JP2019515322A - Euvリソグラフィ用のメンブレン - Google Patents
Euvリソグラフィ用のメンブレン Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019515322A JP2019515322A JP2018548190A JP2018548190A JP2019515322A JP 2019515322 A JP2019515322 A JP 2019515322A JP 2018548190 A JP2018548190 A JP 2018548190A JP 2018548190 A JP2018548190 A JP 2018548190A JP 2019515322 A JP2019515322 A JP 2019515322A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- membrane
- metal
- layer
- base layer
- capping layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000012528 membrane Substances 0.000 title claims abstract description 527
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 title claims abstract description 67
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 285
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 285
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 74
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 55
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000002585 base Substances 0.000 claims description 304
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 82
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 68
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 60
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 claims description 58
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 49
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 46
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 41
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims description 27
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 27
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 26
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 26
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 26
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 25
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 24
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 23
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 23
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 22
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 22
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 22
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 20
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 19
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 claims description 18
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910006249 ZrSi Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 14
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 13
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 11
- 229910003455 mixed metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 9
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 8
- 229910018251 LaSi 2 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims description 7
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 7
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 7
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 6
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 6
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 4
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 4
- 230000008093 supporting effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910003369 La0.67Sr0.33MnO3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004121 SrRuO Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910003114 SrVO Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 737
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 43
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 25
- 230000008569 process Effects 0.000 description 25
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 22
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 22
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 17
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 17
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 14
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 14
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 14
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 13
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 10
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 9
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 8
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 8
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 7
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910019895 RuSi Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 3
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 Li vapor Substances 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 238000005280 amorphization Methods 0.000 description 2
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 2
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012707 chemical precursor Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000016507 interphase Effects 0.000 description 1
- 238000000869 ion-assisted deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000005445 natural material Substances 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920000314 poly p-methyl styrene Polymers 0.000 description 1
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 1
- 206010063401 primary progressive multiple sclerosis Diseases 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000013341 scale-up Methods 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010421 standard material Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/204—Filters in which spectral selection is performed by means of a conductive grid or array, e.g. frequency selective surfaces
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/208—Filters for use with infrared or ultraviolet radiation, e.g. for separating visible light from infrared and/or ultraviolet radiation
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/28—Interference filters
- G02B5/283—Interference filters designed for the ultraviolet
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
- G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70983—Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask
Abstract
Description
[0001] 本出願は、2016年4月25日に出願された欧州特許出願第16166775.3号及び2016年10月21日に出願された欧州特許出願第16195123.1号及び2016年12月20日に出願された欧州特許出願第16205298.9号の優先権を主張するものであり、これらはすべて参照により全体として本明細書に取り入れられる。
金属がMoであり、上記追加の元素がSiであるか、
金属がRuであり、上記追加の元素がSiであるか、
金属がZrであり、上記追加の元素がSiであるか、
金属がLaであり、上記追加の元素がSiであるか、
金属がScであり、上記追加の元素がSiであるか、
金属がYであり、上記追加の元素がSiであるか、
金属がNbであり、上記追加の元素がSiであるか、
金属がMoであり、上記追加の元素がBであるか、
金属がRuであり、上記追加の元素がBであるか、
金属がZrであり、上記追加の元素がBであるか、
金属がNbであり、上記追加の元素がBであるか、
金属がTiであり、上記追加の元素がBであるか、
金属がLaであり、上記追加の元素がBであるか、又は
金属がZrであり、上記追加の元素がCである、
メンブレンが提供される。
−放射ビームB(例えば、EUV放射)を調整するように構成された照明システム(又はイルミネータ)IL。
−パターニングデバイス(例えば、マスク又はレチクル)MAを支持するように構成され、パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造(例えば、マスクテーブル)MTと、
−基板(例えば、レジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、基板を正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル(例えば、ウェーハテーブル)WTと、
−パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを、基板Wのターゲット部分C(例えば、1つ以上のダイを含む)上に投影するように構成された投影システム(例えば、反射投影システム)PSと、を含む。
[条項1]
EUVリソグラフィ用のメンブレンであって、前記メンブレンが、
第1の金属の酸化物を含む第1のキャッピング層と、
第2の金属とSi、B、C、及びNからなるグループから選択された追加の元素とを含む化合物を含むベース層と、
第3の金属の酸化物を含む第2のキャッピング層であって、前記第1の金属が前記第2の金属とは異なり、前記第3の金属が前記第1の金属と同じであるか又はそれとは異なる第2のキャッピング層と、
という順序で複数層を有するスタックを含む、メンブレン。
[条項2]
前記ベース層が前記第1のキャッピング層及び前記第2のキャッピング層のいずれか一方又は両方のそれぞれより少なくとも5倍厚い、条項1に記載のメンブレン。
[条項3]
前記第1の金属及び前記第3の金属のいずれか一方又は両方が、Nb、Zr、Ce、Ti、La、Y、及びAlからなるグループから選択される、条項1から2のいずれかに記載のメンブレン。
[条項4]
前記第1の金属及び前記第3の金属のいずれか一方又は両方が、Zr及びYからなるグループから選択される、条項3に記載のメンブレン。
[条項5]
前記ベース層の前記化合物において、
前記第2の金属がMoであり、前記追加の元素がSiであるか、
前記第2の金属がRuであり、前記追加の元素がSiであるか、
前記第2の金属がZrであり、前記追加の元素がSiであるか、
前記第2の金属がLaであり、前記追加の元素がSiであるか、
前記第2の金属がScであり、前記追加の元素がSiであるか、
前記第2の金属がYであり、前記追加の元素がSiであるか、
前記第2の金属がNbであり、前記追加の元素がSiであるか、
前記第2の金属がMoであり、前記追加の元素がBであるか、
前記第2の金属がRuであり、前記追加の元素がBであるか、
前記第2の金属がZrであり、前記追加の元素がBであるか、
前記第2の金属がNbであり、前記追加の元素がBであるか、
前記第2の金属がTiであり、前記追加の元素がBであるか、
前記第2の金属がLaであり、前記追加の元素がBであるか、又は
前記第2の金属がZrであり、前記追加の元素がCである、条項1から4のいずれかに記載のメンブレン。
[条項6]
前記ベース層の前記化合物において、
前記第2の金属がMoであり、前記追加の元素がSiであるか、又は
前記第2の金属がRuであり、前記追加の元素がSiである、条項5に記載のメンブレン。
[条項7]
前記ベース層の前記化合物において、
前記第2の金属がMoであり、前記追加の元素がBであるか、又は
前記第2の金属がRuであり、前記追加の元素がBである、条項5に記載のメンブレン。
[条項8]
前記ベース層において、前記第2の金属と前記追加の元素とを含む前記化合物が、前記第2の金属及び前記追加の元素からなる、条項1から7のいずれかに記載のメンブレン。
[条項9]
前記第1の金属がZrであり、
前記第2の金属がMoであり、前記追加の元素がSiであり、
前記第3の金属がZrである、条項1から8のいずれかに記載のメンブレン。
[条項10]
前記第1の金属の前記酸化物が、前記第1の金属と1つ以上の更なる金属とを含む混合金属酸化物であるか、
前記第3の金属の前記酸化物が、前記第2の金属と1つ以上の更なる金属とを含む混合金属酸化物であるか、又は
前記第1の金属の前記酸化物が、前記第1の金属と1つ以上の更なる金属とを含む混合金属酸化物であり、前記第3の金属の前記酸化物が、前記第3の金属と1つ以上の更なる金属とを含む混合金属酸化物である、条項1から9のいずれかに記載のメンブレン。
[条項11]
前記ベース層が複数のベース層サブレイヤを含み、前記ベース層サブレイヤのうちの少なくとも1つが前記第2の金属と前記追加の元素とを含む前記化合物を含む、条項1から10のいずれかに記載のメンブレン。
[条項12]
前記ベース層がベース層第1サブレイヤとベース層第2サブレイヤとベース層第3サブレイヤとを含み、
前記ベース層第2サブレイヤが前記ベース層第1サブレイヤと前記ベース層第3サブレイヤとの間に配置され、前記第2の金属と前記追加の元素とを含む前記化合物を含み、
前記ベース層第1サブレイヤが前記追加の元素の酸化物を含み、
前記ベース層第3サブレイヤが前記追加の元素の酸化物を含む、条項11に記載のメンブレン。
[条項13]
前記ベース層第1サブレイヤの少なくとも一部分が前記第1のキャッピング層内の前記第1の金属の前記酸化物と接触している、条項12に記載のメンブレン。
[条項14]
前記ベース層第3サブレイヤの少なくとも一部分が前記第2のキャッピング層内の前記第3の金属の前記酸化物と接触している、条項12又は13に記載のメンブレン。
[条項15]
前記ベース層において前記第2の金属と前記追加の元素とを含む前記化合物の少なくとも一部分が、前記第1のキャッピング層内の前記第1の金属の前記酸化物及び前記第2のキャッピング層内の前記第3の金属の前記酸化物のいずれか一方又は両方と接触している、条項1から10のいずれかに記載のメンブレン。
[条項16]
前記第1のキャッピング層が第1のキャッピング層第1サブレイヤと第1のキャッピング層第2サブレイヤとを含み、前記第1のキャッピング層第1サブレイヤが前記第1の金属の前記酸化物を含み、前記第1のキャッピング層第2サブレイヤが第1のキャッピング層溶着酸化物を含み、前記第1のキャッピング層第2サブレイヤが前記第1のキャッピング層第1サブレイヤと前記ベース層との間に位置決めされる、条項1から12のいずれかに記載のメンブレン。
[条項17]
前記第1のキャッピング層溶着酸化物がシリコンの酸化物を含む、条項16に記載のメンブレン。
[条項18]
前記第2のキャッピング層が第2のキャッピング層第1サブレイヤと第2のキャッピング層第2サブレイヤとを含み、前記第2のキャッピング層第1サブレイヤが前記第3の金属の前記酸化物を含み、前記第2のキャッピング層第2サブレイヤが第2のキャッピング層溶着酸化物を含み、前記第2のキャッピング層第2サブレイヤが前記第2のキャッピング層第1サブレイヤと前記ベース層との間に位置決めされる、条項1から12、16、及び17のいずれかに記載のメンブレン。
[条項19]
前記第2のキャッピング層溶着酸化物がシリコンの酸化物を含む、条項18に記載のメンブレン。
[条項20]
前記第1のキャッピング層及び前記第2のキャッピング層のそれぞれが5nmより小さい厚さを有する、条項1から19のいずれかに記載のメンブレン。
[条項21]
前記ベース層が8nmと等しいか又はそれより大きい厚さを有する、条項1から20のいずれかに記載のメンブレン。
[条項22]
前記ベース層の前記厚さが、前記第1のキャッピング層及び前記第2のキャッピング層からのEUV反射間の弱め合う干渉を達成するように選択される、条項21に記載のメンブレン。
[条項23]
前記ベース層が、9+/−2nm又は16nm+/−2nmの厚さを有する、条項21又は22に記載のメンブレン。
[条項24]
前記第1のキャッピング層及び前記第2のキャッピング層のいずれか一方又は両方が前記メンブレンの外面の少なくとも一部を形成する、条項1から23のいずれかに記載のメンブレン。
[条項25]
前記第1の金属の前記酸化物及び前記第3の金属の前記酸化物が酸素伝導酸化物である、条項1から24のいずれかに記載のメンブレン。
[条項26]
EUVリソグラフィ用のメンブレンであって、
前記メンブレンが、金属と追加の元素とを含む化合物を含むメンブレン層を含み、
前記メンブレンの両方の外面の少なくとも一部が前記化合物又は前記追加の元素の酸化物によって形成され、前記メンブレン層において、
前記金属がMoであり、前記追加の元素がSiであるか、
前記金属がRuであり、前記追加の元素がSiであるか、
前記金属がZrであり、前記追加の元素がSiであるか、
前記金属がLaであり、前記追加の元素がSiであるか、
前記金属がScであり、前記追加の元素がSiであるか、
前記金属がYであり、前記追加の元素がSiであるか、
前記金属がNbであり、前記追加の元素がSiであるか、
前記金属がMoであり、前記追加の元素がBであるか、
前記金属がRuであり、前記追加の元素がBであるか、
前記金属がZrであり、前記追加の元素がBであるか、
前記金属がNbであり、前記追加の元素がBであるか、
前記金属がTiであり、前記追加の元素がBであるか、
前記金属がLaであり、前記追加の元素がBであるか、又は
前記金属がZrであり、前記追加の元素がCである、メンブレン。
[条項27]
前記メンブレン層が8nmと等しいか又はそれより大きい厚さを有する、条項26に記載のメンブレン。
[条項28]
前記メンブレン層の前記厚さが、前記メンブレン層の両側の境界面からのEUV反射間の弱め合う干渉を達成するように選択される、条項27に記載のメンブレン。
[条項29]
前記メンブレン層が、9nm+/−2nm又は16nm+/−2nmの厚さを有する、条項27又は28に記載のメンブレン。
[条項30]
前記金属がMoであり、前記追加の元素がSiであるか、又は
前記金属がRuであり、前記追加の元素がSiである、条項26から29のいずれかに記載のメンブレン。
[条項31]
前記金属がMoであり、前記追加の元素がBであるか、又は
前記金属がRuであり、前記追加の元素がBである、条項26から29のいずれかに記載のメンブレン。
[条項32]
波長λを有するEUV放射を使用するEUVリソグラフィ用のメンブレンであって、前記メンブレンが、
第1の保護キャッピング層と、
λ/2の厚さを有する第1の放射率層と、
λ/4の厚さを有する第1のバリア層と、
ベース層と、
という順序で複数層のスタックを含み、前記第1の保護キャッピング層が前記第1の放射率層の屈折率及び前記第1のバリア層の屈折率と整合させた屈折率を有し、前記複数層の前記厚さが、前記メンブレンの両側の境界面からのEUV反射間の弱め合う干渉を達成するように選択される、メンブレン。
[条項33]
第2の保護キャッピング層と、
λ/2の厚さを有する第2の放射率層と、
λ/4の厚さを有する第2のバリア層と、
をさらに含み、前記第2の保護キャッピング層が前記第2の放射率層の屈折率及び前記第2のバリア層の屈折率と整合させた屈折率を有する、条項32に記載のメンブレン。
[条項34]
EUVリソグラフィ用のメンブレンを製造する方法であって、
ベース層を設けることと、
放射率層を設けることであって、前記放射率層が前記ベース層より赤外線中でより高い放射率を有することと、
を含み、
前記放射率層が不規則支持表面上に設けられ、
前記放射率層が、前記不規則支持表面の不規則性が前記不規則支持表面とは反対側の前記放射率層の表面において対応する不規則性を発生するような厚さを有する、方法。
[条項35]
前記不規則支持表面が多結晶材料の異方性エッチングによって形成される、条項34に記載の方法。
[条項36]
前記不規則支持表面におけるクリスタリット面の、前記メンブレンの法線に対する平均角度が85%未満である、条項34又は35に記載の方法。
[条項37]
前記ベース層がポリシリコンを含む、条項34から36のいずれかに記載の方法。
[条項38]
前記放射率層が、Ru、Mo、Zr、及びNbのうちの1つ以上を含む、条項34から37のいずれかに記載の方法。
[条項39]
前記放射率層の前記表面の不規則性が、ピーク対トラフの高さの差の平均が少なくとも2nmになるようなものである、条項34から38のいずれかに記載の方法。
[条項40]
EUVリソグラフィ用のメンブレンを製造する方法であって、
マスクを使用して、エッチングすべき支持構造内の領域を規定することと、
前記規定された領域にエッチングすることと、
を含み、
前記マスクが複数の直線セクションを含むマスク境界線によって規定された形状を有し、
各対の直接隣接する直線セクション間の内角が90度より大きい、方法。
[条項41]
条項34から40のいずれかに記載された方法を使用して製造されたメンブレン。
[条項42]
自立部分を含むEUVリソグラフィ用のメンブレンであって、
前記自立部分の形状が複数の実質的直線セクションを含む自立部分境界線によって規定され、
各対の直接隣接する直線セクション間の内角が90度より大きい、メンブレン。
[条項43]
EUVリソグラフィ用のメンブレンであって、前記メンブレンが、
ベース層と、
キャッピング層であって、Moと少なくとも1つの他の金属との合金を含むキャッピング層と、
を含む、メンブレン。
[条項44]
前記少なくとも1つの他の金属が、Ta、Ti、Cr、Ni、及びNbのうちの1つ以上を含む、条項43に記載のメンブレン。
[条項45]
EUVリソグラフィ用のメンブレンであって、前記メンブレンが、
ベース層と、
キャッピング層であって、ホウケイ酸ガラスを含むキャッピング層と、
を含む、メンブレン。
[条項46]
前記ホウケイ酸ガラスが、前記ベース層の自然酸化物の代わりに形成されるか、前記ベース層の自然酸化物を前記ホウケイ酸ガラスに転換することによって形成されるか、あるいは前記ベース層の自然酸化物を覆うように形成される、条項45に記載のメンブレン。
[条項47]
EUVリソグラフィ用のメンブレンであって、前記メンブレンが、
YSi2、ZrSi2、LaSi2、及びNbSi2のうちの1つ以上を含むベース層
を含む、メンブレン。
[条項48]
キャッピング層第1サブレイヤとキャッピング層第2サブレイヤとを含むキャッピング層をさらに含み、
前記キャッピング層第1サブレイヤが前記ベース層と接触し、前記キャッピング層第2サブレイヤが前記ベース層とは反対側の前記キャッピング層第1サブレイヤの一方の側に位置決めされ、
前記キャッピング層第1サブレイヤがMoSi2又はSiを含む、条項47に記載のメンブレン。
[条項49]
前記キャッピング層第2サブレイヤがBを含む、条項48に記載のメンブレン。
[条項50]
前記ベース層の前記厚さが、前記ベース層の両側の境界面からのEUV反射間の弱め合う干渉を達成するように選択される、条項42から49のいずれかに記載のメンブレン。
[条項51]
前記ベース層の前記厚さが、9nm+/−2nm、16nm+/−2nm、22+/−2nm、及び29+/−2nmのうちの1つである、条項42から50のいずれかに記載のメンブレン。
[条項52]
EUVリソグラフィ用のメンブレンを製造する方法であって、
ベース層又はベース層を含むスタックを設けることと、
前記ベース層又は前記スタック上に非晶質キャッピング層を形成することと、
を含む、方法。
[条項53]
前記非晶質キャッピング層を形成することが、少なくとも2種類の異なる金属を同時に付着させて合金を形成することを含む、条項52に記載の方法。
[条項54]
前記非晶質キャッピング層を形成することが、第1のガス及び第2のガスの存在下で前記非晶質キャッピング層を付着させることを含み、前記第2のガスの存在が、前記第1のガスのみの存在下で実行された同じ付着プロセスと比較して前記非晶質キャッピング層の結晶化を抑止する、条項52又は53に記載の方法。
[条項55]
前記非晶質キャッピング層を形成することが、前記ベース層又はスタックが室温未満の温度に保持されている間に実行される、条項52から54のいずれかに記載の方法。
[条項56]
EUVリソグラフィ用のメンブレンであって、前記メンブレンが、
ベース層と、
前記メンブレンの外面を提供する非晶質キャッピング層と、
を含む、メンブレン。
[条項57]
前記非晶質キャッピング層が金属性である、条項56に記載のメンブレン。
[条項58]
前記非晶質キャッピング層が合金を含む、条項56又は57に記載のメンブレン。
[条項59]
前記合金が、Ru、Mo、B、C、Cr、Ir、Nb、Pd、Pt、Re、Rh、Ti、V、Yのうちの1つ以上、好ましくは、1)Ruと、Rh、Pd、Pt、Y、B、Ti、C、及びPのうちの1つ以上、2)Moと、B、Ta、Nb、Cr、及びRuのうちの1つ以上のうちの一方又は両方を含む、条項58に記載のメンブレン。
[条項60]
前記合金が、BがドープされたRu、PがドープされたRu、又はMo(1−x−y)RuxByを含む、条項59に記載のメンブレン。
[条項61]
EUVリソグラフィ用のメンブレンであって、前記メンブレンが、
ベース層と、
前記メンブレンの外面を提供するキャッピング層であって、少なくとも20%の割合のsp3炭素を有する炭素を含むキャッピング層と、
を含む、メンブレン。
[条項62]
前記ベース層が、前記キャッピング層の炭素中のsp3炭素の割合より低いsp3炭素の割合を有する炭素を含む、条項61に記載のメンブレン。
[条項63]
EUVリソグラフィ用のメンブレンであって、前記メンブレンが、
ベース層と、
前記メンブレンの外面を提供するキャッピング層であって、アルカリ金属又はアルカリ土類金属がドープされた遷移金属を含むキャッピング層と、
を含む、メンブレン。
[条項64]
EUVリソグラフィ用のメンブレンであって、前記メンブレンが、
ベース層と、
前記メンブレンの外面を提供するキャッピング層であって、M1xM2yOzを含み、M1が1つ以上のアルカリ金属及び/又は1つ以上のアルカリ土類金属を含み、M2が遷移金属、任意選択で希土類金属を含むキャッピング層と、
を含む、メンブレン。
[条項65]
前記キャッピング層が、SrRuO3、SrVO3、CaVO3、La0.67Sr0.33MnO3のうちの1つ以上を含む、条項64に記載のメンブレン。
[条項66]
EUVリソグラフィ用のメンブレンを製造する方法であって、
支持構造上に少なくとも1つのベース層を形成することと、
前記ベース層を含む自立メンブレンを形成するために前記ベース層の下の選択された領域内の前記支持構造にエッチングすることと、
を含み、
前記支持構造と前記ベース層との熱膨張係数の差がシリコンと前記ベース層との熱膨張係数の差より小さい、方法。
[条項67]
前記ベース層がMoSi2、ZrSi2、B、及びB4Cのうちの1つ以上を含み、前記支持構造がサファイアを含むか、又は
前記ベース層がsp2炭素を含み、前記支持構造がクォーツを含む、条項66に記載の方法。
[条項68]
自立部分を含むEUVリソグラフィ用のメンブレンであって、
前記自立部分がベース層を含み、支持構造によって支持された非自立部分に接続され、前記支持構造と前記ベース層との熱膨張係数の差がシリコンと前記ベース層との熱膨張係数の差より小さい、メンブレン。
[条項69]
条項52から55及び66から67のいずれかに記載の方法を使用して製造されたメンブレン。
[条項70]
条項1から33、41から51、56から65、及び68から69のいずれかに記載のメンブレンを含む、EUVリソグラフィ用のパターニングデバイスアセンブリ。
[条項71]
条項1から33、41から51、56から65、及び68から69に記載のメンブレンを含む、EUVリソグラフィ用の動的ガスロックアセンブリ。
[条項72]
EUVリソグラフィ用のメンブレンを浄化するためのクリーニングツールであって、
層流の方向が前記メンブレンの外面と平行になるようにチャンバを通って層流ガスフローを提供するための入口開口部と排出開口部とを含むチャンバと、
前記チャンバ内で前記メンブレンを保持するように配置されたインターフェイスプレートと、
前記インターフェイスプレートに結合され、汚染粒子が前記メンブレンの前記外面から解放されるように前記メンブレンを振動させるように配置された振動ステージと、
を含む、クリーニングツール。
[条項73]
EUVリソグラフィ用のメンブレンを浄化するためのクリーニングツールであって、
層流の方向が前記メンブレンの外面と平行になるようにチャンバを通って層流ガスフローを提供するための入口開口部と排出開口部とを含むチャンバと、
前記チャンバ内で前記メンブレンを保持するように配置されたインターフェイスプレートと、
前記メンブレンの前に配置され、汚染粒子が前記メンブレンの前記外面から解放されるように音波で前記メンブレンを振動させるように配置された音響スピーカと、
を含む、クリーニングツール。
[条項74]
インスペクションカメラと光源とをさらに含む、条項72又は73に記載のクリーニングツール。
[条項75]
前記メンブレンが垂直位置にあり、前記層流が前記クリーニングツールから前記汚染粒子を除去するように前記チャンバの前記入口開口部及び前記排出開口部が配置される、条項72から74に記載のクリーニングツール。
Claims (75)
- EUVリソグラフィ用のメンブレンであって、前記メンブレンが、
第1の金属の酸化物を含む第1のキャッピング層と、
第2の金属とSi、B、C、及びNからなるグループから選択された追加の元素とを含む化合物を含むベース層と、
第3の金属の酸化物を含む第2のキャッピング層であって、前記第1の金属が前記第2の金属とは異なり、前記第3の金属が前記第1の金属と同じであるか又はそれとは異なる第2のキャッピング層と、
という順序で複数層を有するスタックを含む、メンブレン。 - 前記ベース層が前記第1のキャッピング層及び前記第2のキャッピング層のいずれか一方又は両方のそれぞれより少なくとも5倍厚い、請求項1に記載のメンブレン。
- 前記第1の金属及び前記第3の金属のいずれか一方又は両方が、Nb、Zr、Ce、Ti、La、Y、及びAlからなるグループから選択される、請求項1から2のいずれかに記載のメンブレン。
- 前記第1の金属及び前記第3の金属のいずれか一方又は両方が、Zr及びYからなるグループから選択される、請求項3に記載のメンブレン。
- 前記ベース層の前記化合物において、
前記第2の金属がMoであり、前記追加の元素がSiであるか、
前記第2の金属がRuであり、前記追加の元素がSiであるか、
前記第2の金属がZrであり、前記追加の元素がSiであるか、
前記第2の金属がLaであり、前記追加の元素がSiであるか、
前記第2の金属がScであり、前記追加の元素がSiであるか、
前記第2の金属がYであり、前記追加の元素がSiであるか、
前記第2の金属がNbであり、前記追加の元素がSiであるか、
前記第2の金属がMoであり、前記追加の元素がBであるか、
前記第2の金属がRuであり、前記追加の元素がBであるか、
前記第2の金属がZrであり、前記追加の元素がBであるか、
前記第2の金属がNbであり、前記追加の元素がBであるか、
前記第2の金属がTiであり、前記追加の元素がBであるか、
前記第2の金属がLaであり、前記追加の元素がBであるか、又は
前記第2の金属がZrであり、前記追加の元素がCである、請求項1から4のいずれかに記載のメンブレン。 - 前記ベース層の前記化合物において、
前記第2の金属がMoであり、前記追加の元素がSiであるか、又は
前記第2の金属がRuであり、前記追加の元素がSiである、請求項5に記載のメンブレン。 - 前記ベース層の前記化合物において、
前記第2の金属がMoであり、前記追加の元素がBであるか、又は
前記第2の金属がRuであり、前記追加の元素がBである、請求項5に記載のメンブレン。 - 前記ベース層において、前記第2の金属と前記追加の元素とを含む前記化合物が、前記第2の金属及び前記追加の元素からなる、請求項1から7のいずれかに記載のメンブレン。
- 前記第1の金属がZrであり、
前記第2の金属がMoであり、前記追加の元素がSiであり、
前記第3の金属がZrである、請求項1から8のいずれかに記載のメンブレン。 - 前記第1の金属の前記酸化物が、前記第1の金属と1つ以上の更なる金属とを含む混合金属酸化物であるか、
前記第3の金属の前記酸化物が、前記第2の金属と1つ以上の更なる金属とを含む混合金属酸化物であるか、又は
前記第1の金属の前記酸化物が、前記第1の金属と1つ以上の更なる金属とを含む混合金属酸化物であり、前記第3の金属の前記酸化物が、前記第3の金属と1つ以上の更なる金属とを含む混合金属酸化物である、請求項1から9のいずれかに記載のメンブレン。 - 前記ベース層が複数のベース層サブレイヤを含み、前記ベース層サブレイヤのうちの少なくとも1つが前記第2の金属と前記追加の元素とを含む前記化合物を含む、請求項1から10のいずれかに記載のメンブレン。
- 前記ベース層がベース層第1サブレイヤとベース層第2サブレイヤとベース層第3サブレイヤとを含み、
前記ベース層第2サブレイヤが前記ベース層第1サブレイヤと前記ベース層第3サブレイヤとの間に配置され、前記第2の金属と前記追加の元素とを含む前記化合物を含み、
前記ベース層第1サブレイヤが前記追加の元素の酸化物を含み、
前記ベース層第3サブレイヤが前記追加の元素の酸化物を含む、請求項11に記載のメンブレン。 - 前記ベース層第1サブレイヤの少なくとも一部分が前記第1のキャッピング層内の前記第1の金属の前記酸化物と接触している、請求項12に記載のメンブレン。
- 前記ベース層第3サブレイヤの少なくとも一部分が前記第2のキャッピング層内の前記第3の金属の前記酸化物と接触している、請求項12又は13に記載のメンブレン。
- 前記ベース層において前記第2の金属と前記追加の元素とを含む前記化合物の少なくとも一部分が、前記第1のキャッピング層内の前記第1の金属の前記酸化物及び前記第2のキャッピング層内の前記第3の金属の前記酸化物のいずれか一方又は両方と接触している、請求項1から10のいずれかに記載のメンブレン。
- 前記第1のキャッピング層が第1のキャッピング層第1サブレイヤと第1のキャッピング層第2サブレイヤとを含み、前記第1のキャッピング層第1サブレイヤが前記第1の金属の前記酸化物を含み、前記第1のキャッピング層第2サブレイヤが第1のキャッピング層溶着酸化物を含み、前記第1のキャッピング層第2サブレイヤが前記第1のキャッピング層第1サブレイヤと前記ベース層との間に位置決めされる、請求項1から12のいずれかに記載のメンブレン。
- 前記第1のキャッピング層溶着酸化物がシリコンの酸化物を含む、請求項16に記載のメンブレン。
- 前記第2のキャッピング層が第2のキャッピング層第1サブレイヤと第2のキャッピング層第2サブレイヤとを含み、前記第2のキャッピング層第1サブレイヤが前記第3の金属の前記酸化物を含み、前記第2のキャッピング層第2サブレイヤが第2のキャッピング層溶着酸化物を含み、前記第2のキャッピング層第2サブレイヤが前記第2のキャッピング層第1サブレイヤと前記ベース層との間に位置決めされる、請求項1から12、16、及び17のいずれかに記載のメンブレン。
- 前記第2のキャッピング層溶着酸化物がシリコンの酸化物を含む、請求項18に記載のメンブレン。
- 前記第1のキャッピング層及び前記第2のキャッピング層のそれぞれが5nmより小さい厚さを有する、請求項1から19のいずれかに記載のメンブレン。
- 前記ベース層が8nmと等しいか又はそれより大きい厚さを有する、請求項1から20のいずれかに記載のメンブレン。
- 前記ベース層の前記厚さが、前記第1のキャッピング層及び前記第2のキャッピング層からのEUV反射間の弱め合う干渉を達成するように選択される、請求項21に記載のメンブレン。
- 前記ベース層が、9+/−2nm又は16nm+/−2nmの厚さを有する、請求項21又は22に記載のメンブレン。
- 前記第1のキャッピング層及び前記第2のキャッピング層のいずれか一方又は両方が前記メンブレンの外面の少なくとも一部を形成する、請求項1から23のいずれかに記載のメンブレン。
- 前記第1の金属の前記酸化物及び前記第3の金属の前記酸化物が酸素伝導酸化物である、請求項1から24のいずれかに記載のメンブレン。
- EUVリソグラフィ用のメンブレンであって、
前記メンブレンが、金属と追加の元素とを含む化合物を含むメンブレン層を含み、
前記メンブレンの両方の外面の少なくとも一部が前記化合物又は前記追加の元素の酸化物によって形成され、前記メンブレン層において、
前記金属がMoであり、前記追加の元素がSiであるか、
前記金属がRuであり、前記追加の元素がSiであるか、
前記金属がZrであり、前記追加の元素がSiであるか、
前記金属がLaであり、前記追加の元素がSiであるか、
前記金属がScであり、前記追加の元素がSiであるか、
前記金属がYであり、前記追加の元素がSiであるか、
前記金属がNbであり、前記追加の元素がSiであるか、
前記金属がMoであり、前記追加の元素がBであるか、
前記金属がRuであり、前記追加の元素がBであるか、
前記金属がZrであり、前記追加の元素がBであるか、
前記金属がNbであり、前記追加の元素がBであるか、
前記金属がTiであり、前記追加の元素がBであるか、
前記金属がLaであり、前記追加の元素がBであるか、又は
前記金属がZrであり、前記追加の元素がCである、メンブレン。 - 前記メンブレン層が8nmと等しいか又はそれより大きい厚さを有する、請求項26に記載のメンブレン。
- 前記メンブレン層の前記厚さが、前記メンブレン層の両側の境界面からのEUV反射間の弱め合う干渉を達成するように選択される、請求項27に記載のメンブレン。
- 前記メンブレン層が、9nm+/−2nm又は16nm+/−2nmの厚さを有する、請求項27又は28に記載のメンブレン。
- 前記金属がMoであり、前記追加の元素がSiであるか、又は
前記金属がRuであり、前記追加の元素がSiである、請求項26から29のいずれかに記載のメンブレン。 - 前記金属がMoであり、前記追加の元素がBであるか、又は
前記金属がRuであり、前記追加の元素がBである、請求項26から29のいずれかに記載のメンブレン。 - 波長λを有するEUV放射を使用するEUVリソグラフィ用のメンブレンであって、前記メンブレンが、
第1の保護キャッピング層と、
λ/2の厚さを有する第1の放射率層と、
λ/4の厚さを有する第1のバリア層と、
ベース層と、
という順序で複数層のスタックを含み、前記第1の保護キャッピング層が前記第1の放射率層の屈折率及び前記第1のバリア層の屈折率と整合させた屈折率を有し、前記複数層の前記厚さが、前記メンブレンの両側の境界面からのEUV反射間の弱め合う干渉を達成するように選択される、メンブレン。 - 第2の保護キャッピング層と、
λ/2の厚さを有する第2の放射率層と、
λ/4の厚さを有する第2のバリア層と、
をさらに含み、前記第2の保護キャッピング層が前記第2の放射率層の屈折率及び前記第2のバリア層の屈折率と整合させた屈折率を有する、請求項32に記載のメンブレン。 - EUVリソグラフィ用のメンブレンを製造する方法であって、
ベース層を設けることと、
放射率層を設けることであって、前記放射率層が前記ベース層より赤外線中でより高い放射率を有することと、
を含み、
前記放射率層が不規則支持表面上に設けられ、
前記放射率層が、前記不規則支持表面の不規則性が前記不規則支持表面とは反対側の前記放射率層の表面において対応する不規則性を発生するような厚さを有する、方法。 - 前記不規則支持表面が多結晶材料の異方性エッチングによって形成される、請求項34に記載の方法。
- 前記不規則支持表面におけるクリスタリット面の、前記メンブレンの法線に対する平均角度が85%未満である、請求項34又は35に記載の方法。
- 前記ベース層がポリシリコンを含む、請求項34から36のいずれかに記載の方法。
- 前記放射率層が、Ru、Mo、Zr、及びNbのうちの1つ以上を含む、請求項34から37のいずれかに記載の方法。
- 前記放射率層の前記表面の不規則性が、ピーク対トラフの高さの差の平均が少なくとも2nmになるようなものである、請求項34から38のいずれかに記載の方法。
- EUVリソグラフィ用のメンブレンを製造する方法であって、
マスクを使用して、エッチングすべき支持構造内の領域を規定することと、
前記規定された領域にエッチングすることと、
を含み、
前記マスクが複数の直線セクションを含むマスク境界線によって規定された形状を有し、
各対の直接隣接する直線セクション間の内角が90度より大きい、方法。 - 請求項34から40のいずれかに記載された方法を使用して製造されたメンブレン。
- 自立部分を含むEUVリソグラフィ用のメンブレンであって、
前記自立部分の形状が複数の実質的直線セクションを含む自立部分境界線によって規定され、
各対の直接隣接する直線セクション間の内角が90度より大きい、メンブレン。 - EUVリソグラフィ用のメンブレンであって、前記メンブレンが、
ベース層と、
キャッピング層であって、Moと少なくとも1つの他の金属との合金を含むキャッピング層と、
を含む、メンブレン。 - 前記少なくとも1つの他の金属が、Ta、Ti、Cr、Ni、及びNbのうちの1つ以上を含む、請求項43に記載のメンブレン。
- EUVリソグラフィ用のメンブレンであって、前記メンブレンが、
ベース層と、
キャッピング層であって、ホウケイ酸ガラスを含むキャッピング層と、
を含む、メンブレン。 - 前記ホウケイ酸ガラスが、前記ベース層の自然酸化物の代わりに形成されるか、前記ベース層の自然酸化物を前記ホウケイ酸ガラスに転換することによって形成されるか、あるいは前記ベース層の自然酸化物を覆うように形成される、請求項45に記載のメンブレン。
- EUVリソグラフィ用のメンブレンであって、前記メンブレンが、
YSi2、ZrSi2、LaSi2、及びNbSi2のうちの1つ以上を含むベース層
を含む、メンブレン。 - キャッピング層第1サブレイヤとキャッピング層第2サブレイヤとを含むキャッピング層をさらに含み、
前記キャッピング層第1サブレイヤが前記ベース層と接触し、前記キャッピング層第2サブレイヤが前記ベース層とは反対側の前記キャッピング層第1サブレイヤの一方の側に位置決めされ、
前記キャッピング層第1サブレイヤがMoSi2又はSiを含む、請求項47に記載のメンブレン。 - 前記キャッピング層第2サブレイヤがBを含む、請求項48に記載のメンブレン。
- 前記ベース層の前記厚さが、前記ベース層の両側の境界面からのEUV反射間の弱め合う干渉を達成するように選択される、請求項42から49のいずれかに記載のメンブレン。
- 前記ベース層の前記厚さが、9nm+/−2nm、16nm+/−2nm、22+/−2nm、及び29+/−2nmのうちの1つである、請求項42から50のいずれかに記載のメンブレン。
- EUVリソグラフィ用のメンブレンを製造する方法であって、
ベース層又はベース層を含むスタックを設けることと、
前記ベース層又は前記スタック上に非晶質キャッピング層を形成することと、
を含む、方法。 - 前記非晶質キャッピング層を形成することが、少なくとも2種類の異なる金属を同時に付着させて合金を形成することを含む、請求項52に記載の方法。
- 前記非晶質キャッピング層を形成することが、第1のガス及び第2のガスの存在下で前記非晶質キャッピング層を付着させることを含み、前記第2のガスの存在が、前記第1のガスのみの存在下で実行された同じ付着プロセスと比較して前記非晶質キャッピング層の結晶化を抑止する、請求項52又は53に記載の方法。
- 前記非晶質キャッピング層を形成することが、前記ベース層又はスタックが室温未満の温度に保持されている間に実行される、請求項52から54のいずれかに記載の方法。
- EUVリソグラフィ用のメンブレンであって、前記メンブレンが、
ベース層と、
前記メンブレンの外面を提供する非晶質キャッピング層と、
を含む、メンブレン。 - 前記非晶質キャッピング層が金属性である、請求項56に記載のメンブレン。
- 前記非晶質キャッピング層が合金を含む、請求項56又は57に記載のメンブレン。
- 前記合金が、Ru、Mo、B、C、Cr、Ir、Nb、Pd、Pt、Re、Rh、Ti、V、Yのうちの1つ以上、好ましくは、1)Ruと、Rh、Pd、Pt、Y、B、Ti、C、及びPのうちの1つ以上、2)Moと、B、Ta、Nb、Cr、及びRuのうちの1つ以上のうちの一方又は両方を含む、請求項58に記載のメンブレン。
- 前記合金が、BがドープされたRu、PがドープされたRu、又はMo(1−x−y)RuxByを含む、請求項59に記載のメンブレン。
- EUVリソグラフィ用のメンブレンであって、前記メンブレンが、
ベース層と、
前記メンブレンの外面を提供するキャッピング層であって、少なくとも20%の割合のsp3炭素を有する炭素を含むキャッピング層と、
を含む、メンブレン。 - 前記ベース層が、前記キャッピング層の炭素中のsp3炭素の割合より低いsp3炭素の割合を有する炭素を含む、請求項61に記載のメンブレン。
- EUVリソグラフィ用のメンブレンであって、前記メンブレンが、
ベース層と、
前記メンブレンの外面を提供するキャッピング層であって、アルカリ金属又はアルカリ土類金属がドープされた遷移金属を含むキャッピング層と、
を含む、メンブレン。 - EUVリソグラフィ用のメンブレンであって、前記メンブレンが、
ベース層と、
前記メンブレンの外面を提供するキャッピング層であって、M1xM2yOzを含み、M1が1つ以上のアルカリ金属及び/又は1つ以上のアルカリ土類金属を含み、M2が遷移金属、任意選択で希土類金属を含むキャッピング層と、
を含む、メンブレン。 - 前記キャッピング層が、SrRuO3、SrVO3、CaVO3、La0.67Sr0.33MnO3のうちの1つ以上を含む、請求項64に記載のメンブレン。
- EUVリソグラフィ用のメンブレンを製造する方法であって、
支持構造上に少なくとも1つのベース層を形成することと、
前記ベース層を含む自立メンブレンを形成するために前記ベース層の下の選択された領域内の前記支持構造にエッチングすることと、
を含み、
前記支持構造と前記ベース層との熱膨張係数の差がシリコンと前記ベース層との熱膨張係数の差より小さい、方法。 - 前記ベース層がMoSi2、ZrSi2、B、及びB4Cのうちの1つ以上を含み、前記支持構造がサファイアを含むか、又は
前記ベース層がsp2炭素を含み、前記支持構造がクォーツを含む、請求項66に記載の方法。 - 自立部分を含むEUVリソグラフィ用のメンブレンであって、
前記自立部分がベース層を含み、支持構造によって支持された非自立部分に接続され、前記支持構造と前記ベース層との熱膨張係数の差がシリコンと前記ベース層との熱膨張係数の差より小さい、メンブレン。 - 請求項52から55及び66から67のいずれかに記載の方法を使用して製造されたメンブレン。
- 請求項1から33、41から51、56から65、及び68から69のいずれかに記載のメンブレンを含む、EUVリソグラフィ用のパターニングデバイスアセンブリ。
- 請求項1から33、41から51、56から65、及び68から69に記載のメンブレンを含む、EUVリソグラフィ用の動的ガスロックアセンブリ。
- EUVリソグラフィ用のメンブレンを浄化するためのクリーニングツールであって、
層流の方向が前記メンブレンの外面と平行になるようにチャンバを通って層流ガスフローを提供するための入口開口部と排出開口部とを含むチャンバと、
前記チャンバ内で前記メンブレンを保持するように配置されたインターフェイスプレートと、
前記インターフェイスプレートに結合され、汚染粒子が前記メンブレンの前記外面から解放されるように前記メンブレンを振動させるように配置された振動ステージと、
を含む、クリーニングツール。 - EUVリソグラフィ用のメンブレンを浄化するためのクリーニングツールであって、
層流の方向が前記メンブレンの外面と平行になるようにチャンバを通って層流ガスフローを提供するための入口開口部と排出開口部とを含むチャンバと、
前記チャンバ内で前記メンブレンを保持するように配置されたインターフェイスプレートと、
前記メンブレンの前に配置され、汚染粒子が前記メンブレンの前記外面から解放されるように音波で前記メンブレンを振動させるように配置された音響スピーカと、
を含む、クリーニングツール。 - インスペクションカメラと光源とをさらに含む、請求項72又は73に記載のクリーニングツール。
- 前記メンブレンが垂直位置にあり、前記層流が前記クリーニングツールから前記汚染粒子を除去するように前記チャンバの前記入口開口部及び前記排出開口部が配置される、請求項72から74に記載のクリーニングツール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022003245A JP7126032B2 (ja) | 2016-04-25 | 2022-01-12 | Euvリソグラフィ用のメンブレン |
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP16166775 | 2016-04-25 | ||
EP16166775.3 | 2016-04-25 | ||
EP16195123 | 2016-10-21 | ||
EP16195123.1 | 2016-10-21 | ||
EP16205298 | 2016-12-20 | ||
EP16205298.9 | 2016-12-20 | ||
PCT/EP2017/058721 WO2017186486A1 (en) | 2016-04-25 | 2017-04-12 | A membrane for euv lithography |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022003245A Division JP7126032B2 (ja) | 2016-04-25 | 2022-01-12 | Euvリソグラフィ用のメンブレン |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019515322A true JP2019515322A (ja) | 2019-06-06 |
JP7009380B2 JP7009380B2 (ja) | 2022-01-25 |
Family
ID=58544946
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018548190A Active JP7009380B2 (ja) | 2016-04-25 | 2017-04-12 | Euvリソグラフィ用のメンブレン |
JP2022003245A Active JP7126032B2 (ja) | 2016-04-25 | 2022-01-12 | Euvリソグラフィ用のメンブレン |
JP2022129158A Active JP7478778B2 (ja) | 2016-04-25 | 2022-08-15 | Euvリソグラフィ用のメンブレン |
JP2023168399A Pending JP2023165951A (ja) | 2016-04-25 | 2023-09-28 | Euvリソグラフィ用のメンブレン |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022003245A Active JP7126032B2 (ja) | 2016-04-25 | 2022-01-12 | Euvリソグラフィ用のメンブレン |
JP2022129158A Active JP7478778B2 (ja) | 2016-04-25 | 2022-08-15 | Euvリソグラフィ用のメンブレン |
JP2023168399A Pending JP2023165951A (ja) | 2016-04-25 | 2023-09-28 | Euvリソグラフィ用のメンブレン |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10908496B2 (ja) |
EP (2) | EP3449312B1 (ja) |
JP (4) | JP7009380B2 (ja) |
KR (3) | KR20230023066A (ja) |
CN (2) | CN114942566A (ja) |
CA (1) | CA3021916A1 (ja) |
NL (4) | NL2018691B1 (ja) |
TW (2) | TWI744316B (ja) |
WO (1) | WO2017186486A1 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021502585A (ja) * | 2017-11-10 | 2021-01-28 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | Euvペリクル |
KR20210016787A (ko) * | 2019-08-05 | 2021-02-17 | 주식회사 에프에스티 | 펠리클 프레임, 이를 포함하는 펠리클, 펠리클 프레임의 제조방법, 펠리클을 포함하는 노광장치 및 펠리클의 제조장치 |
KR20210084381A (ko) * | 2019-10-23 | 2021-07-07 | 주식회사 에프에스티 | 펠리클 프레임과 펠리클 멤브레인 일체형의 euv 펠리클 및 일체형의 euv 펠리클를 포함하는 노광장치 |
JP2022029394A (ja) * | 2020-08-04 | 2022-02-17 | エスアンドエス テック カンパニー リミテッド | 極紫外線リソグラフィ用ペリクル及びその製造方法 |
JP2022162545A (ja) * | 2021-04-12 | 2022-10-24 | コリア エレクトロニクス テクノロジ インスティチュート | イットリウム系基盤の極紫外線露光用ペリクル |
JP2022163710A (ja) * | 2021-04-14 | 2022-10-26 | コリア エレクトロニクス テクノロジ インスティチュート | 極紫外線露光用ペリクル |
JP7462005B1 (ja) | 2022-10-06 | 2024-04-04 | レーザーテック株式会社 | ビームスプリッタ及び光学装置 |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6851017B2 (ja) * | 2016-05-18 | 2021-03-31 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | デバイス及びその製造方法 |
US11143951B2 (en) * | 2018-04-30 | 2021-10-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Pellicle for an EUV lithography mask and a method of manufacturing thereof |
CA3099013A1 (en) | 2018-05-04 | 2019-11-07 | Asml Netherlands B.V. | Pellicle for euv lithography |
WO2019228784A1 (en) * | 2018-05-31 | 2019-12-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US11016383B2 (en) * | 2018-08-31 | 2021-05-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Pellicle for an EUV lithography mask and a method of manufacturing thereof |
US11119403B2 (en) * | 2018-09-12 | 2021-09-14 | Place Exchange, Inc. | Pellicle for flat panel display photomask |
CN113302556A (zh) * | 2018-12-28 | 2021-08-24 | Asml荷兰有限公司 | 用于光刻设备的衬底保持器和制造衬底保持器的方法 |
WO2020207774A1 (en) * | 2019-04-12 | 2020-10-15 | Asml Netherlands B.V. | Pellicle for euv lithography |
EP3764163B1 (en) * | 2019-07-11 | 2023-04-12 | IMEC vzw | An extreme ultraviolet lithography device |
WO2021008856A1 (en) * | 2019-07-16 | 2021-01-21 | Asml Netherlands B.V. | Oxygen-loss resistant top coating for optical elements |
CN115698851A (zh) * | 2020-05-26 | 2023-02-03 | Asml荷兰有限公司 | 用于光刻设备的光学元件和表膜隔膜 |
CN111623141B (zh) * | 2020-06-11 | 2022-04-26 | 江苏阀邦半导体材料科技有限公司 | 一种应用在半导体阀门的金属对金属直接密合结构和处理工艺 |
KR20220062799A (ko) | 2020-11-09 | 2022-05-17 | 한국전자기술연구원 | 극자외선 노광용 펠리클 |
KR102317053B1 (ko) | 2020-12-02 | 2021-10-26 | 한국전자기술연구원 | 그래핀 결함 치유층을 구비하는 극자외선 노광용 펠리클 및 그의 제조 방법 |
KR102375433B1 (ko) | 2020-12-02 | 2022-03-18 | 한국전자기술연구원 | 3성분계의 코어층을 포함하는 극자외선 노광용 펠리클 |
KR102278843B1 (ko) | 2020-12-15 | 2021-07-20 | 한국전자기술연구원 | 다성분계의 코어층을 포함하는 극자외선 노광용 펠리클 |
KR20220092191A (ko) | 2020-12-24 | 2022-07-01 | 한국전자기술연구원 | Euv 노광용 나노박막 광학 시뮬레이션을 위한 방법 및 이를 위한 장치 |
KR102596427B1 (ko) | 2021-01-04 | 2023-10-31 | 한국표준과학연구원 | 오염 입자 차단부와 이를 포함하는 극자외선 노광 장치 |
KR102625228B1 (ko) | 2021-01-04 | 2024-01-15 | 한국표준과학연구원 | 오염 입자 포집부와 이를 포함하는 극자외선 노광 장치 |
KR20220139656A (ko) | 2021-04-08 | 2022-10-17 | 한국전자기술연구원 | 비정질 탄소를 포함하는 극자외선 노광용 펠리클 및 그의 제조 방법 |
KR20220140105A (ko) | 2021-04-09 | 2022-10-18 | 한국전자기술연구원 | 탄화몰리브데넘을 포함하는 극자외선 노광용 펠리클 |
KR20220141374A (ko) | 2021-04-12 | 2022-10-20 | 한국전자기술연구원 | 이트륨화합물을 함유하는 극자외선 노광용 펠리클 |
KR20220142024A (ko) | 2021-04-14 | 2022-10-21 | 한국전자기술연구원 | 극자외선 노광용 펠리클 |
US11815804B2 (en) * | 2021-04-22 | 2023-11-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | EUV mask blank and method of making EUV mask blank |
EP4086702A1 (en) * | 2021-05-03 | 2022-11-09 | ASML Netherlands B.V. | Temperature measurement of optical elements in an optical apparatus |
US20230069583A1 (en) * | 2021-08-27 | 2023-03-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pellicle for an euv lithography mask and a method of manufacturing thereof |
KR20230058783A (ko) | 2021-10-25 | 2023-05-03 | 한국전자기술연구원 | 탄화나이오븀 기반의 극자외선 노광용 펠리클 |
KR20230058782A (ko) | 2021-10-25 | 2023-05-03 | 한국전자기술연구원 | 탄화이트륨 기반의 극자외선 노광용 펠리클 |
KR20230073539A (ko) * | 2021-11-19 | 2023-05-26 | 주식회사 에프에스티 | 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법 |
KR20230077095A (ko) | 2021-11-25 | 2023-06-01 | 한국전자기술연구원 | 금속 탄화물 나노와이어를 이용한 극자외선 노광용 펠리클 |
US20230359116A1 (en) * | 2022-05-06 | 2023-11-09 | Intel Corporation | System and process for cleaning a membrane |
EP4303655A1 (en) * | 2022-07-04 | 2024-01-10 | ASML Netherlands B.V. | A membrane and associated method and apparatus |
WO2023232408A1 (en) * | 2022-05-31 | 2023-12-07 | Asml Netherlands B.V. | A membrane and associated method and apparatus |
KR20230174998A (ko) * | 2022-06-22 | 2023-12-29 | 주식회사 에프에스티 | 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법 |
CN117026190B (zh) * | 2023-08-15 | 2024-02-23 | 同济大学 | 一种抑制极紫外钪基多层膜脆化的制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11109608A (ja) * | 1997-10-01 | 1999-04-23 | Canon Inc | マスク構造体、該マスク構造体を用いた露光方法及び露光装置、該マスク構造体を用いて作製された半導体デバイス、ならびに半導体デバイス製造方法 |
JP2009282298A (ja) * | 2008-05-22 | 2009-12-03 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ペリクルおよびペリクルの製造方法 |
WO2015082214A1 (en) * | 2013-12-05 | 2015-06-11 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus and method for manufacturing a pellicle, and a pellicle |
WO2016001351A1 (en) * | 2014-07-04 | 2016-01-07 | Asml Netherlands B.V. | Membranes for use within a lithographic apparatus and a lithographic apparatus comprising such a membrane |
JP2016021078A (ja) * | 2010-06-25 | 2016-02-04 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置およびリソグラフィ方法 |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5741576A (en) | 1995-09-06 | 1998-04-21 | Inko Industrial Corporation | Optical pellicle with controlled transmission peaks and anti-reflective coatings |
JPH11109603A (ja) | 1997-10-06 | 1999-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスクおよび半導体装置の製造方法 |
US6593041B2 (en) * | 2001-07-31 | 2003-07-15 | Intel Corporation | Damascene extreme ultraviolet lithography (EUVL) photomask and method of making |
US7456932B2 (en) * | 2003-07-25 | 2008-11-25 | Asml Netherlands B.V. | Filter window, lithographic projection apparatus, filter window manufacturing method, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US7723704B2 (en) * | 2006-11-10 | 2010-05-25 | Globalfoundries Inc. | EUV pellicle with increased EUV light transmittance |
US8018578B2 (en) * | 2007-04-19 | 2011-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Pellicle, lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR20090032876A (ko) * | 2007-09-28 | 2009-04-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 리소그래피 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 형성 방법 |
CN102105837B (zh) * | 2008-08-15 | 2014-04-30 | Asml荷兰有限公司 | 反射镜、光刻设备以及器件制造方法 |
JP5394808B2 (ja) | 2009-04-22 | 2014-01-22 | 信越化学工業株式会社 | リソグラフィ用ペリクルおよびその製造方法 |
KR20120101983A (ko) * | 2009-06-30 | 2012-09-17 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 스펙트럼 퓨리티 필터, 리소그래피 장치, 및 스펙트럼 퓨리티 필터를 제조하는 방법 |
EP2539771B1 (en) * | 2010-02-25 | 2017-02-01 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2013539543A (ja) | 2010-06-30 | 2013-10-24 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 空間選択的な複屈折低減を有するフィルムを使用するマスク加工 |
KR20130111524A (ko) * | 2010-07-27 | 2013-10-10 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | Euv 리소그래피용 반사층 형성 기판, 및 euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 |
DE102011005543A1 (de) * | 2011-03-15 | 2012-09-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Korrektur der Oberflächenform eines Spiegels |
WO2013118280A1 (ja) | 2012-02-09 | 2013-08-15 | 株式会社日立製作所 | 機密データ漏えい防止装置および方法 |
WO2013152921A1 (en) | 2012-04-12 | 2013-10-17 | Asml Netherlands B.V. | Pellicle, reticle assembly and lithographic apparatus |
KR102040720B1 (ko) * | 2012-05-21 | 2019-11-05 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 |
WO2014020003A1 (en) | 2012-08-03 | 2014-02-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method of manufacturing a device |
KR101569560B1 (ko) | 2012-10-10 | 2015-11-16 | 주식회사 엘지화학 | 가소제 조성물, 제조 방법 및 내열 수지 조성물 |
US8932785B2 (en) * | 2012-10-16 | 2015-01-13 | Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co. Kg | EUV mask set and methods of manufacturing EUV masks and integrated circuits |
JP2016507763A (ja) * | 2012-12-17 | 2016-03-10 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置のための基板サポート及びリソグラフィ装置 |
WO2014129527A1 (ja) * | 2013-02-22 | 2014-08-28 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 |
US9354508B2 (en) * | 2013-03-12 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Planarized extreme ultraviolet lithography blank, and manufacturing and lithography systems therefor |
JP6382298B2 (ja) | 2013-03-27 | 2018-08-29 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置 |
WO2014188710A1 (ja) * | 2013-05-24 | 2014-11-27 | 三井化学株式会社 | ペリクル、及びこれらを含むeuv露光装置 |
US9606459B2 (en) * | 2014-01-27 | 2017-03-28 | Luxel Corporation | Monolithic EUV transparent membrane and support mesh and method of manufacturing same |
DE102014204171A1 (de) * | 2014-03-06 | 2015-09-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Element und optische Anordnung damit |
KR101680937B1 (ko) * | 2014-04-17 | 2016-11-30 | 한양대학교 산학협력단 | Euv 리소그래피용 펠리클 및 그 제조방법 |
WO2015161934A1 (en) | 2014-04-23 | 2015-10-29 | Asml Netherlands B.V. | A lithographic apparatus, radiation source, and lithographic system |
WO2015178250A1 (ja) | 2014-05-19 | 2015-11-26 | 三井化学株式会社 | ペリクル膜、ペリクル、露光原版、露光装置及び半導体装置の製造方法 |
US9588416B2 (en) * | 2014-06-26 | 2017-03-07 | Columbia University | Methods and apparatus for nanofabrication using a pliable membrane mask |
US9739913B2 (en) * | 2014-07-11 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet capping layer and method of manufacturing and lithography thereof |
CN111458973B (zh) | 2014-11-17 | 2024-02-09 | Asml荷兰有限公司 | 表膜框架附接设备 |
US10712657B2 (en) | 2015-07-17 | 2020-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Method for manufacturing a membrane assembly |
NL2017667A (en) | 2015-11-03 | 2017-05-23 | Asml Netherlands Bv | A method for manufacturing a membrane assembly |
CA3008474A1 (en) | 2015-12-14 | 2017-06-22 | Asml Netherlands B.V. | A membrane for euv lithography |
US10928722B2 (en) | 2015-12-18 | 2021-02-23 | Asml Netherlands B.V. | Method of manufacturing a membrane assembly for EUV lithography, a membrane assembly, a lithographic apparatus, and a device manufacturing method |
-
2017
- 2017-04-12 KR KR1020237004445A patent/KR20230023066A/ko not_active Application Discontinuation
- 2017-04-12 NL NL2018691A patent/NL2018691B1/en active
- 2017-04-12 WO PCT/EP2017/058721 patent/WO2017186486A1/en active Application Filing
- 2017-04-12 KR KR1020187034100A patent/KR102408195B1/ko active IP Right Grant
- 2017-04-12 JP JP2018548190A patent/JP7009380B2/ja active Active
- 2017-04-12 CN CN202210555114.7A patent/CN114942566A/zh active Pending
- 2017-04-12 EP EP17717149.3A patent/EP3449312B1/en active Active
- 2017-04-12 US US16/093,537 patent/US10908496B2/en active Active
- 2017-04-12 EP EP23157200.9A patent/EP4202545A1/en active Pending
- 2017-04-12 CA CA3021916A patent/CA3021916A1/en active Pending
- 2017-04-12 KR KR1020217040924A patent/KR102501192B1/ko active IP Right Grant
- 2017-04-12 CN CN201780025510.6A patent/CN109154771B/zh active Active
- 2017-04-24 TW TW106113642A patent/TWI744316B/zh active
- 2017-04-24 TW TW110135604A patent/TWI789920B/zh active
-
2018
- 2018-03-02 NL NL2020517A patent/NL2020517B1/en active
-
2019
- 2019-02-12 NL NL2022557A patent/NL2022557B1/en active
- 2019-10-17 NL NL2024033A patent/NL2024033B1/en active
-
2020
- 2020-12-22 US US17/130,537 patent/US11762281B2/en active Active
-
2022
- 2022-01-12 JP JP2022003245A patent/JP7126032B2/ja active Active
- 2022-08-15 JP JP2022129158A patent/JP7478778B2/ja active Active
-
2023
- 2023-07-28 US US18/227,833 patent/US20240004283A1/en active Pending
- 2023-09-28 JP JP2023168399A patent/JP2023165951A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11109608A (ja) * | 1997-10-01 | 1999-04-23 | Canon Inc | マスク構造体、該マスク構造体を用いた露光方法及び露光装置、該マスク構造体を用いて作製された半導体デバイス、ならびに半導体デバイス製造方法 |
JP2009282298A (ja) * | 2008-05-22 | 2009-12-03 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ペリクルおよびペリクルの製造方法 |
JP2016021078A (ja) * | 2010-06-25 | 2016-02-04 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置およびリソグラフィ方法 |
WO2015082214A1 (en) * | 2013-12-05 | 2015-06-11 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus and method for manufacturing a pellicle, and a pellicle |
WO2016001351A1 (en) * | 2014-07-04 | 2016-01-07 | Asml Netherlands B.V. | Membranes for use within a lithographic apparatus and a lithographic apparatus comprising such a membrane |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021502585A (ja) * | 2017-11-10 | 2021-01-28 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | Euvペリクル |
JP7258017B2 (ja) | 2017-11-10 | 2023-04-14 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | Euvペリクル |
KR20210016787A (ko) * | 2019-08-05 | 2021-02-17 | 주식회사 에프에스티 | 펠리클 프레임, 이를 포함하는 펠리클, 펠리클 프레임의 제조방법, 펠리클을 포함하는 노광장치 및 펠리클의 제조장치 |
KR102242341B1 (ko) | 2019-08-05 | 2021-04-20 | 주식회사 에프에스티 | 펠리클 프레임의 제조방법 및 펠리클의 제조장치 |
KR20210084381A (ko) * | 2019-10-23 | 2021-07-07 | 주식회사 에프에스티 | 펠리클 프레임과 펠리클 멤브레인 일체형의 euv 펠리클 및 일체형의 euv 펠리클를 포함하는 노광장치 |
KR102375471B1 (ko) | 2019-10-23 | 2022-03-18 | 주식회사 에프에스티 | 펠리클 프레임과 펠리클 멤브레인 일체형의 euv 펠리클 및 일체형의 euv 펠리클를 포함하는 노광장치 |
JP2022029394A (ja) * | 2020-08-04 | 2022-02-17 | エスアンドエス テック カンパニー リミテッド | 極紫外線リソグラフィ用ペリクル及びその製造方法 |
JP2022162545A (ja) * | 2021-04-12 | 2022-10-24 | コリア エレクトロニクス テクノロジ インスティチュート | イットリウム系基盤の極紫外線露光用ペリクル |
JP7386286B2 (ja) | 2021-04-12 | 2023-11-24 | コリア エレクトロニクス テクノロジ インスティチュート | イットリウム系基盤の極紫外線露光用ペリクル |
JP2022163710A (ja) * | 2021-04-14 | 2022-10-26 | コリア エレクトロニクス テクノロジ インスティチュート | 極紫外線露光用ペリクル |
JP7462005B1 (ja) | 2022-10-06 | 2024-04-04 | レーザーテック株式会社 | ビームスプリッタ及び光学装置 |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7126032B2 (ja) | Euvリソグラフィ用のメンブレン | |
JP6830097B2 (ja) | 膜アセンブリを製造する方法 | |
JP7368363B2 (ja) | グラフェンペリクルリソグラフィ装置 | |
TW201502696A (zh) | 防護薄膜組件、含有其的euv曝光裝置、曝光原版以及曝光方法 | |
WO2021018777A1 (en) | Pellicle membrane | |
JP7122367B2 (ja) | 局所熱処理による多層グラフェンペリクルの同時両面コーティング | |
TWI835473B (zh) | 用於euv微影之膜、護膜總成、圖案化器件總成及動態氣鎖總成 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181113 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200408 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210715 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211008 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211215 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220112 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7009380 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |