JP2019186343A - インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】生産性の向上に有利なインプリント技術を提供する。【解決手段】インプリント装置は、型を用いて基板１０３の上にインプリント材の硬化物からなるパターンを形成するインプリント処理を行う。インプリント装置は、前記基板を保持する基板保持部１０８と、前記基板が前記基板保持部によって保持された状態において、前記基板が前記型に向かって凸になるように前記基板を変形させる基板変形機構ＣＤＭと、前記基板の結晶方位に関する方位情報と、前記基板の複数のショット領域のうち前記インプリント処理が実施される対象ショット領域とに応じて、前記基板変形機構による前記基板の変形を制御する制御部と、を備える。【選択図】図７

Description

本発明は、インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法に関する。

インプリント装置は、基板の上のインプリント材と型とを接触させた状態でインプリント材を硬化させることによって基板の上にパターンを形成する。インプリント装置において、型または基板の一方を他方に向かって凸になるように変形させる技術がある。特許文献１には、基板の上のインプリント材に型を接触させる際に型を基板に向かって凸になるように変形させることが記載されている。特許文献２には、基板が型に向かって凸になるように変形させることが記載されている。

特許第５１９８２８２号公報 特許第４６６７５２４号公報

本発明者は、基板が型に向かって凸になるように基板を変形させる方式において、複数のショット領域間で基板の撓み量（変形前の評価点の高さと変形後の該評価点の高さとの差分）にばらつきがあることを見出した。撓み量のばらつきは、基板と型との衝突の可能性を高めうる。これは、型の劣化ないしは損傷や、形成されるパターンの不良をもたらしうる。このような不利益を解消するために、基板と型との接触を制御するための条件をショット領域ごとに試行錯誤により調整したならば、生産性は著しく低下しうる。

本発明は、上記の検討に基づいてなされたものであり、生産性の向上に有利なインプリント技術を提供することを目的とする。

本発明の１つの側面は、型を用いて基板の上にインプリント材の硬化物からなるパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置に係り、前記インプリント装置は、前記基板を保持する基板保持部と、前記基板が前記基板保持部によって保持された状態において、前記基板が前記型に向かって凸になるように前記基板を変形させる基板変形機構と、前記基板の結晶方位に関する方位情報と、前記基板の複数のショット領域のうち前記インプリント処理が実施される対象ショット領域とに応じて、前記基板変形機構による前記基板の変形を制御する制御部と、を備える。

本発明によれば、生産性の向上に有利なインプリント技術が提供される。

本発明の一実施形態のインプリント装置の構成を模式的に示す図。 型保持部およびその周辺部分の構成を模式的に示す断面図（ａ）、および、基板保持部の構成を模式的に示す図。 型の構成を例示する図。 インプリント装置による一般的なインプリント処理を模式的に示す図。 欠けショット領域に対する一般的なインプリント処理において生じうる問題を説明するための図。 改良されたインプリント処理を模式的に示す図。 改良されたインプリント処理における問題点を説明するための図。 基板における周辺領域の撓み量を基板の全周にわたって計測した結果を例示する図。 本発明の一実施形態のインプリント装置における計測モードの動作を例示する図。 本発明の一実施形態のインプリント装置における製造モードの動作を例示する図。 物品製造方法を例示する図。

以下、添付図面を参照しながら本発明をその例示的な実施形態を通して説明する。

図１には、本発明の一実施形態のインプリント装置ＮＩＬの構成が模式的に示されている。インプリント装置ＮＩＬは、基板１０３の上に供給されたインプリント材３０１と型１０２とを接触させ、その状態でインプリント材３０１を硬化させることによってインプリント材３０１の硬化物からなるパターンを形成するインプリント処理を行う。インプリント材は、それを硬化させるエネルギーが与えられることによって硬化する硬化性組成物である。インプリント材は、硬化した状態を意味する場合もあるし、未硬化の状態を意味する場合もある。硬化用のエネルギーとしては、例えば、電磁波、熱等が用いられうる。電磁波は、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される光（例えば、赤外線、可視光線、紫外線）でありうる。

硬化性組成物は、典型的には、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。これらのうち光により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物および光重合開始剤を含有しうる。また、光硬化性組成物は、付加的に非重合性化合物または溶剤を含有しうる。非重合性化合物は、例えば、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種でありうる。

本明細書および添付図面では、基板１０３を保持する基板保持部１０８の保持面の表面に平行な方向をＸＹ平面とするＸＹＺ座標系において方向を示す。ＸＹＺ座標系におけるＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸にそれぞれ平行な方向をＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向とし、Ｘ軸周りの回転、Ｙ軸周りの回転、Ｚ軸周りの回転をそれぞれθＸ、θＹ、θＺとする。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸に関する制御または駆動は、それぞれＸ軸に平行な方向、Ｙ軸に平行な方向、Ｚ軸に平行な方向に関する制御または駆動を意味する。また、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸に関する制御または駆動は、それぞれＸ軸に平行な軸の周りの回転、Ｙ軸に平行な軸の周りの回転、Ｚ軸に平行な軸の周りの回転に関する制御または駆動を意味する。

インプリント装置ＮＩＬは、基板１０３の操作に関して、基板ステージ１０４と、基板ステージ１０４を支持する支持ベース１１３と、基板ステージ１０４を駆動することによって基板１０３を駆動する基板駆動部１３２とを備える。基板ステージ１０４には、基板１０３を保持する基板保持部１０８が組み込まれている。基板ステージ１０４には、基準マーク１１５が設けられうる。インプリント装置ＮＩＬは、型１０２の操作に関して、型１０２を保持する型保持部１０１と、型保持部１０１を駆動することによって型１０２を駆動する型駆動部１３１とを備える。基板駆動部１３２および型駆動部１３１は、基板１０３と型１０２との相対的な位置および回転をＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の６軸に関して調整する相対駆動機構を構成する。

一例において、基板駆動部１３２は、基板１０３を複数の軸（例えば、Ｘ軸、Ｙ軸、θＺ軸の３軸。）について駆動するように基板ステージ１０４を駆動し、型駆動部１３１は、型１０２を複数の軸（例えば、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の６軸。）について駆動するように型保持部１０１を駆動する。相対駆動機構は、Ｘ軸、Ｙ軸、θＸ軸、θＹ軸およびθＺ軸に関して基板１０３と型１０２との相対位置を調整するほか、Ｚ軸に関しても基板１０３と型１０２との相対位置を調整する。Ｚ軸に関する基板１０３と型１０２との相対位置の調整は、基板１０３の上のインプリント材と型１０２とを接触させる接触動作、および、硬化したインプリント材から型１０２を離隔させる分離動作を含む。

インプリント装置ＮＩＬは、その他、１つ又は複数のアライメントスコープ１１６と、基板計測器１０９と、オフアクシスアライメントスコープ１０７と、硬化部１０５と、観察部１１４と、ディスペンサ（供給部）１０６と、型計測器１１７とを備えうる。アライメントスコープ１１６は、型１０２のマークと基板１０３のマークとの相対位置を示す情報、例えば、型１０２のマークおよび基板１０３のマークの画像や、型１０２のマークと基板１０３のマークとによって形成されるモアレの画像等を出力する。一例において、４つのアライメントスコープ１１６を設けることによって、基板１０３のショット領域の４隅のマークを同時に観察することができる。

基板計測器１０９は、基板１０３の表面の形状を計測する。より具体的には、基板計測器１０９は、基板１０３の表面の複数の位置における該表面の高さを計測するように構成されうる。基板計測器１０９は、距離を計測可能なセンサを含みうる。オフアクシスアライメントスコープ１０７は、基板１０３のマークを観察する。硬化部１０５は、基板１０３の上に供給されたインプリント材を硬化させるエネルギー（例えば、光）を該インプリント材に供給し、これによりインプリント材を硬化させる。観察部１１４は、インプリント材と型１０２との接触の状態や、型１０２のパターンに対するインプリント材の充填の状態を観察する。ディスペンサ（供給部）１０６は、基板１０３の上にインプリント材３０１を供給する供給部である。ディスペンサ１０６は、例えば、インプリント材３０１を吐出する複数の吐出口が配列された吐出部を含みうる。ディスペンサ１０６は、該吐出部を複数の軸（例えば、６軸）に関して駆動する駆動機構を含みうる。型計測器１１７は、型１０２の表面の形状を計測する。より具体的には、型計測器１１７は、型１０２の表面の複数の位置における該表面の高さを計測する。型計測器１１７は、距離を計測可能なセンサを含みうる。

図２（ａ）は、型保持部１０１およびその周辺部分の構成を模式的に示す断面図である。型保持部１０１は、例えば、吸引部１１０を有し、吸引部１１０によって型１０２を吸引することによって型１０２を保持する。型１０２は、メサ状のパターン部１０２１を有し、パターン部１０２１には、パターンが形成されている。型保持部１０１は、例えば、硬化部１０５から供給される硬化のためのエネルギーを透過する構造（例えば、中空構造）を有する。型保持部１０１は、型１０２の裏面（パターンが形成された面の反対側の面）の側に圧力室１３３を形成するシール部材（例えば、シートガラス）１１２と、圧力室１３３の圧力を制御するための流路１１１と、圧力制御部１８１とを含みうる。圧力制御部１８１は、流路１１１を介して圧力室１３３に接続されている。圧力制御部１８１が圧力室１３３の圧力を外部空間の圧力より高く制御することによって、型１０２の中央部（パターン部１０２１）が基板１０３に向かって凸になるように型１０２を変形させることができる。流路１１１および圧力制御部１８１は、型１０２の変形を調整する型変形機構１８０を構成する。型駆動部１３１は、型保持部１０１を複数の軸（例えば、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の６軸。）について駆動することによって型１０２を該複数の軸について駆動するように構成されうる。

インプリント装置ＮＩＬは、基板１０３と型１０２との間の空間にパージガスを供給するガス供給部１７０を備えうる。ガス供給部１７０は、例えば、型保持部１０１に設けられた流路を含みうる。パージガスとしては、インプリント材の硬化を阻害しないガス、例えば、ヘリウムガス、窒素ガスおよび凝縮性ガス（例えば、ペンタフルオロプロパン（ＰＦＰ））の少なくとも１つを含むガスが使用されうる。インプリント装置ＮＩＬは、更に、上記の各構成要素を制御する制御部１９０を備える。

図２（ｂ）には、基板保持部１０８の構成が模式的に示されている。基板保持部１０８は、基板１０３を保持するとともに基板１０３を変形させる基板変形機構ＣＤＭを有する。基板変形機構ＣＤＭは、基板保持部１０８の構成要素として理解されてもよいし、基板保持部１０８とは異なる構成要素として理解されてもよい。基板変形機構ＣＤＭは、基板１０３が目標形状になるように基板１０３の裏面側の圧力分布を制御する。基板変形機構ＣＤＭは、基板１０３の少なくとも一部分が上に向かって（型１０２に向かって）凸になるように基板１０３を変形さること（撓ませること）が可能である。基板変形機構ＣＤＭは、基板保持部１０８の表面に設けられた複数の凹部１２１〜１２５と、複数の凹部１２１〜１２５の圧力を個別に制御可能な圧力制御部１５０とを含みうる。

例えば、圧力制御部１５０により、凹部１２１、１２５に負圧を供給し、凹部１２２、１２３、１２４に正圧を供給すると、基板１０３の凹部１２２、１２３、１２４に対応する部分を上方に凸に変形させつつ基板１０３を保持することができる。凹部１２１〜１２５の個数は、５個に限定されるものではなく、要求される仕様に応じて任意の個数に変更することができる。また、圧力制御部１５０が凹部１２１〜１２５に個別に供給可能な圧力の範囲および値も、要求される仕様に応じて決定されうる。

凹部１２１〜１２５の形状は、図２（ｂ）に例示されるように同心円状に配置された円形状あるいはリング状であってもよいし、他の形状であってもよい。基板１０３は、その中心が同心円の中心と一致するように基板保持部１０８に提供されうる。基板保持部１０８は、基板１０３に対向する面内における周辺部分にテーパ部ＴＰを有することが好ましい。テーパ部ＴＰを設けることにより、基板１０３、特に基板１０３の周辺部を上方に向かって凸になるように変形させることが容易になる。

基板変形機構ＣＤＭは、上記のとおり、基板１０３を保持する機能と基板１０３を変形させる機能とを有する。他の実施形態では、これらの機能は、別個に提供されてもよい。例えば、基板を保持する機能は、真空チャックによって提供され、基板を変形させる機能は電気的なデバイス（例えば、圧電素子）および／または機械的なデバイス（例えば、シリンダ）によって提供されてもよい。あるいは、基板を保持する機能は、電気的なデバイス（例えば、静電チャック）によって提供され、基板を変形させる機能は、図２（ｂ）に例示されるような圧力制御デバイスによって提供されてもよい。

基板１０３は、例えば、シリコン、プラスティック、砒化ガリウム、テルル化水銀、または、それらから選択される２以上の材料を含む複合材料で構成されうる。基板１０３の表面上には、表面エネルギーを下げるための添加剤を含む調整用混合液が予めスピンコートされうる。さらに、基板１０３には結晶方位を特定するためのノッチまたはオリエンテーションフラットなどが構成されている。

図３には、型１０２の構成が模式的に示されている。型１０２は、例えば、融解石英、有機ポリマーまたは金属で構成されうるが、他の材料で構成されてもよい。型１０２は、薄板状の可動部（ダイアフラム）１０２２と、可動部１０２２から突出するように設けられたパターン部（メサ部）１０２１と、可動部１０２２を支持する支持部１０２４とを有しうる。可動部１０２２の裏面側（パターン部１０２１が配置された側の反対側）には、支持部１０２４によって取り囲まれた空洞部１０２５が設けられうる。空洞部１０２５は、前述の圧力室１３３の一部を構成する。可動部１０２２の厚さは、例えば、１ｍｍ程度でありうる。パターン部１０２１は、例えば、３０μｍ程度の厚さを有しうる。パターン部１０２１の表面には、凸パターン２０４および凹パターン２０３で構成されるパターンが形成されている。凸パターン２０４の表面と凹パターン２０３の表面との間の段差、即ち、凸パターン２０４の高さは、例えば、数十ｎｍから数百ｎｍ程度の範囲でありうる。パターン部１０２１は、１つまたは複数のマーク２０６を有する。

図４を参照しながらインプリント装置ＮＩＬによる一般的なインプリント処理を説明する。以下の動作は、制御部１９０によって制御される。なお、図４では、簡略化のために、基板１０３の上方の構造として型１０２のパターン部１０２１のみが示されている。まず、図４（ａ）、（ｂ）に模式的に示されるように、制御部１９０は、基板１０３と型１０２（パターン部１０２１）とを近づけてインプリント材３０１とパターン部１０２１とを接触させる。具体的には、制御部１９０は、まず、図４（ａ）に模式的に示されるように、ガス供給部１７０によって基板１０３と型１０２との間にパージガスが供給された状態で、型１０２の降下を開始するように型駆動部１３１を制御する。これにより、ディスペンサ１０６によって基板１０３のショット領域に供給されたインプリント材３０１に対して型１０２が近づく。ここで、制御部１９０は、型１０２の降下の開始前に、または、型１０２の降下と並行して、型１０２が基板１０３（下方）に向かって凸になるように圧力室１３３の圧力を圧力制御部１８１によって制御しうる。圧力制御部１８１によって型１０２を目標形状に変形させるためには、一例において数百ｍｓｅｃ程度を要する。そこで、ディスペンサ１０６による基板１０３へのインプリント材３０１の供給の動作と並行して圧力制御部１８１による圧力室１３３の圧力の制御を開始してもよい。

次いで、図４（ｂ）に模式的に示されるように、制御部１９０は、インプリント材３０１に型１０２のパターン部１０２１のパターンの一部が接触したら、パターン部１０２１が平坦になるように圧力制御部１８１を制御する。基板１０３と型１０２とを近づける動作は、第１動作と、該第１動作の後の第２動作とを含みうる。第１動作では、基板１０３と型１０２とが第１速度で近づけられる。第２動作では、該第１動作の後に基板１０３と型１０２とが該第１速度より遅い第２速度で近づけられてインプリント材３０１と型１０２とが接触する。これにより、基板１０３と型１０２（のパターン部１０２１）との衝突を防止することができる。図４（ｂ）に模式的に示されるようにインプリント材３０１に型１０２のパターン部１０２１が接触した状態で、パターン部１０２１の凹パターンにインプリント材３０１が充填される。

次いで、図４（ｃ）に模式的に示されるように、制御部１９０は、インプリント材３０１を硬化させるエネルギー（例えば、光）がインプリント材３０１に供給されるように硬化部１０５を制御する。これにより、インプリント材３０１が硬化し、パターン部１０２１のパターンがインプリント材３０１に転写される。次いで、図４（ｄ）に模式的に示されるように、制御部１９０は、硬化したインプリント材３０１から型１０２（のパターン部１０２１）が引き離されるように型駆動部１３１を制御する。

図５を参照しながら欠けショット領域（周辺ショット領域）に対する一般的なインプリント処理において生じうる問題を説明する。ここで、欠けショット領域とは、パターン部１０２１のパターンの全体のうちの一部のみが基板１０３上のインプリント材に転写される領域を示す。また、欠けショット領域は、基板１０３の外周（エッジ）が含まれる領域である。まず、図５（ａ）に模式的に示されるように、型１０２が下に向かって凸になるように変形された状態で型１０２の降下が開始される。その後、型１０２のパターン部１０２１の中心部分（最も下方に突出した部分）が基板１０３の表面の高さよりも低い位置まで到達した時点で、型１０２のパターン部１０２１の周辺部分が基板１０３のエッジに衝突しうる。これによって型１０２が劣化し、場合によっては破損しうる。

図６は、図５を参照しながら説明した問題点に関して改良されたインプリント処理が模式的に示されている。以下、図６を参照しながら改良されたインプリント処理を説明する。まず、図６（ａ）、（ｂ）に模式的に示されるように、制御部１９０は、基板１０３と型１０２（パターン部１０２１）とを近づけてインプリント材３０１とパターン部１０２１とを接触させる。具体的には、制御部１９０は、まず、図６（ａ）に模式的に示されるように、型１０２が基板１０３（下方）に向かって凸になるように型変形機構１８０によって型１０２の形状を制御する。型変形機構１８０によって型１０２を目標形状に変形させるためには、一例において数百ｍｓｅｃ程度を要する。そこで、ディスペンサ１０６による基板１０３へのインプリント材３０１の供給の動作と並行して圧力制御部１８１による圧力室１３３の圧力制御を開始してもよい。

また、制御部１９０は、上記の型１０２の変形と並行して、図６（ａ）に模式的に示されるように、基板１０３が型１０２（上方）に向かって凸になるように基板変形機構ＣＤＭによって基板１０３の形状を制御する。また、制御部１９０は、ガス供給部１７０によって基板１０３と型１０２との間にパージガスが供給された状態で、型１０２の降下を開始するように型駆動部１３１を制御する。これにより、ディスペンサ１０６によって基板１０３のショット領域に供給されたインプリント材３０１に対して型１０２が近づく。次いで、図６（ｂ）に模式的に示されるように、制御部１９０は、インプリント材３０１に型１０２のパターン部１０２１のパターンの一部が接触したら、パターン部１０２１が平坦になるように基板変形機構ＣＤＭを制御する。基板１０３が型１０２（上方）に向かって凸になるように基板１０３の表面形状を制御することにより、欠けショット領域にインプリント処理を行う場合においても、基板１０３のエッジと型１０２との衝突を防止し、型１０２の劣化を低減することができる。

基板１０３と型１０２とを近づける動作は、第１動作と、該第１動作の後の第２動作とを含みうる。第１動作では、基板１０３と型１０２とが第１速度で近づけられる。第２動作では、該第１動作の後に基板１０３と型１０２とを該第１速度より遅い第２速度で近づけられてインプリント材３０１と型１０２とが接触する。これにより、基板１０３と型１０２（のパターン部１０２１）との衝突を防止することができる。図６（ｂ）に模式的に示されるようにインプリント材３０１に型１０２のパターン部１０２１が接触した状態で、パターン部１０２１の凹パターンにインプリント材３０１が充填される。

次いで、図６（ｃ）に模式的に示されるように、制御部１９０は、インプリント材３０１を硬化させるエネルギー（例えば、光）がインプリント材３０１に供給されるように硬化部１０５を制御する。これにより、インプリント材３０１が硬化し、パターン部１０２１のパターンがインプリント材３０１に転写される。次いで、図６（ｄ）に模式的に示されるように、制御部１９０は、硬化したインプリント材３０１から型１０２（のパターン部１０２１）が引き離されるように型駆動部１３１を制御する。

以上のように、図６に例示されたインプリント処理では、型１０２の劣化を低減するための改良がなされている。しかしながら、図６に例示されたインプリント処理では、基板１０３の結晶方位によって基板の撓み量が基板１０３の円周方向において不均一に異なりうることが考慮されていない。したがって、図６に例示されたインプリント処理では、型１０２が劣化する可能性が依然としてある。

以下、図７を参照しながら、基板１０３の円周方向において撓み量が不均一になりうることを説明する。図７（ａ）には、ノッチＮＴを有する基板１０３および基板保持部１０８が基板変形機構ＣＤＭとともに示されている。ノッチＮＴは、基板１０３の結晶方位を示すマークである。ノッチの代わりにオリエンテーションフラットが基板１０３の結晶方位を示すマークとして設けられてもよい。マークは、基板１０３の結晶方位を示す方位情報を提供する。方位情報は、マーク以外によって制御部１９０に提供されてもよい。図７（ａ）の例では、ＸＹ座標系のＸ軸の正方向を方位＝０°として、ノッチＮＴが２７０°の方位を向くように、不図示の搬送機構によって基板１０３が基板保持部１０８の上に配置されている。

また、図７（ａ）には、基板１０３のショットレイアウト（ショット領域の配列）が太線によって示されている。各矩形は、ショット領域を示す。基板１０３の内側に矩形の全域が収まっているショット領域は、型１０２のパターン部１０２１の全域のパターンが転写可能な完全ショット領域である。基板１０３のエッジが矩形を横切っているショット領域は、欠けショット領域である。なお、図７（ａ）では、欠けショット領域も矩形で示されているが、実際には、欠けショット領域の外形の一部は、基板１０３のエッジに沿うように定められる。欠けショット領域を含むショットレイアウトにおいて、典型的には、完全ショット領域は複数のチップ領域を有し、欠けショット領域は少なくとも１つのチップ領域を有するように定義される。図７（ａ）において、Ａ、Ｂは欠けショット領域である。

図７（ｂ）にも、ノッチＮＴを有する基板１０３および基板保持部１０８が基板変形機構ＣＤＭとともに示されている。図７（ｂ）の例では、ノッチＮＴがＤ°の方位を向くように、不図示の搬送機構によって基板１０３が基板保持部１０８の上に配置されている。欠けショット領域Ａ’、Ｂ’は、図７（ａ）に示された欠けショット領域Ａ、Ｂとそれぞれ同一位置に存在する。つまり、図７（ａ）に示された状態と図７（ｂ）に示された状態との差異は、基板１０３の結晶方位を示すノッチＮＴの方位（位置）のみである。

図８（ａ）には、図７（ａ）に示された方位で基板保持部１０８の上に配置された基板１０３の変形状態を基板変形機構ＣＤＭで一定に維持にしながら基板１０３における周辺領域の撓み量Ｈ１を基板１０３の全周にわたって計測した結果が例示されている。図８（ａ）において、符号Ａは、欠けショット領域Ａ内の一点（例えば、欠けショット領域Ａを示す矩形の中心と基板１０３の中心とを結ぶ直線と基板１０３の有効領域の外縁との交差位置）における撓み量を示している。同様に、図８（ａ）において、符号Ｂは、欠けショット領域Ｂ内の一点（例えば、欠けショット領域Ｂを示す矩形の中心と基板１０３の中心とを結ぶ直線と基板１０３の有効領域の外縁との交差位置）における撓み量を示している。

図８（ｂ）には、図７（ｂ）に示された方位で基板保持部１０８の上に配置された基板１０３の変形状態を基板変形機構ＣＤＭで一定に維持にしながら基板１０３における周辺領域の撓み量Ｈ２を基板１０３の全周にわたって計測した結果が実線で例示されている。また、図８（ｂ）には、参考のために、図８（ａ）における撓み量Ｈ１が点線で示されている。図８（ｂ）において、符号Ａ’は、欠けショット領域Ａ’内の一点（例えば、欠けショット領域Ａ’を示す矩形の中心と基板１０３の中心とを結ぶ直線と基板１０３の有効領域の外縁との交差位置）における撓み量を示している。同様に、図８（ｂ）において、符号Ｂ’は、欠けショット領域Ｂ’内の一点（例えば、欠けショット領域Ｂ’を示す矩形の中心と基板１０３の中心とを結ぶ直線と基板１０３の有効領域の外縁との交差位置）における撓み量を示している。ここで、前述のように、インプリント装置ＮＩＬにおいて、ショット領域Ａとショット領域Ａ’とは、互いに同じ位置である。

図８（ａ）、（ｂ）において、横軸は、Ｘ軸の正方向を方位＝０°として、方位を示す角度であり、縦軸は、撓み量である。撓み量は、基板１０３の変形前の評価点の高さと変形後の該評価点の高さとの差分である。評価点は、基板１０３の表面における、基板計測器１０９によって計測される位置であり、例えば、基板１０３における周辺領域内の複数の位置である。図７（ａ）のような基板１０３の配置でショット領域Ａに対してインプリント処理を行う場合と、図７（ｂ）のような基板１０３の配置でショット領域Ａ’に対してインプリント処理を行う場合とでは、基板変形機構ＣＤＭの最適な制御条件が異なる。これは、図７（ａ）のような基板１０３の配置におけるショット領域Ａの位置での基板１０３の撓み量と、図７（ｂ）のような基板１０３の配置におけるショット領域Ａ’の位置での基板１０３の撓み量とが異なるからである。ショット領域Ａ、Ａ’に対するインプリント処理時の基板変形機構ＣＤＭの制御条件が同じであると、インプリント材ＩＭと型１０２のパターン部１０２１とが最初に接触するタイミングでの型１０２の高さがショット領域Ａ、Ａ’において互いに異なりうる。

しかし、本発明者は、図８（ａ）、（ｂ）に例示されるように、基板１０３の中心の周りの円周（例えば、基板１０３の有効領域の外縁）上における基板１０３の撓み量が該円周に沿って周期的に変化していることを見出した。また、本発明者は、この周期的な変化における位相は、ノッチＮＴの方位に対して強い相関を有し、図８（ａ）における撓み量Ｈ１の変化曲線と図８（ｂ）の撓み量Ｈ２の変化曲線とは、互いにノッチＮＴの方位の差に相当する位相差を有することを見出した。この事実は、撓み量が基板１０３の結晶方位によって引き起こされることを強く示唆する。この現象を単純化して説明すれば、基板１０３のある方向における剛性は、その方向と結晶方位との角度差に依存するということである。

以上より、基板の中心の周りの円周上における該基板の撓み量の変化を示す情報（以下、特性情報）を予め取得しておけば、該特性情報と基板保持部１０８の上に配置された基板１０３のノッチＮＴの方位とに基づいて基板１０３の撓み量を特定することができる。例えば、図８（ａ）のような特性情報を予め取得しておけば、基板保持部１０８の上に配置された基板１０３の中心の周りの円周上の任意の位置における基板１０３の撓み量を、基板１０３のノッチＮＴの方位に基づいて特定することができる。

よって、対象ショット領域における撓み量を、基板保持部１０８の上に配置された状態における基板１０３のノッチＮＴの方位、特性情報を取得する際の基板１０３のノッチＮＴの方位との差、および、特性情報に基づいて特定することができる。図８（ａ）に例示された特性情報が予め取得された特性情報であるとすると、この特性情報を取得した際のノッチＮＴの方位と、図７（ｂ）のような基板１０３の配置におけるノッチＮＴの方位との差は、２７０°−Ｄ°である。この差の分だけ図８（ａ）に例示された特性情報における位相をずらすことによって、図８（ｂ）のような特性情報を計算によって簡単に得ることができる。

更に、円周上の任意の位置における基板１０３の撓み量と特定することができれば、その円周上の個々のショット領域に対するインプリント処理における基板変形機構ＣＤＭの制御情報をその撓み量に基づいて決定することができる。

以上の原理に基づいて、制御部１９０は、基板変形機構ＣＤＭを制御するための基準制御情報を補正することによって対象ショット領域に対するインプリント処理のための補正制御情報を生成する。また、制御部１９０は、補正制御情報に応じて、対象ショット領域に対するインプリント処理において基板変形機構ＣＤＭを制御する。ここで、制御部１９０は、基板１０３が基板保持部１０８によって保持された状態における基板１０３のノッチＮＴの位置と、該状態における基板１０３の対象ショット領域の位置とに基づいて基準制御情報を補正することによって補正制御情報を生成しうる。基準制御情報および補正制御情報は、例えば、基板変形機構ＣＤＭの複数の凹部１２１〜１２５のそれぞれの圧力を制御するために圧力制御部１５０を制御するための情報である。

以下、撓み量の周期性とそれを考慮した補正制御情報との関係について例示的に説明する。図８（ｃ）には、図８（ａ）に示された撓み量Ｈ１が目標撓み量となるように基板補正機構ＣＤＭを制御するための制御情報としての圧力制御情報が例示的に示されている。撓み量Ｈ１は、基板１０３上の位置を示す方位（角度）を変数とする関数、具体的には、Ｈ１＝Ｈ０＋ＡＭＨ×｜ｓｉｎ２（θ＋α）｜のような周期関数で近似的に与えられることが実験を通して確認された。ここで、Ｈ０は、基板１０３の撓み量が最も小さい位置（方位）における撓み量である。ＡＭＨは、係数であり、撓み量が最も大きい位置（方位）における撓み量は、Ｈ０＋ＡＭＨである。θは、基板１０３上の位置（ショット領域の位置）を示す方位（Ｘ軸を基準とする角度）である。αは、例えば、後述する計測モードでのテスト基板のノッチＮＴの方位に対するインプリント処理を行う際の基板１０３のノッチＮＴの方位との差（角度差あるいは位相差）である。図７（ａ）の配置で計測モードを実行し、図７（ｂ）の配置でインプリント処理を実行する場合は、α＝（２７０−Ｄ）°である。

圧力制御情報としての圧力値Ｐ１は、基板１０３上の位置を示す方位（角度）を変数とする関数、具体的には、Ｐ１＝Ｐ０−ＡＭＰ×｜ｃｏｓ２（θ＋α）｜のような周期関数で近似的に与えられうる。Ｐ０は、基板１０３の撓み量が最も小さい位置（方位）における撓み量を目標撓み量に一致させるための圧力値である。ＡＭＰは、係数であり、撓み量が最も大きい位置（方位）において、基板１０３の撓み量を目標撓み量に一致させるための圧力値は、Ｐ０−ＡＭＰである。係数ＡＭＰは、例えば、後述する計測モードにおける撓み量の計測時に、圧力値と撓み量との関係を求めることによって決定されうる。あるいは、係数ＡＭＰは、シミュレーション等によって決定されてもよい。

図７、図８を参照した以上の説明は、基板１０３における周辺領域、即ち、欠けショットが配置された領域に関するものであるが、結晶方位に依存する撓み量の周期的な変化は、周辺領域に内側（即ち、完全ショット領域が配置された領域）においても存在しうる。したがって、上記の説明は、基板１０３の周辺領域の内側にも適用されうる。この場合、撓み量を示す関数および圧力値を示す関数は、基板１０３における半径方向の位置を示す複数の半径に関してそれぞれ決定されうる。

基板１０３のショット領域の上のインプリント材３０１に型１０２を接触させる際にショット領域の高さが目標高さになるように基板１０３を変形させるために要する圧力値は、インプリント処理の実行に先立って実行される計測モードにおいて決定されうる。あるいは、該圧力値は、インプリント処理の度に計測によって調整されてもよいが、この場合には、スループットが低下しうる。以下では、前者の方法に関して例示的に説明する。

図９には、計測モードにおけるインプリント装置ＮＩＬの動作が示されている。計測モードでは、基板１０３のショット領域の上のインプリント材３０１に型１０２を接触させる際にショット領域の高さが目標高さになるように基板１０３を変形させるために要する圧力値が決定される。計測モードにおけるインプリント装置ＮＩＬの動作は、制御部１９０によって制御される。ステップＳ７０１では、不図示の搬送機構によって、テスト基板が基板保持部１０８上にロードされる。ここで、テスト基板は、物品の製造のための基板、即ち、後述の製造モードにおいて処理される基板であってもよいし、テスト専用の基板であってもよい。

ステップＳ７０２では、制御部１９０は、基板保持部１０８の上にロード（配置）されたテスト基板のノッチＮＴの方位を示す情報を取得する。この情報は、例えば、テスト基板をプリアライメントするプリアライメント装置に提供される情報（ノッチＮＴの方位を指定する情報）に基づいて取得されうる。

ステップＳ７０３では、制御部１９０は、基板変形機構ＣＤＭによりテスト基板が平坦な状態で保持されるように基板変形機構ＣＤＭを制御した状態で、基板計測器１０９にテスト基板の複数の位置についてテスト基板の表面の高さを計測させる。これにより、テスト基板が平坦に保持された状態におけるテスト基板の表面（以下、基板基準面）の形状が計測される。通常は、基板変形機構ＣＤＭの複数の凹部１２１〜１２５の全てを基板１０３の吸着に十分な負圧にすることによってテスト基板が平坦に保持される。

ステップＳ７０４では、制御部１９０は、基板変形機構ＣＤＭを制御するための複数の制御情報のうちの１つを選択する。ここで、１つの制御情報は、ショット領域の位置に応じて基板変形機構ＣＤＭの複数の凹部１２１〜１２５のそれぞれの圧力を制御するために圧力制御部１５０を制御するための情報である。ここで、複数の制御情報の少なくとも１つは、欠けショット領域（基板における周辺領域）に対するインプリントを行うために基板変形機構ＣＤＭを制御するための第１制御情報を含みうる。第１制御情報は、例えば、圧力制御部１５０により、凹部１２１、１２３、１２４、１２５に負圧を供給し、凹部１２２に正圧を供給することを指示する情報でありうる。

ステップＳ７０５では、制御部１９０は、ステップＳ７０４で選択した制御情報に従って基板変形機構ＣＤＭの圧力制御部１５０を制御し、テスト基板を変形させる。この際に、複数の凹部１２１〜１２５の少なくとも１つが、制御情報で指定された正圧に制御されうる。

ステップＳ７０６では、制御部１９０は、基板計測器１０９にテスト基板の複数の位置についてテスト基板の表面の高さを計測させる。これにより、制御情報に従って変形が制御されたテスト基板の表面の形状が計測される。ステップＳ７０７では、制御部１９０は、予め指定された各ショット領域の各々の高さが目標高さになるように基板１０３を変形させるための計測が完了したか否かを判断し、完了していない場合には、圧力値を変更してステップＳ７０５、Ｓ７０６を繰り返す。予め指定された各ショット領域の各々の高さが目標高さになるように基板１０３を変形させるための計測が完了した場合には、制御部１９０は、ステップＳ７０８に処理を進める。圧力値の変更は、例えば、ステップＳ７０４で選択された制御情報が第１制御情報である場合、テスト基板の周辺領域の高さ（撓み量）が変更されるようになされうる。

ステップＳ７０８では、制御部１９０は、ステップ７０６で得られた計測の結果に基づいて、テスト基板における円周上の位置（方位）と、該位置における撓み量（高さ）を目標撓み量（目標高さ）にするための圧力値との関係を示す基準制御情報を生成する。基準制御情報は、例えば、前述のＰ１＝Ｐ０−ＡＭＰ×｜ｃｏｓ２（θ＋α）｜、α＝０°、方位＝２７０°のような形式で生成されうる。ステップＳ７０９では、制御部１９０は、ステップＳ７０８で生成した基準制御情報を保存する。

ステップＳ７１０では、制御部１９０は、複数の制御情報の全てに関してステップＳ７０４〜Ｓ７０９を実行したかどうかを判断し、未実行の制御情報が存在する場合には、ステップＳ７０３に戻り、未実行の制御情報がない場合には、ステップＳ７１１に進む。

ステップＳ７１１では、不図示の搬送機構によって、テスト基板が基板保持部１０８上からアンロードされる。以上の動作を経て、複数の制御情報にそれぞれ対応付けて複数の圧力制御情報が保存される。

図１０は、製造モードにおけるインプリント装置ＮＩＬの動作が示されている。製造モードでは、物品を製造するための基板１０３の各ショット領域にインプリント処理がなされる。製造モードにおける動作は、制御部１９０によって制御される。ステップＳ８０１では、不図示の搬送機構によって、基板１０３が基板保持部１０８の上にロードされる。ステップＳ８０２では、制御部１９０は、制御部１９０は、基板保持部１０８の上にロード（配置）された基板１０３のノッチＮＴの方位を示す方位情報を取得する。この方位情報は、例えば、基板１０３をプリアライメントするプリアライメント装置に提供される情報（ノッチＮＴの方位を指定する情報）に基づいて取得されうる。基板１０３を基板保持部１０８の上に配置する際の基板１０３のノッチＮＴの方位は、例えば、ユーザによって指定されうる。基板１０３の結晶方位は、例えば、形成される半導体素子（例えば、トランジスタ）の特性に影響を与えうる。ユーザは、製造するべき物品に要求される仕様に応じて、ノッチＮＴの方位を決定しうる。

ステップＳ８０３では、制御部１９０は、基板１０３の複数のショット領域のうちインプリント処理を行うべきショット領域（対象ショット領域、次にインプリント処理が実行されるショット領域）を決定する。ステップＳ８０４では、制御部１９０は、基板変形機構ＣＤＭを制御するための基準制御情報を取得する。基準制御情報は、計測モードのステップＳ７０９で保存された１又は複数の基準制御情報から、ステップＳ８０３で決定されたショット領域に対応するものを選択することによって取得されうる。

以上の説明においては、ステップＳ８０３においては、１つのショット領域に対するインプリント処理（接触動作から分離動作まで）が終わった後、次にインプリント処理を行うべき別の１つのショット領域を処理対象領域とした。しかし、処理対象領域は、２つ以上のショット領域であってもよい。すなわち、１つ１つのショット領域ではなく、２つ以上のショット領域を処理対象領域として、その２つ以上のショット領域に対応する基板の歪み量（変形量）を閾値以下に抑えられるような基準制御情報を得るようにしてもよい。但し、１枚の基板に対して１つの基準制御情報とするのは望ましくないかもしれない。基準制御情報の数は、１枚の基板に対して少なくとも４つ（好ましくは、少なくとも８つ）、かつ、ショット領域の数以下（好ましくは２０以下）であることが望ましい。あるいは、１枚の基板に対して、基板上のショット領域の数（欠けショットも含む）の１/５０以上（または１/３０以上）、かつ、ショット領域の数以下（好ましくはショット領域の数の１/３０以下）の基準制御情報を得ることが望ましい。

ステップＳ８０５では、制御部１９０は、ステップＳ８０２で取得した方位情報に基づいて、ステップＳ８０４で取得した基準制御情報を補正することによって補正制御情報を生成する。補正制御情報は、例えば、Ｐ１＝Ｐ０−ＡＭＰ×｜ｃｏｓ２（θ＋α）｜（α＝（２７０−２２５）°）のような形式で生成されうる。したがって、基準制御情報が生成されたときのテスト基板の方位と基板保持部１０８の上に配置される処理対象の基板１０３の方位とが異なる場合においても、基板１０３の撓みを計測する必要がない。

なお、テスト基板の基板基準面と処理対象の基板１０３の基板基準面の高さが異なる場合には、それに応じて補正制御情報が補正されうる。補正は、例えば、基板の厚さと補正値との関係を示す補正情報に基づいてなされうる。補正情報は、予め準備されていてもよいし、処理対象の基板１０３を変形させ、基板１０３の変形量を少なくとも１箇所について計測して得られる情報に基づいて生成されてもよい。あるいは、補正は、他の方法によってなされてもよい。

ステップＳ８０６では、制御部１９０は、対象ショット領域に対してインプリント処理がなされるように、インプリント処理に関連する構成要素を制御する。この際に、制御部１９０は、ステップＳ８０５で生成した補正制御情報に基づいて、基板変形機構ＣＤＭを制御する。

ステップＳ８０７では、制御部１９０は、未処理のショット領域が存在するかどうかを判断し、未処理のショット領域が存在すればステップＳ８０３に戻り、未処理のショット領域が存在しなければステップＳ８０８に進む。ステップＳ８０８では、不図示の搬送機構によって、基板１０３が基板保持部１０８上からアンロードされる。

制御部１９０は、例えば、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙの略。）などのＰＬＤ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅの略。）、又は、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔの略。）、又は、プログラムが組み込まれた汎用コンピュータ、又は、これらの全部または一部の組み合わせによって構成されうる。
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。

硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。

次に、インプリント装置によって基板にパターンを形成し、該パターンが形成された基板を処理し、該処理が行われた基板から物品を製造する物品製造方法について説明する。図１１（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコンウエハ等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。

図１１（ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図１１（ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１と型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを介して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。

図１１（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。

図１１（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図１１（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。

ＮＩＬ：インプリント装置、ＣＤＭ：基板変形機構、１０１：型保持部、１０２：型、１０３：基板、１０４：基板ステージ、１０５：硬化部、１０６：ディスペンサ（供給部）、１０７：オフアクシスアライメントスコープ、１０８：基板保持部、１０９：基板計測器、１２１〜１２５：凹部、１５０：圧力制御部

Claims (12)

1. 型を用いて基板の上にインプリント材の硬化物からなるパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
   前記基板を保持する基板保持部と、
   前記基板が前記基板保持部によって保持された状態において、前記基板が前記型に向かって凸になるように前記基板を変形させる基板変形機構と、
   前記基板の結晶方位に関する方位情報と、前記基板の複数のショット領域のうち前記インプリント処理が実施される対象ショット領域とに応じて、前記基板変形機構による前記基板の変形を制御する制御部と、
   を備えることを特徴とするインプリント装置。
2. 前記基板保持部が、前記基板変形機構を含んでいる、
   ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
3. 前記複数のショット領域のうち、第１ショット領域への前記インプリント処理の後に、他のショット領域への前記インプリント処理を行わずに、第２ショット領域への前記インプリント処理を実施する場合、前記制御部は、前記第１ショット領域への前記インプリント処理の後に、前記第２ショット領域に対応した前記基板変形機構による前記基板の変形の制御を実行する、
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリント装置。
4. 前記基板は、前記結晶方位を示すマークを有し、
   前記制御部は、前記基板保持部によって保持された状態における前記基板の前記マークの位置と、前記状態における前記基板の前記対象ショット領域の位置とに応じて、前記基板変形機構よる前記基板の変形を制御する、
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか1項に記載のインプリント装置。
5. 前記制御部は、前記基板変形機構を制御するための基準制御情報を補正することによって前記対象ショット領域に対する前記インプリント処理のための補正制御情報を生成し、前記対象ショット領域に対する前記インプリント処理において、前記補正制御情報に応じて前記基板変形機構を制御し、
   前記制御部は、前記状態における前記基板の前記マークの方位と、前記状態における前記基板の前記対象ショット領域の方位とに基づいて前記基準制御情報を補正することによって前記補正制御情報を生成する、
   ことを特徴とする請求項４に記載のインプリント装置。
6. 前記基板変形機構が前記基板を変形させた状態において、前記基板の中心の周りの円周上における前記基板の撓み量は、前記円周に沿って周期的に変化し、
   前記制御部は、前記対象ショット領域に対する前記インプリント処理において前記対象ショット領域の撓み量が目標撓み量となるように前記基準制御情報を補正することによって前記補正制御情報を生成する、
   ことを特徴とする請求項５に記載のインプリント装置。
7. 前記制御部は、前記円周上における前記基板の撓み量を示す関数を保持し、
   前記関数は、前記対象ショット領域の位置を示す方位を変数とする関数である、
   ことを特徴とする請求項６に記載のインプリント装置。
8. 前記関数は、周期関数である、
   ことを特徴とする請求項７に記載のインプリント装置。
9. 前記基板変形機構は、前記基板を保持する保持面に同心円状に配置された複数の凹部を有し、前記複数の凹部の圧力を制御することによって前記基板を変形させる、
   ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のインプリント装置。
10. 前記制御部は、少なくとも、前記対象ショット領域が前記基板における周辺領域に配置されたショット領域である場合に、前記方位情報および前記対象ショット領域に応じて前記基板変形機構よる前記基板の変形を制御する、
    請求項１乃至９のいずれか１項に記載のインプリント装置。
11. 型を用いて基板の上にインプリント材の硬化物からなるパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント方法であって、
    前記基板が基板保持部によって保持された状態において、前記基板が前記型に向かって凸になるように前記基板を変形させる変形工程と、
    前記基板の結晶方位に関する方位情報と、前記基板の複数のショット領域のうち前記インプリント処理が実施される対象ショット領域とに応じて、前記変形工程における前記基板の変形を制御する情報を生成する生成工程と、
    を含むことを特徴とするインプリント方法。
12. 請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板の上にパターンを形成する工程と、
    前記工程において前記パターンが形成された基板の処理を行う工程と、
    を含み、前記処理が行われた前記基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。

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