KR20120101983A - 스펙트럼 퓨리티 필터, 리소그래피 장치, 및 스펙트럼 퓨리티 필터를 제조하는 방법 - Google Patents

스펙트럼 퓨리티 필터, 리소그래피 장치, 및 스펙트럼 퓨리티 필터를 제조하는 방법 Download PDF

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안드레이 야쿠닌
바딤 바니네
데니스 글루쉬코프
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에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
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Abstract

극 자외선을 투과시키도록 구성된 투과형 스펙트럼 퓨리티 필터는 극 자외선을 투과시키고 제2 유형의 방사선의 투과를 억제하기 위한 복수의 개구를 갖는 필터부를 포함한다. 이러한 개구부는 이방성 에칭 공정에 의해 실리콘과 같은 반도체 재료로 제조될 수 있다. 상기 반도체 재료에는 실리콘 질화물 Si3N4, 이산화규소(SiO2) 또는 탄화규소(SiC)와 같은 내수소성(hydrogen-resistant) 층이 제공된다. 조도 형상부는 개구의 측벽에서 과장될 수 있다. 상기 필터부는 두께가 약 20㎛ 이하일 수 있고, 개구는 폭이 약 2㎛ 내지 약 4㎛일 수 있다.

Description

스펙트럼 퓨리티 필터, 리소그래피 장치, 및 스펙트럼 퓨리티 필터를 제조하는 방법{SPECTRAL PURITY FILTER, LITHOGRAPHIC APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING A SPECTRAL PURITY FILTER}
본 출원은 2009년 6월 30일에 출원된 미국 임시 출원 제61/222,001호, 및 2009년 8월 27일에 출원된 미국 임시 출원 제61/237,589호에 우선권을 주장하고, 이들은 참조에 의해 전체로서 본원에 통합된다.
본 발명은 스펙트럼 퓨리티 필터, 이러한 스펙트럼 퓨리티 필터를 포함하는 리소그래피 장치, 및 스펙트럼 퓨리티 필터를 제조하는 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판, 통상적으로 기판의 타겟부 상에 요구되는 패턴을 부여하는 기기이다. 리소그래피 장치는 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조에 이용될 수 있다. 이러한 경우, 대안적으로 마스크 또는 레티클로 지칭되는 패터닝 디바이스가 IC의 개별 층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 이용될 수 있다. 이러한 패턴은 기판(예를 들어, 실리콘 웨이퍼) 상의 타겟부(예를 들어, 하나 또는 몇몇 다이들 중 일부를 포함함) 상으로 전사될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선 감광 재료(레지스트)의 층 상으로 이미징을 통해 이루어진다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각 타겟부가 조사(irradiate)되는 이른바 스텝퍼, 및 주어진 방향("스캐닝" 방향)으로 방사 빔을 통해 패턴을 스캔하는 동시에 이러한 방향에 평행 또는 반-평행하게 기판을 스캔함으로써 각 타겟부가 조사되는 이른바 스캐너를 포함한다. 또한 기판 상으로 패턴을 임프린트함으로써 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사하는 것도 가능하다.
패턴 프린팅을 제한하는 주요 인자는 이용되는 방사선의 파장 λ이다. 기판 상으로 보다 작은 구조를 투영할 수 있도록 하기 위해, 10-20nm의 범위, 예를 들어 13-14nm의 범위의 파장을 갖는 전자기 방사성인 극 자외선(EUV)의 이용이 제안되었다. 또한 10nm 이하, 예를 들어 5-10nm의 범위 이내, 예컨대 6.7nm 또는 6.8nm의 파장을 갖는 EUV 방사선이 이용될 수 있음이 제안되었다. 이러한 EUV 방사선은 때때로 소프트 x-선이라 지칭된다. 가능한 소스는, 예를 들어 레이저 생성 플라즈마 소스, 방전 플라즈마 소스, 또는 전자 저장 링으로부터의 싱크로트론 방사선을 포함한다.
주석(Sn) 플라즈마에 기초한 EUV 소스는 필요한 대역-내(in-band) EUV 방사선뿐만 아니라 대역-외(out-of-band) 방사선, 특히 심 자외선(DUV) 범위(100-400nm) 내의 방사선을 방출한다. 또한, 레이저 생성 플라즈마(LPP) EUV 소스의 경우, 통상 10.6㎛의 레이저로부터의 적외선은 상당한 양의 원치 않는 방사선을 제공한다. EUV 리소그래피 시스템의 광학기기는 일반적으로 이러한 파장에서 상당한 반사율을 가지기 때문에, 어떠한 조치도 취해지지 않는다면, 원치 않는 방사선은 상당한 세기로 리소그래피 툴 내에 전파된다.
리소그래피 장치에서, 대역-외 방사선은 몇몇 이유 때문에 최소화되어야 한다. 우선, 레지스트는 대역-외 파장에 민감하고, 따라서 이미지 품질이 악화될 수 있다. 둘째로, 원치 않는 방사선, 특히 LPP 소스에서 10.6㎛ 방사선은 마스크, 웨이퍼 및 광학기기의 원치 않는 가열을 초래한다. 원치 않는 방사선을 특정 한계 내로 하기 위해서, 스펙트럼 퓨리티 필터(SPF; spectral purity filter)가 개발되고 있다.
스펙트럼 퓨리티 필터는 EUV 방사선에 대해 반사형 또는 투과형일 수 있다. 반사형 SPF의 구현은 기존 미러의 수정 또는 추가적인 반사형 요소의 삽입을 요한다. 투과형 SPF는 통상적으로 컬렉터와 조명기 사이에 위치되고, 적어도 원칙적으로 방사선 경로에 영향을 미치지 않는다. 이는 결과적으로 다른 SPF와의 유연성 및 호환가능성을 낳기 때문에 유리할 수 있다.
그리드 SPF는 투과형 SPF의 클래스를 형성하는데, 이러한 투과형 SPF의 클래스는, 예를 들어 LPP 소스에서 10.6㎛ 방사선의 경우, 원치 않는 방사선이 EUV 방사선보다 훨씬 긴 파장을 가질 때 이용될 수 있다. 그리드 SPF는 억제될 파장 정도의 크기를 갖는 개구를 포함한다. 본 문서에서 종래 기술 및 추가적인 상세한 실시예에서 기술되는 것처럼, 억제 메커니즘은 상이한 유형의 그리드 SPF 사이에서 변화할 수 있다. EUV 방사선의 파장(13.5nm)이 개구의 크기(통상 > 3㎛)보다 훨씬 작기 때문에, EUV 방사선은 실질적인 회절 없이 개구를 통해 투과된다.
몇몇의 종래 기술 스펙트럼 퓨리티 필터(SPF)는 원치 않는 방사선을 억제하기 위해 미크론 크기의 개구를 갖는 그리드에 의존한다. 미국 출원 공개 제2006/0146413호는 20㎛ 이하의 지름을 갖는 개구의 어레이를 포함하는 스펙트럼 퓨리티 필터(SPF)를 개시한다. 방사선 파장과 비교되는 개구의 크기에 따라, SPF는 상이한 메커니즘에 의해 원치 않는 방사선을 억제할 수 있다. 개구 크기가 (원치 않는) 파장의 대략 절반보다 작은 경우, SPF는 이러한 파장의 방사선을 사실상 모두 반사시킨다. 개구 크기가 더 크지만 대략 파장 정도인 경우, 방사선은 적어도 부분적으로 회절되고 개구 내의 도파관에서 흡수될 수 있다.
이러한 SPF에 대한 대략적인 재료 파라미터 및 규격은 알려져 있다. 그러나, 이러한 규격으로 제조는 그리 간단하지 않다. 가장 도전적인 규격은: 통상적으로 지름이 4㎛인 개구; 통상적으로 5-10㎛의 그리드 두께; 최대 EUV 투과를 보장하기 위한 개구 사이의 매우 얇고(통상 <1㎛) 평행한(비-테이퍼형) 벽이다.
실리콘은 반도체 제조로부터 잘 알려진 광 리소그래피 패터닝 및 이방성 에칭 공정을 이용하여, 이러한 그리드를 제조하기 위한 유망한 재료로 부각되었다. 양호하게 제어된 단면을 갖는 깊은 개구에 대해, 깊은 반응성 이온 에칭(DRIE)이 유망하다고 알려졌지만, 물론 문제가 남아 있다. 2008년 12월 22일에 출원된 미국 임시 특허 출원 제61/193,769호는 본 발명에서 적용가능한 다양한 제조 방법을 개시한다. 이러한 출원의 내용은 참조에 의해 본원에 통합된다.
실리콘(Si)이 SPF 제조 용도의 유망한 재료이지만, 실제 EUV 리소그래피 장치에서 오염물 관리와 연관된 다양한 메커니즘이 수소, 특히 수소 라디칼(원자형 H)을 분위기 내로 발산(release)한다. 본 발명자는 이러한 라디칼이 Si 필터 재료를 분해할 수 있고, 설상가상으로 조명 시스템에서 중요 광학적 표면으로 오염물을 전달할 수 있음을 발견하였다. EUV 투영을 위한 최상의 반사형 요소라도, 보다 익숙한 광학 시스템에 비하여 작은 부분의 방사선을 반사시킨다. 열화(degradation)는 리소그래피 장치의 수율을 심각하게 제한할 것이다. 필터는 또한 다양한 방사선 파장으로부터의 가열 효과를 견뎌내야 한다.
미국 특허 제7,031,566B2호는 '매크로 다공성(macroporous) 실리콘'으로 제조된 UV 방사선용 필터를 개시하고, 여기서 다공은 웨이퍼 재료의 두께 t보다 훨씬 작은 지름 d를 갖는다. 스펙트럼 필터로서, 또는 다른 응용을 위해, 이러한 구조를 제조하기 위한 많은 종래 기술들이 검토된다. 미국 특허 제7,031,566B2호는 필요한 파장을 도파(waveguide)하기 위해 다공의 측벽 상에 SiO2의 투명한 코팅을 도포할 것을 제안하였다. 분석 기구에서 이용하기 위해 200-400nm의 대역-통과 파장이 언급되었고, 다공은 대략 1㎛의 지름과 대략 50㎛의 깊이를 갖는다. 미국 특허 제7,031,566B2호의 내용 곳곳에서 '극 UV'를 언급하지만, 이는 규정되어 있지 않고, 주어진 예는 본 출원을 위해 고려되는 20nm 이하 범위 내에 있지 않다. 도파 재료 SiO2는 다음 세대 광 리소그래피를 위해 언급된 EUV 파장에서 투명하지 않다.
실리콘으로 제조된 SPF의 추가적인 잠재적 문제점은, 통상적으로 진공인 EUV 조명 시스템에서의 분위기가 실제로는 광학적 표면의 잔해 및 오염물을 완화하기 위해 의도적으로 도입된 가스를 포함하여 장치의 외부 포트와 보다 높은 진공 영역 간에 완충(buffer)을 형성한다는 점이다. 이러한 목적으로 이용되는 특정 가스는 수소(H2)이다. EUV 소스 영역에서의 조건은 많은 수의 수소 라디칼(H 원자)의 생성을 유발하고, 이는 SPF의 선호되는 실리콘 재료와 고도로 반응성이 있다. 이는 두 가지 문제를 유발한다: SPF의 열화, 및 SPF로부터 이송된 Si로 인한 광학적 시스템의 오염. 특히 그리드형 구조는 비교적 큰 노출 표면 영역을 갖고, 이는 수소 공격의 문제를 악화시킬 수 있다.
본 발명의 일 양상은, 수소 라디칼 분위기에서 실리콘 성분의 이용과 관련된 단점 없이, 제조하기 용이하고 효율적인 EUV 스펙트럼 퓨리티 필터를 제공한다. 필터부의 두께는 약 20㎛보다 작을 수 있다. 각 개구의 지름은 약 2㎛보다 클 수 있다. 각 개구의 지름은 약 2㎛ 내지 약 10㎛의 범위에 있을 수 있다. 반도체 재료는 바람직하게는 실리콘이다. 개구는 약 3㎛ 내지 약 6㎛의 범위 내의 주기(period)를 가질 수 있다. 바람직하게는, 필터부는 실질적으로 평면형이고, 복수의 개구는 필터부의 전면으로부터 후면까지 연장되어 극 자외선을 투과시키는 한편 제2 유형의 방사선의 투과를 억제한다. 각 개구는 적어도 대략 80nm의 조도(roughness)를 갖는 텍스처화된 측벽에 의해 형성될 수 있다. 반사성 재료는 개구의 측벽을 따라 적어도 대략 1㎛ 연장될 수 있다. 필터는 통합된 필터 홀더를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 극 자외선(λ<20nm)을 위한 스펙트럼 퓨리티 필터가 제공된다. 필터는 캐리어 재료, 예를 들어 실리콘과 같은 반도체 재료로 제조된 그리드형 구조를 포함하고, 이러한 그리드형 구조는 표면 영역의 모두 또는 이의 대부분 위에 내수소성(hydrogen-resistant) 재료의 표면 층이 제공된다. 그리드형 구조는 예를 들어 복수의 개구를 포함하는 실질적으로 평면형인 필터부를 포함하고, 이러한 각각의 개구는 필터부의 전면부터 후면까지 완전히 또는 실질적으로 연장되는 측벽에 의해 형성된다.
내수소성 재료(캐리어 재료보다 라디칼 수소에 상당히 더 내성이 있는 임의의 재료로 규정됨)는 코팅으로 도포될 수 있거나, 하부의 반도체의 개질(modification)에 의해 형성될 수 있다. 예시적인 재료는 실리콘 질화물(Si3N4 및/또는 SiN), 이산화규소(SiO2), 및 탄화규소(SiC)이다. 반사성 코팅과 같은 다른 재료와의 호환가능성 및 제조의 용이성에 따라, 필터의 상이한 부분을 보호하기 위해 상이한 재료가 이용될 수 있다. 보호 재료는 원하는 방사선 및 원치 않는 방사선의 투과 또는 반사와 같은 광학적 특정을 위해 또한 선택될 수 있다. 다시 말해서, 내 수소성을 갖는 기능성 재료가, 예를 들어 반사기 또는 도파관으로서, 이미 제공될 부분들 상에는 특별한 수소 보호 물질이 부가될 필요가 없다.
스펙트럼 퓨리티 필터는 극 자외선을 투과시키고 제2 유형의 방사선의 투과를 억제하기 위해 필터부의 전면부터 후면까지 연장되는 복수의 개구를 갖는 필터부를 포함하는 투과형일 수 있다. 필터부의 평면에서 각 개구의 치수는 약 2㎛ 이상, 예를 들어 약 1.5㎛ 내지 약 10㎛, 약 1.5㎛ 내지 약 4㎛, 또는 약 2㎛ 내지 약 3㎛의 범위일 수 있다. 이러한 크기는 관심 있는 EUV 파장보다 훨씬 크기만, 예를 들어 억제될 원 적외선의 파장과는 비슷하다. 내수소성 물질은 개구의 내부 벽뿐만 아니라 전면 및/또는 후면을 덮을 수 있다.
스펙트럼 퓨리티 필터는 실리콘(Si)을 포함하고 약 10㎛의 두께를 갖는 필터부, 및 이러한 필터부 내의 복수의 개구를 포함할 수 있고, 각 개구는 실질적으로 수직인 측벽에 의해 형성된다.
측벽은 텍스처화될 수 있다. DRIE 및 다른 이방성 에칭 공정은 일반적으로 측벽 상에 어떤 텍스처를 남긴다. 본 발명의 몇몇 실시예에서, 이러한 텍스터는 벽의 광학적 특성을 수정하기 위해 의도적으로 과장된다. 일 실시예에서, 크기가 약 80nm 이상, 예를 들어 약 100nm 내지 약 200nm의 조도 형상부에 SiC 층이 제공되고, 이러한 SiC 층은 수소 부식이 되지 않도록 보호하지만, 그렇지 않으면 그레이징 입사에 있어서 투과될 수 있는 방사선을 반사 및 산란시킨다.
일 양상에 따르면, 극 자외선을 투과시키도록 구성된 스펙트럼 퓨리티 필터는, 극 자외선을 투과시키고 제2 유형의 방사선의 투과를 억제하기 위한 복수의 개구를 갖는 필터부를 포함하고, 상기 필터부는 실리콘과 같은 반도체 재료, 및 내수소성 재료의 표면 층을 포함한다. 이러한 필터부의 두께는 약 20㎛보다 작을 수 있다. 각 개구의 지름은 약 2㎛ 이상 또는, 약 2㎛ 내지 약 10㎛의 범위일 수 있다. 개구는 약 3㎛ 내지 약 6㎛의 범위의 주기를 갖는다. 필터부는 실질적으로 평면형일 수 있고, 복수의 개구는 필터부의 전면부터 후면까지 연장되어 극 자외선을 투과시키는 한편 제2 유형의 방사선의 투과를 억제한다. 각 개구는 적어도 약 80nm의 조도를 갖는 텍스처화된 측벽에 의해 형성될 수 있다. 반사성 재료는 개구의 측벽을 따라 적어도 약 1㎛ 연장될 수 있다. 내수소성 재료의 층은 적어도 부분적으로 SiN, SiC 및/또는 SiO2를 포함할 수 있다. 필터는 통합된 필터 홀더를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 양상은 극 자외선을 위한 스펙트럼 퓨리티 필터를 제공하고, 상기 스펙트럼 퓨리티 필터는 극 자외선을 투과시키지만 제2 유형의 방사선의 투과는 억제하도록 하는 크기 및 어레이(array)를 갖는 복수의 개구를 포함하는 대체로 평면형인 필터부를 포함하고, 각 개구는 상기 필터부의 전면과 후면 사이에서 연장되는 측벽에 의해 형성되고, 상기 측벽은 비-그레이징(non-grazing) 입사면을 제공하도록 텍스처화(texture)된다.
반사성 표면, 잠재적으로는 측벽 표면의 전체는 제1 및/또는 제2 유형의 방사선을 반사시키는 재료의 층을 가질 수 있다. 필터부는 Si와 같은 반도체일 수 있는 한편, 반사성 표면은 예를 들어 SiC이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 극 자외선을 포함하는 방사선을 생성하도록 구성된 방사 소스, 상기 방사선을 방사 빔으로 조절하도록 구성된 조명 시스템, 및 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지부를 포함하는 리소그래피 장치가 제공된다. 상기 패터닝 디바이스는 상기 방사 빔을 패터닝하도록 구성된다. 상기 장치는 또한 타겟 재료 상으로 패터닝된 방사 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템, 및 다른 방사선으로부터 극 자외선을 필터링하도록 구성된 스펙트럼 퓨리티 필터를 포함한다. 스펙트럼 퓨리티 필터는 극 자외선을 투과시키도록 구성된 스펙트럼 퓨리티 필터일 수 있고, 이러한 스펙트럼 퓨리티 필터는 극 자외선을 투과시키고 제2 유형의 방사선의 투과를 억제하기 위한 복수의 개구부를 갖는 필터부를 포함하며, 필터부는 반도체 재료 및 내수소성 재료의 표면 층을 포함한다. 이러한 스펙트럼 퓨리티 필터는 위에서 언급된 스펙트럼 퓨리티 필터일 수 있다. 스펙트럼 퓨리티 필터는 실리콘과 같은 반도체 재료로 제조된 그리드형 구조를 포함할 수 있고, 표면 영역 모두 또는 이의 대부분 위에 내수소성 재료의 표면 층이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 투과형 스펙트럼 퓨리티 필터를 제조하는 방법이 제공되고, 상기 방법은 그리드형 필터부를 형성하기 위해서 이방성 에칭 공정을 이용하여 반도체 기판에 복수의 개구를 에칭하는 단계를 포함한다. 상기 개구는 극 자외선의 파장보다는 크지만 억제될 제2 방사선의 파장보다는 작거나 같은 지름을 가질 수 있다. 예를 들어, 지름은 약 1.5㎛ 내지 약 6㎛의 범위, 또는 약 2㎛ 내지 약 4㎛의 범위 내에 있을 수 있다. 상기 방법에 따르면, 표면 영역 모두 또는 이의 대부분 위에 내수소성 재료의 보호층이 제공될 수 있다.
상기 에칭하는 단계는 개구를 형성하는 텍스처화된 측벽을 생성할 수 있다. 이러한 측벽의 텍스처는, 측벽 상에 입사하는 방사선에 비-그레이징 입사 반사 표면을 제공하기 위해 약 80nm를 초과하는 치수를 가질 수 있다. 반사 표면에는 수소에 내성을 가지면서 제2 파장 방사선 중 일부 또는 이러한 방사선 모두를 반사시키는 재료의 층이 제공될 수 있다. SiC는 반사성이면서 내수소성인 재료이다. 선택적으로, 반사성 층은 몰리브덴 또는 루테늄을 포함할 수 있다.
필터부의 상이한 부분들 상에 상기 내수소성 층을 형성하기 위해 상이한 물질이 제공될 수 있다. 필터부의 전면은, 개구 사이에, 제2 파장의 반사를 향상시키기 위해, 예를 들어 금속성 층(예를 들어, Mo)을 가질 수 있다.
내수소성 재료의 표면층을 제공하는 단계는 다음을 포함할 수 있다: 상기 필터부의 반도체 재료 상에 직접 상기 재료를 증착하는 단계; 전구체 재료를 증착하고 전구체 재료를 상기 내수소성 재료로 개질하기 위해 상기 필터부를 처리하는 단계; 및/또는 상기 반도체 재료를 상기 내수소성 재료로 개질하기 위해 상기 필터부를 처리하는 단계. 상기 에칭하는 단계는 대안적으로 SF6 플라즈마 및 플루오르화 탄소 플라즈마에 기판을 노출시키는 단계를 포함할 수 있다.
상기 방법은 에칭 스탑 층을 갖는 반도체 기판을 제공하는 단계 및 개구가 에칭 스탑 층에 도달하도록 상기 반도체 기판을 통해 에칭하기 위해 이방성 에칭 공정을 이용하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 방법은 상기 기판에서 개구를 제조한 후 상기 에칭 스탑 층을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 에칭 스탑 층은 2개의 외측 기판 표면으로부터 이격되어, 반도체 기판 내에 제공될 수 있다. 선택적으로, 개구는 약 100nm 내지 약 10㎛의 범위의 지름을 갖는다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 개구의 이방성 에칭은 깊은 반응성 이온 에칭을 이용하여 실리콘 기판에서 수행된다. 실리콘 기판은 약 10㎛의 두께를 갖고, 개구는 약 1.5㎛ 내지 약 10㎛, 예를 들어 약 1.5㎛ 내지 약 6㎛, 또는 약 2㎛ 내지 약 4㎛ 범위의 지름을 갖는다.
몇몇 실시예에서 상기 에칭은 필터부의 평면에 수직하게 이어지고 개구를 형성하는 텍스처화된 측벽을 생성한다. 상기 텍스처는 측벽 상에 입사하는 방사선에 비-그레이징 입사 반사 표면을 제공하기 위해 약 50nm를 초과하는 치수, 예를 들어 약 100nm 내지 약 200nm의 치수를 가질 수 있다. 이러한 반사 표면에는 수소에 내성을 가지면서 제2 파장 방사선 중 일부 또는 이러한 방사선 모두를 반사시키는 재료의 층이 제공될 수 있다. SiC는 그러한 물질 중 하나이다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 개략도를 참조하여 단지 예로서 기술한다. 첨부된 개략도에서 대응되는 참조 부호는 대응되는 부분을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다;
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 레이아웃을 도시한다;
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 스펙트럼 퓨리티 필터의 정면도이다;
도 4a-4e는 내수소성 층의 형성 이전에, 스펙트럼 퓨리티 필터의 제조 공정에 대한 실시예의 개략적인 개요를 도시한다;
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 제조의 중간 단계에서 스펙트럼 퓨리티 필터의 기울어진 단면의 현미경 이미지이다;
도 6은 도 5의 스펙트럼 퓨리티 필터에서 2개의 개구 간의 벽에 대한 보다 상세한 이미지이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 스펙트럼 퓨리티 필터의 일부에 대한 상면도이다;
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 수소 보호층을 통합하는 스펙트럼 퓨리티 필터의 개략적인 단면이다;
도 9a 및 9b는 본 발명의 일 실시예에 따른 보호층의 제조를 위한 한 가지 유형의 공정을 도시한다;
도 10a 내지 10c는 본 발명의 일 실시예에 따른 보호층의 제조를 위한 다른 유형의 공정을 도시한다;
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 확대된 측벽 세부구조를 갖는 스펙트럼 퓨리티 필터의 개략적인 단면이다;
도 12, 13 및 14는 본 발명의 세 가지 상이한 실시예에 따른 보호층 및 반사층을 통합하는 스펙트럼 퓨리티 필터의 개략적인 단면이다.
도 1은 본 발명의 리소그래피 장치의 주요 특징을 개략적으로 도시한다. 장치는 방사 소스(SO) 및 이러한 소스로부터의 방사 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 EUV 방사선)을 조절(condition)하도록 구성된 조명 시스템(조명기)(IL)를 포함한다. 지지부(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클)(MA)를 지지하도록 구성되고 특정 파라미터에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성되는 제 1 위치 설정기(PM)에 연결된다. 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT)은 기판(W)(예를 들어, 레지스트 코팅된 반도체 웨이퍼)을 유지하도록 구성되고 특정 파라미터에 따라 기판(W)을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치 설정기(PW)에 연결된다. 투영 시스템(PS)은 기판(W)의 타겟부(C)(예를 들어, 하나 이상의 다이를 포함) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된다.
조명 시스템은 방사선을 지향시키거나, 형상화(shape)하거나, 또는 제어하기 위한 다양한 유형의 광학 컴포넌트, 예를 들어, 굴절형, 반사형, 자기형, 전자기형, 정전기형 또는 다른 유형의 광학 컴포넌트, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
지지부(MT)는 패터닝 디바이스를 지지한다. 지지부(MT)는 패터닝 디바이스의 배향, 리소그래피 장치의 설계, 및 다른 조건, 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지 여부와 같은 조건에 종속되는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지부는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기 또는 다른 클램핑 기술을 이용할 수 있다. 지지부는 예를 들어, 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지부는 예를 들어 투영 시스템에 대하여 패터닝 디바이스가 요구되는 위치에 있도록 보장할 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하는 것과 같이, 방사 빔의 단면에 패턴을 부여하기 위해 사용될 수 있는 어떠한 장치도 지칭하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 일반적으로, 방사 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같은, 타겟부에 생성되는 디바이스 내의 특정 기능 층에 대응할 것이다. 방사 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 패턴이 위상-반전 특징 또는 이른바 보조 특징(assist feature)을 포함하는 경우 기판의 타겟부에 있어서 필요한 패턴에 정확히 대응하지 않을 수도 있음에 주목해야 한다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형 모두 가능하다. 실질적인 이유로 인해, EUV 리소그래피를 위한 현재의 제안은 도 1에 도시된 것과 같은 반사형 패터닝 디바이스를 채용한다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능 미러 어레이, 및 프로그램가능 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리형, 교번 위상 반전형 및 감쇠 위상 반전형과 같은 마스크 유형뿐만 아니라 다양한 하이브리드 마스크 유형들을 포함한다. 프로그램가능 미러 어레이의 예는 소형 미러들의 매트릭스 배열을 채용하며, 그 각각의 미러들은 입사하는 방사 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 경사지는 것이 가능하다. 경사진 미러는 미러 매트릭스에 의해 반사되는 방사 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 이용되고 있는 노광 방사선에 적합하거나 또는 진공의 이용과 같은 다른 요인들에 적합한, 굴절형, 반사형, 반사 굴절형(catadioptric), 자기형, 전자기형, 및 정전형 광학 시스템, 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 어떠한 유형의 투영 시스템도 포함하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 여타 가스는 너무 많은 방사선 또는 전자를 흡수할 수 있기 때문에 EUV 또는 전자 빔 방사선을 위해 진공을 이용하는 것이 요구될 수 있다. 따라서 진공 환경은 진공 벽 및 진공 펌프를 이용하여 전체 빔 경로에 제공될 수 있다. EUV에 특정한 예는 도 2와 관련하여 이하 설명된다.
본원에서 용어 "투영 렌즈"의 사용은 보다 일반적인 용어 "투영 시스템"과 동의어로서 간주될 수 있다. EUV 파장에 대해서, 투과형 재료는 손쉽게 이용가능한 것은 아니다. 그러므로, EUV 시스템에 있어서 조명 및 투영 용도의 "렌즈"는 일반적으로 반사형, 즉 곡면 미러일 것이다.
리소그래피 장치는 2개(듀얼 스테이지) 또는 그 이상의 기판 테이블(및/또는 둘 이상의 마스크 테이블)을 갖는 유형일 수 있다. 이러한 "다중 스테이지" 기기에서는, 추가적인 테이블을 병행하여 사용하거나, 또는 하나 이상의 테이블 상에서 예비 공정을 수행하면서 하나 이상의 기판 테이블을 노광용으로 사용하는 것이 가능하다.
리소그래피 장치는 또한, 기판의 적어도 일부가 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예를 들어 물에 덮혀 투영 시스템과 기판 간의 공간을 채우는 유형일 수 있다. 액침액은 또한 리소그래피 장치 내의 다른 공간, 예를 들어 마스크와 투영 시스템 사이의 공간에 부가될 수 있다. 투영 시스템의 개구수를 증가시키기 위한 액침 기술은 잘 알려져 있다. 본원에서 사용되는 용어 "액침"은 기판과 같은 구조가 액체에 잠겨야 함을 의미하지 않고, 오히려 액체가 노광 중에 예를 들어, 투영 시스템과 기판 사이에 위치됨을 의미한다.
도 1을 참조하면, 조명기(IL)는 방사 소스(SO)로부터 방사선을 수신한다. 예컨대, 방사 소스가 엑시머 레이저인 경우, 방사 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 구성요소일 수도 있다. 이러한 경우, 방사 소스는 리소그래피 장치의 일부를 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 방사선은 예컨대 적합한 지향 미러 및/또는 빔 확장기(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템을 이용하여 방사 소스(SO)로부터 조명기(IL)로 전달된다. 다른 경우에, 이러한 방사 소스는 리소그래피 장치에 통합된 부품일 수도 있다. 방사 소스(SO) 및 조명기(IL)는 필요에 따라 빔 전달 시스템과 함께 방사 시스템으로 지칭될 수도 있다.
조명기(IL)는 방사 빔의 각도 세기 분포(angular intensity distribution)를 조정하기 위한 조정 디바이스(조정기)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 조명기의 퓨필 평면(pupil plane) 내의 세기 분포의 적어도 외측 반경 및/또는 내측 반경 범위(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 조명기(IL)는 집속기(integrator) 및 집광기(condenser)와 같은 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수 있다. 조명기는 방사 빔의 단면에 필요한 균일성 및 세기 분포를 갖도록 방사 빔을 조절하는데 사용될 수 있다.
방사 빔(B)은 지지부(MT) 상에 유지된 패터닝 디바이스(MA) 상에 입사되고, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 패터닝 디바이스(MA)로부터 반사된 후, 방사 빔(B)은 투영 시스템(PS)를 통과하며, 이는 기판(W)의 타겟부(C) 상으로 빔을 집속(focus)시킨다. 제2 위치 설정기(PW) 및 위치 센서(IF2)(예컨대, 간섭계 디바이스, 선형 인코더, 또는 용량형 센서)를 이용하여, 예컨대 상이한 타겟부(C)를 방사 빔(B)의 경로 내에 위치시키도록 기판 테이블(WT)을 정확하게 이동시킬 수 있다. 마찬가지로, 예를 들어 마스크 라이브러리로부터의 기계적 인출(retrieval) 후에 또는 스캔 동안에, 방사 빔(B)의 경로에 대하여 패터닝 디바이스(MA)를 정확하게 위치시키기 위해 제1 위치 설정기(PM) 및 다른 위치 센서(IF1; 이 또한 간섭계 디바이스, 선형 인코더, 또는 용량형 센서일 수 있음)가 이용될 수 있다.
일반적으로, 마스크 지지부(MT)의 이동은, 제1 위치 설정기(PM)의 일부를 형성하는 롱-스트로크 모듈(long-stroke module; 개략적 위치 설정) 및 숏-스트로크 모듈(short-stroke module; 미세 위치 설정)을 이용하여 실현될 것이다. 마찬가지로, 기판 테이블(WT)의 이동은 제2 위치 설정기(PW)의 일부를 형성하는 롱-스트로크 모듈 및 숏-스트로크 모듈을 이용하여 실현될 수 있다. (스캐너와 대조적으로) 스테퍼의 경우, 지지부(MT)는 숏-스트로크 액추에이터에만 연결될 수도 있거나, 또는 고정될 수도 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크(M1, M2) 및 기판 정렬 마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수 있다. 도시된 바와 같이 기판 정렬 마크들이 전용의 타겟부를 점하고 있지만, 이들 마크들은 타겟부 사이의 공간 내에 위치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인(scribe-lane) 정렬 마크로 알려져 있음). 마찬가지로, 마스크(MA) 상에 둘 이상의 다이가 제공되는 상황에서는, 마스크 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.
도시된 장치는 다음 중 적어도 하나의 모드로 이용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서는, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)을 기본적으로 정지 상태로 유지하면서, 방사 빔에 부여된 패턴 전체를 한 번에 타겟부(C) 상에 투영한다(즉, 단일 정지 노광). 그리고나서, 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 기판 테이블(WT)을 X 방향 및/또는 Y 방향으로 이동시킨다. 스텝 모드에서는, 노광 필드의 최대 크기가 단일 정지 노광에서 이미지화된 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서는, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)을 동기적으로 스캐닝하면서, 방사 빔에 부여된 패턴을 타겟부(C) 상에 투영한다(즉, 단일 동적 노광). 마스크 테이블(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대율(축소율) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서는, 노광 필드의 최대 크기가 단일 동적 노광에서 타겟부의 폭(비-스캐닝 방향)을 제한하는 한편, 스캐닝 이동의 길이는 타겟부의 높이(스캐닝 방향)를 결정한다.
3. 또다른 모드에서는, 프로그램가능 패터닝 디바이스(MA)를 실질적으로 정지 상태로 유지한 채로 기판 테이블(WT)을 이동시키거나 스캐닝하면서, 방사 빔에 부여된 패턴을 타겟부(C) 상에 투영한다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스형 방사 소스가 채용되고, 프로그램가능 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)의 각각의 이동 후에 또는 스캔 동안의 연속적인 방사 펄스들의 사이에서 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 본원에서 언급된 것과 같은 유형의 프로그램가능 미러 어레이와 같은 프로그래머블 패터닝 디바이스를 이용하는 "마스크 없는 리소그래피(maskless lithography)"로 지칭될 수 있다.
또한, 전술한 사용 모드들의 조합 및/또는 변경, 또는 전혀 다른 사용 모드들도 채용될 수 있다.
도 2는 실제 EUV 리소그래피 장치의 개략적인 측면도를 도시한다. 물리적인 배열은 도 1에 도시된 장치와 상이하지만 동작 원리는 유사함에 주목할 것이다. 장치는 소스-컬렉터-모듈 또는 방사 유닛(3), 조명 시스템(IL) 및 투영 시스템(PS)을 포함한다. 방사 유닛(3)에는 가스 또는 증기, 예를 들어 Xe 가스 또는 Li, Gd 또는 Sn의 증기를 채용할 수 있는 방사 소스(7; SO)가 제공되고, 여기서는 매우 고온의 방전 플라즈마가 생성되어 전자기 방사선 스펙트럼의 EUV 범위의 방사선을 방출하게 된다. 전기적 방전의 부분적으로 이온화된 플라즈마가 광축(O) 상으로 컬랩스(collapse)하게 함으로써 방전 플라즈마가 생성된다. 예를 들어, 10 Pa 0.1 mbar의 부분압의 Xe, Li, Gd, Sn 증기 또는 임의의 다른 적합한 가스 또는 증기가 방사선의 효율적인 생성을 위해 필요할 수 있다. 일 실시예에서, EUV 소스로서 Sn 소스가 적용된다.
도 2의 주요부는 방전 생성 플라즈마(DPP) 형태의 방사 소스(7)를 도시한다. 도면의 좌측 하단의 대안적인 세부도는 레이저 생성 플라즈마(LPP)를 이용하는 대안적인 소스 형태를 도시한다. LPP 유형의 소스에서, 점화 영역(7a)에는 연료 전달 시스템(7b)으로부터 플라즈마 연료, 예를 들어 용융 Sn의 액적이 공급된다. 레이저 빔 생성기(7c) 및 연관된 광학 시스템은 방사 빔을 점화 영역으로 전달한다. 생성기(7c)는 적외선 파장, 예를 들어 10.6 마이크로미터 또는 9.4 마이크로미터를 갖는 CO2 레이저일 수 있다. 대안적으로, 다른 적합한 레이저, 예를 들어 1-11 마이크로미터 범위의 각각의 파장을 갖는 레이저가 이용될 수 있다. 레이저 빔과 상호작용하는 경우, 연료 액적은 플라즈마 상태로 천이(transfer)되며, 이러한 상태는 예를 들어 6.7nm 방사선, 또는 5-20nm 범위로부터 선택된 임의의 다른 EUV 방사선을 방출할 수 있다. 여기서는 EUV가 관심 있는 예이지만, 다른 응용예에서는 상이한 유형의 방사선이 생성될 수 있다. 플라즈마에서 생성된 방사선은 타원형 또는 다른 적합한 컬렉터(7d)에 의해 수집되어 중간 초점(12)을 갖는 소스 방사 빔을 생성한다.
도 2의 주요부로 복귀하면, 방사 소스(SO)에 의해 방출된 방사선은 가스 배리어 또는 "호일 트랩(foil trap)" 형태의 오염물 트랩(9)을 통해 DPP 소스 챔버(7)로부터 컬렉터 챔버(8) 내로 전달된다. 이는 이후 더 기술될 것이다. 컬렉터 챔버(8)는 방사선 컬렉터(10)를 포함할 수 있고, 이러한 방사선 컬렉터(10)는 예를 들어 이른바 그레이징 입사 반사기의 네스티드(nested) 어레이를 포함하는 그레이징 입사 컬렉터이다. 이러한 목적에 적합한 방사선 컬렉터는 종래 기술로부터 알려져 있다. 컬렉터(10)로부터 나오는 EUV 방사 빔은 특정 각 확산, 아마도 광 축(O)의 양측으로 10도 정도의 확산을 가질 것이다. 좌측 하단에 도시된 LPP 소스에서, 소스로부터 방사선을 모으기 위한 법선 입사 컬렉터(7d)가 제공된다.
컬렉터(10)에 의해 전달된 방사선은 본 발명의 실시예에 따른 스펙트럼 퓨리티 필터(11)를 투과한다. 반사형 격자 스펙트럼 퓨리티 필터와는 대조적으로, 투과형 스펙트럼 퓨리티 필터(11)는 방사 빔의 방향을 변화시키지 않는다. 스펙트럼 퓨리티 필터(11)의 실시예가 이하 기술된다. 방사선은 컬텍터 챔버(8) 내의 개구로부터 가상 소스 포인트(12)(즉, 중간 초점)에 집속된다. 챔버(8)로부터, 방사 빔(16)은 조명 시스템(IL)에서 법선 입사 반사기(13, 14)를 통해 레티클 또는 마스크 테이블(MT) 상에 위치된 레티클 또는 마스크 상으로 반사된다. 웨이퍼 스테이지 또는 기판 테이블(WT) 상에 장착된 웨이퍼(W) 상으로 반사형 요소(18, 19)를 통해 투영 시스템(PS)에 의해 이미지화된, 패터닝된 빔(17)이 형성된다. 도시된 것보다 많은 요소가 일반적으로 조명 시스템(IL) 및 투영 시스템(PS)에 존재할 것이다. 반사형 요소(19) 중 하나는 그 전방에, 개구(21)가 통과하는 NA 디스크(20)를 갖는다. 개구(21)의 크기는 패터닝된 방사 빔(17)이 기판 테이블(WT)과 충돌할 때 이러한 방사 빔(17)이 이루는 각 αi를 결정한다.
도 2는 가상 소스 포인트(12)의 상류 가까이 위치한 스펙트럼 퓨리티 필터(11)를 도시한다. 도시되지 않은 대안적인 실시예에서, 스펙트럼 퓨리티 필터(11)는 가상 소스 포인트(12) 또는 컬렉터(10)와 가상 소스 포인트(12) 사이의 임의의 포인트에 위치될 수 있다. 필터는 방사선 경로 내의 다른 위치, 예를 들어 가상 소스 포인트(12)의 하류에 위치될 수 있다. 복수의 필터가 배치될 수 있다.
가스 배리어는 예를 들어, 미국 특허 제6,614,505호 및 6,359,969호에 상세하게 기술되어 있는 것과 같은 채널 구조를 포함하고, 이는 참조에 의해 본원에 통합된다. 이러한 오염물 트랩의 목적은, 광학 시스템의 요소 상에 충돌하여 시간에 걸쳐 이들의 성능을 악화시키는 연료 물질 또는 부산물의 입사를 방지하거나 적어도 감소시키는 것이다. 이러한 요소는 컬렉터(10)를 포함한다. 도 2의 좌측 하부에 상세하게 도시된 LPP 소스의 경우, 오염물 트랩은 타원형 컬렉터(7d)를 보호하는 제1 트랩 배열(9a) 및 선택적으로 9b로 도시된 것과 같은 추가적인 트랩 배열을 포함한다. 가스 배리어는 오염물과의 화학적 상호작용에 의해 그리고/또는 하전 입자의 정전기적 또는 전자기적 편향에 의해, 물리적 배리어(유체 역류에 의해)로서 기능할 수 있다. 실질적으로, 조명 시스템 내로 방사선의 전달을 허용하면서 가능한 최대한 플라즈마 물질을 차단하기 위해 이러한 방법의 조합이 채용된다. 상기 미국 특허에서 설명된 것처럼, Sn 또는 다른 플라즈마 물질을 화학적으로 개질하기 위해 특히 수소 라디칼이 주입될 수 있다.
수소 라디칼은 또한, 광학적 표면 상에 이미 증착되어 있을 수 있는 Sn 및 다른 것의 세정을 위해 가해질 수 있다. 또한, 웨이퍼로부터의 오염물이 시스템 내의 보다 큰 진공 공간으로 진입하는 것을 막는 완충물로서, 수소 가스가 웨이퍼 지지부(WT)의 근처에 배치될 수 있다. 진공 환경에서, 지지부 및 위치 설정 시스템의 요소뿐만 아니라 전형적인 포토레지스트 재료는 시간에 걸쳐 광학 요소를 오염시킬 수 있는 유기 및 다른 가스 물질을 발산하는 경향이 있다.
모든 이러한 목적을 위해, 각각의 오염물 트랩 배열(9a, 9b)에, 그리고 조명 시스템(IL) 및 투영 시스템(PS)의 챔버로의 포트에 수소 가스를 공급하기 위해, 수소 소스(HS)가 도시된 것처럼 배치된다. 몇몇 소스는 단순한 완충물로서 분자 수소 가스(H2)를 공급할 수 있고, 다른 것들은 H 라디칼을 생성한다. 진공 환경에 침투하는 분자 수소는 이러한 환경에서 방사선, 전기적 방전 등에 의해 라디칼화될 수 있다.
도 3은 스펙트럼 퓨리티 필터(100)의 실시예에 대한 개략적인 정면도이고, 이는 예를 들어 리소그래피 장치의 상기 필터(11)로서 적용될 수 있다. 본 필터(100)는 극 자외선(EUV)을 투과시키도록 구성된다. 추가적인 실시예에서, 필터(100)는, 방사 소스에 의해 생성된 제2 유형의 방사선, 예를 들어 적외선(IR), 예컨대 약 1㎛ 이상의 파장, 특히 약 10㎛ 이상의 파장의 적외선을 실질적으로 차단한다. 특히, 투과될 EUV 방사선 및 (차단될) 상기 제2 유형의 방사선은 동일한 방사 소스, 예를 들어 리소그래피 장치의 LPP 소스(SO)로부터 나올 수 있다.
기술되는 실시예에서, 스펙트럼 퓨리티 필터(100)는 실질적으로 평면형인 필터부(102F)(예를 들어, 필터막 또는 필터층)를 포함한다. 이러한 필터부(102F)는 '필터 기판'이라 지칭될 수 있다. 필터부(102F)는 극 자외선을 투과시키고 제2 유형의 방사선의 투과를 억제하기 위한 복수의 (바람직하게는 평행한) 개구(104)를 가진다. 소스(SO)로부터의 방사선이 충돌하는 면은 전면이라 지칭될 것이고, 방사선이 조명 시스템(IL)으로 탈출하는 면은 후면이라 지칭될 것이다. 위에서 언급한 것처럼, 예를 들어, EUV 방사선은 방사선의 방향을 변화시키지 않고 스펙트럼 퓨리티 필터를 투과할 수 있다. 일 실시예에서, 각 개구(104)는 이방성 에칭 공정에 의해 제조될 수 있고, 개구를 형성하고 전면으로부터 후면으로 완전히 연장되는 평행한 측벽을 가진다.
도 4a-4e는 필터부(102F)를 제조하기 위한 예시적인 공정의 단계를 도시한다. 이러한 공정은 이하 간략하게 설명될 것이지만, 추가적인 세부사항은 위에서 언급한 미국 임시 특허 출원 제61/193,769호에서 찾을 수 있다. 예를 들어, 필터(100)는 실리콘(Si)의 독립형 박막(102F) 및 실질적으로 연직의(막 표면에 수직인) 측벽(106)을 갖는 개구(104)의 어레이를 포함할 수 있다. EUV 방사선이 실질적인 회절 없이 스펙트럼 퓨리티 필터(100)를 투과하도록, 개구(104)의 지름은 바람직하게는 약 100nm 이상이고 더 바람직하게는 약 1㎛ 이상이다. 개구(104)는 원형의 단면(도 3 참조)을 갖는 것으로 개략적으로 도시되지만, 다른 모양 또한 가능하고 선호될 수 있다. 예를 들어, 6각형 개구(도 4e, 5, 6, 8)는 기계적 안정성의 측면에서 유리할 수 있다. 필터(100)에 의해 억제될 파장은 투과될 EUV 파장의 적어도 10배일 수 있다. 특히, 필터(100)는 DUV 방사선(약 100-400 nm 범위의 파장을 가짐) 및/또는 1㎛ 이상의 파장을 갖는 적외선(예를 들어, 1-10 미크론 범위)의 투과를 억제하도록 구성된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 스펙트럼 퓨리티 필터(100)는 이방성 에칭 방법에 의해 제조될 수 있고, 이에 대한 적절한 예는 깊은 반응성 이온 에칭(DRIE)의 기술이고, 이는 이하 간략하게 설명된다. DRIE는 고도의 이방성 에칭률을 갖는 에칭 방법이고, 이는 이른바 Bosch 공정을 이용하여 Si에서 수직 에칭 프로파일의 제조를 가능하게 한다. 이는 예를 들면, Appl. Phys. Lett. 52 (1988), 616에 실린 S. Tachi, K. Tsujimoto, S. Okudaira의 실리콘의 저온 반응성 이온 에칭 및 마이크로파 플라즈마 에칭(Low-temperature reactive ion etching and microwave plasma etching of silicon)에 기술되어 있다. 이러한 Bosch 공정은 SF6 플라즈마 및 플루오르화탄소(예를 들어, C4F8) 플라즈마에 Si 표면을 교번하여 노출시키는 것으로 구성된다. 제1 단계에서, 실리콘은 다소 이방성 방식으로 에칭되는 반면, 제2 단계에서, 에칭된 프로파일은 패시베이션 층으로 덮힌다. 다음 에칭에서는, 이러한 패시베이션 층은 주로 이온 타격(bombardment)에 의해 우선적으로 하부에서 개방되고, 에칭이 다시 시작된다. 에칭/패시베이션 사이클의 반복에 의해, 측방향 확산 없이 에칭이 아래쪽으로 실리콘 표면으로 층별(layer by layer) 진행된다.
필터 제조 방법의 일 실시예는 (i) 독립형 Si 박막 위에 개구 패턴의 하드 마스크를 적용하는 단계, 및 (ii) 전체 Si 막을 통해 수직으로 개구 패턴을 깊은 반응성 이온 에칭하는 단계를 포함한다. 이러한 제조 방법의 대안적인 실시예는 (i) Si 표면을 갖는 기판 상에 개구 패턴의 하드 마스크를 적용하는 단계, (ii) 필요한 깊이까지 Si 표면 내로 수직으로 개구 패턴을 깊은 반응성 이온 에칭하는 단계, 및 (iii) 에칭된 개구 아래의 기판 부분을 제거하는 단계를 포함한다.
이제 도 4a를 참조하면, 제조 방법은 실리콘의 평면형 기판(102)으로 시작된다. 기판(102)의 두께(TW)는 필터부(102F)를 위해 필요한 두께(TH)보다 처음에는 훨씬 더 크다.
기판(102)은 SOI(실리콘-온-절연체) 웨이퍼, 예를 들어 산소 이온 주입에 의해 특정 깊이에 산화물 층(102S)이 매립되어 있는 (결정질) Si 웨이퍼를 포함할 수 있다. 따라서, SOI 웨이퍼(102)는 최상부 Si 층(막)(102F), SiO2 중간 층(102S), 및 하부 Si 층(102B)으로 이루어진다. 예를 들어, 웨이퍼의 두께(TW)는 1mm 이하, 예를 들어 670 미크론일 수 있다.
도 4b는 DRIE를 이용한 결과를 도시하고, 이에 의해 (6각형 개구의) 개구 패턴이 (전면 측으로부터) 최상부 Si 층에 에칭되며, 이것이 두께(TH)의 필터부(102F)를 제공할 것이다. SiO2 층(102S)은 에칭 스탑으로 기능한다.
이후, 개구 패턴(104) 아래로 연장되는 하부 Si 층(102B) 중 적어도 일부는 KOH 에칭을 이용하여 에칭된다. 바람직하게는, 하부 층(102B) 중 일부가 잔존하여 필터 홀더(102C)의 각 (하부) 섹션을 제공하게 된다. 결과는 도 4c에 도시된다. 다시, SiO2 층(102S)은 에칭 스탑으로 기능할 수 있다.
최종적으로, SiO2는 완충된 산화물 에칭을 이용하여 제거될 수 있고, 그 결과는 도 4d에 도시된다. 또한 이러한 경우, 바람직하게는 에칭 스탑 층(102S)의 단지 일부가 제거되어 개구(104)를 개방하고, 여기서 하부 층(102S)의 잔여 부분이 잔존하여 필터 홀더(102C)의 각 섹션을 제공하게 된다.
바람직하게는, 도 4c-4d로부터 알 수 있는 것처럼, 필터(100)에는 개구(104)를 갖는 필터부(102F)의 외부에 필터 홀더(102C)가 제공된다. 예를 들어, 필터 홀더(102C)는 필터부(102F)를 둘러싸도록 구성될 수 있다. 바람직하게는, 필터 홀더(102C)는 (본 실시예에서는 중앙의) 필터부(102F)보다 실질적으로 두껍다. 예를 들어, (개구(104)에 평행한 방향으로 측정된) 홀더(102C)의 두께는 20 미크론 이상, 예를 들어 적어도 0.1mm일 수 있다.
본 필터 홀더(102C)는 실질적으로 필터부(반도체) 재료로 만들어진 필터(100)의 통합된 부분이다. 예를 들어, 필터 홀더(102C)는 필터부(102F)를 둘러싸는 프레임(102C)일 수 있다. 본 예에서는, 필터 홀더(102C)는 또한, 에칭 스탑 층(각 기판 재료에 '매립'되어 있음)의 일부, 및 필터부(102F)보다 실질적으로 두꺼운 지지부(102D)를 포함한다. 본 에에서는, 필터부(102F) 및 지지층(102D)은 동일한 재료로 만들어 진다.
도 4e는 다시 정면에서 본, 기판 층(102F)에서의 6각형 개구(104)의 일부를 개략적으로 도시한다. 화살표(Q1)는 필터 개구(104) 간의 벽의 두께(Q1)를 나타낸다. 화살표(Q2)는 개구의 주기를 나타낸다. 두께(Q1)는 본 제조 방법의 적용에 의할 때 비교적 작을 수 있다. 또한 필터부(102F) 벽의 (조밀한) 6각형 구조는 매우 내구성이 좋고 개방된 구성을 제공한다.
EUV 방사선은, 상당한 각 확산으로 EUV 투과를 허용하기 위해 개구의 종횡비를 충분히 낮게 유지하도록, 바람직하게는 비교적 얇은 필터(100)를 이용하여 개구(104)를 통해 직접 투과되는 것이 유리하다. 필터부(102F)의 두께(TH)(즉, 각 개구(104)의 길이)는 예를 들어 약 20㎛ 이하, 예컨대 약 2㎛ 내지 약 10㎛의 범위, 예를 들면 약 5㎛ 내지 약 10㎛의 범위이다. 또한, 추가적인 실시예에 따르면, 각 개구(104)는 약 100nm 내지 약 10㎛ 범위의 지름을 가질 수 있다. 바람직하게는 개구(104)는 각각 약 1.5㎛ 내지 약 6㎛, 예를 들어 약 2㎛ 내지 약 4㎛ 범위의 지름을 갖는다.
도 4e에 도시된 전면 상세도를 참조하면, 필터 개구(104) 간의 벽 두께(Q1)는 약 1㎛ 이하, 예를 들면 약 0.4㎛ 내지 약 0.6㎛의 범위, 특히 약 0.5㎛일 수 있다. EUV 투과형 필터(100)의 개구는 약 3㎛ 내지 약 6㎛, 특히 약 3㎛ 내지 약 4㎛의 범위, 예를 들어 약 4㎛의 주기(Q2)(도 4e에 표시됨)를 가질 수 있다. 결과적으로, 개구는 전체 필터 전면의 약 70-80%의 개방 영역을 제공할 수 있다.
필터(100)는 기껏해야 5%의 적외선 광(IR) 투과를 제공하도록 구성되는 것이 유리하다. 또한 필터(100)는 법선 입사로 들어오는 EUV 방사선 중 적어도 60%를 투과시키도록 구성되는 것이 유리하다. 이외에도, 특히 필터(100)는 (법선 방향에 대하여) 약 10°의 입사각을 갖는 EUV 방사선 중 적어도 약 40%의 투과를 제공할 수 있다.
상기 공정에 의해 생성된 반도체 필터부(102F)는 수정 없이 스펙트럼 퓨리티 필터의 역할을 수행할 수 있다. 그러나 실제 실시예에서, 필터 성능 및 수명을 개선하기 위해, 이하 기술되는 것과 같은 수정이 구현될 수 있다. 본 발명에 따른 특정 실시예에서, 분위기 내의 수소 또는 다른 라디칼에 의해 반도체 재료가 공격당하는 것으로부터 보호하기 위해 추가적인 층 또는 층들이 제공된다. 실시예는 다음 중 하나 이상으로부터 선택되는 필터부(102F)를 포함한다: 반도체 부, 결정질 반도체 부, 도핑된 반도체 부, 코팅된 반도체 부, 및 적어도 부분적으로 개질된 반도체 부. 필터부(102F)는 실리콘, 게르마늄, 다이아몬드, 갈륨 비소화물, 아연 셀렌화물, 및 아연 황화물로부터 선택된 적어도 하나의 반도체 재료를 함유할 수 있다.
도 5 및 6은 위에서 기술된 공정에 따라 제조된 스펙트럼 퓨리티 필터의 예를 도시한다. 도 5는 약 3㎛의 주기를 갖는 개구를 포함한 스펙트럼 퓨리티 필터의 기울어진 단면도의 이미지이다. (시야각에 대해 수정된) 개구의 깊이는 약 10.8㎛이다.
도 6은 2개의 개구 사이의 벽의 기울어진 단면의 클로즈업 세부도이다. 도 6에 도시된 최상부 층은 Bosch 공정을 위해 이용되는 SiO2 하드 마스크이고, 시야각에 대해 수정될 때 약 400nm의 두께를 갖는다. 도 6에 가장 잘 도시된 것처럼, 벽은 텍스처화되고, 특히 골(rib)을 갖거나 물결모양(scallop)을 갖고, 따라서 벽의 표면을 따라 주기적인 두께 변화를 갖는다. 이러한 물결모양 효과는 상기 깊은 반응성 이온 에칭(DRIE) 공정에 있어서 에칭 및 패시베이션의 사이클로부터 발생한다. 전통적으로, 텍스터는 공정 실현 가능성 및 수율과 호환가능한 정도까지 최소화된다. 그러나 본 발명자는, 증폭된 텍스처를 제공하기 위해 이러한 사이클의 에칭 속도 및/또는 지속 기간이 의도적으로 수정될 수 있고, 이러한 증폭된 텍스처는 이하 기술되는 것처럼 측벽의 광학적 특성을 수정하기 위해 적용될 수 있음에 주목한다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 독립형 스펙트럼 퓨리티 필터(100)의 상면도이다. 몇몇 그리드 SPF 유형은 원치 않는 10.6㎛ 방사선의 억제를 위해 상이한 메커니즘에 기초하여 구별될 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 Si 그리드는 이러한 그리드 유형의 규격에 따라 수정될 수 있다.
도 8은 보호 층(102H)이 그리드 재료의 전체 노출 표면 위에 형성되어 있는 수정된 스펙트럼 퓨리티 필터부(102F)를 도시한다. 보호층(102H)은 Si 또는 다른 그리드 재료보다 수소 라디칼의 공격에 더 내성이 있는 재료로 이루어진다.
보호 층(102H) 용도의 예시적인 재료는 다음을 포함한다: Si3N4 및/또는 SiN(실리콘 질화물), SiO2(이산화규소), 및 SiC(탄화규소).
다른 반도체 기판 및 기판 재료의 다른 유형을 위해 다른 재료가 고려될 수 있다. 각각의 이러한 재료는, 이하 논의되는 것처럼, 광학적 특성, 제조의 용이성, 기판 재료 및 다른 층(예를 들어, 반사 층)과의 호환성의 측면에서 잠재적인 장점 및 단점을 가진다. 보호층의 제공을 위해 공정의 3개의 폭넓은 클래스가 예상될 수 있다. 제1 유형의 공정에서, 보호층(102)의 재료는 단순히 필터부(102F)의 그리드 재료 상에 증착된다. 도 9a 및 9b는 제2 유형의 공정을 도시하고, 여기서는 보호 재료가 필터부(102F)에서의 실리콘과 같은 기판 재료의 표면 층을 개질함으로써 형성된다. 도 10a, 10b, 10c는 제3 및 제4 유형의 공정을 도시하고, 여기서는 2단계 공정에 의해 보호층(102H)이 부가된다. 제1 단계에서는, 전구체 재료(102P)가 필터부(102F)에 부가된다. 제2 단계에서는, 전구체 재료가 환경과의 상호작용에 의해 수정되거나, 기판 재료를 수정하여, 보호 재료(102H)를 형성하게 된다.
이들은 독립적으로 또는 서로 조합하여 이용될 수 있다. 상이한 재료 및 공정이 원칙적으로 구조의 상이한 부분에서 이용될 수 있다. 예시적인 보호 재료를 생성하기 위한 예시적인 공정이 이하 언급되지만, 이들이 주어진 재료를 생성하는데 적용될 수 있는 유일한 공정으로 취급되어서는 안 된다. 공정의 선택은 또한, 예를 들어 기판의 모든 부분 위에 균일한 코팅이 이루어지는지 여부, 또는 특정 면이 우선적으로 코팅되고 다른 면은 코팅된다고 하더라도 단지 약하게 되는지 여부를 결정할 것이다.
실리콘 기판 상의 Si3N4 및/또는 SiN 층(102H)의 예시를 위해, 질화물 재료가 제2 유형의 방법에 의해 생성될 수 있다. 이미 그리드 형태로 만들어진 필터부(102F)는 질소 라디칼 또는 이온의 흐름에 노출된다. 이는 예를 들어, 저온 질소 플라즈마일 수 있다. 실리콘과 이러한 라디칼의 상호작용은 도 9b에 도시된 것처럼, 표면 상에 Si3N4의 박막을 형성할 것이다. 매우 얇은 층이라도 수소 공격으로부터 보호한다. 층(102H)의 두께는 예를 들어 약 50nm 이하, 특히 약 5nm 내지 약 30nm의 범위, 또는 약 20nm일 수 있다.
실리콘 기판 상의 SiC 층(102H)의 예시를 위해, 또한 탄화물 재료가 실리콘 기판의 표면층을 개질함으로써 생성될 수 있다. 기판을 거의 진공인 메탄(CH4)에 노출시키고 가열하는 것이 한 가지 방법이다. 또한, SiC를 가진 얇은 층이 수소 공격으로부터 보호할 수 있다: 1-50nm.
SiO2를 생성하기 위해, 산소 플라즈마 또는 단지 O2 분위기에서 실리콘 기판을 가열하는 것이 잘 알려져 있다. 또한, SiO2를 가진 얇은 층이 수소 공격으로부터 보호할 수 있다: 1-50nm, 다시 말해서 5-20nm.
각 보호 재료는 자신의 광학적 특성을 갖는다. 특히 실리콘 탄화물 SiC는 원치 않는 IR 파장에서 비교적 높은 반사율을 갖는다. 광학적 특성이 활용되는 경우, 층 두께는, 단순히 수소 차폐를 위해 필요한 것보다 더 두꺼워 지기 위해 필요한 광학적 특성에 의해 좌우될 수 있다. 특히 재료가 기판과는 매우 상이한 열 팽창률을 갖는 경우, 작용 중인 열 응력의 관리를 위해 얇은 코팅이 유리하다. 너무 두꺼운 코팅은 열 팽창 계수의 차이에 기인하여 갈라질 수 있다(delaminate).
도 11은 보호층(102H)이 또한 원치 않는 방사선을 반사시키는 수정된 필터부(102F)를 도시하고, 여기서 개구(104)의 측벽에는 향상된 조도가 제공된다. 예를 들어 수 nm 또는 수십 nm의 편차를 갖는 매끄러운 측벽인 경우, 개구에 진입하는 보다 긴 파장의 방사선(Ri)은 그레이징 입사로 측벽에 충돌하고, 크게 산란되지 않을 것이다. 약 50nm 이상, 예를 들어 약 100nm 또는 약 200nm의 전형적인 치수 d를 갖는 향상된 조도를 적용하면, 비-그레이징 입사에서 보다 큰 산란 표면이 방사선(Ri)에 제공되어, 보다 큰 산란 Rs을 촉진하게 된다. 이는 필터에서 이러한 파장의 감쇠를 높일 수 있다. DRIE에 의해 생성된 것과 같은 물결모양 벽의 경우, 치수 d는 표시된 것처럼 물결모양의 깊이일 수 있다. 보다 랜덤한 형태의 조도에 있어서, d는 예를 들어 표면을 형성하는 입자의 평균 지름을 나타내는 한편, 입자 크기는 +/-50%만큼 변할 수 있다.
도 12 내지 14는 Si 그리드가 얇은 반사층, 바람직하게는 금속, 예를 들어 몰리브덴으로 코팅되는 추가적인 변경예를 개략적으로 도시한다. 증착 방법 및 조건에 따라, 2가지 유형의 증착 기하구조가 생길 수 있다. 도 12는 금속이 실리콘 그리드의 최상부만을 덮는 단면을 도시하고, 도 13 및 14는 금속이 측벽의 측면 중 상부 또한 덮는 단면을 도시한다.
보호층(102H) 없는 실리콘 필터 그리드를 위한 GSolver 시뮬레이션 패키지를 이용하여 얻은 시뮬레이션 결과는, 위에서 언급한 것처럼 동시계류중인 미국 임시 특허 출원 제61/193,769호에 주어져 있다. 이러한 결과는, Mo가 실리콘 그리드의 최상부 표면 상에만 증착되어 있는 경우, IR 파장의 필요한 억제를 이루기 위해 약 2㎛의 두꺼운 금속 코팅이 바람직할 수 있음을 시사한다. 필요한 금속 두께는 그리드의 보다 작은 주기를 이용함으로써 감소될 수 있지만, 이러한 경우 원하는 EUV 방사선의 투과 또한 감소될 가능성이 있다. 그러나, 도 12 또는 13에 도시된 것처럼, 금속 코팅이 실리콘 그리드의 측벽 및 최상부 표면 모두를 덮는 경우에는, 상황이 극적으로 변화한다. 이러한 경우, IR 투과는 단지 수 나노미터 두께의 코팅에 대해 이미 영(0)에 가깝게 떨어진다. 이러한 작은 두께에서, 대부분의 세기(power)는 그리드에 흡수된다. 그리드를 실질적으로 반사형으로 만들기 위해(예를 들어 95%의 반사도를 갖도록 하기 위해), 단지 약 30nm 또는 약 50nm 이하의 코팅이 이용된다. 얇은 코팅은 또한 작용 중인 열 응력의 관리를 위해서도 유리하다.
EUV 투과의 최소 손실을 갖는 필터(예를 들어 실리콘) 그리드 상에 반사성 코팅을 도포하기 위한 한 가지 방법은 원자 층 증착(ALD)에 의하는 것이다. 이러한 방식으로, 3차원 코팅 구조(102R)의 균일한 코팅 두께가 성취될 수 있다. 코팅의 두께가 균일하기 때문에, 과도한 코팅 두께로 인한 EUV 투과의 손실을 최소화하면서 필요한 적외선 반사율이 성취될 수 있다. 특히, ALD의 적용에 의해, 그리드(102F)의 측벽(106) 아래에서 충분한 코팅 두께를 유지하면서 그리드의 위에서 과도한 코팅 두께를 피할 수 있다. ALD는 원자층을 하나씩 증착하기 위해 자가-제한 표면 반응의 교호하는 단계들을 이용한다. 증착될 재료는 전구체를 통해 제공된다. ALD 방법은 몇몇 금속, 예를 들어, Mo, Ti, Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe 및 Ni에 대해 알려져 있다. 선호되는 실시예는 Mo 대신에 루테늄(Ru)으로 이루어진 반사성 코팅(102F)을 이용할 수 있다. 때때로, Ru는 필터를 이용하게 될 시스템에 이미 존재하는 경우가 있을 것이다. 예를 들어, 리소그래피 장치는 Ru를 포함하는 EUV 소스-컬렉터 모듈을 가질 수 있다. 대안적으로, 반사성 코팅(102R)은 금속이 아니라 원치 않는 방사선에 반사성이 있는 또다른 재료, 예를 들어 TiN 또는 RuOx, 또는 전도체 재료일 수 있다.
ALD 대신에, 갈바닉 성장(전착)이 반사성 코팅(102R)을 증착하는데 이용될 수 있다. 금속은 또한, 예를 들어 증발 또는 스퍼터 증착에 의해, Si 그리드 상에 증착될 수 있다.
10㎛ 두께 그리드의 측벽을 완전히 덮는 반사성 코팅을 도포하는 것은 현실적이지 못하거나 바람직하지 않을 수 있다. 예를 들어, 그리드의 방사율을 높여 방사 냉각을 개선하기 위해 그리드(102F)의 후면 측이 코팅되지 않은 상태로 남겨놓는 것이 유리할 수 있다. 그러므로, 일 실시예에서, 코팅은 단지 측벽 아래에 부분적으로 도포된다. 예를 들어, 반사성 코팅이 그리드 위에 그리고 그리드의 측벽을 따라 최초 2㎛ 아래로 도포되는 경우, 광학적 특성은 전체 측벽이 코팅되는 경우와 실질적으로 동일하다. 따라서, 부가적인 보호 조치가 취해지지 않는 경우, 실리콘 또는 다른 반도체와 같은 하부의 그리드 재료는 진공 시스템 내에서 분위기의 수소 라디칼 또는 다른 성분에 노출될 것이고, 이들은 그리드 재료를 공격할 수 있고, 동시에 이러한 재료의 입자를 이송하여, 시스템의 광학 표면 및 다른 부분을 오염시킬 수 있다.
도 13은 내 수소성 보호 층(102P)의 생성 이후에 반사성 금속 층(102R)이 도포되는 실시예를 도시한다. 대안적으로, 금속 층은 보호층 아래에 있을 수 있다. 광학적 특성은 보호층에 의해 영향을 받을 수 있거나, 층이 매우 얇은 경우 영향을 받지 않을 수도 있다. 보호층이 금속 층 아래에 있는 경우, 보호층은 금속과 실리콘 또는 다른 기판(102F) 간의 반응에 대해 배리어의 역할을 할 수 있다. 특히, 필터부가 작동 중에 고온이 되리라 예상되는 경우, 혼합 및 화학적 결합이 점차 발생할 것이고, 금속 층의 IR 반사 성능을 악화시켜, 결과적으로 추가적인 가열을 유발할 것이다.
도 14는 반사 층(102R) 및 보호층(102H)이 구조의 상이한 부분을 덮는 실시예를 도시한다. 이러한 경우 상이한 층은 별개의 공정에 의해 도포될 수 있다. 상이한 부분은 공통된 전구체 재료의 상이한 처리에 의해서도 획득될 수 있다.
금속 외에도, 위에서 언급된 것처럼 SiC는 IR에 대해 반사성이 있다. 따라서, SiC는 필터의 전면 및 측벽 상에서 반사성 코팅으로서 이용될 수 있거나, 전면 상의 금속 및 측 상의 SiC의 조합이 제조의 용이성을 위해 이용될 수 있다. 반사성 코팅이 측벽 아래로 적절한 거리로 연장되는 경우 전면의 반사율은 크게 개선될 수 있다.
주목할만하게도, 그레이징 입사에서, SiC 및 다른 재료는 '원하는' EUV 파장을 포함하여 추가적인 파장에서 반사성이 있을 수 있다. 필터가 EUV 방사 빔의 확산에 기여해서는 안 된다고 요구되는 경우, 측벽의 그레이징 입사 반사는 바람직하지 않을 수 있다. 측벽의 표면이 EUV에 반사성이 있는 재료로 코팅되는지 아닌지와 상관없이, 그레이징 입사 반사를 피하기 위해 텍스처의 제공이 유리할 수 있다.
몇몇 SPF에서, 10.6㎛ 방사선 또는 다른 원치 않는 방사선은 그리드 재료에 흡수될 수 있다. 이러한 그리드는 도핑된 Si를 이용함으로써 본 발명의 실시예에서 실현될 수 있다. 본 발명의 이러한 양상에 따른 전형적인 실시예는 1018원자/㎤를 초과하는 도핑 농도를 갖는 Si 그리드를 포함한다. 위에서 언급된 동시계류중인 미국 임시 특허 출원 제61/193,769호에서 설명된 것처럼, Si의 굴절률은 P 또는 As와 같은 n-형 불순물로 도핑함으로써 상당히 변화될 수 있다. 높은 값으로 도핑하면 그리드 재료는 투명하기보다는 실질적으로 흡수형이 될 수 있다.
예를 들어, 순수한 실리콘으로 제조된 그리드는, 층에서의 간섭에 기인하여, 두께의 함수로써 투과율의 변동(oscillation)을 보여준다. 간섭 효과를 활용하도록 그리드 재료의 두께를 제어함으로써 또한 투과율이 수정될 수 있지만, 전체 투과율이 여전히 높아진다는 위험이 있다. n-형 도핑된 Si로 제조된 동일 치수의 그리드는 그리드 두께의 함수로써 IR 투과의 계속적인 감소를 보여준다. 예를 들어, 9㎛의 그리드 두께(깊이)에서, 입사하는 적외선 중 약 4%가 투과되고, 약 12%가 반사되며, 나머지(약 84%)가 흡수된다. 따라서, 그리드는 실질적으로 흡수형이다. 유사한 특성이 p-형 도핑된 Si에 대해서도 예상된다.
도핑된 Si 그리드를 위한 제조 방법은 이전에 언급한 것처럼 순수한 Si 그리드에 대한 것과 동일할 수 있고, 출발 재료는 순수한 Si라기 보다는 도핑된 Si를 포함한다. 도핑이 DRIE 공정에 상당한 영향을 미치지는 않을 것이라 예상된다. 대안적인 제조 방법에서, 도핑은 그리드의 제조 이후에, 예를 들어 이온 주입 또는 열 확산에 의해 도입될 수 있다.
일 실시예는 마이크로렌즈 어레이(예를 들어 필터의 일부로서)의 생성을 포함할 수 있다. 예를 들어, 마이크로렌즈 어레이 SPF는 Si 그리드에서 측방향으로(laterally) 도핑 농도를 변화시킴으로써 생성될 수 있다. 이에 의해, 위에서 기술된 것처럼 굴절률이 도핑 농도에 의존하기 때문에 이른바 그레이디드 인덱스(GRIN; graded index)가 생성된다. 도핑 농도의 필요한 변화는 예를 들어, 집속된 이온 빔을 이용함으로써, 또는 적합한 마스크와 조합하여 균일한 이온 주입을 이용함으로써 성취될 수 있다. 마이크로렌즈 어레이 SPF를 생성하기 위한 또다른 방법은 Si 그리드(102F)의 두께(TH)를 측방향으로 변화시키는 것이다. 이는 예를 들어, 마이크로기계가공 또는 리소그래피에 의해, Si 그리드의 제조 이전 또는 이후에 수행될 수 있다. 대안적으로, 필요한 두께 변화가 에칭 동안 획득되도록, 그리드 제조에 있어서 에칭 공정 중 하나가 수정될 수 있다.
내 수소성을 갖는 스펙트럼 퓨리티 필터를 통합하는 도 1 및 2의 장치가 리소그래피 제조 공정에서 이용될 수 있음이 이해될 것이다. 이러한 리소그래피 장치는 IC, 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리(magnetic domain memory)용 유도 및 검출 패턴, 평판 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조에 있어서 이용될 수 있다. 이러한 다른 응용예와 관련하여, 본 명세서에서 사용된 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"와 같은 좀더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예컨대 트랙(전형적으로 기판에 레지스트층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 장치), 계측 툴, 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용 가능한 범위에서, 상기 기판 처리 장치와 여타 기판 처리 장치에 본 명세서의 개시 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예컨대 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 복수 회 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러 번 처리된 층들을 포함한 기판을 지칭할 수도 있다.
상기 설명은 제한적인 것이 아닌 예시적인 것으로 의도된다. 따라서, 이하 제시되는 청구범위로부터 벗어남이 없이, 기술된 본 발명에 대해 수정이 이루어질 수 있음을 인식할 것이다.
본 발명의 실시예는 방전 생성 플라즈마 소스(DPP 소스), 또는 레이저 생성 플라즈마 소스(LPP 소스)를 포함하나 이에 제한되지 않는 임의의 유형의 EUV 소스를 위해 이용될 수 있음이 인식될 것이다. 그러나, 본 발명의 일 실시예는, 통상적으로 레이저 생성 플라즈마 소스의 일부를 형성하는 레이저 소스로부터의 방사선을 억제하는데 특히 적합할 수 있다. 이는 이러한 플라즈마 소스가 때때로 레이저로부터 발생되는 2차 방사선을 출력하기 때문이다.
스펙트럼 퓨리티 필터는 방사선 경로에 실질적으로 어느 곳에나 위치될 수 있다. 일 실시예에서, 스펙트럼 퓨리티 필터는 EUV 방사선 소스로부터 EUV-함유 방사선을 수신하고 적합한 하류 EUV 방사선 광학 시스템으로 EUV 방사선을 전달하는 영역에 위치되고, 여기서 EUV 방사 소스로부터의 방사선은 광학 시스템에 진입하기 전에 스펙트럼 퓨리티 필터를 통과하도록 구성된다. 일 실시예에서, 스펙트럼 퓨리티 필터는 EUV 방사 소스 내에 있다. 일 실시예에서, 스펙트럼 퓨리티 필터는 EUV 리소그래피 장치 내에, 예를 들어 조명 시스템 또는 투영 시스템 내에 있다. 일 실시예에서, 스펙트럼 퓨리티 필터는 방사선 경로에서 플라즈마 이후에 그러나 컬렉터 이전에 위치된다.
본 발명의 특정 실시예가 위에서 기술되었지만, 본 발명은 기술된 것과는 다르게 실시될 수 있음을 인식해야 한다.

Claims (15)

  1. 극 자외선을 투과시키도록 구성된 스펙트럼 퓨리티 필터로서,
    상기 스펙트럼 퓨리티 필터는 극 자외선을 투과시키고 제2 유형의 방사선의 투과를 억제하기 위한 복수의 개구를 갖는 필터부를 포함하고,
    상기 필터부는 반도체 재료 및 내수소성(hydrogen-resistant) 재료의 표면층을 포함하는,
    극 자외선을 투과시키도록 구성된 스펙트럼 퓨리티 필터.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 유형의 방사선을 반사시키도록 구성되어 있는 전면(front surface) 상에 반사성 재료의 층을 더 포함하는, 극 자외선을 투과시키도록 구성된 스펙트럼 퓨리티 필터.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 반사성 재료는 상기 내수소성 층의 일부를 형성하는 한편, 또다른 재료가 상기 내수소성 층의 또다른 일부를 형성하는, 극 자외선을 투과시키도록 구성된 스펙트럼 퓨리티 필터.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 내수소성 재료의 층은 적어도 부분적으로 Si3N4 실리콘 질화물, SiN 실리콘 질화물, 이산화규소(SiO2), 또는 탄화규소(SiC)로 이루어진 그룹 중 하나를 포함하는, 극 자외선을 투과시키도록 구성된 스펙트럼 퓨리티 필터.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 필터부의 상이한 부분들 상에 보호층을 형성하기 위해 상이한 내수소성 재료가 제공되는, 극 자외선을 투과시키도록 구성된 스펙트럼 퓨리티 필터.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 유형의 방사선의 반사를 향상시키도록, 상기 필터부의 전면에는, 상기 개구 사이에, 금속성 층이 제공되는, 극 자외선을 투과시키도록 구성된 스펙트럼 퓨리티 필터.
  7. 리소그래피 장치로서,
    극 자외선을 포함하는 방사선을 생성하도록 구성된 방사 소스;
    상기 방사선을 방사 빔으로 조절하도록 구성된 조명 시스템;
    패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지부 ? 상기 패터닝 디바이스는 상기 방사 빔을 패터닝하도록 구성됨 ?;
    타겟 재료 상으로 패터닝된 방사 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템; 및
    제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 스펙트럼 퓨리티 필터
    를 포함하는, 리소그래피 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 방사 소스는 연료 전달 시스템 및 레이저 방사 소스를 포함하고,
    상기 레이저 방사 소스는 상기 극 자외선의 생성을 위해 상기 연료 전달 시스템에 의해 전달된 플라즈마 연료 재료를 포함하는 타겟 상으로 적외선 파장의 방사선을 전달하도록 구성되고,
    상기 방사 소스는 이에 의해 상기 스펙트럼 퓨리티 필터를 향해 극 자외선 및 적외선의 혼합을 방출하는, 리소그래피 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    수소 라디칼의 소스는 상기 플라즈마 연료 재료에서 비롯되는 오염물의 제어를 위해 상기 방사 소스의 근방에서 수소 라디칼을 발산(release)하도록 구성되는, 리소그래피 장치.
  10. 극 자외선을 투과시키도록 구성된 투과형 스펙트럼 퓨리티 필터를 제조하는 방법으로서,
    그리드형 필터부를 형성하기 위해서 이방성 에칭 공정을 이용하여 반도체 기판에 복수의 개구를 에칭하는 단계 ? 상기 개구는 상기 극 자외선의 파장보다는 크지만 억제될 제2 방사선의 파장보다는 작거나 같은 지름을 가짐 ?; 및
    그 후 상기 반도체 기판의 실질적으로 모든 노출된 표면 위에 내수소성 재료의 보호층을 제공하는 단계
    를 포함하는, 투과형 스펙트럼 퓨리티 필터를 제조하는 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 기판 위에 금속 또는 반사성 층을 증착하는 단계를 더 포함하는, 투과형 스펙트럼 퓨리티 필터를 제조하는 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    각 측벽 중 적어도 일부 상에 상기 금속 또는 다른 반사성 층을 증착하는 단계를 더 포함하는, 투과형 스펙트럼 퓨리티 필터를 제조하는 방법.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서,
    상기 내수소성 재료는 상기 필터부의 반도체 재료를 개질(modify)함으로써 형성되는, 투과형 스펙트럼 퓨리티 필터를 제조하는 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 내수소성 재료의 층은 적어도 부분적으로 SiN 실리콘 질화물, Si3N4 실리콘 질화물, 이산화규소(SiO2), 또는 탄화규소(SiC)로 이루어진 그룹 중 하나를 포함하는, 투과형 스펙트럼 퓨리티 필터를 제조하는 방법.
  15. 극 자외선을 위한 스펙트럼 퓨리티 필터로서,
    상기 스펙트럼 퓨리티 필터는 극 자외선을 투과시키지만 제2 유형의 방사선의 투과는 억제하도록 하는 크기 및 어레이를 갖는 복수의 개구를 포함하는 대체로 평면형인 필터부를 포함하고,
    각 개구는 상기 필터부의 전면과 후면 사이에서 연장되는 측벽에 의해 형성되고,
    상기 측벽은 비-그레이징(non-grazing) 입사면을 제공하도록 텍스처화(texture)되는,
    극 자외선을 위한 스펙트럼 퓨리티 필터.
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2478416A2 (en) * 2009-09-16 2012-07-25 ASML Netherlands BV Spectral purity filter, lithographic apparatus, method for manufacturing a spectral purity filter and method of manufacturing a device using lithographic apparatus
EP2564273A1 (en) * 2010-04-27 2013-03-06 ASML Netherlands BV Spectral purity filter
JP2012216743A (ja) * 2010-06-16 2012-11-08 Gigaphoton Inc スペクトル純度フィルタ及びそれを備える極端紫外光生成装置
US20150159066A1 (en) 2011-11-25 2015-06-11 Smith & Nephew Plc Composition, apparatus, kit and method and uses thereof
US9392678B2 (en) 2012-10-16 2016-07-12 Asml Netherlands B.V. Target material supply apparatus for an extreme ultraviolet light source
US9348214B2 (en) * 2013-02-07 2016-05-24 Kla-Tencor Corporation Spectral purity filter and light monitor for an EUV reticle inspection system
US10493184B2 (en) 2013-03-15 2019-12-03 Smith & Nephew Plc Wound dressing and method of treatment
CA3165053A1 (en) * 2014-07-04 2016-01-07 Asml Netherlands B.V. Membranes for use within a lithographic apparatus and a lithographic apparatus comprising such a membrane
DE102016205619A1 (de) * 2016-04-05 2017-10-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Abschwächungsfilter für Projektionsobjektiv, Projektionsobjektiv mit Abschwächungsfilter für Projektionsbelichtungsanlage und Projektionsbelichtungsanlage mit Projektionsobjektiv
KR20230023066A (ko) * 2016-04-25 2023-02-16 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. Euv 리소그래피를 위한 멤브레인
CN109243662B (zh) * 2018-09-14 2019-12-03 复旦大学 无衬底支撑的悬空厚金波带片透镜的制备方法
CN112928061A (zh) * 2019-12-05 2021-06-08 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法
WO2021168208A1 (en) * 2020-02-19 2021-08-26 Profusa, Inc. Optical filter device, system, and methods for improved optical rejection of high angle of incidence (aoi) light
DE102020210553A1 (de) * 2020-08-20 2022-03-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Reflektierendes optisches Element, Beleuchtungsoptik, Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zum Bilden einer Schutzschicht
KR20220113200A (ko) * 2021-02-05 2022-08-12 에스케이하이닉스 주식회사 극자외선 리소그래피용 펠리클 및 제조 방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7031566B2 (en) * 2002-06-04 2006-04-18 Lake Shore Cryotronics, Inc. Spectral filter for green and shorter wavelengths
US7453645B2 (en) * 2004-12-30 2008-11-18 Asml Netherlands B.V. Spectral purity filter, lithographic apparatus including such a spectral purity filter, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7372623B2 (en) * 2005-03-29 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Multi-layer spectral purity filter, lithographic apparatus including such a spectral purity filter, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7750326B2 (en) * 2005-06-13 2010-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and cleaning method therefor
US7372049B2 (en) * 2005-12-02 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus including a cleaning device and method for cleaning an optical element
US20070170379A1 (en) * 2006-01-24 2007-07-26 Nikon Corporation Cooled optical filters and optical systems comprising same
US7541603B2 (en) * 2006-09-27 2009-06-02 Asml Netherlands B.V. Radiation system and lithographic apparatus comprising the same

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