KR20210156303A - Euv 리소그래피를 위한 멤브레인 - Google Patents
Euv 리소그래피를 위한 멤브레인 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20210156303A KR20210156303A KR1020217040924A KR20217040924A KR20210156303A KR 20210156303 A KR20210156303 A KR 20210156303A KR 1020217040924 A KR1020217040924 A KR 1020217040924A KR 20217040924 A KR20217040924 A KR 20217040924A KR 20210156303 A KR20210156303 A KR 20210156303A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- membrane
- metal
- capping layer
- base layer
- Prior art date
Links
- 239000012528 membrane Substances 0.000 title claims abstract description 361
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 213
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 213
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- 239000002585 base Substances 0.000 claims description 253
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 68
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 claims description 56
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 47
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 22
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 22
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 21
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910006249 ZrSi Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 claims description 15
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 11
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 9
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 8
- 229910018251 LaSi 2 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910019895 RuSi Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910004121 SrRuO Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910003114 SrVO Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- -1 NbSi 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 64
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 37
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 abstract description 25
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 839
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 64
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 description 40
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 30
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 25
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 23
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 22
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 22
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 22
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 22
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 22
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 21
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 16
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 16
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 16
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 14
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 13
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 13
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 10
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 10
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 8
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 229910003455 mixed metal oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 6
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 6
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 5
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 3
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 3
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005280 amorphization Methods 0.000 description 2
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000008093 supporting effect Effects 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012707 chemical precursor Substances 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 210000000887 face Anatomy 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000003642 hunger Nutrition 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000000869 ion-assisted deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000004185 liver Anatomy 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920000314 poly p-methyl styrene Polymers 0.000 description 1
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 1
- 206010063401 primary progressive multiple sclerosis Diseases 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003642 reactive oxygen metabolite Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010421 standard material Substances 0.000 description 1
- 230000037351 starvation Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/204—Filters in which spectral selection is performed by means of a conductive grid or array, e.g. frequency selective surfaces
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/208—Filters for use with infrared or ultraviolet radiation, e.g. for separating visible light from infrared and/or ultraviolet radiation
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/28—Interference filters
- G02B5/283—Interference filters designed for the ultraviolet
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
- G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70983—Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask
Abstract
EUV 리소그래피를 위한 멤브레인들이 개시된다. 일 구성에서, 멤브레인은 다음 순서로 층들: 제 1 금속의 산화물을 포함하는 제 1 캐핑 층; 제 2 금속, 및 Si, B, C 및 N으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 추가적인 원소를 포함한 화합물을 포함하는 베이스 층; 및 제 3 금속의 산화물을 포함하는 제 2 캐핑 층을 갖는 스택을 포함하며, 제 1 금속은 제 2 금속과 상이하고, 제 3 금속은 제 1 금속과 동일하거나 상이하다.
Description
본 출원은 2016년 4월 25일에 출원된 EP 출원 16166775.3 및 2016년 10월 21일에 출원된 EP 출원 16195123.1 및 2016년 12월 20일에 출원된 EP 출원 16205298.9의 우선권을 주장하며, 이들은 모두 본 명세서에서 그 전문이 인용참조된다.
본 발명은 EUV 리소그래피를 위한 멤브레인(membrane), 패터닝 디바이스 조립체 및 동적 가스 락 조립체(dynamic gas lock assembly)에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조 시에 사용될 수 있다. 그 경우, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 다이의 부분, 하나의 다이, 또는 수 개의 다이를 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는, 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다.
리소그래피는 IC들, 및 다른 디바이스들 및/또는 구조체들의 제조 시 핵심 단계들 중 하나로서 폭넓게 인식된다. 하지만, 리소그래피를 이용하여 구성되는 피처(feature)들의 치수들이 더 작아짐에 따라, 리소그래피는 소형 IC 또는 다른 디바이스들 및/또는 구조체들이 제조될 수 있게 하는 데 더 결정적인 인자(critical factor)가 되고 있다.
패턴 프린팅의 한계들의 이론적 추산은 수학식 1에 나타낸 바와 같은 분해능에 대한 레일리 기준(Rayleigh criterion)에 의해 설명될 수 있다:
이때, λ는 사용되는 방사선의 파장이고, NA는 패턴을 프린트하는 데 사용되는 투영 시스템의 개구수(numerical aperture)이며, k1은 레일리 상수라고도 칭하는 공정-의존성 조정 인자(process-dependent adjustment factor)이고, CD는 프린트된 피처의 피처 크기(또는 임계 치수)이다. 수학식 1에 따르면, 피처들의 프린트가능한 최소 크기의 감소는 세 가지 방식으로: 즉, 노광 파장 λ를 단축함으로써, 개구수 NA를 증가시킴으로써, 또는 k1의 값을 감소시킴으로써 얻어질 수 있다.
노광 파장을 단축하고, 이에 따라 프린트가능한 최소 크기를 감소시키기 위해, 극자외(EUV) 방사선 소스를 사용하는 것이 제안되었다. EUV 방사선은 10 내지 20 nm의 범위, 예를 들어 13 내지 14 nm의 범위 내의 파장을 갖는 전자기 방사선이다. 또한, 예를 들어 6.7 nm 또는 6.8 nm와 같이 5 내지 10 nm의 범위 내에서 10 nm 미만의 파장을 갖는 EUV 방사선이 사용될 수 있다고 제안되었다. 이러한 방사선은 극자외 방사선 또는 연질 x-방사선(soft x-ray radiation)이라고 칭해진다. 가능한 소스들로는, 예를 들어 레이저-생성 플라즈마 소스, 방전 플라즈마 소스, 또는 전자 저장 링에 의해 제공되는 싱크로트론 방사선(synchrotron radiation)에 기초한 소스들을 포함한다.
리소그래피 장치는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클)를 포함한다. 방사선이 패터닝 디바이스를 통해 제공되거나 이로부터 반사되어, 기판 상에 이미지를 형성한다. 공기부유 입자들 및 다른 형태들의 오염으로부터 패터닝 디바이스를 보호하기 위해 멤브레인 조립체가 제공될 수 있다. 패터닝 디바이스를 보호하는 멤브레인 조립체는 펠리클(pellicle)이라고 칭해질 수 있다. 패터닝 디바이스의 표면 상의 오염은 기판의 제조 결함들을 야기할 수 있다. 멤브레인 조립체는 보더(border) 및 보더에 걸쳐 스트레칭(stretch)되는 멤브레인을 포함할 수 있다.
멤브레인이 높은 방사율 및 낮은 결함 가능성의 조합을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 멤브레인이 높은 EUV 투과율을 갖는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, EUV 리소그래피를 위한 멤브레인이 제공되고, 멤브레인은 다음 순서로 층들: 즉, 제 1 금속의 산화물을 포함하는 제 1 캐핑 층(capping layer); 제 2 금속, 및 Si, B, C 및 N으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 추가적인 원소를 포함한 화합물을 포함하는 베이스 층(base layer); 및 제 3 금속의 산화물을 포함하는 제 2 캐핑 층을 갖는 스택을 포함하며, 제 1 금속은 제 2 금속과 상이하고, 제 3 금속은 제 1 금속과 동일하거나 상이하다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, EUV 리소그래피를 위한 멤브레인이 제공되고, 멤브레인은 금속 및 추가적인 원소를 포함한 화합물을 포함하는 멤브레인 층을 포함하며, 멤브레인의 두 외표면들의 적어도 일부분이 화합물 또는 추가적인 원소의 산화물에 의해 형성되고, 멤브레인 층에서:
금속은 Mo이고 상기 추가적인 원소는 Si이며;
금속은 Ru이고 상기 추가적인 원소는 Si이며;
금속은 Zr이고 상기 추가적인 원소는 Si이며;
금속은 La이고 상기 추가적인 원소는 Si이며;
금속은 Sc이고 상기 추가적인 원소는 Si이며;
금속은 Y이고 상기 추가적인 원소는 Si이며;
금속은 Nb이고 상기 추가적인 원소는 Si이며;
금속은 Mo이고 상기 추가적인 원소는 B이며;
금속은 Ru이고 상기 추가적인 원소는 B이며;
금속은 Zr이고 상기 추가적인 원소는 B이며;
금속은 Nb이고 상기 추가적인 원소는 B이며;
금속은 Ti이고 상기 추가적인 원소는 B이며;
금속은 La이고 상기 추가적인 원소는 B이며; 또는
금속은 Zr이고 상기 추가적인 원소는 C이다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, EUV 리소그래피를 위한 멤브레인을 제조하는 방법이 제공되고, 이는: 베이스 층을 제공하는 단계; 및 방사 층(emissivity layer)을 제공하는 단계를 포함하며, 방사 층은 베이스 층보다 적외선에서 더 높은 방사율을 갖고, 방사 층은 불규칙한 지지 표면에 제공되며, 방사 층은 불규칙한 지지 표면의 불규칙이 불규칙한 지지 표면 반대편에 있는 방사 층의 표면에서 대응하는 불규칙을 생성하도록 두께를 갖는다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, EUV 리소그래피를 위한 멤브레인을 제조하는 방법이 제공되고, 이는: 에칭될 지지 구조체 내의 구역을 정의하기 위해 마스크를 이용하는 단계; 및 정의된 구역을 에칭하는 단계를 포함하며, 마스크는 복수의 직선 구간(straight section)들을 포함하는 마스크 경계선에 의해 정의된 형상을 갖고, 각 쌍의 바로 인접한 직선 구간들 사이의 내각은 90 도보다 크다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 자립 부분(freestanding portion)을 포함하는 EUV 리소그래피를 위한 멤브레인이 제공되고, 자립 부분의 형상은 복수의 실질적으로 직선인 구간들을 포함하는 자립 부분 경계선에 의해 정의되며, 각 쌍의 바로 인접한 직선 구간들 사이의 내각은 90 도보다 크다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, EUV 리소그래피를 위한 멤브레인이 제공되고, 멤브레인은: 베이스 층; 및 캐핑 층을 포함하며, 캐핑 층은 Mo와 적어도 하나의 다른 금속의 합금을 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, EUV 리소그래피를 위한 멤브레인이 제공되고, 멤브레인은: 베이스 층; 및 캐핑 층을 포함하며, 캐핑 층은 붕규산 유리를 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, EUV 리소그래피를 위한 멤브레인이 제공되고, 멤브레인은: YSi2, ZrSi2, LaSi2 및 NbSi2 중 1 이상을 포함한 베이스 층을 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 파장(λ)을 갖는 EUV 방사선을 이용하는 EUV 리소그래피를 위한 멤브레인이 제공되고, 멤브레인은 다음 순서로 층들: 즉, 제 1 보호 캐핑 층; λ/2의 두께를 갖는 제 1 방사 층; λ/4의 두께를 갖는 제 1 장벽 층(barrier layer); 베이스 층의 스택을 포함하며, 제 1 보호 캐핑 층은 제 1 방사 층의 굴절귤 및 제 1 장벽 층의 굴절률과 일치하는 굴절률을 갖고, 층들의 두께는 멤브레인의 양측의 계면(interface)들로부터의 EUV 반사들 사이에 상쇄 간섭을 달성하도록 선택된다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, EUV 리소그래피를 위한 멤브레인을 세정하는 세정 툴이 제공되고, 이는 층류의 방향이 멤브레인의 외표면과 평행하도록 챔버를 통해 층류 가스 흐름(laminar gas flow)을 제공하는 유입 개구부 및 배기 개구부를 포함한 챔버; 챔버에서 멤브레인을 유지하도록 배치되는 인터페이스 플레이트(interface plate) 및 인터페이스 플레이트에 커플링되고 멤브레인을 흔들어 오염 입자들이 멤브레인의 외표면으로부터 방출되도록 하는 진동 스테이지(shaking stage)를 포함한다. 대안적으로, 진동 스테이지 대신에 멤브레인 앞의 음향 스피커가 음파로 멤브레인을 흔들도록 배치된다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, EUV 리소그래피를 위한 멤브레인을 제조하는 방법이 제공되고, 이는: 베이스 층 또는 베이스 층을 포함한 스택을 제공하는 단계; 및 베이스 층 또는 스택 상에 비정질 캐핑 층을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, EUV 리소그래피를 위한 멤브레인이 제공되고, 멤브레인은: 베이스 층; 및 멤브레인의 외표면을 제공하는 비정질 캐핑 층을 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, EUV 리소그래피를 위한 멤브레인이 제공되고, 멤브레인은: 베이스 층; 및 멤브레인의 외표면을 제공하는 캐핑 층을 포함하며, 캐핑 층은 적어도 20 %의 sp3 탄소의 비율을 갖는 탄소를 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, EUV 리소그래피를 위한 멤브레인이 제공되고, 멤브레인은: 베이스 층; 및 멤브레인의 외표면을 제공하는 캐핑 층을 포함하며, 캐핑 층은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속으로 도핑된 전이 금속을 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, EUV 리소그래피를 위한 멤브레인이 제공되고, 멤브레인은: 베이스 층; 및 멤브레인의 외표면을 제공하는 캐핑 층을 포함하며, 캐핑 층은 M1xM2yOz를 포함하고, 이때 M1은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속이고, M2는 전이 금속, 선택적으로는 희토류 금속이다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, EUV 리소그래피를 위한 멤브레인을 제조하는 방법이 제공되고, 이는: 지지 구조체 상에 적어도 베이스 층을 형성하는 단계; 및 베이스 층을 포함한 자립 멤브레인을 형성하도록 베이스 층 아래의 선택된 구역에서 지지 구조체를 에칭하는 단계를 포함하며, 지지 구조체와 베이스 층의 열팽창 계수 간의 차이는 실리콘과 베이스 층의 열팽창 계수 간의 차이보다 작다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 자립 부분을 포함하는 EUV 리소그래피를 위한 멤브레인이 제공되고, 자립 부분은 베이스 층을 포함하고 지지 구조체에 의해 지지되는 비-자립 부분에 연결되며, 지지 구조체와 베이스 층의 열팽창 계수 간의 차이는 실리콘과 베이스 층의 열팽창 계수 간의 차이보다 작다.
이하 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다:
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하는 도면;
도 2는 리소그래피 장치의 더 상세한 도면;
도 3 내지 도 8은 본 발명의 상이한 실시예들에 따른 멤브레인들의 개략적인 단면도;
도 9는 다양한 재료들의 파괴 인성 및 항복 강도를 비교하는 그래프;
도 10은 다양한 재료들에 대한 항복 강도의 온도 의존성을 나타내는 그래프;
도 11 내지 도 13은 이론 및 실험에 따라 MoSi2의 상이한 두께들의 파장의 함수로서 투과율, 반사율 및 흡광도를 각각 나타내는 그래프들;
도 14는 1.5 cm 직경의 MoSi2 멤브레인을 통한 EUV 투과의 분포를 나타내는 도면;
도 15는 0.65 W/㎠에서 20 시간 노출된 MoSi2 멤브레인에 대한 파장에 따른 EUV 투과의 변동을 나타내는 도면(멤브레인의 중심 구역과 다른 구역들 사이에는 큰 차이 없음);
도 16은 1.8 W/㎠에서 20 시간 노출된 MoSi2 멤브레인에 대한 파장에 따른 EUV 투과의 변동을 나타내는 도면(점선은 중심 구역에서의 투과를 나타냄);
도 17 내지 도 25는 일 실시예에 따른 멤브레인을 제조하는 예시적인 공정 흐름을 도시하는 도면;
도 26은 폴리실리콘 베이스 층의 이방성 에칭에 의해 형성된 불규칙한 지지 표면 상에 형성되는 방사 층을 갖는 멤브레인의 개략적인 단면도;
도 27 및 도 28은 베이스 층에 추가하여 제공되는 폴리실리콘 층의 이방성 에칭에 의해 형성된 불규칙한 지지 표면 상에 형성되는 방사 층을 갖는 멤브레인을 제조하는 방법에서의 단계들의 개략적인 단면도;
도 29는 멤브레인을 분리하도록 에칭될 구역을 정의하는 데 사용되는 마스크(좌측) 및 멤브레인의 결과적인 자립 부분(우측)의 개략적인 평면도 -마스크 및 자립 부분은 90 도 코너들을 가짐- ;
도 30은 멤브레인을 분리하도록 에칭될 구역을 정의하는 데 사용되는 마스크(좌측) 및 멤브레인의 결과적인 자립 부분(우측)의 개략적인 평면도 -마스크 및 자립 부분은 코너들에서 응력 집중을 감소시키도록 90 도보다 큰 내각들을 갖는 코너들을 가짐- ;
도 31은 베이스 층 및 캐핑 층들을 갖는 멤브레인의 개략적인 단면도 -캐핑 층들은 Mo와 적어도 하나의 다른 금속의 합금을 포함하거나, 붕규산 유리를 포함함- ;
도 32는 베이스 층, MoSi2 또는 Si를 포함한 캐핑 층의 제 1 서브-층들, 및 B를 포함한 캐핑 층의 제 2 서브-층들을 갖는 멤브레인의 개략적인 단면도;
도 33은 본 발명에 따른 멤브레인을 모니터링하고 세정하는 세정 툴을 개략적으로 도시하는 도면;
도 34는 멤브레인을 제조하는 방법에서의 스테이지를 개략적으로 도시하는 도면; 및
도 35는 도 34의 제조 방법에서의 또 다른 스테이지를 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하는 도면;
도 2는 리소그래피 장치의 더 상세한 도면;
도 3 내지 도 8은 본 발명의 상이한 실시예들에 따른 멤브레인들의 개략적인 단면도;
도 9는 다양한 재료들의 파괴 인성 및 항복 강도를 비교하는 그래프;
도 10은 다양한 재료들에 대한 항복 강도의 온도 의존성을 나타내는 그래프;
도 11 내지 도 13은 이론 및 실험에 따라 MoSi2의 상이한 두께들의 파장의 함수로서 투과율, 반사율 및 흡광도를 각각 나타내는 그래프들;
도 14는 1.5 cm 직경의 MoSi2 멤브레인을 통한 EUV 투과의 분포를 나타내는 도면;
도 15는 0.65 W/㎠에서 20 시간 노출된 MoSi2 멤브레인에 대한 파장에 따른 EUV 투과의 변동을 나타내는 도면(멤브레인의 중심 구역과 다른 구역들 사이에는 큰 차이 없음);
도 16은 1.8 W/㎠에서 20 시간 노출된 MoSi2 멤브레인에 대한 파장에 따른 EUV 투과의 변동을 나타내는 도면(점선은 중심 구역에서의 투과를 나타냄);
도 17 내지 도 25는 일 실시예에 따른 멤브레인을 제조하는 예시적인 공정 흐름을 도시하는 도면;
도 26은 폴리실리콘 베이스 층의 이방성 에칭에 의해 형성된 불규칙한 지지 표면 상에 형성되는 방사 층을 갖는 멤브레인의 개략적인 단면도;
도 27 및 도 28은 베이스 층에 추가하여 제공되는 폴리실리콘 층의 이방성 에칭에 의해 형성된 불규칙한 지지 표면 상에 형성되는 방사 층을 갖는 멤브레인을 제조하는 방법에서의 단계들의 개략적인 단면도;
도 29는 멤브레인을 분리하도록 에칭될 구역을 정의하는 데 사용되는 마스크(좌측) 및 멤브레인의 결과적인 자립 부분(우측)의 개략적인 평면도 -마스크 및 자립 부분은 90 도 코너들을 가짐- ;
도 30은 멤브레인을 분리하도록 에칭될 구역을 정의하는 데 사용되는 마스크(좌측) 및 멤브레인의 결과적인 자립 부분(우측)의 개략적인 평면도 -마스크 및 자립 부분은 코너들에서 응력 집중을 감소시키도록 90 도보다 큰 내각들을 갖는 코너들을 가짐- ;
도 31은 베이스 층 및 캐핑 층들을 갖는 멤브레인의 개략적인 단면도 -캐핑 층들은 Mo와 적어도 하나의 다른 금속의 합금을 포함하거나, 붕규산 유리를 포함함- ;
도 32는 베이스 층, MoSi2 또는 Si를 포함한 캐핑 층의 제 1 서브-층들, 및 B를 포함한 캐핑 층의 제 2 서브-층들을 갖는 멤브레인의 개략적인 단면도;
도 33은 본 발명에 따른 멤브레인을 모니터링하고 세정하는 세정 툴을 개략적으로 도시하는 도면;
도 34는 멤브레인을 제조하는 방법에서의 스테이지를 개략적으로 도시하는 도면; 및
도 35는 도 34의 제조 방법에서의 또 다른 스테이지를 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 소스 컬렉터 모듈(SO)을 포함한 리소그래피 장치(100)를 개략적으로 도시한다. 상기 장치(100)는:
- 방사선 빔(B)(예를 들어, EUV 방사선)을 컨디셔닝(condition)하도록 구성되는 조명 시스템(또는 일루미네이터)(IL);
- 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클)(MA)를 지지하도록 구성되고, 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결되는 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT);
- 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결되는 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및
- 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성되는 투영 시스템(예를 들어, 반사 투영 시스템)(PS)을 포함한다.
조명 시스템(IL)은 방사선을 지향, 성형 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 형태의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 형태의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.
지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스(MA)를 유지한다. 지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스(MA)를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체(MT)는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조체(MT)는, 패터닝 디바이스(MA)가 예를 들어 투영 시스템(PS)에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다.
"패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판(W)의 타겟부(C)에 패턴을 생성하기 위해서 방사선 빔(B)의 단면에 패턴을 부여하는 데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔(B)에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부(C)에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스(MA)는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스들의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이 및 프로그램가능한 액정 디스플레이(LCD) 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입들, 및 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
조명 시스템(IL)과 같이 투영 시스템(PS)은, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 타입의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 타입의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다. 다른 가스들은 너무 많은 방사선을 흡수할 수 있기 때문에, EUV 방사선에 대해 진공을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 그러므로, 진공 벽 및 진공 펌프들의 도움으로 전체 빔 경로에 진공 환경이 제공될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 리소그래피 장치(100)는 (예를 들어, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성된다.
리소그래피 장치(100)는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(WT)[및/또는 2 이상의 지지 구조체(MT)]을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 리소그래피 장치에서는 추가 기판 테이블들(WT)[및/또는 추가 지지 구조체들(MT)]이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 기판 테이블(WT)[및/또는 1 이상의 지지 구조체(MT)]이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 기판 테이블(WT)[및/또는 1 이상의 다른 지지 구조체(MT)]에서는 준비작업 단계들이 수행될 수 있다.
도 1을 참조하면, 조명 시스템(IL)은 소스 컬렉터 모듈(SO)로부터 극자외 방사선 빔을 수용한다. EUV 광을 생성하는 방법들은 EUV 범위 내의 1 이상의 방출선을 갖는 적어도 하나의 원소, 예를 들어 크세논, 리튬 또는 주석을 갖는 재료를 플라즈마 상태로 전환하는 단계를 포함하며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 흔히 레이저 생성 플라즈마("LPP")라고 칭하는 이러한 한 방법에서, 요구되는 플라즈마는 요구되는 선-방출 원소를 갖는 재료의 액적(droplet), 스트림, 또는 클러스터(cluster)와 같은 연료를 레이저 빔으로 조사(irradiate)함으로써 생성될 수 있다. 소스 컬렉터 모듈(SO)은 연료를 여기(excite)시키는 레이저 빔을 제공하는 레이저(도 1에 나타내지 않음)를 포함한 EUV 방사선 시스템의 일부분일 수 있다. 결과적인 플라즈마는 출력 방사선(output radiation), 예를 들어 EUV 방사선을 방출하며, 이는 소스 컬렉터 모듈에 배치된 방사선 컬렉터를 이용하여 수집된다. 예를 들어, CO2 레이저가 연료 여기를 위한 레이저 빔을 제공하는 데 사용되는 경우, 상기 레이저 및 소스 컬렉터 모듈(SO)은 별도의 개체일 수 있다.
이러한 경우, 레이저는 리소그래피 장치(100)의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 방사선 빔(B)은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템의 도움으로, 레이저로부터 소스 컬렉터 모듈(SO)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 소스가 흔히 DPP 소스라고 칭하는 방전 생성 플라즈마 EUV 발생기인 경우, 소스는 소스 컬렉터 모듈(SO)의 통합부일 수 있다.
조명 시스템(IL)은 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기를 포함할 수 있다. 일반적으로, 조명 시스템(IL)의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 조명 시스템(IL)은 패싯 필드 및 퓨필 거울 디바이스들(facetted field and pupil mirror devices)과 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 조명 시스템(IL)은 방사선 빔(B)의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔(B)을 컨디셔닝하는 데 사용될 수 있다.
방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스(MA)에 의해 패터닝된다. 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)로부터 반사된 후, 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하며, 이는 기판(W)의 타겟부(C) 상으로 방사선 빔(B)을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(PS2)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더, 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 또 다른 위치 센서(PS1)는 방사선 빔(B)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 정확히 위치시키는 데 사용될 수 있다. 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크들(M1, M2) 및 기판 정렬 마크들(P1, P2)을 이용하여 정렬될 수 있다.
도 2는 소스 컬렉터 모듈(SO), 조명 시스템(IL), 및 투영 시스템(PS)을 포함하여 리소그래피 장치(100)를 더 상세히 나타낸다. EUV 방사선 방출 플라즈마(210)가 플라즈마 소스에 의해 형성될 수 있다. EUV 방사선은 전자기 스펙트럼의 EUV 범위 내의 방사선을 방출하도록 방사선 방출 플라즈마(210)가 생성되는 가스 또는 증기, 예를 들어 Xe 가스, Li 증기 또는 Sn 증기에 의해 생성될 수 있다. 일 실시예에서, 여기된 주석(Sn)의 플라즈마가 EUV 방사선을 생성하기 위해 제공된다.
방사선 방출 플라즈마(210)에 의해 방출된 방사선은 소스 챔버(211)로부터 컬렉터 챔버(212) 내로 통과된다.
컬렉터 챔버(212)는 방사선 컬렉터(CO)를 포함할 수 있다. 방사선 컬렉터(CO)를 가로지른 방사선은 가상 소스점(virtual source point: IF)에 포커스될 수 있다. 가상 소스점(IF)은 통상적으로 중간 포커스라고 칭해지며, 소스 컬렉터 모듈(SO)은 가상 소스점(IF)이 포위 구조체(enclosing structure: 220)에서의 개구부(opening: 221)에, 또는 그 부근에 위치되도록 배치된다. 가상 소스점(IF)은 방사선 방출 플라즈마(210)의 이미지이다.
후속하여, 방사선은 조명 시스템(IL)을 가로지르며, 이는 패터닝 디바이스(MA)에서의 방사선 세기의 원하는 균일성뿐 아니라, 패터닝 디바이스(MA)에서의 패터닝되지 않은 빔(21)의 원하는 각도 분포를 제공하도록 배치된 패싯 필드 거울 디바이스(22) 및 패싯 퓨필 거울 디바이스(24)를 포함할 수 있다. 지지 구조체(MT)에 의해 유지된 패터닝 디바이스(MA)에서의 패터닝되지 않은 빔(21)의 반사 시, 패터닝된 빔(26)이 형성되고, 패터닝된 빔(26)은 투영 시스템(PS)에 의하여 반사 요소들(28, 30)을 통해 기판 테이블(WT)에 의해 유지된 기판(W) 상으로 이미징된다.
일반적으로, 나타낸 것보다 더 많은 요소가 조명 시스템(IL) 및 투영 시스템(PS) 내에 존재할 수 있다. 또한, 도면들에 나타낸 것보다 더 많은 거울이 존재할 수 있으며, 예를 들어 도 2에 나타낸 것보다 1 내지 6 개의 추가 반사 요소들이 투영 시스템(PS) 내에 존재할 수 있다.
대안적으로, 소스 컬렉터 모듈(SO)은 LPP 방사선 시스템의 일부분일 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 일 실시예에서 리소그래피 장치(100)는 조명 시스템(IL) 및 투영 시스템(PS)을 포함한다. 조명 시스템(IL)은 방사선 빔(B)을 방출하도록 구성된다. 투영 시스템(PS)은 매개 공간(intervening space)에 의해 기판 테이블(WT)로부터 분리된다. 투영 시스템(PS)은 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 기판(W) 상으로 투영하도록 구성된다. 패턴은 방사선 빔(B)의 EUV 방사선을 위한 것이다.
투영 시스템(PS)과 기판 테이블(WT) 사이의 매개 공간은 적어도 부분적으로 진공배기(evacuate)될 수 있다. 매개 공간은 투영 시스템(PS)의 위치에서 고체 표면에 의해 경계가 정해질 수 있고, 이로부터 채택된 방사선이 기판 테이블(WT)을 향해 지향된다.
일 실시예에서, 리소그래피 장치(100)는 동적 가스 락을 포함한다. 동적 가스 락은 멤브레인 조립체(80)를 포함한다. 일 실시예에서, 동적 가스 락은 매개 공간에 위치되는 멤브레인 조립체(80)에 의해 덮이는 중공부(hollow part)를 포함한다. 중공부는 방사선의 경로 주위에 위치된다. 일 실시예에서, 리소그래피 장치(100)는 가스의 흐름으로 중공부의 내부를 플러싱(flush)하도록 구성되는 가스 블로어(gas blower)를 포함한다. 방사선은 기판(W)에 입사하기에 앞서 멤브레인 조립체를 통해 나아간다.
일 실시예에서, 리소그래피 장치(100)는 멤브레인 조립체(80)를 포함한다. 앞서 설명된 바와 같이, 일 실시예에서 멤브레인 조립체(80)는 동적 가스 락을 위한 것이다. 이 경우, 멤브레인 조립체(80)는 DUV 방사선을 필터링하는 필터로서 기능한다. 추가적으로 또는 대안적으로, 일 실시예에서 멤브레인 조립체(80)는 EUV 리소그래피를 위한 패터닝 디바이스(MA)용 펠리클이다. 본 발명의 멤브레인 조립체(80)는 동적 가스 락에, 또는 펠리클에, 또는 스펙트럼 퓨리티 필터(spectral purity filter)와 같은 또 다른 목적으로 사용될 수 있다. 일 실시예에서, 멤브레인 조립체(80)는 멤브레인(40)을 포함하며, 이는 멤브레인 스택이라고 할 수도 있다. 일 실시예에서, 멤브레인은 입사하는 EUV 방사선의 적어도 80 %를 투과하도록 구성된다.
일 실시예에서, 멤브레인 조립체(80)는 공기부유 입자들 및 다른 형태들의 오염으로부터 패터닝 디바이스(MA)를 보호하기 위해 패터닝 디바이스(MA)를 봉쇄하도록 구성된다. 패터닝 디바이스(MA)의 표면 상의 오염은 기판(W)의 제조 결함들을 야기할 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서 펠리클은 입자들이 리소그래피 장치(100) 내의 패터닝 디바이스(MA)의 스테핑 필드(stepping field)로 이주할 가능성을 감소시키도록 구성된다.
패터닝 디바이스(MA)가 보호되지 않는 채로 있는 경우, 오염으로 인해 패터닝 디바이스(MA)가 세정되거나 버려져야 할 수 있다. 패터닝 디바이스(MA)를 세정하는 것은 귀중한 제조 시간을 방해하고, 패터닝 디바이스(MA)를 버리는 것은 비용이 크다. 또한, 패터닝 디바이스(MA)를 교체하는 것도 귀중한 제조 시간을 방해한다.
멤브레인(40)에 입사하는 EUV는 멤브레인(40)에 열을 가할 것이다. 가열은 멤브레인(40)의 온도를 상승시킬 것이다. 현재 EUV 소스들에서, 멤브레인들의 온도는 통상적으로 약 800 내지 900 ℃에 도달한다. 미래의 EUV 소스들은 더 높은 파워를 갖고 더 높은 열부하를 가할 수 있다. 멤브레인(40)의 온도가 너무 많이 상승하는 경우, 멤브레인(40)의 성능 또는 수명이 감소될 수 있다. 멤브레인(40)은 심지어 완전히 고장날 수도 있다.
멤브레인(40)의 다양한 층들에 사용되는 재료들은: a) 열부하 저항을 증가시키는 방사 층을 가질 것; b) 거친 EUV 스캐너 환경으로부터 멤브레인을 보호하고 그 수명을 증가시키는 외측 캐핑 층(OLT)을 가질 것; c) 이 층들 중 어느 층의 확산/혼합을 방지하는 장벽 층을 가질 것 등과 같은 다양한 기능적 요건들을 충족시켜야 할 수 있다.
그러므로, 매우 낮은 EUV 반사율(예를 들어, EUVR < 0.05 %)을 갖는 한편, 모든 다른 기능적 요건들을 충족시키고 충분한 제조 수율(manufacturability yield)을 위한 큰 공정 윈도우를 허용하는 견고한 멤브레인(40)을 디자인하는 것이 바람직하다.
몇몇 기존 멤브레인들에서 사용되는 재료들은 우수한 기계적 속성들 및 EUV 투과율을 갖지만, 적외선에서 비교적 낮은 방사율을 갖는다. 낮은 방사율은 이러한 재료들로부터 만들어지는 멤브레인들이 열을 방출할 수 있는 속도를 제한한다. 또 다른 층들이 추가되지 않는 경우, 멤브레인들은 사용 시 너무 뜨거워지고 고장날 것이다. 방사율을 증가시키고 성능을 개선하기 위해 이러한 멤브레인들에 높은 방사율을 갖는 캐핑 층들이 추가되었다. 하지만, 이러한 캐핑 층들은 바람직하지 않게 EUV 반사율을 증가시킬 수 있다. 예를 들어, Ru, Mo, Zr 및 Nb와 같은 금속들이 우수한 방사율을 갖지만, 비교적 높은 EUV 반사율을 갖는다. 추가적으로, 캐핑 층들은 사용 동안 저하될 수 있음이 밝혀졌다. 예를 들어, Ru, Mo, Zr 및 Nb와 같은 금속들은 이들이 보호되지 않는 경우에 사용 동안 산화될 것이다. 광-이온 에칭(photo-ionic etching)이 높은 온도에서 비교적 안정적인 SiN 및 SiO2와 같은 재료들의 열화(degradation)를 야기할 수 있다.
도 3은 속성들의 개선된 균형을 제공하는 것을 알려진 멤브레인(40)을 도시한다. 일 실시예에서, 멤브레인(40)은 다음 순서로 층들: 즉, 제 1 캐핑 층(70), 베이스 층(60), 및 제 2 캐핑 층(80)을 갖는 스택을 포함한다. 제 1 캐핑 층(70)은 제 1 금속의 산화물을 포함한다. 베이스 층(60)은 제 2 금속 및 추가적인 원소를 포함한 화합물을 포함한다. 추가적인 원소는 Si, B, C 및 N으로 이루어진 그룹으로부터 선택된다. 제 2 캐핑 층(80)은 제 3 금속의 산화물을 포함한다. 제 1 금속은 제 2 금속과 상이하다. 제 3 금속은 제 1 금속과 동일하거나, 또는 제 3 금속은 제 1 금속과 상이하다. 일 실시예에서, 제 1 캐핑 층(70) 및 제 2 캐핑 층(80) 중 어느 하나 또는 둘 모두는 멤브레인(40)의 외표면을 형성한다. 도면의 방위에서, 멤브레인(40)은 상부 외표면(위를 향함) 및 하부 외표면(아래를 향함)을 갖는다. 제 1 캐핑 층(70)은 상부 외표면을 형성한다. 제 2 캐핑 층(80)은 하부 외표면을 형성한다.
일 실시예에서, 베이스 층(60)은 적외선에서 높은 방사율을 갖는다. 예를 들어, 방사율이 0(최소)과 1(최대) 사이에서 변동하는 경우, 방사율은 0.2보다 크고, 선택적으로는 0.3보다, 선택적으로 0.4보다 클 수 있다. 그러므로, 베이스 층(60)은 효과적으로 열을 방출하고, 멤브레인(40)이 과열되는 것을 방지한다. 제 1 캐핑 층(70) 및 제 2 캐핑 층(80)은, 예를 들어 입사하는 EUV 방사선 및/또는 산화 환경 조건들로 인한 열화로부터 베이스 층(60)을 보호한다. 일 실시예에서, 베이스 층(60)은 제 1 캐핑 층(70) 및 제 2 캐핑 층(80) 각각보다 두껍고, 선택적으로 적어도 5 배, 선택적으로 적어도 10 배 더 두껍다. 일 실시예에서, 베이스 층(60)은 적어도 8 nm, 선택적으로 적어도 10 nm, 선택적으로 적어도 15 nm, 선택적으로 적어도 20 nm, 선택적으로 적어도 25 nm의 두께를 갖는다. 일 실시예에서, 제 1 캐핑 층(70) 및 제 2 캐핑 층(80) 각각은 5 nm 미만, 선택적으로 4 nm 미만, 선택적으로 3 nm 미만, 선택적으로 2 nm 미만, 선택적으로 1 nm 미만의 두께를 갖는다. 일 실시예에서, 멤브레인은 방사 층 및 보호 캐핑 층(OLT)이 추가되는 장벽 층들(예를 들어, SiN 층들)을 갖는 멤브레인 베이스 층, 예를 들어 폴리실리콘 층을 포함한다. 이러한 멤브레인의 EUV 반사율(EUVR)은 최적 매칭 방사율 및 OLT 캐핑 층들을 사용하고 상쇄 간섭을 이용함으로써 최소화될 수 있다. 예를 들어, EUV 방사선이 13.5 nm의 파장을 갖는 경우, 장벽 층에 대해 "쿼터 람다(quarter lambda)" 두께: 13.5 nm / 4 ≒ 3.3 nm를 사용하고, 방사 층에 대해 "하프 람다(half lambda)" 두께: 13.5 nm / 2 ≒ 6.7 nm를 사용하며, 방사 층 및 OLT 캐핑 층의 굴절률을 장벽 층의 굴절률과 매칭시키는 것이 가능하고, 예를 들어 장벽 층에 대해 n_SiN = 0.97; OLT 캐핑 층에 대해 n_OLT ≒ 0.97 및 방사 층에 대해 n_em = n_SiN 2 ≒ 0.94이다.
본 명세서에서, 표 1은 (베이스 층인) 멤브레인 코어 층 주위에서 대칭 샌드위치 구성을 갖는 멤브레인(40)에서의 최적 파라미터들 및 재료들의 선택을 그들의 기능과 함께 나타낸다. 아래 표에서의 SiO2는 폴리실리콘 코어 층 위에 자연적으로 형성되는 얇은 자연 산화물 층이며, SiN 장벽 층과 접촉한다. 두께 값들은 nm 단위로 주어진다.
이러한 멤브레인 디자인은 캐핑 층들 및 멤브레인 베이스 층 재료들에 대해 공정 윈도우를 최대화할 수 있다. 이 특정한 디자인은 Si 베이스 층 및 SiN 장벽 층에 대해 매우 큰 공정 윈도우를 허용한다.
여하한의 또 다른 기능 층들과 폴리실리콘 멤브레인 베이스 층의 최적 매칭을 예시하기 위해 앞서 특정한 EUV 파장(13.5 nm) 및 멤브레인 재료들이 언급되지만, 이는 주어진 EUV 파장에 대해 앞선 기준을 충족시키는 재료들 및 층들의 여하한의 조합이 여기에 포함된다는 것을 내포한다.
일 실시예에서, 베이스 층(60)의 두께는 제 1 캐핑 층(70) 및 제 2 캐핑 층(80)으로부터의 EUV 반사들 간의 상쇄 간섭을 달성하도록 선택된다. 상쇄 간섭은 바람직하게는 멤브레인(40)의 전체 반사율을 감소시킨다. 일 실시예에서, 베이스 층(60)의 두께는 9 nm +/- 2 nm, 바람직하게는 +/- 1 nm이고, 이는 제 1 캐핑 층(70)과 제 2 캐핑 층(80) 간의 간격이 상쇄 간섭을 야기하도록 하는 것으로 밝혀졌다. 일 실시예에서, 베이스 층(60)의 두께는 16 nm +/- 2 nm, 바람직하게는 +/- 1 nm이고, 이는 제 1 캐핑 층(70)과 제 2 캐핑 층(80) 간의 간격이 상쇄 간섭을 야기하도록 하는 것으로 밝혀졌다. 제 1 캐핑 층(70) 및 제 2 캐핑 층(80)으로부터의 EUV 반사들 간의 상쇄 간섭을 향상시키는 이 실시예들은 특히 제 1 금속 및 제 3 금속 중 어느 하나 또는 둘 모두가 Zr을 포함하는 경우에 효과적인 것으로 밝혀졌다.
일 실시예에서, 제 1 금속의 산화물 및 제 3 금속의 산화물 중 어느 하나 또는 둘 모두는 산소 전도성 산화물(oxygen conductive oxide)이다. 산소 전도성 산화물은 산화물의 격자를 통해 산소의 수송을 허용하는 산화물이다. 산소 전도성 산화물은 특히 산화 환경에서 안정적이기 때문에 제 1 캐핑 층 및 제 2 캐핑 층에 매우 적합하다. 산소 전도성 산화물은 우수한 견고성(robustness)을 갖는 것으로 알려져 있고, 높은 온도에서 촉매 작용에 사용된다. 산소 전도성 산화물은 산소에 대해 버퍼로서 작용할 수 있기 때문에 산소 함량이 변동하는 환경들에서 그 속성들을 잘 유지한다. 산소 전도성 산화물은 환경의 산소 함량의 변화들에 응답하여 산소를 흡수 및 배출할 수 있다. EUV 방사선은 흔히 보호 층들에서 틈(vacancy) 및 다른 결함의 수를 증가시킬 것이다. 높은 수준의 격자 산소 결핍에도 안정적인 산소 전도성 산화물들, 예를 들어 ZrO2가 존재한다.
일 실시예에서, 제 1 금속 및 제 3 금속 중 어느 하나 또는 둘 모두는 Nb, Zr, Ce, Ti, La, Y 및 Al로 이루어진 그룹으로부터 선택되어, 예를 들어 각각 NbO2, ZrO2, CeO2, TiO2, La2O3, Y2O3을 형성한다. 선택적으로, 제 1 금속 및 제 3 금속 중 어느 하나 또는 둘 모두는 Zr 및 Y로 이루어진 그룹으로부터 선택된다. Zr의 산화물이 특히 효과적인 것으로 밝혀졌다. 또한, Y의 산화물이 특히 효과적인 것으로 밝혀졌다. 여하한의 산화물들은 도핑될 수 있다. 예를 들어, Zr의 산화물이 사용되는 경우, 산화물은 이트리어(Y2O3)로 도핑되어, 이트리어-안정화 지르코니아를 형성할 수 있다. 상이한 산화물들의 여하한의 혼합물들이 사용될 수 있다.
일 실시예에서, 베이스 층에서 제 2 금속 및 추가적인 원소를 포함한 화합물은 제 2 금속 및 추가적인 원소로 이루어진다(즉, 화합물에 다른 원소들은 존재하지 않음, 선택적으로 도펀트는 예외).
일 실시예에서, 베이스 층(60)의 화합물에서, 예를 들어 MoSi2 및/또는 여하한의 다른 안정된 화학량론으로서, 제 2 금속은 Mo이고 상기 추가적인 원소는 Si이다. 일 실시예에서, 화합물은 Mo 및 Si로 이루어진다.
일 실시예에서, 베이스 층(60)의 화합물에서, 예를 들어 RuSi2 및/또는 RuSi 및/또는 여하한의 다른 안정된 화학량론으로서, 제 2 금속은 Ru이고 상기 추가적인 원소는 Si이다. 일 실시예에서, 화합물은 Ru 및 Si로 이루어진다.
일 실시예에서, 베이스 층(60)의 화합물에서, 예를 들어 ZrSi2 및/또는 여하한의 다른 안정된 화학량론으로서, 제 2 금속은 Zr이고 상기 추가적인 원소는 Si이다. 일 실시예에서, 화합물은 Zr 및 Si로 이루어진다.
일 실시예에서, 베이스 층(60)의 화합물에서, 예를 들어 LaSi2 및/또는 여하한의 다른 안정된 화학량론으로서, 제 2 금속은 La이고 상기 추가적인 원소는 Si이다. 일 실시예에서, 화합물은 La 및 Si로 이루어진다.
일 실시예에서, 베이스 층(60)의 화합물에서, 예를 들어 ScSi2 및/또는 여하한의 다른 안정된 화학량론으로서, 제 2 금속은 Sc이고 상기 추가적인 원소는 Si이다. 일 실시예에서, 화합물은 Sc 및 Si로 이루어진다.
일 실시예에서, 베이스 층(60)의 화합물에서, 예를 들어 YSi2 및/또는 여하한의 다른 안정된 화학량론으로서, 제 2 금속은 Y이고 상기 추가적인 원소는 Si이다. 일 실시예에서, 화합물은 Y 및 Si로 이루어진다.
일 실시예에서, 베이스 층(60)의 화합물에서, 예를 들어 NbSi2 및/또는 여하한의 다른 안정된 화학량론으로서, 제 2 금속은 Nb이고 상기 추가적인 원소는 Si이다. 일 실시예에서, 화합물은 Nb 및 Si로 이루어진다.
일 실시예에서, 베이스 층(60)의 화합물에서, 예를 들어 MoB2 및/또는 여하한의 다른 안정된 화학량론으로서, 제 2 금속은 Mo이고 상기 추가적인 원소는 B이다. 일 실시예에서, 화합물은 Mo 및 B로 이루어진다.
일 실시예에서, 베이스 층(60)의 화합물에서, 예를 들어 RuB2 및/또는 여하한의 다른 안정된 화학량론으로서, 제 2 금속은 Ru이고 상기 추가적인 원소는 B이다. 일 실시예에서, 화합물은 Ru 및 B로 이루어진다.
일 실시예에서, 베이스 층(60)의 화합물에서, 예를 들어 ZrB2 및/또는 여하한의 다른 안정된 화학량론으로서, 제 2 금속은 Zr이고 상기 추가적인 원소는 B이다. 일 실시예에서, 화합물은 Zr 및 B로 이루어진다.
일 실시예에서, 베이스 층(60)의 화합물에서, 예를 들어 NbB2 및/또는 여하한의 다른 안정된 화학량론으로서, 제 2 금속은 Nb이고 상기 추가적인 원소는 B이다. 일 실시예에서, 화합물은 Nb 및 B로 이루어진다.
일 실시예에서, 베이스 층(60)의 화합물에서, 예를 들어 TiB2 및/또는 여하한의 다른 안정된 화학량론으로서, 제 2 금속은 Ti이고 상기 추가적인 원소는 B이다. 일 실시예에서, 화합물은 Ti 및 B로 이루어진다.
일 실시예에서, 베이스 층(60)의 화합물에서, 예를 들어 LaB6 및/또는 여하한의 다른 안정된 화학량론으로서, 제 2 금속은 La이고 상기 추가적인 원소는 B이다. 일 실시예에서, 화합물은 La 및 B로 이루어진다.
일 실시예에서, 베이스 층(60)의 화합물에서, 예를 들어 ZrC 및/또는 여하한의 다른 안정된 화학량론으로서, 제 2 금속은 Zr이고 상기 추가적인 원소는 C이다. 일 실시예에서, 화합물은 Zr 및 C로 이루어진다.
발명자들은 특히 효과적인 다음 조합을 발견하였다: 제 1 금속은 Zr이고, 제 2 금속은 Mo이고 추가적인 원소는 Si이며, 제 3 금속은 Zr이다.
제 1 금속의 산화물 및 제 3 금속의 산화물은 단일-금속 산화물들에 제한되지 않는다. 일 실시예에서, 제 1 금속의 산화물은 제 1 금속 및 1 이상의 또 다른 금속을 포함하는 혼합된 금속 산화물이다. 일 실시예에서, 제 3 금속의 산화물은 제 3 금속 및 1 이상의 또 다른 금속을 포함하는 혼합된 금속 산화물이다. 일 실시예에서, 제 1 금속의 산화물은 제 1 금속 및 1 이상의 또 다른 금속을 포함하는 혼합된 금속 산화물이고, 제 3 금속의 산화물은 제 3 금속 및 1 이상의 또 다른 금속을 포함하는 혼합된 금속 산화물이다.
도 3에 나타낸 타입의 실시예들에서, 베이스 층(60)에서의 제 2 금속 및 추가적인 원소를 포함한 화합물의 적어도 일부분이 제 1 캐핑 층(70)에서의 제 1 금속의 산화물 및 제 2 캐핑 층(80)에서의 제 3 금속의 산화물 중 어느 하나 또는 둘 모두와 접촉한다. 이 구성은 비교적 제조하기 쉽다. 상기 구성은 멤브레인(40)이 사용되는 조건들에서 제 1 캐핑 층(70)에서의 제 1 금속의 산화물 및 제 2 캐핑 층(80)에서의 제 3 금속의 산화물이 베이스 층(60)의 적절한 보호를 제공하는 경우에 사용될 수 있다. 도 4 내지 도 6은 더 복잡한 구조들이 제공되는 실시예들을 나타낸다.
도 4는 베이스 층(60)이 복수의 베이스 층 서브-층들(61 내지 63)을 포함하는 일 실시예를 도시한다. 베이스 층 서브-층들(61 내지 63) 중 적어도 하나는 제 2 금속 및 추가적인 원소를 포함한 화합물을 포함한다. 나타낸 예시에서, 베이스 층(60)은 베이스 층 제 1 서브-층(61), 베이스 층 제 2 서브-층(62) 및 베이스 층 제 3 서브-층(63)을 포함한다. 베이스 층 제 2 서브-층(62)은 베이스 층 제 1 서브-층(61) 및 베이스 층 제 3 서브-층(63) 사이에 배치된다. 베이스 층 제 2 서브-층(62)은 제 2 금속 및 추가적인 원소를 포함한 화합물을 포함한다. 베이스 층 제 1 서브-층(61)은 추가적인 원소의 산화물을 포함한다. 베이스 층 제 3 서브-층(63)은 추가적인 원소의 산화물을 포함한다.
일 실시예에서, 도 4에 나타낸 바와 같이, 베이스 층 제 1 서브-층(61)의 적어도 일부분은 제 1 캐핑 층(70)에서의 제 1 금속의 산화물과 접촉한다. 일 실시예에서, 도 4에 나타낸 바와 같이, 베이스 층 제 3 서브-층(63)의 적어도 일부분은 제 2 캐핑 층(70)에서의 제 3 금속의 산화물과 접촉한다.
일 실시예에서, 베이스 층 제 1 서브-층(61) 및 베이스 층 제 3 서브-층(63)은 사용 동안 손상으로부터 베이스 층 제 2 서브-층(62)을 보호한다. 베이스 층 제 1 서브-층(61) 및 베이스 층 제 3 서브-층(63)은, 예를 들어 항-산화 확산 장벽 층(anti-oxidation diffusion barrier layer)들로서 작용할 수 있다. 추가적인 원소가 Si인 경우, 베이스 층 제 1 서브-층(61) 및 베이스 층 제 3 서브-층(63) 중 어느 하나 또는 둘 모두는 실리카(SiO2)를 포함할 수 있다. 베이스 층 제 1 서브-층(61) 및 베이스 층 제 3 서브-층(63)은 스케일(scale)이라고 칭해질 수 있다. 이 스케일들은 베이스 층 제 2 서브-층(62) 상에 자연적으로(즉, 산화 환경에서 열역학적으로 선호됨으로써) 형성될 수 있다. 이 경우, 스케일들은 자연 스케일 또는 자연 산화물이라고 칭해질 수 있다.
제 1 캐핑 층(70) 및 제 2 캐핑 층(80)은 베이스 층 제 1 서브-층(61) 및 베이스 층 제 3 서브-층(63)을 보호하여, 예를 들어 EUV 광자들에 의한 이 서브-층들의 에칭을 방지하거나 그 속도를 감소시킨다.
제 2 금속이 Mo 또는 Ru이고 추가적인 원소가 Si인 경우, 실리카의 스케일이 형성되기에 특히 열역학적으로 유리하다. 이에 따라 형성되는 스케일은 조밀하고 높은 온도에서 안정적이다.
산화 시 보호 실리카 스케일을 형성하는 규화물의 능력은 다음 2 개의 반응열에 기초하여 판단될 수 있다:
반응 1: MSi2 + O2 → MxSiy + SiO2
반응 2: nMSi2 + (4n+k)O2 → MnOk + 2nSiO2
반응 1은 실리카 스케일 및 규화물을 생성한다. 반응 2는 2 개의 산화물의 혼합: 금속 산화물 및 실리카를 생성한다. 후자의 상황은 이 경우에 보호 스케일이 형성되지 않기 때문에 바람직하지 않다. 2 개의 반응들의 열역학적 확률들은 아래 주어진 것과 유사한 수학식들로 계산되는 2 개의 반응열을 이용함으로써 평가될 수 있다:
298 K에서의 반응 1의 엔탈피가 계산되고 산소 원자들의 수로 정규화된다. 반응 1 및 반응 2의 엔탈피들을 비교함으로써, 어느 반응이 더 열역학적으로 유리한지를 판단할 수 있다. 엔탈피들의 온도 의존성은 고려되지 않는다. 이 단순화는 Nicolet 외. Solid State Electronics, 1978, 21, 667-675에 의해 타당한 것으로 나타났다.
상이한 규화물들에 대한 반응 1 및 반응 2의 엔탈피들의 비교가 아래의 표 2에서 주어진다:
반응 2의 ΔH298 r이 반응 1의 ΔH298 r보다 덜 음인 경우, 보호 실리카 스케일 형성이 열역학적으로 선호된다. 표는 실리카 스케일이 가장 유리하게 형성되는 규화물이 RuSi2 및 MoSi2임을 나타낸다. 또한, 발명자들은 산화의 동역학을 분석함으로써 MoSi2가 최고 활성화 에너지를 갖고, 이에 따라 산화하기 가장 어렵다는 것을 알게 되었다(MoSi2 자체의 산화보다는 안정된 보호 층의 형성을 선호함).
도 5는 제 1 캐핑 층(70)이 제 1 캐핑 층 제 1 서브-층(71) 및 제 1 캐핑 층 제 2 서브-층(72)을 포함하는 일 실시예를 도시한다. 제 1 캐핑 층 제 1 서브-층(71)은 제 1 금속의 산화물을 포함한다. 제 1 캐핑 층 제 2 서브-층(72)은 제 1 캐핑 층 증착 산화물(capping layer deposited oxide)을 포함한다. 제 1 캐핑 층 제 2 서브-층(72)은 제 1 캐핑 층 제 1 서브-층(71)과 베이스 층(60) 사이에 위치된다. 제 1 캐핑 층 증착 산화물은 베이스 층(60) 상에 증착되어, [도 4를 참조하여 앞서 설명된 실시예에서의 베이스 층 제 1 서브-층(61) 및 베이스 층 제 3 서브-층(63)에서와 같이] 베이스 층(60)에서의 제 2 금속 및 추가적인 원소를 포함한 화합물 상에 형성되는 실리카와 같은 자연 산화물에 의해 제공되는 것과 유사한 보호를 제공할 수 있다. 제 1 캐핑 층 증착 산화물은 자연 산화물이 제 2 금속 및 추가적인 원소를 포함한 화합물 상에 (예를 들어, 높은 온도에서) 안정적으로 또는 쉽게 형성되지 않는 경우에 제공될 수 있다. 일 실시예에서, 자연 산화물은 낮은 용융점을 가질 수 있고, 이는 예를 들어 사용 시 불안정 또는 고장을 야기할 수 있다. 이러한 경우, 자연 산화물은 제 1 캐핑 층 증착 산화물을 증착시키기 전에 제거될 수 있다. 일 실시예에서, 제 1 캐핑 층 증착 산화물은 실리콘의 산화물(예를 들어, 실리카)을 포함한다.
일 실시예에서, 제 2 캐핑 층(80)은 대응하는 방식으로 구성된다. 이러한 실시예에서, 제 2 캐핑 층(80)은 제 2 캐핑 층 제 1 서브-층(81) 및 제 2 캐핑 층 제 2 서브-층(82)을 포함한다. 제 2 캐핑 층 제 1 서브-층(81)은 제 3 금속의 산화물을 포함한다. 제 2 캐핑 층 제 2 서브-층(82)은 제 2 캐핑 층 증착 산화물을 포함한다. 제 2 캐핑 층 제 2 서브-층(82)은 제 2 캐핑 층 제 1 서브-층(81)과 베이스 층(60) 사이에 위치된다. 일 실시예에서, 제 2 캐핑 층 증착 산화물은 실리콘의 산화물(예를 들어, 실리카)을 포함한다.
도 6은 도 4 및 도 5의 실시예들의 조합에 대응하는 멤브레인(40)을 도시한다. 이 멤브레인(40)에서, 베이스 층(60)은 도 4를 참조하여 앞서 설명된 바와 같이, 베이스 층 제 1 서브-층(61), 베이스 층 제 2 서브-층(62) 및 베이스 층 제 3 서브-층(63)을 포함한다. 추가적으로, 멤브레인(40)은 도 5를 참조하여 앞서 설명된 바와 같이, 제 1 캐핑 층 제 1 서브-층(71) 및 제 1 캐핑 층 제 2 서브-층(72)을 갖는 제 1 캐핑 층(70)을 포함한다. 추가적으로, 멤브레인(40)은 도 5를 참조하여 앞서 설명된 바와 같이, 제 2 캐핑 층 제 1 서브-층(81) 및 제 2 캐핑 층 제 2 서브-층(82)을 갖는 제 2 캐핑 층(80)을 포함한다. 도 4 및 도 5의 실시예들에 대한 추가적인 층들은 제 2 금속 및 추가적인 원소를 포함한 화합물을 포함하는 베이스 층(60)의 부분[베이스 층 제 2 서브-층(62)에서의 베이스 층(60)의 방사부]의 개선된 보호를 제공함으로써 멤브레인(40)의 견고성을 증가시킬 수 있다.
도 3 내지 도 6에서, 실시예들은 제 1 캐핑 층(70) 및 제 2 캐핑 층(80)을 갖는 것으로 나타내어진다. 하지만, 이 층들은 필수적이지 않다. 다른 실시예들에서, 예를 들어 도 7 및 도 8에 나타낸 바와 같이, 제 1 캐핑 층(70) 및 제 2 캐핑 층(80)은 생략될 수 있다. 이 타입의 멤브레인(40)들이 더 쉽게 제조될 수 있다. 이러한 멤브레인(40)들은 적어도 제한된 EUV 파워에 대해 효과적으로 작동할 수 있는 것으로 밝혀졌다.
도 7은 멤브레인 층(50)을 포함한 멤브레인(40)을 도시한다. 멤브레인 층(50)은 금속 및 추가적인 원소를 포함한 화합물을 포함한다. 도 7의 실시예에서, 멤브레인(40)의 두 외표면의 적어도 일부분이 멤브레인 층(50) 내의 화합물에 의해 형성된다. 멤브레인 층(50) 내의 화합물은 도 3 내지 도 6의 실시예들에서 제 2 금속 및 추가적인 원소를 포함한 화합물에 대해 앞서 설명된 조성들 중 어느 하나를 가질 수 있다. 멤브레인 층(50)의 두께는 도 3 내지 도 6의 실시예들에서 베이스 층(60)에 대해 앞서 설명된 두께들 중 어느 하나일 수 있다.
도 8은 멤브레인 층(50)을 포함한 멤브레인(40)을 도시한다. 멤브레인 층(50)은 금속 및 추가적인 원소를 포함한 화합물을 포함한다. 도 8의 실시예에서, 멤브레인(40)의 두 외표면의 적어도 일부분이 멤브레인 층(50) 내의 화합물에서의 추가적인 원소의 산화물에 의해 형성된다. 멤브레인 층(50) 내의 화합물은 도 3 내지 도 6의 실시예들에서 제 2 금속 및 추가적인 원소를 포함한 화합물에 대해 앞서 설명된 조성들 중 어느 하나를 가질 수 있다. 멤브레인 층(50)은 멤브레인 층 제 1 서브-층(51), 멤브레인 층 제 2 서브-층(52), 및 멤브레인 층 제 3 서브-층(53)을 포함한다. 멤브레인 층 제 1 서브-층(51)은 도 4 및 도 6의 실시예들에서 베이스 층 제 1 서브-층(61)에 대해 앞서 설명된 조성들 중 어느 하나를 가질 수 있다. 멤브레인 층 제 2 서브-층(52)은 도 4 및 도 6의 실시예들에서 베이스 층 제 2 서브-층(62)에 대해 앞서 설명된 조성들 중 어느 하나를 가질 수 있다. 멤브레인 층 제 3 서브-층(53)은 도 4 및 도 6의 실시예들에서 베이스 층 제 3 서브-층(63)에 대해 앞서 설명된 조성들 중 어느 하나를 가질 수 있다. 이로 인해, 멤브레인 층 제 1 서브-층(51) 및 멤브레인 층 제 3 서브-층(53)은 사용 동안 손상으로부터 멤브레인 층 제 2 서브-층(52)을 보호한다. [멤브레인 층 서브-층들(51 내지 53)을 모두 포함한] 멤브레인 층(50)의 두께는 도 3 내지 도 6의 실시예들에서 베이스 층(60)에 대해 앞서 설명된 두께들 중 어느 하나일 수 있다.
선택적으로, 1 이상의 추가 층들이 제공되어 멤브레인(40)을 더 보호할 수 있다. 예를 들어, 얇은 Al2O3 층(예를 들어, 1 nm 이하)이 (여하한의 개재 층들과 함께, 또는 개재 층들 없이) 베이스 층(60)의 위 및 아래에 제공될 수 있다.
도 7 및 도 8에 나타낸 타입의 멤브레인(40)들은 [도 8의 구성에서 멤브레인 층 제 1 서브-층(51) 및 멤브레인 층 제 3 서브-층(53)을 형성하는] 보호 실리카 스케일의 열역학적으로 선호되는 형성으로 인해 금속이 Mo 또는 Ru이고 추가적인 원소가 Si인 경우에 특히 효과적인 것으로 밝혀졌다.
앞서 설명된 모든 실시예들에서, 멤브레인(40)은 높은 방사율을 제공하는 층[베이스 층(60) 또는 멤브레인 층(50)]이 Mo 및 Si 또는 Ru 및 Si를 포함한 화합물, 특히 Mo 및 Si 또는 Ru 및 Si로 이루어진 화합물을 포함하는 경우에 특히 잘 수행하는 것으로 밝혀졌다. 보호 실리카 스케일의 형성은 산화 또는 포토닉 에칭(photonic etching)으로 인한 손상에 대해 고도의 견고성을 보장한다. 추가적으로, 이 화합물들의 열-기계적 속성들은 특히 EUV에서 사용하는 데 잘 순응되는 것으로 밝혀졌다. MoSi2의 열-기계적 속성들이 아래에서 상세히 설명된다. 유사한 고려사항들이 RuSi2에 적용될 것으로 예상된다.
기계적으로, MoSi2(및 예상에 따라, RuSi2)는 SiN과 유사하다. 하지만, MoSi2는 SiN보다 두껍게 만들어질 수 있다. 이로 인해, MoSi2에 기초한 멤브레인(40)은 SiN에 기초한 대응하는 멤브레인보다 강하게 만들어질 수 있는 한편, 여전히 13.5 nm에서 높은 EUV 투명도를 갖는다. 또한, MoSi2 및 RuSi2는 본질적으로 높은 방사율을 갖고, 추가적인 금속 캐핑 층들(이는 앞서 설명된 바와 같이, EUV 반사를 증가시키는 경향이 있음)을 필요로 하지 않을 것이다. MoSi2로부터의 EUV 반사는 0.1 % 미만인 것으로 밝혀졌다.
도 9는 (타원으로서) 다양한 재료들의 근접한 항복 강도(yield strength)들 및 파괴 인성(fracture toughness)들을 나타낸다. MoSi2를 나타내는 타원은 그래프의 중심 부근에 위치된다. 타원은 벌크 MoSi2에 대한 수치들을 이용하여 그려진다. 얇은 막들에 대해, 수치들은 더 유리할 것이다. EUV에서 사용되는 멤브레인(40), 예를 들어 펠리클은 적어도 0.1 GPa(즉, MIN으로 표시된 점선의 오른쪽)의 항복 강도를 가져야 한다. pSi 펠리클들 및 SiN 펠리클들의 항복 강도들은 수치의 하부에서 점선으로 표시된다. MoSi2는 수월하게 필수 최소값 이상의 항복 강도를 갖는다. 또한, MoSi2는 (예를 들어, pSi의 파괴 인성에 비해) 비교적 높은 파괴 인성을 갖는다. 높은 파괴 인성은 MoSi2가 더 얇게 만들어져 EUV 투과율을 개선할 수 있다는 것을 의미한다.
또한, 연성-취성 전이 온도(ductile to brittle transmission temperature: DBTT)는 MoSi2에 대해 1000 ℃ 이상이다. 이는 멤브레인(40)이 정상 사용 동안 도달할 가능성이 있는 최대 온도(TMAX)(아래에서 도 10에 표시됨)보다 높다. 그러므로, MoSi2에 기초한 멤브레인(40)은 재료가 사용 시 DBTT를 통해 열 순환될 수 있도록 TMAX보다 낮은 DBTT를 갖는 재료들(예를 들어, 도 10에서 pSi DBTT로 표시된 점선으로 나타낸 바와 같이, pSi)보다, 상당한 크리프(creep) 및 대응하는 장력 손실을 겪을 가능성이 적다.
항복 강도의 온도 의존성이 도 10에 도시된다. pSi 및 순수 Mo와 대조적으로, 예를 들어 MoSi2의 항복 강도는 안정적으로, 및 1500 K까지 0.1 GPa의 최소값 이상으로 유지된다.
도 11 내지 도 13은 사용 동안 열을 방출하는 데 관련된 파장들의 범위에 걸쳐 상이한 두께들의 MoSi의 흡광도(방사율에 대응함)를 연구한 실험적 및 이론적 작업의 결과들을 나타낸다. 흡광도(방사율)는 투과율 및 반사율로부터 도출될 수 있고, 이는 실험적으로 측정되거나 이론적으로 추산될 수 있다. 도 11은 파장들의 범위에 걸친 투과율의 변동을 나타낸다. 도 12는 파장들의 범위에 걸친 반사율의 변동을 나타낸다. 도 13은 파장들의 범위에 걸친 흡광도(방사율)의 변동을 나타낸다. 각각의 그래프에서, 301, 302, 303 및 304로 표시되고 점선으로 나타낸 4 개의 이론적으로 결정된 곡선들이 제공된다. 추가적으로, 311, 312 및 313으로 표시되고 실선으로 나타낸 3 개의 실험적으로 결정된 곡선들이 제공된다. 각각의 도면에서 곡선(301)은 (방사율에 크게 기여하지 않는) 25 nm의 두꺼운 SiN 층의 한면 상의 3.5 nm의 MoSi2 층에 대한 이론적 결과들을 나타낸다. 각각의 도면에서 곡선(302)은 25 nm의 두꺼운 SiN 층의 양면 상의 3.5 nm의 MoSi2 층에 대한 이론적 결과들을 나타낸다. 각각의 도면에서 곡선(303)은 (방사율에 크게 기여하지 않는) 50 nm의 두꺼운 pSi 층의 양면 상의 3.5 nm의 MoSi2 층에 대한 이론적 결과들을 나타낸다. 각각의 도면에서 곡선(304)은 31 nm의 두꺼운 MoSi2 층 자체에 대한 이론적 결과들을 나타낸다. 각각의 도면에서 곡선(311)은 SiN 상의 3.5 nm의 두꺼운 MoSi2 층에 대한 실험적 결과들을 나타낸다. 각각의 도면에서 곡선(312)은 SiN 층의 양면 상의 3.5 nm의 두꺼운 층에 대한 실험적 결과들을 나타낸다. 각각의 도면에서 곡선(313)은 pSi 층의 양면 상의 3.5 nm의 두꺼운 MoSi2 층에 대한 실험적 결과들을 나타낸다.
도 11 내지 도 13은 얇은 MoSi2 층에 대해서도 약 0.2 이상의 흡광도(방사율)가 달성될 수 있음을 나타낸다. 두꺼운 MoSi2 층에 대해서는, 0.4보다 높은 흡광도가 달성될 수 있다. 10 내지 50 nm의 범위 내에 있는 MoSi2 층을 포함한 멤브레인에서 0.4 이상의 흡광도(방사율)가 달성될 것으로 예상된다. 매우 얇은 MoSi2 층에 대해서도 달성되는 높은 관측 방사율은, MoSi2가 사용 동안 저하되고 얇아지는 경우에도 멤브레인(40)의 방사율이 비교적 높게 유지될 수 있음을 암시한다. 그러므로, 열부하가 상당한 시간 주기 동안 제어 하에 있을 수 있다. 그러므로, 멤브레인(40)의 고장이 지연될 수 있다.
20 nm의 두께 및 1.5 cm 직경을 갖는 예시적인 MoSi2 멤브레인(40)들이 제조되었다. 도 14는 예시적인 멤브레인(40)의 투과가 멤브레인(40)의 표면에 걸쳐 어떻게 변동하는 것으로 판명되었는지를 나타낸다. 투과는 84 %와 88 % 사이에서 변동하고, 약 86.5 %에서 가장 흔한 투과(그래프에서 피크)를 갖는다. 공정 개선들, 예를 들어 밀도 증가, 더 낮은 산화, 또는 둘 모두가 투과를 더 개선시킬 수 있는 것으로 예상된다. 멤브레인(40)은 흡수되는 2 Watts/㎠ 이상에 대응하는 EUV 파워를 견딜 수 있었다. EUV 반사율은 Ru, Mo 및 Zr의 반사율보다 낮았다. 또한, EUV 반사율은 0.05 %의 목표 기준보다 낮았다.
도 3 내지 도 8을 참조하여 앞서 설명된 바와 같이, MoSi2는 보호 실리카 스케일을 형성한다. 실험들은 이 실리카 스케일이 흡수되는 0.65 W/㎠에 대응하는 EUV 파워에서 안정적이었지만, 실리카 스케일이 1.8 W/㎠에 대응하는 EUV 파워에서 EUV 광자들에 의해 에칭되기 시작하였음을 나타낸다. 이 실험들로부터의 결과들이 도 15 및 도 16을 참조하여 아래에서 설명된다.
도 15 및 도 16은 흡수되는 0.65 W/㎠(도 15) 및 흡수되는 1.8 W/㎠(도 16)에 대한 EUV 파장의 함수로서 투과 %의 측정된 변동을 나타낸다. 도 15의 실험에서, 투과는 전체 멤브레인에 걸쳐 거의 균일한 것으로 밝혀졌다. 하지만, 도 16의 실험에서는, 상당히 더 높은 투과율이 멤브레인(40)의 중심 구역에서 발견되었다(점선으로 나타냄). 또한, 중심 구역은 붉게 빛나는 것으로 밝혀졌다. 이는 MoSi2가 중심 구역에서 보호 스케일에 대한 손상 또는 제거로 인해 에칭되고 있음을 나타낸다.
도 15 및 도 16의 실험들은 도 8의 실시예가 더 낮은 EUV 파워들에 사용될 수 있는 한편, 더 높은 EUV 파워들에 대해서는 도 3 내지 도 6을 참조하여 앞서 설명된 바와 같은 추가적인 보호 층들을 포함한 실시예들이 바람직할 수 있음을 나타낸다.
도 17 내지 도 25는 일 실시예에 따른 멤브레인(40)을 제조하는 예시적인 공정 흐름을 도시한다. 공정 흐름은 특별히 제한되지 않는다. 다양한 다른 공정 흐름들이 원하는 대로 사용될 수 있다.
도 17은 실리콘 웨이퍼(320)를 포함한 시작 상태를 도시한다.
실리콘 웨이퍼(320)의 열 산화가 도 18에 나타낸 바와 같이 산화물 층(322)을 형성한다.
후속한 단계에서, 도 19에 나타낸 바와 같이 산화물 층(322) 상에 MoSi2 층(324)이 증착된다. 증착은 여하한의 적절한 기술, 예를 들어 화학적 기상 증착(CVD), 원자층 증착(ALD) 또는 물리적 기상 증착(PVD)을 이용하여 수행될 수 있다.
후속한 단계에서, 도 20에 나타낸 바와 같이 MoSi2 층(324) 상에 테트라에틸오르소실리케이트(TEOS) 산화물 층(326)이 형성된다.
후속한 단계에서, 산화물 층(322)은 도 21에 나타낸 바와 같이 스택의 후면에서 제거된다.
후속한 단계에서, 도 22에 나타낸 바와 같이 스택 주위에 캡슐화 층(encapsulation layer: 328)이 제공된다. 캡슐화 층(328)은 플라즈마 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition: PECVD) 또는 저압 화학 기상 증착(low pressure chemical vapor deposition: LPCVD) 증착된 SixNy 마스크(예를 들어, Si3N4)를 포함할 수 있다.
후속한 단계는 도 23에 나타낸 바와 같이 캡슐화 층(328)에서의 윈도우들의 패터닝 및 건식 에칭을 포함한다.
후속한 단계에서, KOH 에칭이 적용되어 후면에서 실리콘 웨이퍼(320)의 일부분을 선택적으로 제거한다.
마지막으로, TEOS 층(326) 및 산화물 층(324)의 적어도 일부분을 제거하도록 습식 또는 건식 에칭이 적용되어 멤브레인(40)을 형성한다.
앞서 설명된 실시예들에서, 적외선에서 높은 방사율을 갖는 금속 산화물 재료(제 2 금속 및 추가적인 원소를 포함한 화합물, 예를 들어 MoSi2)가 멤브레인(40)의 베이스 층(60)에 사용된다. 다양한 상이한 캐핑 층들이 제공되어, 사용 동안 견고성 및 신뢰성을 개선할 수 있다. 도 26 내지 도 28은 적외선에서 높은 방사율을 갖는 대안적인 멤브레인(40)을 생성하는 제조 공정에서의 예시적인 단계들을 나타낸다. 대안적인 멤브레인은 반드시 베이스 층(60) 내에서 제 2 금속 및 추가적인 원소를 사용하는 것은 아니다. 폴리실리콘과 같은 표준 재료들이 베이스 층(60)에 사용될 수 있다. 적외선에서의 높은 방사율은 베이스 층에 추가로 제공되는 방사 층(적외선에서 높은 방사율을 갖는 층)에 의해 제공된다. 높은 방사율을 제공하는 데 사용될 수 있는 재료들의 범위는 방사 층으로부터 해로운 EUV 반사를 감소시키도록 방사 층의 표면의 토폴로지(topology)를 순응시킴으로써 증가된다.
상기 방법은 베이스 층(60)을 제공하는 단계를 포함한다. 또한, 상기 방법은 방사 층(400)을 제공하는 단계를 포함한다. 방사 층(400)은 적외선에서 높은 방사율을 갖는다. 예를 들어, 방사율이 0(최소)과 1(최대) 사이에서 변동하는 경우, 방사율은 0.2보다 크고, 선택적으로는 0.3보다, 선택적으로 0.4보다 클 수 있다. 그러므로, 방사 층(400)은 효과적으로 열을 방출하고, 멤브레인(40)이 사용 시 과열되는 것을 방지한다. 일 실시예에서, 방사 층(400)의 방사율은 베이스 층(60)의 방사율보다 높다.
일 실시예에서, 베이스 층(60)은 폴리실리콘을 포함한다.
일 실시예에서, 방사 층(400)은 다음: Ru, Mo, Zr 및 Nb 중 1 이상을 포함한다. Ru는 (약 1 nm 내지 10 nm의 두께 범위에서 제공되는 경우) 특히 우수한 방사율을 제공하는 것으로 밝혀졌다. 매끄러운 표면을 갖는 층으로 제공되는 경우, Ru 및 다른 재료들은 근수직 입사(near normal incidence) EUV에 대해 비교적 높은 반사율(Ru에 대해 약 1 %)을 갖는다. 이 높은 반사율은 바람직하지 않게 콘트라스트(contrast)를 감소시킨다.
저 EUV 반사 펠리클들을 만들기 위해, 본질적으로 낮은 EUV 반사 재료들을 이용하는 바와 같은 몇 가지 주요 전략들이 존재한다. 또 다른 전략은 아래에서 설명되는 바와 같이 거칠게 만든 계면 및/또는 중간층을 사용하는 것이다.
근수직 입사에 대한 반사율은 불규칙한 지지 표면에 방사 층(400)을 제공함으로써 감소된다. 불규칙한 지지 표면은 베이스 층(60)의 표면에 의해 또는 평평한 지지 층(402)에 의해[또는, 베이스 층(60)의 표면에서의 불규칙이 평평한 지지 층에 전달되는 경우에는 둘 모두에 의해] 형성될 수 있다. 방사 층(402)은 불규칙한 지지 표면의 불규칙이 지지 표면 반대편에 있는 방사 층(400)의 표면에서 대응하는 불규칙을 생성하도록 두께를 갖는다. 방사 층(400)의 표면에서의 불규칙은 불규칙의 스케일이 비교적 작은 경우에 표면 거칠기로서 설명될 수 있다. 30 nm의 폴리실리콘 상의 4 nm Ru의 매끄러운 막에 대해, 발명자들은 수직 입사 EUV 반사율 R = 약 1.2 %임을 알게 되었다. 대조적으로, 특성 길이 스케일 1 nm의 거칠기에 의해 정의되는 불규칙한 지지 표면 상에 형성된 Ru의 방사 층(400)은 R = 약 0.5 %를 갖는다. 일 실시예에서, 특성 길이 스케일은 표면 토폴로지의 평균 최고-최저 높이 차이(average peak-to-trough height difference)로서 정의된다. 하지만, 피크들 간의 평면내 간격(in-plane separation)은 너무 높지 않아야 한다. 통상적으로, 피크들 간의 평균 평면내 간격은 약 100 nm보다 작다. 특성 길이 스케일 3 nm의 거칠기에 의해 정의되는 불규칙한 지지 표면 상에 형성된 Ru의 방사 층(400)은 0.001 %보다 작은 R을 갖는다. 실시예들에서, 방사 층(400)의 표면에서의 불규칙은 적어도 2 nm, 선택적으로는 적어도 3 nm의 특성 길이 스케일을 갖는다. 방사 층(400)의 표면에서의 불규칙은 3 nm보다 상당히 더 긴, 심지어 최대 EUV 파장 및 이를 넘는 길이 스케일들을 가질 수 있다. 이러한 불규칙한 표면은 랜덤 방향들 및 크기들로 패싯들을 갖는 표면으로서 설명될 수 있다. 패싯들은 랜덤 방향들에서 이미지 밖으로 0차(수직 입사) 반사들을 전향(redirect)하여, 콘트라스트에 대한 부정적인 영향을 감소시키거나 제거한다. 상기 영향은 패싯들이 표면 거칠기와 통상적으로 연계된 불규칙들보다 상당히 더 크더라도 거칠기와 유사하다.
불규칙한 지지 표면은 다양한 방식으로 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 베이스 층(60) 및 베이스 층(60)에 형성된 평평한 지지 층(402) 중 어느 하나 또는 둘 모두가 불규칙한 지지 표면을 생성하도록 처리된다. 도 26은 이 타입의 방법의 결과를 도시한다. 이 실시예에서는, 저부 에칭된 실리콘 웨이퍼(320)가 저부로부터 위로: 하부 캐핑 층(401)(예를 들어, Si3N4), 폴리실리콘 베이스 층(60), 평평한 지지 층(402), 및 방사 층(400)을 지지한다. 평평한 지지 층(402)의 증착에 앞서 폴리실리콘 베이스 층(60)의 상부면에 이방성 에칭이 적용된다. 폴리실리콘의 결정 크기는 이방성 에칭이 원하는 불규칙을 갖는 베이스 층(60)의 상부면을 생성하도록 선택된다. 그 후, 평평한 지지 층(402)은 베이스 층(60)의 상부면의 불규칙이 평평한 지지 층의 상부면에서 대응하는 불규칙을 생성하는 충분히 얇은 층으로 제공되어, 방사 층(400)에 대한 원하는 불규칙한 지지 표면을 형성한다. 방사 층(400)은 유사하게 평평한 지지 층(402)의 상부면의 불규칙이 방사 층(400)의 표면에서 대응하는 불규칙을 생성하는 충분히 얇은 층으로 제공된다. 평평한 지지 층(402) 및 방사 층(400)은, 예를 들어 약 1 nm 내지 약 10 nm의 범위 내의 두께들을 가질 수 있다.
도 27 및 도 28은 실리콘 웨이퍼(320)와 베이스 층(60) 사이에 추가적인 층(406)이 제공되는, 방사 층(400)을 형성하는 대안적인 방법의 스테이지들을 도시한다. 일 실시예에서, 추가적인 층(406)은 폴리실리콘과 같은 다결정질 재료를 포함한다. 추가적인 층(406)은 평평한 지지 층(402)(예를 들어, Si3N4)의 상부면에 대한 증착에 앞서 불규칙한 상부면을 생성하도록 처리된다. 처리는, 예를 들어 이방성 에칭을 포함할 수 있다. 예를 들어, 폴리실리콘과 같은 다결정질 층을 포함할 수 있는 베이스 층(60)은 평평한 지지 층(402) 상에 형성된다. 나타낸 실시예에서, 베이스 층(60) 상에 상부 캐핑 층(407)(예를 들어, Si3N4)이 형성되어, 도 27에 나타낸 구성을 제공한다. 후속하여, 후면 에칭이 적용되어 (에칭 정지부로서 작용할 수 있는) 평평한 지지 층(402)의 저면까지 실리콘 웨이퍼(320)의 일부분 및 추가적인 층(406)의 일부분을 제거한다. 평평한 지지 층(402)의 하부면은 최초에 추가적인 층(406)의 불규칙한 상부면에 형성된 평평한 지지 층(402)으로 인한 불규칙한 지지 표면이다. 그 후, 불규칙한 지지 표면 상에 방사 층(400)이 증착되어, 도 28의 구성을 생성한다. 방사 층(400)은 불규칙한 지지 표면에서의 불규칙이 방사 층(400)의 두 표면에서 대응하는 불규칙을 생성하는 충분히 얇은 층으로 제공된다.
도 28에 나타낸 타입의 구성들에서, 베이스 층(60)과 실리콘 웨이퍼(320) 사이의 추가적인 층(406)에 제공된 불규칙(예를 들어, 거칠기)은 베이스 층(60)과 실리콘 웨이퍼(320) 간의 부착을 개선할 수도 있다.
불규칙한 지지 표면이 다결정질 재료의 이방성 에칭에 의해 형성되는 실시예들에서, 불규칙한 지지 표면에서의 결정면들의, 멤브레인의 법선에 대한 평균 각도는 바람직하게는 85 % 미만, 선택적으로 80 % 미만, 선택적으로 70 % 미만, 선택적으로 60 % 미만, 선택적으로 50 % 미만이다. 이 속성은 이방성 에칭에서의 에칭 조건들 및 다결정질 재료의 결정 크기들의 적절한 선택을 통해 달성될 수 있다. 90 도로부터의 편차들은 결정면들로부터의 수직 입사 방사선의 정반사들이 법선 방향으로부터 멀리 지향되게 할 것이다. 앞서 언급된 90 도 미만의 각도들에 대해, 큰 비중의 정반사들이 법선으로부터 너무 멀리 지향되어, 이들이 이미징 장치에 의해 포착되지 않고, 이에 따라 콘트라스트에 부정적인 영향을 미치지 않을 것으로 밝혀졌다.
도 29에 개략적으로 도시된 바와 같이, 통상적으로 에칭에 의해 제거할 지지 구조체(예를 들어, 실리콘 웨이퍼)의 구역을 정의하여 멤브레인(40)을 분리하기 위해 직사각형 마스크(410)(좌측)를 이용하여 멤브레인들이 형성된다. 결과적인 멤브레인(40)(우측)의 자립 부분은 마스크(410)와 동일한 전체 형상을 가질 것이다. 멤브레인(40)의 자립 부분의 형상은 자립 부분 경계선(412)에 의해 정의된다. 직사각형 마스크(410)의 경우, 자립 부분 경계선(412)은 (작은 각도 범위 내에서) 90 도 코너들(414)을 갖는 4 개의 직선(straight side)들을 포함할 것이다. 발명자들은 90 도 코너들(414)이 멤브레인(40)의 자립 부분에서 상당한 응력 집중을 야기한다는 것을 알게 되었다. 응력 집중들은 멤브레인(40)의 고장 가능성을 증가시키고, 및/또는 멤브레인(40) 수명을 단축시킨다. 응력 집중들은 제조하는 동안 멤브레인(40)의 사소한 크기 변화들로 인해 형성되며, 이는 멤브레인(40)이 더 이상 지지 프레임에 정확히 피팅되지 않음(예를 들어, 불룩해지게 함)을 의미한다.
발명자들은 90 도보다 큰 내각들을 갖는 코너들을 생성하는 것이 응력 집중을 회피하거나 감소시킨다는 것을 알게 되었다. 이로 인해, 멤브레인(40)의 신뢰성 및/또는 수명이 개선될 수 있다. 또한, 코너 부근의 광학적 교란(optical disturbance)들이 감소된다.
따라서, 일 실시예에서, 예를 들어 도 30에 도시된 바와 같이, EUV 리소그래피를 위한 멤브레인(40)이 제공된다. 멤브레인(40)은, 예를 들어 마스크(410)(좌측)를 이용하여 에칭될 지지 구조체의 구역을 정의한 후, 정의된 구역을 에칭하여 생성될 수 있다. 지지 구조체는 멤브레인(40)의 실리콘 웨이퍼 지지 층들을 포함할 수 있다. 정의된 구역의 에칭은 멤브레인(40)을 분리하도록 실리콘 웨이퍼의 일부분을 제거하는 단계를 포함한다. 멤브레인(40)의 일부분이 자립하게 된다. 멤브레인(40)의 자립 부분의 형상이 자립 부분 경계선(412)(우측)에 의해 정의된다. 자립 부분 경계선(412)은 복수의 실질적으로 직선인 섹션들을 포함한다. 도 30에 나타낸 예시에서, 자립 부분 경계선(412)은 8 개의 실질적으로 직선인 섹션들을 포함한다. 각 쌍의 바로 인접한 직선 섹션들 간의 내각(416)은 90 도, 선택적으로 적어도 95 도, 선택적으로 적어도 100 도, 선택적으로 적어도 110 도, 선택적으로 적어도 120 도보다 크도록 배치된다. 이는 도 30에서 내각들 중 단 하나에 대해 나타내지만, 내각들(416) 모두가 90 도보다 크다는 것을 분명히 알 수 있다. 180 도에서 내각(416)을 뺀 외각(418)은 90 도 미만일 것이다. 이로 인해, 응력 집중들이 감소되고, 멤브레인 신뢰성 및/또는 지속성이 개선된다. 또한, 멤브레인(40)의 코너들 부근의 (응력 집중들에 의해 야기되는) 광학적 교란들이 감소된다.
멤브레인(40)을 분리하는 데 이방성 에칭이 사용되는 경우, 에칭은 결정학적 평면을 따를 것이다. 이는 내각(416)이 미시적 스케일에서 코너들의 형태를 완전히 구술하지는 않음을 의미할 수 있다. 하지만, 이 실시예에 의해 제공되는 한 직선 섹션으로부터 다른 직선 섹션으로의 전이부는 여전히 90 도 코너들이 제공되는 경우보다 응력 집중을 감소시킨다는 측면에서 개선된다. (직사각형 경우에 대해) 코너에서의 손실된 펠리클 영역은 매우 크지 않아야 한다(이는 예를 들어 약 10 내지 100 제곱 미크론 정도일 수 있음). 그러므로, 코너들의 지오메트리의 변화는 EUV 방사선이 사용 시 통과할 멤브레인(40)의 구역과 간섭하지 않도록 쉽게 디자인될 수 있다.
제 2 금속 및 추가적인 원소를 포함한 화합물(예를 들어, MoSi2) 또는 폴리실리콘으로부터 형성된 베이스 층(60)들을 포함하는 멤브레인(40)들이 자연 산화물(보호 스케일), 예를 들어 SiO2를 형성할 수 있고, 이는 과도한 산화로부터 베이스 층을 보호한다. 하지만, 자연 산화물은 EUV 방사선에 의해 에칭되고, 결국 사용 동안 완전히 베이스 층(60)을 보호하는 것을 그칠 수 있다. 발명자들은 붕규산 유리를 포함한 캐핑 층이 베이스 층(60)의 개선된 보호를 제공할 수 있음을 알게 되었다. 도 31은 멤브레인(40)이 붕규산 유리를 포함한 캐핑 층(420)에 의해 각 측면에서 보호되는 베이스 층(60)을 포함하는 예시적인 구성을 나타낸다. 붕규산 유리를 포함한 캐핑 층(420)이 폴리실리콘, 제 2 금속 및 추가적인 원소를 포함한 화합물, 및 MoC 및 다른 탄화물과 같은 다양한 다른 조성들을 포함하는 다양한 베이스 층(60) 조성들과 조합하여 유용하게 사용될 수 있다.
붕규산 유리는 베이스 층(60)의 자연 산화물 대신에 형성될 수 있다. 대안적으로, 붕규산 유리는 베이스 층의 자연 산화물을 붕규산 유리로 변환시킴으로써 형성될 수 있다. 대안적으로, 붕규산 유리는 베이스 층(60)의 자연 산화물을 덮도록 형성될 수 있다.
이용가능한 다양한 붕규산 유리 조성들은 캐핑 층(420)의 속성들의 바람직한 튜닝을 허용한다. 발명자들은, 예를 들어 붕규산 유리의 조성의 적절한 선택에 의해 자연 산화물에 대한 우수한 안정성을 달성할 수 있음을 알게 되었다.
붕규산 유리의 얇은 층들을 증착하는 CMOS-호환(compatible) 방법들이 당업계에 알려져 있다(예를 들어, J. Leib O. Gyenge, U. Hansen, S. Maus, K. Hauck, I. Ndip, M. Toepper, Low Temperature Glass-Thin-Films for use in Power Applications, 2011 Electronic Components and Technology Conference, 978-1-61284-498-5/11 참조). 방법들은 Si의 CTE와 매우 밀접하게 매칭하는 열팽창 계수(CTE)들을 갖는 코팅들을 산출하는 것으로 보고된다. 베이스 층(60)이 폴리실리콘을 포함하는 경우, 이 매칭은 (CTE들이 일반적으로 덜 우수하게 매칭할) 자연 산화물 층들과 비교하여 높은 파워의 EUV 적용들에서 우수한 기계적 속성들을 유도하여야 한다. 또한, 비교적 더 낮은 온도에서 부드럽게 될 수 있는 붕규산 유리의 공식들이 이용가능하여, 균열 형성의 위험 및 보호 속성들의 연계된 손실을 감소시킨다.
붕규산 유리 캐핑 층(420)을 증착하는 다양한 기술들이 이용가능하다. 초기에 베이스 층(60)의 외표면들에 자연 산화물(예를 들어, 1.5 내지 2 nm 층 SiO2)이 제공되는 경우에 대한 3 개의 예시들이 아래에서 주어진다.
제 1 예시적인 방법에서, 자연 산화물은 박리된다. 이는, 예를 들어 HF에 멤브레인(40)을 침지시킴으로써 달성될 수 있다. 그 후, 붕규산 유리 층(예를 들어, 수 nm 두께, 예를 들어 2 nm 두께)이 베이스 층(60) 상에 증착되어 캐핑 층(420)을 형성한다. 예를 들어, 붕규산 유리를 증착하기 위해 플라즈마-강화 E-빔 증착이 사용될 수 있다.
제 2 예시적인 방법에서는, 붕규산 유리 층이 자연 산화물의 위에 증착된다. 이 구성은 산화에 대해 향상된 보호를 제공하지만, 자연 산화물의 존재가 EUV 투과율을 감소시킬 것이다.
제 3 예시적인 방법에서는, 자연 산화물로서 SiO2가 붕규산 유리로 전환된다. 이는, 예를 들어 SiO2를 B2O3 및 이러한 전환을 위해 당업계에 알려진 다른 첨가제와 반응시킴으로써 달성될 수 있다. 예를 들어, B2O3 층이 Na2O, Li2O, P2O5와 함께 또는 원하는 속성들의 유리를 위해 필요한 것은 무엇이든 SiO2 상에 동시-증착될 수 있다. 고온 어닐링 단계가 적용되어 변환을 완료할 수 있다.
대안적인 실시예에서, 캐핑 층(420)은 다음: Ta, Ti, Cr, Ni 및 Nb 중 1 이상과 같은 적어도 하나의 다른 금속과 Mo의 합금을 포함한다. 이러한 캐핑 층(420)은, 예를 들어 폴리실리콘을 포함한 베이스 층(60)과 조합하여 사용될 수 있다. Mo는 바람직하게는 적외선에서 높은 방사율을 갖지만, 실온에서도 공기 중 산화를 겪고 더 높은 온도에서는 빠르게 산화할 것이다. 추가적인 캐핑 층들이 산화로부터 Mo를 보호하도록 제공될 수 있지만, 이는 멤브레인(40)의 복잡성을 증가시킬 것이다. Mo와 또 다른 금속의 합금은 추가적인 캐핑 층들을 필요로 하지 않고 Mo의 산화를 크게 감소시킨다. 다른 금속의 약 5 wt.% 미만과 Mo의 합금이 산화에 대한 Mo의 안정성을 실질적으로 증가시킬 것으로 예상된다(예를 들어, A. List, C. Mitterer, G. Mori, J. Winkler, N. Reinfried, W. Knabl, Oxidation of Sputtered Thin Films of Molybdenum Alloys as Ambient Conditions, 17th Plansee Seminar 2009, Vol. 1 참조). Ti와 Mo의 합금 및 Ta와 Mo의 합금은 산화에 대해 특히 우수한 보호를 제공한다. 이에 따라, 이러한 합금으로부터 형성되는 캐핑 층(420)은 효과적으로 산화에 대한 보호의 기능 및 적외선에서의 높은 방사율의 기능을 모두 제공하는 이기능 층(bifunctional layer)이다.
대안적인 실시예에서, 멤브레인(40)에는 다음: YSi2, ZrSi2, LaSi2 및 NbSi2 중 1 이상을 포함한 베이스 층(60)이 제공된다. 이 4 개의 재료들 각각은 MoSi2보다 EUV에 대해 훨씬 더 투명하다. YSi2 및 ZrSi2가 특히 효과적이고, 이는 MoSi2의 EUV 투명도의 최대 2 배인 EUV 투명도를 제공한다. 4 개의 재료들의 방사율 및 열-기계적 속성들은 MoSi2와 유사하다. 높은 방사율은 추가적인 방사 금속 층들이 필요하지 않음을 의미한다. 열-기계적 속성들은 베이스 층(60)이 폴리실리콘 대안보다 실질적으로 더 얇게 만들어질 수 있음을 의미하며, 이는 또한 높은 EUV 투과율을 촉진하는 데 도움이 된다. YSi2, ZrSi2, LaSi2 및 NbSi2로부터 형성되는 베이스 층(60)은 산화에 대해서는 안정적이지 않을 것이며, 이에 따라 산화에 대한 보호를 제공하기 위해 캐핑 층(430)이 제공될 수 있다.
이 타입의 예시적인 멤브레인(40)이 도 32에 도시된다. 멤브레인(40)은 YSi2, ZrSi2, LaSi2 및 NbSi2 중 1 이상을 포함한다. 캐핑 층(430)이 제공된다. 나타낸 특정 예시에서, 캐핑 층(430)은 베이스 층(60)의 상부면 및 하부면 모두에 제공된다.
나타낸 예시에서, 캐핑 층(430)은 캐핑 층 제 1 서브-층(431) 및 캐핑 층 제 2 서브-층(432)을 포함한다. 캐핑 층 제 1 서브-층(431)은 베이스 층(60)과 접촉하고, 캐핑 층 제 2 서브-층(432)은 베이스 층(60)과 반대되는 캐핑 층 제 1 서브-층(431)의 측에 위치된다. 일 실시예에서, 캐핑 층 제 1 서브-층(431)은 MoSi2 또는 Si를 포함한다. 캐핑 층 제 2 서브-층(432)을 형성하기 위해 다양한 재료들이 사용될 수 있다. 일 실시예에서, 캐핑 층 제 2 서브-층(432)은 B를 포함한다.
상세한 일 예시에서, 멤브레인(40)은 20 내지 30 nm의 두께로 YSi2 또는 ZrSi2를 포함한 베이스 층(60)을 제공함으로써 제조된다. 후속한 단계에서, (항-산화 장벽을 제공하고, 스택으로 하여금 통상적인 제조 공정 흐름 조건들에 대해 견고하게 하기 위해) Si 또는 MoSi2(2 내지 4 nm)의 캐핑 층 제 1 서브-층(431)이 베이스 층(60)에 적용된다. 후속한 단계에서, SiO2 자연 산화물이 제거되어 EUV 투과율을 증가시킨다(예를 들어, He/H 플라즈마 에칭을 이용함). 또한, SiO2 자연 산화물의 제거는 단글링 본드(dangling bonds)를 제공하고, 이는 캐핑 층 제 1 서브-층(431)과 후속하여 적용될 캐핑 층 제 2 서브-층(432) 간의 결합을 개선한다. 후속한 단계에서, 캐핑 층 제 2 서브-층(432)이 캐핑 층 제 1 서브-층(431)(예를 들어, B)에 적용된다. 캐핑 층 제 2 서브-층(432)은 원 위치에서(in-situ) 적용되고, SiO2 자연 산화물이 캐핑 층 제 1 서브-층(431)에 재형성(reform)되지 않을 것을 보장한다.
대책이 없을 때, 캐핑 층들은 EUV 노광 조건들 동안 저하될 수 있다. 예를 들어, Ru, Mo, B, 및 Zr과 같은 금속들(및 그 각각의 합금, 붕화물, 탄화물 또는 규화물을 포함한 조합들)이 산화되는 것으로 관찰되었다. 산화는 EUV 투과를 감소시킨다. 금속 함량 및 대응하는 전도도의 감소로 인해, 산화는 멤브레인의 방사율도 감소시킨다. 활성 산소 결핍을 포함하는 산화물 표면들로 인해 화학적 안정성이 낮아질 수 있다. 또한, 캐핑 층 두께, 조성 및 거칠기의 여하한의 변화가 EUV 반사율에 영향을 줄 것이다. 발명자들은 캐핑 층들의 내산화성(oxidation resistance) 및 화학적 안정성에서의 중요한 인자가 결정질 미세구조라는 것을 인식하였다. 많은 통상적인 캐핑 층들, 특히 금속 캐핑 층들은 다결정질이다. 결정립계(grain boundary)들이 원자 확산을 위한 경로들을 제공하기 때문에 결정립계들은 산화 장벽으로서 열악한 성능을 야기한다. 또한, 결정립계들은 그 불완전한 구조로 인해 결정립 내부보다 더 화학적 공격을 받기 쉽다. 본 발명의 실시예들은 비정질 캐핑 층을 제공함으로써 개선된 성능을 제공한다.
일 실시예에서, 멤브레인(40)을 제조하는 방법은 베이스 층(60)[또는 베이스 층(60) 및 1 이상의 다른 층들을 포함한 스택] 및 캐핑 층(70)을 제공하는 단계를 포함한다. 캐핑 층(70)은 비정질 캐핑 층이다. 캐핑 층(70)은 멤브레인(40)의 외표면을 제공한다. 베이스 층(60) 및 캐핑 층(70)은, 예를 들어 도 3의 일반적인 구성을 채택할 수 있다. 이 구성에서는, 2 개의 캐핑 층들[제 1 캐핑 층(70) 및 제 2 캐핑 층(80)]이 제공된다. 다른 실시예들에서, 캐핑 층(70)은 멤브레인(40)의 한 측에만 제공될 수 있다[예를 들어, 패터닝 디바이스를 보호하는 멤브레인의 경우, 캐핑 층(70)은 패터닝 디바이스를 향하는 멤브레인(40)의 측에 제공될 수 있다]. 베이스 층(60) 및 여하한의 다른 층들의 조성 및 두께는 앞선 실시예들 중 어느 하나에서 설명된 바와 같을 수 있고, 또는 다른 조성들 및 두께들이 사용될 수 있다. 비정질 캐핑 층(70)을 제공하는 것의 장점들은 멤브레인(40)의 다른 층들의 성질에 특별히 의존하지 않는다. 그러므로, 예를 들어 폴리실리콘, SiN, MoSi2 및 그래핀을 포함한 베이스 층들을 포함하는 현재의 멤브레인 디자인들 및 미래의 멤브레인 디자인들에 상기 접근법이 적용될 수 있다.
일 실시예에서, 캐핑 층(70)은 금속이다. 일 실시예에서, 캐핑 층(70)은 합금을 포함한다. 아래에서 더 상세히 설명되는 바와 같이, 합금의 사용이 캐핑 층(70)에서 결정화를 억제하여, 비정질 상태를 촉진할 수 있다. 일 실시예에서, 합금은 다음: Ru, Mo, B, C, Cr, Ir, Nb, Pd, Pt, Re, Rh, Ti, V, Y 중 1 이상, 바람직하게는 다음: B, C, Y 중 1 이상을 포함한다. 예를 들어: 1) Rh, Pd, Pt, Y, B, Ti, C 및 P 중 1 이상과 Ru; 및 2) B, Ta, Nb, Cr 및 Ru 중 1 이상과 Mo.
일 실시예에서, 합금은 B로 도핑된 Ru(예를 들어, 10 내지 20 % B), P로 도핑된 Ru, 또는 Mo(1-x-y)RuxBy를 포함한다. 이 재료들은 순수 Ru보다 H, O 및 H2O에 의한 침투에 대해 더 높은 저항을 제공한다. 또한, EUV, H2 플라즈마 및 열부하에 노출된 경우에 증가된 안정성이 달성되고, 유리한 비정질 구조가 이 조건들에서 유지된다. 표면 반응 속성들이 순수 Ru에 비해 개선되고, 예를 들어 기판(W) 상의 금속-함유 레지스트로부터 비롯되는 금속 오염물에 관한 리액턴스(reactance)가 더 적다. 그러므로, 캐핑 층(70)의 청정도(cleanability)가 개선된다. 일 실시예에서, 캐핑 층 내의 단계적 농도 프로파일이 제공되고, 도펀트(예를 들어, B 또는 P)의 농도는 캐핑 층(70) 내의 더 깊은 위치들보다 캐핑 층(70)의 표면들 중 적어도 하나 부근에서 더 높으며, 이로 인해 과도한 전체 레벨의 도펀트 없이 높은 청정도를 제공한다.
결정립계들의 부재에 의해 제공되는 산화에 대한 증가된 저항은 시간에 걸친 EUV 투과 및 EUV 반사의 변동을 감소시킬 것이다. 캐핑 층(70)의 금속 성질을 보존하는 것이 방사율의 변화들을 최소화하여, 멤브레인으로 하여금 더 오랫동안 높은 온도에서 생존하게 할 것이다.
또한, 캐핑 층(70)의 비정질 특징은 재료의 많은 선택들에 대해 반사율의 감소를 초래한다: 멤브레인(40)의 캐핑 층(70)과 베이스 층(60) 간의 광학적 콘트라스트는 통상적으로 캐핑 층(70)이 다결정질인 경우에 비하여 캐핑 층(70)이 비정질인 경우에 더 낮다.
비정질 캐핑 층(70)을 갖는 멤브레인(40)을 제조하는 예시적인 접근법들이 아래에서 설명된다.
일 실시예에서, 비정질 캐핑 층(70)의 형성은 합금을 형성하도록 적어도 2 개의 상이한 금속들을 (예를 들어, 동시-스퍼터링에 의해) 동시에 증착하는 단계를 포함한다. 금속 원자들의 상이한 타입들의 상이한 크기들은 결정화 공정을 방해하여, 비정질 층의 생성을 촉진한다. 동시-증착 공정 동안, 형성되고 있는 층의 표면에 충돌하는 입자들의 에너지를 증가시키도록 편향(bias)이 적용될 수 있고, 이는 상 형성(phase formation)을 변경한다. 따라서, 적용된 편향은 캐핑 층(70)의 비정질화(amorphization)에 기여한다. 또한, 적용된 편향은 막 미세구조에 의존적인 캐핑 층(70)의 다른 속성들(예를 들어, 응력, 저항률, 부착)을 조절하기 위해 편리하게 사용될 수 있다.
대안적인 실시예에서, 비정질 캐핑 층(70)의 형성은 제 1 가스 및 제 2 가스의 존재 하에 비정질 캐핑 층(70)을 증착하는 단계를 포함하며, 제 2 가스의 존재는 제 1 가스만의 존재 시 수행되는 동일한 증착 공정과 비교하여 비정질 캐핑 층(70)의 결정화를 억제한다. 아르곤(Ar)에 추가된 소량의 질소(N)와 같은, 형성(예를 들어, 증착) 동안의 이러한 제 2 가스의 포함은 증착된 비정질 캐핑 층(70)의 구조를 붕괴시켜, 결정질 구조보다는 비정질의 형성을 촉진할 수 있다. 제 2 가스(예를 들어, 질소)는 증착되고 있는 원자들의 활성화 에너지 및 원자 이동성을 감소시킬 수 있다. 제 2 가스(예를 들어, 질소)는 결정화 동역학을 늦춰, 비정질 상을 안정화할 수 있다.
대안적인 실시예에서, 비정질 캐핑 층(70)의 형성은 베이스 층(60)[또는 베이스 층(60) 및 다른 층들을 포함한 스택]이 결정화를 억제하도록 실온 이하의 온도에서 유지되는 동안에 수행된다. 따라서, 멤브레인(40)은 증착에 앞서 사전-냉각되고, (예를 들어, 냉각재로서 물 또는 가스를 이용하여) 증착 공정 동안 능동적으로 저온에 유지될 수 있다. 저온은 결정질 결정립 성장을 억제하고, 상호확산/중간층 형성을 억제한다. 일단 증착 공정이 완료되면, 원자들이 이동하고 상호확산하는 데 필요한 에너지가 증가한다. 그러므로, 실온까지의 가열이 더 이상 상호확산 공정을 시작하는 데 충분하지 않고, 캐핑 층(70)은 안정된 비정질 상에 머무를 것이다.
비정질 캐핑 층(70)의 비정질화 정도는, 원자력 현미경(AFM), 투과 전자 현미경(TEM) 및 스캐닝 전자 현미경(SEM) 측정들을 포함하는 다양한 기술들을 이용하여 측정되고 모니터링되므로, 공정 제어를 통해 제품의 품질을 개선하는 데 기여할 수 있다.
앞서 설명된 비정질 캐핑 층(70)을 제공하는 것과 연계된 장점들이 펠리클들과 같은 멤브레인들에 적용가능한 것만은 아니다. 예를 들어, H, O, H2O, EUV, H2 플라즈마, 열부하 등에 대한 증가된 저항에 관한 장점들이 EUV 거울들 또는 반사 레티클들에 적용가능하다. 추가적으로, B- 또는 P-도핑된 Ru 및/또는 Mo(1-x-y)RuxBy가 예를 들어 순수 Ru(예를 들어, 더 낮은 EUV 흡수 및 더 높은 반사율) 또는 Mo보다 우수한 광학적 속성들을 가질 것으로 예상된다. EUV 거울들에 대해, B- 또는 P-도핑된 Ru 및/또는 Mo(1-x-y)RuxBy가 블리스터링(blistering)을 감소시킬 뿐 아니라, 여하한의 ZrO2 오버코팅에 대해 개선된 밑면을 제공할 것으로 예상된다. 금속 오염물(예를 들어, Sn)에 대해 감소된 반응도는 심지어 ZrO2와 같은 오버코팅을 불필요하게 만들 수 있다. 다층 반사 구조체들의 Mo 층들은 B- 또는 P-도핑된 Ru 및/또는 Mo(1-x-y)RuxBy로 대체되어, 층마다 더 낮은 거칠기 및 더 낮은 EUV 산란을 제공할 수 있다.
대안적인 실시예에서, 베이스 층(60) 및 캐핑 층(70)을 갖는 EUV 리소그래피를 위한 멤브레인(40)이 제공된다. 캐핑 층은 적어도 20 %(80 % 미만 sp2 탄소), 선택적으로 적어도 50 %, 선택적으로 적어도 75 %, 선택적으로 실질적으로 100 %의 sp3 탄소의 비율을 갖는 탄소를 포함한다. 캐핑 층(70)은 멤브레인(40)의 외표면을 제공한다. sp3 및 sp2 탄소를 모두 함유한 탄소는 다이아몬드-유사 탄소라고 칭해진다. sp3 탄소는 높은 EUVT를 갖고, H 플라즈마에 의한 에칭에 저항적이며, 높은 온도를 견딜 수 있다. 또한, sp3 탄소는 가스 상으로부터 표면들에 증착되는 sp2 탄소가 H 플라즈마로 세정될 수 있음에 따라 광학기 수명과 연계된 문제들의 여하한의 위험을 제시하지 않는다. 베이스 층(60) 및 캐핑 층(70)은, 예를 들어 도 3의 일반적인 구성을 채택할 수 있다. 이 구성에서는, 2 개의 캐핑 층들[제 1 캐핑 층(70) 및 제 2 캐핑 층(80)]이 제공된다. 다른 실시예들에서, 캐핑 층(70)은 멤브레인(40)의 한 측에만 제공될 수 있다[예를 들어, 패터닝 디바이스를 보호하는 멤브레인의 경우, 캐핑 층(70)은 패터닝 디바이스를 향하는 멤브레인(40)의 측에 제공될 수 있다]. 베이스 층(60) 및 여하한의 다른 층들의 조성 및 두께는 앞선 실시예들 중 어느 하나에서 설명된 바와 같을 수 있고, 또는 다른 조성들 및 두께들이 사용될 수 있다. 캐핑 층(70)은, 예를 들어 다음: MoSi2, B/B4C, pSi, ZrSi2, 그래핀 및 다른 것들 중 어느 1 이상을 포함하는 베이스 층(60)에 제공될 수 있다.
일 실시예에서, 캐핑 층(70)은 예를 들어 붕소 및 ZrO2에 대한 대안예로서 Si-함유 베이스 층(60)에 사용될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 캐핑 층(70)은 탄소, 예를 들어 다층 그래핀 또는 탄소 나노튜브를 포함한 베이스 층(60)과 조합하여 사용되고, 이로 인해 H 플라즈마에 대해 가치있는 저항을 제공한다. 일 실시예에서, 전체 탄소 베이스 층(60) 및 전체 탄소 캐핑 층(70)의 제공은 멤브레인(60)으로 하여금 전체적으로 단일 화학 원소로부터 형성되게 하여, 멤브레인(60)이 문제있는 원소들로 멤브레인(60)이 사용되는 환경을 오염시킬 위험을 감소시킨다. 멤브레인(60)은 캐핑 층(70)으로 인해 더 높은 온도 및 H 플라즈마를 견디는 능력 때문에 그래핀 유일 펠리클(graphene only pellicle)보다 우수하다. 일 실시예에서, 베이스 층(60) 및 캐핑 층(70)은 둘 다 탄소로부터 형성되지만, 베이스 층(60)은 캐핑 층(70)보다 다이아몬드와 덜 유사하다(즉, 더 낮은 비율의 sp3 탄소를 함유함). 따라서, 베이스 층(60)은 sp3 탄소의 비율이 캐핑 층(70)의 탄소 내의 sp3 탄소의 비율보다 낮은 탄소를 포함할 수 있다. 다이아몬드는 순수 sp2 탄소와 비교하여 매우 낮은 IR 방사율을 가지며, 이에 따라 순수 탄소 멤브레인들에 대하여 충분히 높은 IR 방사율을 제공하기 위해 순수 sp2 탄소 성분(또는 높은 비율의 sp2 탄소를 갖는 성분)이 필요할 것이다.
sp3 탄소의 비율은 층의 속성들에 강한 영향을 미친다. 순수 다이아몬드가 순수 sp3이고, 우수한 에칭 저항성을 갖는다(다이아몬드는 저에너지 H 원자들에 의해 그래파이트보다 75 내지 7000 배 더 느리게 에칭됨). 순수 다이아몬드를 이용한 제조는 쉽지 않지만, sp3 및 sp2 탄소를 둘 다 함유한 다이아몬드-유사 탄소의 층들은 순수 sp2 탄소와 비교하여 현저하게 개선된 에칭 저항성을 나타낸다.
다이아몬드-유사 탄소를 증착하는 다양한 공정들이 알려져 있으며, 예를 들어 플라즈마 CVD, 증착, 이온-보조 증착(ion-assisted deposition), 스퍼터링, 음극 진공 아크(CVA), 플라즈마 증착, 및 펄스 레이저 증착(PLD)을 포함한다. 증착 방법의 변동들이 달성되는 sp3/sp2 비를 결정할 것이다. 그러므로, 증착 방법은 원하는 sp3/sp2 비의 함수로서 선택될 수 있다. 초박막들이 통상적으로 약 1의 sp3/sp2 비(50 % sp3)에 도달할 수 있다.
대안적인 실시예에서, 베이스 층(60) 및 제 2 금속으로 도핑된 제 1 금속을 포함한 캐핑 층(70)을 갖는 EUV 리소그래피를 위한 멤브레인(40)이 제공된다. 캐핑 층(70)은 멤브레인(40)의 외표면을 제공한다. 일 실시예에서, 제 1 금속은 전이 금속을 포함한다. 일 실시예에서, 제 2 금속은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 포함한다. 베이스 층(60) 및 캐핑 층(70)은, 예를 들어 도 3의 일반적인 구성을 채택할 수 있다. 이 구성에서는, 2 개의 캐핑 층들[제 1 캐핑 층(70) 및 제 2 캐핑 층(80)]이 제공된다. 다른 실시예들에서, 캐핑 층(70)은 멤브레인(40)의 한 측에만 제공될 수 있다[예를 들어, 패터닝 디바이스를 보호하는 멤브레인의 경우, 캐핑 층(70)은 패터닝 디바이스를 향하는 멤브레인(40)의 측에 제공될 수 있다]. 베이스 층(60) 및 여하한의 다른 층들의 조성 및 두께는 앞선 실시예들 중 어느 하나에서 설명된 바와 같을 수 있고, 또는 다른 조성들 및 두께들이 사용될 수 있다.
금속들, 특히 전이 금속들, 특히 Ru의, 다른 금속들, 특히 알칼리 또는 알칼리 토금속, 특히 Sr 또는 Ca로의 도핑은 다양한 방식으로 개선된 성능을 제공한다.
도핑은 캐핑 층(70)의 열적 안정성을 증가시킬 수 있다. 알칼리 토금속들은 비교적 높은 증기압들을 갖고, 이에 따라 도핑되는 재료의 휘발성을 감소시킬 수 있다. 예를 들어, Sr로 도핑된 Ru의 경우, Sr과 연계된 더 높은 증기압은 Ru의 휘발성이 감소된다는 것을 의미한다.
도핑은 캐핑 층(70)에서 에피택셜 스트레인(epitaxial strain)을 완화함으로써 캐핑 층(70)의 균일성을 증가시킬 수 있다.
도핑은 EUV 투과를 증가시킬 수 있다. 예를 들어, Sr로 도핑되는 Ru의 경우, Sr이 Ru보다 EUV에 대해 상당히 더 투명하기 때문에 더 높은 투명도가 달성된다.
도핑은 EUV 반사를 증가시킬 수 있다. 예를 들어, Sr로 도핑되는 Ru의 경우, Sr이 캐핑 층(70)과 베이스 층(60) 간의 굴절률의 차이를 감소시킨다.
알칼리 토금속들은 안정적인 원소들이고, 상 분리(phase segregation)가 발생하기 전에 더 높은 농도로 도핑될 수 있다(통상적인 도핑 범위는 1 내지 10 % 정도임). 또한, 금속 Sr은 향상된 전도도/방사율을 촉진하도록 Ru의 페르미 레벨(Fermi level)에 기여할 수 있다.
도핑은, 예를 들어 상이한 PVD 기술들을 포함하는 다양한 방식으로 구현될 수 있고, 이에 따라 효율적으로 기존 제조 흐름에 통합될 수 있다. (분리된 타겟들로부터) Ru와 함께 Sr을 동시-스퍼터링하는 것이 Sr로 Ru를 도핑하는 경우에 적절할 것이다. 대안적으로, Ru-타겟이 Sr로 도핑될 수 있다. 또한, 예를 들어 Sr의 화학 전구체들로서 Sr3(CO)12와 CVD가 사용될 수 있다.
도핑의 정도는, 예를 들어 X-선 광전자 분광법(XPS), 이차 이온 질량 분석법(SIMS), 및 러더퍼드 후방산란 분석법(Rutherford backscattering spectroscopy: RBS)에 의해 측정될 수 있다. 더 낮은 농도의 도펀트에서, 측정이 더 어려워지는 경우, 증착 동안 금속 플럭스(metallic flux)의 우수한 제어가 필름에서의 원하는 화학량론을 산출하는 것으로 알려진다.
대안적인 실시예에서, 베이스 층(60) 및 M1xM2yOz를 포함한 캐핑 층(70)을 갖는 EUV 리소그래피를 위한 멤브레인(40)이 제공되며, 이때 M1은 1 이상의 알칼리 금속 및/또는 1 이상의 알칼리 토금속을 포함하고, M2는 전이 금속, 선택적으로는 희토류 금속이다. 캐핑 층(70)은 멤브레인(40)의 외표면을 제공한다. 일 실시예에서, 캐핑 층(70)은 다음: SrRuO3, SrVO3, CaVO3, La0 . 67Sr0 . 33MnO3 중 1 이상을 포함한다. 베이스 층(60) 및 캐핑 층(70)은, 예를 들어 도 3의 일반적인 구성을 채택할 수 있다. 이 구성에서는, 2 개의 캐핑 층들[제 1 캐핑 층(70) 및 제 2 캐핑 층(80)]이 제공된다. 다른 실시예들에서, 캐핑 층(70)은 멤브레인(40)의 한 측에만 제공될 수 있다[예를 들어, 패터닝 디바이스를 보호하는 멤브레인의 경우, 캐핑 층(70)은 패터닝 디바이스를 향하는 멤브레인(40)의 측에 제공될 수 있다]. 베이스 층(60) 및 여하한의 다른 층들의 조성 및 두께는 앞선 실시예들 중 어느 하나에서 설명된 바와 같을 수 있고, 또는 다른 조성들 및 두께들이 사용될 수 있다.
M1xM2yOz 재료들은 캐핑 층들로서 다양한 장점들을 제공한다. 재료들은 특별히 안정적이고 비-휘발성이다. 다양한 격자 상수들의 범위가 이용가능하고, 스트레인이 낮거나 없는 캐핑 층들의 형성을 용이하게 한다. 유연한 밴드 구조가 재료들로 하여금 쉽게 튜닝되게 한다. 상이한 스트레인들을 도핑하고 적용함으로써, 그 페르미 레벨 전자 밀도들을 시프트하고, 이에 따라 그 전도도 및 방사율의 제어를 허용하는 것이 가능하다.
M1xM2yOz 재료들은 다른 금속들 및 합금들에 비해 비교적 높은 EUV 투과를 갖는다. 또한, 그 조성 및 결정 구조에서의 유연성이 멤브레인 내의 다른 층들과 매칭하도록 광학적 속성들을 튜닝하여, 반사율을 감소시킬 수 있게 한다.
고품질 M1xM2yOz 재료 층들이 RF-스퍼터링, 분자선 에피택시(MBE), e-빔 증착, 및 펄스 레이저 어블레이션(pulsed laser ablation: PLD)과 같은 많은 물리적 기상 증착(PDV) 기술들을 이용하여 증착될 수 있다. 이 기술들 중 일부는 매우 고급이어서 원자 층들에 이르기까지 필름 두께를 제어할 수 있고, 이는 EUV 리소그래피에서 사용되는 멤브레인(40)들에 특히 유리하다.
M1xM2yOz 재료 층들의 물리적 속성들(예를 들어, 전도도)은 4-프로브 PPMS 기술을 이용하여 측정될 수 있다. 이 층들은 일반적으로 측정 조건들에 관하여 매우 안정적이며, 이에 따라 여하한의 평면내 및 평면외 측정 기술이 그 속성들을 측정하는 데 사용될 수 있다.
다층 그래핀뿐 아니라, 예를 들어 MoSi2, ZrSi2, 및 다른 규화물을 포함하는 다양한 유망한 베이스 층 재료들이 자립 멤브레인으로 형성되는 경우에 지나치게 높은(MoSi2, ZrSi2, 및 다른 규화물의 경우) 또는 지나치게 낮은(다층 그래핀의 경우) 응력을 갖는 것으로 관찰되었다. 지나치게 높은 응력들은 멤브레인들의 너무 이른 고장을 야기한다. 지나치게 낮은 응력들은 멤브레인들의 바람직하지 않은 주름을 야기한다. 발명자들은 베이스 층이 증착되는 경우에 베이스 층을 지지하는 지지 구조체와 베이스 층 자체 간의 열팽창 계수의 미스매칭에 의해 바람직하지 않은 레벨의 응력이 야기되는 것으로 여긴다. 멤브레인들은 통상적으로 제조 동안 1 이상의 고온 단계를 거친다. 예를 들어, 700 ℃ 이상의 온도에서 어닐링이 수행되어, 밀도를 최적화하고 사용 시 멤브레인의 어닐링 및 수축을 방지할 수 있다. 증착 기술들이 높은 온도들을 사용할 수 있다. 다층 그래핀의 CVD가 예를 들어 700 ℃ 이상의 온도에서 수행되어야 할 수 있다. 이 높은 온도들에서, 베이스 층은 훨씬 더 두꺼운 지지 구조체에 의해 제한되는 그 최저 응력 상태로 이완된다. 조립체가 후속하여 냉각되는 경우, 베이스 층 및 지지 구조체는 열팽창 계수들의 미스매칭에 따라 상이한 양만큼 수축한다. 지지 구조체가 더 높은 열팽창 계수를 갖는 경우, 이는 베이스 층보다 더 수축하여, 주름진 베이스 층을 초래할 것이다. 지지 구조체가 더 낮은 열팽창 계수를 갖는 경우, 이는 베이스 층보다 덜 수축하여, 베이스 층에 높은 응력들을 초래할 것이다.
도 34 및 도 35는 앞서 설명된 열팽창 계수들의 미스매칭과 연계된 문제들을 감소시키는 방식으로 멤브레인(40)이 제조되는, 일 실시예에 따른 방법에서의 단계들을 도시한다. 상기 방법은 지지 구조체(802) 상에 베이스 층(60)을 형성하여, 도 34에 나타낸 구성을 제공하는 단계를 포함한다. 그 후, 지지 구조체(802)는 베이스 층(60) 밑의 선택된 구역(804)에서 에칭되어[선택된 구역(804)의 경계선이 점선으로 도시됨], 도 35에 나타낸 바와 같이 베이스 층(60)을 포함한 자립 멤브레인(40)을 형성한다. 멤브레인(40)은 (보더라고 칭해질 수 있는) 지지 구조체(802)의 남은 부분에 의해 지지되는 비-자립 부분에 연결되는 자립 부분을 포함한다. 많은 변형예들이 가능하기 때문에, 공정 흐름의 세부사항은 도 34 및 도 35에 나타내거나 여기에서 설명되지 않는다. 예를 들어, 도 17 내지 도 25를 참조하여 앞서 설명된 공정 흐름의 적절하게 개조된 버전이 사용될 수 있다.
베이스 층(60)과 지지 구조체(802)의 열팽창 계수 간의 차이가 베이스 층(60)과 실리콘의 열팽창 계수 간의 차이보다 작은 지지 구조체(802)를 제공함으로써 멤브레인(40)에서의 더 유리한 응력들이 달성된다. 따라서, 열팽창 계수에서의 미스매칭은 표준 실리콘 웨이퍼가 지지 구조체(802)로서 사용되는 경우보다 작다. 일 실시예에서, 지지 구조체(802)는 사파이어를 포함한다. 일 실시예에서, 지지 구조체(802)는 규산염 유리, 예를 들어 소다-석회 유리를 포함한다. 일 실시예에서, 지지 구조체(802)는 석영을 포함한다. 이 재료들은, 그렇지 않으면 문제가 되는 베이스 층 재료들에 우수한 매칭을 제공하는 열팽창 계수들을 제공한다. 일 실시예에서, 베이스 층(60)은 MoSi2, ZrSi2, B 및 B4C 중 1 이상을 포함하고, 지지 구조체(802)는 사파이어를 포함한다. 일 실시예에서, 베이스 층(60)은 sp2 탄소(예를 들어, 다층 그래핀)를 포함하고, 지지 구조체(802)는 석영을 포함한다.
앞서 설명된 실시예들 중 어느 하나에서, 특히 EUV에서 비교적 높은 반사율을 갖는 층(예를 들어, B)이 사용되는 경우, 베이스 층(60)의 두께는 베이스 층(60)의 양측의 계면들로부터 반사되는 EUV 사이에 상쇄 간섭을 달성하도록 선택될 수 있다. 이로 인해, 전체 반사율이 감소된다. 일 실시예에서, 베이스 층(60)의 두께는 다음: 9 nm +/- 2 nm, 바람직하게는 +/- 1 nm, 16 nm +/- 2 nm, 바람직하게는 +/- 1 nm, 22 +/- 2 nm, 바람직하게는 +/- 1 nm, 및 29 +/- 2 nm, 바람직하게는 +/- 1 nm 중 하나이도록 선택된다. 이 두께들 각각이 상쇄 간섭을 달성하는 것으로 밝혀졌다. 두께들은 특히 베이스 층(60)이 규화물, 특히 YSi2 또는 ZrSi2를 포함하는 경우에, 및 특히 B를 포함한 추가 층[예를 들어, 캐핑 층 제 2 서브-층(432)]이 사용되는 경우에 효과적인 것으로 밝혀졌다. 또한, 상쇄 간섭을 야기하는 더 높은 두께들이 가능하지만, 증가한 두께가 바람직하지 않게 EUV 투과율을 감소시킬 것이다.
일 실시예에서, 멤브레인(40)은 펠리클로서, 또는 동적 가스 락의 일부분으로서 적용된다. 대안적으로, 멤브레인(40)은 식별(identification)과 같은 다른 여과 영역에, 또는 빔 스플리터에 적용될 수 있다. 일 실시예에서, 동적 가스 락은 리소그래피 장치(100) 내에서 잔해를 차단하도록 구성된다. 일 실시예에서, 동적 가스 락은 투영 시스템(PS)과 기판(W) 사이에 위치된다. 동적 가스 락은 기판(W) 또는 기판(W) 부근으로부터의 입자들이 투영 시스템(PS) 주위 또는 그 안의 광학 구성요소들에 도달할 가능성을 감소시킨다. 유사하게, 동적 가스 락은 조명 시스템(IL)을 보호할 수 있다. 대안적인 실시예에서, 동적 가스 락은 가상 소스점(IF)에 위치된다. 예를 들어, 동적 가스 락은 소스 컬렉터 모듈(SO)과 조명 시스템(IL) 사이에 위치될 수 있다.
적어도 동적 가스 락이 투영 시스템(PS)과 기판(W) 사이에 위치되는 경우에, 노광되는 기판(W)으로부터 배출되는 종(species)/분자들로부터의 오염으로 인해 멤브레인(40)의 수명이 감소될 수 있는 것으로 밝혀졌다. 문제는 특히 레지스트가 현재 EUV 적용들에 제안되고 있는 대로 금속-계 무기 레지스트와 같이 금속 성분들을 포함하는 경우에 심각하다. 이러한 레지스트로부터 배출된 종은 비교적 작고 무거우며[예를 들어, 스타난(stannane)], 이에 따라 가스 흐름만을 이용하여 억제하기가 어려울 수 있다. 일 실시예에서, 멤브레인(40)의 수명은 적어도 기판(W)을 향하는 멤브레인(40)의 측에, 금속 오염물에 대한 비교적 낮은 친화도(affinity) 및/또는 높은 자정(self-cleaning) 효율성을 갖는 캐핑 층을 제공함으로써 연장된다. 캐핑 층은 예를 들어 ZrO2, 또는 다음: Ti, Hf, Y, Nb, Sc, Ta, V 및 La 중 1 이상의 산화물을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 예를 들어 H2를 포함한 정화 가스 흐름도 제공된다. 캐핑 층 및 정화 가스 흐름의 조합은 투영 시스템(PS)과 기판(W) 사이의 동적 가스 락들로 하여금 EUV 적용들에서 금속을 함유한 레지스트에 대해서도 6 달보다 긴 수명을 갖게 할 것으로 예상된다.
일 실시예에서, 정화 가스 흐름은 캐핑 층의 자정을 향상시키도록 제어될 수 있다. 이는 예를 들어 멤브레인(40)의 기판 측에 대한 전체 유속 및/또는 압력을 증가시킴으로써 행해질 수 있다. 멤브레인(40)의 표면을 향한 흐름 패턴을 개선하기 위해 위로 기울어진 슬릿(upward-angled slit)들이 제공될 수 있다. 흐름은 멤브레인(40)의 표면에서의 흐름 패턴에서 사각 지대를 최소화하거나 회피하도록 제어될 수 있다. 다수 가스 유입구들이 가스 동적 락 볼륨 내에서 바람직하지 않은 압력 구배(pressure gradients)를 회피하고, 및/또는 멤브레인(40)에서 비대칭을 고려하는 흐름 패턴을 제공하도록 유연성을 제공할 수 있다.
일 실시예에서, 정화 가스 흐름은 흐름 내에 추가적인 수소 라디칼 및/또는 이온을 생성함으로써 개선될 수 있다. 이는, 예를 들어 고온 금속 필라멘트(예를 들어, 텅스텐) 또는 마이크로파 플라즈마를 이용하여 달성될 수 있다. 수소 라디칼 및/또는 이온은 유기 및 금속 오염들 모두의 세정률을 향상시킬 것이다.
일 실시예에서, 기판(W)으로부터의 오염 입자들이 부딪힐 동적 가스 락의 멤브레인(40) 부근에 위치된 표면들[예를 들어, 퍼널 구조체(funnel structure)의 내표면]이 게터링(gettering)을 증가시키도록 처리될 수 있다. 이러한 표면들은 예를 들어 Ru 나노-층으로 코팅될 수 있고, 이는 가스배출 금속류(예를 들어, Sn)를 게터링할 것이다. 이 방식으로 표면들을 처리하는 것이 멤브레인(40) 자체에 도달하는 재료의 양을 감소시켜, 멤브레인 수명을 개선한다.
일 실시예에서, 멤브레인(40)은 제조, 수송 또는 사용 동안 입자들로 오염되게 될 수 있다. 특히, 멤브레인(40) 및 프레임을 포함한 펠리클 조립체의 생산 동안, 멤브레인이 오염되게 될 수 있다. 하지만, EUV 리소그래피에 대해서는 특히 이러한 멤브레인이 입자가 없는 것이 바람직하다; 그렇지 않으면, 필름은 손상되어 수율 감소 및 높은 비용을 초래하는 것으로 간주된다.
그러므로, 멤브레인(40)의 표면으로부터 미립자 오염을 제거하기 위해 세정 툴들이 필요할 수 있다. 본 명세서에서, 멤브레인을 부술 위험 없이 이러한 미립자 오염을 제거하기 위해 진동 멤브레인(40) 및/또는 추가적인 가스 압력 차들을 이용하는 세정 툴들을 사용하는 것이 제안된다. 멤브레인(40) 상에 추가된 입자들의 제거는 분리가능하거나 영구적으로 부착되는 프레임을 통해 멤브레인(40)이 부착되어 있는 패터닝 디바이스를 사용하는 EUV 리소그래피 장치의 이미징 성능을 개선할 것이다. 멤브레인(40)이 특수하게 디자인된 수송 캐리어에서 보호되는 경우에 부서지지 않고 큰 충격력을 다룰 수 있는 것으로 밝혀졌다. 하압력 및 퍼지 흐름의 조합을 선택함으로써, 멤브레인(40)의 임계 표면으로부터 멀리 입자들을 이동시킬 수 있었다.
도 33은 멤브레인(40)에 대한 세정 디바이스의 일 예시를 나타낸다. 진공 챔버(500)에는 진동 멤브레인(40)에 대한 선형 진동 스테이지(501)가 제공되어, 그 표면으로부터 나노미터의 1/10 정도에서 수백 미크론 또는 심지어 밀리미터 크기까지의 직경의 입자들을 놓아준다. 선형 진동 스테이지(501)는 이에 멤브레인(40)을 지지하고 커플링하는 인터페이스 플레이트(502)를 부착하도록 1 이상의 커플링 수단을 포함할 수 있다. 인터페이스 플레이트에는 부착 수단, 예를 들어 스터드(studs)가 제공되어, 멤브레인 프레임이 인터페이스 플레이트로부터 쉽게 부착되고 분리될 수 있도록 한다. 진공 챔버(500)의 한 측에, 유입 개구부(503)가 제공되고, 이를 통해 층류 가스 흐름이 제공된다. 배기 개구부(504)가 진공 챔버(500)의 또 다른 측에, 바람직하게는 층류 가스 흐름을 위한 유입 개구부(503)의 반대쪽에 제공될 수 있다. 배기 개구부(503)를 통해, 층류 가스는 바람직하게는 멤브레인 표면과 평행하게 흘러, 층류 가스에 의해 구동되는 해방된 입자들이 진공 챔버(500)로부터 배기될 수 있도록 한다. 입자들을 배기하고 진공 챔버를 통한 층류를 형성하는 것을 더 돕도록 배기 개구부에 커플링되는 진공 소스 또는 진공 세정기를 제공하는 것이 가능하다(도면에 도시되지 않음). 진공 챔버(500)는 수송 캐리어(800)의 일부분일 수 있다. 바람직하게는, 선형 진동 스테이지(501), 인터페이스 플레이트(502) 및 멤브레인(40)은 중력을 따라 수직 방향으로 방위지정된다.
또한, 세정 디바이스는 검사 카메라(600) 및 라인 광 소스(700), 예컨대 확산 LED 스트립(diffuse LED strip) 또는 라인 레이저를 이용함으로써 입자들을 검출하는 인라인 측정 방법(in line measurement method)을 포함할 수 있다. 검사 카메라(600)는 멤브레인(40)의 표면으로부터의 입자들에 의해 산란되는 라인 광 소스(700)로부터 여하한의 광을 포착하는 것이 가능한 위치에 제공될 수 있다. 예를 들어, 검사 카메라(600)는 산란된 광을 포착하는 최적 위치 및 방위로 멤브레인 표면 반대쪽에 제공되어, 멤브레인 표면(40)으로부터의 입자들을 검출할 수 있다. 라인 광 소스(700)는 예를 들어 선형 진동 스테이지(501)로 인터페이스 플레이트(502)를 진동시킴으로써 층류로 구동되거나 멤브레인 표면에 있는 입자들을 조명하기 위해 유입 개구부(503)의 측에 제공될 수 있다.
대안적으로, 입자들이 가속에 의해 제거될 수 있도록 수직으로 장착된 멤브레인(40)을 강류식 캐비네(down flow cabinet)으로 유지하면서 그 앞에 음향 스피커를 배치하는 것이 가능하다(도시되지 않음). 음파로 필름을 여기시킴으로써, 높은 가속에 도달하여 오염 입자들을 분리할 수 있다. 이러한 방식으로, 멤브레인(40)이 선형 가속에서 발생할 수 있고 잠재적으로 멤브레인을 손상시킬 수 있는 높은 기류 속력(high airflow speeds)을 겪지 않을 것이다. 테스트들은 진공 조건들이 가장 효과적인 입자 방출을 달성하는 데 바람직하다는 것을 나타내었다. 이는 적어도 부분적으로 물의 부재로 인한 것으로 여겨진다. 일 실시예에서, 앞선 음향 세정 공정은 다음 순서를 이용하여 진공 조건들에서 구현된다: 1) 밀폐된 볼륨을 제공하고, 밀폐된 볼륨을 진공 레벨로 펌핑함; 2) 밀폐된 볼륨을 가스(예를 들어, 건조 공기)로 벤팅(vent)함; 및 3) (가스로 벤팅한 직후에) 음향 세정 공정을 구현함.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), LCD, 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(통상적으로 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한 번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러 번 처리된 층들을 포함하는 기판을 칭할 수도 있다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 다양한 포토레지스트 층들이 동일한 기능을 수행하는 비-포토레지스트 층들로 교체될 수 있다.
상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 아래에 설명되는 항목들 및 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 것이다.
1. EUV 리소그래피를 위한 멤브레인에 있어서,
다음 순서로 층들:
제 1 금속의 산화물을 포함하는 제 1 캐핑 층;
제 2 금속, 및 Si, B, C 및 N으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 추가적인 원소를 포함한 화합물을 포함하는 베이스 층; 및
제 3 금속의 산화물을 포함하는 제 2 캐핑 층을 갖는 스택을 포함하며, 상기 제 1 금속은 상기 제 2 금속과 상이하고, 상기 제 3 금속은 상기 제 1 금속과 동일하거나 상이한 멤브레인.
2. 1 항에 있어서,
상기 베이스 층은 상기 제 1 캐핑 층 및 상기 제 2 캐핑 층 중 어느 하나 또는 둘 모두 각각보다 적어도 5 배 두꺼운 멤브레인.
3. 1 항 또는 2 항에 있어서,
상기 제 1 금속 및 상기 제 3 금속 중 어느 하나 또는 둘 모두는 Nb, Zr, Ce, Ti, La, Y, 및 Al로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 멤브레인.
4. 3 항에 있어서,
상기 제 1 금속 및 상기 제 3 금속 중 어느 하나 또는 둘 모두는 Zr 및 Y로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 멤브레인.
5. 1 항 내지 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 베이스 층의 화합물에서:
상기 제 2 금속은 Mo이고 상기 추가적인 원소는 Si이며;
상기 제 2 금속은 Ru이고 상기 추가적인 원소는 Si이며;
상기 제 2 금속은 Zr이고 상기 추가적인 원소는 Si이며;
상기 제 2 금속은 La이고 상기 추가적인 원소는 Si이며;
상기 제 2 금속은 Sc이고 상기 추가적인 원소는 Si이며;
상기 제 2 금속은 Y이고 상기 추가적인 원소는 Si이며;
상기 제 2 금속은 Nb이고 상기 추가적인 원소는 Si이며;
상기 제 2 금속은 Mo이고 상기 추가적인 원소는 B이며;
상기 제 2 금속은 Ru이고 상기 추가적인 원소는 B이며;
상기 제 2 금속은 Zr이고 상기 추가적인 원소는 B이며;
상기 제 2 금속은 Nb이고 상기 추가적인 원소는 B이며;
상기 제 2 금속은 Ti이고 상기 추가적인 원소는 B이며;
상기 제 2 금속은 La이고 상기 추가적인 원소는 B이며; 또는
상기 제 2 금속은 Zr이고 상기 추가적인 원소는 C인 멤브레인.
6. 5 항에 있어서,
상기 베이스 층의 화합물에서:
상기 제 2 금속은 Mo이고 상기 추가적인 원소는 Si이며; 또는
상기 제 2 금속은 Ru이고 상기 추가적인 원소는 Si인 멤브레인.
7. 5 항에 있어서,
상기 베이스 층의 화합물에서:
상기 제 2 금속은 Mo이고 상기 추가적인 원소는 B이며; 또는
상기 제 2 금속은 Ru이고 상기 추가적인 원소는 B인 멤브레인.
8. 1 항 내지 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 베이스 층에서, 상기 제 2 금속 및 상기 추가적인 원소를 포함한 화합물은 상기 제 2 금속 및 상기 추가적인 원소로 이루어지는 멤브레인.
9. 1 항 내지 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 금속은 Zr이고;
상기 제 2 금속은 Mo이고 상기 추가적인 원소는 Si이며;
상기 제 3 금속은 Zr인 멤브레인.
10. 1 항 내지 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 금속의 산화물은 상기 제 1 금속 및 1 이상의 또 다른 금속을 포함하는 혼합된 금속 산화물이고;
상기 제 3 금속의 산화물은 상기 제 2 금속 및 1 이상의 또 다른 금속을 포함하는 혼합된 금속 산화물이며; 또는
상기 제 1 금속의 산화물은 상기 제 1 금속 및 1 이상의 또 다른 금속을 포함하는 혼합된 금속 산화물이고, 상기 제 3 금속의 산화물은 상기 제 3 금속 및 1 이상의 또 다른 금속을 포함하는 혼합된 금속 산화물인 멤브레인.
11. 1 항 내지 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 베이스 층은 복수의 베이스 층 서브-층들을 포함하고, 상기 베이스 층 서브-층들 중 적어도 하나는 상기 제 2 금속 및 상기 추가적인 원소를 포함한 화합물을 포함하는 멤브레인.
12. 11 항에 있어서,
상기 베이스 층은 베이스 층 제 1 서브-층, 베이스 층 제 2 서브-층 및 베이스 층 제 3 서브-층을 포함하고;
상기 베이스 층 제 2 서브-층은 상기 베이스 층 제 1 서브-층과 상기 베이스 층 제 3 서브-층 사이에 배치되고, 상기 제 2 금속 및 상기 추가적인 원소를 포함한 화합물을 포함하며;
상기 베이스 층 제 1 서브-층은 상기 추가적인 원소의 산화물을 포함하고;
상기 베이스 층 제 3 서브-층은 상기 추가적인 원소의 산화물을 포함하는 멤브레인.
13. 12 항에 있어서,
상기 베이스 층 제 1 서브-층의 적어도 일부분은 상기 제 1 캐핑 층에서의 상기 제 1 금속의 산화물과 접촉하는 멤브레인.
14. 12 항 또는 13 항에 있어서,
상기 베이스 층 제 3 서브-층의 적어도 일부분은 상기 제 2 캐핑 층에서의 상기 제 3 금속의 산화물과 접촉하는 멤브레인.
15. 1 항 내지 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 베이스 층에서의 제 2 금속 및 추가적인 원소를 포함한 화합물의 적어도 일부분은 상기 제 1 캐핑 층에서의 제 1 금속의 산화물 및 상기 제 2 캐핑 층에서의 제 3 금속의 산화물 중 어느 하나 또는 둘 모두와 접촉하는 멤브레인.
16. 1 항 내지 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 캐핑 층은 제 1 캐핑 층 제 1 서브-층 및 제 1 캐핑 층 제 2 서브-층을 포함하고, 상기 제 1 캐핑 층 제 1 서브-층은 상기 제 1 금속의 산화물을 포함하며, 상기 제 1 캐핑 층 제 2 서브-층은 제 1 캐핑 층 증착 산화물을 포함하고, 상기 제 1 캐핑 층 제 2 서브-층은 상기 제 1 캐핑 층 제 1 서브-층과 상기 베이스 층 사이에 위치되는 멤브레인.
17. 16 항에 있어서,
상기 제 1 캐핑 층 증착 산화물은 실리콘의 산화물을 포함하는 멤브레인.
18. 1 항 내지 12 항, 16 항 및 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 2 캐핑 층은 제 2 캐핑 층 제 1 서브-층 및 제 2 캐핑 층 제 2 서브-층을 포함하고, 상기 제 2 캐핑 층 제 1 서브-층은 상기 제 3 금속의 산화물을 포함하며, 상기 제 2 캐핑 층 제 2 서브-층은 제 2 캐핑 층 증착 산화물을 포함하고, 상기 제 2 캐핑 층 제 2 서브-층은 상기 제 2 캐핑 층 제 1 서브-층과 상기 베이스 층 사이에 위치되는 멤브레인.
19. 18 항에 있어서,
상기 제 2 캐핑 층 증착 산화물은 실리콘의 산화물을 포함하는 멤브레인.
20. 1 항 내지 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 캐핑 층 및 상기 제 2 캐핑 층은 각각 5 nm 미만의 두께를 갖는 멤브레인.
21. 1 항 내지 20 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 베이스 층은 8 nm보다 크거나 같은 두께를 갖는 멤브레인.
22. 21 항에 있어서,
상기 베이스 층의 두께는 상기 제 1 캐핑 층 및 상기 제 2 캐핑 층으로부터의 EUV 반사들 사이에 상쇄 간섭을 달성하도록 선택되는 멤브레인.
23. 21 항 또는 22 항에 있어서,
상기 베이스 층은 9 +/- 2 nm 또는 16 nm +/- 2 nm의 두께를 갖는 멤브레인.
24. 1 항 내지 23 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 캐핑 층 및 상기 제 2 캐핑 층 중 어느 하나 또는 둘 모두는 상기 멤브레인의 외표면의 적어도 일부분을 형성하는 멤브레인.
25. 1 항 내지 24 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 금속의 산화물 및 상기 제 3 금속의 산화물은 산소 전도성 산화물들인 멤브레인.
26. EUV 리소그래피를 위한 멤브레인에 있어서:
상기 멤브레인은 금속 및 추가적인 원소를 포함한 화합물을 포함하는 멤브레인 층을 포함하고;
상기 멤브레인의 두 외표면들의 적어도 일부분은 상기 멤브레인 층에서의 상기 화합물에 의해, 또는 상기 추가적인 원소의 산화물에 의해 형성되며:
상기 금속은 Mo이고 상기 추가적인 원소는 Si이며;
상기 금속은 Ru이고 상기 추가적인 원소는 Si이며;
상기 금속은 Zr이고 상기 추가적인 원소는 Si이며;
상기 금속은 La이고 상기 추가적인 원소는 Si이며;
상기 금속은 Sc이고 상기 추가적인 원소는 Si이며;
상기 금속은 Y이고 상기 추가적인 원소는 Si이며;
상기 금속은 Nb이고 상기 추가적인 원소는 Si이며;
상기 금속은 Mo이고 상기 추가적인 원소는 B이며;
상기 금속은 Ru이고 상기 추가적인 원소는 B이며;
상기 금속은 Zr이고 상기 추가적인 원소는 B이며;
상기 금속은 Nb이고 상기 추가적인 원소는 B이며;
상기 금속은 Ti이고 상기 추가적인 원소는 B이며;
상기 금속은 La이고 상기 추가적인 원소는 B이며; 또는
상기 금속은 Zr이고 상기 추가적인 원소는 C인 멤브레인.
27. 26 항에 있어서,
상기 멤브레인 층은 8 nm보다 크거나 같은 두께를 갖는 멤브레인.
28. 27 항에 있어서,
상기 멤브레인 층의 두께는 상기 멤브레인 층의 양측의 계면들로부터의 EUV 반사들 사이에 상쇄 간섭을 달성하도록 선택되는 멤브레인.
29. 27 항 또는 28 항에 있어서,
상기 멤브레인 층은 9 nm +/- 2 nm 또는 16 nm +/- 2 nm의 두께를 갖는 멤브레인.
30. 26 항 내지 29 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속은 Mo이고 상기 추가적인 원소는 Si이며; 또는
상기 금속은 Ru이고 상기 추가적인 원소는 Si인 멤브레인.
31. 26 항 내지 29 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속은 Mo이고 상기 추가적인 원소는 B이며; 또는
상기 금속은 Ru이고 상기 추가적인 원소는 B인 멤브레인.
32. 파장(λ)을 갖는 EUV 방사선을 이용하는 EUV 리소그래피를 위한 멤브레인에 있어서,
다음 순서로 층들:
제 1 보호 캐핑 층;
λ/2의 두께를 갖는 제 1 방사 층;
λ/4의 두께를 갖는 제 1 장벽 층;
베이스 층의 스택을 포함하며, 상기 제 1 보호 캐핑 층은 상기 제 1 방사 층의 굴절귤 및 상기 제 1 장벽 층의 굴절률과 매칭되는 굴절률을 갖고, 상기 층들의 두께는 상기 멤브레인의 양측의 계면들로부터의 EUV 반사들 사이에 상쇄 간섭을 달성하도록 선택되는 멤브레인.
33. 32 항에 있어서,
제 2 보호 캐핑 층;
λ/2의 두께를 갖는 제 2 방사 층;
λ/4의 두께를 갖는 제 2 장벽 층을 더 포함하며, 상기 제 2 보호 캐핑 층은 상기 제 2 방사 층의 굴절귤 및 상기 제 2 장벽 층의 굴절률과 매칭되는 굴절률을 갖는 멤브레인.
34. EUV 리소그래피를 위한 멤브레인을 제조하는 방법에 있어서,
베이스 층을 제공하는 단계; 및
방사 층을 제공하는 단계
를 포함하며, 상기 방사 층은 상기 베이스 층보다 적외선에서 더 높은 방사율을 갖고,
상기 방사 층은 불규칙한 지지 표면에 제공되며,
상기 방사 층은 상기 불규칙한 지지 표면의 불규칙이 상기 불규칙한 지지 표면 반대편에 있는 상기 방사 층의 표면에서 대응하는 불규칙을 생성하도록 두께를 갖는 방법.
35. 34 항에 있어서,
상기 불규칙한 지지 표면은 다결정질 재료의 이방성 에칭에 의해 형성되는 방법.
36. 34 항 또는 35 항에 있어서,
상기 불규칙한 지지 표면에서의 결정면들의, 상기 멤브레인의 법선에 대한 평균 각도는 85 % 미만인 방법.
37. 34 항 내지 36 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 베이스 층은 폴리실리콘을 포함하는 방법.
38. 34 항 내지 37 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 방사 층은 Ru, Mo, Zr 및 Nb 중 1 이상을 포함하는 방법.
39. 34 항 내지 38 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 방사 층의 표면의 불규칙은 평균 최고-최저 높이 차이가 적어도 2 nm이도록 이루어지는 방법.
40. EUV 리소그래피를 위한 멤브레인을 제조하는 방법에 있어서,
에칭될 지지 구조체 내의 구역을 정의하기 위해 마스크를 이용하는 단계; 및
정의된 구역을 에칭하는 단계
를 포함하며, 상기 마스크는 복수의 직선 섹션들을 포함하는 마스크 경계선에 의해 정의된 형상을 갖고,
각 쌍의 바로 인접한 직선 섹션들 사이의 내각은 90 도보다 큰 방법.
41. 34 항 내지 40 항 중 어느 한 항에 따른 방법을 이용하여 제조되는 멤브레인.
42. 자립 부분을 포함하는 EUV 리소그래피를 위한 멤브레인에 있어서,
상기 자립 부분의 형상은 복수의 실질적으로 직선인 섹션들을 포함하는 자립 부분 경계선에 의해 정의되고,
각 쌍의 바로 인접한 직선 섹션들 사이의 내각은 90 도보다 큰 멤브레인.
43. EUV 리소그래피를 위한 멤브레인에 있어서,
베이스 층; 및
캐핑 층
을 포함하고, 상기 캐핑 층은 Mo와 적어도 하나의 다른 금속의 합금을 포함하는 멤브레인.
44. 43 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 다른 금속은 Ta, Ti, Cr, Ni 및 Nb 중 1 이상을 포함하는 멤브레인.
45. EUV 리소그래피를 위한 멤브레인에 있어서,
베이스 층; 및
캐핑 층
을 포함하고, 상기 캐핑 층은 붕규산 유리를 포함하는 멤브레인.
46. 45 항에 있어서,
상기 붕규산 유리는 상기 베이스 층의 자연 산화물 대신에 형성되거나, 상기 베이스 층의 자연 산화물을 상기 붕규산 유리로 변환시킴으로써 형성되거나, 또는 상기 베이스 층의 자연 산화물을 덮도록 형성되는 멤브레인.
47. EUV 리소그래피를 위한 멤브레인에 있어서,
YSi2, ZrSi2, LaSi2 및 NbSi2 중 1 이상을 포함한 베이스 층을 포함하는 멤브레인.
48. 47 항에 있어서,
캐핑 층 제 1 서브-층 및 캐핑 층 제 2 서브-층을 포함한 캐핑 층을 더 포함하며,
상기 캐핑 층 제 1 서브-층은 상기 베이스 층과 접촉하고, 상기 캐핑 층 제 2 서브-층은 상기 베이스 층과 반대되는 상기 캐핑 층 제 1 서브-층의 측에 위치되며,
상기 캐핑 층 제 1 서브-층은 MoSi2 또는 Si를 포함하는 멤브레인.
49. 48 항에 있어서,
상기 캐핑 층 제 2 서브-층은 B를 포함하는 멤브레인.
50. 42 항 내지 49 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 베이스 층의 두께는 상기 베이스 층의 양측의 계면들로부터의 EUV 반사들 사이에 상쇄 간섭을 달성하도록 선택되는 멤브레인.
51. 42 항 내지 50 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 베이스 층의 두께는: 9 nm +/- 2 nm, 16 nm +/- 2 nm, 22 +/- 2 nm, 및 29 +/- 2 nm 중 하나인 멤브레인.
52. EUV 리소그래피를 위한 멤브레인을 제조하는 방법에 있어서,
베이스 층 또는 베이스 층을 포함한 스택을 제공하는 단계; 및
상기 베이스 층 또는 상기 스택 상에 비정질 캐핑 층을 형성하는 단계
를 포함하는 방법.
53. 52 항에 있어서,
상기 비정질 캐핑 층을 형성하는 단계는 합금을 형성하도록 적어도 2 개의 상이한 금속들을 동시에 증착하는 단계를 포함하는 방법.
54. 52 항 또는 53 항에 있어서,
상기 비정질 캐핑 층을 형성하는 단계는 제 1 가스 및 제 2 가스의 존재 하에 상기 비정질 캐핑 층을 증착하는 단계를 포함하고, 상기 제 2 가스의 존재는 상기 제 1 가스만의 존재 시 수행되는 동일한 증착 공정과 비교하여 상기 비정질 캐핑 층의 결정화를 억제하는 방법.
55. 52 항 내지 54 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 비정질 캐핑 층을 형성하는 단계는 상기 베이스 층 또는 스택이 실온 이하의 온도에서 유지되는 동안에 수행되는 방법.
56. EUV 리소그래피를 위한 멤브레인에 있어서,
베이스 층; 및
상기 멤브레인의 외표면을 제공하는 비정질 캐핑 층
을 포함하는 멤브레인.
57. 56 항에 있어서,
상기 비정질 캐핑 층은 금속인 멤브레인.
58. 56 항 또는 57 항에 있어서,
상기 비정질 캐핑 층은 합금을 포함하는 멤브레인.
59. 58 항에 있어서,
상기 합금은 Ru, Mo, B, C, Cr, Ir, Nb, Pd, Pt, Re, Rh, Ti, V, Y 중 1 이상을 포함하고, 선택적으로는 1) Rh, Pd, Pt, Y, B, Ti, C 및 P 중 1 이상과 Ru; 및 2) B, Ta, Nb, Cr 및 Ru 중 1 이상과 Mo 중 하나 또는 둘 모두를 포함하는 멤브레인.
60. 59 항에 있어서,
상기 합금은 B로 도핑된 Ru, P로 도핑된 Ru, 또는 Mo(1-x-y)RuxBy를 포함하는 멤브레인.
61. EUV 리소그래피를 위한 멤브레인에 있어서,
베이스 층; 및
상기 멤브레인의 외표면을 제공하는 캐핑 층
을 포함하고, 상기 캐핑 층은 적어도 20 %의 sp3 탄소의 비율을 갖는 탄소를 포함하는 멤브레인.
62. 61 항에 있어서,
상기 베이스 층은 상기 캐핑 층의 탄소 내의 sp3 탄소의 비율보다 낮은 sp3 탄소의 비율을 갖는 탄소를 포함하는 멤브레인.
63. EUV 리소그래피를 위한 멤브레인에 있어서,
베이스 층; 및
상기 멤브레인의 외표면을 제공하는 캐핑 층
을 포함하고, 상기 캐핑 층은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속으로 도핑된 전이 금속을 포함하는 멤브레인.
64. EUV 리소그래피를 위한 멤브레인에 있어서,
베이스 층; 및
상기 멤브레인의 외표면을 제공하는 캐핑 층
을 포함하고, 상기 캐핑 층은 M1xM2yOz를 포함하며, M1은 1 이상의 알칼리 금속 및/또는 1 이상의 알칼리 토금속이고, M2는 전이 금속, 선택적으로는 희토류 금속을 포함하는 멤브레인.
65. 64 항에 있어서,
상기 캐핑 층은 SrRuO3, SrVO3, CaVO3, La0 . 67Sr0 . 33MnO3 중 1 이상을 포함하는 멤브레인.
66. EUV 리소그래피를 위한 멤브레인을 제조하는 방법에 있어서,
지지 구조체 상에 적어도 베이스 층을 형성하는 단계; 및
상기 베이스 층을 포함한 자립 멤브레인을 형성하도록 상기 베이스 층 아래의 선택된 구역에서 상기 지지 구조체를 에칭하는 단계
를 포함하고, 상기 지지 구조체와 상기 베이스 층의 열팽창 계수 간의 차이는 실리콘과 상기 베이스 층의 열팽창 계수 간의 차이보다 적은 방법.
67. 66 항에 있어서,
상기 베이스 층은 MoSi2, ZrSi2, B 및 B4C 중 1 이상을 포함하고, 상기 지지 구조체는 사파이어를 포함하거나; 또는
상기 베이스 층은 sp2 탄소를 포함하고, 상기 지지 구조체는 석영을 포함하는 방법.
68. 자립 부분을 포함하는 EUV 리소그래피를 위한 멤브레인에 있어서,
상기 자립 부분은 베이스 층을 포함하고 지지 구조체에 의해 지지되는 비-자립 부분에 연결되며, 상기 지지 구조체와 상기 베이스 층의 열팽창 계수 간의 차이는 실리콘과 상기 베이스 층의 열팽창 계수 간의 차이보다 적은 멤브레인.
69. 52 항 내지 55 항, 66 항 및 67 항 중 어느 한 항에 따른 방법을 이용하여 제조되는 멤브레인.
70. 1 항 내지 33 항, 41 항 내지 51 항, 56 항 내지 65 항, 68 항 및 69 항 중 어느 한 항에 따른 멤브레인을 포함하는 EUV 리소그래피를 위한 패터닝 디바이스 조립체.
71. 1 항 내지 33 항, 41 항 내지 51 항, 56 항 내지 65 항, 68 항 및 69 항 중 어느 한 항에 따른 멤브레인을 포함하는 EUV 리소그래피를 위한 동적 가스 락 조립체.
72. EUV 리소그래피를 위한 멤브레인을 세정하는 세정 툴에 있어서,
층류의 방향이 상기 멤브레인의 외표면과 평행하도록 챔버를 통해 층류 가스 흐름을 제공하는 유입 개구부 및 배기 개구부를 포함하는 챔버;
상기 챔버에서 상기 멤브레인을 유지하도록 배치되는 인터페이스 플레이트; 및
상기 인터페이스 플레이트에 커플링되고, 상기 멤브레인을 흔들어 오염 입자들이 상기 멤브레인의 외표면으로부터 방출되게 하도록 배치되는 진동 스테이지
를 포함하는 세정 툴.
73. EUV 리소그래피를 위한 멤브레인을 세정하는 세정 툴에 있어서,
층류의 방향이 상기 멤브레인의 외표면과 평행하도록 챔버를 통해 층류 가스 흐름을 제공하는 유입 개구부 및 배기 개구부를 포함하는 챔버;
상기 챔버에서 상기 멤브레인을 유지하도록 배치되는 인터페이스 플레이트; 및
상기 멤브레인의 앞에 배치되고, 음파로 상기 멤브레인을 흔들어 오염 입자들이 상기 멤브레인의 외표면으로부터 방출되게 하도록 배치되는 음향 스피커
를 포함하는 세정 툴.
74. 72 항 또는 73 항에 있어서,
검사 카메라 및 광 소스를 더 포함하는 세정 툴.
75. 72 항 내지 74 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 멤브레인은 수직 위치로 있고, 상기 챔버의 유입 및 배기 개구부들은 상기 층류가 상기 세정 툴로부터 상기 오염 입자들을 제거하도록 배치되는 세정 툴.
Claims (18)
- EUV 리소그래피를 위한 멤브레인에 있어서,
YSi2, ZrSi2, LaSi2, NbSi2, MoSi2, RuSi2 및 폴리실리콘 중 1 이상을 포함한 베이스 층; 및
멤브레인의 외표면을 제공하는 캐핑 층을 포함하는,
멤브레인. - 제1항에 있어서,
상기 캐핑 층은 붕규산 유리를 포함하는,
멤브레인. - 제1항에 있어서,
상기 캐핑 층은 적어도 20%의 sp3 탄소의 비율을 갖는 탄소를 포함하는,
멤브레인. - 제1항에 있어서,
상기 베이스 층은 상기 캐핑 층의 탄소 내의 sp3 탄소의 비율보다 낮은 sp3 탄소의 비율을 갖는 탄소를 포함하는,
멤브레인. - 제1항에 있어서,
상기 캐핑 층은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속으로 도핑된 전이 금속을 포함하는,
멤브레인. - 제1항에 있어서,
상기 캐핑 층은 Mo와 적어도 하나의 다른 금속의 합금을 포함하는,
멤브레인. - 제6항에 있어서,
상기 적어도 하나의 다른 금속은 Ta, Ti, Cr, Ni 및 Nb 중 1 이상을 포함하는,
멤브레인. - 제1항에 있어서,
상기 캐핑 층은 캐핑 층 제 1 서브-층 및 캐핑 층 제 2 서브-층을 포함하며,
상기 캐핑 층 제 1 서브-층은 상기 베이스 층과 접촉하고, 상기 캐핑 층 제 2 서브-층은 상기 베이스 층과 반대되는 상기 캐핑 층 제 1 서브-층의 측에 위치되며,
상기 캐핑 층 제 1 서브-층은 MoSi2 또는 Si를 포함하는,
멤브레인. - 제1항에 있어서,
상기 캐핑 층은 M1xM2yOz를 포함하며, M1은 1 이상의 알칼리 금속 및/또는 1 이상의 알칼리 토금속이고, M2는 전이 금속, 선택적으로는 희토류 금속을 포함하는,
멤브레인. - 제9항에 있어서,
상기 캐핑 층은 SrRuO3, SrVO3, CaVO3, La0 . 67Sr0 . 33MnO3 중 1 이상을 포함하는,
멤브레인. - 제1항에 있어서,
상기 베이스 층 또는 상기 멤브레인의 외표면은 적어도 1 nm의 특성 길이 스케일의 거칠기를 갖는,
멤브레인. - 제11항에 있어서,
상기 외표면은 이방성 에칭에 의해 처리되는,
멤브레인. - 제11항에 있어서,
상기 베이스 층은 폴리실리콘을 포함하고, 상기 캐핑 층은 Ru를 포함하는,
멤브레인. - 제1항에 있어서,
상기 멤브레인 층은 8 nm 이상의 두께를 갖는,
멤브레인. - 제14항에 있어서,
상기 베이스 층의 두께는 상기 베이스 층의 양측의 계면들로부터의 EUV 반사들 사이에 상쇄 간섭을 달성하도록 선택되는,
멤브레인. - 제15항에 있어서,
상기 베이스 층의 두께는, 9 nm +/- 2 nm, 16 nm +/- 2 nm, 22 nm +/- 2 nm, 및 29 nm +/- 2 nm 중 어느 하나인,
멤브레인. - EUV 리소그래피용 패터닝 디바이스로서,
제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 의한 멤브레인을 포함하는,
EUV 리소그래피용 패터닝 디바이스. - EUV 리소그래피용 동적 가스 락 조립체로서,
제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 의한 멤브레인을 포함하는,
EUV 리소그래피용 동적 가스 락 조립체.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020237004445A KR20230023066A (ko) | 2016-04-25 | 2017-04-12 | Euv 리소그래피를 위한 멤브레인 |
Applications Claiming Priority (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP16166775 | 2016-04-25 | ||
| EP16166775.3 | 2016-04-25 | ||
| EP16195123.1 | 2016-10-21 | ||
| EP16195123 | 2016-10-21 | ||
| EP16205298 | 2016-12-20 | ||
| EP16205298.9 | 2016-12-20 | ||
| PCT/EP2017/058721 WO2017186486A1 (en) | 2016-04-25 | 2017-04-12 | A membrane for euv lithography |
| KR1020187034100A KR102408195B1 (ko) | 2016-04-25 | 2017-04-12 | Euv 리소그래피를 위한 멤브레인 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020187034100A Division KR102408195B1 (ko) | 2016-04-25 | 2017-04-12 | Euv 리소그래피를 위한 멤브레인 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020237004445A Division KR20230023066A (ko) | 2016-04-25 | 2017-04-12 | Euv 리소그래피를 위한 멤브레인 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210156303A true KR20210156303A (ko) | 2021-12-24 |
| KR102501192B1 KR102501192B1 (ko) | 2023-02-21 |
Family
ID=58544946
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020237004445A KR20230023066A (ko) | 2016-04-25 | 2017-04-12 | Euv 리소그래피를 위한 멤브레인 |
| KR1020187034100A KR102408195B1 (ko) | 2016-04-25 | 2017-04-12 | Euv 리소그래피를 위한 멤브레인 |
| KR1020217040924A KR102501192B1 (ko) | 2016-04-25 | 2017-04-12 | Euv 리소그래피를 위한 멤브레인 |
Family Applications Before (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020237004445A KR20230023066A (ko) | 2016-04-25 | 2017-04-12 | Euv 리소그래피를 위한 멤브레인 |
| KR1020187034100A KR102408195B1 (ko) | 2016-04-25 | 2017-04-12 | Euv 리소그래피를 위한 멤브레인 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US10908496B2 (ko) |
| EP (2) | EP4202545A1 (ko) |
| JP (4) | JP7009380B2 (ko) |
| KR (3) | KR20230023066A (ko) |
| CN (2) | CN114942566A (ko) |
| CA (1) | CA3021916A1 (ko) |
| NL (4) | NL2018691B1 (ko) |
| TW (2) | TWI744316B (ko) |
| WO (1) | WO2017186486A1 (ko) |
Families Citing this family (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6851017B2 (ja) * | 2016-05-18 | 2021-03-31 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | デバイス及びその製造方法 |
| CN111316163A (zh) * | 2017-11-10 | 2020-06-19 | Asml荷兰有限公司 | Euv表膜 |
| US11143951B2 (en) * | 2018-04-30 | 2021-10-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Pellicle for an EUV lithography mask and a method of manufacturing thereof |
| CN112041743A (zh) | 2018-05-04 | 2020-12-04 | Asml荷兰有限公司 | 用于euv光刻术的表膜 |
| WO2019228784A1 (en) * | 2018-05-31 | 2019-12-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
| US11016383B2 (en) * | 2018-08-31 | 2021-05-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Pellicle for an EUV lithography mask and a method of manufacturing thereof |
| WO2020056080A1 (en) * | 2018-09-12 | 2020-03-19 | Photronics, Inc. | Pellicle for flat panel display photomask |
| JP7335336B2 (ja) * | 2018-12-28 | 2023-08-29 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置用基板ホルダ及び基板ホルダの製造方法 |
| WO2020207774A1 (en) * | 2019-04-12 | 2020-10-15 | Asml Netherlands B.V. | Pellicle for euv lithography |
| EP3764163B1 (en) * | 2019-07-11 | 2023-04-12 | IMEC vzw | An extreme ultraviolet lithography device |
| WO2021008856A1 (en) * | 2019-07-16 | 2021-01-21 | Asml Netherlands B.V. | Oxygen-loss resistant top coating for optical elements |
| KR102242341B1 (ko) * | 2019-08-05 | 2021-04-20 | 주식회사 에프에스티 | 펠리클 프레임의 제조방법 및 펠리클의 제조장치 |
| KR102273266B1 (ko) * | 2019-10-23 | 2021-07-06 | 주식회사 에프에스티 | 일체화된 프레임과 멤브레인을 포함하는 펠리클의 제조방법 |
| IL297878A (en) * | 2020-05-26 | 2023-01-01 | Asml Netherlands Bv | Optical element and pellicle membrane for a lithographic apparatus |
| CN111623141B (zh) * | 2020-06-11 | 2022-04-26 | 江苏阀邦半导体材料科技有限公司 | 一种应用在半导体阀门的金属对金属直接密合结构和处理工艺 |
| KR20220017137A (ko) * | 2020-08-04 | 2022-02-11 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선 리소그래피용 펠리클 및 그 제조방법 |
| KR20220062799A (ko) | 2020-11-09 | 2022-05-17 | 한국전자기술연구원 | 극자외선 노광용 펠리클 |
| KR102375433B1 (ko) | 2020-12-02 | 2022-03-18 | 한국전자기술연구원 | 3성분계의 코어층을 포함하는 극자외선 노광용 펠리클 |
| KR102317053B1 (ko) | 2020-12-02 | 2021-10-26 | 한국전자기술연구원 | 그래핀 결함 치유층을 구비하는 극자외선 노광용 펠리클 및 그의 제조 방법 |
| KR102278843B1 (ko) | 2020-12-15 | 2021-07-20 | 한국전자기술연구원 | 다성분계의 코어층을 포함하는 극자외선 노광용 펠리클 |
| KR20220092191A (ko) | 2020-12-24 | 2022-07-01 | 한국전자기술연구원 | Euv 노광용 나노박막 광학 시뮬레이션을 위한 방법 및 이를 위한 장치 |
| KR102625228B1 (ko) | 2021-01-04 | 2024-01-15 | 한국표준과학연구원 | 오염 입자 포집부와 이를 포함하는 극자외선 노광 장치 |
| KR102596427B1 (ko) | 2021-01-04 | 2023-10-31 | 한국표준과학연구원 | 오염 입자 차단부와 이를 포함하는 극자외선 노광 장치 |
| KR20220139656A (ko) | 2021-04-08 | 2022-10-17 | 한국전자기술연구원 | 비정질 탄소를 포함하는 극자외선 노광용 펠리클 및 그의 제조 방법 |
| KR20220140105A (ko) | 2021-04-09 | 2022-10-18 | 한국전자기술연구원 | 탄화몰리브데넘을 포함하는 극자외선 노광용 펠리클 |
| KR20220141374A (ko) | 2021-04-12 | 2022-10-20 | 한국전자기술연구원 | 이트륨화합물을 함유하는 극자외선 노광용 펠리클 |
| KR20220141378A (ko) * | 2021-04-12 | 2022-10-20 | 한국전자기술연구원 | 이트륨계 기반의 극자외선 노광용 펠리클 |
| KR20220142571A (ko) | 2021-04-14 | 2022-10-24 | 한국전자기술연구원 | 극자외선 노광용 펠리클 |
| KR20220142024A (ko) | 2021-04-14 | 2022-10-21 | 한국전자기술연구원 | 극자외선 노광용 펠리클 |
| US11815804B2 (en) | 2021-04-22 | 2023-11-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | EUV mask blank and method of making EUV mask blank |
| EP4086702A1 (en) * | 2021-05-03 | 2022-11-09 | ASML Netherlands B.V. | Temperature measurement of optical elements in an optical apparatus |
| US20230069583A1 (en) * | 2021-08-27 | 2023-03-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pellicle for an euv lithography mask and a method of manufacturing thereof |
| KR20230058783A (ko) | 2021-10-25 | 2023-05-03 | 한국전자기술연구원 | 탄화나이오븀 기반의 극자외선 노광용 펠리클 |
| KR20230058782A (ko) | 2021-10-25 | 2023-05-03 | 한국전자기술연구원 | 탄화이트륨 기반의 극자외선 노광용 펠리클 |
| KR20230073539A (ko) * | 2021-11-19 | 2023-05-26 | 주식회사 에프에스티 | 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법 |
| KR20230077095A (ko) | 2021-11-25 | 2023-06-01 | 한국전자기술연구원 | 금속 탄화물 나노와이어를 이용한 극자외선 노광용 펠리클 |
| US20230359116A1 (en) * | 2022-05-06 | 2023-11-09 | Intel Corporation | System and process for cleaning a membrane |
| WO2023232408A1 (en) * | 2022-05-31 | 2023-12-07 | Asml Netherlands B.V. | A membrane and associated method and apparatus |
| EP4303655A1 (en) * | 2022-07-04 | 2024-01-10 | ASML Netherlands B.V. | A membrane and associated method and apparatus |
| KR20230174998A (ko) * | 2022-06-22 | 2023-12-29 | 주식회사 에프에스티 | 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법 |
| JP7462005B1 (ja) | 2022-10-06 | 2024-04-04 | レーザーテック株式会社 | ビームスプリッタ及び光学装置 |
| CN117026190B (zh) * | 2023-08-15 | 2024-02-23 | 同济大学 | 一种抑制极紫外钪基多层膜脆化的制备方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20090088396A (ko) * | 2006-11-10 | 2009-08-19 | 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드 | Ｅｕｖ 광선 투과율이 증가된 ｅｕｖ 펠리클 |
| WO2015082214A1 (en) * | 2013-12-05 | 2015-06-11 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus and method for manufacturing a pellicle, and a pellicle |
| US20150212434A1 (en) * | 2014-01-27 | 2015-07-30 | Luxel Corporation | Monolithic euv transparent membrane and support mesh and method of manufacturing same |
| KR20150121293A (ko) * | 2014-04-17 | 2015-10-29 | 한양대학교 산학협력단 | Euv 리소그래피용 펠리클 및 그 제조방법 |
| WO2016001351A1 (en) * | 2014-07-04 | 2016-01-07 | Asml Netherlands B.V. | Membranes for use within a lithographic apparatus and a lithographic apparatus comprising such a membrane |
| JP2016021078A (ja) * | 2010-06-25 | 2016-02-04 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置およびリソグラフィ方法 |
Family Cites Families (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5741576A (en) | 1995-09-06 | 1998-04-21 | Inko Industrial Corporation | Optical pellicle with controlled transmission peaks and anti-reflective coatings |
| JP4011687B2 (ja) * | 1997-10-01 | 2007-11-21 | キヤノン株式会社 | マスク構造体、該マスク構造体を用いた露光装置、該マスク構造体を用いた半導体デバイス製造方法 |
| JPH11109603A (ja) | 1997-10-06 | 1999-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスクおよび半導体装置の製造方法 |
| US6593041B2 (en) * | 2001-07-31 | 2003-07-15 | Intel Corporation | Damascene extreme ultraviolet lithography (EUVL) photomask and method of making |
| US7456932B2 (en) | 2003-07-25 | 2008-11-25 | Asml Netherlands B.V. | Filter window, lithographic projection apparatus, filter window manufacturing method, device manufacturing method and device manufactured thereby |
| US8018578B2 (en) * | 2007-04-19 | 2011-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Pellicle, lithographic apparatus and device manufacturing method |
| KR20090032876A (ko) * | 2007-09-28 | 2009-04-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 리소그래피 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 형성 방법 |
| JP4934099B2 (ja) * | 2008-05-22 | 2012-05-16 | 信越化学工業株式会社 | ペリクルおよびペリクルの製造方法 |
| NL2003211A1 (nl) * | 2008-08-15 | 2010-02-16 | Asml Netherlands Bv | Mirror, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
| JP5394808B2 (ja) | 2009-04-22 | 2014-01-22 | 信越化学工業株式会社 | リソグラフィ用ペリクルおよびその製造方法 |
| JP2012531730A (ja) * | 2009-06-30 | 2012-12-10 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | スペクトル純度フィルタ、リソグラフィ装置、及びスペクトル純度フィルタを製造する方法 |
| KR101366601B1 (ko) * | 2010-02-25 | 2014-02-24 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| WO2012012177A1 (en) | 2010-06-30 | 2012-01-26 | 3M Innovative Properties Company | Mask processing using films with spatially selective birefringence reduction |
| CN103026296B (zh) * | 2010-07-27 | 2014-12-10 | 旭硝子株式会社 | Euv光刻用带反射层的基板和euv光刻用反射型掩模底版 |
| DE102011005543A1 (de) * | 2011-03-15 | 2012-09-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Korrektur der Oberflächenform eines Spiegels |
| WO2013118280A1 (ja) | 2012-02-09 | 2013-08-15 | 株式会社日立製作所 | 機密データ漏えい防止装置および方法 |
| WO2013152921A1 (en) | 2012-04-12 | 2013-10-17 | Asml Netherlands B.V. | Pellicle, reticle assembly and lithographic apparatus |
| WO2013174656A2 (en) | 2012-05-21 | 2013-11-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
| US9606445B2 (en) | 2012-08-03 | 2017-03-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method of manufacturing a device |
| KR101569560B1 (ko) | 2012-10-10 | 2015-11-16 | 주식회사 엘지화학 | 가소제 조성물, 제조 방법 및 내열 수지 조성물 |
| US8932785B2 (en) * | 2012-10-16 | 2015-01-13 | Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co. Kg | EUV mask set and methods of manufacturing EUV masks and integrated circuits |
| KR20150097715A (ko) * | 2012-12-17 | 2015-08-26 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치를 위한 기판 지지체 및 리소그래피 장치 |
| KR102219307B1 (ko) * | 2013-02-22 | 2021-02-23 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크블랭크의 제조방법, 및 반사형 마스크의 제조방법 |
| US9354508B2 (en) * | 2013-03-12 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Planarized extreme ultraviolet lithography blank, and manufacturing and lithography systems therefor |
| US10139725B2 (en) * | 2013-03-27 | 2018-11-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
| CN105229776B (zh) * | 2013-05-24 | 2019-05-03 | 三井化学株式会社 | 防护膜组件及含有其的euv曝光装置 |
| DE102014204171A1 (de) * | 2014-03-06 | 2015-09-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Element und optische Anordnung damit |
| WO2015161934A1 (en) | 2014-04-23 | 2015-10-29 | Asml Netherlands B.V. | A lithographic apparatus, radiation source, and lithographic system |
| US10108084B2 (en) * | 2014-05-19 | 2018-10-23 | Mitsui Chemicals, Inc. | Pellicle membrane, pellicle, original plate for exposure, exposure apparatus, and method of producing semiconductor device |
| TWI619671B (zh) * | 2014-06-26 | 2018-04-01 | 麻省理工學院 | 使用柔性膜遮罩進行奈米製造之方法及設備 |
| US9739913B2 (en) * | 2014-07-11 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet capping layer and method of manufacturing and lithography thereof |
| EP4286941A3 (en) | 2014-11-17 | 2024-03-06 | ASML Netherlands B.V. | Pellicle attachment apparatus |
| EP3326032A1 (en) | 2015-07-17 | 2018-05-30 | ASML Netherlands B.V. | Method for manufacturing a membrane assembly |
| EP3371655B1 (en) | 2015-11-03 | 2023-01-04 | ASML Netherlands B.V. | A method for manufacturing a membrane assembly and the membrane assembly |
| CN115202162A (zh) | 2015-12-14 | 2022-10-18 | Asml荷兰有限公司 | 用于制造隔膜组件的方法 |
| CN108700817B (zh) | 2015-12-18 | 2022-04-01 | Asml荷兰有限公司 | 制造用于极紫外线光刻的隔膜组件的方法、隔膜组件、光刻设备及器件制造方法 |
-
2017
- 2017-04-12 CN CN202210555114.7A patent/CN114942566A/zh active Pending
- 2017-04-12 WO PCT/EP2017/058721 patent/WO2017186486A1/en active Application Filing
- 2017-04-12 JP JP2018548190A patent/JP7009380B2/ja active Active
- 2017-04-12 EP EP23157200.9A patent/EP4202545A1/en active Pending
- 2017-04-12 KR KR1020237004445A patent/KR20230023066A/ko not_active Application Discontinuation
- 2017-04-12 EP EP17717149.3A patent/EP3449312B1/en active Active
- 2017-04-12 NL NL2018691A patent/NL2018691B1/en active
- 2017-04-12 CA CA3021916A patent/CA3021916A1/en active Pending
- 2017-04-12 KR KR1020187034100A patent/KR102408195B1/ko active IP Right Grant
- 2017-04-12 CN CN201780025510.6A patent/CN109154771B/zh active Active
- 2017-04-12 US US16/093,537 patent/US10908496B2/en active Active
- 2017-04-12 KR KR1020217040924A patent/KR102501192B1/ko active IP Right Grant
- 2017-04-24 TW TW106113642A patent/TWI744316B/zh active
- 2017-04-24 TW TW110135604A patent/TWI789920B/zh active
-
2018
- 2018-03-02 NL NL2020517A patent/NL2020517B1/en active
-
2019
- 2019-02-12 NL NL2022557A patent/NL2022557B1/en active
- 2019-10-17 NL NL2024033A patent/NL2024033B1/en active
-
2020
- 2020-12-22 US US17/130,537 patent/US11762281B2/en active Active
-
2022
- 2022-01-12 JP JP2022003245A patent/JP7126032B2/ja active Active
- 2022-08-15 JP JP2022129158A patent/JP7478778B2/ja active Active
-
2023
- 2023-07-28 US US18/227,833 patent/US20240004283A1/en active Pending
- 2023-09-28 JP JP2023168399A patent/JP2023165951A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20090088396A (ko) * | 2006-11-10 | 2009-08-19 | 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드 | Ｅｕｖ 광선 투과율이 증가된 ｅｕｖ 펠리클 |
| JP2016021078A (ja) * | 2010-06-25 | 2016-02-04 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置およびリソグラフィ方法 |
| WO2015082214A1 (en) * | 2013-12-05 | 2015-06-11 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus and method for manufacturing a pellicle, and a pellicle |
| US20150212434A1 (en) * | 2014-01-27 | 2015-07-30 | Luxel Corporation | Monolithic euv transparent membrane and support mesh and method of manufacturing same |
| KR20150121293A (ko) * | 2014-04-17 | 2015-10-29 | 한양대학교 산학협력단 | Euv 리소그래피용 펠리클 및 그 제조방법 |
| WO2016001351A1 (en) * | 2014-07-04 | 2016-01-07 | Asml Netherlands B.V. | Membranes for use within a lithographic apparatus and a lithographic apparatus comprising such a membrane |
Also Published As
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102408195B1 (ko) | Euv 리소그래피를 위한 멤브레인 | |
| CN108351586B (zh) | 用于制造隔膜组件的方法 | |
| TW201502696A (zh) | 防護薄膜組件、含有其的ｅｕｖ曝光裝置、曝光原版以及曝光方法 | |
| CN111836681A (zh) | 石墨烯表膜光刻设备 | |
| CN113777894A (zh) | 用于euv光刻的隔膜组件和用于制造隔膜组件的方法 | |
| EP4004647A1 (en) | Pellicle membrane | |
| JP7122367B2 (ja) | 局所熱処理による多層グラフェンペリクルの同時両面コーティング | |
| TWI835473B (zh) | 用於ｅｕｖ微影之膜、護膜總成、圖案化器件總成及動態氣鎖總成 | |
| KR20210030621A (ko) | 탄화규소 층을 포함하는 극자외선용 펠리클의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A107 | Divisional application of patent | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| A107 | Divisional application of patent | ||
| GRNT | Written decision to grant |