JP2019195021A - 窒化物半導体装置および窒化物半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
特許文献1 特許6183310号明細書
特許文献2 特許6032337号明細書
Claims (9)
- 窒化物半導体層と、エピタキシャル層と、イオン注入領域と、絶縁層と、電極とを備えた窒化物半導体装置において、
第1のN型領域と、
前記第1のN型領域よりも浅く設けられた第2のN型領域と
を備え、
前記第2のN型領域のドーパントは、前記第1のN型領域のドーパントよりも原子量の大きい元素である
窒化物半導体装置。 - 前記第1のN型領域のドーパントが酸素(O)であり、
前記第2のN型領域のドーパントがケイ素(Si)およびゲルマニウム(Ge)のいずれか1つを含む
請求項1に記載の窒化物半導体装置。 - 前記第1のN型領域のドーパントがケイ素(Si)であり、
前記第2のN型領域のドーパントがゲルマニウム(Ge)である
請求項1に記載の窒化物半導体装置。 - 前記第1のN型領域のドーパント濃度のピークから、前記第1のN型領域の下端までのテール長さは、前記第2のN型領域のドーパント濃度のピークから、前記第2のN型領域の下端までのテール長さよりも短い
請求項1から3のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置。 - 前記第1のN型領域のドーパント濃度のピークから、前記第1のN型領域の下端までのテール長さは、前記第2のN型領域のドーパント濃度のピークから、前記第2のN型領域の下端までのテール長さの±10%の範囲内である
請求項1から3のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置。 - 前記第1のN型領域は、異なる深さにイオン注入された複数のドーパントを含む
請求項1から5のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置。 - 前記第1のN型領域は、ケイ素(Si)がドーピングされた領域と、酸素(O)が前記Siよりも深くドーピングされた領域を有する
請求項6に記載の窒化物半導体装置。 - N型ドーパントのイオン注入により第1のN型領域を設ける段階と、
前記第1のN型領域のドーパントよりも原子量の大きい元素をイオン注入することにより、前記第1のN型領域よりも浅く第2のN型領域を設ける段階と
を備える窒化物半導体装置の製造方法。 - 前記第1のN型領域にイオン注入する段階の後に第1の温度でアニールする段階と、
前記第2のN型領域にイオン注入する段階の後に、前記第1の温度と異なる第2の温度でアニールする段階と
を備える請求項8に記載の窒化物半導体装置の製造方法。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60130863A (ja) * | 1983-12-20 | 1985-07-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US5866925A (en) * | 1997-01-09 | 1999-02-02 | Sandia Corporation | Gallium nitride junction field-effect transistor |
JP2008103636A (ja) * | 2006-10-20 | 2008-05-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 縦型トランジスタ、および縦型トランジスタを作製する方法 |
JP2016115831A (ja) * | 2014-12-16 | 2016-06-23 | 富士電機株式会社 | 縦型mosfetおよび縦型mosfetの製造方法 |
JP2018060855A (ja) * | 2016-10-03 | 2018-04-12 | 富士電機株式会社 | 縦型半導体装置およびその製造方法 |
-
2018
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60130863A (ja) * | 1983-12-20 | 1985-07-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US5866925A (en) * | 1997-01-09 | 1999-02-02 | Sandia Corporation | Gallium nitride junction field-effect transistor |
JP2008103636A (ja) * | 2006-10-20 | 2008-05-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 縦型トランジスタ、および縦型トランジスタを作製する方法 |
JP2016115831A (ja) * | 2014-12-16 | 2016-06-23 | 富士電機株式会社 | 縦型mosfetおよび縦型mosfetの製造方法 |
JP2018060855A (ja) * | 2016-10-03 | 2018-04-12 | 富士電機株式会社 | 縦型半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117613074A (zh) * | 2024-01-23 | 2024-02-27 | 英诺赛科(苏州)半导体有限公司 | 一种半导体装置和制造方法 |
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