JP2019510881A5 - - Google Patents

Description

特に有利に、バイパスライン８４を介して運び去られるプロセスガスの体積流量が、プロセスガスの導入中の処理場所４０に対応する中央プロセスガスラインを介して供給されるプロセスガスの体積流量に略等しくなるように、絞り弁装置８４．４によって、バイパスライン８４の内側の断面積を特定寸法にすることおよび／または設定することができる。換言すると、従って、バイパスライン８４の内側の断面積は、プロセスガスが運び去られる間、バイパスライン８４内の真空コンダクタンスがプラズマ処理のためのプロセスガスの導入中の中央プロセスガスライン８０内のものと略等しくなるように、絞り弁装置８４．４によって選択または設定される。

Claims (3)

1. プラズマホイール（２）に複数のプラズマステーション（３）を備えるプラズマモジュール（１）によって容器（５）をプラズマ処理するための方法であって、各プラズマステーション（３）は、少なくとも１つの処理場所（４０）を有する少なくとも１つのプラズマチャンバー（１７）を備え、前記方法は、
   容器内部（５．１）を有する少なくとも１つの容器（５）を、対応するプラズマステーション（３）の前記処理場所（４０）にかかる前記プラズマチャンバー（１７）内に挿入して位置決めするステップと、
   前記各プラズマチャンバー（１７）および前記少なくとも１つの容器内部（５．１）を少なくとも部分的に排気するステップと、
   前記少なくとも部分的に排気されたプラズマチャンバー（１７）内の前記容器内部（５．１）にプロセスガスを少なくとも部分的に導入するステップであって、中央プロセスガス供給部によって少なくとも１つのプラズマステーション（３）で同時に行われるステップと、
   プラズマ処理によって少なくとも前記容器内部（５．１）に内部コーティングを施すステップと、
   前記プラズマ処理後、前記プラズマチャンバー（１７）および前記容器（５）の前記少なくとも１つの容器内部（５．１）の両方を少なくとも部分的に通気する通気工程を実行するステップと、を備え、
   前記プラズマステーション（３）の１つの少なくとも１つの処理場所（４０）が作動不良を有しおよび／または遮断された場合、前記プロセスガスは、前記処理場所（４０）および／またはそこに保持されている前記容器（５）に供給される前に、バイパスライン（８４）によって、少なくとも部分的に、だが特に完全に、運び去られることを特徴とする、方法。
2. 容器（５）をプラズマ処理するための装置であって、プラズマホイール（２）に配置された複数のプラズマステーション（３）を備え、各プラズマステーション（３）は、少なくとも１つの処理場所（４０）を有する少なくとも１つのプラズマチャンバー（１７）を備え、容器内部（５．１）を有する少なくとも１つの容器（５）が前記処理場所（４０）の前記プラズマチャンバー（１７）内に挿入されて位置決めされることが可能であり、前記各プラズマチャンバー（１７）は、少なくとも部分的に排気され得るように構成され、前記プラズマステーション（３）は、少なくとも２つの処理場所（４０）で同時に前記各容器（５）の前記少なくとも１つの容器内部（５．１）にプロセスガスを少なくとも部分的に導入するように設けられ、前記プラズマステーション（３）は、プラズマ処理によって、少なくとも、前記少なくとも部分的に排気されたプラズマチャンバー（１７）内の前記容器内部（５．１）に、内部コーティングを施すようにも設けられ、前記プラズマステーション（３）は、前記プラズマ処理後に前記処理場所（４０）で前記プラズマチャンバー（１７）および前記少なくとも１つの容器内部（５．１）の両方を少なくとも部分的に通気するための少なくとも１つの通気ライン（７６）を備え、
   前記各プラズマステーション（３）は、前記プラズマステーション（３）の前記処理場所（４０）の少なくとも１つが作動不良を有しおよび／または遮断された場合、前記プロセスガスが、前記プラズマチャンバー（１７）および／または前記処理場所（４０）に供給される前に、１つ以上のバイパスライン（８４）によって運び去られ得るように、少なくとも１つのバイパスライン（８４）を備えることを特徴とする装置。
3. 前記バイパスライン（８４）は、プロセスガスライン（８０）の真空コンダクタンスと略等しい真空コンダクタンスを作り出すことを特徴とする、請求項１１から１３の何れかに記載の装置。