線の耐折り曲げ回数を示す。本発明の実施例の折り曲げ性能試験において、保護層なしの電源線の貫通穴の異なる穴径における耐折り曲げ回数を複数回テストすることにより、図１０に示す折り曲げ性能試験データの折れ線グラフを形成した。
図１０を分析することにより、電源線の貫通穴の穴径が４０μｍである場合、電源線の耐折り曲げ回数が、貫通穴の穴径が０μｍの時の耐折り曲げ回数にほぼ等しく、且つ電源線の貫通穴の穴径が４０μｍより大きくなった後、電源線の耐折り曲げ回数が直線的に上昇する傾向があり、電源線の貫通穴の穴径が５０μｍである場合、電源線の耐折り曲げ回数が貫通穴の穴径が０μｍの時の耐折り曲げ回数より大幅に多いことが分かる。
また、電源線の貫通穴の穴径が４０μｍより小さい場合、貫通穴の穴径が小さすぎるため、貫通穴自体がクラックの開始点として広がって割れるおそれがあり、本発明の実施例に係るフレキシブル表示装置の安定性を低下させるため、電源線の貫通穴の穴径が４０μｍより小さい場合、フレキシブル表示装置の耐折り曲げ性能が悪い。
電源線の幅ｗ＝５００μｍであるため、図１０を分析することにより、ａ＝４０μｍである時、ａ／ｗ＝０．０８になり、ａ＝５０μｍである時、ａ／ｗ＝０．１になることが分かる。
以上から分かるように、保護層領域で被覆されていない電源線のａ／ｗ値が０．０８より大きいと、電源線に貫通穴を開設することで、保護層なしの電源線の耐折り曲げ回数を向上させる目的を実現することができる。
好ましくは、保護層領域で被覆されていない電源線のａ／ｗ値を０．１より大きくすることにより、保護層なしの電源線の耐折り曲げ回数を著しく向上させることができる。
例えば、本発明の一実施例において、電源線の幅ｗ＝１０μｍとし、電源線が他の如何なる層（例えば有機層等）にも被覆されていない場合、電源線における貫通穴の穴径が０．８μｍよりも大きく、好ましくは、貫通穴の穴径が１μｍよりも大きい。
本発明の実施例１０に説明されたフレキシブル表示装置において、電源線に開設された貫通穴は、いずれもメクラ穴に置き換えて、貫通穴の製造によるフレキシブル表示装置の他の構造の特性への影響を避けるようにしてもよいことを理解できるであろう。つまり、本発明の実施例に係るフレキシブル表示装置では、貫通穴又はメクラ穴のみであってもよいし、貫通穴及びメクラ穴が共存してもよい。
本発明の実施例１０において、貫通穴又はメクラ穴が矩形穴、三角形穴、台形穴、菱形穴、円形穴、楕円形穴又は不規則な穴等であってもよく、貫通穴又はメクラ穴が正方形穴又は円形穴である場合、穴径ａが辺長又は直径であり、貫通穴又はメクラ穴が不規則な穴である場合、穴径ａが不規則な穴のすべての側辺のうち最短の側辺、又は側辺の２点を接続するすべての側辺接続線のうち最短の側辺の長さであると理解すべきである。
本発明の実施例１０はフレキシブル表示装置における保護層で被覆されていない領域の金属線に貫通穴及び／又はメクラ穴を開設し、貫通穴及び／又はメクラ穴の穴径と金属線の幅との比率を制限することで、保護層で被覆されていない領域の金属線の耐折り曲げ回数を向上させる。
[実施例１１]
図１１は本発明の実施例１１のフレキシブル表示装置の折り曲げ性能試験データの折れ線グラフである。本発明の実施例１１は折り曲げ性能試験を行う際に用いた電源線が５００μｍ幅の金属線であり、その導電層が保護層に被覆されている（つまりテスト部分が電源線のＡＡ領域、表示領域である）。図１１に示すように、図１１における座標の横軸が電源線の貫通穴の穴径を示し、座標の縦軸が電源線の耐折り曲げ回数を示す。本発明の実施例の折り曲げ性能試験において、保護層付きの電源線の貫通穴の異なる穴径における耐折り曲げ回数を複数回テストすることにより、図１１に示す折り曲げ性能試験データの折れ線グラフを形成した。
図１１を分析することにより、電源線の貫通穴の穴径が５０μｍである場合、電源線の耐折り曲げ回数が、貫通穴の穴径が０μｍの時の耐折り曲げ回数にほぼ等しく、且つ電源線の貫通穴の穴径が５０μｍより小さい場合、電源線の耐折り曲げ回数はいずれも、貫通穴の穴径が０μｍの時の耐折り曲げ回数より多く、電源線の貫通穴の穴径が５μｍ−３５μｍの範囲である場合、電源線の耐折り曲げ回数が、貫通穴の穴径が０μｍの時の耐折り曲げ回数より大幅に多いことが分かる。
電源線の幅ｗ＝５００μｍであるため、図１１を分析することにより、ａ＝５０μｍである時、ａ／ｗ＝０．１になり、ａ＝５μｍである時、ａ／ｗ＝０．０１になり、ａ＝２０μｍである時、ａ／ｗ＝０．０４になり、ａ＝３５μｍである時、ａ／ｗ＝０．０７になることが分かる。
以上から分かるように、保護層領域で被覆されている電源線のａ／ｗ値が０．１より小さいと、電源線に貫通穴を開設することで、保護層付きの電源線の耐折り曲げ回数を向上させる目的を実現することができる。
好ましくは、保護層領域で被覆されている電源線のａ／ｗ値を０．０１−０．０７の範囲とすることにより、保護層付きの電源線の耐折り曲げ回数を著しく向上させることができる。
好ましくは、保護層領域で被覆されている電源線のａ／ｗ値を０．０１−０．０４の範囲とすることにより、保護層付きの電源線の耐折り曲げ回数を５００％向上させる。
例えば、本発明の一実施例において、電源線の幅ｗ＝４００μｍとし、電源線にｐｉｌｌａｒ層（つまり保護層）が塗布され、電源線の貫通穴の穴径が４０μｍよりも小さい場合、電源線に貫通穴を開設することで、保護層付きの電源線の耐折り曲げ回数を向上させる目的を実現することができる。
好ましくは、本発明の一実施例において、電源線の幅ｗ＝４００μｍとし、電源線にｐｉｌｌａｒ層（つまり保護層）が塗布され、貫通穴の穴径の値を４μｍ−１６μｍの範囲とすることにより、保護層付きの電源線の耐折り曲げ回数を５００％向上させる。
本発明の実施例１１に説明されたフレキシブル表示装置において、電源線に開設された貫通穴をいずれもメクラ穴に置き換えることで、貫通穴の製造によるフレキシブル表示装置の他の構造の特性への影響を避けるようにしてもよいことを理解できるであろう。つまり、本発明の実施例に係るフレキシブル表示装置では、貫通穴又はメクラ穴のみであってもよいし、貫通穴及びメクラ穴が共存してもよい。
本発明の実施例１１において、貫通穴又はメクラ穴が矩形穴、三角形穴、台形穴、菱形穴、円形穴、楕円形穴又は不規則な穴等であってもよく、貫通穴又はメクラ穴が正方形穴又は円形穴である場合、穴径ａが辺長又は直径であり、貫通穴又はメクラ穴が不規則な穴である場合、穴径ａが不規則な穴のすべての側辺のうち最長の側辺、又は側辺の２点を接続するすべての側辺接続線のうち最長の側辺の長さであると理解すべきである。
本発明の実施例１１はフレキシブル表示装置における保護層で被覆されている領域の金属線に貫通穴及び／又はメクラ穴を開設し、貫通穴及び／又はメクラ穴の穴径と金属線の幅との比率を制限することで、保護層で被覆されている領域の金属線の耐折り曲げ回数を向上させる。
本発明の一実施例において、本発明に記載の実施例に係るフレキシブル導線（つまり電源線）を陰・陽極構造に応用することにより、陰・陽極構造の耐折り曲げ回数を向上させる。
以上は本発明の好適な実施例に過ぎず、本発明の保護範囲を制限するためのものではない。本発明の趣旨及び原則を逸脱せずに行ったいかなる修正、等価置換、改良等は、いずれも本発明の保護範囲内に含まれるべきである。
本発明の一実施例において、導電層及びフレキシブル基板が延在方向に沿って折り曲げ領域及び非折り曲げ領域に分けられ、少なくとも１つの凹部領域が導電層の折り曲げ領域に設置され、折り曲げ領域の導電層の厚さが非折り曲げ領域の導電層の厚さより小さい。
［実施例５］
図５は本発明の実施例５のフレキシブル表示装置の構造模式図である。図５に示すように、本発明の実施例５に係るフレキシブル表示装置は順に上から下まで（図５に示す上から下まで）積層配列された導電層４、絶縁層２及びフレキシブル基板３を含み、上から下まで積層配列された導電層４、絶縁層２及びフレキシブル基板３が延在方向に沿って折り曲げ領域Ｎ２及び非折り曲げ領域Ｎ１に区画され、折り曲げ領域Ｎ２の導電層４の厚さが非折り曲げ領域Ｎ１の導電層４の厚さより小さく、つまり折り曲げ領域Ｎ２の導電層４の下縁（下縁が図５に示す積層設置方向における下縁である）及び非折り曲げ領域Ｎ１の導電層４の下縁（下縁が図５に示す積層設置方向における下縁である）が同一水平線に位置し（つまり共線する）、折り曲げ領域Ｎ２の導電層４の上縁（上縁が図５に示す積層設置方向における上縁である）が水平方向に沿って非折り曲げ領域Ｎ１の導電層４の上縁（上縁が図５に示す積層設置方向における上縁である）より低い。
式（２）では、横断面面積Ｓ１＝Ｗ＊ｈ１、Ｓ２＝Ｗ＊（ｈ１＋ｈ２）、Ｓ２＝Ｓ３、Ｓ１＜Ｓ２、Ｌ１が折り曲げ領域の導電層の長さを示し、Ｌ２及びＬ３が厚さ増加後の非折り曲げ領域の導電層の長さを示し、Ｌ１＋Ｌ２＋Ｌ３＝Ｌ、Ｓ１が対応する折り曲げ領域の導電層の横断面面積を示し、Ｓ２及びＳ３が対応する厚さ増加後の非折り曲げ領域の導電層の横断面面積を示す。
本発明の実施例５に係るフレキシブル表示装置は、フレキシブル表示装置を延在方向に沿って折り曲げ領域及び非折り曲げ領域に区画して、折り曲げ領域の導電層の厚さを非折り曲げ領域の導電層の厚さより小さくするように設定することで、フレキシブル表示装置の導電層の抵抗値を減少させるだけでなく、フレキシブル表示装置の折り曲げ領域の折り曲げ性能にも影響しない目的を実現し、フレキシブル表示装置を大画面の折り畳み可能なモバイル端末に応用するために、必要条件を提供する。
本発明の実施例５において、折り曲げ領域Ｎ２の導電層４の上縁（上縁が図５に示す積層設置方向における上縁である）及び非折り曲げ領域Ｎ１の導電層４の上縁（上縁が図５に示す積層設置方向における上縁である）が同一水平線に位置し（つまり共線で）、折り曲げ領域Ｎ２の導電層４の下縁（下縁が図５に示す積層設置方向における下縁である）が水平方向において非折り曲げ領域Ｎ１の導電層４の下縁（下縁が図５に示す積層設置方向における下縁である）より高く、それにより折り曲げ領域Ｎ２の導電層４の厚さを非折り曲げ領域Ｎ１の導電層４の厚さより小さくする目的を実現し、本発明の実施例に係るフレキシブル表示装置の適応性及び拡張性を十分に向上させてもよいと理解すべきである。
本発明の実施例１０において、貫通穴又はメクラ穴が矩形穴、三角形穴、台形穴、菱形穴、円形穴、楕円形穴又は不規則な穴等であってもよく、貫通穴又はメクラ穴が正方形穴又は円形穴である場合、穴径ａが辺長又は直径であり、貫通穴又はメクラ穴が不規則な穴である場合、穴径ａが不規則な穴のすべての側辺のうち最長の側辺、又は側辺の２点を接続するすべての側辺接続線のうち最長の側辺接続線の長さであると理解すべきである。
本発明の実施例１１において、貫通穴又はメクラ穴が矩形穴、三角形穴、台形穴、菱形穴、円形穴、楕円形穴又は不規則な穴等であってもよく、貫通穴又はメクラ穴が正方形穴又は円形穴である場合、穴径ａが辺長又は直径であり、貫通穴又はメクラ穴が不規則な穴である場合、穴径ａが不規則な穴のすべての側辺のうち最長の側辺、又は側辺の２点を接続するすべての側辺接続線のうち最長の側辺接続線の長さであると理解すべきである。

Claims (15)

  1. フレキシブル基板と、前記フレキシブル基板に形成された導電層とを含み、前記導電層に少なくとも１つの凹部領域が設置されることを特徴とするフレキシブル表示装置。
  2. 前記導電層が前記フレキシブル基板における電源線を構成することを特徴とする請求項１に記載のフレキシブル表示装置。
  3. 前記凹部領域のすべての側辺のうち最長の側辺、又は前記凹部領域の側辺の２点を接続するすべての側辺接続線のうち最長の側辺接続線が、前記フレキシブル表示装置の折り曲げ方向に一致することを特徴とする請求項１に記載のフレキシブル表示装置。
  4. 前記凹部領域は貫通穴及び／又はメクラ穴を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のフレキシブル表示装置。
  5. 前記導電層及び前記フレキシブル基板が延在方向に沿って折り曲げ領域及び非折り曲げ領域に分けられ、前記少なくとも１つの凹部領域が前記導電層の折り曲げ領域に設置され、
    前記折り曲げ領域の前記導電層の厚さが前記非折り曲げ領域の前記導電層の厚さより厚いことを特徴とする請求項１に記載のフレキシブル表示装置。
  6. 前記フレキシブル表示装置が薄膜トランジスタ構造を用い、前記導電層が前記フレキシブル表示装置のソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、陰極又は陽極に電気的に接続されるか、又は、前記導電層が前記フレキシブル表示装置のソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、陰極又は陽極を構成することを特徴とする請求項１に記載のフレキシブル表示装置。
  7. 前記導電層の前記少なくとも１つの凹部領域に有機材料が充填されることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブル表示装置。
  8. 前記少なくとも１つの凹部領域が前記フレキシブル表示装置の折り曲げ線方向に沿って１行又は複数行に設置されていることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブル表示装置。
  9. 複数行に設置されている前記凹部領域が位置を揃えて配列されるか、又は千鳥配列されていることを特徴とする請求項８に記載のフレキシブル表示装置。
  10. 同一列の１つの凹部領域の線幅方向における断面幅又は同一列の複数の凹部領域の線幅方向における断面幅の和と前記導電層の線幅との比率が１／２以下であることを特徴とする請求項９に記載のフレキシブル表示装置。
  11. 同一行の隣接する２つの凹部領域間の最小ピッチと前記フレキシブル表示装置の折り曲げ方向に一致する側辺又は側辺接続線との比率が１／２以上２以下であることを特徴とする請求項９に記載のフレキシブル表示装置。
  12. 前記少なくとも１つの凹部領域で構成される形状の、前記フレキシブル基板に平行な平面又は前記フレキシブル基板に垂直な平面への投影は、矩形、三角形、台形、菱形、円形、楕円形、正弦波状、ツイスト状及び鋸歯状のうちの１つ又は複数の組み合わせを含むことを特徴とする請求項１に記載のフレキシブル表示装置。
  13. 前記導電層に設置される保護層を含み、前記保護層に被覆される前記導電層の前記凹部領域の穴径と前記導電層の幅との比率が０．１より小さいことを特徴とする請求項１に記載のフレキシブル表示装置。
  14. 前記導電層に設置される保護層を含み、前記保護層に被覆されていない前記導電層の前記凹部領域の穴径と前記導電層の幅との比率が０．０８より大きいことを特徴とする請求項１に記載のフレキシブル表示装置。
  15. フレキシブル基板を形成することと、
    電源線に要求される抵抗を決定することと、
    電源線に要求される抵抗に応じて、導電層の線幅及び凹部領域のデータを取得することと、
    導電層の線幅及び凹部領域のデータに基づいて、フレキシブル基板に電源線を形成することと、を含むことを特徴とする請求項２のフレキシブル表示装置の製造方法。
JP2019520113A 2016-12-27 2017-12-18 フレキシブル表示装置及びその製造方法 Active JP7312104B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611229509 2016-12-27
CN201611229509.9 2016-12-27
CN201710774762.0A CN108257971B (zh) 2016-12-27 2017-08-31 柔性显示装置及其制造方法
CN201710774762.0 2017-08-31
PCT/CN2017/116916 WO2018121322A1 (zh) 2016-12-27 2017-12-18 柔性显示装置及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019533832A true JP2019533832A (ja) 2019-11-21
JP7312104B2 JP7312104B2 (ja) 2023-07-20

Family

ID=62722301

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019520113A Active JP7312104B2 (ja) 2016-12-27 2017-12-18 フレキシブル表示装置及びその製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20190237490A1 (ja)
EP (1) EP3564998A4 (ja)
JP (1) JP7312104B2 (ja)
KR (1) KR20190045353A (ja)
CN (1) CN108257971B (ja)
TW (1) TWI656813B (ja)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102381286B1 (ko) * 2017-05-18 2022-03-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109427910B (zh) * 2017-08-31 2021-11-23 昆山国显光电有限公司 薄膜晶体管器件及其制作方法
CN108281571B (zh) * 2018-03-30 2024-03-12 京东方科技集团股份有限公司 电极排气结构、电极、显示面板和显示装置
US20190363109A1 (en) * 2018-05-28 2019-11-28 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate, preparation method thereof, and display device
CN109461761A (zh) * 2018-09-30 2019-03-12 云谷（固安）科技有限公司 柔性显示面板及装置
CN109859625A (zh) * 2018-11-06 2019-06-07 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性显示面板及显示装置
CN109637369A (zh) 2019-01-08 2019-04-16 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
CN109817704B (zh) * 2019-02-19 2023-03-28 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管及其制作方法、柔性基板和显示装置
US11165030B2 (en) 2019-05-31 2021-11-02 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and display device
CN110189636B (zh) * 2019-05-31 2021-06-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板以及显示装置
CN110636697A (zh) * 2019-10-11 2019-12-31 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 柔性线路板、显示面板和显示装置
CN110865732A (zh) * 2019-10-28 2020-03-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性触控显示面板及柔性触控显示装置
CN110853520B (zh) * 2019-11-28 2022-01-21 京东方科技集团股份有限公司 可折叠支撑件、显示装置
CN110969945B (zh) * 2019-12-11 2022-04-29 昆山国显光电有限公司 支撑膜、柔性显示模组及其制备方法
KR20230002297A (ko) * 2020-04-23 2023-01-05 엘지이노텍 주식회사 Oled 화소 증착을 위한 금속 재질의 증착용 마스크 및 증착용 마스크의 제조방법
CN111627332B (zh) * 2020-05-20 2022-03-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示基板、显示面板及显示面板制作方法
CN114093251A (zh) * 2020-08-25 2022-02-25 深圳市柔宇科技股份有限公司 耐弯折导线及其制备方法、柔性显示面板
CN112420947A (zh) * 2020-11-16 2021-02-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN112435578B (zh) * 2020-11-23 2023-08-25 京东方科技集团股份有限公司 面板支撑结构及其制备方法、显示装置
CN114628062B (zh) * 2022-03-28 2023-06-02 Tcl华星光电技术有限公司 一种导电薄膜及显示面板

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000223797A (ja) * 1999-01-28 2000-08-11 Nippon Chemicon Corp フレキシブル配線基板
JP2002131773A (ja) * 2000-10-26 2002-05-09 Sharp Corp 液晶表示素子
JP2008072064A (ja) * 2006-09-15 2008-03-27 Eastman Kodak Co 表示装置
JP2009048007A (ja) * 2007-08-21 2009-03-05 Hitachi Displays Ltd 表示装置
KR20090131903A (ko) * 2008-06-19 2009-12-30 경기대학교 산학협력단 트랜지스터 및 그를 포함하는 플랙서블 유기 전계 발광표시 장치
JP2010016254A (ja) * 2008-07-04 2010-01-21 Toyota Industries Corp 半導体装置
JP2012156195A (ja) * 2011-01-24 2012-08-16 Denso Corp 電子装置
JP2013511061A (ja) * 2009-11-12 2013-03-28 イグニス・イノベイション・インコーポレーテッド 発光ディスプレイおよびその安定的電流ソース・シンクのための効率的プログラミングおよび高速校正
CN203368913U (zh) * 2013-07-11 2013-12-25 昆山龙腾光电有限公司 柔性线路板
US20140097408A1 (en) * 2012-10-08 2014-04-10 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display apparatus
JP2014197181A (ja) * 2013-03-07 2014-10-16 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US20150382446A1 (en) * 2014-06-30 2015-12-31 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with reduced bend stress wires and manufacturing method for the same
JP2016027374A (ja) * 2014-06-13 2016-02-18 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2016208024A (ja) * 2015-04-15 2016-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 電極及び半導体装置の作製方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7397466B2 (en) * 2004-11-12 2008-07-08 Eastman Kodak Company Integral spacer dots for touch screen
JP5034286B2 (ja) * 2005-04-19 2012-09-26 セイコーエプソン株式会社 電気泳動粒子の製造方法
TWI283295B (en) * 2006-03-21 2007-07-01 Ind Tech Res Inst Piezoelectric touching sensor
KR20230106737A (ko) * 2008-10-03 2023-07-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 표시장치를 구비한 전자기기
TWI399675B (zh) * 2009-08-17 2013-06-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 觸摸屏及顯示裝置
CN104205341B (zh) * 2012-04-04 2017-04-05 夏普株式会社 半导体器件及其制造方法
CN103559944B (zh) * 2013-09-27 2016-08-17 南昌欧菲光科技有限公司 可折叠导电膜和显示器
CN103700320A (zh) * 2013-12-20 2014-04-02 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示器及其制造方法
JP6640599B2 (ja) * 2016-02-25 2020-02-05 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000223797A (ja) * 1999-01-28 2000-08-11 Nippon Chemicon Corp フレキシブル配線基板
JP2002131773A (ja) * 2000-10-26 2002-05-09 Sharp Corp 液晶表示素子
JP2008072064A (ja) * 2006-09-15 2008-03-27 Eastman Kodak Co 表示装置
JP2009048007A (ja) * 2007-08-21 2009-03-05 Hitachi Displays Ltd 表示装置
KR20090131903A (ko) * 2008-06-19 2009-12-30 경기대학교 산학협력단 트랜지스터 및 그를 포함하는 플랙서블 유기 전계 발광표시 장치
JP2010016254A (ja) * 2008-07-04 2010-01-21 Toyota Industries Corp 半導体装置
JP2013511061A (ja) * 2009-11-12 2013-03-28 イグニス・イノベイション・インコーポレーテッド 発光ディスプレイおよびその安定的電流ソース・シンクのための効率的プログラミングおよび高速校正
JP2012156195A (ja) * 2011-01-24 2012-08-16 Denso Corp 電子装置
US20140097408A1 (en) * 2012-10-08 2014-04-10 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display apparatus
JP2014197181A (ja) * 2013-03-07 2014-10-16 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
CN203368913U (zh) * 2013-07-11 2013-12-25 昆山龙腾光电有限公司 柔性线路板
JP2016027374A (ja) * 2014-06-13 2016-02-18 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US20150382446A1 (en) * 2014-06-30 2015-12-31 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with reduced bend stress wires and manufacturing method for the same
JP2016208024A (ja) * 2015-04-15 2016-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 電極及び半導体装置の作製方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201841557A (zh) 2018-11-16
CN108257971A (zh) 2018-07-06
KR20190045353A (ko) 2019-05-02
TWI656813B (zh) 2019-04-11
CN108257971B (zh) 2019-07-05
JP7312104B2 (ja) 2023-07-20
US20190237490A1 (en) 2019-08-01
EP3564998A1 (en) 2019-11-06
EP3564998A4 (en) 2019-12-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2019533832A (ja) フレキシブル表示装置及びその製造方法
WO2018121322A1 (zh) 柔性显示装置及其制造方法
US10120516B2 (en) Touch electrode, display panel and display device
US20190355762A1 (en) Flexible display panels and flexible display devices
TWI538592B (zh) 可撓式顯示器
CN109300964B (zh) 柔性oled面板及其制作方法
US9030617B2 (en) Liquid crystal display panel and method of manufacturing the same
CN108899341B (zh) 一种显示面板及显示装置
CN106094363A (zh) 像素结构、显示面板及曲面显示装置
CN109062442B (zh) 有机发光显示面板和显示装置
CN207134069U9 (zh) 柔性显示基板及显示装置
US20170192327A1 (en) Array substrate and display device
WO2019041908A1 (zh) 走线结构、显示基板及显示装置
US20210359070A1 (en) Display device
JP2010091826A5 (ja)
CN105117069B (zh) 一种阵列基板、触控显示面板及触控显示装置
WO2019144610A1 (zh) 扇出结构及其制造方法、显示面板
CN109461742B (zh) 一种柔性显示面板
TW583446B (en) Conducting line structure of a liquid crystal display
CN109037244A (zh) 一种显示面板及显示装置
CN211654825U (zh) 阵列基板、显示面板及其走线结构
CN110442259B (zh) 触控基板及显示面板
CN104181714B (zh) Goa布局方法、阵列基板和显示装置
US11204530B2 (en) Array substrate and display device
CN104952882A (zh) 主动元件阵列基板

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190412

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190412

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200427

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200519

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200731

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200908

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201125

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210330

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210611

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210824

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211102

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20220222

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220510

C60 Trial request (containing other claim documents, opposition documents)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60

Effective date: 20220510

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20220517

C21 Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21

Effective date: 20220524

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20220610

C211 Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C211

Effective date: 20220614

C22 Notice of designation (change) of administrative judge

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22

Effective date: 20221018

C22 Notice of designation (change) of administrative judge

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22

Effective date: 20230104

C13 Notice of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C13

Effective date: 20230131

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230403

C22 Notice of designation (change) of administrative judge

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22

Effective date: 20230411

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230427

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230707

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7312104

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150