JP2019207963A - 高分子基板の製造方法及び電子装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
以下では、図1(a)〜(c)、図2(a),(b)及び図3(a),(b)を参照しつつ、第1実施形態に係る高分子基板の製造方法の一例について説明する。図1(a)〜(c)、図2(a),(b)及び図3(a),(b)は、第1実施形態に係る高分子基板の製造方法を説明するための図である。また、図2(b)は、図2(a)のA−A線に沿った断面を示す。
以下では、第2実施形態に係る電子装置の製造方法の一例について説明する。第2実施形態の説明において第1実施形態と重複する記載は省略し、第1実施形態と異なる部分を記載する。つまり、技術的に可能な範囲において、第2実施形態に第1実施形態の記載を適宜用いてもよい。第2実施形態に係る電子装置は、第1実施形態にて説明される高分子基板20上に電子素子が形成されたものである。このため、第2実施形態に係る電子装置の製造方法は、第1実施形態にて記載される上記第1〜第4ステップを備える。
図7は、実施例のサンプルを示す概略断面図である。まず、支持体51としてアルミニウムを含む無アルカリガラス(日本電気硝子株式会社製、「OA−10」)を準備した。次に前処理として、この支持体51をリン酸と硝酸と酢酸との混合液に30分間以上浸漬させた。このとき、当該混合液の温度を25℃以上40℃以下に設定した。次に、混合液へ浸漬後の支持体51上にポリイミドを塗布した。これにより、厚さ20μmの高分子基板52を支持体51上に形成した。次に、高分子基板52を覆うバリア膜53を形成した。バリア膜53は、厚さ10nmの酸化ニオブ膜53aと、厚さ35nmの酸化ケイ素膜53bとが順に積層された積層膜である。次に、バリア膜53上に厚さ35nmのITO膜54(酸化インジウムスズ膜)を形成した。以上により、図7に示される測定用のサンプル50を形成した。
サンプル50における支持体51と高分子基板52との密着強度の測定方法について、以下に説明する。上記密着強度は、支持体51に対する高分子基板52の90°剥離力に相当する。この90°剥離力は、自動荷重試験機(日本計測システム株式会社製、「MAX−1KN」)を用い、JIS B 7721:2009に準じた以下の手法に沿って測定した。まず、サンプル50の高分子基板52を加工し、10mm×100mmの試験片を準備した。次に、当該試験片の端部(約10mm)を支持体51から剥離した。次に、支持体51を固定すると共に、剥離した試験片の端部を自動荷重試験機のチャック部に固定した。そして、チャック部を300mm/minの速度で上昇させることによって、支持体51と高分子基板52との密着強度を測定した。
Claims (10)
- 支持体の表面にイミド基を有する高分子基板を形成する基板形成工程と、
前記高分子基板を覆うバリア膜を形成するバリア膜形成工程と、
前記支持体、前記高分子基板、及び前記バリア膜を熱処理する熱処理工程と、
前記支持体から前記高分子基板を剥離する剥離工程と、
を順に備える、高分子基板の製造方法。 - 前記基板形成工程前に、前記支持体の前記表面に存在する金属をエッチングするエッチング工程をさらに備える、請求項1に記載の高分子基板の製造方法。
- 前記バリア膜形成工程では、前記高分子基板を覆う主部と、平面視にて前記高分子基板を囲うと共に前記支持体に密着する端部と、を有する前記バリア膜を形成する、請求項1又は2に記載の高分子基板の製造方法。
- 前記熱処理工程後であって前記剥離工程前に、前記端部の延在方向に沿って前記高分子基板の縁部を切断する切断工程をさらに備える、請求項3に記載の高分子基板の製造方法。
- 前記バリア膜は、30nm以上100nm以下の厚さを有する酸化ケイ素膜を含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の高分子基板の製造方法。
- 前記支持体の前記表面における金属濃度は、3.2%以上4.7%以下である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の高分子基板の製造方法。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の高分子基板の製造方法を備える電子装置の製造方法であって、
前記剥離工程前に、前記バリア膜上に電子素子を形成する電子素子形成工程をさらに備え、
前記剥離工程では、前記電子素子が設けられる前記高分子基板を前記支持体から剥離する、電子装置の製造方法。 - 前記熱処理工程は、前記電子素子形成工程中に実施される、請求項7に記載の電子装置の製造方法。
- 前記高分子基板は、可撓性を示す、請求項7又は8に記載の電子装置の製造方法。
- 前記バリア膜は、8nm以上20nm以下の厚さを有する酸化ニオブ膜を含む、請求項7〜9のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法。
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