JP2019520420A - ３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの多形形態の生成方法 - Google Patents
３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの多形形態の生成方法 Download PDFInfo
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Abstract
本発明は、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの形態Ａを調製する方法に関する。本明細書に記載の方法により得ることができる、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの形態Ａまたはその医薬組成物も、本明細書で開示される。
Description
化合物３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの特定の結晶多形を選択的に生成する方法が、本明細書で開示される。
固体は非晶質形または結晶形のいずれかで存在する。結晶形の場合、分子は三次元の格子サイトに位置する。例えば、所望の化合物を適量の溶媒または溶媒の混合物に混合し、加熱して溶解させ、冷却して生成物を沈殿させることによって、溶液から固体を結晶化することは、当技術分野で公知である。
化合物が溶液またはスラリーから再結晶化する場合、化合物は様々な空間格子の配置で結晶化する可能性があり、この特性は「多形」と呼ばれ、様々な結晶形態はそれぞれ「多形体」と呼ばれる。所与の物質の様々な多形形態はまた、溶解度、真密度、結晶形状、圧密挙動、流動性、および／または固体状態安定性などの、１つまたは複数の物理的特性に関して互いに異なり得る。
異なる熱力学的安定性を有する２つ（またはそれを超える）の多形形態で存在する化学物質の場合、より不安定な形態は、通常、十分な時間の後、所与の温度でより熱力学的に安定な形態に変換する。この転換が急速でない場合、熱力学的に不安定な形態は「準安定な」形態と呼ばれる。一般に、安定な形態は、様々な多形形態のうち融点が最も高く、溶解度が最も低く、化学的安定性が最大である。しかし、準安定な形態でも通常の保管条件で十分な化学的および物理的安定性を呈し、市販の形態でそれを使用することが可能となり得る。さらに、準安定な形態は、最も熱力学的に安定な多形形態より安定でないが、より良好な製剤化能力（formulative ability）、改善した水への分散性など、より安定な形態のものより望ましい特性を呈し得る。
化合物３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドは、多数の多形形態で存在することが発見されている。これらの形態の多くは、薬学的に許容される組成物の生成の観点から、望ましくない。これには、安定性の欠如、高い吸湿性、低い水溶解度、および取扱いの困難さを含む、様々な理由がある。
本開示の結晶化の方法により、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの結晶多形の結晶化を選択的に制御できる。具体的には、本発明は、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの特定の多形形態（以後、形態Ａと記す）の生成の方法を含む。
様々な溶媒からの３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの再結晶化により、溶媒和物、水和物、無水物などを含む、異なる多形形態の混合物がもたらされる。再結晶化の過程で得られる３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの他の多形形態が形態Ａに変換できない場合は処分しなければならず、収益減で非効率の生成過程となる。
形態Ａは、薬学的な製剤化および取扱いの点で特に優れている。形態Ａは、非吸湿性でであり、本発明の方法は、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドを含む薬学的な製剤を生成するのに取扱いおよび加工が容易な易流動性粉末を生成する。
現在まで、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの結晶多形の結晶化を制御する簡易な方法は存在しない。ゆえに、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの結晶多形の結晶化を選択的に制御する効率的な方法に対する、当技術分野で、喫緊で未対処の必要性が存在する。
本明細書に開示される実施形態は、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの結晶多形の結晶化を選択的に制御する方法を提供することに対する、従来対処されていないこの必要性を満足することが見出された。特に特許請求される本方法は、粒径などの粒子の特性の制御を改善でき、具体的な多形体の収率を改善でき、残留溶媒による汚染を低減する。
第１の態様において、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの結晶多形の形態Ａを調製する方法であって、
（ａ）３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドを、少なくとも４０℃の温度で非水系溶媒または非水系溶媒の混合物に溶解して溶液を得るステップであって、１種または複数の溶媒が、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミド出発物質に対して約５ｗｔ％未満の水を含有する、ステップ、
（ａ’）任意選択で、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの形態Ａの結晶を溶液にシーディングするステップ、
（ｂ）溶液を冷却し、それにより、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの多形の形態Ａの結晶を形成するステップ、
（ｃ）結晶を単離するステップ
を含む、方法を提供する。
（ａ）３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドを、少なくとも４０℃の温度で非水系溶媒または非水系溶媒の混合物に溶解して溶液を得るステップであって、１種または複数の溶媒が、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミド出発物質に対して約５ｗｔ％未満の水を含有する、ステップ、
（ａ’）任意選択で、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの形態Ａの結晶を溶液にシーディングするステップ、
（ｂ）溶液を冷却し、それにより、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの多形の形態Ａの結晶を形成するステップ、
（ｃ）結晶を単離するステップ
を含む、方法を提供する。
第２の態様において、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの結晶多形の形態Ａを調製する方法であって、
（ａ）３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドを、少なくとも４０℃の温度で非水系溶媒または非水系溶媒の混合物に溶解して溶液を得るステップ、
（ａ’）任意選択で、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの形態Ａの結晶を溶液にシーディングするステップ、
（ｂ）溶液を冷却し、それにより、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの多形の形態Ａの結晶を形成するステップ、
（ｃ）結晶を単離するステップ
を含み、全ての方法ステップの温度が１００℃を超えない、方法を提供する。
（ａ）３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドを、少なくとも４０℃の温度で非水系溶媒または非水系溶媒の混合物に溶解して溶液を得るステップ、
（ａ’）任意選択で、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの形態Ａの結晶を溶液にシーディングするステップ、
（ｂ）溶液を冷却し、それにより、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの多形の形態Ａの結晶を形成するステップ、
（ｃ）結晶を単離するステップ
を含み、全ての方法ステップの温度が１００℃を超えない、方法を提供する。
第３の態様において、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの結晶多形の形態Ａを調製する方法であって、
（ａ）３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドを、少なくとも４０℃の温度で非水系溶媒または非水系溶媒の混合物に溶解して溶液を得るステップであって、１種または複数の溶媒が、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミド出発物質に対して約５ｗｔ％未満の水を含有する、ステップ、
（ａ’）任意選択で、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの形態Ａの結晶を溶液にシーディングするステップ、
（ｂ）溶液を冷却し、それにより、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの多形の形態Ａの結晶を形成するステップ、
（ｃ）結晶を単離するステップ
を含み、全ての方法ステップの温度が１００℃を超えない、方法を提供する。
（ａ）３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドを、少なくとも４０℃の温度で非水系溶媒または非水系溶媒の混合物に溶解して溶液を得るステップであって、１種または複数の溶媒が、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミド出発物質に対して約５ｗｔ％未満の水を含有する、ステップ、
（ａ’）任意選択で、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの形態Ａの結晶を溶液にシーディングするステップ、
（ｂ）溶液を冷却し、それにより、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの多形の形態Ａの結晶を形成するステップ、
（ｃ）結晶を単離するステップ
を含み、全ての方法ステップの温度が１００℃を超えない、方法を提供する。
製造の過程の間、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドが非水溶液中で再結晶化される場合、形態Ａは許容される収率で生成される。再結晶化の対象となる３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの重量に対する約５％超の水の存在において、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの水和物は、許容できない量で形成され、これは形態Ａに対する異なる多形形態を有し、それにより不純物を構成する。
製造の過程の間、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドが１００℃を超えない温度で再結晶化される場合、形態Ａは許容される収率で生成される。この温度を超える場合、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの異なる多形形態（形態Ｂと記す）は、許容できない量で形成され、それにより不純物を構成する。
本明細書に記載される実施形態のある特定の態様は、限定されないが本発明を説明することを意図する図面を参照することでより明確に理解され得る。
本発明の任意の態様での出発物質は、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの任意の供給源であり得る。例えば、本発明による形態Ａを生成する方法用の出発物質は、粗製の３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミド、非晶質の３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミド、多形の３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミド（純粋な形態Ａを除く）、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの多形体の混合物、およびそれらの混合物からなる群から選択され得る。例えば、国際公開第２００５／００９９７３号パンフレット（その実施例１６１など）に開示される方法にしたがって形態Ａを調製するために使用される、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミド出発物質。
本発明の任意の態様の方法により、純粋な形態Ａの３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドが生成される。
本明細書で使用する場合、「純粋な形態Ａ」は、１０重量％未満の３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの任意の他の多形形態、好ましくは５重量％未満、好ましくは２重量％未満、好ましくは１重量％未満、好ましくは０．５重量％未満、好ましくは０．１重量％未満の３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの他の多形形態を含む、結晶多形の形態Ａを意味する。
多形形態Ａに対する粉末ＸＲＤパターンおよびデータは、明白に３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの他の多形形態と異なる。形態Ａは、１つまたは複数の以下の位置での特徴的なピーク（度２θ（＋／−０．２°θで表される）を有する、表１に実質的に示される通りのＸ線粉末回折パターンを呈する。
形態Ａを含有する組成物の有用な製剤は、従来の方法で調製できる。これらは、粉剤、ペレット剤、溶液剤、縣濁剤、乳剤、水和剤などとしての調製剤を含む。
一実施形態において、形態Ａの３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドは、非水系溶媒中または溶媒の混合物から、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドを結晶化することにより調製できる。
本発明の上記の態様のいずれかによる好ましい実施形態において、方法は、１種または複数の前述の非水系溶媒中または溶媒の混合物中、溶解が完了するまで熱を適用するが１００℃の温度を超えないことにより、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの非水溶液を調製し、次いで、好ましくは約１〜０．０１℃／分、好ましくは０．５〜０．０５℃／分、好ましくは０．２〜０．０８℃／分、好ましくは約０．１℃／分の冷却速度で穏やかに水溶液を冷却することを含む。この冷却速度を選択することで、結晶生成物中の形態Ａの収率および形態Ａの純度を改善する助けとなる。
特に、本発明の上記の番号付けた態様のいずれも、最終結晶性物質の８０ｗｔ％超の純度、最終結晶性物質の、通常は９０ｗｔ％超、好ましくは９５ｗｔ％、例えば９８ｗｔ％超で、形態Ａの結晶を生成することができる。
本発明の上記の番号付けた態様のいずれかにおける任意選択のシーディングステップ（ａ’）は、好ましくは、ステップ（ａ）で溶解した３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの重量に対して、０．１ｗｔ％超、好ましくは１ｗｔ％超、好ましくは３ｗｔ％超、好ましくは４ｗｔ％超の形態Ａの３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドをシーディングする。
シーディングを使用する場合、通常、物質の大規模な生成（５ｋｇ超）用である。形態Ａの種は、好ましくは、本明細書に記載される方法により生成されるか、または、従来技術の方法にしたがって生成された結晶の混合物から形態Ａの結晶を分離することにより得られる。形態Ａの結晶は、そのＸＲＰＤスペクトルにより容易に特徴付けられ、同定される。
本発明の上記の態様のいずれかによる好ましい実施形態において、好ましくは、結晶化中に使用される温度は、８０℃を超えず、好ましくは７０℃を超えず、好ましくは６０℃を超えず、好ましくは５０℃を超えない。好ましくは、結晶化中に使用される温度は、４０℃超である。温度が７０℃に向かって上昇し、７０℃を超えると、形態Ｂの多形体の量が増加し、特により高い温度で費やされる時間が長くなる。
ゆえに、好ましくは、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの溶液を、２４時間超、好ましくは１２時間超、好ましくは６時間超、７０℃超の温度に曝露しない。これは以下の表において示されており、ここでは異なる溶媒を異なる温度で試験する。
ゆえに、７０℃および８０℃のより高い温度で、特により長期間にわたって、形態Ｂへの変換が引き起こされるか、または形態Ａおよび形態Ｂの混合物が生成されることが分かる。また、溶媒中に水を含む場合、水和物が形成されることが分かる。
本明細書で使用する場合、用語「非水系溶媒または非水系溶媒の混合物」は、好ましくは水が実質的に存在しない状態で、Ｃ１〜６アルコール、Ｃ４〜１０環状エーテル、Ｃ１〜６ニトリル、Ｃ１〜６ハロアルカン、Ｃ１〜６ケトン、ジアルキルホルムアミド、ジアルキルスルホキシド、Ｃ３〜１０アリール、Ｃ５〜１０アルカン、石油エーテル、酢酸Ｃ１〜６アルキル、Ｃ１〜６エーテルからなる群から選択される１種または複数の溶媒を意味する。
好ましい非水系溶媒は、好ましくは水が実質的に存在しない状態で、メタノール、エタノール、テトラヒドロフラン、アセトニトリル、塩化メチレン、イソプロピルアルコール、アセトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、トルエン、ベンゼン、ｎ−ヘキサン、石油エーテル、酢酸エチル、エーテル、ジクロロメタン、クロロホルムおよび四塩化炭素からなる群から選択される。
特に好ましい非水系溶媒は、好ましくは水が実質的に存在しない状態で、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、およびイソブタノールからなる群から選択される。
本発明の上記の番号付けた態様のいずれかのステップ（ｂ）の間、逆溶媒を添加して、所望の結晶の沈殿を促進し得る。好ましい逆溶媒として、ｔ−ブチルメチルエーテルおよびニトロメタンなどの、Ｃ１〜６エーテルおよびＣ１〜６ニトロアルカンが挙げられる。しかし、当業者は、どの溶媒を本方法で使用するかに応じて逆溶媒を容易に選択することができる。
逆溶媒：溶媒の比は、好ましくは０．１：１〜１：０．１の範囲にある。
本明細書で使用する場合、用語「水が実質的に存在しない」は、方法で使用される３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドに対して、５ｗｔ％未満、好ましくは１ｗｔ％未満、好ましくは０．５ｗｔ％未満、好ましくは０．１ｗｔ％未満、好ましくは０．０５ｗｔ％未満、好ましくは０．００１ｗｔ％未満を意味する。形態Ａの収率は、水が約１ｗｔ％超になると直線的に減少するので、水の濃度を１ｗｔ％未満で維持することが特に有利である。
本発明の方法により、好都合なことに、４００μｍ未満、好ましくは３００μｍ未満、好ましくは２００μｍ未満のＤ５０粒径を有する形態Ａの３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドが生成される。
本発明の方法により、好都合なことに、１０μｍ超のＤ１０粒径を有する形態Ａの３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドが生成される。
形態Ａの結晶は、当技術分野で公知の従来の任意の方法、例えば、ろ過、遠心分離などにより単離する。それらは、オーブン内で、および／または真空乾燥機で乾燥され得る。
本発明の上記の番号付けた態様のいずれかによる任意の冷却ステップの前またはその間、例えば蒸留により、溶媒の量を減少させて、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの溶液を濃縮してもよい。
これから、以下の実施例を参照して本発明をさらに記載するが、これは添付の特許請求の範囲を例示することを意図するものであり、制限するものではない。
[実施例１]
形態Ａのプロセスの記載
３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドを、７５℃でエタノールに溶解した。得られた溶液を、粒子フィルターを通して第２の反応器へとろ過する。ＩＴ（内部温度）＝４０℃に冷却後、エタノール中に３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの種懸濁液を添加する。反応混合物をＩＴ＝４０℃でさらに２時間保持した後、ＩＴ＝−１０℃へと緩やかな冷却勾配（０．１Ｋ／分）を開始する。ＩＴ＝−１０℃で少なくとも５時間、懸濁液を保持する。生成物をろ過乾燥機で分離する。ろ過ケークは反応器で、エタノールを３回に分けて使用して撹拌せずに洗浄する。湿ったろ過ケークの乾燥を、２つの操作ステップで実施する。ＪＴ（ジャケット温度）＝５０℃、圧力＝１０〜２０ｍｂａｒで５時間、第１のステップを行う。このステップの間、撹拌器は使用しない。ＪＴ＝６０℃、圧力＝１０〜２０ｍｂａｒで５時間、第２のステップを行う。このステップの間、撹拌器を１分間作動し、１４分間そのままにする。この期間後、０．５％ｍ／ｍ以下のエタノール含有量が達成される。バッチ間の反応容器の清浄は必要なかった。
形態Ａのプロセスの記載
３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドを、７５℃でエタノールに溶解した。得られた溶液を、粒子フィルターを通して第２の反応器へとろ過する。ＩＴ（内部温度）＝４０℃に冷却後、エタノール中に３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの種懸濁液を添加する。反応混合物をＩＴ＝４０℃でさらに２時間保持した後、ＩＴ＝−１０℃へと緩やかな冷却勾配（０．１Ｋ／分）を開始する。ＩＴ＝−１０℃で少なくとも５時間、懸濁液を保持する。生成物をろ過乾燥機で分離する。ろ過ケークは反応器で、エタノールを３回に分けて使用して撹拌せずに洗浄する。湿ったろ過ケークの乾燥を、２つの操作ステップで実施する。ＪＴ（ジャケット温度）＝５０℃、圧力＝１０〜２０ｍｂａｒで５時間、第１のステップを行う。このステップの間、撹拌器は使用しない。ＪＴ＝６０℃、圧力＝１０〜２０ｍｂａｒで５時間、第２のステップを行う。このステップの間、撹拌器を１分間作動し、１４分間そのままにする。この期間後、０．５％ｍ／ｍ以下のエタノール含有量が達成される。バッチ間の反応容器の清浄は必要なかった。
本ステップで得られた粒子は、図４で示されるＳＥＭ画像で示される通り、比較的滑らかな面の結晶の良好な流動凝集体（平均直径２５０μｍ）である。それらをそのまま使用できるか、または容易に粉砕して所望の原薬の粒径に調節し得る。
１．原材料の利用可能性
方法では種結晶を使用し得るが、これは必ずしも必要ではない。本発明における種結晶は、得られた形態Ａの結晶の粒径を制御するのに役立つ。種結晶を使用する場合は、粉砕する（より高い粒子表面積にするため）。
方法では種結晶を使用し得るが、これは必ずしも必要ではない。本発明における種結晶は、得られた形態Ａの結晶の粒径を制御するのに役立つ。種結晶を使用する場合は、粉砕する（より高い粒子表面積にするため）。
２．器具および方法の詳細
２．１ Ｘ線粉末回折（ＸＲＰＤ）
２．１．１ Ｂｒｕｋｅｒ ＡＸＳ社のＣ２ ＧＡＤＤＳ
ＣｕＫα線（４０ｋＶ、４０ｍＡ）、自動化ＸＹＺステージ、自動サンプル位置決め用のレーザビデオマイクロスコープ、およびＨｉＳｔａｒ２次元領域検出器を使用して、Ｘ線粉末回折パターンをＢｒｕｋｅｒ ＡＸＳ社のＣ２ ＧＡＤＤＳ回折装置で収集した。Ｘ線光学系は、０．３ｍｍのピンホールコリメータに連結された、１つのＧｏｂｅｌ多層膜ミラーからなる。認証標準ＮＩＳＴ１９７６コランダム（平板）を使用して、性能チェックを週１回行う。
２．１ Ｘ線粉末回折（ＸＲＰＤ）
２．１．１ Ｂｒｕｋｅｒ ＡＸＳ社のＣ２ ＧＡＤＤＳ
ＣｕＫα線（４０ｋＶ、４０ｍＡ）、自動化ＸＹＺステージ、自動サンプル位置決め用のレーザビデオマイクロスコープ、およびＨｉＳｔａｒ２次元領域検出器を使用して、Ｘ線粉末回折パターンをＢｒｕｋｅｒ ＡＸＳ社のＣ２ ＧＡＤＤＳ回折装置で収集した。Ｘ線光学系は、０．３ｍｍのピンホールコリメータに連結された、１つのＧｏｂｅｌ多層膜ミラーからなる。認証標準ＮＩＳＴ１９７６コランダム（平板）を使用して、性能チェックを週１回行う。
サンプルのビーム発散、すなわち、Ｘ線ビームの効果的なサイズは、およそ４ｍｍであった。θ−θ連続走査モードを、３．２°〜２９．７°の効果的な２θ範囲を提供する、サンプル−検出器の距離２０ｃｍで利用した。典型的には、１２０秒間、サンプルをＸ線ビームに曝露した。データ収集に使用したソフトウェアはＸＰ／２０００ ４．１．４３用のＧＡＤＤＳであり、Ｄｉｆｆｒａｃ Ｐｌｕｓ ＥＶＡ ｖ１５．０．０．０を使用してデータを解析し、提示した。
入手したままの粉末を摩砕することなく使用して、周囲条件下で処理されたサンプルを平板の検体として調製した。およそ１〜２ｍｇのサンプルを、スライドガラス上で軽く押して、平らな表面を得た。
２．１．１ Ｂｒｕｋｅｒ ＡＸＳ社のＤ８ Ａｄｖａｎｃｅ
ＣｕＫα線（４０ｋＶ、４０ｍＡ）、θ−２θゴニオメーター、ならびにＶ４の発散および受光スリット、Ｇｅモノクロメーター、ならびにＬｙｎｘｅｙｅ検出器を使用して、Ｘ線粉末回折パターンをＢｒｕｋｅｒ社のＤ８回折装置で収集した。認証コランダム標準（ＮＩＳＴ１９７６）を使用して、器具を性能チェックする。データ収集に使用したソフトウェアはＤｉｆｆｒａｃ Ｐｌｕｓ ＸＲＤ Ｃｏｍｍａｎｄｅｒ ｖ２．６．１であり、Ｄｉｆｆｒａｃ Ｐｌｕｓ ＥＶＡ ｖ１５．０．０．０を使用してデータを解析し、提示した。
ＣｕＫα線（４０ｋＶ、４０ｍＡ）、θ−２θゴニオメーター、ならびにＶ４の発散および受光スリット、Ｇｅモノクロメーター、ならびにＬｙｎｘｅｙｅ検出器を使用して、Ｘ線粉末回折パターンをＢｒｕｋｅｒ社のＤ８回折装置で収集した。認証コランダム標準（ＮＩＳＴ１９７６）を使用して、器具を性能チェックする。データ収集に使用したソフトウェアはＤｉｆｆｒａｃ Ｐｌｕｓ ＸＲＤ Ｃｏｍｍａｎｄｅｒ ｖ２．６．１であり、Ｄｉｆｆｒａｃ Ｐｌｕｓ ＥＶＡ ｖ１５．０．０．０を使用してデータを解析し、提示した。
入手したままの粉末を使用して、平板の検体としてサンプルを周囲条件下で処理した。研磨したゼロバックグラウンド（５１０）シリコンウエハに切断した空洞に、サンプルを穏やかに充填した。解析の間、サンプルはそれ自身の面で回転した。データ収集の詳細は以下の通りである。
・角度の範囲：２〜４２°２θ
・ステップサイズ：０．０５°２θ
・収集時間：０．５秒／ステップ
・角度の範囲：２〜４２°２θ
・ステップサイズ：０．０５°２θ
・収集時間：０．５秒／ステップ
サンプルのスクリーニングのために簡潔な方法を使用した。データ収集の詳細は以下の通りである。
・角度の範囲：２〜３１°２θ
・ステップサイズ：０．０５°２θ
・収集時間：０．５秒／ステップ
・角度の範囲：２〜３１°２θ
・ステップサイズ：０．０５°２θ
・収集時間：０．５秒／ステップ
非周囲条件
２５℃でＡｎｔｏｎ−Ｐａａｒ社のＴＴＫ４５０チャンバーにサンプルを設置した。測定ファイルを通して温度をその場で制御した：ｐ２８５３−ｖｔ、ＬＲＰ−１３０１−３９−０１．ｄｑｌ、ＬＲＰ−１３０１−４２−０１．ｄｑｌ、ＬＲＰ−１３０１−４２−０２．ｄｑｌ。サンプルを１℃／分で２５℃から２００℃まで加熱した。ＸＲＰＤデータを３０℃から２００℃まで１０℃ごとに収集した。およそ４０ｍｇのサンプルを、周囲条件下で、Ｎｉコーティングされたサンプルホルダーに設置した。２５℃でサンプルをのせた。
２５℃でＡｎｔｏｎ−Ｐａａｒ社のＴＴＫ４５０チャンバーにサンプルを設置した。測定ファイルを通して温度をその場で制御した：ｐ２８５３−ｖｔ、ＬＲＰ−１３０１−３９−０１．ｄｑｌ、ＬＲＰ−１３０１−４２−０１．ｄｑｌ、ＬＲＰ−１３０１−４２−０２．ｄｑｌ。サンプルを１℃／分で２５℃から２００℃まで加熱した。ＸＲＰＤデータを３０℃から２００℃まで１０℃ごとに収集した。およそ４０ｍｇのサンプルを、周囲条件下で、Ｎｉコーティングされたサンプルホルダーに設置した。２５℃でサンプルをのせた。
３．単結晶Ｘ線回折（ＳＣＸＲＤ）
Ｒｉｇａｋｕ Ｏｘｆｏｒｄ ＤｉｆｆｒａｃｔｉｏｎのＳｕｐｅｒｎｏｖａデュアルソース、０でのＣｕ、Ｏｘｆｏｒｄ Ｃｒｙｏｓｙｓｔｅｍｓ社のＣｏｂｒａ冷却装置を搭載したＡｔｌａｓ ＣＣＤ回折装置で、データを収集した。ＣｕＫα線を使用してデータを収集した。典型的には、ＳＨＥＬＸＳプログラムまたはＳＨＥＬＸＤプログラムのいずれかを使用して構造を解析し、Ｂｒｕｋｅｒ社のＡＸＳ ＳＨＥＬＸＴＬ ｓｕｉｔｅ（Ｖ６．１０）の一部としてＳＨＥＬＸＬプログラムでリファインした。別段の記載がない限り、炭素に結合する水素原子を幾何学的に配置し、ライディング等方性変位パラメーターでリファインさせた。ヘテロ原子に結合した水素原子を差フーリエ合成に置き、等方性変位パラメーターで自由にリファインさせた。
Ｒｉｇａｋｕ Ｏｘｆｏｒｄ ＤｉｆｆｒａｃｔｉｏｎのＳｕｐｅｒｎｏｖａデュアルソース、０でのＣｕ、Ｏｘｆｏｒｄ Ｃｒｙｏｓｙｓｔｅｍｓ社のＣｏｂｒａ冷却装置を搭載したＡｔｌａｓ ＣＣＤ回折装置で、データを収集した。ＣｕＫα線を使用してデータを収集した。典型的には、ＳＨＥＬＸＳプログラムまたはＳＨＥＬＸＤプログラムのいずれかを使用して構造を解析し、Ｂｒｕｋｅｒ社のＡＸＳ ＳＨＥＬＸＴＬ ｓｕｉｔｅ（Ｖ６．１０）の一部としてＳＨＥＬＸＬプログラムでリファインした。別段の記載がない限り、炭素に結合する水素原子を幾何学的に配置し、ライディング等方性変位パラメーターでリファインさせた。ヘテロ原子に結合した水素原子を差フーリエ合成に置き、等方性変位パラメーターで自由にリファインさせた。
４．プロトン核磁気共鳴（１Ｈ−ＮＭＲ）
ＮＭＲスペクトルを、自動サンプラーを搭載したＢｒｕｋｅｒ社の４００ＭＨｚの器具で収集し、ＤＲＸ４００コンソールで制御した。標準Ｂｒｕｋｅｒロード実験（Bruker loaded experiment）を使用してＴｏｐｓｐｉｎ ｖ１．３で処理するＩＣＯＮ ＮＭＲ ｖ４．０．７を使用して、自動化された実験を行った。非定型分光法のために、Ｔｏｐｓｐｉｎを単独で使用してデータを取得した。
ＮＭＲスペクトルを、自動サンプラーを搭載したＢｒｕｋｅｒ社の４００ＭＨｚの器具で収集し、ＤＲＸ４００コンソールで制御した。標準Ｂｒｕｋｅｒロード実験（Bruker loaded experiment）を使用してＴｏｐｓｐｉｎ ｖ１．３で処理するＩＣＯＮ ＮＭＲ ｖ４．０．７を使用して、自動化された実験を行った。非定型分光法のために、Ｔｏｐｓｐｉｎを単独で使用してデータを取得した。
別段の記載がない限り、ＤＭＳＯ−ｄ６中でサンプルを調製した。ＡＣＤ Ｓｐｅｃｔｒｕｓ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ ２０１４を使用してオフライン解析を行った。
５．示差走査熱量測定（ＤＳＣ）
５．１ ＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社のＱ２０００
５０ポジション自動サンプラーを搭載したＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社のＱ２０００で、ＤＳＣデータを収集した。サファイアを使用して熱容量の較正を行い、認証インジウムを使用してエネルギーおよび温度の較正を行った。典型的には、ピンホールの開いたアルミニウムパンにおいて０．５ ３ｍｇの各サンプルを１０℃／分で２５℃から３００℃まで加熱した。サンプル上で、５０ｍｌ／分で乾燥窒素のパージを維持した。
５．１ ＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社のＱ２０００
５０ポジション自動サンプラーを搭載したＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社のＱ２０００で、ＤＳＣデータを収集した。サファイアを使用して熱容量の較正を行い、認証インジウムを使用してエネルギーおよび温度の較正を行った。典型的には、ピンホールの開いたアルミニウムパンにおいて０．５ ３ｍｇの各サンプルを１０℃／分で２５℃から３００℃まで加熱した。サンプル上で、５０ｍｌ／分で乾燥窒素のパージを維持した。
２℃／分の基礎加熱速度および６０秒（期間）ごとに±０．３１８℃（振幅）の温度変調パラメーターを使用して温度変調ＤＳＣ法を行った。
器具制御ソフトウェアは、Ａｄｖａｎｔａｇｅ ｆｏｒ Ｑ Ｓｅｒｉｅｓ ｖ２．８．０．３９４およびＴｈｅｒｍａｌ Ａｄｖａｎｔａｇｅ ｖ５．５．３であり、データは、Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ ｖ４．５Ａを使用して解析した。
５．２ ＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社のＤｉｓｃｏｖｅｒｙ ＤＳＣ
５０ポジション自動サンプラーを搭載したＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社のＤｉｓｃｏｖｅｒｙ ＤＳＣで、ＤＳＣデータを収集した。サファイアを使用して熱容量の較正を行い、認証インジウムを使用してエネルギーおよび温度の較正を行った。典型的には、ピンホールの開いたアルミニウムパンにおいて０．５ ３ｍｇの各サンプルを１０℃／分で２５℃から３００℃まで加熱した。サンプル上で、５０ｍｌ／分で乾燥窒素のパージを維持した。
５０ポジション自動サンプラーを搭載したＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社のＤｉｓｃｏｖｅｒｙ ＤＳＣで、ＤＳＣデータを収集した。サファイアを使用して熱容量の較正を行い、認証インジウムを使用してエネルギーおよび温度の較正を行った。典型的には、ピンホールの開いたアルミニウムパンにおいて０．５ ３ｍｇの各サンプルを１０℃／分で２５℃から３００℃まで加熱した。サンプル上で、５０ｍｌ／分で乾燥窒素のパージを維持した。
器具制御およびデータ解析のソフトウェアは、ＴＲＩＯＳ ｖ３．２．０．３８７７であった。
６．熱重量分析（ＴＧＡ）
６．１ ＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社のＱ５００
１６ポジション自動サンプラーを搭載したＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社のＱ５００ ＴＧＡで、ＴＧＡデータを収集した。認証アルメルおよびニッケルを使用して器具を温度較正した。典型的には、５〜１０ｍｇの各サンプルを、事前に風袋計量した（pre-tared）アルミニウムＤＳＣパンにのせ、１０℃／分で周囲温度から３５０℃まで加熱した。サンプル上で、６０ｍｌ／分で窒素パージを維持した。
６．１ ＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社のＱ５００
１６ポジション自動サンプラーを搭載したＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社のＱ５００ ＴＧＡで、ＴＧＡデータを収集した。認証アルメルおよびニッケルを使用して器具を温度較正した。典型的には、５〜１０ｍｇの各サンプルを、事前に風袋計量した（pre-tared）アルミニウムＤＳＣパンにのせ、１０℃／分で周囲温度から３５０℃まで加熱した。サンプル上で、６０ｍｌ／分で窒素パージを維持した。
器具制御ソフトウェアは、Ａｄｖａｎｔａｇｅ ｆｏｒ Ｑ Ｓｅｒｉｅｓ ｖ２．５．０．２５６およびＴｈｅｒｍａｌ Ａｄｖａｎｔａｇｅ ｖ５．５．３であり、データは、Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ ｖ４．５Ａを使用して解析した。
６．２ ＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社のＤｉｓｃｏｖｅｒｙ ＴＧＡ
２５ポジション自動サンプラーを搭載したＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社のＤｉｓｃｏｖｅｒｙ ＴＧＡで、ＴＧＡデータを収集した。認証アルメルおよびニッケルを使用して器具を温度較正した。典型的には、５〜１０ｍｇの各サンプルを、事前に風袋計量したアルミニウムＤＳＣパンにのせ、１０℃／分で周囲温度から３５０℃まで加熱した。サンプル上で、２５ｍｌ／分で窒素パージを維持した。
２５ポジション自動サンプラーを搭載したＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社のＤｉｓｃｏｖｅｒｙ ＴＧＡで、ＴＧＡデータを収集した。認証アルメルおよびニッケルを使用して器具を温度較正した。典型的には、５〜１０ｍｇの各サンプルを、事前に風袋計量したアルミニウムＤＳＣパンにのせ、１０℃／分で周囲温度から３５０℃まで加熱した。サンプル上で、２５ｍｌ／分で窒素パージを維持した。
器具制御およびデータ解析のソフトウェアは、ＴＲＩＯＳ ｖ３．２．０．３８７７であった。
７．走査電子顕微鏡法（ＳＥＭ）
Ｐｈｅｎｏｍ Ｐｒｏ走査電子顕微鏡でデータを収集した。導電性両面粘着テープを使用して少量のサンプルをアルミニウムスタブ上に固定した。スパッタコーター（２０ｍＡ、１２０秒）を使用して金の薄層を適用する。
Ｐｈｅｎｏｍ Ｐｒｏ走査電子顕微鏡でデータを収集した。導電性両面粘着テープを使用して少量のサンプルをアルミニウムスタブ上に固定した。スパッタコーター（２０ｍＡ、１２０秒）を使用して金の薄層を適用する。
８．カールフィッシャー滴定（ＫＦ）による水分測定
ハイドラナール−クーロマットＡＧオーブン試薬および窒素パージを使用して、８５１ Ｔｉｔｒａｎｏ Ｃｏｕｌｏｍｅｔｅｒを有するＭｅｔｒｏｈｍ社の８７４ Ｏｖｅｎ Ｓａｍｐｌｅ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒを用いて、１５０℃で各サンプルの含水量を測定した。計量された固体サンプルを密閉されたサンプルバイアルに導入した。およそ１０ｍｇのサンプルを滴定ごとに使用し、二重反復測定とした。データ収集および解析にはＴｉａｍｏ ｖ２．２を使用した。
ハイドラナール−クーロマットＡＧオーブン試薬および窒素パージを使用して、８５１ Ｔｉｔｒａｎｏ Ｃｏｕｌｏｍｅｔｅｒを有するＭｅｔｒｏｈｍ社の８７４ Ｏｖｅｎ Ｓａｍｐｌｅ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒを用いて、１５０℃で各サンプルの含水量を測定した。計量された固体サンプルを密閉されたサンプルバイアルに導入した。およそ１０ｍｇのサンプルを滴定ごとに使用し、二重反復測定とした。データ収集および解析にはＴｉａｍｏ ｖ２．２を使用した。
９．ＨＰＬＣによる化学的純度測定
ダイオードアレイ検出器を搭載したＡｇｉｌｅｎｔ社のＨＰ１１００シリーズシステムを用いて、以下に詳述する方法を使用するＣｈｅｍＳｔａｔｉｏｎソフトウェアｖＢ．０４．０３を使用して、純度解析を実施した。
ダイオードアレイ検出器を搭載したＡｇｉｌｅｎｔ社のＨＰ１１００シリーズシステムを用いて、以下に詳述する方法を使用するＣｈｅｍＳｔａｔｉｏｎソフトウェアｖＢ．０４．０３を使用して、純度解析を実施した。
様々な温度におけるＸＲＰＤ（図５を参照）により、形態Ａが１００℃超に加熱すると形態Ｂに変換することが示された。２００℃で、高い２θ領域でのピーク位置での変化（シフト）を観察した。これは、熱膨張効果に起因し得る。しかし、この熱効果は可逆的であり、形態Ｂは室温に冷却した後、ＸＲＰＤにより変化しないままであった。
異なる加熱速度で形態ＡのＤＳＣ実験を実施して、バッチ特性決定の段階で観察された２つの吸熱の性質を決定した（図６に示す）。ピンホールの開いたアルミニウムパンまたは封止アルミニウムパンにおける実験を実施した場合、著しい差を観察しなかった。異なる加熱速度で、可能な動態事象を示す第１の吸熱の開始（転移事象）に対して著しい差を観察した。
Claims (13)
- ３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの結晶多形の形態Ａを調製する方法であって、
（ａ）３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドを、少なくとも４０℃の温度で非水系溶媒または非水系溶媒の混合物に溶解して溶液を得るステップであって、１種または複数の前記溶媒が、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミド出発物質に対して約５ｗｔ％未満の水を含有する、ステップ、
（ａ’）任意選択で、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの形態Ａの結晶を前記溶液にシーディングするステップ、
（ｂ）前記溶液を冷却し、それにより、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの多形の形態Ａの結晶を形成するステップ、
（ｃ）前記結晶を単離するステップ
を含む、方法。 - ３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの結晶多形の形態Ａを調製する方法であって、
（ａ）３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドを、少なくとも４０℃の温度で非水系溶媒または非水系溶媒の混合物に溶解して溶液を得るステップ、
（ａ’）任意選択で、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの形態Ａの結晶を前記溶液にシーディングするステップ、
（ｂ）前記溶液を冷却し、それにより、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの多形の形態Ａの結晶を形成するステップ、
（ｃ）前記結晶を単離するステップ
を含み、全ての方法ステップの温度が１００℃を超えない、方法。 - ３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの結晶多形の形態Ａを調製する方法であって、
（ａ）３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドを、少なくとも４０℃の温度で非水系溶媒または非水系溶媒の混合物に溶解して溶液を得るステップであって、１種または複数の前記溶媒が、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミド出発物質に対して約５ｗｔ％未満の水を含有する、ステップ、
（ａ’）任意選択で、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの形態Ａの結晶を前記溶液にシーディングするステップ、
（ｂ）前記溶液を冷却し、それにより、３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの多形の形態Ａの結晶を形成するステップ、
（ｃ）前記結晶を単離するステップ
を含み、全ての方法ステップの温度が１００℃を超えない、方法。 - 前記冷却ステップ（ｂ）が、約１〜０．０１℃／分、好ましくは０．５〜０．０５℃／分、好ましくは０．２〜０．０８℃／分、好ましくは約０．１℃／分の速度で冷却される、請求項１から３のいずれかに記載の方法。
- シーディングステップ（ａ’）が、ステップ（ａ）で溶解した３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの重量に対して、０．１ｗｔ％超、好ましくは０．５ｗｔ％超、好ましくは１ｗｔ％超の形態Ｂの３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドをシーディングする、請求項１から４からのいずれかに記載の方法。
- 前記結晶化中に使用される温度が、８０℃を超えず、好ましくは７０℃を超えず、好ましくは６０℃を超えず、好ましくは５０℃を超えず、好ましくは４０℃を超えない、請求項１から５のいずれかに記載の方法。
- ３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドの前記溶液が、２４時間超、好ましくは１２時間超、好ましくは６時間超、７０℃超の温度に曝露されない、請求項１から６のいずれかに記載の方法。
- 前記非水系溶媒または非水系溶媒の混合物が、好ましくは水が実質的に存在しない状態で、Ｃ１〜６アルコール、Ｃ４〜１０環状エーテル、Ｃ１〜６ニトリル、Ｃ１〜６ハロアルカン、Ｃ１〜６ケトン、ジアルキルホルムアミド、ジアルキルスルホキシド、Ｃ３〜１０アリール、Ｃ５〜１０アルカン、石油エーテル、酢酸Ｃ１〜６アルキル、Ｃ１〜６エーテルからなる群から選択される、請求項１から７のいずれかに記載の方法。
- 前記非水系溶媒が、好ましくは水が実質的に存在しない状態で、メタノール、エタノール、テトラヒドロフラン、アセトニトリル、塩化メチレン、イソプロピルアルコール、アセトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、トルエン、ベンゼン、ｎ−ヘキサン、石油エーテル、酢酸エチル、エーテル、ジクロロメタン、クロロホルムおよび四塩化炭素からなる群から選択される、請求項８に記載の方法。
- ステップ（ｂ）の間、逆溶媒が前記溶液に添加され得る、請求項１から９のいずれかに記載の方法。
- ステップ（ｂ）の間、前記溶媒の量が、好ましくは蒸留により、低減される、請求項１から１０のいずれかに記載の方法。
- 請求項１から１１のいずれかに記載の方法により得ることができる、形態Ａの３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミド。
- 請求項１２に記載の形態Ａの３−［５−アミノ−４−（３−シアノベンゾイル）−ピラゾール−１−イル］−Ｎ−シクロプロピル−４−メチルベンズアミドを含む、医薬組成物。
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