JP2019190961A - 放射線検出器、放射線検出器の製造方法、及び画像処理方法 - Google Patents

放射線検出器、放射線検出器の製造方法、及び画像処理方法 Download PDF

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Abstract

【課題】放射線画像を広範囲で精度良く取得できる放射線検出器、放射線検出器の製造方法、及び画像処理方法を提供する。【解決手段】放射線検出器１は、配線基板２と、第１イメージセンサ３及び第２イメージセンサ４と、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６と、シンチレータ層７と、を備える。第１ＦＯＰ５は、第１光入射領域５４と第１光出射領域５５との間において導光可能である。第２ＦＯＰ６は、第２光入射領域６４と第２光出射領域６５との間において導光可能である。第１光入射領域５４の一辺５４ａ及び第２光入射領域６４の一辺６４ａは、互いに接触している。第１光出射領域５５は、第１受光領域３１上に位置している。第２光出射領域６５は、第２受光領域４１上に位置している。第１側面５３の一側面５３ａ及び第２側面６３の一側面６３ａは、互いに沿った形状を呈しており、互いに接触している。【選択図】図１

Description

本発明は、放射線検出器、放射線検出器の製造方法、及び画像処理方法に関する。
例えば口腔内のＸ線透過画像を広範囲で取得するために、次のような放射線検出器が用いられる場合がある。すなわち、配線基板と、配線基板上に実装された複数のイメージセンサと、複数のイメージセンサ上にそれぞれ固定された複数のファイバオプティックプレートと、複数のファイバオプティックプレート上に設けられたシンチレータ層と、を備える放射線検出器である。そのような放射線検出器として、特許文献１には、隣り合うファイバオプティックプレート同士が光入射面側の角部において接触させられたＸ線画像センサが記載されている。
特開平８−２１１１５５号公報
しかしながら、特許文献１に記載のＸ線画像センサでは、一方のファイバオプティックプレートの光入射面と他方のファイバオプティックプレートの光入射面との間に位置ずれが生じ易く、その位置ずれに起因してＸ線透過画像を精度良く取得できないおそれがある。
本発明は、放射線画像を広範囲で精度良く取得できる放射線検出器、放射線検出器の製造方法、及び画像処理方法を提供することを目的とする。
本発明の放射線検出器は、配線基板と、配線基板上において互いに隣り合う第１イメージセンサ及び第２イメージセンサと、第１イメージセンサ及び第２イメージセンサ上において互いに隣り合う第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレートと、第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレート上に設けられたシンチレータ層と、を備え、第１ファイバオプティックプレートは、第１光入射面、第１光出射面、及び、第１光入射面と第１光出射面とを結ぶ第１側面を有し、第１光入射面のうちの第１光入射領域と第１光出射面のうちの第１光出射領域との間において導光可能であり、第２ファイバオプティックプレートは、第２光入射面、第２光出射面、及び、第２光入射面と第２光出射面とを結ぶ第２側面を有し、第２光入射面のうちの第２光入射領域と第２光出射面のうちの第２光出射領域との間において導光可能であり、第１光入射領域における第２光入射領域側の一辺、及び、第２光入射領域における第１光入射領域側の一辺は、互いに接触しており、第１光出射領域は、第１イメージセンサの第１受光領域上に位置しており、第２光出射領域は、第２イメージセンサの第２受光領域上に位置しており、第１側面における第２ファイバオプティックプレート側の一側面、及び、第２側面における第１ファイバオプティックプレート側の一側面は、互いに沿った形状を呈しており、互いに接触している。
この放射線検出器では、放射線がシンチレータ層に入射すると、シンチレータ層で光が発生する。そして、シンチレータ層から第１ファイバオプティックプレートに入射した光は、第１光入射領域から第１光出射領域に導光され、第１イメージセンサの第１受光領域に入射する。一方、シンチレータ層から第２ファイバオプティックプレートに入射した光は、第２光入射領域から第２光出射領域に導光され、第２イメージセンサの第２受光領域に入射する。ここで、第１光入射領域における第２光入射領域側の一辺、及び、第２光入射領域における第１光入射領域側の一辺は、互いに接触している。そのため、シンチレータ層で発生した光が連続した状態で第１イメージセンサ及び第２イメージセンサによって検出される。また、第１側面における第２ファイバオプティックプレート側の一側面、及び、第２側面における第１ファイバオプティックプレート側の一側面は、互いに沿った形状を呈しており、互いに接触している。そのため、第１ファイバオプティックプレートの第１光入射面と第２ファイバオプティックプレートの第２光入射面との間に位置ずれが生じ難い。よって、この放射線検出器によれば、放射線画像を広範囲で精度良く取得できる。
本発明の放射線検出器では、第１光出射領域における第２光出射領域側の一辺と第２光出射領域における第１光出射領域側の一辺との距離は、第１受光領域における第２受光領域側の一辺と第２受光領域における第１受光領域側の一辺との距離よりも大きく、第１光出射領域における第２光出射領域側の一辺は、第１受光領域における第２受光領域側の一辺上又は当該一辺よりも内側に位置しており、第２光出射領域における第１光出射領域側の一辺は、第２受光領域における第１受光領域側の一辺上又は当該一辺よりも内側に位置していてもよい。この構成によれば、第１イメージセンサ及び第２イメージセンサに対する第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレートの位置決め精度を緩和しつつ、第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレートのそれぞれによって導光された光を第１イメージセンサ及び第２イメージセンサにおいて確実に検出できる。
本発明の放射線検出器は、配線基板に設けられた記憶部を更に備え、記憶部は、第１光出射領域における第２光出射領域側の一辺と第１受光領域における第２受光領域側の一辺との第１ずれ量、及び、第２光出射領域における第１光出射領域側の一辺と第２受光領域における第１受光領域側の一辺との第２ずれ量を記憶していてもよい。この構成によれば、第１ずれ量及び第２ずれ量に基づいて、連続した１枚の放射線画像を生成できる。
本発明の放射線検出器では、互いに連続する第１光入射面及び第２光入射面の外縁、並びに、互いに連続する第１光出射面及び第２光出射面の外縁は、配線基板の厚さ方向から見た場合に、第１受光領域及び第２受光領域を含んでいてもよい。この構成によれば、第１受光領域及び第２受光領域の放射線入射側に、第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレートが十分な厚さ（すなわち、第１光入射面と第１光出射面との距離に相当する厚さ、第２光入射面と第２光出射面との距離に相当する厚さ）で存在することになるため、第１受光領域及び第２受光領域の放射線による劣化を抑制できる。
本発明の放射線検出器では、第１イメージセンサは、第１受光領域と隣り合う第１回路領域を有し、第２イメージセンサは、第２受光領域と隣り合う第２回路領域を有し、互いに連続する第１光入射面及び第２光入射面の外縁、並びに、互いに連続する第１光出射面及び第２光出射面の外縁は、配線基板の厚さ方向から見た場合に、第１受光領域、第１回路領域、第２受光領域及び第２回路領域を含んでいてもよい。この構成によれば、第１受光領域、第１回路領域、第２受光領域及び第２回路領域の放射線入射側に、第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレートが十分な厚さ（すなわち、第１光入射面と第１光出射面との距離に相当する厚さ、第２光入射面と第２光出射面との距離に相当する厚さ）で存在することになるため、第１受光領域、第１回路領域、第２受光領域及び第２回路領域の放射線による劣化を抑制できる。
本発明の放射線検出器の製造方法は、上述した放射線検出器の製造方法であって、第１側面における第２ファイバオプティックプレート側の一側面及び第２側面における第１ファイバオプティックプレート側の一側面において互いに接合された第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレートを取得する工程と、取得する工程の後に、第１ファイバオプティックプレートの第１光入射面及び第２ファイバオプティックプレートの第２光入射面を研磨する工程と、研磨する工程の後に、第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレート上に、シンチレータ層を形成すると共に、配線基板に実装された第１イメージセンサ及び第２イメージセンサ上に、第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレートを接合する工程と、を備える。
この放射線検出器の製造方法では、互いに接合された第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレートを取得する工程と、第１ファイバオプティックプレートの第１光入射面及び第２ファイバオプティックプレートの第２光入射面を研磨する工程と、を経ることで、第１ファイバオプティックプレートの第１光入射面及び第２ファイバオプティックプレートの第２光入射面を容易に且つ確実に面一にできる。しかも、第１光入射面及び第２光入射面が面一にされた状態で、シンチレータ層を形成する工程を経ることで、シンチレータ層に歪み等が生じるのを抑制できる。よって、この放射線検出器の製造方法によれば、放射線画像を広範囲で精度良く取得可能な放射線検出器を確実に製造できる。
本発明の放射線検出器の製造方法では、接合する工程においては、第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレート上に、シンチレータ層を形成し、その後に、配線基板に実装された第１イメージセンサ及び第２イメージセンサ上に、第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレートを接合してもよい。この場合、第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレート上に形成されたシンチレータ層の検査を、比較的高価な第１イメージセンサ及び第２イメージセンサとの接合前に実施できるため、例えばシンチレータ層に不良があった場合に、第１イメージセンサ及び第２イメージセンサが無駄にならず、その結果、製造コストの上昇を抑制できる。
本発明の放射線検出器の製造方法では、シンチレータ層は、ＣｓＩによって形成されていてもよい。ここでは、第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレート上に、予めシンチレータ層を形成するため、ＣｓＩが有する腐食性に起因して第１イメージセンサ及び第２イメージセンサ並びに配線基板にダメージが生じるのを抑制できる。
本発明の放射線検出器の製造方法では、接合する工程においては、配線基板に実装された第１イメージセンサ及び第２イメージセンサ上に、第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレートを接合し、その後に、第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレート上に、シンチレータ層を形成してもよい。この場合、その他の部材に比べて強度の低いシンチレータ層が最後に形成されるため、シンチレータ層にダメージが生じるのを抑制できる。
本発明の放射線検出器の製造方法では、研磨する工程においては、第１ファイバオプティックプレートの第１光入射面及び第２ファイバオプティックプレートの第２光入射面を研磨すると共に、第１ファイバオプティックプレートの第１光出射面及び第２ファイバオプティックプレートの第２光出射面を研磨してもよい。この場合、第１イメージセンサ及び第２イメージセンサ上に第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレートを接合する工程において、第１ファイバオプティックプレートの第１光出射領域と第１イメージセンサの第１受光領域との距離、及び、第２ファイバオプティックプレートの第２光出射領域と第２イメージセンサの第２受光領域との距離を均一にできる。よって、この場合、放射線画像を広範囲で精度良く取得可能な放射線検出器をより確実に製造できる。
本発明の放射線検出器の製造方法は、上述した放射線検出器の製造方法であって、第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレート上に、シンチレータ層を形成すると共に、配線基板に実装された第１イメージセンサ及び第２イメージセンサ上に、第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレートを接合する工程と、形成すると共に接合する工程の後に、第１ずれ量及び第２ずれ量を測定する工程と、測定する工程の後に、配線基板に設けられた記憶部に、第１ずれ量及び第２ずれ量を記憶させる工程と、を備える。
この放射線検出器の製造方法によれば、個々の放射線検出器に固有の第１ずれ量及び第２ずれ量が記憶部に記憶されるため、記憶された第１ずれ量及び第２ずれ量に基づいて１枚の放射線画像を精度良く生成可能な放射線検出器を製造できる。
本発明の画像処理方法は、上述した放射線検出器を用いた画像処理方法であって、第１光出射領域における第２光出射領域側の一辺と第１受光領域における第２受光領域側の一辺との第１ずれ量、及び、第２光出射領域における第１光出射領域側の一辺と第２受光領域における第１受光領域側の一辺との第２ずれ量を取得する工程と、取得する工程の後に、配線基板を介して第１イメージセンサから出力された第１電気信号、及び、配線基板を介して第２イメージセンサから出力された第２電気信号、並びに、第１ずれ量及び第２ずれ量に基づいて、１枚の放射線画像を生成する工程と、を備える。
この画像処理方法によれば、個々の放射線検出器に固有の第１ずれ量及び第２ずれ量が取得されるため、取得された第１ずれ量及び第２ずれ量に基づいて１枚の放射線画像を精度良く生成できる。
本発明によれば、放射線画像を広範囲で精度良く取得できる。
一実施形態の放射線検出器の断面図である。 図１に示されるII−II線に沿っての放射線検出器の断面図である。 図１に示されるIII−III線に沿っての放射線検出器の断面図である。 一実施形態の放射線検出器の製造方法を説明するための図である。 一実施形態の放射線検出器の製造方法を説明するための図である。 一実施形態の放射線検出器の製造方法を説明するための図である。 一実施形態の放射線検出器の製造方法を説明するための図である。 一実施形態の画像処理方法を説明するための図である。 一実施形態の画像処理方法を説明するための図である。 一実施形態の画像処理方法を説明するための図である。 放射線検出器の変形例を説明するための図である。 放射線検出器の変形例を説明するための図である。 放射線検出器の変形例を説明するための図である。 放射線検出器の変形例を説明するための図である。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
［放射線検出器の構成］
図１及び図２に示されるように、放射線検出器１は、配線基板２と、第１イメージセンサ３及び第２イメージセンサ４と、第１ＦＯＰ（第１ファイバオプティックプレート）５及び第２ＦＯＰ（ファイバオプティックプレート）６と、シンチレータ層７と、保護層８と、筐体９と、を備えている。配線基板２は、互いに対向する表面２ａ及び裏面２ｂを有している。以下、表面２ａ及び裏面２ｂに平行な一方向をＸ軸方向、表面２ａ及び裏面２ｂに平行且つＸ軸方向に平行な方向をＹ軸方向、表面２ａ及び裏面２ｂが互いに対向する方向（配線基板２の厚さ方向）をＺ軸方向として、各構成について詳細に説明する。
第１イメージセンサ３及び第２イメージセンサ４は、配線基板２上において互いに隣り合っている。より詳細には、第１イメージセンサ３及び第２イメージセンサ４は、配線基板２の表面２ａに実装されており、Ｘ軸方向において互いに隣り合っている。
第１イメージセンサ３は、第１半導体基板３０に第１受光領域３１及び第１回路領域３２，３３が設けられることで構成されている。第１イメージセンサ３は、例えば、ＣＣＤ／ＣＭＯＳ等の固体撮像素子である。第１受光領域３１は、光電変換を行う複数の画素によって構成されている。第１回路領域３２，３３は、シフトレジスタ等の信号読出し回路である。
第１受光領域３１は、第１半導体基板３０における配線基板２とは反対側の表面３０ａに設けられている。第１受光領域３１は、Ｚ軸方向から見た場合に、例えば、Ｘ軸方向に垂直な一対の辺及びＹ軸方向に垂直な一対の辺を有する矩形状を呈している。各第１回路領域３２，３３は、第１受光領域３１と隣り合っている。より詳細には、第１回路領域３２は、第１受光領域３１に対して第２イメージセンサ４側に設けられている。第１回路領域３３は、第１受光領域３１に対してＹ軸方向における一方の側に設けられている。各第１回路領域３２，３３は、ワイヤ１１によって配線基板２と電気的に接続されている。
第２イメージセンサ４は、第２半導体基板４０に第２受光領域４１及び第２回路領域４２，４３（図３参照）が設けられることで構成されている。第２イメージセンサ４は、例えば、ＣＣＤ／ＣＭＯＳ等の固体撮像素子である。第２受光領域４１は、光電変換を行う複数の画素によって構成されている。第２回路領域４２，４３は、シフトレジスタ等の信号読出し回路である。
第２受光領域４１は、第２半導体基板４０における配線基板２とは反対側の表面４０ａに設けられている。第２受光領域４１は、Ｚ軸方向から見た場合に、例えば、Ｘ軸方向に垂直な一対の辺及びＹ軸方向に垂直な一対の辺を有する矩形状を呈している。各第２回路領域４２，４３は、第２受光領域４１と隣り合っている。より詳細には、第２回路領域４２は、第２受光領域４１に対して第１イメージセンサ３とは反対側に設けられている。第２回路領域４３は、第２受光領域４１に対してＹ軸方向における一方の側に設けられている。各第２回路領域４２，４３は、ワイヤ１１によって配線基板２と電気的に接続されている。
第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６は、第１イメージセンサ３及び第２イメージセンサ４上において互いに隣り合っている。より詳細には、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６は、第１半導体基板３０の表面３０ａ及び第２半導体基板４０の表面４０ａに接着剤等によって固体されており、Ｘ軸方向において互いに隣り合っている。
第１ＦＯＰ５は、第１光入射面５１、第１光出射面５２及び第１側面５３を有している。第１光入射面５１は、第１イメージセンサ３とは反対側の面である。第１光出射面５２は、第１イメージセンサ３側の面である。第１側面５３は、第１光入射面５１と第１光出射面５２とを結ぶ面である。第１ＦＯＰ５は、例えば、Ｘ軸方向に垂直な一対の側面及びＹ軸方向に垂直な一対の側面を第１側面５３として有する矩形板状を呈している。
第１ＦＯＰ５を構成する複数の光ファイバのそれぞれは、光入射端に対して光出射端がＸ軸方向において第２ＦＯＰ６とは反対側に位置するように、第１光入射面５１及び第１光出射面５２のそれぞれと例えば６７°の角度を成した状態で傾斜している。第１ＦＯＰ５では、光入射端が第１光入射面５１に位置し且つ光出射端が第１光出射面５２に位置する光ファイバが、第１光入射面５１から第１光出射面５２に導光可能な光ファイバである。第１ＦＯＰ５では、導光可能な複数の光ファイバの光入射端によって第１光入射面５１に第１光入射領域５４が形成されており、導光可能な複数の光ファイバの光出射端によって第１光出射面５２に第１光出射領域５５が形成されている。つまり、第１ＦＯＰ５では、第１光入射面５１のうちの第１光入射領域５４と第１光出射面５２のうちの第１光出射領域５５との間において導光可能である。第１光入射領域５４及び第１光出射領域５５のそれぞれは、例えば、Ｘ軸方向に垂直な一対の辺及びＹ軸方向に垂直な一対の辺を有する矩形状を呈している。
第２ＦＯＰ６は、第２光入射面６１、第２光出射面６２及び第２側面６３を有している。第２光入射面６１は、第２イメージセンサ４とは反対側の面である。第２光出射面６２は、第２イメージセンサ４側の面である。第２側面６３は、第２光入射面６１と第２光出射面６２とを結ぶ面である。第２ＦＯＰ６は、例えば、Ｘ軸方向に垂直な一対の側面及びＹ軸方向に垂直な一対の側面を第２側面６３として有する矩形板状を呈している。
第２ＦＯＰ６を構成する複数の光ファイバのそれぞれは、光入射端に対して光出射端がＸ軸方向において第１ＦＯＰ５とは反対側に位置するように、第２光入射面６１及び第２光出射面６２のそれぞれと例えば６７°の角度を成した状態で傾斜している。第２ＦＯＰ６では、光入射端が第２光入射面６１に位置し且つ光出射端が第２光出射面６２に位置する光ファイバが、第２光入射面６１から第２光出射面６２に導光可能な光ファイバである。第２ＦＯＰ６では、導光可能な複数の光ファイバの光入射端によって第２光入射面６１に第２光入射領域６４が形成されており、導光可能な複数の光ファイバの光出射端によって第２光出射面６２に第２光出射領域６５が形成されている。つまり、第２ＦＯＰ６では、第２光入射面６１のうちの第２光入射領域６４と第２光出射面６２のうちの第２光出射領域６５との間において導光可能である。第２光入射領域６４及び第２光出射領域６５のそれぞれは、例えば、Ｘ軸方向に垂直な一対の辺及びＹ軸方向に垂直な一対の辺を有する矩形状を呈している。
第１光入射領域５４における第２光入射領域６４側の一辺５４ａ、及び、第２光入射領域６４における第１光入射領域５４側の一辺６４ａは、互いに接触（線接触）している。第１光出射領域５５は、第１イメージセンサ３の第１受光領域３１上に位置している。第１光出射領域５５における第２光出射領域６５側の一辺５５ａは、第１受光領域３１における第２受光領域４１側の一辺３１ａ上又は当該一辺３１ａよりも内側に位置している。第２光出射領域６５は、第２イメージセンサ４の第２受光領域４１上に位置している。第２光出射領域６５における第１光出射領域５５側の一辺６５ａは、第２受光領域４１における第１受光領域３１側の一辺４１ａ上又は当該一辺４１ａよりも内側に位置している。第１光出射領域５５の一辺５５ａと第２光出射領域６５の一辺６５ａとの距離は、第１受光領域３１の一辺３１ａと第２受光領域４１の一辺４１ａとの距離よりも大きい。ここでは、Ｚ軸方向から見た場合に、第１受光領域３１の外縁は、第１光出射領域５５の外縁を含んでおり、第２受光領域４１の外縁は、第２光出射領域６５の外縁を含んでいる。
ここで、第１ＦＯＰ５を構成する複数の光ファイバのそれぞれが、光入射端に対して光出射端がＸ軸方向において第２ＦＯＰ６とは反対側に位置するように傾斜している場合に、第１ＦＯＰ５を構成する複数の光ファイバのそれぞれが、第１光入射面５１及び第１光出射面５２のそれぞれと成す角度（傾斜角度）をθ１とする。また、第２ＦＯＰ６を構成する複数の光ファイバのそれぞれが、光入射端に対して光出射端がＸ軸方向において第１ＦＯＰ５とは反対側に位置するように傾斜している場合に、第２ＦＯＰ６を構成する複数の光ファイバのそれぞれが、第２光入射面６１及び第２光出射面６２のそれぞれと成す角度（傾斜角度）をθ２とする。更に、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６のそれぞれの厚さをＴとする。この場合、第１光出射領域５５の一辺５５ａと第２光出射領域６５の一辺６５ａとの距離をＤ１とすると、Ｄ１＝Ｔ（１／tanθ１＋１／tanθ２）と表わされる。したがって、第１受光領域３１の一辺３１ａと第２受光領域４１の一辺４１ａとの距離をＤ２とすると、Ｄ１＞Ｄ２、すなわち、Ｔ（１／tanθ１＋１／tanθ２）＞Ｄ２を満たすように、第１ＦＯＰ５を構成する複数の光ファイバの傾斜角度θ１、及び第２ＦＯＰ６を構成する複数の光ファイバの傾斜角度θ２を決定すればよい。
図３に示されるように、互いに連続する第１光入射面５１及び第２光入射面６１の外縁Ｅ１は、Ｚ軸方向から見た場合に、第１受光領域３１、第１回路領域３２，３３、第２受光領域４１及び第２回路領域４２，４３を含んでいる。同様に、互いに連続する第１光出射面５２及び第２光出射面６２の外縁Ｅ２は、Ｚ軸方向から見た場合に、第１受光領域３１、第１回路領域３２，３３、第２受光領域４１及び第２回路領域４２，４３を含んでいる。なお、図３では、筐体９の図示が省略されている。
図１及び図２に示されるように、第１ＦＯＰ５の第１側面５３における第２ＦＯＰ６側の一側面５３ａ、及び、第２ＦＯＰ６の第２側面６３における第１ＦＯＰ５側の一側面６３ａは、互いに沿った形状を呈しており、互いに接触（面接触）している。第１ＦＯＰ５と第２ＦＯＰ６とは、互いに接触する一側面５３ａ及び一側面６３ａにおいて、接着剤等によって互いに接合されている。第１ＦＯＰ５と第２ＦＯＰ６とが互いに接合された状態において、第１光入射面５１及び第２光入射面６１は、同一平面（例えば、Ｚ軸に垂直な平面）上に位置しており、第１光出射面５２及び第２光出射面６２は、同一平面（例えば、Ｚ軸に垂直な平面）上に位置している。
シンチレータ層７は、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６上に設けられている。より詳細には、シンチレータ層７は、第１光入射領域５４及び第２光入射領域６４を覆うように、第１ＦＯＰ５の第１光入射面５１及び第２ＦＯＰ６の第２光入射面６１に形成されている。シンチレータ層７は、例えば、ＣｓＩ、ＧＯＳ等によって形成されており、放射線の入射に応じて光を発生する。
保護層８は、シンチレータ層７の表面のうち、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６と接触する表面を除く表面を覆っている。保護層８は、例えば、パリレン等によって形成されており、シンチレータ層７を湿気等から保護する。
筐体９は、配線基板２、第１イメージセンサ３、第２イメージセンサ４、第１ＦＯＰ５、第２ＦＯＰ６、シンチレータ層７及び保護層８を収容している。筐体９は、例えば、プラスチックによって形成されており、配線基板２、第１イメージセンサ３、第２イメージセンサ４、第１ＦＯＰ５、第２ＦＯＰ６、シンチレータ層７及び保護層８を外力等から保護しつつ、放射線を透過させる。
配線基板２には、記憶部２１及び電極パッド２２が設けられている。記憶部２１は、例えばメモリによって構成されている。電極パッド２２には、筐体９の壁部を介して外部に延在するケーブル２３が接続されている。ケーブル２３は、配線基板２に対する電気信号号の入出力、電力の供給等に用いられる。
記憶部２１は、第１ＦＯＰ５の第１光出射領域５５の一辺５５ａと第１イメージセンサ３の第１受光領域３１の一辺３１ａとの第１ずれ量、及び、第２ＦＯＰ６の第２光出射領域６５の一辺６５ａと第２イメージセンサ４の第２受光領域４１の一辺４１ａとの第２ずれ量を記憶している。第１光出射領域５５の一辺５５ａが第１受光領域３１の一辺３１ａ上に位置している場合には、記憶部２１は、第１ずれ量を０と記憶している。第２光出射領域６５の一辺６５ａが第２受光領域４１の一辺４１ａ上に位置している場合には、記憶部２１は、第２ずれ量を０と記憶している。
［放射線検出器の製造方法］
上述した放射線検出器１の製造方法について説明する。まず、図４の（ａ）に示されるように、ＦＯＰブロック１０を用意する。図４の（ａ）に二点鎖線で模式的に示されるように、ＦＯＰブロック１０を構成する複数の光ファイバは、ＦＯＰブロック１０の主面１０ａに垂直な方向に延在している。続いて、主面１０ａと例えば２３°の角度を成した状態で傾斜する面でＦＯＰブロック１０を切断し、図４の（ｂ）に示されるように、直方体状の第１ＦＯＰブロック５０及び第２ＦＯＰブロック６０を得る。図４の（ｂ）に二点鎖線で模式的に示されるように、第１ＦＯＰブロック５０を構成する複数の光ファイバのそれぞれは、第１ＦＯＰブロック５０の第１主面５０ａと例えば６７°の角度を成した状態で傾斜している。同様に、第２ＦＯＰブロック６０を構成する複数の光ファイバのそれぞれは、第２ＦＯＰブロック６０の第２主面６０ａと例えば６７°の角度を成した状態で傾斜している。
続いて、図５の（ａ）に示されるように、第１ＦＯＰブロック５０を構成する複数の光ファイバと第２ＦＯＰブロック６０を構成する複数の光ファイバとが第１主面５０ａ及び第２主面６０ａから離れるほど互いに離れるように、第１ＦＯＰブロック５０と第２ＦＯＰブロック６０とを接着剤等によって互いに接合する。続いて、図５の（ｂ）に示されるように、互いに接合された第１ＦＯＰブロック５０及び第２ＦＯＰブロック６０を、第１主面５０ａ及び第２主面６０ａに垂直な面及び平行な面で切断し、図５の（ｃ）に示されるように、互いに接合された第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６を複数得る。以上が、第１側面５３の一側面５３ａ及び第２側面６３の一側面６３ａにおいて互いに接合された第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６を取得する工程である。
続いて、第１ＦＯＰ５の第１光入射面５１及び第２ＦＯＰ６の第２光入射面６１を研磨すると共に、第１ＦＯＰ５の第１光出射面５２及び第２ＦＯＰ６の第２光出射面６２を研磨する（研磨する工程）。これにより、第１光入射面５１及び第２光入射面６１を面一にすると共に、第１光出射面５２及び第２光出射面６２を面一にする。なお、第１光入射面５１及び第２光入射面６１を研磨し、その後に、第１光出射面５２及び第２光出射面６２を研磨してもよいし、或いは、第１光出射面５２及び第２光出射面６２を研磨し、その後に、第１光入射面５１及び第２光入射面６１を研磨してもよい。
その一方で、図６の（ａ）に示されるように、記憶部２１及び電極パッド２２が設けられた配線基板２に第１イメージセンサ３及び第２イメージセンサ４を実装する。また、図６の（ｂ）に示されるように、第１ＦＯＰ５の第１光入射領域５４及び第２ＦＯＰ６の第２光入射領域６４を覆うように、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６上にシンチレータ層７を形成する（形成すると共に接合する工程）。ここでは、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６上にシンチレータ材料を蒸着することで、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６上にシンチレータ層７を形成する。続いて、図７の（ａ）に示されるように、シンチレータ層７の表面のうち、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６と接触する表面を除く表面を覆うように、保護層８を形成する。
続いて、図７の（ｂ）に示されるように、配線基板２に実装された第１イメージセンサ３及び第２イメージセンサ４上に、シンチレータ層７及び保護層８が設けられた第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６を接着剤等によって接合する（形成すると共に接合する工程）。このとき、第１ＦＯＰ５の第１光出射領域５５が第１イメージセンサ３の第１受光領域３１上に位置し且つ第２ＦＯＰ６の第２光出射領域６５が第２イメージセンサ４の第２受光領域４１上に位置するように、位置決めを実施する。なお、配線基板２に実装された第１イメージセンサ３及び第２イメージセンサ４上に第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６を接合し、その後に、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６上にシンチレータ層７を形成してもよい。例えば、シンチレータ層７がフィルムタイプである場合には、第１イメージセンサ３及び第２イメージセンサ４上に第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６を接合し、その後に、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６上にシンチレータ層７を貼り付けることで、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６上にシンチレータ層７を形成できる。
続いて、図１に示されるように、配線基板２、第１イメージセンサ３、第２イメージセンサ４、第１ＦＯＰ５、第２ＦＯＰ６、シンチレータ層７及び保護層８を筐体９に収容し、配線基板２の電極パッド２２に接続されたケーブル２３を、筐体９の壁部を介して外部に引き出す。
続いて、ケーブル２３を画像処理装置に接続し、予め用意されたリファレンスについて放射線画像を取得する。ここで、第１ＦＯＰ５の第１光出射領域５５の一辺５５ａが第１イメージセンサ３の第１受光領域３１の一辺３１ａの内側に位置している場合には、第１光出射領域５５の一辺５５ａと第１受光領域３１の一辺３１ａとの第１ずれ量の分だけ、リファレンスについての放射線画像に画素値が欠落した領域が発生する。同様に、第２ＦＯＰ６の第２光出射領域６５の一辺６５ａが第２イメージセンサ４の第２受光領域４１の一辺４１ａの内側に位置している場合には、第２光出射領域６５の一辺６５ａと第２受光領域４１の一辺４１ａとの第２ずれ量の分だけ、リファレンスについての放射線画像に画素値が欠落した領域が発生する。そこで、リファレンスについての放射線画像に基づいて、第１ずれ量及び第２ずれ量を測定する（測定する工程）。
続いて、配線基板２に設けられた記憶部２１に、第１ずれ量及び第２ずれ量を記憶させる（記憶させる工程）。なお、第１光出射領域５５の一辺５５ａが第１受光領域３１の一辺３１ａ上に位置している場合には、第１ずれ量は０である。同様に、第２光出射領域６５の一辺６５ａが第２受光領域４１の一辺４１ａ上に位置している場合には、第２ずれ量は０である。以上により、放射線検出器１が得られる。
［画像処理方法］
上述した放射線検出器１を用いた画像処理方法について説明する。ここでは、放射線画像として口腔内のＸ線透過画像を取得する場合について説明する。
まず、ケーブル２３を画像処理装置に接続する。なお、配線基板２に信号送信部を設け、配線基板２と画像処理装置とを無線で接続してもよい。続いて、画像処理装置が、第１ずれ量及び第２ずれ量を、ケーブル２３を介して記憶部２１から取得する（取得する工程）。続いて、筐体９を口腔内に配置し、口腔内のＸ線透過像の撮像を実施する。続いて、画像処理装置が、第１イメージセンサ３から出力された第１電気信号、及び、第２イメージセンサ４から出力された第２電気信号を、配線基板２及びケーブル２３を介して取得する。続いて、画像処理装置が、第１電気信号及び第２電気信号、並びに、第１ずれ量及び第２ずれ量に基づいて、１枚のＸ線透過画像を生成する（生成する工程）。
より詳細には、画像処理装置が第１ずれ量及び第２ずれ量を考慮せずに１枚のＸ線透過画像を生成すると、図８に示されるように、第１電気信号基づく画像Ａ１と第２電気信号に基づく画像Ａ２との間に隙間（画素値が欠落した領域）が形成される。図９に示されるように、当該隙間は、第１ずれ量Ｓ１及び第２ずれ量Ｓ２に相当する。そこで、画像処理装置は、第１ずれ量Ｓ１及び第２ずれ量Ｓ２を考慮して当該隙間を消去することで、図１０に示されるように、隙間を介さずに第１電気信号基づく画像Ａ１と第２電気信号に基づく画像Ａ２とが結合された１枚のＸ線透過画像Ａ１０を生成する。
［作用及び効果］
以上説明したように、放射線検出器１では、放射線（例えば、Ｘ線）がシンチレータ層７に入射すると、シンチレータ層７で光が発生する。そして、シンチレータ層７から第１ＦＯＰ５に入射した光は、第１光入射領域５４から第１光出射領域５５に導光され、第１イメージセンサ３の第１受光領域３１に入射する。一方、シンチレータ層７から第２ＦＯＰ６に入射した光は、第２光入射領域６４から第２光出射領域６５に導光され、第２イメージセンサ４の第２受光領域４１に入射する。ここで、第１光入射領域５４における第２光入射領域６４側の一辺５４ａ、及び、第２光入射領域６４における第１光入射領域５４側の一辺６４ａは、互いに接触している。そのため、シンチレータ層７で発生した光が連続した状態で第１イメージセンサ３及び第２イメージセンサ４によって検出される。また、第１側面５３における第２ＦＯＰ６側の一側面５３ａ、及び、第２側面６３における第１ＦＯＰ５側の一側面６３ａは、互いに沿った形状を呈しており、互いに接触している。そのため、第１ＦＯＰ５の第１光入射面５１と第２ＦＯＰ６の第２光入射面６１との間に位置ずれが生じ難い。よって、放射線検出器１によれば、放射線画像を広範囲で精度良く取得できる。
また、放射線検出器１では、第１光出射領域５５における第２光出射領域６５側の一辺５５ａと第２光出射領域６５における第１光出射領域５５側の一辺６５ａとの距離が、第１受光領域３１における第２受光領域４１側の一辺３１ａと第２受光領域４１における第１受光領域３１側の一辺４１ａとの距離よりも大きい。そして、第１光出射領域５５における第２光出射領域６５側の一辺５５ａが、第１受光領域３１における第２受光領域４１側の一辺３１ａ上又は当該一辺３１ａよりも内側に位置しており、第２光出射領域６５における第１光出射領域５５側の一辺６５ａが、第２受光領域４１における第１受光領域３１側の一辺４１ａ上又は当該一辺４１ａよりも内側に位置していている。この構成により、第１イメージセンサ３及び第２イメージセンサ４に対する第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６の位置決め精度を緩和しつつ、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６のそれぞれによって導光された光を第１イメージセンサ３及び第２イメージセンサ４において確実に検出できる。
また、放射線検出器１は、配線基板２に設けられた記憶部２１が、第１光出射領域５５における第２光出射領域６５側の一辺５５ａと第１受光領域３１における第２受光領域４１側の一辺３１ａとの第１ずれ量、及び、第２光出射領域６５における第１光出射領域５５側の一辺６５ａと第２受光領域４１における第１受光領域３１側の一辺４１ａとの第２ずれ量を記憶している。この構成により、第１ずれ量及び第２ずれ量に基づいて、連続した１枚の放射線画像を生成できる。
また、放射線検出器１では、互いに連続する第１光入射面５１及び第２光入射面６１の外縁Ｅ１が、Ｚ軸方向から見た場合に、第１受光領域３１、第１回路領域３２，３３、第２受光領域４１及び第２回路領域４２，４３（以下、「第１受光領域３１等」という）を含んでいる。同様に、互いに連続する第１光出射面５２及び第２光出射面６２の外縁Ｅ２が、Ｚ軸方向から見た場合に、第１受光領域３１等を含んでいる。この構成により、第１受光領域３１等の放射線入射側に、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６が十分な厚さ（すなわち、第１光入射面５１と第１光出射面５２との距離に相当する厚さ、第２光入射面６１と第２光出射面６２との距離に相当する厚さ）で存在することになるため、第１受光領域３１等の放射線による劣化を抑制できる。
また、放射線検出器１では、第１ＦＯＰ５を構成する複数の光ファイバのそれぞれが、第１イメージセンサ３の第１受光領域３１と９０°以外の角度を成した状態で傾斜しており、第２ＦＯＰ６を構成する複数の光ファイバのそれぞれが、第２イメージセンサ４の第２受光領域４１と９０°以外の角度を成した状態で傾斜している。この構成により、例えば、第１ＦＯＰ５を構成する複数の光ファイバのそれぞれが第１受光領域３１と９０°の角度を成している場合に比べ、第１受光領域３１の放射線による劣化を抑制できる。同様に、例えば、第２ＦＯＰ６を構成する複数の光ファイバのそれぞれが第２受光領域４１と９０°の角度を成している場合に比べ、第２受光領域４１の放射線による劣化を抑制できる。しかも、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６の両方において、それらを構成する複数の光ファイバのそれぞれが傾斜しているため、第１受光領域３１の放射線による劣化の度合いと第２受光領域４１の放射線による劣化の度合いとに差が生じ難くなり、第１受光領域３１からの出力値と第２受光領域４１からの出力値とに、放射線による劣化の度合いの差に起因する差が生じ難くなる。
また、放射線検出器１の製造方法では、互いに接合された第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６を取得する工程と、第１ＦＯＰ５の第１光入射面５１及び第２ＦＯＰ６の第２光入射面６１を研磨する工程と、を経ることで、第１ＦＯＰ５の第１光入射面５１及び第２ＦＯＰ６の第２光入射面６１を容易に且つ確実に面一にできる。しかも、第１光入射面５１及び第２光入射面６１が面一にされた状態で、シンチレータ層７を形成する工程を経ることで、蒸着によってシンチレータ層７を形成する場合にも、或いは、貼り付けによってシンチレータ層７を形成する場合にも、シンチレータ層７に歪み等が生じるのを抑制できる。よって、放射線検出器１の製造方法によれば、放射線画像を広範囲で精度良く取得可能な放射線検出器１を確実に製造できる。
また、放射線検出器１の製造方法では、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６上に、シンチレータ層７を形成し、その後に、配線基板２に実装された第１イメージセンサ３及び第２イメージセンサ４上に、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６を接合する。この場合、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６上に形成されたシンチレータ層７の検査を、比較的高価な第１イメージセンサ３及び第２イメージセンサ４との接合前に実施できるため、例えばシンチレータ層７に不良があった場合に、第１イメージセンサ３及び第２イメージセンサ４が無駄にならず、その結果、製造コストの上昇を抑制できる。
また、放射線検出器１の製造方法では、シンチレータ層７がＣｓＩによって形成されている。ここでは、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６上に、予めシンチレータ層７を形成するため、ＣｓＩが有する腐食性に起因して第１イメージセンサ３及び第２イメージセンサ４並びに配線基板２にダメージが生じるのを抑制できる。
また、放射線検出器１の製造方法では、研磨する工程において、第１ＦＯＰ５の第１光入射面５１及び第２ＦＯＰ６の第２光入射面６１を研磨すると共に、第１ＦＯＰ５の第１光出射面５２及び第２ＦＯＰ６の第２光出射面６２を研磨する。この場合、第１イメージセンサ３及び第２イメージセンサ４上に第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６を接合する工程において、第１ＦＯＰ５の第１光出射領域５５と第１イメージセンサ３の第１受光領域３１との距離、及び、第２ＦＯＰ６の第２光出射領域６５と第２イメージセンサ４の第２受光領域４１との距離を均一にできる。よって、この場合、放射線画像を広範囲で精度良く取得可能な放射線検出器１をより確実に製造できる。
また、放射線検出器１の製造方法では、個々の放射線検出器１に固有の第１ずれ量及び第２ずれ量が記憶部２１に記憶されるため、記憶された第１ずれ量及び第２ずれ量に基づいて１枚の放射線画像を精度良く生成可能な放射線検出器１を製造できる。
また、放射線検出器１を用いた画像処理方法では、個々の放射線検出器１に固有の第１ずれ量及び第２ずれ量が取得されるため、取得された第１ずれ量及び第２ずれ量に基づいて１枚の放射線画像を精度良く生成できる。
［変形例］
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。例えば、第１ＦＯＰ５の第１光入射領域５４及び第２ＦＯＰ６の第２光入射領域６４のそれぞれは、第１光入射領域５４の一辺５４ａ及び第２光入射領域６４の一辺６４ａが互いに接触（線接触）していれば、矩形状以外の形状（例えば、矩形状以外の多角形状）を呈していてもよい。なお、第１光入射領域５４の一辺５４ａに沿って、導光可能でない光ファイバ（例えば、光入射端の一部が欠損した光ファイバ）が部分的に存在する場合もある。同様に、第２光入射領域６４の一辺６４ａに沿って、導光可能でない光ファイバ（例えば、光入射端の一部が欠損した光ファイバ）が部分的に存在する場合もある。
また、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６のそれぞれは、第１側面５３の一側面５３ａ及び第２側面６３の一側面６３ａが互いに沿った形状を呈しており且つ互いに接触（面接触）していれば、矩形板状以外の形状（例えば、矩形板状以外の多角形板状）を呈していてもよい。一例として、一側面５３ａ及び一側面６３ａが第１光入射面５１及び第２光入射面６１に対して９０°以外の角度で傾斜していてもよい。
また、第１光入射領域５４の一辺５４ａ及び第２光入射領域６４の一辺６４ａが互いに接触（線接触）し、第１側面５３の一側面５３ａ及び第２側面６３の一側面６３ａが互いに沿った形状を呈し且つ互いに接触（面接触）するとの条件を満たせば、図１１の（ａ）に示されるように、第１ＦＯＰ５を構成する複数の光ファイバ（又は第２ＦＯＰ６を構成する複数の光ファイバ）は、第１光入射面５１及び第２光入射面６１に垂直な方向に延在していてもよい。
また、第１光入射領域５４の一辺５４ａ及び第２光入射領域６４の一辺６４ａが互いに接触（線接触）し、第１側面５３の一側面５３ａ及び第２側面６３の一側面６３ａが互いに沿った形状を呈し且つ互いに接触（面接触）するとの条件を満たせば、図１１の（ｂ）に示されるように、Ｘ軸方向における第１ＦＯＰ５の長さ及び第２ＦＯＰ６の長さは、互いに異なっていてもよい。また、同条件を満たせば、図１２の（ａ）に示されるように、Ｙ軸方向における第１ＦＯＰ５の長さ及び第２ＦＯＰ６の長さは、互いに異なっていてもよい。また、同条件を満たせば、図１２の（ｂ）に示されるように、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６は、Ｙ軸方向において互いにずれた状態で配置されていてもよい。
また、放射線検出器１は、図１３に示されるように、第３光入射面１３１、第３光出射面１３２及び第３側面１３３を有する第３ＦＯＰ１３を更に備え、第１ＦＯＰ５、第２ＦＯＰ６及び第３ＦＯＰ１３が直列に配置されていてもよい。図１３に示される構成においても、互いに隣り合うＦＯＰにおいて、一方の光入射領域における他方の光入射領域側の一辺及び他方の光入射領域における一方の光入射領域側の一辺が互いに接触（線接触）し、一方のＦＯＰの側面における他方のＦＯＰ側の一側面及び他方のＦＯＰの側面における一方のＦＯＰ側の一側面が互いに沿った形状を呈し且つ互いに接触（面接触）するとの条件を満たしている。なお、第３ＦＯＰ１３は、第３受光領域１２１を有する第３イメージセンサ１２上に設けられている。また、第１ＦＯＰ５と第３ＦＯＰ１３との間に配置された第２ＦＯＰ６を構成する複数の光ファイバは、第２光入射面６１に垂直な方向に延在している。
また、放射線検出器１は、図１４に示されるように、第３光入射面１３１、第３光出射面１３２及び第３側面１３３を有する第３ＦＯＰ１３と、第４光入射面１４１、第３光出射面（図示省略）及び第４側面１４３を有する第４ＦＯＰ１４と、を更に備え、第１ＦＯＰ５、第２ＦＯＰ６、第３ＦＯＰ１３及び第４ＦＯＰ１４がマトリックス状に配置されていてもよい。図１４に示される構成においても、互いに隣り合うＦＯＰにおいて、一方の光入射領域における他方の光入射領域側の一辺及び他方の光入射領域における一方の光入射領域側の一辺が互いに接触（線接触）し、一方のＦＯＰの側面における他方のＦＯＰ側の一側面及び他方のＦＯＰの側面における一方のＦＯＰ側の一側面が互いに沿った形状を呈し且つ互いに接触（面接触）するとの条件を満たしている。なお、第３ＦＯＰ１３は、第３受光領域１２１を有する第３イメージセンサ１２上に設けられており、第４ＦＯＰ１４は、第４受光領域を有する第４イメージセンサ（図示省略）上に設けられている。
また、互いに連続する第１光入射面５１及び第２光入射面６１の外縁Ｅ１、並びに、互いに連続する第１光出射面５２及び第２光出射面６２の外縁Ｅ２は、Ｚ軸方向から見た場合に、少なくとも第１受光領域３１及び第２受光領域４１を含んでいればよい。その場合にも、少なくとも第１受光領域３１及び第２受光領域４１の放射線による劣化を抑制できる。
また、放射線検出器１の製造方法では、互いに接合された第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６について、少なくとも第１光入射面５１及び第２光入射面６１を研磨すればよい。その場合にも、第１光入射面５１及び第２光入射面６１が面一にされた状態で第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６上にシンチレータ層７を形成できるので、シンチレータ層７に歪み等が生じるのを抑制できる。
また、放射線検出器１の製造方法では、接合する工程において、配線基板２に実装された第１イメージセンサ３及び第２イメージセンサ４上に、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６を接合し、その後に、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６上に、シンチレータ層７を形成してもよい。この場合、その他の部材に比べて強度の低いシンチレータ層７が最後に形成されるため、シンチレータ層７にダメージが生じるのを抑制できる。
また、放射線検出器１の製造方法では、配線基板２に設けられた記憶部２１に、第１ずれ量及び第２ずれ量を記憶させなくてもよい。その場合、放射線検出器１を用いた画像処理方法では、例えば、画像処理装置が、その記憶部に別途記憶した第１ずれ量及び第２ずれ量を読み出すことで、第１ずれ量及び第２ずれ量を取得し（取得する工程）、画像処理装置が、第１電気信号及び第２電気信号、並びに、第１ずれ量及び第２ずれ量に基づいて、１枚のＸ線透過画像を生成してもよい（生成する工程）。また、画像処理装置が、第１ずれ量及び第２ずれ量を考慮せずに生成したＸ線透過画像において、第１電気信号基づく画像と第２電気信号に基づく画像との間に発生する隙間（画素値が欠落した領域）を画素値に基づいて抽出することで、第１ずれ量及び第２ずれ量を取得し（取得する工程）、画像処理装置が、第１電気信号及び第２電気信号、並びに、第１ずれ量及び第２ずれ量に基づいて、１枚のＸ線透過画像を生成してもよい（生成する工程）。
また、放射線検出器１の製造方法では、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６上にシンチレータ層７を形成すると共に、配線基板２に実装された第１イメージセンサ３及び第２イメージセンサ４上に第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６を接合し（形成すると共に接合する工程）、その後に、第１ずれ量及び第２ずれ量を測定し（測定する工程）、その後に、配線基板２に設けられた記憶部２１に第１ずれ量及び第２ずれ量を記憶させてもよい（記憶させる工程）。その場合、互いに接合された第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６を予め用意すること、及び、第１ＦＯＰ５の第１光入射面５１及び第２ＦＯＰ６の第２光入射面６１を研磨することは、必須ではない。
なお、「配線基板と、配線基板上において互いに隣り合う第１イメージセンサ及び第２イメージセンサと、第１イメージセンサ及び第２イメージセンサ上において互いに隣り合う第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレートと、第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレート上に設けられたシンチレータ層と、を備え、第１ファイバオプティックプレートは、第１光入射面、第１光出射面、及び、第１光入射面と第２光出射面とを結ぶ第１側面を有し、第１光入射面のうちの第１光入射領域と第１光出射面のうちの第１光出射領域との間において導光可能であり、第２ファイバオプティックプレートは、第２光入射面、第２光出射面、及び、第２光入射面と第２光出射面とを結ぶ第２側面を有し、第２光入射面のうちの第２光入射領域と第２光出射面のうちの第２光出射領域との間において導光可能であり、第１光入射領域における第２光入射領域側の一辺、及び、第２光入射領域における第１光入射領域側の一辺は、互いに接触しており、第１光出射領域は、第１イメージセンサの第１受光領域上に位置しており、第２光出射領域は、第２イメージセンサの第２受光領域上に位置している、放射線検出器」（「他の形態の放射線検出器」という）を対象として、次のような方法が実現され得る。
すなわち、他の形態の放射線検出器の製造方法であって、「第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレート上に、シンチレータ層を形成すると共に、配線基板に実装された第１イメージセンサ及び第２イメージセンサ上に、第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレートを接合する工程と、形成すると共に接合する工程の後に、第１ずれ量及び第２ずれ量を測定する工程と、測定する工程の後に、配線基板に設けられた記憶部に、第１ずれ量及び第２ずれ量を記憶させる工程と、を備える、放射線検出器の製造方法」である。
この他の形態の放射線検出器の製造方法によれば、個々の放射線検出器に固有の第１ずれ量及び第２ずれ量が記憶部に記憶されるため、記憶された第１ずれ量及び第２ずれ量に基づいて１枚の放射線画像を精度良く生成可能な放射線検出器を製造できる。
また、他の形態の放射線検出器を用いた他の形態の画像処理方法であって、「第１光出射領域における第２光出射領域側の一辺と第１受光領域における第２受光領域側の一辺との第１ずれ量、及び、第２光出射領域における第１光出射領域側の一辺と第２受光領域における第１受光領域側の一辺との第２ずれ量を取得する工程と、取得する工程の後に、配線基板を介して第１イメージセンサから出力された第１電気信号、及び、配線基板を介して第２イメージセンサから出力された第２電気信号、並びに、第１ずれ量及び第２ずれ量に基づいて、１枚の放射線画像を生成する工程と、を備える、画像処理方法」である。
この他の形態の画像処理方法によれば、個々の放射線検出器に固有の第１ずれ量及び第２ずれ量が取得されるため、取得された第１ずれ量及び第２ずれ量に基づいて１枚の放射線画像を精度良く生成できる。
１…放射線検出器、２…配線基板、３…第１イメージセンサ、４…第２イメージセンサ、５…第１ＦＯＰ（第１ファイバオプティックプレート）、６…第２ＦＯＰ（第２ファイバオプティックプレート）、７…シンチレータ層、２１…記憶部、３１…第１受光領域、３１ａ…一辺、３２，３３…第１回路領域、４１…第２受光領域、４１ａ…一辺、４２，４３…第２回路領域、５１…第１光入射面、５２…第１光出射面、５３…第１側面、５３ａ…一側面、５４…第１光入射領域、５４ａ…一辺、５５…第１光出射領域、５５ａ…一辺、６１…第２光入射面、６２…第２光出射面、６３…第２側面、６３ａ…一側面、６４…第２光入射領域、６４ａ…一辺、６５…第２光出射領域、６５ａ…一辺。

Claims (12)

  1. 配線基板と、
    前記配線基板上において互いに隣り合う第１イメージセンサ及び第２イメージセンサと、
    前記第１イメージセンサ及び前記第２イメージセンサ上において互いに隣り合う第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレートと、
    前記第１ファイバオプティックプレート及び前記第２ファイバオプティックプレート上に設けられたシンチレータ層と、を備え、
    前記第１ファイバオプティックプレートは、第１光入射面、第１光出射面、及び、第１光入射面と前記第１光出射面とを結ぶ第１側面を有し、前記第１光入射面のうちの第１光入射領域と前記第１光出射面のうちの第１光出射領域との間において導光可能であり、
    前記第２ファイバオプティックプレートは、第２光入射面、第２光出射面、及び、第２光入射面と前記第２光出射面とを結ぶ第２側面を有し、前記第２光入射面のうちの第２光入射領域と前記第２光出射面のうちの第２光出射領域との間において導光可能であり、
    前記第１光入射領域における前記第２光入射領域側の一辺、及び、前記第２光入射領域における前記第１光入射領域側の一辺は、互いに接触しており、
    前記第１光出射領域は、前記第１イメージセンサの第１受光領域上に位置しており、
    前記第２光出射領域は、前記第２イメージセンサの第２受光領域上に位置しており、
    前記第１側面における前記第２ファイバオプティックプレート側の一側面、及び、前記第２側面における前記第１ファイバオプティックプレート側の一側面は、互いに沿った形状を呈しており、互いに接触している、放射線検出器。
  2. 前記第１光出射領域における前記第２光出射領域側の一辺と前記第２光出射領域における前記第１光出射領域側の一辺との距離は、前記第１受光領域における前記第２受光領域側の一辺と前記第２受光領域における前記第１受光領域側の一辺との距離よりも大きく、
    前記第１光出射領域における前記第２光出射領域側の前記一辺は、前記第１受光領域における前記第２受光領域側の前記一辺上又は当該一辺よりも内側に位置しており、
    前記第２光出射領域における前記第１光出射領域側の前記一辺は、前記第２受光領域における前記第１受光領域側の前記一辺上又は当該一辺よりも内側に位置している、請求項１に記載の放射線検出器。
  3. 前記配線基板に設けられた記憶部を更に備え、
    前記記憶部は、前記第１光出射領域における前記第２光出射領域側の前記一辺と前記第１受光領域における前記第２受光領域側の前記一辺との第１ずれ量、及び、前記第２光出射領域における前記第１光出射領域側の前記一辺と前記第２受光領域における前記第１受光領域側の前記一辺との第２ずれ量を記憶している、請求項２に記載の放射線検出器。
  4. 互いに連続する前記第１光入射面及び前記第２光入射面の外縁、並びに、互いに連続する前記第１光出射面及び前記第２光出射面の外縁は、前記配線基板の厚さ方向から見た場合に、前記第１受光領域及び前記第２受光領域を含んでいる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の放射線検出器。
  5. 前記第１イメージセンサは、前記第１受光領域と隣り合う第１回路領域を有し、
    前記第２イメージセンサは、前記第２受光領域と隣り合う第２回路領域を有し、
    互いに連続する前記第１光入射面及び前記第２光入射面の前記外縁、並びに、互いに連続する前記第１光出射面及び前記第２光出射面の前記外縁は、前記配線基板の厚さ方向から見た場合に、前記第１受光領域、前記第１回路領域、前記第２受光領域及び前記第２回路領域を含んでいる、請求項４に記載の放射線検出器。
  6. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の放射線検出器の製造方法であって、
    前記第１側面における前記第２ファイバオプティックプレート側の前記一側面及び前記第２側面における前記第１ファイバオプティックプレート側の前記一側面において互いに接合された前記第１ファイバオプティックプレート及び前記第２ファイバオプティックプレートを取得する工程と、
    前記取得する工程の後に、前記第１ファイバオプティックプレートの前記第１光入射面及び前記第２ファイバオプティックプレートの前記第２光入射面を研磨する工程と、
    前記研磨する工程の後に、前記第１ファイバオプティックプレート及び前記第２ファイバオプティックプレート上に、前記シンチレータ層を形成すると共に、前記配線基板に実装された前記第１イメージセンサ及び前記第２イメージセンサ上に、前記第１ファイバオプティックプレート及び前記第２ファイバオプティックプレートを接合する工程と、を備える、放射線検出器の製造方法。
  7. 前記接合する工程においては、前記第１ファイバオプティックプレート及び前記第２ファイバオプティックプレート上に、前記シンチレータ層を形成し、その後に、前記配線基板に実装された前記第１イメージセンサ及び前記第２イメージセンサ上に、前記第１ファイバオプティックプレート及び前記第２ファイバオプティックプレートを接合する、請求項６に記載の放射線検出器の製造方法。
  8. 前記シンチレータ層は、ＣｓＩによって形成されている、請求項７に記載の放射線検出器の製造方法。
  9. 前記接合する工程においては、前記配線基板に実装された前記第１イメージセンサ及び前記第２イメージセンサ上に、前記第１ファイバオプティックプレート及び前記第２ファイバオプティックプレートを接合し、その後に、前記第１ファイバオプティックプレート及び前記第２ファイバオプティックプレート上に、前記シンチレータ層を形成する、請求項６に記載の放射線検出器の製造方法。
  10. 前記研磨する工程においては、前記第１ファイバオプティックプレートの前記第１光入射面及び前記第２ファイバオプティックプレートの前記第２光入射面を研磨すると共に、前記第１ファイバオプティックプレートの前記第１光出射面及び前記第２ファイバオプティックプレートの前記第２光出射面を研磨する、請求項６〜９のいずれか一項に記載の放射線検出器の製造方法。
  11. 請求項３に記載の放射線検出器の製造方法であって、
    前記第１ファイバオプティックプレート及び前記第２ファイバオプティックプレート上に、前記シンチレータ層を形成すると共に、前記配線基板に実装された前記第１イメージセンサ及び前記第２イメージセンサ上に、前記第１ファイバオプティックプレート及び前記第２ファイバオプティックプレートを接合する工程と、
    前記形成すると共に接合する工程の後に、前記第１ずれ量及び前記第２ずれ量を測定する工程と、
    前記測定する工程の後に、前記配線基板に設けられた前記記憶部に、前記第１ずれ量及び前記第２ずれ量を記憶させる工程と、を備える、放射線検出器の製造方法。
  12. 請求項２に記載の放射線検出器を用いた画像処理方法であって、
    前記第１光出射領域における前記第２光出射領域側の前記一辺と前記第１受光領域における前記第２受光領域側の前記一辺との第１ずれ量、及び、前記第２光出射領域における前記第１光出射領域側の前記一辺と前記第２受光領域における前記第１受光領域側の前記一辺との第２ずれ量を取得する工程と、
    前記取得する工程の後に、前記配線基板を介して前記第１イメージセンサから出力された第１電気信号、及び、前記配線基板を介して前記第２イメージセンサから出力された第２電気信号、並びに、前記第１ずれ量及び前記第２ずれ量に基づいて、１枚の放射線画像を生成する工程と、を備える、画像処理方法。
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