JP2019197723A - 有機発光表示装置 - Google Patents
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Abstract
Description
有機発光表示装置は、光を発する有機発光ダイオードを含むが、有機発光ダイオードは、水分及び酸素に脆弱である。
このため、有機発光表示装置の外郭にシーリング部材が配置されて、有機発光ダイオードを密封する。
前記表示素子層は、前記非表示領域内に配置され、前記第1電極と同じ層上に配置され、前記補助電源供給パターンに接続される補助パターンをさらに含むことが好ましい。
前記回路素子層は、前記電源供給ラインと前記補助電源供給パターンとの間に配置され、前記電源供給ラインと前記補助電源パターンとが接続されるコンタクトホールが提供される第1中間絶縁層と、前記補助電源供給パターンと前記補助パターンとの間に配置され、前記補助電源供給パターンと前記補助パターンとが接続されるコンタクトホールが提供される第2中間絶縁層と、をさらに含み、前記表示素子層は、前記補助パターンと前記第2電極との間に配置され、前記補助パターンと前記第2電極とが接続されるコンタクトホールと、前記発光層が配置される開口部が提供される画素定義膜と、をさらに含むことが好ましい。
前記回路素子層は、走査信号を受信する制御電極と、データ信号を受信する入力電極と、出力電極と、を含むスイッチングトランジスタと、前記スイッチングトランジスタの前記出力電極に接続される入力電極を有する駆動トランジスタと、発光信号を受信する制御電極を含み、電圧ラインと前記駆動トランジスタとの間に接続されるか、あるいは、前記駆動トランジスタと前記第1電極との間に接続される発光制御トランジスタと、をさらに含むことが好ましい。
前記補助電源供給パターンは、前記発光ライン駆動回路と重畳することが好ましい。
前記補助電源供給パターンは、前記電源供給ラインより融点が大きな物質を含むことが好ましい。
前記回路素子層は、前記共通電圧よりも大きい電源電圧を受信する電圧ラインと、前記電圧ラインの上部に配置され、前記電圧ラインと接続された補助電圧パターンと、をさらに含むことが好ましい。
前記補助電圧パターンは、前記補助電源供給パターンと同じ層上に配置され、前記シーリング部材と重畳することが好ましい。
前記回路素子層は、前記非表示領域に配置されたパッド部をさらに含むことが好ましい。
平面上で前記補助電圧パターンは、前記パッド部と前記表示領域との間に配置されることが好ましい。
前記回路素子層は、データライン及びデマルチプレクサをさらに含むことが好ましい。
前記デマルチプレクサは、前記パッド部と前記データラインとの間に接続されることが好ましい。
平面上で前記補助電圧パターンは、前記デマルチプレクサをカバーすることが好ましい。
前記回路素子層は、前記非表示領域に配置された静電気防止パターンをさらに含むことが好ましい。
平面上で前記補助電圧パターンは、前記静電気防止パターンをカバーすることが好ましい。
前記回路素子層は、前記補助電源供給ターンの下部に配置された絶縁層をさらに含むことが好ましい。
前記補助電源供給パターンにホールが提供され、前記ホールを通じて前記シーリング部材は、前記絶縁層又は前記ベース層に接触されることが好ましい。
前記電圧供給ラインは、前記ベース層上に配置され、前記共通電圧よりも大きい電源電圧を受信することが好ましい。
前記補助電源パターンは、前記電源供給ライン上に重畳して配置され、前記電源供給ラインと接続されることが好ましい。
前記補助電圧パターンは、前記電圧供給ライン上に重畳して配置され、前記電圧供給ラインと接続されることが好ましい。
前記有機発光素子は、前記補助電源供給パターン及び前記補助電圧パターンの上部に配置されることが好ましい。
前記封止層は、前記有機発光素子上に配置されることが好ましい。
前記シーリング部材は前記ベース層と前記封止層との間に配置されて前記有機発光素子を密封し、前記補助電源供給パターン及び前記補助電圧パターンと重畳することが好ましい。
前記補助電源供給パターンは前記補助電圧パターンと同じ層上に配置されることが好ましい。
前記補助電源供給パターン及び前記補助電圧パターンのそれぞれは、前記電源供給ライン及び前記電圧供給ラインのそれぞれよりも、さらに大きい融点を有する物質を含むことが好ましい。
前記補助電源供給パターン及び前記補助電圧パターンのそれぞれは、前記シーリング部材と接触することが好ましい。
前記有機発光素子は、前記トランジスタの上部に配置され、前記トランジスタと接続されることが好ましい。
前記電源供給ラインは、前記ベース層上に配置され、一定の電圧を受信し、前記トランジスタの前記制御電極、前記入力電極、及び前記出力電極のいずれか1つと同じ層上に配置されることが好ましい。
前記補助電源供給パターンは、前記電源供給ライン及び前記トランジスタの上部に配置され、前記有機発光素子の下部に配置され、前記電源供給ラインと接続されることが好ましい。
前記封止層は、前記有機発光素子上に配置されることが好ましい。
前記シーリング部材は、前記ベース層と前記封止層との間に配置されて前記有機発光素子を密封し、前記補助電源供給パターン及び前記補助電圧パターンと重畳することが好ましい。
また、シーリング部材の硬化過程で、補助電源供給パターンが電源供給ラインより融点が大きな物質を含むことにより、シーリング部材と重畳した回路素子の不良を防止することができる。
同一の図面符号は同一の構成要素を指し示す。
なお、図面において、構成要素の厚さ、比率、及び寸法は、技術的な内容の効果的な説明のために誇張されたものである。
「及び/又は」は、関連された構成の定義できる、1つ以上の組み合わせをすべて含む。
用語は、1つの構成要素を他の構成要素から区別するためにのみ使用される。
例えば、本発明の権利範囲を逸脱せずに、第1構成要素は、第2構成要素として命名することができ、同様に第2構成要素も第1構成要素として命名することができる。
単数の表現は、文脈上明らかに別の意味を表さない限り、複数の表現を含む。
なお、「下に」、「下側に」、「上に」、「上側に」などの用語は、図面に示された構成の関連関係を説明するために使用される。
用語は、相対的な概念であり、図面に表示された方向を基準に説明される。
「含む」又は「有する」などの用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品又はこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとするのであって、一つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部分品又はこれらを組み合わせたものの存在又は付加可能性を予め排除しないものと理解されるべきである。
本発明の実施形態による表示装置1000は、テレビ、モニター、などのような大型の電子機器をはじめ、携帯電話、タブレット、カーナビゲーション、ゲーム機、スマートウォッチなどの中小型電子機器などに適用することができる。
図1を参照すると、表示装置1000は、表示モジュール(DM)、ウィンドウ(Window)部材(WM)、及びハウジング部材(HM)を含む。
表示面(IS)の法線方向、すなわち表示モジュール(DM)の厚さ方向は、第3方向軸(DR3)が指示する。
各部材の前面(又は上面)と背面(又は下面)は、第3方向軸(DR3)によって区分される。
しかし、第1〜第3方向軸(DR1、DR2、DR3)が指示する方向は、相対的な概念として、他の方向に変換することができる。
以下、第1〜第3方向は、第1〜第3方向軸(DR1、DR2、DR3)がそれぞれ指示する方向へ同一の図面符号を参照する。
しかし、これに制限されず、本発明による表示モジュール(DM)は、フレキシブル表示モジュールも有り得る。
図1に示すように、表示モジュール(DM)は、イメージ(IM)が表示される表示領域(DM−DA)及び表示領域(DM−DA)に隣接した非表示領域(DM−NDA)を含む。
非表示領域(DM−NDA)は、イメージが表示されない領域である。
図1では、イメージ(IM)の一例としての花瓶を表示している。
一例として、表示領域(DM−DA)は、長方形状であり得る。
非表示領域(DM−NDA)は、表示領域(DM−DA)を取り囲み得る。
ただし、これに制限されず、表示領域(DM−DA)の形状と非表示領域(DM−NDA)の形状は、相対的にデザインされ得る。
ウィンドウ部材(WM)は、表示モジュール(DM)を保護する。
ウィンドウ部材(WM)は、ハウジング部材(HM)と結合されて内部空間を形成し得る。
ウィンドウ部材(WM)とハウジング部材(HM)は、表示装置1000の外観を定義し得る。
ウィンドウ部材(WM)は、平面上で透過領域(TA)とベゼル領域(BA)に区分することができる。
透過領域(TA)は、入射される光をほとんど透過させる領域であり得る。
透過領域(TA)は、光学的に透明性を有する。
透過領域(TA)は、約90%以上の光透過率を有することができる。
透過領域(TA)は、表示モジュール(DM)の表示領域(DM−DA)に対応し得る。
ベゼル領域(BA)は、ウィンドウ部材(WM)の下部に配置される構成が外部から視認されないようにする。
また、ベゼル領域(BA)は、ウィンドウ部材(WM)の外部から入射する光の反射を低減させることができる。
ベゼル領域(BA)は、表示モジュール(DM)の非表示領域(DM−NDA)に対応し得る。
ベゼル領域(BA)は、透過領域(TA)に隣接し得る。
透過領域(TA)の平面上での形状は、ベゼル領域(BA)によって定義することができる。
表示モジュール(DM)は、内部空間に収容される。
ハウジング部材(HM)の内部空間には、表示モジュール(DM)に加えて、多様な電子部品、例えば、電源供給部、ストレージデバイス、音響入出力モジュール、カメラなどを実装することができる。
図2は、第1方向軸(DR1)と第3方向軸(DR3)が定義する断面を示す。
図2に示すように、表示モジュール(DM)は、表示パネル(DP)及びタッチ検出ユニット(TS、又はタッチ検出層)を含む。
別途、図に示さなかったが、本発明の一実施形態による表示モジュール(DM)は、表示パネル(DP)の下面に配置された保護部材をさらに含むことができる。
例えば、表示パネル(DP)は、有機発光表示パネル又は量子ドット発光表示パネルであり得る。
有機発光表示パネルは、発光層が、有機発光物質を含む。
量子ドット発光表示パネルの発光層は、量子ドット又は量子ロッドを含む。
以下、表示パネル(DP)は、有機発光表示パネルとして説明する。
別途、図に示していなかったが、表示パネル(DP)は、屈折率調節層などのような機能性層をさらに含むことができる。
ベース層(SUB)は、少なくとも一つのプラスチックフィルムを含むことができる。
ベース層(SUB)は、フレキシブルな基板にプラスチック基板、ガラス基板、メタル基板、又は有/無機複合材料基板などを含むことができる。
図1を参照して説明した表示領域(DM−DA)と非表示領域(DM−NDA)は、ベース層(SUB)に同一に定義され得る。
中間絶縁層は、少なくとも一つの中間無機膜と少なくとも一つの中間有機膜を含む。
回路素子は、信号ライン、画素の駆動回路などを含む。
これに対する詳細な説明は、後述する。
表示素子層(DP−OLED)は、画素定義膜のような有機膜をさらに含むことができる。
封止層(ENP)は、表示素子層(DP−OLED)上に配置され、表示素子層(DP−OLED)を密封する。
シーリング部材(SL)は、回路素子層(DP−CL)と封止層(ENP)との間に配置されて回路素子層(DP−CL)と封止層(ENP)を接合する。
シーリング部材(SL)は、回路素子層(DP−CL)及び封止層(ENP)とともに表示素子層(DP−OLED)を外部の水分、空気等から遮断する役割をすることができる。
タッチ検出ユニット(TS)は、封止層(ENP)上に配置され得る。
タッチ検出ユニット(TS)は、接着層を介して封止層(ENP)に付着され得、封止層(ENP)上に薄膜工程を通じて形成することができる。
タッチ検出ユニット(TS)は、例えば、静電容量方式で外部入力を検出することができる。
本発明で、タッチ検出ユニット(TS)の動作は、特別に制限されず、本発明の一実施形態において、タッチ検出ユニット(TS)は、電磁気誘導方式又は圧力検出方式で外部入力を検出することもできる。
図3に示すように、表示パネル(DP)は、平面上で表示領域(DA)と非表示領域(NDA)を含む。
本実施形態で、非表示領域(NDA)は、表示領域(DA)のフレームに沿って定義される。
表示パネル(DP)の表示領域(DA)及び非表示領域(NDA)は、表示モジュール(DM)の表示領域(DM−DA)及び非表示領域(DM−NDA)と必ず同一である必要はなく、表示パネル(DP)の構造/デザインに応じて変更することができる。
複数個の画素(PX)は、表示領域(DA)内に配置される。
画素の(PX)のそれぞれは、有機発光ダイオードと、それに接続された画素駆動回路を含む。
表示パネル(DP)は、複数の信号ラインとパッド部(PD)とを含む。
複数の信号ラインは、走査ライン(GL)、データライン(DL)、発光ライン(EL)、制御信号ライン(SL−D)、初期化ライン(SL−Vint)、電圧ライン(SL−VDD)、及び電源供給ライン(E−VSS)を含み得る。
複数の信号ラインとパッド部(PD)は、図2に示した回路素子層(DP−CL)に含まれ得る。
走査ライン(GL)、データライン(DL)、発光ライン(EL)、制御信号ライン(SL−D)、初期化ライン(SL−Vint)、電圧ライン(SL−VDD)及び電源供給ライン(E−VSS)の中の一部は、同一の層に配置され、一部は他の層に配置される。
発光ライン(EL)のそれぞれは、走査ライン(GL)の中の対応する走査ラインに並んで配置される。
制御信号ライン(SL−D)は、画素駆動回路(GDC)に制御信号を提供する。
初期化ライン(SL−Vint)は、複数個の画素(PX)に初期化電圧を提供する。
電圧ライン(SL−VDD)は、複数個の画素(PX)に接続され、複数個の画素(PX)に電源電圧(例えば、第1電圧)を提供する。
電圧ライン(SL−VDD)は、第1方向(DR1)に延長する複数のライン及び第2方向(DR2)に延長する複数のラインを含む。
電源供給ライン(E−VSS)は、非表示領域(NDA)には、表示領域(DA)の3つの側面を取り囲んで配置される。
電源供給ライン(E−VSS)は、複数個の画素(PX)に共通電圧(例えば、第2電圧)を提供する。
共通電圧は、電源電圧よりも低いレベルの電圧であり得る。
画素駆動回路(GDC)は、非表示領域(NDA)の一側に配置されて走査ライン(GL)及び発光ライン(EL)に接続される。
画素駆動回路(GDC)は、ゲート駆動回路(図示せず)と、発光ライン駆動回路(図示せず)とを含む。
ゲート駆動回路(図示せず)は、走査ライン(GL)に信号を提供し、発光ライン駆動回路(図示せず)は、発光ライン(EL)に信号を提供する。
画素駆動回路(GDC)は、画素(PX)の駆動回路と同じ工程、例えば、LTPS(Low Temperature Polycrystalline Silicon)工程又はLTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide)工程を通じて形成された複数個の薄膜トランジスタを含み得る。
パッド部(PD)は、複数のパッドを含む。
パッド部(PD)の一部は、データライン(DL)、制御信号ライン(SL−D)、初期化ライン(SL−Vint)、及び電圧ライン(SL−VDD)の末端に接続される。
パッド部(PD)の他の一部は、タッチ検出ユニット(TS)のタッチ信号ラインと接続される。
また、表示パネル(DP)は、表示領域(DA)のフレームを取り囲むダム部(図示せず)をさらに含むことができる。
バンクとダム部は、表示パネル(DP)の形成時、特定の層をプリンティングして形成するとき、特定の層がバンク又はダム部の外部に溢れることを防止することができる。
シーリング部材(SL)は、電源供給ライン(E−VSS)と重畳して配置され得る。
シーリング部材(SL)は、画素駆動回路(GDC)の一部と重畳され得る。
表示パネル(DP)は、補助電源供給パターン(VSSP)及び補助電圧パターン(VDDP)をさらに含み得る。
平面上で補助電圧パターン(VDDP)は、電圧ライン(SL−VDD)と電気的に接続され、シーリング部材(SL)と重畳し得る。
平面上で補助電圧パターン(VDDP)は、パッド部(PD)と表示領域(DA)との間に配置され得る。
本発明の一実施形態による一つの画素(PX)は、複数のトランジスタ(T1〜T7)、ストレージキャパシタ(Cst)、及び有機発光素子(organic light emitting diode:OLED)を含む。
複数の(薄膜)トランジスタ(T1〜T7)は、駆動トランジスタ(T1)、スイッチングトランジスタ(T2)、補償トランジスタ(T3)、初期化トランジスタ(T4)、第1発光制御トランジスタ(T5)、第2発光制御トランジスタ(T6)、及びバイパストランジスタ(T7)を含む。
駆動トランジスタ(T1)のソース電極(S1)は、第1発光制御トランジスタ(T5)を経由して電圧ライン26と接続される。
駆動トランジスタ(T1)のドレイン電極(D1)は、第2発光制御トランジスタ(T6)を経由して有機発光素子(OLED)のアノードと電気的に接続されている。
駆動トランジスタ(T1)は、スイッチングトランジスタ(T2)のスイッチング動作に応じて、データ信号(Dm)を受け取り、有機発光素子(OLED)に駆動電流(Id)を供給する。
スイッチングトランジスタ(T2)のソース電極(S2)は、データライン16と接続される。
スイッチングトランジスタ(T2)のドレイン電極(D2)は、駆動トランジスタ(T1)のソース電極(S1)と接続され、第1発光制御トランジスタ(T5)を経由して電圧ライン26と接続される。
スイッチングトランジスタ(T2)は、第1走査ライン14を介して伝達されたn番目の走査信号(Sn)に基づいてターンオンされ、データライン16に伝達されたデータ信号(Dm)を駆動トランジスタ(T1)のソース電極(S1)に伝達するスイッチング動作を行う。
補償トランジスタ(T3)のソース電極(S3)は、駆動トランジスタ(T1)のドレイン電極(D1)と接続され、第2発光制御トランジスタ(T6)を経由して有機発光素子(OLED)のアノードと接続される。
補償トランジスタ(T3)のドレイン電極(D3)は、ストレージキャパシタ(Cst)の第1電極(C1)、初期化トランジスタ(T4)のソース電極(S4)及び駆動トランジスタ(T1)のゲート電極(G1)と接続されている。
補償トランジスタ(T3)は、第1走査ライン14を介して伝達されたn番目の走査信号(Sn)に基づいてターンオンされて、駆動トランジスタ(T1)のゲート電極(G1)とドレイン電極(D1)とを接続し合って駆動トランジスタ(T1)をダイオード接続(diode connection)させる。
初期化トランジスタ(T4)のドレイン電極(D4)は、初期化ライン22に接続される。
初期化トランジスタ(T4)のソース電極(S4)は、ストレージキャパシタ(Cst)の第1電極(C1)、補償トランジスタ(T3)のドレイン電極(D3)及び駆動トランジスタ(T1)のゲート電極(G1)に接続される。
初期化トランジスタ(T4)は、第2走査ライン24を介して伝達された(n−1)番目走査信号(Sn−1)に基づいてターンオンされて、初期化電圧(Vint)を駆動トランジスタ(T1)のゲート電極(G1)に伝達して駆動トランジスタ(T1)のゲート電極(G1)の電圧を初期化させる。
第1発光制御トランジスタ(T5)は、電圧ライン26と駆動トランジスタ(T1)との間に接続され得る。
第1発光制御トランジスタ(T5)のソース電極(S5)は、電圧ライン26と接続される。
第1発光制御トランジスタ(T5)のドレイン電極(D5)は、駆動トランジスタ(T1)のソース電極(S1)及びスイッチングトランジスタ(T2)のドレイン電極(D2)と接続される。
第1発光制御トランジスタ(T5)のゲート電極(G5)に発光制御信号(En)が印加されることによって、第1発光制御トランジスタ(T5)はターンオンされて、有機発光素子(OLED)に駆動電流(Id)が流れる。
第1発光制御トランジスタ(T5)は、有機発光ダイオード(OLED)に駆動電流(Id)が流れるタイミングを決定する。
第2発光制御トランジスタ(T6)は、駆動トランジスタ(T1)と有機発光ダイオード(OLED)との間に接続され得る。
第2発光制御トランジスタ(T6)のソース電極(S6)は、駆動トランジスタ(T1)のドレイン電極(D1)及び補償トランジスタ(T3)のソース電極(S3)と接続される。
第2発光制御トランジスタ(T6)のドレイン電極(D6)は、有機発光素子(OLED)のアノードと電気的に接続される。
第1発光制御トランジスタ(T5)及び第2発光制御トランジスタ(T6)は、発光ライン15を介して伝達された発光制御信号(En)に基づいてターンオンされる。
第2発光制御トランジスタ(T6)のゲート電極(G6)に発光制御信号(En)が印加されることによって、第2発光制御トランジスタ(T6)はターンオンされて、有機発光素子(OLED)に駆動電流(Id)が流れる。
第2発光制御トランジスタ(T6)は、有機発光ダイオード(OLED)に駆動電流(Id)が流れるタイミングを決定する。
バイパストランジスタ(T7)のソース電極(S7)は、有機発光素子(OLED)のアノードに接続される。
バイパストランジスタ(T7)のドレイン電極(D7)は、初期化ライン22に接続される。
バイパストランジスタ(T7)は、第3走査ライン34を介して伝達された(n+1)番目の走査信号(Sn+1)に基づいてターンオンされて、有機発光素子(OLED)のアノードを初期化させる。
ストレージキャパシタ(Cst)の第1電極(C1)は、駆動トランジスタ(T1)のゲート電極(G1)、補償トランジスタ(T3)のドレイン電極(D3)、及び初期化トランジスタ(T4)のソース電極(S4)に接続される。
有機発光素子(OLED)のカソードは、基準電圧(ELVSS)を受信する。
有機発光素子(OLED)は、駆動トランジスタ(T1)から駆動電流(Id)を受け取って発光する。
本発明の実施形態による画素(PX)で、第1発光制御トランジスタ(T5)及び第2発光制御トランジスタ(T6)は、図3を参照して説明した画素駆動回路(GDC)の発光ライン駆動回路(図示せず)から信号を受信し得る。
本発明の他の実施形態において、画素(PX)を構成するトランジスタ(T1〜T7)の個数と接続関係は多様に変更することができる。
図2及び図5を参照すると、ベース層(SUB)はガラス、金属、又はプラスチックなどの多様な材料で形成されたものであり得る。
回路素子層(DP−CL)は、ベース基板(SUB)上に配置される。
回路素子層(DP−CL)は、図3を参照して説明した画素駆動回路(GDC)、複数の信号ライン、パッド部(PD)、及び図4を参照して説明した画素(PX)のトランジスタ(T1〜T7)を含み得る。
ゲート駆動回路(GTC)と発光ライン駆動回路(ETC)のそれぞれは、複数のトランジスタと、電子素子を含むことができる。
図5において、発光ライン駆動回路(ETC)に含まれた第1トランジスタ(TFT1)を例示的に示し、ゲート駆動回路(GTC)に含まれた第2トランジスタ(TFT2)を例示的に示した。
また、図5において、画素(PX)に含まれた第3トランジスタ(TFT3)を例示的に示した。
第2トランジスタ(TFT2)は、第2半導体パターン(SM2)、第2制御電極(CE2)、第2入力電極(IE2)、及び第2出力電極(OE2)を含む。
第3トランジスタ(TFT3)は、第3半導体パターン(SM3)、第3制御電極(CE3)、第3入力電極(IE3)、及び第3出力電極(OE3)を含む。
バッファ層110は、ベース層(SUB)上に配置される。
バッファ層110は、ベース層(SUB)の面を平坦化するために、又は、第1〜第3トランジスタ(TFT1、TFT2、TFT3)の第1〜第3半導体パターン(SM1、SM2、SM3)に不純物などの浸透を防止するために配置される。
バッファ層110は、シリコンオキサイド又はシリコンナイトライドなどで形成することができる。
第1絶縁層120は、第1〜第3半導体パターン(SM1、SM2、SM3)上に配置される。
第1絶縁層120は、有機又は無機絶縁膜からなることができる。
第1〜第3制御電極(CE1、CE2、CE3)は、第1絶縁層120上に配置される。
第2絶縁層130は、第1〜第3制御電極(CE1、CE2、CE3)上に配置される。
第2絶縁層130は、有機又は無機絶縁膜からなることができる。
第1入力電極(IE1)及び第1出力電極(OE1)は、互いに離隔され、第2絶縁層130に形成されたコンタクトホール(図示せず)を通じて第1半導体パターン(SM1)に接続される。
第2入力電極(IE2)及び第2出力電極(OE2)は、互いに離隔され、第2絶縁層130に形成されたコンタクトホール(図示せず)を通じて第2半導体パターン(SM2)に接続される。
第3入力電極(IE3)及び第3出力電極(OE3)は、互いに離隔され、第2絶縁層130に形成されたコンタクトホール(図示せず)を通じて第3半導体パターン(SM3)に接続される。
例えば、第3トランジスタ(TFT3)の第3入力電極(IE3)及び第3出力電極(OE3)は、電源供給ライン(E−VSS)と同じ層上に配置されることを示したが、他の実施形態で、補助電源供給パターン(VSSP)と同じ層上に配置され、第2及び第3絶縁層(130、140)に形成されたコンタクトホールを通じて第3半導体パターン(SM3)に接続され得る。
本発明の実施形態で、電源供給ライン(E−VSS)は、第1〜第3入力電極(IE1、IE2、IE3)及び第1〜第3出力電極(OE1、OE2、OE3)と同じ層上に配置される。
本発明の実施形態で、初期化ライン(SL−Vint)及び電圧ライン(SL−VDD)は、電源供給ライン(E−VSS)と同じ層上に配置される。
電源供給ライン(E−VSS)は、単一の層又は複数の層を含むことができる。
例えば、電源供給ライン(E−VSS)は、Ti/Al/Tiが順次的に積層された構造を有することができる。
第3絶縁層140は、有機又は無機絶縁膜からなることができる。
第3絶縁層140は、第1中間絶縁層として定義され得る。
補助電源供給パターン(VSSP)は、電源供給ライン(E−VSS)と重畳し得る。
補助電源供給パターン(VSSP)は、第3絶縁層140に形成されたコンタクトホール(図示せず)を通じて電源供給ライン(E−VSS)と電気的に接続され得る。
補助電源供給パターン(VSSP)は、第1制御電極(CE1)、第1入力電極(IE1)、及び第1出力電極(OE1)よりも大きい融点を有する物質で形成することができる。
補助電源供給パターン(VSSP)は、金属、例えば、モリブデン(Mo)を含むことができる。
第4絶縁層150は、補助電源供給パターン(VSSP)の一部と重畳し得る。
第4絶縁層150は、有機又は無機絶縁膜からなることができる。
第4絶縁層150は、第2中間絶縁層として定義され得る。
画素定義膜(PDL)は、第4絶縁層150上に配置される。
画素定義膜(PDL)は、複数の開口部が定義され得る。
開口部のそれぞれには、有機発光素子(OD)が提供される。
第1電極(E1)は、回路素子層(DP−CL)上に配置される。
第1電極(E1)は、第3及び第4の絶縁層(140、150)を貫通して第3トランジスタ(TFT3)に電気的に接続される。
第1電極(E1)は、複数で提供され得る。
複数の第1電極(E1)のそれぞれの少なくとも一部は、開口部のそれぞれによって露出される。
第2電極(E2)は、複数の第1電極(E1)及び画素定義膜(PDL)に重畳し得る。
有機発光素子(OD)が複数で提供されるとき、複数の有機発光素子(OD)の第2電極(E2)に同じ電圧が印加される。
これにより、第2電極(E2)を形成するために、別途のパターニング工程を省略することができる。
一方、これは例示的に示したものであり、第2電極(E2)は、開口部のそれぞれに対応するように複数で提供することもできる。
発光層(EML)は、複数で提供され、開口部のそれぞれに配置される。
有機発光素子(OD)は、第1電極(E1)と第2電極(E2)との間の電位差に応じて発光層(EML)を活性化させ、光を生成する。
図に示していないが、有機発光素子(OD)は、第1電極(E1)と発光層(EML)との間に配置される電子制御層と、発光層(EML)と第2電極(E2)との間に配置される正孔制御層をさらに含み得る。
補助パターン(VSP)は、第1電極(E1)と同じ層上に配置され得る。
補助パターン(VSP)は、表示パネル(DP)の非表示領域(NDA)に配置され得る。
補助パターン(VSP)は、第4絶縁層150に形成されたコンタクトホール(図示せず)を通じて補助電源供給パターン(VSSP)に接続され得る。
電源供給ライン(E−VSS)は、補助電源供給パターン(VSSP)及び補助パターン(VSP)を介して第2電極(E2)に共通電圧を提供する。
シーリング部材(SL)は、補助電源供給パターン(VSSP)と封止層(ENP)との間に配置され、補助電源供給パターン(VSSP)と接触し得る。
シーリング部材(SL)は、補助電源供給パターン(VSSP)、第3絶縁層140、及び封止層(ENP)と接合するため、光硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂を含み得る。
シーリング部材(SL)は、図3の画素駆動回路(GDC)の一部である、つまり、発光ライン駆動回路(ETC)と重畳し得る。
したがって、表示パネル(DP)の非表示領域(NDA)を減少させることができる。
具体的には、補助電源供給パターン(VSSP)は、電源供給ライン(E−VSS)及び発光ライン駆動回路(ETC)の構成、すなわち、第1トランジスタ(TFT1)をカバーすることができる。
シーリング部材(SL)は、補助電源供給パターン(VSSP)と封止層(ENP)との間に硬化性物質を塗布し、封止層(ENP)の上部から下部に向かってレーザーを照射して形成することができる。
硬化性物質にレーザーを照射すると、硬化性物質で重畳した領域に配置された金属層、例えば、画素駆動回路(GDC)の素子及び電源供給ライン(E−VSS)の温度が融点以上に上昇して不良が発生する可能性がある。
このために、補助電源供給パターン(VSSP)は、電源供給ライン(E−VSS)を構成する金属層よりも大きい融点を有する物質で形成するほうが好ましい。
電源供給ライン(E−VSS)を構成する金属層が複数の層からなる場合には、補助電源供給パターン(VSSP)は、電源供給ライン(E−VSS)をなす複数の層の中で融点が一番小さい金属よりも大きな融点を有する物質を含むほうが好ましい。
発光ライン駆動回路(ETC)は、大部分の画素の動作区間の間、オン動作して補助電源供給パターン(VSSP)との間で形成されたストレーキャパシタ(stray capacitor)による影響が最小限に抑えられる。
したがって、発光ライン駆動回路(ETC)と電源供給パターン(VSSP)を重畳して、形成し、表示パネル(DP)の非表示領域(NDA)を減少させることができる。
つまり、ゲート駆動回路(GTC)から出力されるパルス信号は、画素の動作区間に比べて極一部の区間(1%未満)に該当するパルス幅を有してストレーキャパシタに起因するディレイによる波形損傷により、回路動作の不良をもたらす。
したがって、本発明の実施形態で、ゲート駆動回路(GTC)は、電源供給パターン(VSSP)と重畳して配置しないようすることもできる。
パッド部(PD)は、第1パッド層(PD1)及び第2パッド層(PD2)を含む。
第1パッド層(PD1)は、第1〜第3制御電極(CE1、CE2、CE3)と同じ層上に配置される。
第2パッド層(PD2)は、電圧ライン(SL−VDD)と同じ層上に配置される。
第2パッド層(PD2)は、第2絶縁層130に形成されたコンタクトホール(図示せず)を通じて、第1パッド層(PD1)に接触し得る。
フレキシブルプリント回路基板(FPC)は、表示パネル(DP)に付着されて表示パネル(DP)の背面へ曲がることができる。
フレキシブルプリント回路基板(FPC)は、導電性接着部材(ACF)を介してパッド部(PD)に接続される。
フレキシブルプリント回路基板(FPC)は、柔軟なベースフィルム(BF)、回路基板パッド(CPD)、及び集積回路チップ(IC)を含み得る。
回路基板パッド(CPD)は、ベースフィルム(BF)に形成され、導電性接着部材(ACF)と接触する。
集積回路チップ(IC)は、ベースフィルム(BF)上に実装されて回路基板パッド(CPD)を介して表示パネル(DP)の駆動に必要な信号を提供する。
補助電圧パターン(VDDP)は、第3絶縁層140上に配置される。
補助電圧パターン(VDDP)は、電圧ライン(SL−VDD)と重畳し得る。
補助電圧パターン(VDDP)は、第3絶縁層140に形成されたコンタクトホール(図示せず)を通じて電圧ライン(SL−VDD)と電気的に接続される。
補助電圧パターン(VDDP)は、図5を参照して説明した補助電源供給パターン(VSSP)と同じ層上に配置され、同一の物質で形成され得る。
シーリング部材(SL)は、補助電圧パターン(VDDP)と封止層(ENP)との間に配置され、補助電圧パターン(VDDP)に接触する。
補助電圧パターン(VDDP)は、電圧ライン(SL−VDD)と接続されて電源電圧を供給する配線の抵抗を減らすことができ、電源電圧を、図4を参照して説明した第1発光制御トランジスタ(T5)に均一に提供することができる。
図8は、本発明の他の実施形態による表示パネルにおいて図3のI−I’線に対応する位置で切断した断面図である。
図8を参照して説明する表示パネル(DP1)の補助電圧供給パターン(VSSP1)は、図5を参照して説明した補助電源電圧パターン(VSSP)と比較して、1つ以上のホール(HL1、HL2)が提供されるところが相違し、残りは実質的に類似する。
ただし、これに限定されるものではなく、補助電圧供給パターン(VSSP1)に第1ホール(HL1)及び第2ホール(HL2)は、それぞれ、複数個ずつ提供することができ、第1ホール(HL1)及び第2ホール(HL2)のいずれか1つのホールのみ提供することもできる。
第1ホール(HL1)及び第2ホール(HL2)は、補助電源電圧パターン(VSSP1)を貫通する。
第1ホール(HL1)は、バッファ層110及び第1〜第3絶縁層(120、130、140)の内から逆順に少なくとも一つ以上の層をさらに貫通し得る。
図8において、第1ホール(HL1)は、バッファ層110及び第1〜第3絶縁層の(120、130、140)の両方を貫通するものとして例示的に示した。
第2ホール(HL2)は、補助電源電圧パターン(VSSP1)を貫通し、バッファ層110及び第1〜第3絶縁層(120、130、140)を貫通しないようにし得る。
第3ホール(HL3)は、シーリング部材(SL)と重畳し、補助電源電圧パターン(VSSP1)と非重畳するようにし得る。
第3ホール(HL3)は、バッファ層110及び第1〜第2絶縁層(120、130)の内から逆順に少なくとも一つ以上の層をさらに貫通し得る。
図8において、第3ホール(HL3)は、バッファ層110及び第1〜第2絶縁層(120、130)の両方を貫通するものを例示的に示した。
シーリング部材(SL)は、硬化性物質にガラス原料を混合した物質で形成することができる。
シーリング部材(SL)は、金属に比べて、絶縁層とガラスで形成されたベース層(SUB)とさらに堅固に接着される。
図10は、本発明の他の実施形態による表示パネルにおいて図3のII−II’線に対応する位置で切断した断面図である。
図9には、1つのパッド部(PD)が、第1及び第2のデータライン(DL1、DL2)に接続されたものを例示的に示した。
デマルチプレクサ(DX)は、第1スイッチ素子(SW1)及び第2スイッチ素子(SW2)を含む。
第1スイッチ素子(SW1)は、第1制御信号(CS1)によってターンオンされ、第2スイッチ素子(SW2)は、第2制御信号(CS2)によってターンオンされる。
第1及び第2スイッチ素子(SW1、SW2)は、相異なるタイミングでターンオンされ得る。
パッド部(PD)に印加された信号は、相異なるタイミングでターンオンされる第1及び第2スイッチ素子(SW1、SW2)により、第1及び第2データライン(DL1、DL2)に相異なるデータを提供することができる。
デマルチプレクサ(DX)に含まれた第1及び第2スイッチ素子(SW1、SW2)は第3トランジスタ(TFT3)と同じ構造を有し得る。
図10には、第1スイッチ素子(SW1)を例示的に示した。
第1スイッチ素子(SW1)は、第4半導体パターン(SM4)、第4制御電極(CE4)、第4入力電極(IE4)、及び第4出力電極(OE4)を含む。
静電気防止パターン(ESD)は、それぞれが、複数個のアイランド形状(島形状)で提供され得る。
静電気防止パターン(ESD)は、フローティングされた状態で提供され、互いに離隔される。
静電気防止パターン(ESD)は、多様な層に形成することができ、金属物質を含み得る。
本発明の実施形態では、静電気防止パターン(ESD)は、第3トランジスタ(TFT3)の第3制御電極(CE3)と同じ層上に配置されたものを例示的に示した。
静電気防止パターン(ESD)は、外部から発生した静電気が表示領域(DA)に備えられた素子に流入することを防止できる。
第1スイッチ素子(SW1)は、シーリング部材(SL)と重畳し得る。
なお、補助電圧パターン(VDDP)は、静電気防止パターン(ESD)をカバーし得る。
静電気防止パターン(ESD)は、シーリング部材(SL)と重畳し得る。
本発明の実施形態による表示装置によれば、補助電圧パターン(VDDP)を第4制御電極(CE4)、第4入力電極(IE4)、及び第4出力電極(OE4)よりも大きい融点を有する物質で形成するほうが好ましい。
補助電圧パターン(VDDP)を第1スイッチ素子(SW1)及び静電気防止パターン(ESD)と重畳して配置することにより、レーザー照射による、第1スイッチ素子(SW1)及び静電気防止パターン(ESD)の不良を防止できる。
120、130、140、150 第1〜第4絶縁層
1000 表示装置
BA ベゼル領域
CE1〜CE3 第1〜第3制御電極
DA 表示領域
DL データライン
DM 表示モジュール
DM−DA 表示領域
DM−NDA 非表示領域
DP 表示パネル
DP−CL 回路素子層
DP−OLED 表示素子層
E1 第1電極
E2 第2電極
E−VSS 電源供給ライン
EL 発光ライン
EML 発光層
ENP 封止層
ETC 発光ライン駆動回路
ETCA 発光ライン駆動回路領域
GDC 画素駆動回路
GL 走査ライン
GTC ゲート駆動回路
GTCA ゲート駆動回路領域
HM ハウジング部材
NDA 非表示領域
IE1〜IE3 第1〜第3入力電極
IS 表示面
OD 有機発光素子
OE1〜OE3 第1〜第3出力電極
PD パッド部
PDL 画素定義膜
PX 画素
SL シーリング部材
SL−D 制御信号ライン
SL−VDD 電圧ライン
SL−Vint 初期化ライン
SM1〜SM3 第1〜第3半導体パターン
SUB ベース層
TA 透過領域
TFT1〜TFT3 第1〜第3トランジスタ
TS タッチ検出ユニット
VDDP 補助電圧パターン
VSP 補助パターン
VSSP 補助電源供給パターン
WM ウィンドウ(Window)部材
Claims (10)
- 表示領域と、前記表示領域に隣接した非表示領域とが定義されたベース層と、
前記ベース層上に配置され、共通電圧を受信する電源供給ラインと、前記電源供給ライン上に重畳して配置され、前記電源供給ラインと接続される補助電源供給パターンと、を含む回路素子層と、
前記回路素子層上に配置される第1電極と、前記第1電極上に配置される発光層と、前記発光層上に配置され、前記補助電源供給パターンに電気的に接続される第2電極と、を含む表示素子層と、
前記表示素子層上に配置される封止層と、
前記回路素子層と前記封止層との間に配置され、平面上で前記非表示領域内に前記補助電源供給パターンと重畳して配置されるシーリング部材と、を有することを特徴とする有機発光表示装置。 - 前記補助電源供給パターンは、前記シーリング部材と接触することを特徴とする請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記表示素子層は、前記非表示領域内に配置され、前記第1電極と同じ層上に配置され、前記補助電源供給パターンに接続される補助パターンをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記回路素子層は、前記電源供給ラインと前記補助電源供給パターンとの間に配置され、前記電源供給ラインと前記補助電源パターンとが接続されるコンタクトホールが提供される第1中間絶縁層と、
前記補助電源供給パターンと前記補助パターンとの間に配置され、前記補助電源供給パターンと前記補助パターンとが接続されるコンタクトホールが提供される第2中間絶縁層と、をさらに含み、
前記表示素子層は、前記補助パターンと前記第2電極との間に配置され、前記補助パターンと前記第2電極とが接続されるコンタクトホールと、
前記発光層が配置される開口部が提供される画素定義膜と、をさらに含むことを特徴とする請求項3に記載の有機発光表示装置。 - 前記回路素子層は、走査信号を受信する制御電極と、データ信号を受信する入力電極と、出力電極と、を含むスイッチングトランジスタと、
前記スイッチングトランジスタの前記出力電極に接続される入力電極を有する駆動トランジスタと、
発光信号を受信する制御電極を含み、電圧ラインと前記駆動トランジスタとの間に接続されるか、あるいは、前記駆動トランジスタと前記第1電極との間に接続される発光制御トランジスタと、をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の有機発光表示装置。 - 前記回路素子層は、前記発光制御トランジスタに前記発光信号を提供する発光ライン駆動回路と、
前記スイッチングトランジスタに前記走査信号を提供するゲート駆動回路と、をさらに含み、
平面上で、前記発光ライン駆動回路は、前記ゲート駆動回路に比べて前記表示領域からさらに遠くに配置されることを特徴とする請求項5に記載の有機発光表示装置。 - 前記補助電源供給パターンは、前記発光ライン駆動回路と重畳することを特徴とする請求項6に記載の有機発光表示装置。
- 前記補助電源供給パターンは、前記電源供給ラインより融点が大きな物質を含むことを特徴とする請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記回路素子層は、前記共通電圧よりも大きい電源電圧を受信する電圧ラインと、前記電圧ラインの上部に配置され、前記電圧ラインと接続された補助電圧パターンと、をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記補助電圧パターンは、前記補助電源供給パターンと同じ層上に配置され、前記シーリング部材と重畳することを特徴とする請求項9に記載の有機発光表示装置。
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