JP2019214488A - シリコン単結晶基板中の欠陥密度の制御方法 - Google Patents
シリコン単結晶基板中の欠陥密度の制御方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019214488A JP2019214488A JP2018112062A JP2018112062A JP2019214488A JP 2019214488 A JP2019214488 A JP 2019214488A JP 2018112062 A JP2018112062 A JP 2018112062A JP 2018112062 A JP2018112062 A JP 2018112062A JP 2019214488 A JP2019214488 A JP 2019214488A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- silicon single
- crystal substrate
- defect density
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 199
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 197
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 197
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 196
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 171
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 120
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 112
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 230
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 118
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 65
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 43
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 58
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 57
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 57
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 238000005136 cathodoluminescence Methods 0.000 claims description 26
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 35
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 22
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 15
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 14
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 13
- 101100060033 Drosophila melanogaster cic gene Proteins 0.000 description 12
- 101100060035 Mus musculus Cic gene Proteins 0.000 description 12
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 11
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 10
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- FSLGCYNKXXIWGJ-UHFFFAOYSA-N silicon(1+) Chemical compound [Si+] FSLGCYNKXXIWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000005524 hole trap Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000004660 morphological change Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
欠陥密度を制御するシリコン単結晶基板を準備する準備工程と、
前記準備したシリコン単結晶基板に粒子線を照射する粒子線照射工程と、
該粒子線照射工程後の前記シリコン単結晶基板に熱処理を施す熱処理工程と
を行うシリコン単結晶基板中の欠陥密度の制御方法であって、
前記準備工程を行う前に予め、窒素濃度が異なる複数の試験用シリコン単結晶基板に前記粒子線を照射した後、熱処理を行い、前記複数の試験用シリコン単結晶基板中に発生した欠陥密度を測定する測定工程と、
前記測定した欠陥密度と前記窒素濃度との相関関係を取得する相関関係取得工程とを有し、
前記取得した相関関係に基づいて、前記熱処理工程後の前記シリコン単結晶基板中の欠陥密度が目標値になるように、前記準備工程で準備する前記シリコン単結晶基板の窒素濃度を調整することを特徴とするシリコン単結晶基板中の欠陥密度の制御方法を提供する。
前記準備したシリコン単結晶基板に粒子線を照射する粒子線照射工程と、
該粒子線照射工程後の前記シリコン単結晶基板に熱処理を施す熱処理工程と
を行うシリコン単結晶基板中の欠陥密度の制御方法であって、
前記準備工程を行う前に予め、窒素濃度が異なる複数の試験用シリコン単結晶基板に前記粒子線を照射した後、熱処理を行い、前記複数の試験用シリコン単結晶基板中に発生した欠陥密度を測定する測定工程と、
前記測定した欠陥密度と前記窒素濃度との相関関係を取得する相関関係取得工程とを有し、
前記取得した相関関係に基づいて、前記熱処理工程後の前記シリコン単結晶基板中の欠陥密度が目標値になるように、前記準備工程で準備する前記シリコン単結晶基板の窒素濃度を調整することを特徴とするシリコン単結晶基板中の欠陥密度の制御方法である。
まず、複数の試験用シリコン単結晶基板を用意する。ここで用意する複数の試験用シリコン単結晶基板は、それぞれ窒素濃度が異なるものとする。また、窒素濃度以外の条件は、実際に欠陥密度を制御する対象となるシリコン単結晶基板(制御対象シリコン単結晶基板)と同じ条件にすることができる。
このとき、粒子線照射の前に、シリコン単結晶基板に酸化膜等を形成しても良い。
相関関係取得工程では、測定工程(図1のS11)において測定した欠陥密度と、複数の試験用シリコン単結晶基板の窒素濃度とを対応させることで、欠陥密度と窒素濃度との相関関係を取得する。
本発明では、FZシリコン単結晶基板において、熱処理工程後の欠陥密度と窒素濃度との相関関係に基づいて、制御対象シリコン単結晶基板の窒素濃度を調整することにより欠陥密度を制御でき、シリコン単結晶基板に起因する欠陥密度のばらつきをより小さくすることができる。従って、パワーデバイス用に好適なFZシリコン単結晶基板を得ることができる。
ここで行う粒子線照射の条件は、測定工程(図1のS11)と同様の条件とすることが好ましい。例えば、電子線を、1×1013〜1×1015/cm2の線量で、0.5〜2MVの加速電圧で照射することができる。
ここで行う熱処理の条件は、測定工程(図1のS11)と同様の条件とすることが好ましい。例えば、温度を300〜400℃、時間を10〜60分、雰囲気を窒素、酸素、あるいは水素などとすることができる。
異なる窒素濃度を有する複数のFZシリコン単結晶基板を用意した。複数のFZシリコン単結晶基板のドーパント種、ドーパント濃度、酸素濃度、炭素濃度、窒素濃度、直径、結晶面方位は、以下の通りである。
ドーパント種/濃度:リン/6.3×1013〜6.9×1013atoms/cm3、
酸素濃度:<0.1ppma(シリコン原料が多結晶シリコン)、0.1〜0.3ppma(シリコン原料がチョクラルスキー法(CZ法)で育成した単結晶シリコン)、
炭素濃度:約0.02ppma、
窒素濃度:3.6×1014〜2.2×1015atoms/cm3、
直径:200mm、
結晶面方位:(100)。
酸素濃度が0.1ppma未満のシリコン単結晶基板の場合について、G線強度と窒素濃度との関係を図4に、C線強度と窒素濃度との関係を図5に示す。図4及び図5の結果から、酸素濃度が0.1ppma未満の場合には、C線強度は窒素濃度によらず低くなるが、G線強度は窒素濃度が高いほど低くなることがわかる。このことから、炭素濃度及び酸素濃度がほぼ同じでも、酸素濃度が0.1ppma未満の場合には、窒素濃度が高いほどCiCsの密度が低くなることがわかる。また、例えば、CiOiの密度を低く維持したまま、CiCsの密度を高くしたい場合には、酸素濃度を0.1ppma未満として、窒素濃度を低くすれば良いことがわかる。
図1に示すような、本発明の欠陥密度の制御方法でシリコン単結晶基板中の欠陥密度の制御を行った。このとき、実験例と同様にカソードルミネッセンス法で測定した場合に、C線強度が2000程度になるように制御することを目標とした。
このときの電子線の照射線量は1×1015/cm2とし、電子線の加速電圧は2MVとした。またこのとき、熱処理の温度は360℃、時間は45分、雰囲気は窒素とした。
次に、上記相関関係に基づいて、熱処理工程後のシリコン単結晶基板のC線強度が目標値(2000程度)になるように、準備工程で準備するシリコン単結晶基板の窒素濃度を調整した。このとき、準備したシリコン単結晶基板は、CZ法により育成されたシリコン単結晶インゴットを原料として、FZ法により育成されたシリコン単結晶から製造されたものであり、酸素濃度は約0.2ppmaで、窒素濃度を1.7×1015atoms/cm3に調整したものであった。
試験用シリコン単結晶基板を使用して、欠陥密度と窒素濃度との相関関係を取得せず、準備するシリコン単結晶基板の窒素濃度を上記相関関係に基づいて調整しなかったこと以外、実施例1と同様の条件でシリコン単結晶基板の欠陥密度を制御した。
このとき、窒素濃度が1.0×1015atoms/cm3、酸素濃度が0.1ppma未満のFZシリコン単結晶基板に、電子線を照射した後、回復熱処理を施した。
図1に示すような、本発明の欠陥密度の制御方法でシリコン単結晶基板中の欠陥密度の制御を行った。このとき、実験例と同様にカソードルミネッセンス法で測定した場合に、G線強度が1200程度になるように制御することを目標とした。
このときの電子線の照射線量は1×1015/cm2とし、電子線の加速電圧は2MeVとした。またこのとき、熱処理の温度は360℃、時間は45分、雰囲気は窒素とした。
次に、上記相関関係に基づいて、熱処理工程後のシリコン単結晶基板のG線強度が目標値(1200程度)になるように、準備工程で準備するシリコン単結晶基板の窒素濃度を調整した。このとき、準備したシリコン単結晶基板は、多結晶シリコンインゴットを原料として、FZ法により育成されたシリコン単結晶から製造されたものであり、酸素濃度は0.1ppma未満で、窒素濃度を1.0×1015atoms/cm3に調整したものであった。
試験用シリコン単結晶基板を使用して、欠陥密度と窒素濃度との相関関係を取得せず、準備するシリコン単結晶基板の窒素濃度を上記相関関係に基づいて調整しなかったこと以外、実施例1と同様の条件でシリコン単結晶基板の欠陥密度を制御した。
このとき、窒素濃度は1.7×1015atoms/cm3、酸素濃度は0.1ppma未満であった。このFZシリコン単結晶基板に、電子線を照射した後、回復熱処理を施した。
試験用シリコン単結晶基板を使用して、欠陥密度と窒素濃度との相関関係を取得せず、準備するシリコン単結晶基板の窒素濃度を上記相関関係に基づいて調整しなかったこと以外、実施例2と同様の条件でシリコン単結晶基板の欠陥密度を制御した。
このとき、窒素濃度は1.7×1015atoms/cm3、酸素濃度は0.1ppma未満であった。このFZシリコン単結晶基板に、電子線を照射した後、回復熱処理を施した。
Claims (5)
- 欠陥密度を制御するシリコン単結晶基板を準備する準備工程と、
前記準備したシリコン単結晶基板に粒子線を照射する粒子線照射工程と、
該粒子線照射工程後の前記シリコン単結晶基板に熱処理を施す熱処理工程と
を行うシリコン単結晶基板中の欠陥密度の制御方法であって、
前記準備工程を行う前に予め、窒素濃度が異なる複数の試験用シリコン単結晶基板に前記粒子線を照射した後、熱処理を行い、前記複数の試験用シリコン単結晶基板中に発生した欠陥密度を測定する測定工程と、
前記測定した欠陥密度と前記窒素濃度との相関関係を取得する相関関係取得工程とを有し、
前記取得した相関関係に基づいて、前記熱処理工程後の前記シリコン単結晶基板中の欠陥密度が目標値になるように、前記準備工程で準備する前記シリコン単結晶基板の窒素濃度を調整することを特徴とするシリコン単結晶基板中の欠陥密度の制御方法。 - 前記欠陥密度を制御する対象とする欠陥を、炭素、あるいは炭素及び酸素を含む複合体とすることを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶基板中の欠陥密度の制御方法。
- 前記測定工程において、前記欠陥密度を測定する方法として、カソードルミネッセンス法、あるいはフォトルミネッセンス法を用いることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のシリコン単結晶基板中の欠陥密度の制御方法。
- 前記準備するシリコン単結晶基板を、フローティングゾーン法により育成された窒素添加のシリコン単結晶から製造されたものとすることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のシリコン単結晶基板中の欠陥密度の制御方法。
- 前記準備工程において、窒素濃度のばらつきが目標の窒素濃度値に対して10%以内に調整されたシリコン単結晶基板を準備することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のシリコン単結晶基板中の欠陥密度の制御方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018112062A JP7006517B2 (ja) | 2018-06-12 | 2018-06-12 | シリコン単結晶基板中の欠陥密度の制御方法 |
EP19820517.1A EP3808879B1 (en) | 2018-06-12 | 2019-05-13 | Method for controlling defect density in silicon single crystal substrate |
PCT/JP2019/019004 WO2019239762A1 (ja) | 2018-06-12 | 2019-05-13 | シリコン単結晶基板中の欠陥密度の制御方法 |
DK19820517.1T DK3808879T3 (da) | 2018-06-12 | 2019-05-13 | Fremgangsmåde til kontrol af defektdensitet i et monokrystallinsk siliciumsubstrat |
CN201980039589.7A CN112334608B (zh) | 2018-06-12 | 2019-05-13 | 单晶硅基板中的缺陷密度的控制方法 |
TW108117522A TWI801586B (zh) | 2018-06-12 | 2019-05-21 | 單晶矽基板中的缺陷密度的控制方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018112062A JP7006517B2 (ja) | 2018-06-12 | 2018-06-12 | シリコン単結晶基板中の欠陥密度の制御方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019214488A true JP2019214488A (ja) | 2019-12-19 |
JP2019214488A5 JP2019214488A5 (ja) | 2020-12-10 |
JP7006517B2 JP7006517B2 (ja) | 2022-01-24 |
Family
ID=68842170
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018112062A Active JP7006517B2 (ja) | 2018-06-12 | 2018-06-12 | シリコン単結晶基板中の欠陥密度の制御方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP3808879B1 (ja) |
JP (1) | JP7006517B2 (ja) |
CN (1) | CN112334608B (ja) |
DK (1) | DK3808879T3 (ja) |
TW (1) | TWI801586B (ja) |
WO (1) | WO2019239762A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7334849B2 (ja) * | 2020-03-17 | 2023-08-29 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶基板中のドナー濃度の制御方法 |
JP7264100B2 (ja) * | 2020-04-02 | 2023-04-25 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶基板中のドナー濃度の制御方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001067477A (ja) * | 1999-08-27 | 2001-03-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 個人識別システム |
JP2001240490A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-09-04 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 半導体シリコンウエーハの製造方法 |
JP2004304095A (ja) * | 2003-04-01 | 2004-10-28 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | シリコンウェーハおよびその製造方法 |
JP2015023062A (ja) * | 2013-07-16 | 2015-02-02 | 信越半導体株式会社 | 拡散ウェーハの製造方法 |
JP2015156420A (ja) * | 2014-02-20 | 2015-08-27 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶中の炭素濃度評価方法及び半導体デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3211874B2 (ja) | 1997-10-29 | 2001-09-25 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4288797B2 (ja) | 1998-11-05 | 2009-07-01 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
JP2001068477A (ja) | 1999-08-27 | 2001-03-16 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | エピタキシャルシリコンウエハ |
JP2006054350A (ja) * | 2004-08-12 | 2006-02-23 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 窒素ドープシリコンウェーハとその製造方法 |
JP5104314B2 (ja) | 2005-11-14 | 2012-12-19 | 富士電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2013100155A1 (ja) | 2011-12-28 | 2013-07-04 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP6036670B2 (ja) * | 2013-12-10 | 2016-11-30 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶基板の欠陥濃度評価方法 |
JP6083412B2 (ja) * | 2014-04-01 | 2017-02-22 | 信越半導体株式会社 | 再結合ライフタイムの制御方法及びシリコン基板の製造方法 |
JP6447351B2 (ja) * | 2015-05-08 | 2019-01-09 | 株式会社Sumco | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法およびシリコンエピタキシャルウェーハ |
-
2018
- 2018-06-12 JP JP2018112062A patent/JP7006517B2/ja active Active
-
2019
- 2019-05-13 EP EP19820517.1A patent/EP3808879B1/en active Active
- 2019-05-13 CN CN201980039589.7A patent/CN112334608B/zh active Active
- 2019-05-13 WO PCT/JP2019/019004 patent/WO2019239762A1/ja unknown
- 2019-05-13 DK DK19820517.1T patent/DK3808879T3/da active
- 2019-05-21 TW TW108117522A patent/TWI801586B/zh active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001067477A (ja) * | 1999-08-27 | 2001-03-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 個人識別システム |
JP2001240490A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-09-04 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 半導体シリコンウエーハの製造方法 |
JP2004304095A (ja) * | 2003-04-01 | 2004-10-28 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | シリコンウェーハおよびその製造方法 |
JP2015023062A (ja) * | 2013-07-16 | 2015-02-02 | 信越半導体株式会社 | 拡散ウェーハの製造方法 |
JP2015156420A (ja) * | 2014-02-20 | 2015-08-27 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶中の炭素濃度評価方法及び半導体デバイスの製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
SGOUROU, E. N. ET AL.: "Infrared study of defects in nitrogen-doped electron irradiated silicon", J. MATER. SCI.: MATER. ELECTRON., vol. 27, no. 2, JPN7021002102, 4 November 2015 (2015-11-04), CH, pages 2054 - 2061, XP035915176, ISSN: 0004524338, DOI: 10.1007/s10854-015-3991-2 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7006517B2 (ja) | 2022-01-24 |
EP3808879B1 (en) | 2023-03-01 |
CN112334608A (zh) | 2021-02-05 |
WO2019239762A1 (ja) | 2019-12-19 |
TW202002116A (zh) | 2020-01-01 |
DK3808879T3 (da) | 2023-05-01 |
EP3808879A4 (en) | 2022-03-02 |
TWI801586B (zh) | 2023-05-11 |
CN112334608B (zh) | 2022-07-26 |
EP3808879A1 (en) | 2021-04-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Hiyoshi et al. | Reduction of deep levels and improvement of carrier lifetime in n-type 4H-SiC by thermal oxidation | |
JP6083412B2 (ja) | 再結合ライフタイムの制御方法及びシリコン基板の製造方法 | |
JP6075307B2 (ja) | シリコン単結晶中の炭素濃度評価方法及び半導体デバイスの製造方法 | |
JP6268039B2 (ja) | 検量線の作成方法、不純物濃度の測定方法、及び半導体ウェハの製造方法 | |
JP6292131B2 (ja) | シリコン基板の選別方法 | |
JP6048381B2 (ja) | シリコン単結晶中の炭素濃度評価方法、及び、半導体デバイスの製造方法 | |
KR102029647B1 (ko) | 실리콘 단결정 기판의 결함 농도 평가 방법 | |
KR20140111973A (ko) | 포화 전압 추정 방법 및 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법 | |
WO2019239762A1 (ja) | シリコン単結晶基板中の欠陥密度の制御方法 | |
JP6881292B2 (ja) | 再結合ライフタイムの制御方法 | |
JP6777046B2 (ja) | 再結合ライフタイムの制御方法 | |
JP6922688B2 (ja) | シリコン単結晶基板の選別方法及びシリコン単結晶基板 | |
JP7103314B2 (ja) | シリコン単結晶基板中の炭素濃度評価方法 | |
JP7259791B2 (ja) | シリコンウェーハへのクラスターイオン注入による白傷欠陥低減効果の評価方法及びエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | |
JP6766786B2 (ja) | シリコン単結晶基板中の炭素濃度評価方法、及び半導体デバイスの製造方法 | |
WO2019208013A1 (ja) | シリコン単結晶基板の選別方法及びシリコン単結晶基板 | |
JP2021163929A (ja) | シリコン単結晶基板中のドナー濃度の制御方法 | |
CN111801782A (zh) | 碳浓度评价方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180614 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190513 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200518 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201028 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210608 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210727 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211207 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211220 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7006517 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |