JP7462005B1 - ビームスプリッタ及び光学装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】受光面を拡大させることができるビームスプリッタ及び光学装置を提供する。【解決手段】本開示に係るビームスプリッタは、第１面２１及び第１面２１の反対側の第２面２２を有するミラー２０と、第２面２２上に配置された支持部材３０と、を備え、ミラー２０は、第１面２１から入射したＥＵＶ光の一部を反射するとともに、第１面２１から入射したＥＵＶ光の他の一部を第２面２２に透過させ、支持部材３０は、ミラー２０を支持し、第２面２２に透過したＥＵＶ光の他の一部を透過させる。【選択図】図４
Description
本開示は、ビームスプリッタ及び光学装置に関する。
非特許文献１には、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｅｍ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）光のハーフミラーが記載されている。
「ＥＵＶ Ｈａｌｆ ｍｉｒｒｏｒ」、ＮＴＴ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ、［ｏｎｌｉｎｅ］、［令和４年９月２０日検索］、インターネット＜https://www.ntt-at.com/product/beamsplitter/＞
非特許文献１のハーフミラーは、１０ｍｍ×１０ｍｍの受光面を有している。非特許文献１のハーフミラーは、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層膜の周縁を枠状のホルダで支持している。よって、多層膜の受光面を大きくしようとすると、撓みの発生が予想される。大型の露光装置で用いられるような大面積の受光面を有するＥＵＶ光のビームスプリッタが所望されている。
本開示の目的は、このような問題を解決するためになされたものであり、ＥＵＶ光のビームスプリッタの受光面を拡大させることができるビームスプリッタ及び光学装置を提供することである。
本開示に係るビームスプリッタは、第１面及び前記第１面の反対側の第２面を有するミラーと、前記第２面上に配置された支持部材と、を備え、前記ミラーは、前記第１面から入射した前記ＥＵＶ光の一部を反射するとともに、前記第１面から入射した前記ＥＵＶ光の他の一部を前記第２面に透過させ、前記支持部材は、前記ミラーを支持し、前記第２面に透過した前記ＥＵＶ光の前記他の一部を透過させる。
上記ビームスプリッタでは、前記ミラーは、多層膜を含み、前記支持部材は、ペリクルを含み、前記多層膜は、前記ペリクル上に積層されてもよい。
上記ビームスプリッタでは、前記ミラーは、多層膜を含み、前記支持部材は、メッシュ状部材を含み、前記多層膜は、前記メッシュ状部材に接着されてもよい。
上記ビームスプリッタでは、前記第１面は、φ２０ｍｍ～φ１００ｍｍの前記ＥＵＶ光を受光してもよい。
本開示に係る光学装置は、上記記載のビームスプリッタを備え、前記ＥＵＶ光を用いた露光用のマスクを検査する。
本発明によれば、受光面を拡大させることができるビームスプリッタ及び光学装置を提供することができる。
以下、本実施形態の具体的構成について図面を参照して説明する。以下の説明は、本開示の好適な実施の形態を示すものであって、本開示の範囲が以下の実施の形態に限定されるものではない。以下の説明において、同一の符号が付されたものは実質的に同様の内容を示している。
実施形態を説明する前に、比較例１及び２の光学装置を説明し、それらの課題を説明する。その後、比較例１及び２と対比させて、実施形態の光学装置を説明する。これにより、実施形態の光学装置の特徴をより明確にする。なお、比較例１及び２の光学装置、並びに、それらの課題も、実施形態の技術思想の範囲である。
（比較例１）
まず、比較例１の光学装置を説明する。比較例１の光学装置は、例えば、ＥＵＶ光を用いてＥＵＶ用マスクを検査する検査装置またはＥＵＶ光を用いて露光する露光装置等に配置されている。図１は、比較例１に係る光学装置を例示した断面図である。図１に示すように、光学装置１０１は、光学部材１１０及び駆動部１４０を備えている。光学装置１０１は、これら以外の部材を含んでもよい。駆動部１４０は、光学部材１１０の位置を移動させる部材であり、モータ、アクチュエータ等である。なお、駆動部１４０は、光学部材１１０の位置を移動させることができれば、モータ、アクチュエータに限らず、機械的な機構でもよい。
まず、比較例１の光学装置を説明する。比較例１の光学装置は、例えば、ＥＵＶ光を用いてＥＵＶ用マスクを検査する検査装置またはＥＵＶ光を用いて露光する露光装置等に配置されている。図１は、比較例１に係る光学装置を例示した断面図である。図１に示すように、光学装置１０１は、光学部材１１０及び駆動部１４０を備えている。光学装置１０１は、これら以外の部材を含んでもよい。駆動部１４０は、光学部材１１０の位置を移動させる部材であり、モータ、アクチュエータ等である。なお、駆動部１４０は、光学部材１１０の位置を移動させることができれば、モータ、アクチュエータに限らず、機械的な機構でもよい。
光学部材１１０は、駆動部１４０によってＥＵＶ光の光路Ｌ１上に挿入される。光学部材１１０は、例えば、板状である。光学部材１１０は、第１面１１１及び第２面１１２を有している。第２面１１２は、第１面１１１の反対側の面である。ＥＵＶ光の光路Ｌ１に挿入された光学部材１１０は、ＥＵＶ光を受光する。ＥＵＶ光は、光学部材１１０の第１面１１１に入射する。
本比較例において、光学部材１１０は、ミラー１２０を含んでいる。ミラー１２０は、光学部材１１０の第１面１１１側に配置されている。ミラー１２０は、例えば、多層膜を含む。例えば、ミラー１２０は、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）とが交互に積層された多層膜を含む。多層膜は、ガラス基板等の基板１３０上に積層されている。モリブデンとシリコンとは、基板１３０上に、例えば、４０対交互に積層されている。なお、ミラー１２０は、２材質の２層の多層膜に限らず、３材質以上の３層以上の多層膜を含んでもよいし、１材質の多層膜を含んでもよい。多層膜は、上述のＭｏ／Ｓｉの組み合わせの他、ＥＵＶ光を反射するミラーであれば、Ｃｏ／Ｃ、ＣｏＣｒ／Ｃ、Ｃｒ／Ｃ、ＳｉＣ／Ｍｇ等を含んでもよい。１材質の多層膜は、ＥＵＶ光を反射するミラーであれば、Ｒｕ、ＳｉＣ等を含んでもよい。基板１３０は、光学部材１１０の第２面１１２側に配置されている。
光学部材１１０の第１面１１１に入射したＥＵＶ光は、ミラー１２０で反射する。ミラー１２０は、ＥＵＶ光をセンサ７０に対して反射する。センサ７０は、ＥＵＶ光をモニタする。ＥＵＶ光は、例えば、ＩＲ光等のレーザ光をターゲット材に照射することにより励起させ、発生したプラズマから生成される。ターゲット材は、一例として、スズである。センサ７０は、ＥＵＶ光のパワー及びプラズマ分布を検出することにより、ＥＵＶ光をモニタする。センサ７０は、例えば、フォトダイオード（Ｐｈｏｔｏ Ｄｉｏｄｅ、ＰＤと呼ぶ。）、位置検出素子（Ｐｏｓｉｔｉｏｎ Ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ、ＰＳＤと呼ぶ。）及び二次元センサ等を含んでもよい。
駆動部１４０は、光学部材１１０に取り付けられている。駆動部１４０は、ＥＵＶ光をモニタする際に、光学部材１１０をＥＵＶ光の光路Ｌ１へ挿入する。これにより、光路Ｌ１を通るＥＵＶ光を、センサ７０へ続く光路Ｌ２に導く。また、駆動部１４０は、ＥＵＶ光のモニタを終了し、ＥＵＶ光を検査光または露光光として運用する際に、光学部材１１０をＥＵＶ光の光路Ｌ１から外す。これにより、光路Ｌ１を通したＥＵＶ光を、検査装置または露光装置へ続く光路Ｌ３に導く。
このように、比較例１の光学装置１０１は、ＥＵＶ光の光路Ｌ１に光学部材１１０を挿入することにより、ＥＵＶ光の光路Ｌ１をセンサ７０に向かうように変える。そして、センサ７０によって、ＥＵＶ光をモニタする。光学装置１０１は、センサ７０によりＥＵＶ光のパワー及びプラズマ分布を検出することができる。
しかしながら、比較例１の光学装置１０１において、光学部材１１０は、ＥＵＶ光を反射しかできないので、ＥＵＶ光を検査装置または露光装置で運用するためには、駆動部１４０によって光学部材１１０を光路Ｌ１から外す必要がある。
（比較例２）
次に、比較例２の光学装置を説明する。図２は、比較例２に係る光学装置を例示した断面図である。図２に示すように、本比較例の光学装置２０１は、光学部材２１０を備えている。光学装置２０１は、これら以外の部材を含んでもよい。
次に、比較例２の光学装置を説明する。図２は、比較例２に係る光学装置を例示した断面図である。図２に示すように、本比較例の光学装置２０１は、光学部材２１０を備えている。光学装置２０１は、これら以外の部材を含んでもよい。
光学部材２１０は、例えば、板状であり、第１面２１１及び第２面２１２を有する。ＥＵＶ光の光路Ｌ１上に挿入された光学部材２１０は、ＥＵＶ光を受光する。ＥＵＶ光は、光学部材２１０の第１面２１１に入射する。
本比較例において、光学部材２１０は、ミラー２２０及び支持部材２３０を含んでいる。支持部材２３０は、矩形の枠状である。支持部材２３０は、ミラー２２０の周縁を支持する。ミラー２２０は、第１面２１１及び第２面２１２を有している。すなわち、光学部材２１０の第１面２１１は、ミラー２２０の第１面２１１でもあり、光学部材２１０の第２面２１２は、ミラー２２０の第２面２１２でもある。ミラー２２０は、前述のミラー２２０と同様に、多層膜を含んでもよい。
本比較例の光学部材２１０のミラー２２０は、ＥＵＶ光の一部を反射するとともに、ＥＵＶ光の他の一部を透過するように形成されている。具体的には、ミラー２２０は、前述の比較例１のミラー１２０よりも多層膜を薄く積層されている。比較例２のミラー２２０のモリブデン及びシリコンは、例えば、５対、好ましくは、５対以下に積層されている。図３は、ミラー２２０の反射率を例示したグラフであり、横軸は、波長を示し、縦軸は、反射率を示す。図３では、Ｓｉ／Ｍｏの１周期の厚さが９．９ｎｍであり、モリブデン及びシリコンの対が５対成膜された場合の入射角４５°の反射率を示している。
図３に示すように、第１面２１１に入射するＥＵＶ光の入射角が４５°の場合には、光学部材２１０は、モリブデン及びシリコンの対が５対の場合に反射率３０％以上を得ることができる。この場合には、光学部材２１０は、ミラー２２０に対するＥＵＶ光の透過率として、４０％を得ることができる。
光学部材２１０に入射したＥＵＶ光の一部は、ミラー２２０で反射する。具体的には、光学部材２１０は、光路Ｌ１を通って第１面２１１から入射したＥＵＶ光の一部をミラー２２０で反射させることにより、センサ７０へ続く光路Ｌ２に導く。つまり、ミラー２２０は、ＥＵＶ光の一部がセンサ７０に向かうように反射する。センサ７０は、ＥＵＶ光のパワー及びプラズマ分布を検出することにより、ＥＵＶ光をモニタする。
一方、光学部材２１０は、第１面２１１から入射したＥＵＶ光の他の一部を透過させる。具体的には、光学部材２１０は、光路Ｌ１を通ったＥＵＶ光の他の一部をミラー２２０に対して透過させることにより、検査装置または露光装置へ続く光路Ｌ３に導く。
このように、比較例２の光学装置２０１は、ＥＵＶ光の一部を反射しつつ、他の一部を透過させるビームスプリッタとして機能する。よって、ＥＵＶ光をモニタするとともに、検査装置または露光装置においてＥＵＶ光を運用することができる。
しかしながら、比較例２のミラー２２０の受光面は、１０ｍｍ×１０ｍｍ程度である。ミラー２２０は、モリブデンとシリコンとが交互に数対だけ積層された薄膜状である。よって、ミラー２２０の周縁を枠状の支持部材２３０で支持する必要がある。この場合には、ミラー２２０の受光面を大きくしようとすると、ミラー２２０に撓みが発生する。大型の露光装置で用いられるような大面積の受光面にすることが困難である。
（実施形態１）
次に、実施形態１に係る光学装置を説明する。図４は、実施形態１に係る光学装置を例示した断面図である。図４に示すように、本実施形態の光学装置１は、光学部材１０を備えている。光学装置１は、これら以外の部材を含んでもよい。
次に、実施形態１に係る光学装置を説明する。図４は、実施形態１に係る光学装置を例示した断面図である。図４に示すように、本実施形態の光学装置１は、光学部材１０を備えている。光学装置１は、これら以外の部材を含んでもよい。
光学部材１０は、例えば、板状であり、第１面１１及び第２面１２を有する。ＥＵＶ光の光路Ｌ１上に挿入された光学部材１０は、ＥＵＶ光を受光する。ＥＵＶ光は、光学部材１０の第１面１１に入射する。本実施形態において、光学部材１０は、ミラー２０及び支持部材３０を備えている。
ミラー２０は、光学部材１０の第１面１１側に配置されている。ミラー２０は、例えば、薄膜状である。ミラー２０は、第１面２１及び第２面２２を有している。第２面２２は、第１面２１の反対側の面である。光学部材１０の第１面１１は、ミラー２０の第１面２１でもある。ミラー２０は、前述のミラー２２０と同様に、多層膜を含む。ミラー２０は、第１面２１から入射したＥＵＶ光の一部を反射するとともに、ＥＵＶ光の他の一部を第２面２２に透過するように形成されている。具体的には、ミラー２０は、５対、好ましくは、５対以下のモリブデン及びシリコンを積層されている。
支持部材３０は、光学部材１０の第２面１２側に配置されている。支持部材３０は、ミラー２０の第２面２２上に配置されている。支持部材３０は、例えば、ペリクルを含む。ペリクルは、例えば、多結晶シリコン（polycrystalline silicon, ｐ－Ｓｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）等の材料を含む。支持部材３０は、第１面３１及び第２面３２を有している。第２面３２は、第１面３１の反対側の面である。支持部材３０の第２面３２は、光学部材１０の第２面１２でもある。
ミラー２０の多層膜は、支持部材３０上に積層されている。具体的には、支持部材３０の第１面３１上にミラー２０の多層膜が積層されている。例えば、スパッタリングにより、ペリクル上にモリブデン及びシリコンが交互に積層されている。これにより、ミラー２０と支持部材３０とは、一体化されている。ミラー２０の第２面２２と支持部材３０の第１面３１とは接触している。
本実施形態の光学部材１０では、支持部材３０は、ミラー２０の第２面２２側に配置されている。よって、ミラー２０の第２面２２を支持部材３０が支持することができる。これにより、光学部材１０の受光面を拡大させることができる。
光学部材１０に入射したＥＵＶ光の一部は、ミラー２０で反射する。具体的には、光学部材１０は、光路Ｌ１を通って第１面１１から入射したＥＵＶ光の一部をミラー２０で反射させることにより、センサ７０へ続く光路Ｌ２に導く。つまり、ミラー２０は、ＥＵＶ光の一部がセンサ７０に向かうように反射する。センサ７０は、ＥＵＶ光のパワー及びプラズマ分布を検出することにより、ＥＵＶ光をモニタする。
一方、光学部材１０は、第１面１１から入射したＥＵＶ光の他の一部をミラー２０の第２面２２に透過させる。支持部材３０は、ミラー２０を支持し、ミラー２０の第２面２２に透過したＥＵＶ光の他の一部を透過させる。つまり、光学部材１０は、光路Ｌ１を通ったＥＵＶ光の他の一部をミラー２０及び支持部材３０に対して透過させることにより、検査装置または露光装置へ続く光路Ｌ３に導く。
このように、本実施形態の光学装置１は、ＥＵＶ光の一部を反射しつつ、他の一部を透過させるビームスプリッタとして機能する。よって、ＥＵＶ光をモニタするとともに、検査装置または露光装置においてＥＵＶ光を運用することができる。
また、本実施形態の光学装置１は、ミラー２０の第２面２２にミラー２０を支持する支持部材３０を配置させている。よって、ミラー２０の撓みを抑制することができる。これにより、ミラー２０の受光面を、比較例２に比べて、大面積にすることができる。ミラー２０の第１面２１は、φ２０ｍｍ以上、好ましくは、大型の露光装置等で用いられるように、φ２０ｍｍ～φ１００のＥＵＶ光を受光する。よって、光学部材１０は、ビーム径がφ２０ｍｍ以上のＥＵＶ光を受光し、ビーム径がφ２０ｍｍ以上の反射光として、ＥＵＶ光の一部を反射する。また、光学部材１０は、ビーム径がφ２０ｍｍ以上の透過光として、ＥＵＶ光の他の一部を透過させる。このように、光学部材１０は、大面積の受光面を有するビームスプリッタとして機能させることができる。
（実施形態２）
次に、実施形態２を説明する。本実施形態において、支持部材は、メッシュ状部材を含む。図５は、実施形態２に係る光学装置を例示した断面図である。図５に示すように、本実施形態の光学装置２は、光学部材４０を備えている。光学装置２は、これら以外の部材を含んでもよい。
次に、実施形態２を説明する。本実施形態において、支持部材は、メッシュ状部材を含む。図５は、実施形態２に係る光学装置を例示した断面図である。図５に示すように、本実施形態の光学装置２は、光学部材４０を備えている。光学装置２は、これら以外の部材を含んでもよい。
光学部材４０は、例えば、板状であり、第１面４１及び第２面４２を有する。ＥＵＶ光の光路Ｌ１上に挿入された光学部材４０は、ＥＵＶ光を受光する。ＥＵＶ光は、光学部材４０の第１面４１に入射する。本実施形態において、光学部材４０は、ミラー５０及び支持部材６０を含んでいる。
ミラー５０は、光学部材４０の第１面４１側に配置されている。ミラー５０は、前述のミラー２０と同様に、第１面５１及び第２面５２を有している。第２面５２は、第１面５１の反対側の面である。光学部材４０の第１面４１は、ミラー５０の第１面５１でもある。ミラー５０は、多層膜を含む。ミラー５０は、ＥＵＶ光の一部を反射するとともに、ＥＵＶ光の他の一部を透過するように形成されている。具体的には、ミラー５０は、５対、好ましくは、５対以下のモリブデン及びシリコンを積層されている。
支持部材６０は、第１面６１及び第２面６２を有している。第２面６２は、第１面６１の反対側の面である。支持部材６０の第２面６２は、光学部材４０の第２面４２でもある。支持部材６０は、光学部材４０の第２面４２側に配置されている。支持部材６０は、ミラー５０の第２面５２上に配置されている。ミラー５０の多層膜は、支持部材６０の第１面６１側に配置されている。本実施形態では、ミラー５０の多層膜を成膜してから、支持部材６０上に配置させてもよい。例えば、成膜した多層膜は、支持部材６０に接着剤等により接着させてもよい。
本実施形態では、支持部材６０は、メッシュ等のメッシュ部材を含む。図６は、実施形態２に係る支持部材６０を例示した平面図である。図６に示すように、支持部材６０は、ハニカムメッシュを含んでもよい。なお、支持部材６０は、ハニカムメッシュに限らず、クロスメッシュ等、他の形状のメッシュ部材を含んでもよい。
メッシュ部材の透過率は、メッシュ部材の幾何学的な形状による幾何透過率で算出することができる。例えば、図６に示すように、ハニカムメッシュは、６本のワイヤ６３で構成される六角形の単位メッシュ６４が複数組み合わされている。単位メッシュ６４の対向する角の対角線の長さを２ａとし、ワイヤ６３の幅をｗとする。そうすると、単位メッシュ６４の面積は、（１）式となり、ワイヤ６３の面積は、（２）式となる。よって、幾何透過率は、（３）式となる。
本実施形態の光学部材４０の透過率は、（支持部材６０の幾何透過率）×（ミラー５０の透過率）によって決定される。
本実施形態の光学装置２は、ＥＵＶ光の一部を反射しつつ、他の一部を透過させるビームスプリッタとして機能する。本実施形態の光学部材４０は、メッシュ部材によってミラー５０を保持することができる。よって、単位メッシュ６４を撓みの発生しない面積に保持したまま、単位メッシュ６４を増やすことにより、光学部材４０の受光面をさらに大面積に拡大させることができる。
本実施形態の光学部材４０は、幾何透過率によって透過率を制御することができる。例えば、メッシュ部材の形状を、ハニカムメッシュ、クロスメッシュとすることにより、幾何透過率を制御することができる。また、ワイヤの幅を変えることにより、幾何透過率を制御することができる。これにより、光学部材４０の用途の自由度を向上させることができる。これ以外の構成及び効果は、実施形態１の記載に含まれている。
以上、本開示の実施形態を説明したが、本開示はその目的と利点を損なうことのない適宜の変形を含み、更に、上記の実施形態よる限定は受けない。また、実施形態１～２及び比較例１～２の各構成は、適宜、組み合わせてもよい。
１、２ 光学装置
１０ 光学部材
１１ 第１面
１２ 第２面
２０ ミラー
２１ 第１面
２２ 第２面
３０ 支持部材
３１ 第１面
３２ 第２面
４０ 光学部材
４１ 第１面
４２ 第２面
５０ ミラー
５１ 第１面
５２ 第２面
６０ 支持部材
６１ 第１面
６２ 第２面
６３ ワイヤ
６４ 単位メッシュ
７０ センサ
１０１ 光学装置
１１０ 光学部材
１１１ 第１面
１１２ 第２面
１２０ ミラー
１３０ 基板
１４０ 駆動部
２０１ 光学装置
２１０ 光学部材
２１１ 第１面
２１２ 第２面
２２０ ミラー
２３０ 支持部材
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３ 光路
１０ 光学部材
１１ 第１面
１２ 第２面
２０ ミラー
２１ 第１面
２２ 第２面
３０ 支持部材
３１ 第１面
３２ 第２面
４０ 光学部材
４１ 第１面
４２ 第２面
５０ ミラー
５１ 第１面
５２ 第２面
６０ 支持部材
６１ 第１面
６２ 第２面
６３ ワイヤ
６４ 単位メッシュ
７０ センサ
１０１ 光学装置
１１０ 光学部材
１１１ 第１面
１１２ 第２面
１２０ ミラー
１３０ 基板
１４０ 駆動部
２０１ 光学装置
２１０ 光学部材
２１１ 第１面
２１２ 第２面
２２０ ミラー
２３０ 支持部材
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３ 光路
Claims (4)
- 第１面及び前記第１面の反対側の第２面を有するミラーと、
前記第２面上に配置された支持部材と、
を備え、
前記ミラーは、前記第１面から入射したＥＵＶ光の一部を反射するとともに、前記第１面から入射した前記ＥＵＶ光の他の一部を前記第２面に透過させ、
前記支持部材は、前記ミラーを支持し、前記第２面に透過した前記ＥＵＶ光の前記他の一部を透過させ、
前記ミラーは、多層膜を含み、
前記支持部材は、ペリクルを含み、
前記ミラーに含まれる前記多層膜は、前記ペリクル上に積層された、
ビームスプリッタ。 - 前記ミラーは、第１材質と第２材質とが交互に積層された前記多層膜を含み、
前記ペリクル上に前記第１材質と前記第２材質とが交互に積層され、
前記第１材質と前記第２材質との組み合わせを、前記第１材質／前記第２材質とすると、前記組み合わせは、Ｍｏ／Ｓｉ、Ｃｏ／Ｃ、ＣｏＣｒ／Ｃ、Ｃｒ／Ｃ、及び、ＳｉＣ／Ｍｇのいずれかを含む、
請求項１に記載のビームスプリッタ。 - 前記第１面は、φ２０ｍｍ～φ１００ｍｍの前記ＥＵＶ光を受光する、
請求項１または２に記載のビームスプリッタ。 - 請求項１または２に記載のビームスプリッタを備え、
前記ＥＵＶ光を用いた露光用のマスクを検査する光学装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022161623A JP7462005B1 (ja) | 2022-10-06 | 2022-10-06 | ビームスプリッタ及び光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022161623A JP7462005B1 (ja) | 2022-10-06 | 2022-10-06 | ビームスプリッタ及び光学装置 |
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| JP7462005B1 true JP7462005B1 (ja) | 2024-04-04 |
| JP2024055038A JP2024055038A (ja) | 2024-04-18 |
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ID=90474163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022161623A Active JP7462005B1 (ja) | 2022-10-06 | 2022-10-06 | ビームスプリッタ及び光学装置 |
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| JP (1) | JP7462005B1 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010123942A (ja) | 2008-10-24 | 2010-06-03 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置 |
| JP2019515322A (ja) | 2016-04-25 | 2019-06-06 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | Ｅｕｖリソグラフィ用のメンブレン |
-
2022
- 2022-10-06 JP JP2022161623A patent/JP7462005B1/ja active Active
Patent Citations (2)
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| JP2024055038A (ja) | 2024-04-18 |
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