KR20220039976A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20220039976A
KR20220039976A KR1020200122471A KR20200122471A KR20220039976A KR 20220039976 A KR20220039976 A KR 20220039976A KR 1020200122471 A KR1020200122471 A KR 1020200122471A KR 20200122471 A KR20200122471 A KR 20200122471A KR 20220039976 A KR20220039976 A KR 20220039976A
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touch
display
period
frame period
driver
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KR1020200122471A
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박재현
김태준
박정목
이정구
이지영
조현욱
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

표시 장치가 제공된다. 표시 장치는 복수의 화소를 포함하는 표시부, 상기 표시부 상에 배치되고 복수의 터치 전극을 포함하는 터치 센싱부, 상기 터치 센싱부를 제1 주파수로 구동시키고, 터치 프레임 기간 중 터치 센싱 구간 동안 상기 복수의 터치 전극에 터치 구동 신호를 공급하며, 상기 터치 프레임 기간 중 터치 대기 구간 동안 상기 터치 구동 신호의 공급을 중단시키는 터치 구동부, 및 상기 표시부를 일반 모드에서 상기 제1 주파수보다 낮은 제2 주파수로 구동시키고, 표시 프레임 기간 중 표시 구간 동안 상기 복수의 화소에 스캔 신호를 공급하며, 상기 표시 프레임 기간 중 표시 대기 구간 동안 상기 스캔 신호의 공급을 중단시키는 표시 구동부를 포함하고, 상기 표시 구동부가 상기 일반 모드에서 제1 저속 모드로 변경되는 경우, 상기 표시 구동부는 상기 표시부를 상기 제2 주파수보다 낮은 제3 주파수로 구동시키고, 상기 터치 구동부는 상기 터치 프레임 기간 중 상기 터치 대기 구간을 증가시킨다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 영상을 표시하기 위한 표시 장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 예를 들어, 표시 장치는 스마트폰, 디지털 카메라, 노트북 컴퓨터, 네비게이션, 및 스마트 텔레비전과 같이 다양한 전자기기에 적용되고 있다. 표시 장치는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display Device), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display Device) 등과 같은 평판 표시 장치일 수 있다. 이러한 평판 표시 장치 중에서 발광 표시 장치는 표시 패널의 화소들 각각이 스스로 발광할 수 있는 발광 소자를 포함함으로써, 표시 패널에 광을 제공하는 백라이트 유닛 없이도 화상을 표시할 수 있다.
최근에는 스마트 폰이나 태블릿 PC를 중심으로 터치 입력을 인식하는 터치 센싱부가 표시 장치의 입력 장치로 많이 적용되고 있다. 터치 센싱부는 사용자의 터치 입력 여부를 판단하고, 해당 위치를 터치 입력 좌표로 산출한다. 표시부와 터치 센싱부를 동시에 구동하는 경우, 표시부와 터치 센싱부의 하모닉(Harmonic) 성분 변화에 따라 화질 왜곡이 발생할 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 표시 구동부가 저속 구동을 수행하는 경우, 터치 감도의 신뢰성을 유지하면서 화질 왜곡을 최소화할 수 있는 표시 장치를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예의 표시 장치는 복수의 화소를 포함하는 표시부, 상기 표시부 상에 배치되고 복수의 터치 전극을 포함하는 터치 센싱부, 상기 터치 센싱부를 제1 주파수로 구동시키고, 터치 프레임 기간 중 터치 센싱 구간 동안 상기 복수의 터치 전극에 터치 구동 신호를 공급하며, 상기 터치 프레임 기간 중 터치 대기 구간 동안 상기 터치 구동 신호의 공급을 중단시키는 터치 구동부, 및 상기 표시부를 일반 모드에서 상기 제1 주파수보다 낮은 제2 주파수로 구동시키고, 표시 프레임 기간 중 표시 구간 동안 상기 복수의 화소에 스캔 신호를 공급하며, 상기 표시 프레임 기간 중 표시 대기 구간 동안 상기 스캔 신호의 공급을 중단시키는 표시 구동부를 포함하고, 상기 표시 구동부가 상기 일반 모드에서 제1 저속 모드로 변경되는 경우, 상기 표시 구동부는 상기 표시부를 상기 제2 주파수보다 낮은 제3 주파수로 구동시키고, 상기 터치 구동부는 상기 터치 프레임 기간 중 상기 터치 대기 구간을 증가시킬 수 있다.
상기 터치 센싱 구간은 상호 정전 용량 구간 및 자기 정전 용량 구간을 포함하고, 상기 터치 구동부는 상기 상호 정전 용량 구간에서 상기 복수의 터치 전극 중 일부의 터치 전극들에 터치 구동 신호를 공급하고, 상기 복수의 터치 전극 중 다른 일부의 터치 전극들로부터 터치 센싱 신호를 수신하여 상기 복수의 터치 전극 사이의 정전 용량의 변화량을 센싱하며, 상기 터치 구동부는 상기 자기 정전 용량 구간에서 상기 복수의 터치 전극에 터치 구동 신호를 공급하여 상기 복수의 터치 전극의 전하 변화량을 센싱할 수 있다.
상기 표시 구동부가 상기 일반 모드로 구동되는 경우, 상기 터치 구동부는 상기 터치 프레임 기간 동안 상기 자기 정전 용량 구간, 상기 상호 정전 용량 구간, 및 상기 터치 대기 구간을 순차적으로 수행할 수 있다.
상기 표시 구동부가 상기 제1 저속 모드로 변경되는 경우, 상기 터치 구동부는 상기 터치 프레임 기간 중 상기 상호 정전 용량 구간 또는 자기 정전 용량 구간의 수행을 생략할 수 있다.
상기 표시 구동부가 상기 일반 모드에서 상기 제1 저속 모드로 변경되는 경우, 상기 터치 구동부는 제1 표시 프레임 기간의 표시 구간에 대응되는 제1 터치 프레임 기간 동안 상기 자기 정전 용량 구간의 수행을 생략하고, 상기 제1 터치 프레임 기간 직후의 제2 터치 프레임 기간 동안 상기 상호 정전 용량 구간의 수행을 생략할 수 있다.
상기 표시 구동부가 상기 제1 저속 모드로 구동되는 경우, 상기 터치 구동부는 제1 표시 프레임 기간의 표시 구간에 대응되는 제1 터치 프레임 기간 동안 상기 터치 대기 구간, 상기 상호 정전 용량 구간, 및 상기 터치 대기 구간을 순차적으로 수행하고, 상기 제1 터치 프레임 기간 직후의 제2 터치 프레임 기간 동안 상기 자기 정전 용량 구간 및 상기 터치 대기 구간을 순차적으로 수행할 수 있다.
상기 표시 구동부가 상기 일반 모드에서 상기 제1 저속 모드로 변경되는 경우, 상기 터치 구동부는 상기 제1 표시 프레임 기간 직후의 제2 표시 프레임 기간의 표시 구간에 대응되는 제3 터치 프레임 기간 동안 상기 자기 정전 용량 구간의 수행을 생략하고, 상기 제3 터치 프레임 기간 직후의 제4 터치 프레임 기간 동안 상기 상호 정전 용량 구간의 수행을 생략할 수 있다.
상기 표시 구동부가 상기 제1 저속 모드로 구동되는 경우, 상기 터치 구동부는 상기 제1 표시 프레임 기간 직후의 제2 표시 프레임 기간의 표시 구간에 대응되는 제3 터치 프레임 기간 동안 상기 터치 대기 구간, 상기 상호 정전 용량 구간, 및 상기 터치 대기 구간을 순차적으로 수행하고, 상기 제3 터치 프레임 기간 직후의 제4 터치 프레임 기간 동안 상기 자기 정전 용량 구간 및 상기 터치 대기 구간을 순차적으로 수행할 수 있다.
상기 표시 구동부가 상기 일반 모드에서 상기 제1 저속 모드로 변경되는 경우, 상기 터치 구동부는 상기 제1 표시 프레임 기간 직후의 제2 표시 프레임 기간의 표시 구간에 대응되는 제3 터치 프레임 기간 동안 상기 상호 정전 용량 구간의 수행을 생략하고, 상기 제3 터치 프레임 기간 직후의 제4 터치 프레임 기간 동안 상기 자기 정전 용량 구간의 수행을 생략할 수 있다.
상기 표시 구동부가 상기 제1 저속 모드로 구동되는 경우, 상기 터치 구동부는 상기 제1 표시 프레임 기간 직후의 제2 표시 프레임 기간의 표시 구간에 대응되는 제3 터치 프레임 기간 동안 상기 터치 대기 구간, 상기 자기 정전 용량 구간, 및 상기 터치 대기 구간을 순차적으로 수행하고, 상기 제3 터치 프레임 기간 직후의 제4 터치 프레임 기간 동안 상기 상호 정전 용량 구간 및 상기 터치 대기 구간을 순차적으로 수행할 수 있다.
상기 표시 구동부가 상기 제1 저속 모드로 구동되는 경우, 상기 터치 구동부는 상기 제1 표시 프레임 기간 직후의 제2 표시 프레임 기간의 표시 구간에 대응되는 제3 터치 프레임 기간 동안 상기 상호 정전 용량 구간 및 상기 터치 대기 구간을 순차적으로 수행하고, 상기 제3 터치 프레임 기간 직후의 제4 터치 프레임 기간 동안 상기 터치 대기 구간, 상기 자기 정전 용량 구간, 및 상기 터치 대기 구간을 순차적으로 수행할 수 있다.
상기 표시 구동부가 상기 제1 저속 모드로 구동되는 경우, 상기 터치 구동부는 상기 표시 대기 구간에 대응되는 터치 프레임 기간 동안 상기 자기 정전 용량 구간, 상기 상호 정전 용량 구간, 및 상기 터치 대기 구간을 순차적으로 수행할 수 있다.
상기 표시 구동부가 상기 일반 모드에서 제2 저속 모드로 변경되는 경우, 상기 표시 구동부는 상기 표시부를 상기 제3 주파수보다 낮은 제4 주파수로 구동시키고, 상기 터치 구동부는 상기 표시 구간에 대응되는 터치 프레임 기간 중 상기 터치 대기 구간을 증가시킬 수 있다.
상기 표시 구동부가 상기 일반 모드에서 상기 제2 저속 모드로 변경되는 경우, 상기 터치 구동부는 상기 터치 프레임 기간 중 상기 상호 정전 용량 구간 또는 자기 정전 용량 구간의 수행을 생략할 수 있다.
상기 제2 저속 모드에서 하나의 표시 대기 구간에 대응되는 터치 프레임 기간은 상기 제1 저속 모드에서 하나의 표시 대기 구간에 대응되는 터치 프레임 기간보다 길 수 있다.
상기 제1 저속 모드에서 하나의 표시 프레임 기간 중 표시 구간의 길이는 상기 제2 저속 모드에서 하나의 표시 프레임 기간 중 표시 구간의 길이와 동일할 수 있다.
상기 표시 구동부가 상기 일반 모드에서 상기 제2 저속 모드로 변경되는 경우, 상기 터치 구동부는 제1 표시 프레임 기간의 표시 구간에 대응되는 제1 터치 프레임 기간 동안 상기 자기 정전 용량 구간의 수행을 생략하고, 상기 제1 터치 프레임 기간 직후의 제2 터치 프레임 기간 동안 상기 상호 정전 용량 구간의 수행을 생략할 수 있다.
상기 표시 구동부가 상기 일반 모드에서 상기 제2 저속 모드로 변경되는 경우, 상기 터치 구동부는 상기 제1 표시 프레임 기간 직후의 제2 표시 프레임 기간의 표시 구간에 대응되는 제3 터치 프레임 기간 동안 상기 자기 정전 용량 구간의 수행을 생략하고, 상기 제3 터치 프레임 기간 직후의 제4 터치 프레임 기간 동안 상기 상호 정전 용량 구간의 수행을 생략할 수 있다.
상기 표시 구동부가 상기 일반 모드에서 상기 제2 저속 모드로 변경되는 경우, 상기 터치 구동부는 상기 제1 표시 프레임 기간 직후의 제2 표시 프레임 기간의 표시 구간에 대응되는 제3 터치 프레임 기간 동안 상기 상호 정전 용량 구간의 수행을 생략하고, 상기 제3 터치 프레임 기간 직후의 제4 터치 프레임 기간 동안 상기 자기 정전 용량 구간의 수행을 생략할 수 있다.
상기 표시 구동부가 상기 제2 저속 모드로 구동되는 경우, 상기 터치 구동부는 상기 제1 표시 프레임 기간 직후의 제2 표시 프레임 기간의 표시 구간에 대응되는 제3 터치 프레임 기간 동안 상기 자기 정전 용량 구간 및 상기 터치 대기 구간을 순차적으로 수행하고, 상기 제3 터치 프레임 기간 직후의 제4 터치 프레임 기간 동안 상기 터치 대기 구간, 상기 상호 정전 용량 구간, 및 상기 터치 대기 구간을 순차적으로 수행할 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
실시예들에 따른 표시 장치에 의하면, 표시 구동부는 표시 구동부가 일반 모드에서 저속 모드로 변경되는 경우, 표시 프레임 기간의 표시 구간에 대응되는 터치 프레임 기간 중 상호 정전 용량 구간 또는 자기 정전 용량 구간의 수행을 생략함으로써, 화질 왜곡 성분을 감소시킬 수 있다. 표시 구동부는 표시 프레임 기간의 표시 대기 구간에 대응되는 터치 프레임 기간 동안 자기 정전 용량 구간, 상호 정전 용량 구간, 및 터치 대기 구간을 순차적으로 수행함으로써, 터치 감도의 신뢰성을 유지할 수 있다. 따라서, 터치 구동부는 표시 구동부가 저속 모드로 변경되는 경우, 터치 감도의 신뢰성을 유지하면서 화질 왜곡을 최소화할 수 있다.
실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 사시도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시 장치의 터치 센싱부를 나타내는 평면도이다.
도 4는 도 3의 A1 영역의 확대도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타내는 확대도이다.
도 6은 도 5의 선 I-I'을 따라 자른 단면도이다.
도 7은 일 실시예에 따른 표시 장치에서, 터치 센싱부와 터치 구동부를 나타내는 블록도이다.
도 8은 일 실시예에 따른 표시 장치에서, 일반 모드에서 표시 구동부와 터치 구동부의 동작을 나타내는 타이밍도이다.
도 9는 일 실시예에 따른 표시 장치에서, 제1 저속 모드에서 표시 구동부와 터치 구동부의 동작을 나타내는 타이밍도이다.
도 10은 일 실시예에 따른 표시 장치에서, 제2 저속 모드에서 표시 구동부와 터치 구동부의 동작을 나타내는 타이밍도이다.
도 11은 다른 실시예에 따른 표시 장치에서, 제1 저속 모드에서 표시 구동부와 터치 구동부의 동작을 나타내는 타이밍도이다.
도 12는 다른 실시예에 따른 표시 장치에서, 제2 저속 모드에서 표시 구동부와 터치 구동부의 동작을 나타내는 타이밍도이다.
도 13은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치에서, 제1 저속 모드에서 표시 구동부와 터치 구동부의 동작을 나타내는 타이밍도이다.
도 14는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치에서, 제2 저속 모드에서 표시 구동부와 터치 구동부의 동작을 나타내는 타이밍도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 실시예들을 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되지 않는다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 구체적인 실시예들에 대해 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 사시도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(10)는 모바일 폰(Mobile Phone), 스마트 폰(Smart Phone), 태블릿 PC(Tablet Personal Computer), 이동 통신 단말기, 전자 수첩, 전자 책, PMP(Portable Multimedia Player), 네비게이션, UMPC(Ultra Mobile PC) 등과 같은 휴대용 전자 기기에 적용될 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(10)는 텔레비전, 노트북, 모니터, 광고판, 또는 사물 인터넷(Internet Of Things, IOT)의 표시부로 적용될 수 있다. 다른 예를 들어, 표시 장치(10)는 스마트 워치(Smart Watch), 워치 폰(Watch Phone), 안경형 디스플레이, 및 헤드 장착형 디스플레이(Head Mounted Display, HMD)와 같이 웨어러블 장치(Wearable Device)에 적용될 수 있다. 또 다른 예를 들어, 표시 장치(10)는 자동차의 계기판, 자동차의 센터페시아(Center Fascia), 자동차의 대쉬 보드에 배치된 CID(Center Information Display), 자동차의 사이드 미러를 대신하는 룸 미러 디스플레이(Room Mirror Display), 또는 자동차의 뒷좌석용 엔터테인먼트로서 앞좌석의 배면에 배치되는 디스플레이에 적용될 수 있다.
제1 방향(X축 방향)은 표시 장치(10)의 단변 방향으로, 예를 들어 표시 장치(10)의 가로 방향일 수 있다. 제2 방향(Y축 방향)은 표시 장치(10)의 장변 방향으로, 예를 들어 표시 장치(10)의 세로 방향일 수 있다. 제3 방향(Z축 방향)은 표시 장치(10)의 두께 방향일 수 있다.
표시 장치(10)는 사각형과 유사한 평면 형태로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(10)는 제1 방향(X축 방향)의 단변과 제2 방향(Y축 방향)의 장변을 갖는 사각형과 유사한 평면 형태를 가질 수 있다. 제1 방향(X축 방향)의 단변과 제2 방향(Y축 방향)의 장변이 만나는 모서리는 소정의 곡률을 갖도록 둥글게 형성되거나 직각으로 형성될 수 있다. 표시 장치(10)의 평면 형태는 사각형에 한정되지 않고, 다른 다각형, 원형 또는 타원형과 유사하게 형성될 수 있다.
표시 장치(10)는 표시 패널(100), 표시 구동부(200), 회로 보드(300), 및 터치 구동부(400)를 포함할 수 있다.
표시 패널(100)은 메인 영역(MA) 및 서브 영역(SBA)을 포함할 수 있다.
메인 영역(MA)은 영상을 표시하는 화소들을 구비한 표시 영역(DA), 및 표시 영역(DA)의 주변에 배치된 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)은 복수의 발광 영역 또는 복수의 개구 영역으로부터 광을 방출할 수 있다. 예를 들어, 표시 패널(100)은 스위칭 소자들을 포함하는 화소 회로, 발광 영역 또는 개구 영역을 정의하는 화소 정의막, 및 자발광 소자(Self-Light Emitting Element)를 포함할 수 있다.
예를 들어, 자발광 소자는 유기 발광층을 포함하는 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode), 양자점 발광층을 포함하는 양자점 발광 다이오드(Quantum dot Light Emitting Diode), 및 무기 반도체를 포함하는 무기 발광 다이오드(Inorganic Light Emitting Diode) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 바깥쪽 영역일 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 패널(100)의 메인 영역(MA)의 가장자리 영역으로 정의될 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 스캔 배선들에 스캔 신호들을 공급하는 스캔 구동부(미도시), 및 표시 구동부(200)와 표시 영역(DA)을 연결하는 팬 아웃 배선들(미도시)을 포함할 수 있다.
서브 영역(SBA)은 메인 영역(MA)의 일측으로부터 연장될 수 있다. 서브 영역(SBA)은 벤딩(Bending), 폴딩(Folding), 롤링(Rolling) 등이 가능한 플렉서블(Flexible) 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 서브 영역(SBA)이 벤딩되는 경우, 서브 영역(SBA)은 메인 영역(MA)과 제3 방향(Z축 방향)으로 중첩될 수 있다. 서브 영역(SBA)은 표시 구동부(200), 및 회로 보드(300)와 접속되는 패드부를 포함하 수 있다.
표시 구동부(200)는 표시 패널(100)을 구동하기 위한 신호들과 전압들을 출력할 수 있다. 표시 구동부(200)는 데이터 라인들에 데이터 전압들을 공급할 수 있다. 표시 구동부(200)는 전원 라인에 전원 전압을 공급하며, 스캔 구동부에 스캔 제어 신호들을 공급할 수 있다. 표시 구동부(200)는 집적 회로(Integrated Circuit, IC)로 형성되어 COG(Chip on Glass) 방식, COP(Chip on Plastic) 방식, 또는 초음파 접합 방식으로 표시 패널(100) 상에 실장될 수 있다. 예를 들어, 표시 구동부(200)는 서브 영역(SBA)에 배치될 수 있고, 서브 영역(SBA)의 벤딩에 의해 메인 영역(MA)과 제3 방향(Z축 방향)으로 중첩될 수 있다. 다른 예를 들어, 표시 구동부(200)는 회로 보드(300) 상에 실장될 수 있다.
회로 보드(300)는 이방성 도전 필름(Anisotropic Conductive Film, ACF)을 이용하여 표시 패널(100)의 패드부 상에 부착될 수 있다. 이로 인해, 회로 보드(300)의 리드 라인들은 표시 패널(100)의 패드부에 전기적으로 연결될 수 있다. 회로 보드(300)는 연성 인쇄 회로 보드(Flexible Printed Circuit Board), 인쇄 회로 보드(Printed Circuit Board), 또는 칩 온 필름(Chip on Film)과 같은 연성 필름(Flexible Film)일 수 있다.
터치 구동부(400)는 회로 보드(300) 상에 실장될 수 있다. 터치 구동부(400)는 표시 패널(100)의 터치 센싱부에 연결될 수 있다. 터치 구동부(400)는 터치 센싱부의 복수의 터치 전극에 터치 구동 신호를 공급하고, 복수의 터치 전극 사이의 정전 용량의 변화량을 센싱할 수 있다. 예를 들어, 터치 구동 신호는 복수의 구동 펄스를 갖는 신호일 수 있다. 터치 구동부(400)는 복수의 터치 전극 사이의 정전 용량의 변화량을 기초로 터치 입력 여부 및 터치 좌표들을 산출할 수 있다. 터치 구동부(400)는 집적 회로(IC)로 형성될 수 있다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 표시 패널(100)은 표시부(DU) 및 터치 센싱부(TSU)를 포함할 수 있다. 표시부(DU)는 기판(SUB), 박막 트랜지스터층(TFTL), 발광 소자층(EML), 및 봉지층(TFEL)을 포함할 수 있다.
기판(SUB)은 베이스 기판 또는 베이스 부재일 수 있고, 고분자 수지 등의 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 기판(SUB)은 벤딩(Bending), 폴딩(Folding), 롤링(Rolling) 등이 가능한 플렉서블(Flexible) 기판일 수 있다. 기판(SUB)이 플렉서블 기판인 경우, 폴리이미드(PI)로 형성될 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.
박막 트랜지스터층(TFTL)은 기판(SUB) 상에 배치될 수 있다. 박막 트랜지스터층(TFTL)은 화소들의 화소 회로를 구성하는 복수의 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터층(TFTL)은 스캔 라인들, 데이터 라인들, 전원 라인들, 스캔 제어 라인들, 표시 구동부(200)와 데이터 라인들을 연결하는 팬 아웃 라인들, 표시 구동부(200)와 패드부를 연결하는 패드 연결 라인들 등을 더 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터들 각각은 반도체 영역, 소스 전극, 드레인 전극, 및 게이트 전극을 포함할 수 있다. 예를 들어, 스캔 구동부가 표시 패널(100)의 비표시 영역(NDA)의 일측에 형성되는 경우, 스캔 구동부는 박막 트랜지스터들을 포함할 수 있다.
박막 트랜지스터층(TFTL)은 표시 영역과 비표시 영역에 배치될 수 있다. 박막 트랜지스터층(TFTL)의 화소들 각각의 박막 트랜지스터들, 스캔 라인들, 데이터 라인들, 및 전원 라인들은 표시 영역(DA)에 배치될 수 있다. 박막 트랜지스터층(TFTL)의 스캔 제어 라인들, 팬 아웃 라인들, 및 패드 연결 라인들은 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다.
발광 소자층(EML)은 박막 트랜지스터층(TFTL) 상에 배치될 수 있다. 발광 소자층(EML)은 제1 전극, 발광층, 및 제2 전극이 순차적으로 적층되어 광을 발광하는 복수의 발광 소자, 및 화소들을 정의하는 화소 정의막을 포함할 수 있다. 발광 소자층(EML)의 복수의 발광 소자는 표시 영역(DA)에 배치될 수 있다.
예를 들어, 발광층은 유기 물질을 포함하는 유기 발광층일 수 있다. 발광층은 정공 수송층(Hole Transporting Layer), 유기 발광층(Organic Light Emitting Layer), 및 전자 수송층(Electron Transporting Layer)을 포함할 수 있다. 제1 전극이 박막 트랜지스터층(TFTL)의 박막 트랜지스터를 통해 소정의 전압을 인가 받고, 제2 전극이 캐소드 전압을 인가 받으면, 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 유기 발광층으로 이동될 수 있고, 유기 발광층에서 서로 결합하여 발광할 수 있다. 예를 들어, 제1 전극은 애노드 전극이고, 제2 전극은 캐소드 전극일 수 있다.
다른 예를 들어, 발광 소자층(EML)은 양자점 발광층을 포함하는 양자점 발광 다이오드 또는 무기 반도체를 포함하는 무기 발광 다이오드를 포함할 수 있다.
봉지층(TFEL)은 발광 소자층(EML)의 상면과 측면을 덮을 수 있고, 발광 소자층(EML)을 보호할 수 있다. 봉지층(TFEL)은 발광 소자층(EML)을 봉지하기 위한 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 유기막을 포함할 수 있다.
터치 센싱부(TSU)는 봉지층(TFEL) 상에 배치될 수 있다. 터치 센싱부(TSU)는 정전 용량 방식으로 사용자의 터치를 감지하기 위한 복수의 터치 전극, 복수의 터치 전극과 터치 구동부(400)를 접속시키는 센싱 라인들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 터치 센싱부(TSU)는 자기 정전 용량(Self-Capacitance) 방식 또는 상호 정전 용량(Mutual Capacitance) 방식으로 사용자의 터치를 센싱할 수 있다.
다른 예를 들어, 터치 센싱부(TSU)는 표시부(DU) 상에 배치된 별도의 기판 상에 배치될 수 있다. 이 경우, 터치 센싱부(TSU)를 지지하는 기판은 표시부(DU)를 봉지하는 베이스 부재일 수 있다.
터치 센싱부(TSU)의 복수의 터치 전극은 표시 영역(DA)과 중첩되는 터치 센서 영역에 배치될 수 있다. 터치 센싱부(TSU)의 센싱 라인들은 비표시 영역(NDA)과 중첩되는 터치 주변 영역에 배치될 수 있다.
예를 들어, 편광 필름과 커버 윈도우는 터치 센싱부(TSU) 상에 추가로 배치될 수 있다. 편광 필름은 터치 센싱부(TSU) 상에 배치될 수 있고, 커버 윈도우는 접착 부재에 의해 편광 필름 상에 배치될 수 있다.
표시 패널(100)의 서브 영역(SBA)은 메인 영역(MA)의 일측으로부터 연장될 수 있다. 서브 영역(SBA)은 벤딩(Bending), 폴딩(Folding), 롤링(Rolling) 등이 가능한 플렉서블(Flexible) 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 서브 영역(SBA)이 벤딩되는 경우, 서브 영역(SBA)은 메인 영역(MA)과 제3 방향(Z축 방향)으로 중첩될 수 있다. 서브 영역(SBA)은 표시 구동부(200), 및 회로 보드(300)와 접속되는 패드부를 포함할 수 있다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시 장치의 터치 센싱부를 나타내는 평면도이다.
도 3을 참조하면, 터치 센싱부(TSU)는 사용자의 터치를 감지하는 터치 센서 영역(TSA), 및 터치 센서 영역(TSA)의 주변에 배치되는 터치 주변 영역(TPA)을 포함할 수 있다. 터치 센서 영역(TSA)은 표시 패널(100)의 표시 영역(DA)에 중첩될 수 있고, 터치 주변 영역(TPA)은 표시 패널(100)의 비표시 영역(NDA)에 중첩될 수 있다.
터치 센서 영역(TSA)은 복수의 터치 전극(SEN) 및 복수의 더미 전극(DME)을 포함할 수 있다. 복수의 터치 전극(SEN)은 물체 또는 사람의 터치를 감지하기 위해 상호 정전 용량 또는 자기 정전 용량을 형성할 수 있다. 복수의 터치 전극(SEN)은 복수의 구동 전극(TE) 및 복수의 감지 전극(RE)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 구동 전극(TE)은 제1 터치 전극으로 정의될 수 있고, 감지 전극(RE)은 제2 터치 전극으로 정의될 수 있다. 다른 예를 들어, 구동 전극(TE)은 제2 터치 전극으로 정의되고, 감지 전극(RE)은 제1 터치 전극으로 정의될 수 있다.
복수의 구동 전극(TE)은 제1 방향(X축 방향) 및 제2 방향(Y축 방향)으로 배열될 수 있다. 복수의 구동 전극(TE)은 제1 방향(X축 방향) 및 제2 방향(Y축 방향)으로 서로 이격될 수 있다. 제2 방향(Y축 방향)으로 인접한 구동 전극들(TE)은 브릿지 전극(CE)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다.
복수의 구동 전극(TE)은 제1 구동 라인(TL1) 및 제2 구동 라인(TL2)을 통해 제1 터치 패드부(TP1)에 접속될 수 있다. 예를 들어, 터치 센서 영역(TSA)의 하측에 배치된 일부의 구동 전극들(TE)은 제1 구동 라인(TL1)을 통해 제1 터치 패드부(TP1)에 접속될 수 있고, 터치 센서 영역(TSA)의 상측에 배치된 다른 일부의 구동 전극들(TE)은 제2 구동 라인(TL2)을 통해 제1 터치 패드부(TP1)에 접속될 수 있다. 제1 구동 라인(TL1)은 터치 주변 영역(TPA)의 하측을 지나 제1 터치 패드부(TP1)까지 연장될 수 있다. 제2 구동 라인(TL2)은 터치 주변 영역(TPA)의 상측, 좌측, 및 하측을 경유하여 제1 터치 패드부(TP1)까지 연장될 수 있다. 제1 터치 패드부(TP1)는 회로 보드(300)를 통해 터치 구동부(400)에 접속될 수 있다.
브릿지 전극(CE)은 적어도 한 번 절곡될 수 있다. 예를 들어, 브릿지 전극(CE)은 꺾쇠 형태(“<” 또는 “>”)를 가질 수 있으나, 브릿지 전극(CE)의 평면 형태는 이에 한정되지 않는다. 제2 방향(Y축 방향)으로 서로 인접한 구동 전극들(TE)은 복수의 브릿지 전극(CE)에 의해 연결될 수 있고, 브릿지 전극들(CE) 중 어느 하나가 단선되더라도 구동 전극들(TE)은 나머지 브릿지 전극(CE)을 통해 안정적으로 연결될 수 있다. 서로 인접한 구동 전극들(TE)은 두 개의 브릿지 전극(CE)에 의해 연결될 수 있으나, 브릿지 전극들(CE)의 개수는 이에 한정되지 않는다.
브릿지 전극(CE)은 복수의 구동 전극(TE) 및 복수의 감지 전극(RE)과 서로 다른 층에 배치될 수 있다. 제1 방향(X축 방향)으로 서로 인접한 감지 전극들(RE)은 복수의 구동 전극(TE) 또는 복수의 감지 전극(RE)과 같은 층에 배치된 연결부를 통해 전기적으로 연결될 수 있고, 제2 방향(Y축 방향)으로 인접한 구동 전극들(TE)은 복수의 구동 전극(TE) 또는 복수의 감지 전극(RE)과 서로 다른 층에 배치된 브릿지 전극(CE)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 브릿지 전극(CE)이 복수의 감지 전극(RE)과 제3 방향(Z축 방향)으로 서로 중첩되더라도, 복수의 구동 전극(TE)과 복수의 감지 전극(RE)은 서로 절연될 수 있다. 상호 정전 용량은 구동 전극(TE)과 감지 전극(RE) 사이에 형성될 수 있다.
복수의 감지 전극(RE)은 제1 방향(X축 방향)으로 연장되고 제2 방향(Y축 방향)으로 서로 이격될 수 있다. 복수의 감지 전극(RE)은 제1 방향(X축 방향) 및 제2 방향(Y축 방향)으로 배열될 수 있고, 제1 방향(X축 방향)으로 인접한 감지 전극들(RE)은 연결부를 통해 전기적으로 연결될 수 있다.
복수의 감지 전극(RE)은 감지 라인(RL)을 통해 제2 터치 패드부(TP2)에 접속될 수 있다. 예를 들어, 터치 센서 영역(TSA)의 우측에 배치된 일부의 감지 전극들(RE)은 감지 라인(RL)을 통해 제2 터치 패드부(TP2)에 접속될 수 있다. 감지 라인(RL)은 터치 주변 영역(TPA)의 우측 및 하측을 경유하여 제2 터치 패드부(TP2)까지 연장될 수 있다. 제2 터치 패드부(TP2)는 회로 보드(300)를 통해 터치 구동부(400)에 접속될 수 있다.
복수의 더미 전극(DME) 각각은 구동 전극(TE) 또는 감지 전극(RE)에 둘러싸일 수 있다. 복수의 더미 전극(DME) 각각은 구동 전극(TE) 또는 감지 전극(RE)과 이격되어 절연될 수 있다. 따라서, 더미 전극(DME)은 전기적으로 플로팅될 수 있다.
예를 들어, 구동 전극(TE), 감지 전극(RE), 및 더미 전극(DME) 각각은 마름모의 평면 형태를 가질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 구동 전극(TE), 감지 전극(RE), 및 더미 전극(DME) 각각은 마름모 이외의 다른 사각형, 사각형 이외의 다른 다각형, 원형, 또는 타원형의 평면 형태를 가질 수 있다.
표시 패드 영역(DPA), 제1 터치 패드 영역(TPA1), 및 제2 터치 패드 영역(TPA2)은 표시 패널(100)의 서브 영역(SBA)의 가장자리에 배치될 수 있다. 표시 패드 영역(DPA), 제1 터치 패드 영역(TPA1), 및 제2 터치 패드 영역(TPA2)은 이방성 도전 필름 또는 SAP 등과 같은 저저항 고신뢰성 소재를 이용하여 회로 보드(300)에 전기적으로 연결될 수 있다.
표시 패드 영역(DPA)은 복수의 표시 패드부(DP)를 포함할 수 있다. 복수의 표시 패드부(DP)는 회로 보드(300)를 통해 메인 프로세서에 접속될 수 있다. 복수의 표시 패드부(DP)는 회로 보드(300)와 접속되어 디지털 비디오 데이터를 수신할 수 있고, 디지털 비디오 데이터를 표시 구동부(200)에 공급할 수 있다.
제1 터치 패드 영역(TPA1)은 표시 패드 영역(DPA)의 일측에 배치될 수 있고, 복수의 제1 터치 패드부(TP1)를 포함할 수 있다. 복수의 제1 터치 패드부(TP1)는 회로 보드(300) 상에 배치된 터치 구동부(400)에 전기적으로 연결될 수 있다. 복수의 제1 터치 패드부(TP1)는 복수의 제1 구동 라인(TL1)을 통해 복수의 구동 전극(TE)에 터치 구동 신호를 공급할 수 있다.
제2 터치 패드 영역(TPA2)은 표시 패드 영역(DPA)의 타측에 배치될 수 있고, 복수의 제2 터치 패드부(TP2)를 포함할 수 있다. 복수의 제2 터치 패드부(TP2)는 회로 보드(300) 상에 배치된 터치 구동부(400)에 전기적으로 연결될 수 있다. 터치 구동부(400)는 복수의 제2 터치 패드부(TP2)에 접속된 복수의 감지 라인(RL)을 통해 터치 센싱 신호를 수신할 수 있고, 구동 전극(TE)과 감지 전극(RE) 간의 상호 정전 용량 변화를 센싱할 수 있다.
다른 예를 들어, 터치 구동부(400)는 복수의 구동 전극(TE) 및 복수의 감지 전극(RE) 각각에 터치 구동 신호를 공급할 수 있고, 복수의 구동 전극(TE) 및 복수의 감지 전극(RE) 각각으로부터 터치 센싱 신호를 수신할 수 있다. 터치 구동부(400)는 터치 센싱 신호를 기초로 복수의 구동 전극(TE) 및 복수의 감지 전극(RE) 각각의 전하 변화량을 센싱할 수 있다.
도 4는 도 3의 A1 영역의 확대도이고, 도 5는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타내는 확대도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 복수의 구동 전극(TE), 복수의 감지 전극(RE), 및 복수의 더미 전극(DME)은 동일 층에 배치될 수 있고, 서로 이격될 수 있다.
복수의 구동 전극(TE)은 제1 방향(X축 방향) 및 제2 방향(Y축 방향)으로 배열될 수 있다. 복수의 구동 전극(TE)은 제1 방향(X축 방향) 및 제2 방향(Y축 방향)으로 서로 이격될 수 있다. 제2 방향(Y축 방향)으로 인접한 구동 전극들(TE)은 브릿지 전극(CE)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다.
브릿지 전극(CE)은 적어도 한 번 절곡될 수 있다. 예를 들어, 브릿지 전극(CE)은 꺾쇠 형태(“<” 또는 “>”)를 가질 수 있으나, 브릿지 전극(CE)의 평면 형태는 이에 한정되지 않는다. 제2 방향(Y축 방향)으로 서로 인접한 구동 전극들(TE)은 복수의 브릿지 전극(CE)에 의해 연결될 수 있고, 브릿지 전극들(CE) 중 어느 하나가 단선되더라도 구동 전극들(TE)은 나머지 브릿지 전극(CE)을 통해 안정적으로 연결될 수 있다. 서로 인접한 구동 전극들(TE)은 두 개의 브릿지 전극(CE)에 의해 연결될 수 있으나, 브릿지 전극들(CE)의 개수는 이에 한정되지 않는다.
복수의 감지 전극(RE)은 제1 방향(X축 방향)으로 연장되고 제2 방향(Y축 방향)으로 서로 이격될 수 있다. 복수의 감지 전극(RE)은 제1 방향(X축 방향) 및 제2 방향(Y축 방향)으로 배열될 수 있고, 제1 방향(X축 방향)으로 인접한 감지 전극들(RE)은 연결부(RCE)를 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 감지 전극들(RE)의 연결부(RCE)는 서로 인접한 구동 전극들(TE)의 최단 거리 내에 배치될 수 있다.
복수의 브릿지 전극(CE)은 구동 전극(TE) 및 감지 전극(RE)과 다른 층에 배치될 수 있다. 브릿지 전극(CE)은 제1 부분(CEa) 및 제2 부분(CEb)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 브릿지 전극(CE)의 제2 부분(CEb)은 제1 컨택홀(CNT1)을 통해 일측에 배치된 구동 전극(TE)에 연결되어 타 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 브릿지 전극(CE)의 제1 부분(CEa)은 감지 전극(RE)과 중첩되는 영역에서 제2 부분(CEb)으로부터 절곡되어 일 방향(DR1)으로 연장될 수 있고, 제1 컨택홀(CNT1)을 통해 타측에 배치된 구동 전극(TE)에 연결될 수 있다. 이하에서, 일 방향(DR1)은 제1 방향(X축 방향)과 제2 방향(Y축 방향) 사이의 방향일 수 있고, 타 방향(DR2)은 일 방향(DR1)과 교차하는 방향일 수 있다. 따라서, 복수의 브릿지 전극(CE) 각각은 제2 방향(Y축 방향)으로 인접한 구동 전극들(TE)을 접속시킬 수 있다.
예를 들어, 복수의 구동 전극(TE), 복수의 감지 전극(RE), 및 복수의 더미 전극(DME)은 평면 상 메쉬(Mesh) 구조 또는 그물망 구조로 형성될 수 있다. 따라서, 복수의 구동 전극(TE), 복수의 감지 전극(RE), 및 복수의 더미 전극(DME)은 화소 그룹(PG)의 제1 내지 제3 발광 영역(EA1, EA2, EA3)과 중첩되지 않을 수 있다. 복수의 브릿지 전극(CE) 역시 제1 내지 제3 발광 영역(EA1, EA2, EA3)과 중첩되지 않을 수 있다. 따라서, 표시 장치(10)는 제1 내지 제3 발광 영역(EA1, EA2, EA3)에서 방출된 광의 휘도가 터치 센싱부(TSU)에 의해 감소되는 것을 방지할 수 있다.
복수의 구동 전극(TE) 각각은 일 방향(DR1)으로 연장된 제1 부분(TEa) 및 타 방향(DR2)으로 연장된 제2 부분(TEb)을 포함할 수 있다. 복수의 감지 전극(RE) 각각은 일 방향(DR1)으로 연장된 제1 부분(REa) 및 타 방향(DR2)으로 연장된 제2 부분(REb)을 포함할 수 있다.
다른 예를 들어, 복수의 구동 전극(TE), 복수의 감지 전극(RE), 및 복수의 더미 전극(DME)은 평면 상 메쉬 구조 또는 그물망 구조가 아닌 전체 면 구조로 형성될 수 있다. 이 경우, 복수의 구동 전극(TE), 복수의 감지 전극(RE), 및 복수의 더미 전극(DME)은 ITO, IZO와 같이 광 투과도가 높은 투명 도전 물질을 포함할 수 있고, 제1 내지 제3 발광 영역(EA1, EA2, EA3)에서 방출된 광의 휘도가 감소되는 것을 방지할 수 있다.
복수의 화소는 제1 내지 제3 서브 화소를 포함할 수 있고, 제1 내지 제3 서브 화소 각각은 제1 내지 제3 발광 영역(EA1, EA2, EA3)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 발광 영역(EA1)은 제1 색의 광 또는 적색 광을 방출할 수 있고, 제2 발광 영역(EA2)은 제2 색의 광 또는 녹색 광을 방출할 수 있으며, 제3 발광 영역(EA3)은 제3 색의 광 또는 청색 광을 방출할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
제1 발광 영역(EA1), 제2 발광 영역(EA2), 및 제3 발광 영역(EA3) 각각은 마름모의 평면 형태 또는 직사각형의 평면 형태일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 제1 내지 제3 발광 영역(EA1, EA2, EA3) 각각은 사각형 이외의 다른 다각형, 원형, 또는 타원형의 평면 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 제3 발광 영역(EA3)의 면적이 가장 크고, 제2 발광 영역(EA2)의 면적이 가장 작을 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
하나의 화소 그룹(PG)은 하나의 제1 발광 영역(EA1), 두 개의 제2 발광 영역(EA2), 및 하나의 제3 발광 영역(EA3)을 포함하여 백색 계조를 표현할 수 있다. 따라서, 하나의 제1 발광 영역(EA1)에서 방출된 광, 두 개의 제2 발광 영역(EA2)에서 방출된 광, 및 하나의 제3 발광 영역(EA3)에서 방출된 광의 조합에 의해 백색 계조가 표현될 수 있다.
제2 발광 영역(EA2)은 홀수 행에 배치될 수 있다. 제2 발광 영역(EA2)은 홀수 행에서 제1 방향(X축 방향)으로 나란하게 배치될 수 있다. 서로 인접한 제2 발광 영역들(EA2) 중 어느 하나는 일 방향(DR1)의 장변과 타 방향(DR2)의 단변을 가질 수 있고, 다른 하나는 타 방향(DR2)의 장변과 일 방향(DR1)의 단변을 가질 수 있다.
제1 발광 영역(EA1)과 제3 발광 영역(EA3)은 짝수 행에 배치될 수 있다. 제1 발광 영역(EA1)과 제3 발광 영역(EA3)은 짝수 행에서 교번적으로 배치될 수 있다.
도 6은 도 5의 선 I-I'을 따라 자른 단면도이다.
도 6을 참조하면, 표시 패널(100)은 표시부(DU) 및 터치 센싱부(TSU)를 포함할 수 있다. 표시부(DU)는 기판(SUB), 박막 트랜지스터층(TFTL), 발광 소자층(EML), 및 봉지층(TFEL)을 포함할 수 있다.
기판(SUB)은 표시 패널(100)을 지지할 수 있다. 기판(SUB)은 베이스 기판 또는 베이스 부재일 수 있고, 고분자 수지 등의 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 기판(SUB)은 벤딩(Bending), 폴딩(Folding), 롤링(Rolling) 등이 가능한 플렉서블(Flexible) 기판일 수 있다. 다른 예를 들어, 기판(SUB)은 유연성이 있는 물질 및 강성이 있는 물질을 포함할 수 있다.
박막 트랜지스터층(TFTL)은 제1 및 제2 버퍼층(BF1, BF2), 박막 트랜지스터(TFT), 게이트 절연막(GI), 제1 층간 절연막(ILD1), 커패시터 전극(CPE), 제2 층간 절연막(ILD2), 제1 연결 전극(CNE1), 제1 보호층(PAS1), 제2 연결 전극(CNE2), 및 제2 보호층(PAS2)을 포함할 수 있다.
제1 버퍼층(BF1)은 기판(SUB) 상에 배치될 수 있다. 제1 버퍼층(BF1)은 공기 또는 수분의 침투를 방지할 수 있는 무기막을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 버퍼층(BF1)은 교번하여 적층된 복수의 무기막을 포함할 수 있다.
차광층(BML)은 제1 버퍼층(BF1) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 차광층(BML)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 다른 예를 들어, 차광층(BML)은 블랙 안료를 포함하는 유기막일 수 있다.
제2 버퍼층(BF2)은 제1 버퍼층(BF1) 및 차광층(BML)을 덮을 수 있다. 제2 버퍼층(BF2)은 공기 또는 수분의 침투를 방지할 수 있는 무기막을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 버퍼층(BF2)은 교번하여 적층된 복수의 무기막을 포함할 수 있다.
박막 트랜지스터(TFT)는 제2 버퍼층(BF2) 상에 배치될 수 있고, 복수의 화소 각각의 화소 회로를 구성할 수 있다. 예를 들어, 박막 트랜지스터(TFT)는 화소 회로의 구동 트랜지스터 또는 스위칭 트랜지스터일 수 있다. 박막 트랜지스터(TFT)는 반도체 영역(ACT), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE), 및 드레인 전극(DE)을 포함할 수 있다.
반도체 영역(ACT), 소스 전극(SE), 및 드레인 전극(DE)은 제2 버퍼층(BF2) 상에 배치될 수 있다. 반도체 영역(ACT)은 게이트 전극(GE)과 두께 방향으로 중첩될 수 있고, 게이트 절연막(GI)에 의해 게이트 전극(GE)과 절연될 수 있다. 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 반도체 영역(ACT)의 물질을 도체화하여 마련될 수 있다.
게이트 전극(GE)은 게이트 절연막(GI) 상에 배치될 수 있다. 게이트 전극(GE)은 게이트 절연막(GI)을 사이에 두고, 반도체 영역(ACT)과 중첩될 수 있다.
게이트 절연막(GI)은 반도체 영역(ACT), 소스 전극(SE), 및 드레인 전극(DE)의 상부에 마련될 수 있다. 예를 들어, 게이트 절연막(GI)은 반도체 영역(ACT), 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 및 제2 버퍼층(BF2)을 덮을 수 있고, 반도체 영역(ACT)과 게이트 전극(GE)을 절연시킬 수 있다. 게이트 절연막(GI)은 제1 연결 전극(CNE1)이 관통하는 컨택홀을 포함할 수 있다.
제1 층간 절연막(ILD1)은 게이트 전극(GE) 및 게이트 절연막(GI)을 덮을 수 있다. 제1 층간 절연막(ILD1)은 제1 연결 전극(CNE1)이 관통하는 컨택홀을 포함할 수 있다. 제1 층간 절연막(ILD1)의 컨택홀은 게이트 절연막(GI)의 컨택홀 및 제2 층간 절연막(ILD2)의 컨택홀과 연결될 수 있다.
커패시터 전극(CPE)은 제1 층간 절연막(ILD1) 상에 배치될 수 있다. 커패시터 전극(CPE)은 제3 방향(Z축 방향)에서 게이트 전극(GE)과 중첩될 수 있다. 예를 들어, 커패시터 전극(CPE)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 적어도 하나로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.
제2 층간 절연막(ILD2)은 커패시터 전극(CPE) 및 제1 층간 절연막(ILD1)을 덮을 수 있다. 제2 층간 절연막(ILD2)은 제1 연결 전극(CNE1)이 관통하는 컨택홀을 포함할 수 있다. 제2 층간 절연막(ILD2)의 컨택홀은 제1 층간 절연막(ILD1)의 컨택홀 및 게이트 절연막(GI)의 컨택홀과 연결될 수 있다.
제1 연결 전극(CNE1)은 제2 층간 절연막(ILD2) 상에 배치될 수 있다. 제1 연결 전극(CNE1)은 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(DE)과 제2 연결 전극(CNE2)을 접속시킬 수 있다. 제1 연결 전극(CNE1)은 제2 층간 절연막(ILD2), 제1 층간 절연막(ILD1), 및 게이트 절연막(GI)에 마련된 컨택홀에 삽입되어 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(DE)에 컨택될 수 있다.
제1 보호층(PAS1)은 제1 연결 전극(CNE1) 및 제2 층간 절연막(ILD2)을 덮을 수 있다. 제1 보호층(PAS1)은 박막 트랜지스터(TFT)를 보호할 수 있다. 제1 보호층(PAS1)은 제2 연결 전극(CNE2)이 관통하는 컨택홀을 포함할 수 있다.
제2 연결 전극(CNE2)은 제1 보호층(PAS1) 상에 배치될 수 있다. 제2 연결 전극(CNE2)은 제1 연결 전극(CNE1) 및 발광 소자(ED)의 제1 전극(AND)을 접속시킬 수 있다. 제2 연결 전극(CNE2)은 제1 보호층(PAS1)에 마련된 컨택홀에 삽입되어 제1 연결 전극(CNE1)에 컨택될 수 있다.
제2 보호층(PAS2)은 제2 연결 전극(CNE2) 및 제1 보호층(PAS1)을 덮을 수 있다. 제2 보호층(PAS2)은 발광 소자(ED)의 제1 전극(AND)이 관통하는 컨택홀을 포함할 수 있다.
발광 소자층(EML)은 박막 트랜지스터층(TFTL) 상에 배치될 수 있다. 발광 소자층(EML)은 발광 소자(ED) 및 화소 정의막(PDL)을 포함할 수 있다. 발광 소자(ED)는 제1 전극(AND), 발광층(EL), 및 제2 전극(CAT)을 포함할 수 있다.
제1 전극(AND)은 제2 보호층(PAS2) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극(AND)은 화소 정의막(PDL)에 의해 정의되는 제1 내지 제3 발광 영역(EA1, EA2, EA3) 중 하나의 발광 영역과 중첩되게 배치될 수 있다. 제1 전극(AND)은 제1 및 제2 연결 전극(CNE1, CNE2)을 통해 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(DE)에 접속될 수 있다.
발광층(EL)은 제1 전극(AND) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 발광층(EL)은 유기 물질로 이루어진 유기 발광층일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 발광층(EL)이 유기 발광층에 해당하는 경우, 박막 트랜지스터(TFT)가 발광 소자(ED)의 제1 전극(AND)에 소정의 전압을 인가하고, 발광 소자(ED)의 제2 전극(CAT)이 공통 전압 또는 캐소드 전압을 수신하면, 정공과 전자 각각이 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 유기 발광층(EL)으로 이동할 수 있고, 정공과 전자가 유기 발광층(EL)에서 서로 결합하여 광을 방출할 수 있다.
제2 전극(CAT)은 발광층(EL) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(CAT)은 복수의 화소 별로 구분되지 않고 전체 화소에 공통되는 전극 형태로 구현될 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(CAT)은 제1 내지 제3 발광 영역(EA1, EA2, EA3)에서 발광층(EL) 상에 배치될 수 있고, 제1 내지 제3 발광 영역(EA1, EA2, EA3)을 제외한 영역에서 화소 정의막(PDL) 상에 배치될 수 있다.
화소 정의막(PDL)은 제1 내지 제3 발광 영역(EA1, EA2, EA3)을 정의할 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 복수의 발광 소자(ED) 각각의 제1 전극(AND)을 이격 및 절연시킬 수 있다.
봉지층(TFEL)은 제2 전극(CAT) 상에 배치되어, 복수의 발광 소자(ED)를 덮을 수 있다. 봉지층(TFEL)은 적어도 하나의 무기막을 포함하여, 발광 소자층(EML)에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 봉지층(TFEL)은 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 및 알루미늄옥사이드층 중 적어도 하나의 무기막을 포함할 수 있다. 봉지층(TFEL)은 적어도 하나의 유기막을 포함하여 먼지와 같은 이물질로부터 발광 소자층(EML)을 보호할 수 있다. 예를 들어, 봉지층(TFEL)은 아크릴 수지(Aryl Resin), 에폭시 수지(Epoxy Resin), 페놀 수지(Phenolic Resin), 폴리아미드 수지(Polyamide Resin), 폴리이미드 수지(Polyimide Resin)일 수 있다.
터치 센싱부(TSU)는 봉지층(TFEL) 상에 배치될 수 있다. 터치 센싱부(TSU)는 제3 버퍼층(BF3), 브릿지 전극(CE), 제1 절연막(SIL1), 구동 전극(TE), 감지 전극(RE), 및 제2 절연막(SIL2)을 포함할 수 있다.
제3 버퍼층(BF3)은 봉지층(TFEL) 상에 배치될 수 있다. 제3 버퍼층(BF3)은 절연 및 광학적 기능을 가질 수 있다. 제3 버퍼층(BF3)은 적어도 하나의 무기막을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제3 버퍼층(BF3)은 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 및 알루미늄옥사이드층 중 적어도 하나의 무기막이 적층된 다중막으로 형성될 수 있다. 선택적으로, 제3 버퍼층(BF3)은 생략될 수 있다.
브릿지 전극(CE)은 제3 버퍼층(BF3) 상에 배치될 수 있다. 브릿지 전극(CE)은 구동 전극(TE) 및 감지 전극(RE)과 다른 층에 배치되어, 제2 방향(Y축 방향)으로 인접한 구동 전극들(TE)을 연결시킬 수 있다. 예를 들어, 브릿지 전극(CE)은 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Al)의 단일층으로 형성되거나, 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC 합금, 및 APC 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/APC/ITO)로 형성될 수 있다.
제1 절연층(SIL1)은 브릿지 전극(CE) 및 제3 버퍼층(BF3)을 덮을 수 있다. 제1 절연층(SIL1)은 절연 및 광학적 기능을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 절연층(SIL1)은 무기막, 예를 들어 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층으로 형성될 수 있다.
구동 전극(TE) 및 감지 전극(RE)은 제1 절연층(SIL1) 상에 배치될 수 있다. 구동 전극(TE) 및 감지 전극(RE) 각각은 제1 내지 제3 발광 영역(EA1, EA2, EA3)과 중첩되지 않을 수 있다. 구동 전극(TE) 및 감지 전극(RE) 각각은 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Al)의 단일층으로 형성되거나, 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC 합금, 및 APC 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/APC/ITO)로 형성될 수 있다.
제2 절연층(SIL2)은 구동 전극(TE), 감지 전극(RE), 및 제1 절연층(SIL1)을 덮을 수 있다. 제2 절연층(SIL2)은 절연 및 광학적 기능을 가질 수 있다. 제2 절연층(SIL2)은 제1 절연층(SIL1)에 예시된 물질로 이루어질 수 있다.
도 7은 일 실시예에 따른 표시 장치에서, 터치 센싱부와 터치 구동부를 나타내는 블록도이다.
도 7을 참조하면, 터치 구동부(400)는 구동 신호 출력부(410), 감지 회로부(420), 아날로그-디지털 변환부(430), 터치 제어부(440), 및 터치 데이터 보상부(450)를 포함할 수 있다.
구동 신호 출력부(410)는 제1 구동 라인(TL1)을 통해 복수의 구동 전극(TE)에 접속될 수 있다. 구동 신호 출력부(410)는 터치 구동 신호를 복수의 구동 전극(TE)에 공급할 수 있다. 터치 구동 신호는 복수의 구동 펄스를 갖는 신호일 수 있다. 구동 신호 출력부(410)는 기 설정된 순서를 기초로 제1 구동 라인(TL1)에 터치 구동 신호를 공급할 수 있다. 예를 들어, 구동 신호 출력부(410)는 터치 센서 영역(TSA)의 일측에 배치된 구동 전극들(TE)로부터 터치 센서 영역(TSA)의 타측에 배치된 구동 전극들(TE)까지 터치 구동 신호들을 순차적으로 출력할 수 있다.
감지 회로부(420)는 감지 라인(RL)을 통해 복수의 감지 전극(RE)에 접속될 수 있다. 감지 회로부(420)는 감지 라인(RL)을 통해 복수의 구동 전극(TE)과 복수의 감지 전극(RE) 사이의 상호 정전 용량(Mutual Capacitance)의 변화량을 센싱할 수 있다.
다른 예를 들어, 구동 신호 출력부(410)는 복수의 터치 전극(TE)에 터치 구동 신호를 공급할 수 있고, 감지 회로부(420)는 복수의 감지 전극(RE)에 터치 구동 신호를 공급할 수 있다. 이 경우, 구동 신호 출력부(410)는 복수의 터치 전극(TE)의 전하 변화량을 센싱할 수 있고, 감지 회로부(420)는 복수의 감지 전극(RE)의 전하 변화량을 센싱할 수 있다. 따라서, 구동 신호 출력부(410) 및 감지 회로부(420) 각각은 복수의 터치 전극(TE)과 복수의 감지 전극(RE)에 형성되는 자기 정전 용량(Self-Capacitance)의 변화량을 센싱할 수 있다.
아날로그-디지털 변환부(430)는 감지 회로부(420)의 출력 전압을 디지털 데이터인 터치 감지 데이터(TSD)로 변환할 수 있다. 아날로그-디지털 변환부(430)는 터치 감지 데이터(TSD)를 터치 데이터 보상부(450)에 공급할 수 있다.
터치 제어부(440)는 구동 신호 출력부(410), 감지 회로부(420), 및 아날로그-디지털 변환부(430)의 구동 타이밍을 제어할 수 있다. 터치 제어부(440)는 구동 신호 출력부(410), 감지 회로부(420), 및 아날로그-디지털 변환부(430)의 동기화를 위한 타이밍 신호를 구동 신호 출력부(410), 감지 회로부(420), 및 아날로그-디지털 변환부(430) 각각에 출력할 수 있다.
터치 데이터 보상부(450)는 아날로그-디지털 변환부(430)로부터 복수의 터치 전극(TE) 및 복수의 감지 전극(RE)으로부터 센싱된 터치 감지 데이터(TD)를 수신할 수 있다. 터치 데이터 보상부(450)는 터치 감지 데이터(TD)를 분석하여 사용자의 터치 입력 여부 및 터치 좌표를 산출할 수 있다.
도 8은 일 실시예에 따른 표시 장치에서, 일반 모드에서 표시 구동부와 터치 구동부의 동작을 나타내는 타이밍도이다. 이하에서, 표시 구동부(200)가 60Hz의 구동 주파수로 표시부(DU)를 구동하는 것을 일반 모드로 정의하고, 40Hz의 구동 주파수로 표시부(DU)를 구동하는 것을 제1 저속 모드로 정의하며, 30Hz의 구동 주파수로 표시부(DU)를 구동하는 것을 제2 저속 모드로 정의하였으나, 일반 모드, 제1 저속 모드, 및 제2 저속 모드의 구동 주파수는 상대적인 것으로서, 특정 구동 주파수에 한정되지 않는다.
도 8을 참조하면, 표시 구동부(200)는 일반 모드에서 60Hz의 구동 주파수로 표시부(DU)를 구동할 수 있다. 표시 구동부(200)는 복수의 표시 프레임 기간(DFT1, DFT2, DFT3, DFT4) 중 표시 구간(Display) 동안 복수의 화소에 스캔 신호 및 데이터 전압을 공급할 수 있고, 표시 대기 구간(DW) 동안 스캔 신호 및 데이터 전압의 공급을 중단시킬 수 있다. 예를 들어, 표시 구동부(200)는 제1 표시 프레임 기간(DFT1)의 표시 구간(Display) 동안 복수의 행을 따라 배열된 화소들에 스캔 신호를 순차적으로 공급할 수 있고, 복수의 화소는 스캔 신호에 의해 선택된 순서대로 영상을 표시할 수 있다. 표시 구동부(200)는 제1 표시 프레임 기간(DFT1)의 표시 대기 구간(DW) 동안 복수의 화소에 스캔 신호 및 데이터 전압을 공급하지 않을 수 있고, 복수의 화소 내의 전압은 초기화될 수 있다.
터치 구동부(400)는 표시 구동부(200)와 동기화되어 터치 센싱부(TSU)를 구동할 수 있다. 터치 구동부(400)는 메인 프로세서 또는 메인 컨트롤러로부터 타이밍 제어 신호를 수신하여, 표시 구동부(200)와 동기화될 수 있다. 예를 들어, 터치 구동부(400)는 표시 구동부(200)의 구동 주파수의 N배(N은 자연수)의 구동 주파수로 터치 센싱부(TSU)를 구동할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
터치 구동부(400)는 120Hz의 구동 주파수로 터치 센싱부(TSU)를 구동할 수 있다. 터치 구동부(400)는 구동 주파수에 의해 결정되는 복수의 터치 프레임 기간(SFT1~SFT8) 동안 터치 센싱부(TSU)를 구동할 수 있다. 예를 들어, 터치 구동부(400)는 제1 터치 프레임 기간(SFT1) 중 터치 센싱 구간 동안 복수의 터치 전극(SEN)에 터치 구동 신호를 공급하여 사용자의 터치를 감지할 수 있고, 터치 대기 구간(WS) 동안 터치 구동 신호의 공급을 중단시킬 수 있다.
터치 센싱 구간은 상호 정전 용량 구간(MS) 및 자기 정전 용량 구간(SS)을 포함할 수 있다. 터치 구동부(400)는 상호 정전 용량 구간(MS)에서 복수의 구동 전극(TE)에 터치 구동 신호를 공급하고, 복수의 감지 전극(RE)으로부터 터치 센싱 신호를 수신할 수 있다. 터치 구동부(400)는 상호 정전 용량 구간(MS)에서 구동 전극(TE)과 감지 전극(RE) 간의 상호 정전 용량 변화를 센싱할 수 있다. 터치 구동부(400)는 상호 정전 용량의 변화를 센싱함으로써, 사용자의 터치 입력 여부를 판단할 수 있고, 터치 좌표를 정밀하게 산출할 수 있다.
터치 구동부(400)는 자기 정전 용량 구간(SS)에서 복수의 구동 전극(TE) 및 복수의 감지 전극(RE) 각각에 터치 구동 신호를 공급할 수 있고, 복수의 구동 전극(TE) 및 복수의 감지 전극(RE) 각각으로부터 터치 센싱 신호를 수신할 수 있다. 터치 구동부(400)는 터치 센싱 신호를 기초로 복수의 구동 전극(TE) 및 복수의 감지 전극(RE) 각각의 전하 변화량을 센싱할 수 있다. 터치 구동부(400)는 자기 정전 용량의 변화를 센싱함으로써, 사용자가 장갑을 낀 경우 고감도 터치를 수행할 수 있고, 또는 터치 스크린 상에 수분이 존재하는 경우에도 사용자 터치 여부를 판단할 수 있다.
터치 구동부(400)는 제1 터치 프레임 기간(SFT1) 동안 자기 정전 용량 구간(SS), 상호 정전 용량 구간(MS), 및 터치 대기 구간(WS)을 순차적으로 수행할 수 있으나, 터치 방식의 순서는 이에 한정되지 않는다. 상호 정전 용량 구간(MS)의 길이는 자기 정전 용량 구간(SS)의 길이보다 길 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
표시 구동부(200)가 일반 모드로 구동되는 경우, 제1 및 제2 터치 프레임 기간(SFT1, SFT2)은 제1 표시 프레임 기간(DFT1)에 대응될 수 있다. 표시 구동부(200)가 표시 구간(Display) 동안 표시부(DU)를 구동하고, 터치 구동부(400)가 자기 정전 용량 구간(SS) 및 상호 정전 용량 구간(MS) 동안 터치 센싱부(TSU)를 구동하는 경우, 하모닉(Harmonic) 성분 변화에 따라 화질 왜곡(DST)이 발생할 수 있고, 화질 왜곡(DST)이 사용자에 시인될 수 있다.
도 9는 일 실시예에 따른 표시 장치에서, 제1 저속 모드에서 표시 구동부와 터치 구동부의 동작을 나타내는 타이밍도이다.
도 9를 도 8에 결부하면, 표시 구동부(200)는 일반 모드에서 제1 저속 모드로 변경될 수 있다. 표시 구동부(200)는 제1 저속 모드에서 40Hz의 구동 주파수로 표시부(DU)를 구동할 수 있다. 표시 구동부(200)는 표시 구간(Display) 동안 복수의 화소에 스캔 신호 및 데이터 전압을 공급할 수 있고, 표시 대기 구간(DW) 동안 스캔 신호 및 데이터 전압의 공급을 중단시킬 수 있다.
터치 구동부(400)는 120Hz의 구동 주파수로 터치 센싱부(TSU)를 구동할 수 있다. 터치 구동부(400)는 구동 주파수에 의해 결정되는 복수의 터치 프레임 기간(SFT1~SFT8) 동안 터치 센싱부(TSU)를 구동할 수 있다. 예를 들어, 터치 구동부(400)는 제1 내지 제8 터치 프레임 기간(SFT1~SFT8) 동안 자기 정전 용량 구간(SS)에서 복수의 터치 전극(SEN)의 전하 변화량을 센싱할 수 있고, 상호 정전 용량 구간(MS)에서 구동 전극(TE)과 감지 전극(RE) 간의 상호 정전 용량 변화를 센싱할 수 있으며, 터치 대기 구간(WS) 동안 터치 구동 신호의 공급을 중단시킬 수 있다.
표시 구동부(200)가 일반 모드에서 제1 저속 모드로 변경되는 경우, 터치 구동부(400)는 터치 프레임 기간 중 터치 대기 구간(WS)을 증가시킬 수 있다. 표시 구동부(200)가 일반 모드에서 제1 저속 모드로 변경되는 경우, 터치 구동부(400)는 터치 프레임 기간 중 자기 정전 용량 구간(SS) 또는 상호 정전 용량 구간(MS)의 수행을 생략함으로써, 터치 대기 구간(WS)을 증가시킬 수 있다.
예를 들어, 터치 구동부(400)는 제1 터치 프레임 기간(SFT1) 동안 자기 정전 용량 구간(SS)을 생략할 수 있다. 터치 구동부(400)는 제1 터치 프레임 기간(SFT1) 동안 터치 대기 구간(WS), 상호 정전 용량 구간(MS), 및 터치 대기 구간(WS)을 순차적으로 수행할 수 있다. 터치 구동부(400)는 제2 터치 프레임 기간(SFT2) 동안 상호 정전 용량 구간(MS)을 생략할 수 있다. 터치 구동부(400)는 제2 터치 프레임 기간(SFT2) 동안 자기 정전 용량 구간(SS) 및 터치 대기 구간(WS)을 순차적으로 수행할 수 있다. 터치 구동부(400)는 제3 터치 프레임 기간(SFT3) 동안 자기 정전 용량 구간(SS), 상호 정전 용량 구간(MS), 및 터치 대기 구간(WS)을 순차적으로 수행할 수 있다.
터치 구동부(400)는 제1 내지 제3 터치 프레임 기간(SFT1, SFT2, SFT3)과 동일한 방식으로 제4 내지 제6 터치 프레임 기간(SFT4, SFT5, SFT6) 동안 터치 센싱부(TSU)를 구동할 수 있다.
터치 구동부(400)는 제1 표시 프레임 기간(DFT1)의 표시 구간(Display)에 대응되는 제1 및 제2 터치 프레임 기간(SFT1, SFT2) 동안 자기 정전 용량 구간(SS) 또는 상호 정전 용량 구간(MS)의 수행을 생략함으로써, 화질 왜곡(DST) 성분을 감소시킬 수 있다. 표시 장치(10)는 화질 왜곡(DST) 성분이 감소됨으로써, 화질이 향상될 수 있다. 터치 구동부(400)는 제1 표시 프레임 기간(DFT1)의 표시 대기 구간(DW)에 대응되는 제3 터치 프레임 기간(SFT3) 동안 자기 정전 용량 구간(SS), 상호 정전 용량 구간(MS), 및 터치 대기 구간(WS)을 순차적으로 수행함으로써, 터치 감도의 신뢰성을 유지할 수 있다. 따라서, 터치 구동부(400)는 표시 구동부(200)가 제1 저속 모드로 변경되는 경우, 터치 감도의 신뢰성을 유지하면서 화질 왜곡(DST)을 최소화할 수 있다.
도 10은 일 실시예에 따른 표시 장치에서, 제2 저속 모드에서 표시 구동부와 터치 구동부의 동작을 나타내는 타이밍도이다.
도 10을 도 8에 결부하면, 표시 구동부(200)는 일반 모드에서 제2 저속 모드로 변경될 수 있다. 표시 구동부(200)는 제2 저속 모드에서 30Hz의 구동 주파수로 표시부(DU)를 구동할 수 있다. 표시 구동부(200)는 표시 구간(Display) 동안 복수의 화소에 스캔 신호 및 데이터 전압을 공급할 수 있고, 표시 대기 구간(DW) 동안 스캔 신호 및 데이터 전압의 공급을 중단시킬 수 있다. 도 10의 표시 프레임 기간 중 표시 구간(Display)의 길이는 도 9의 하나의 표시 프레임 기간 중 표시 구간(Display)의 길이와 동일할 수 있다.
터치 구동부(400)는 120Hz의 구동 주파수로 터치 센싱부(TSU)를 구동할 수 있다. 터치 구동부(400)는 구동 주파수에 의해 결정되는 복수의 터치 프레임 기간(SFT1~SFT8) 동안 터치 센싱부(TSU)를 구동할 수 있다. 예를 들어, 터치 구동부(400)는 제1 내지 제8 터치 프레임 기간(SFT1~SFT8) 동안 자기 정전 용량 구간(SS)에서 복수의 터치 전극(SEN)의 전하 변화량을 센싱할 수 있고, 상호 정전 용량 구간(MS)에서 구동 전극(TE)과 감지 전극(RE) 간의 상호 정전 용량 변화를 센싱할 수 있으며, 터치 대기 구간(WS) 동안 터치 구동 신호의 공급을 중단시킬 수 있다.
표시 구동부(200)가 일반 모드에서 제2 저속 모드로 변경되는 경우, 터치 구동부(400)는 터치 프레임 기간 중 터치 대기 구간(WS)을 증가시킬 수 있다. 표시 구동부(200)가 일반 모드에서 제2 저속 모드로 변경되는 경우, 터치 구동부(400)는 터치 프레임 기간 중 자기 정전 용량 구간(SS) 또는 상호 정전 용량 구간(MS)의 수행을 생략함으로써, 터치 대기 구간(WS)을 증가시킬 수 있다.
예를 들어, 터치 구동부(400)는 제1 터치 프레임 기간(SFT1) 동안 자기 정전 용량 구간(SS)을 생략할 수 있다. 터치 구동부(400)는 제1 터치 프레임 기간(SFT1) 동안 터치 대기 구간(WS), 상호 정전 용량 구간(MS), 및 터치 대기 구간(WS)을 순차적으로 수행할 수 있다. 터치 구동부(400)는 제2 터치 프레임 기간(SFT2) 동안 상호 정전 용량 구간(MS)을 생략할 수 있다. 터치 구동부(400)는 제2 터치 프레임 기간(SFT2) 동안 자기 정전 용량 구간(SS) 및 터치 대기 구간(WS)을 순차적으로 수행할 수 있다. 터치 구동부(400)는 제3 및 제4 터치 프레임 기간(SFT3, SFT4) 동안 자기 정전 용량 구간(SS), 상호 정전 용량 구간(MS), 및 터치 대기 구간(WS)을 순차적으로 수행할 수 있다.
터치 구동부(400)는 제1 내지 제4 터치 프레임 기간(SFT1, SFT2, SFT3, SFT4)과 동일한 방식으로 제5 내지 제8 터치 프레임 기간(SFT5, SFT6, SFT7, SFT8) 동안 터치 센싱부(TSU)를 구동할 수 있다.
터치 구동부(400)는 제1 표시 프레임 기간(DFT1)의 표시 구간(Display)에 대응되는 제1 및 제2 터치 프레임 기간(SFT1, SFT2) 동안 자기 정전 용량 구간(SS) 또는 상호 정전 용량 구간(MS)의 수행을 생략함으로써, 화질 왜곡(DST) 성분을 감소시킬 수 있다. 표시 장치(10)는 화질 왜곡(DST) 성분이 감소됨으로써, 화질이 향상될 수 있다. 터치 구동부(400)는 제1 표시 프레임 기간(DFT1)의 표시 대기 구간(DW)에 대응되는 제3 및 제4 터치 프레임 기간(SFT3, SFT4) 동안 자기 정전 용량 구간(SS), 상호 정전 용량 구간(MS), 및 터치 대기 구간(WS)을 순차적으로 수행함으로써, 터치 감도의 신뢰성을 유지할 수 있다. 따라서, 터치 구동부(400)는 표시 구동부(200)가 제2 저속 모드로 변경되는 경우, 터치 감도의 신뢰성을 유지하면서 화질 왜곡(DST)을 최소화할 수 있다.
도 11은 다른 실시예에 따른 표시 장치에서, 제1 저속 모드에서 표시 구동부와 터치 구동부의 동작을 나타내는 타이밍도이다.
도 11을 도 8에 결부하면, 표시 구동부(200)는 일반 모드에서 제1 저속 모드로 변경될 수 있다. 표시 구동부(200)는 제1 저속 모드에서 40Hz의 구동 주파수로 표시부(DU)를 구동할 수 있다. 표시 구동부(200)는 표시 구간(Display) 동안 복수의 화소에 스캔 신호 및 데이터 전압을 공급할 수 있고, 표시 대기 구간(DW) 동안 스캔 신호 및 데이터 전압의 공급을 중단시킬 수 있다.
터치 구동부(400)는 120Hz의 구동 주파수로 터치 센싱부(TSU)를 구동할 수 있다. 터치 구동부(400)는 구동 주파수에 의해 결정되는 복수의 터치 프레임 기간(SFT1~SFT8) 동안 터치 센싱부(TSU)를 구동할 수 있다. 예를 들어, 터치 구동부(400)는 제1 내지 제8 터치 프레임 기간(SFT1~SFT8) 동안 자기 정전 용량 구간(SS)에서 복수의 터치 전극(SEN)의 전하 변화량을 센싱할 수 있고, 상호 정전 용량 구간(MS)에서 구동 전극(TE)과 감지 전극(RE) 간의 상호 정전 용량 변화를 센싱할 수 있으며, 터치 대기 구간(WS) 동안 터치 구동 신호의 공급을 중단시킬 수 있다.
표시 구동부(200)가 일반 모드에서 제1 저속 모드로 변경되는 경우, 터치 구동부(400)는 터치 프레임 기간 중 터치 대기 구간(WS)을 증가시킬 수 있다. 표시 구동부(200)가 일반 모드에서 제1 저속 모드로 변경되는 경우, 터치 구동부(400)는 터치 프레임 기간 중 자기 정전 용량 구간(SS) 또는 상호 정전 용량 구간(MS)의 수행을 생략함으로써, 터치 대기 구간(WS)을 증가시킬 수 있다.
예를 들어, 터치 구동부(400)는 제1 터치 프레임 기간(SFT1) 동안 자기 정전 용량 구간(SS)을 생략할 수 있다. 터치 구동부(400)는 제1 터치 프레임 기간(SFT1) 동안 터치 대기 구간(WS), 상호 정전 용량 구간(MS), 및 터치 대기 구간(WS)을 순차적으로 수행할 수 있다. 터치 구동부(400)는 제2 터치 프레임 기간(SFT2) 동안 상호 정전 용량 구간(MS)을 생략할 수 있다. 터치 구동부(400)는 제2 터치 프레임 기간(SFT2) 동안 자기 정전 용량 구간(SS) 및 터치 대기 구간(WS)을 순차적으로 수행할 수 있다. 터치 구동부(400)는 제3 터치 프레임 기간(SFT3) 동안 자기 정전 용량 구간(SS), 상호 정전 용량 구간(MS), 및 터치 대기 구간(WS)을 순차적으로 수행할 수 있다.
터치 구동부(400)는 제4 터치 프레임 기간(SFT4) 동안 상호 정전 용량 구간(MS)을 생략할 수 있다. 터치 구동부(400)는 제4 터치 프레임 기간(SFT4) 동안 터치 대기 구간(WS), 자기 정전 용량 구간(SS), 및 터치 대기 구간(WS)을 순차적으로 수행할 수 있다. 터치 구동부(400)는 제5 터치 프레임 기간(SFT5) 동안 자기 정전 용량 구간(SS)을 생략할 수 있다. 터치 구동부(400)는 제5 터치 프레임 기간(SFT5) 동안 상호 정전 용량 구간(MS) 및 터치 대기 구간(WS)을 순차적으로 수행할 수 있다.
제1 표시 프레임 기간(DFT1)에 대응되는 제1 터치 프레임 기간(SFT1)과 제2 표시 프레임 기간(DFT2)에 대응되는 제4 터치 프레임 기간(SFT4)을 비교하면, 표시부(DU)의 특정 행에 배치된 화소는 제1 표시 프레임 기간(DFT1)에서 제1 터치 프레임 기간(SFT1)의 상호 정전 용량 구간(MS)에 의해 화질 왜곡(DST)이 발생할 수 있고, 제2 표시 프레임 기간(DFT2)에서 제4 터치 프레임 기간(SFT4)의 자기 정전 용량 구간(SS)에 의해 화질 왜곡(DST)이 발생할 수 있다. 따라서, 표시부(DU)의 특정 행에 배치된 화소는 표시 프레임 기간이 바뀔 때마다 화질 왜곡(DST) 성분이 변경될 수 있고, 화질 왜곡(DST)의 시인성이 감소될 수 있다.
터치 구동부(400)는 제1 표시 프레임 기간(DFT1)의 표시 대기 구간(DW)에 대응되는 제3 터치 프레임 기간(SFT3) 동안 자기 정전 용량 구간(SS), 상호 정전 용량 구간(MS), 및 터치 대기 구간(WS)을 순차적으로 수행함으로써, 터치 감도의 신뢰성을 유지할 수 있다. 따라서, 터치 구동부(400)는 표시 구동부(200)가 제1 저속 모드로 변경되는 경우, 터치 감도의 신뢰성을 유지하면서 화질 왜곡(DST)을 최소화할 수 있다.
도 12는 다른 실시예에 따른 표시 장치에서, 제2 저속 모드에서 표시 구동부와 터치 구동부의 동작을 나타내는 타이밍도이다.
도 12를 도 8에 결부하면, 표시 구동부(200)는 일반 모드에서 제2 저속 모드로 변경될 수 있다. 표시 구동부(200)는 제2 저속 모드에서 30Hz의 구동 주파수로 표시부(DU)를 구동할 수 있다. 표시 구동부(200)는 표시 구간(Display) 동안 복수의 화소에 스캔 신호 및 데이터 전압을 공급할 수 있고, 표시 대기 구간(DW) 동안 스캔 신호 및 데이터 전압의 공급을 중단시킬 수 있다.
터치 구동부(400)는 120Hz의 구동 주파수로 터치 센싱부(TSU)를 구동할 수 있다. 터치 구동부(400)는 구동 주파수에 의해 결정되는 복수의 터치 프레임 기간(SFT1~SFT8) 동안 터치 센싱부(TSU)를 구동할 수 있다. 예를 들어, 터치 구동부(400)는 제1 내지 제8 터치 프레임 기간(SFT1~SFT8) 동안 자기 정전 용량 구간(SS)에서 복수의 터치 전극(SEN)의 전하 변화량을 센싱할 수 있고, 상호 정전 용량 구간(MS)에서 구동 전극(TE)과 감지 전극(RE) 간의 상호 정전 용량 변화를 센싱할 수 있으며, 터치 대기 구간(WS) 동안 터치 구동 신호의 공급을 중단시킬 수 있다.
표시 구동부(200)가 일반 모드에서 제2 저속 모드로 변경되는 경우, 터치 구동부(400)는 터치 프레임 기간 중 터치 대기 구간(WS)을 증가시킬 수 있다. 표시 구동부(200)가 일반 모드에서 제2 저속 모드로 변경되는 경우, 터치 구동부(400)는 터치 프레임 기간 중 자기 정전 용량 구간(SS) 또는 상호 정전 용량 구간(MS)의 수행을 생략함으로써, 터치 대기 구간(WS)을 증가시킬 수 있다.
예를 들어, 터치 구동부(400)는 제1 터치 프레임 기간(SFT1) 동안 자기 정전 용량 구간(SS)을 생략할 수 있다. 터치 구동부(400)는 제1 터치 프레임 기간(SFT1) 동안 터치 대기 구간(WS), 상호 정전 용량 구간(MS), 및 터치 대기 구간(WS)을 순차적으로 수행할 수 있다. 터치 구동부(400)는 제2 터치 프레임 기간(SFT2) 동안 상호 정전 용량 구간(MS)을 생략할 수 있다. 터치 구동부(400)는 제2 터치 프레임 기간(SFT2) 동안 자기 정전 용량 구간(SS) 및 터치 대기 구간(WS)을 순차적으로 수행할 수 있다. 터치 구동부(400)는 제3 및 제4 터치 프레임 기간(SFT3, SFT4) 동안 자기 정전 용량 구간(SS), 상호 정전 용량 구간(MS), 및 터치 대기 구간(WS)을 순차적으로 수행할 수 있다.
터치 구동부(400)는 제5 터치 프레임 기간(SFT5) 동안 상호 정전 용량 구간(MS)을 생략할 수 있다. 터치 구동부(400)는 제5 터치 프레임 기간(SFT5) 동안 터치 대기 구간(WS), 자기 정전 용량 구간(SS), 및 터치 대기 구간(WS)을 순차적으로 수행할 수 있다. 터치 구동부(400)는 제6 터치 프레임 기간(SFT6) 동안 자기 정전 용량 구간(SS)을 생략할 수 있다. 터치 구동부(400)는 제6 터치 프레임 기간(SFT6) 동안 상호 정전 용량 구간(MS) 및 터치 대기 구간(WS)을 순차적으로 수행할 수 있다.
제1 표시 프레임 기간(DFT1)에 대응되는 제1 터치 프레임 기간(SFT1)과 제2 표시 프레임 기간(DFT2)에 대응되는 제5 터치 프레임 기간(SFT5)을 비교하면, 표시부(DU)의 특정 행에 배치된 화소는 제1 표시 프레임 기간(DFT1)에서 제1 터치 프레임 기간(SFT1)의 상호 정전 용량 구간(MS)에 의해 화질 왜곡(DST)이 발생할 수 있고, 제2 표시 프레임 기간(DFT2)에서 제5 터치 프레임 기간(SFT5)의 자기 정전 용량 구간(SS)에 의해 화질 왜곡(DST)이 발생할 수 있다. 따라서, 표시부(DU)의 특정 행에 배치된 화소는 표시 프레임 기간이 바뀔 때마다 화질 왜곡(DST) 성분이 변경될 수 있고, 화질 왜곡(DST)의 시인성이 감소될 수 있다.
터치 구동부(400)는 제1 표시 프레임 기간(DFT1)의 표시 대기 구간(DW)에 대응되는 제3 및 제4 터치 프레임 기간(SFT3, SFT4) 동안 자기 정전 용량 구간(SS), 상호 정전 용량 구간(MS), 및 터치 대기 구간(WS)을 순차적으로 수행함으로써, 터치 감도의 신뢰성을 유지할 수 있다. 따라서, 터치 구동부(400)는 표시 구동부(200)가 제2 저속 모드로 변경되는 경우, 터치 감도의 신뢰성을 유지하면서 화질 왜곡(DST)을 최소화할 수 있다.
도 13은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치에서, 제1 저속 모드에서 표시 구동부와 터치 구동부의 동작을 나타내는 타이밍도이다.
도 13을 도 8에 결부하면, 표시 구동부(200)는 일반 모드에서 제1 저속 모드로 변경될 수 있다. 표시 구동부(200)는 제1 저속 모드에서 40Hz의 구동 주파수로 표시부(DU)를 구동할 수 있다. 표시 구동부(200)는 표시 구간(Display) 동안 복수의 화소에 스캔 신호 및 데이터 전압을 공급할 수 있고, 표시 대기 구간(DW) 동안 스캔 신호 및 데이터 전압의 공급을 중단시킬 수 있다.
터치 구동부(400)는 120Hz의 구동 주파수로 터치 센싱부(TSU)를 구동할 수 있다. 터치 구동부(400)는 구동 주파수에 의해 결정되는 복수의 터치 프레임 기간(SFT1~SFT8) 동안 터치 센싱부(TSU)를 구동할 수 있다. 예를 들어, 터치 구동부(400)는 제1 내지 제8 터치 프레임 기간(SFT1~SFT8) 동안 자기 정전 용량 구간(SS)에서 복수의 터치 전극(SEN)의 전하 변화량을 센싱할 수 있고, 상호 정전 용량 구간(MS)에서 구동 전극(TE)과 감지 전극(RE) 간의 상호 정전 용량 변화를 센싱할 수 있으며, 터치 대기 구간(WS) 동안 터치 구동 신호의 공급을 중단시킬 수 있다.
표시 구동부(200)가 일반 모드에서 제1 저속 모드로 변경되는 경우, 터치 구동부(400)는 터치 프레임 기간 중 터치 대기 구간(WS)을 증가시킬 수 있다. 표시 구동부(200)가 일반 모드에서 제1 저속 모드로 변경되는 경우, 터치 구동부(400)는 터치 프레임 기간 중 자기 정전 용량 구간(SS) 또는 상호 정전 용량 구간(MS)의 수행을 생략함으로써, 터치 대기 구간(WS)을 증가시킬 수 있다.
예를 들어, 터치 구동부(400)는 제1 터치 프레임 기간(SFT1) 동안 자기 정전 용량 구간(SS)을 생략할 수 있다. 터치 구동부(400)는 제1 터치 프레임 기간(SFT1) 동안 터치 대기 구간(WS), 상호 정전 용량 구간(MS), 및 터치 대기 구간(WS)을 순차적으로 수행할 수 있다. 터치 구동부(400)는 제2 터치 프레임 기간(SFT2) 동안 상호 정전 용량 구간(MS)을 생략할 수 있다. 터치 구동부(400)는 제2 터치 프레임 기간(SFT2) 동안 자기 정전 용량 구간(SS) 및 터치 대기 구간(WS)을 순차적으로 수행할 수 있다. 터치 구동부(400)는 제3 터치 프레임 기간(SFT3) 동안 자기 정전 용량 구간(SS), 상호 정전 용량 구간(MS), 및 터치 대기 구간(WS)을 순차적으로 수행할 수 있다.
터치 구동부(400)는 제4 터치 프레임 기간(SFT4) 동안 자기 정전 용량 구간(SS)을 생략할 수 있다. 터치 구동부(400)는 제4 터치 프레임 기간(SFT4) 동안 상호 정전 용량 구간(MS) 및 터치 대기 구간(WS)을 순차적으로 수행할 수 있다. 터치 구동부(400)는 제5 터치 프레임 기간(SFT5) 동안 상호 정전 용량 구간(MS)을 생략할 수 있다. 터치 구동부(400)는 제5 터치 프레임 기간(SFT5) 동안 터치 대기 구간(WS), 자기 정전 용량 구간(SS), 및 터치 대기 구간(WS)을 순차적으로 수행할 수 있다.
제1 표시 프레임 기간(DFT1)에 대응되는 제1 터치 프레임 기간(SFT1)과 제2 표시 프레임 기간(DFT2)에 대응되는 제4 터치 프레임 기간(SFT4)을 비교하면, 표시부(DU)의 일부 행에 배치된 화소는 제1 표시 프레임 기간(DFT1)에서 제1 터치 프레임 기간(SFT1)의 상호 정전 용량 구간(MS)에 의해 화질 왜곡(DST)이 발생할 수 있고, 제2 표시 프레임 기간(DFT2)에서 제4 터치 프레임 기간(SFT4)의 터치 대기 구간(WS)에 대응됨으로써 화질 왜곡(DST)이 발생하지 않을 수 있다. 표시부(DU)의 다른 일부 행에 배치된 화소는 제1 표시 프레임 기간(DFT1)에서 제1 터치 프레임 기간(SFT1)의 터치 대기 구간(WS)에 대응됨으로써 화질 왜곡(DST)이 발생하지 않을 수 있고, 제2 표시 프레임 기간(DFT2)에서 제4 터치 프레임 기간(SFT4)의 상호 정전 용량 구간(MS)에 의해 화질 왜곡(DST)이 발생할 수 있다. 따라서, 표시부(DU)의 특정 행에 배치된 화소들은 표시 프레임 기간이 바뀔 때마다 화질 왜곡(DST) 성분이 발생하거나 발생하지 않을 수 있고, 화질 왜곡(DST)의 시인성이 감소될 수 있다.
터치 구동부(400)는 제1 표시 프레임 기간(DFT1)의 표시 대기 구간(DW)에 대응되는 제3 터치 프레임 기간(SFT3) 동안 자기 정전 용량 구간(SS), 상호 정전 용량 구간(MS), 및 터치 대기 구간(WS)을 순차적으로 수행함으로써, 터치 감도의 신뢰성을 유지할 수 있다. 따라서, 터치 구동부(400)는 표시 구동부(200)가 제1 저속 모드로 변경되는 경우, 터치 감도의 신뢰성을 유지하면서 화질 왜곡(DST)을 최소화할 수 있다.
도 14는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치에서, 제2 저속 모드에서 표시 구동부와 터치 구동부의 동작을 나타내는 타이밍도이다.
도 14를 도 8에 결부하면, 표시 구동부(200)는 일반 모드에서 제2 저속 모드로 변경될 수 있다. 표시 구동부(200)는 제2 저속 모드에서 30Hz의 구동 주파수로 표시부(DU)를 구동할 수 있다. 표시 구동부(200)는 표시 구간(Display) 동안 복수의 화소에 스캔 신호 및 데이터 전압을 공급할 수 있고, 표시 대기 구간(DW) 동안 스캔 신호 및 데이터 전압의 공급을 중단시킬 수 있다.
터치 구동부(400)는 120Hz의 구동 주파수로 터치 센싱부(TSU)를 구동할 수 있다. 터치 구동부(400)는 구동 주파수에 의해 결정되는 복수의 터치 프레임 기간(SFT1~SFT8) 동안 터치 센싱부(TSU)를 구동할 수 있다. 예를 들어, 터치 구동부(400)는 제1 내지 제8 터치 프레임 기간(SFT1~SFT8) 동안 자기 정전 용량 구간(SS)에서 복수의 터치 전극(SEN)의 전하 변화량을 센싱할 수 있고, 상호 정전 용량 구간(MS)에서 구동 전극(TE)과 감지 전극(RE) 간의 상호 정전 용량 변화를 센싱할 수 있으며, 터치 대기 구간(WS) 동안 터치 구동 신호의 공급을 중단시킬 수 있다.
표시 구동부(200)가 일반 모드에서 제2 저속 모드로 변경되는 경우, 터치 구동부(400)는 터치 프레임 기간 중 터치 대기 구간(WS)을 증가시킬 수 있다. 표시 구동부(200)가 일반 모드에서 제2 저속 모드로 변경되는 경우, 터치 구동부(400)는 터치 프레임 기간 중 자기 정전 용량 구간(SS) 또는 상호 정전 용량 구간(MS)의 수행을 생략함으로써, 터치 대기 구간(WS)을 증가시킬 수 있다.
예를 들어, 터치 구동부(400)는 제1 터치 프레임 기간(SFT1) 동안 자기 정전 용량 구간(SS)을 생략할 수 있다. 터치 구동부(400)는 제1 터치 프레임 기간(SFT1) 동안 터치 대기 구간(WS), 상호 정전 용량 구간(MS), 및 터치 대기 구간(WS)을 순차적으로 수행할 수 있다. 터치 구동부(400)는 제2 터치 프레임 기간(SFT2) 동안 상호 정전 용량 구간(MS)을 생략할 수 있다. 터치 구동부(400)는 제2 터치 프레임 기간(SFT2) 동안 자기 정전 용량 구간(SS) 및 터치 대기 구간(WS)을 순차적으로 수행할 수 있다. 터치 구동부(400)는 제3 및 제4 터치 프레임 기간(SFT3, SFT4) 동안 자기 정전 용량 구간(SS), 상호 정전 용량 구간(MS), 및 터치 대기 구간(WS)을 순차적으로 수행할 수 있다.
터치 구동부(400)는 제5 터치 프레임 기간(SFT5) 동안 상호 정전 용량 구간(MS)을 생략할 수 있다. 터치 구동부(400)는 제5 터치 프레임 기간(SFT5) 동안 자기 정전 용량 구간(SS) 및 터치 대기 구간(WS)을 순차적으로 수행할 수 있다. 터치 구동부(400)는 제6 터치 프레임 기간(SFT6) 동안 자기 정전 용량 구간(SS)을 생략할 수 있다. 터치 구동부(400)는 제6 터치 프레임 기간(SFT6) 동안 터치 대기 구간(WS), 상호 정전 용량 구간(MS), 및 터치 대기 구간(WS)을 순차적으로 수행할 수 있다.
제1 표시 프레임 기간(DFT1)에 대응되는 제1 터치 프레임 기간(SFT1)과 제2 표시 프레임 기간(DFT2)에 대응되는 제5 터치 프레임 기간(SFT5)을 비교하면, 표시부(DU)의 일부 행에 배치된 화소는 제1 표시 프레임 기간(DFT1)에서 제1 터치 프레임 기간(SFT1)의 상호 정전 용량 구간(MS)에 의해 화질 왜곡(DST)이 발생할 수 있고, 제2 표시 프레임 기간(DFT2)에서 제5 터치 프레임 기간(SFT5)의 터치 대기 구간(WS)에 대응됨으로써 화질 왜곡(DST)이 발생하지 않을 수 있다. 표시부(DU)의 다른 일부 행에 배치된 화소는 제1 표시 프레임 기간(DFT1)에서 제1 터치 프레임 기간(SFT1)의 터치 대기 구간(WS)에 대응됨으로써 화질 왜곡(DST)이 발생하지 않을 수 있고, 제2 표시 프레임 기간(DFT2)에서 제5 터치 프레임 기간(SFT5)의 자기 정전 용량 구간(SS)에 의해 화질 왜곡(DST)이 발생할 수 있다. 따라서, 표시부(DU)의 특정 행에 배치된 화소들은 표시 프레임 기간이 바뀔 때마다 화질 왜곡(DST) 성분이 발생하거나 발생하지 않을 수 있고, 화질 왜곡(DST)의 시인성이 감소될 수 있다.
터치 구동부(400)는 제1 표시 프레임 기간(DFT1)의 표시 대기 구간(DW)에 대응되는 제3 및 제4 터치 프레임 기간(SFT3, SFT4) 동안 자기 정전 용량 구간(SS), 상호 정전 용량 구간(MS), 및 터치 대기 구간(WS)을 순차적으로 수행함으로써, 터치 감도의 신뢰성을 유지할 수 있다. 따라서, 터치 구동부(400)는 표시 구동부(200)가 제2 저속 모드로 변경되는 경우, 터치 감도의 신뢰성을 유지하면서 화질 왜곡(DST)을 최소화할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 표시 장치 100: 표시 패널
200: 표시 구동부 300: 회로 보드
400: 터치 구동부 410: 구동 신호 출력부
420: 감지 회로부 430: 아날로그-디지털 변환부
440: 터치 제어부 450: 터치 데이터 보상부
SEN: 복수의 터치 전극 TE: 복수의 구동 전극
RE: 복수의 감지 전극 DME: 복수의 더미 전극
DFT1~DFT4: 제1 내지 제4 표시 프레임 기간
Display: 표시 구간 DW: 표시 대기 구간
SFT1~SFT8: 제1 내지 제8 터치 프레임 기간
SS: 자기 정전 용량 구간 MS: 상호 정전 용량 구간
WS: 터치 대기 구간

Claims (20)

  1. 복수의 화소를 포함하는 표시부;
    상기 표시부 상에 배치되고 복수의 터치 전극을 포함하는 터치 센싱부;
    상기 터치 센싱부를 제1 주파수로 구동시키고, 터치 프레임 기간 중 터치 센싱 구간 동안 상기 복수의 터치 전극에 터치 구동 신호를 공급하며, 상기 터치 프레임 기간 중 터치 대기 구간 동안 상기 터치 구동 신호의 공급을 중단시키는 터치 구동부; 및
    상기 표시부를 일반 모드에서 상기 제1 주파수보다 낮은 제2 주파수로 구동시키고, 표시 프레임 기간 중 표시 구간 동안 상기 복수의 화소에 스캔 신호를 공급하며, 상기 표시 프레임 기간 중 표시 대기 구간 동안 상기 스캔 신호의 공급을 중단시키는 표시 구동부를 포함하고,
    상기 표시 구동부가 상기 일반 모드에서 제1 저속 모드로 변경되는 경우, 상기 표시 구동부는 상기 표시부를 상기 제2 주파수보다 낮은 제3 주파수로 구동시키고, 상기 터치 구동부는 상기 터치 프레임 기간 중 상기 터치 대기 구간을 증가시키는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 터치 센싱 구간은 상호 정전 용량 구간 및 자기 정전 용량 구간을 포함하고,
    상기 터치 구동부는 상기 상호 정전 용량 구간에서 상기 복수의 터치 전극 중 일부의 터치 전극들에 터치 구동 신호를 공급하고, 상기 복수의 터치 전극 중 다른 일부의 터치 전극들로부터 터치 센싱 신호를 수신하여 상기 복수의 터치 전극 사이의 정전 용량의 변화량을 센싱하며,
    상기 터치 구동부는 상기 자기 정전 용량 구간에서 상기 복수의 터치 전극에 터치 구동 신호를 공급하여 상기 복수의 터치 전극의 전하 변화량을 센싱하는 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 표시 구동부가 상기 일반 모드로 구동되는 경우, 상기 터치 구동부는 상기 터치 프레임 기간 동안 상기 자기 정전 용량 구간, 상기 상호 정전 용량 구간, 및 상기 터치 대기 구간을 순차적으로 수행하는 표시 장치.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 표시 구동부가 상기 제1 저속 모드로 변경되는 경우, 상기 터치 구동부는 상기 터치 프레임 기간 중 상기 상호 정전 용량 구간 또는 자기 정전 용량 구간의 수행을 생략하는 표시 장치.
  5. 제2 항에 있어서,
    상기 표시 구동부가 상기 일반 모드에서 상기 제1 저속 모드로 변경되는 경우, 상기 터치 구동부는 제1 표시 프레임 기간의 표시 구간에 대응되는 제1 터치 프레임 기간 동안 상기 자기 정전 용량 구간의 수행을 생략하고, 상기 제1 터치 프레임 기간 직후의 제2 터치 프레임 기간 동안 상기 상호 정전 용량 구간의 수행을 생략하는 표시 장치.
  6. 제2 항에 있어서,
    상기 표시 구동부가 상기 제1 저속 모드로 구동되는 경우, 상기 터치 구동부는 제1 표시 프레임 기간의 표시 구간에 대응되는 제1 터치 프레임 기간 동안 상기 터치 대기 구간, 상기 상호 정전 용량 구간, 및 상기 터치 대기 구간을 순차적으로 수행하고, 상기 제1 터치 프레임 기간 직후의 제2 터치 프레임 기간 동안 상기 자기 정전 용량 구간 및 상기 터치 대기 구간을 순차적으로 수행하는 표시 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 표시 구동부가 상기 일반 모드에서 상기 제1 저속 모드로 변경되는 경우, 상기 터치 구동부는 상기 제1 표시 프레임 기간 직후의 제2 표시 프레임 기간의 표시 구간에 대응되는 제3 터치 프레임 기간 동안 상기 자기 정전 용량 구간의 수행을 생략하고, 상기 제3 터치 프레임 기간 직후의 제4 터치 프레임 기간 동안 상기 상호 정전 용량 구간의 수행을 생략하는 표시 장치.
  8. 제6 항에 있어서,
    상기 표시 구동부가 상기 제1 저속 모드로 구동되는 경우, 상기 터치 구동부는 상기 제1 표시 프레임 기간 직후의 제2 표시 프레임 기간의 표시 구간에 대응되는 제3 터치 프레임 기간 동안 상기 터치 대기 구간, 상기 상호 정전 용량 구간, 및 상기 터치 대기 구간을 순차적으로 수행하고, 상기 제3 터치 프레임 기간 직후의 제4 터치 프레임 기간 동안 상기 자기 정전 용량 구간 및 상기 터치 대기 구간을 순차적으로 수행하는 표시 장치.
  9. 제6 항에 있어서,
    상기 표시 구동부가 상기 일반 모드에서 상기 제1 저속 모드로 변경되는 경우, 상기 터치 구동부는 상기 제1 표시 프레임 기간 직후의 제2 표시 프레임 기간의 표시 구간에 대응되는 제3 터치 프레임 기간 동안 상기 상호 정전 용량 구간의 수행을 생략하고, 상기 제3 터치 프레임 기간 직후의 제4 터치 프레임 기간 동안 상기 자기 정전 용량 구간의 수행을 생략하는 표시 장치.
  10. 제6 항에 있어서,
    상기 표시 구동부가 상기 제1 저속 모드로 구동되는 경우, 상기 터치 구동부는 상기 제1 표시 프레임 기간 직후의 제2 표시 프레임 기간의 표시 구간에 대응되는 제3 터치 프레임 기간 동안 상기 터치 대기 구간, 상기 자기 정전 용량 구간, 및 상기 터치 대기 구간을 순차적으로 수행하고, 상기 제3 터치 프레임 기간 직후의 제4 터치 프레임 기간 동안 상기 상호 정전 용량 구간 및 상기 터치 대기 구간을 순차적으로 수행하는 표시 장치.
  11. 제6 항에 있어서,
    상기 표시 구동부가 상기 제1 저속 모드로 구동되는 경우, 상기 터치 구동부는 상기 제1 표시 프레임 기간 직후의 제2 표시 프레임 기간의 표시 구간에 대응되는 제3 터치 프레임 기간 동안 상기 상호 정전 용량 구간 및 상기 터치 대기 구간을 순차적으로 수행하고, 상기 제3 터치 프레임 기간 직후의 제4 터치 프레임 기간 동안 상기 터치 대기 구간, 상기 자기 정전 용량 구간, 및 상기 터치 대기 구간을 순차적으로 수행하는 표시 장치.
  12. 제6 항에 있어서,
    상기 표시 구동부가 상기 제1 저속 모드로 구동되는 경우, 상기 터치 구동부는 상기 표시 대기 구간에 대응되는 터치 프레임 기간 동안 상기 자기 정전 용량 구간, 상기 상호 정전 용량 구간, 및 상기 터치 대기 구간을 순차적으로 수행하는 표시 장치.
  13. 제2 항에 있어서,
    상기 표시 구동부가 상기 일반 모드에서 제2 저속 모드로 변경되는 경우, 상기 표시 구동부는 상기 표시부를 상기 제3 주파수보다 낮은 제4 주파수로 구동시키고, 상기 터치 구동부는 상기 표시 구간에 대응되는 터치 프레임 기간 중 상기 터치 대기 구간을 증가시키는 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 표시 구동부가 상기 일반 모드에서 상기 제2 저속 모드로 변경되는 경우, 상기 터치 구동부는 상기 터치 프레임 기간 중 상기 상호 정전 용량 구간 또는 자기 정전 용량 구간의 수행을 생략하는 표시 장치.
  15. 제13 항에 있어서,
    상기 제2 저속 모드에서 하나의 표시 대기 구간에 대응되는 터치 프레임 기간은 상기 제1 저속 모드에서 하나의 표시 대기 구간에 대응되는 터치 프레임 기간보다 긴 표시 장치.
  16. 제13 항에 있어서,
    상기 제1 저속 모드에서 하나의 표시 프레임 기간 중 표시 구간의 길이는 상기 제2 저속 모드에서 하나의 표시 프레임 기간 중 표시 구간의 길이와 동일한 표시 장치.
  17. 제13 항에 있어서,
    상기 표시 구동부가 상기 일반 모드에서 상기 제2 저속 모드로 변경되는 경우, 상기 터치 구동부는 제1 표시 프레임 기간의 표시 구간에 대응되는 제1 터치 프레임 기간 동안 상기 자기 정전 용량 구간의 수행을 생략하고, 상기 제1 터치 프레임 기간 직후의 제2 터치 프레임 기간 동안 상기 상호 정전 용량 구간의 수행을 생략하는 표시 장치.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 표시 구동부가 상기 일반 모드에서 상기 제2 저속 모드로 변경되는 경우, 상기 터치 구동부는 상기 제1 표시 프레임 기간 직후의 제2 표시 프레임 기간의 표시 구간에 대응되는 제3 터치 프레임 기간 동안 상기 자기 정전 용량 구간의 수행을 생략하고, 상기 제3 터치 프레임 기간 직후의 제4 터치 프레임 기간 동안 상기 상호 정전 용량 구간의 수행을 생략하는 표시 장치.
  19. 제17 항에 있어서,
    상기 표시 구동부가 상기 일반 모드에서 상기 제2 저속 모드로 변경되는 경우, 상기 터치 구동부는 상기 제1 표시 프레임 기간 직후의 제2 표시 프레임 기간의 표시 구간에 대응되는 제3 터치 프레임 기간 동안 상기 상호 정전 용량 구간의 수행을 생략하고, 상기 제3 터치 프레임 기간 직후의 제4 터치 프레임 기간 동안 상기 자기 정전 용량 구간의 수행을 생략하는 표시 장치.
  20. 제17 항에 있어서,
    상기 표시 구동부가 상기 제2 저속 모드로 구동되는 경우, 상기 터치 구동부는 상기 제1 표시 프레임 기간 직후의 제2 표시 프레임 기간의 표시 구간에 대응되는 제3 터치 프레임 기간 동안 상기 자기 정전 용량 구간 및 상기 터치 대기 구간을 순차적으로 수행하고, 상기 제3 터치 프레임 기간 직후의 제4 터치 프레임 기간 동안 상기 터치 대기 구간, 상기 상호 정전 용량 구간, 및 상기 터치 대기 구간을 순차적으로 수행하는 표시 장치.
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