JP2019217611A - 研削砥石の目立て方法及び目立て用ウェーハ - Google Patents

研削砥石の目立て方法及び目立て用ウェーハ Download PDF

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Abstract

【課題】 目立て作業に使用するダミーウェーハの使用枚数を減らすことができ、効率的に研削砥石の目立て作業を実施できる研削砥石の目立て方法を提供することである。【解決手段】 被加工物を保持面で保持するチャックテーブルと、複数の研削砥石が環状に配置された研削ホイールを該保持面と垂直な回転軸を有するスピンドルに装着し該チャックテーブルに保持された被加工物を研削する研削ユニットと、該研削ユニットを該回転軸方向に研削送りする研削送りユニットと、を備えた研削装置を用いた研削砥石の目立て方法であって、該スピンドルを回転させながら該研削ユニットを研削送りして、該チャックテーブルに保持された被加工物を、該チャックテーブルを回転させずに研削し、該被加工物の表面に円弧状の研削溝を形成することを特徴とする。【選択図】図３

Description

本発明は、研削砥石の研削面を目立てする研削砥石の目立て方法及び目立て用ウェーハに関する。
半導体ウェーハ等各種板状の被加工物を研削する際に、複数の研削砥石がホイール基台に環状に配設された研削ホイールを用いる。研削砥石は、ダイヤモンド砥粒をレジンボンドやビトリファイドボンド、メタルボンド等で固めて形成されており、砥粒がボンドから部分的に突出した所謂目立てされた状態であることで良好な研削結果が得られる。
そのため、研削前に製品以外の被加工物を研削することでボンドを消耗させて砥粒を突出させるドレッシング作業と、突出状態を製品に最適な状態にするための目立て作業（プリ研削又はプリカット）を行う必要がある。
通常目立て作業は、製品と同様な材質の物を研削して実施するので、例えばシリコンウェーハが製品の場合、ダミーシリコンウェーハを複数枚研削して目立て作業を実施する。
特開２００８−２２１３６０号公報
しかし、ダミーシリコンウェーハを複数枚研削して目立て作業を実施すると、ダミーシリコンウェーハを複数枚準備するためのコストが掛かるという課題がある。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、目立て作業に使用するダミーウェーハの使用枚数を減らすことができ、効率的に研削砥石の目立て作業を実施できる研削砥石の目立て方法を提供することである。
請求項１記載の発明によると、被加工物を保持面で保持するチャックテーブルと、複数の研削砥石が環状に配置された研削ホイールを該保持面と垂直な回転軸を有するスピンドルに装着し該チャックテーブルに保持された被加工物を研削する研削ユニットと、該研削ユニットを該回転軸方向に研削送りする研削送りユニットと、を備えた研削装置を用いた研削砥石の目立て方法であって、該スピンドルを回転させながら該研削ユニットを研削送りして、該チャックテーブルに保持された被加工物を、該チャックテーブルを回転させずに研削し、該被加工物の表面に円弧状の研削溝を形成することを特徴とする研削砥石の目立て方法が提供される。
好ましくは、被加工物に円弧状の研削溝を複数本形成し、研削砥石の目立て状態を制御する。
請求項３記載の発明によると、研削することで研削砥石を目立てするための目立て用ウェーハであって、１本又は複数本の円弧状の研削溝が形成された目立て用ウェーハが提供される。
本発明の研削砥石の目立て方法によると、被加工物を保持したチャックテーブルを回転させずに被加工物の研削を行うため、研削砥石にかかる負荷が高く、研削体積が少なくても高い目立て効果が得られるので、目立て作業に使用する被加工物の枚数を減らすことができる。また、目立て具合に合わせて円弧状の研削溝を１枚の被加工物に複数本形成できるので、被加工物の使用量を増やさずに目立て研削量を調整できるという効果もある。
更に、本発明の目立て方法に使用した被加工物は環状の研削溝が形成されており、平坦な被加工物に比べて研削負荷が高いので、被加工物を保持したチャックテーブルを回転させると共に研削砥石を研削させて目立て作業を実施する通常の目立て作業時の被加工物として用いることもできるという効果もある。
研削装置の斜視図である。 本発明の研削方法を示す一部断面側面図である。 本発明の目立て方法を示す模式的平面図である。 図４（Ａ）は本発明の目立て方法により円弧状の研削溝を１本形成した後のダミーシリコンウェーハの平面図、図４（Ｂ）は円弧状の研削溝を複数本形成した後のダミーシリコンウェーハの平面図である。 円弧状の研削溝を複数本有するダミーシリコンウェーハを使用してチャックテーブルと研削ホイールとを共に回転させて通常の目立て作業を実施している様子を示す一部断面側面図である。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、本発明の目立て方法を実施するのに適した研削装置２の外観斜視図が示されている。４は研削装置２のベースであり、ベース４の後方にはコラム６が立設されている。コラム６には、上下方向に伸びる一対のガイドレール８が固定されている。
この一対のガイドレール８に沿って研削ユニット（研削手段）１０が上下方向に移動可能に装着されている。研削ユニット１０は、スピンドルハウジング１２と、スピンドルハウジング１２を保持する支持部１４を有しており、支持部１４が一対のガイドレール８に沿って上下方向に移動する移動基台１６に取り付けられている。
研削ユニット１０は、スピンドルハウジング１２中に回転可能に収容されたスピンドル１８と、スピンドル１８を回転駆動するモータ２０と、スピンドル１８の先端に固定されたホイールマウント２２と、ホイールマウント２２に着脱可能に装着された研削ホイール２４とを含んでいる。
研削装置２は、研削ユニット１０を一対の案内レール８に沿って上下方向に移動するボールねじ３０とパルスモータ３２とから構成される研削送りユニット３４を備えている。パルスモータ３２を駆動すると、ボールねじ３０が回転し、移動基台１６が上下方向に移動される。
ベース４の上面には凹部４ａが形成されており、この凹部４ａにチャックテーブル機構３６が配設されている。チャックテーブル機構３６はチャックテーブル３８を有し、図示しない移動機構によりウェーハ着脱位置Ａと、研削ユニット１０に対向する研削位置Ｂとの間でＹ軸方向に移動される。４０，４２は蛇腹である。ベース４の前方側には、研削装置２のオペレータが研削条件等を入力する操作パネル４４が配設されている。
図２を参照すると、被加工物として表面にＬＳＩ等のデバイスが形成されていないダミーシリコンウェーハ１１を使用して、本発明の方法により研削砥石２８の目立て方法を実施している様子を示す一部断面側面図が示されている。
チャックテーブル３８はダミーシリコンウェーハ１１を保持面で保持し、ホイールマウント２２に着脱可能に装着された研削ホイール２４は、環状のホイール基台２６と、ホイール基台２６の下端に環状に固着された複数の研削砥石２８とから構成される。研削砥石２８は、ダイヤモンド砥粒をレジンボンドやビトリファイドボンド、メタルボンド等で固めて形成される。
スピンドル１８はチャックテーブル３８の保持面に対して垂直な回転軸回りに回転される。研削送りユニット３４は研削ユニット１０をスピンドル１８の回転軸方向に研削送りする。
本発明の研削砥石の目立て方法は、ダミーシリコンウェーハ１１を保持したチャックテーブル３８を回転させずに、スピンドル１８を矢印ｂ方向に例えば６０００ｒｐｍで回転させながら研削送りユニット３４で研削ユニット１０を矢印Ｚ方向に研削送りして、チャックテーブル３８に保持されたダミーシリコンウェーハ１１を研削する。即ち、本発明の研削砥石の目立て方法では、チャックテーブル３８を回転させずに研削砥石２８の目立て作業を実施するのが大きな特徴である。
図３は本発明の研削砥石の目立て方法を模式的に示す平面図である。本発明の研削砥石の目立て方法では、チャックテーブル３８を回転させずに研削ホイール２４のみを矢印ｂ方向に回転させて、ダミーシリコンウェーハ１１を研削して研削砥石２８の目立てを行うため、ダミーシリコンウェーハ１１には円弧状の研削溝１３が形成される。
このようにダミーシリコンウェーハ１１を回転させずに研削して研削砥石２８の目立てを行うため、研削砥石２８にかかる負荷が高く、ダミーシリコンウェーハ１１の研削体積が少なくても高い目立て効果を得ることができる。従って、研削砥石２８の目立て作業に使用するダミーシリコンウェーハ１１の枚数を減らすことができる。
図４（Ａ）は研削砥石２８の目立て作業を実施して円弧状の研削溝１３を１本形成した後のダミーシリコンウェーハ１１の平面図である。このように、研削砥石２８の１回の目立て作業では円弧状の研削溝１３を１本形成するだけなので、ダミーシリコンウェーハ１１を保持したチャックテーブル３８を円周方向に僅かばかり回転させて研削砥石２８の目立て作業を複数回実施することができる。
即ち、研削砥石２８の目立て具合に合わせて円弧状の研削溝１３を１枚のダミーシリコンウェーハ１１に、図４（Ｂ）に示すように、複数本形成できるので、ダミーシリコンウェーハ１１の使用量を増やさずに目立て研削量を調整することができる。図４（Ｂ）は、１枚のダミーシリコンウェーハ１１に円弧状の研削溝１３を複数本形成した後のダミーシリコンウェーハ１１の平面図である。
本発明の研削砥石の目立て方法に使用したダミーシリコンウェーハ１１は円弧状の研削溝１３が１本乃至複数本形成されており、表面が凹凸になっている。そのため、表面の凹凸に研削砥石が高速で衝突しつつ研削を実施するので、平坦なダミーシリコンウェーハ１１を研削するのに比べて研削負荷が高いので、チャックテーブル３８及び研削ホイール２４共に回転しながら研削砥石２８の目立てを実施する従来の目立て方法の目立て用ウェーハとしても用いることができる。
図５を参照すると、複数本の円弧状の研削溝１３が形成されたダミーシリコンウェーハ１を使用して従来方法の目立て作業を実施している様子を示す一部断面側面図が示されている。
この従来の目立て方法では、複数本の円弧状の研削溝１３が形成されたダミーシリコンウェーハ１１を吸引保持したチャックテーブル３８を矢印ａ方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削ホイール２４を矢印ｂ方向に例えば６０００ｒｐｍで回転させながら研削送りユニット３４で研削ホイール３４を矢印Ｚ方向に研削送りして、ダミーシリコンウェーハ１１の研削を実施する。
ダミーシリコンウェーハ１１には複数本の円弧状の研削溝１３が形成されているため、平坦なウェーハに比べて研削負荷が高いので、研削砥石２８の目立て作業を効率的に実施することができる。また、研削負荷が高いため砥石の消耗も多いのを利用して、目立てだけではなく、通常は砥粒を含むドレッシングボードを研削して実施するドレッシングでも、複数本の円弧状の研削溝１３が形成されたダミーシリコンウェーハ１をドレッシングボードの代わりに利用する事も出来る。
尚、上述した実施形態では、研削装置２で研削する被加工物としてシリコンウェーハを使用するものとして説明したので、研削砥石２８の目立て作業にはダミーシリコンウェーハを採用したが、研削対象となる被加工物が他の材質から成る場合には、研削対象の被加工物と同一の材質の被加工物を目立て用ウェーハとして使用するのが好ましい。
１０ 研削ユニット
１１ ダミーシリコンウェーハ
１３ 円弧状の研削溝
１８ スピンドル
２２ ホイールマウント
２４ 研削ホイール
２６ ホイール基台
２８ 研削砥石
３４ 研削送りユニット
３８ チャックテーブル

Claims (3)

  1. 被加工物を保持面で保持するチャックテーブルと、複数の研削砥石が環状に配置された研削ホイールを該保持面と垂直な回転軸を有するスピンドルに装着し該チャックテーブルに保持された被加工物を研削する研削ユニットと、該研削ユニットを該回転軸方向に研削送りする研削送りユニットと、を備えた研削装置を用いた研削砥石の目立て方法であって、
    該スピンドルを回転させながら該研削ユニットを研削送りして、該チャックテーブルに保持された被加工物を、該チャックテーブルを回転させずに研削し、該被加工物の表面に円弧状の研削溝を形成することを特徴とする研削砥石の目立て方法。
  2. 該被加工物に該円弧状の研削溝を複数本形成し、該研削砥石の目立て状態を制御する請求項１記載の研削砥石の目立て方法。
  3. 研削することで研削砥石を目立てするための目立て用ウェーハであって、
    請求項１又は２記載の方法で円弧状の研削溝が形成された目立て用ウェーハ。
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4760668A (en) * 1986-07-02 1988-08-02 Alfred Schlaefli Surface grinding machine and method
JP2002164312A (ja) * 2000-11-27 2002-06-07 Sony Corp 裏面研削方法および裏面研削装置
JP2005340431A (ja) * 2004-05-26 2005-12-08 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2006015423A (ja) * 2004-06-30 2006-01-19 Disco Abrasive Syst Ltd ビトリファイドボンド砥石の目立て方法および目立てボード
JP2008221360A (ja) * 2007-03-09 2008-09-25 Disco Abrasive Syst Ltd ドレッシング方法およびドレッサボード
JP2016112632A (ja) * 2014-12-12 2016-06-23 株式会社ディスコ 研削方法
JP2017154238A (ja) * 2016-03-04 2017-09-07 株式会社ディスコ 研削装置
JP2018065236A (ja) * 2016-10-21 2018-04-26 株式会社ディスコ 目立てボード及びその使用方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3170113B2 (ja) * 1993-09-27 2001-05-28 トーヨーエイテック株式会社 研削盤の砥石目立て方法及びその装置
US7163441B2 (en) * 2004-02-05 2007-01-16 Robert Gerber Semiconductor wafer grinder
JP4977493B2 (ja) * 2007-02-28 2012-07-18 株式会社ディスコ 研削砥石のドレッシング方法およびドレッシング工具
JP2015202545A (ja) * 2014-04-16 2015-11-16 株式会社ディスコ 研削装置
JP2016047561A (ja) * 2014-08-27 2016-04-07 株式会社ディスコ 研削装置
JP6270921B2 (ja) * 2016-06-28 2018-01-31 株式会社リード ブレードのドレッシング機構を備えた切削装置
JP6803187B2 (ja) * 2016-10-05 2020-12-23 株式会社ディスコ 研削砥石のドレッシング方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4760668A (en) * 1986-07-02 1988-08-02 Alfred Schlaefli Surface grinding machine and method
JP2002164312A (ja) * 2000-11-27 2002-06-07 Sony Corp 裏面研削方法および裏面研削装置
JP2005340431A (ja) * 2004-05-26 2005-12-08 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2006015423A (ja) * 2004-06-30 2006-01-19 Disco Abrasive Syst Ltd ビトリファイドボンド砥石の目立て方法および目立てボード
JP2008221360A (ja) * 2007-03-09 2008-09-25 Disco Abrasive Syst Ltd ドレッシング方法およびドレッサボード
JP2016112632A (ja) * 2014-12-12 2016-06-23 株式会社ディスコ 研削方法
JP2017154238A (ja) * 2016-03-04 2017-09-07 株式会社ディスコ 研削装置
JP2018065236A (ja) * 2016-10-21 2018-04-26 株式会社ディスコ 目立てボード及びその使用方法

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