JP2019182734A - 誘電体組成物および電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】実質的に鉛を使用しないにもかかわらず、比誘電率、直流破壊電圧および交流破壊電圧が高く、誘電損失および発熱性が小さく、温度特性の良好な誘電体組成物を提供する。【解決手段】第１の誘電体組成物は、Ｂａ、Ｃａ、Ｂｉ、ＴｉおよびＳｒを含み、ＥＰＭＡによりＳｒ由来の特性Ｘ線強度を測定した際に、Ｓｒ特性Ｘ線強度の異なる２相を含み、第１相のＳｒ由来の特性Ｘ線強度をＳｒ１、第２相のＳｒ由来の特性Ｘ線強度をＳｒ２とした際に、（Ｓｒ２／Ｓｒ１）が、２以上としている。第２の誘電体組成物は、同様にして３相を含み、ＥＰＭＡにより測定される第１相のＳｒ由来の特性Ｘ線強度をＳｒ１と、ＥＰＭＡにより測定される第２相のＳｒ由来の特性Ｘ線強度をＳｒ２と、ＥＰＭＡにより測定される第３相のＳｒ由来の特性Ｘ線強度をＳｒ３とした際に、（Ｓｒ１／Ｓｒ３）が０．６以下であり、（Ｓｒ２／Ｓｒ３）が１．４以上である。【選択図】図１

Description

本発明は、誘電体組成物および電子部品に関する。

近年、急速に進む電気機器の高性能化に伴い、電気回路の小型化、複雑化もまた急速に進んでいる。そのため電子部品にもより一層の小型化、高性能化が求められている。すなわち、比誘電率が高く低損失で、動作時の発熱が小さく、高電圧下で使用するために直流破壊電圧および交流破壊電圧が高く、さらに温度特性も良好な誘電体組成物および電子部品が求められている。

上記の要求に応えるため、引用文献１には、ＰｂＴｉＯ_３−ＳｒＴｉＯ_３−Ｂｉ_２Ｔｉ_３Ｏ_９系の誘電体組成物が記載されている。しかし、当該誘電体組成物は鉛を含むため環境負荷の観点から問題があった。

また、磁器コンデンサ、積層コンデンサ、高周波用コンデンサ、高電圧用コンデンサ等として広く利用されている高誘電率誘電体磁器組成物として、ＢａＴｉＯ_３−ＢａＺｒＯ_３−ＣａＴｉＯ_３−ＳｒＴｉＯ_３系の誘電体磁器組成物を主成分としたものが知られている。

従来のＢａＴｉＯ_３−ＢａＺｒＯ_３−ＣａＴｉＯ_３−ＳｒＴｉＯ_３系の誘電体磁器組成物は、強誘電性であるため、高い静電容量、低い誘電損失を維持したまま、高い直流破壊電圧、交流破壊電圧を確保することが困難であった。

特開２００３−１６３１３２号公報

本発明の目的は、実質的に鉛を使用しないにもかかわらず、比誘電率、直流破壊電圧および交流破壊電圧が高く、誘電損失および発熱性が小さく、温度特性の良好な誘電体組成物、および当該誘電体組成物を含む電子部品を提供することである。

上記の目的を達成するために、本発明は以下の誘電体組成物および電子部品を提供する。
（１）Ｂａ、Ｃａ、Ｂｉ、ＴｉおよびＳｒを含む誘電体組成物であって、
ＥＰＭＡによりＳｒ由来の特性Ｘ線強度を測定した際に、Ｓｒ特性Ｘ線強度の異なる２相を含み、
ＥＰＭＡにより測定される第１相のＳｒ由来の特性Ｘ線強度をＳｒ１、
ＥＰＭＡにより測定される第２相のＳｒ由来の特性Ｘ線強度をＳｒ２とした際に、
Ｓｒ１に対するＳｒ２の強度比（Ｓｒ２／Ｓｒ１）が、２以上である誘電体組成物。

（２）前記第１相が結晶粒径０．１μｍ以上１０μｍ以下の誘電体粒子からなり、
前記第２相が結晶粒径０．１μｍ以上１０μｍ以下の誘電体粒子からなる、（１）に記載の誘電体組成物。

（３）ＥＰＭＡでの観察視野の全面積に対する第１相の面積割合をＸ、
ＥＰＭＡでの観察視野の全面積に対する第２相の面積割合をＹとした際に、
Ｙに対するＸの面積比（Ｘ／Ｙ）が、０．１以上である（１）に記載の誘電体組成物。

（４）ＥＰＭＡでの観察視野の全面積に対する第１相と第２相との合計面積割合（Ｘ＋Ｙ）が９５％以上である（３）に記載の誘電体組成物。

（５）Ｂａ、Ｃａ、Ｂｉ、ＴｉおよびＳｒを含む誘電体組成物であって、
ＥＰＭＡによりＳｒ由来の特性Ｘ線強度を測定した際に、Ｓｒ特性Ｘ線強度の異なる３相を含み、
ＥＰＭＡにより測定される第１相のＳｒ由来の特性Ｘ線強度をＳｒ１と、
ＥＰＭＡにより測定される第２相のＳｒ由来の特性Ｘ線強度をＳｒ２と、
ＥＰＭＡにより測定される第３相のＳｒ由来の特性Ｘ線強度をＳｒ３とした際に、
Ｓｒ３に対するＳｒ１の強度比（Ｓｒ１／Ｓｒ３）が０．６以下であり、
Ｓｒ３に対するＳｒ２の強度比（Ｓｒ２／Ｓｒ３）が１．４以上である誘電体組成物。

（６）前記第１相が結晶粒径０．１μｍ以上１０μｍ以下の誘電体粒子からなり、
前記第２相が結晶粒径０．１μｍ以上１０μｍ以下の誘電体粒子からなり、
前記第３相が結晶粒径０．１μｍ以上１０μｍ以下の誘電体粒子からなる、（５）に記載の誘電体組成物。

（７）ＥＰＭＡでの観察視野の全面積に対する第１相の面積割合をＸ、
ＥＰＭＡでの観察視野の全面積に対する第２相の面積割合をＹとした際に、
ＥＰＭＡでの観察視野の全面積に対する第３相の面積割合をＺとした際に、
Ｙに対するＸの面積比（Ｘ／Ｙ）が、０．１以上であり、
Ｙに対するＺの面積比（Ｚ／Ｙ）が０．１７以上である（５）に記載の誘電体組成物。

（８）ＥＰＭＡでの観察視野の全面積に対する第１相と第２相と第３相との合計面積割合（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ）が９５％以上である（７）に記載の誘電体組成物。

（９）上記（１）〜（８）のいずれかに記載の誘電体組成物含む電子部品。

本発明に係る誘電体組成物は、上記の特定の相分離構造を有することで、実質的に鉛を使用しないにもかかわらず、比誘電率、直流破壊電圧および交流破壊電圧を高く、誘電損失および発熱性を小さく、発熱特性、温度特性を良好にすることができる。

図１は本発明の実施形態に係る単板コンデンサの断面図である。 図２は本発明の実施形態に係る誘電体層断面のＳＥＭ画像の概略図である。 図３は第１実施形態に係る誘電体層断面のＳｒマッピングの概略図を示す。 図４は第２実施形態に係る誘電体層断面のＳｒマッピングの概略図を示す。 図５は本実施形態に係る主成分の組成の三元系相図である。

以下、本発明の具体的な実施形態を図面に基づき説明する。

本実施形態の誘電体組成物含む電子部品の種類には特に制限はないが、例えば、図１に示す単板コンデンサ１が挙げられる。

図１に示す単板コンデンサ１は本実施形態に係る誘電体組成物１０を有する。誘電体組成物１０の両面にはそれぞれ端子１２ａ、１２ｂが電極１４ａ、１４ｂを介して固着され、その周囲全面にわたって合成樹脂１６で被覆されている。

本実施形態に係る誘電体組成物は、Ｂａ、Ｃａ、Ｂｉ、ＴｉおよびＳｒを含み、ＥＰＭＡによりＳｒ由来の特性Ｘ線の強度（以下、「Ｓｒ特性Ｘ線強度」ということがある）を測定した際に、Ｓｒ特性Ｘ線強度の異なる２相または３相を含む。すなわち、本発明の誘電体組成物は、少なくともＳｒ組成が明確に異なる２相または３相からなる相分離構造を形成している。以下、２相構造を第１実施形態とし、３相構造を第２実施形態として説明するが、重複する態様については、説明を省略することがある。

第１実施形態
本発明の第１の実施形態に係る誘電体組成物は、Ｂａ、Ｃａ、Ｂｉ、ＴｉおよびＳｒを含む。該組成物に関してＥＰＭＡによりＳｒ由来の特性Ｘ線強度を測定した際に、Ｓｒ特性Ｘ線強度の異なる２相を含む。これは誘電体組成物に、Ｓｒ濃度が異なる２相が含まれていることを示している。

ＥＰＭＡ観察は、焼結後の誘電体組成物（焼結体）を切断した断面を鏡面研磨し、鏡面研磨を施した面に対して走査型電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope：ＳＥＭ）の画像を撮影する。さらに、前記ＳＥＭ像と同一の視野でＥＰＭＡ（Electron Probe Micro Analyzer）で観察し、Ｓｒ（ストロンチウム）のマッピング分析を行う。ＥＰＭＡによるマッピングは、Ｓｒに由来する特性Ｘ線の強度測定により行う。

ＳＥＭの撮影およびＥＰＭＡマッピング分析は、倍率２５００〜１００００倍で（１２．５〜５０）μｍ×（１０〜４０）μｍの視野で行う。

まず、ＳＥＭ像により各粒子の輪郭を確定させる。さらに、Ｓｒマッピングに前記各粒子の輪郭を重ねあわせる。第１実施形態に係る誘電体組成物のＳＥＭ画像の概略図を図２に示す。図２のように各粒子の輪郭を確定させる。また、同一の視野におけるＥＰＭＡ観察によるＳｒのマッピング分析を行う。図３にマッピングの概略図を示す。図３において、斜線で示した粒子２０はＳｒ特性Ｘ線強度が比較的小さい相（以下「低Ｓｒ相」と記載することがある）であり、ドットで示した粒子２１はＳｒ特性Ｘ線強度が比較的大きな相（以下「高Ｓｒ相」と記載することがある）である。

誘電体組成物は、ＥＰＭＡによる組成分析によって、Ｓｒ特性Ｘ線強度の異なる２相の構造を有することが確認できる。ここで、各相は連続相であってもよく、不連続相であってもよい。また、２相はＳｒ特性Ｘ線強度が明確に異なり、これは各相のＳｒ組成が明確に異なることを意味している。

ここで、Ｓｒ特性Ｘ線強度が比較的小さい相（低Ｓｒ相）を第１相として、Ｓｒ特性Ｘ線強度が比較的大きな相（高Ｓｒ相）を第２相とし、
第１相のＳｒ由来の特性Ｘ線強度をＳｒ１、第２相のＳｒ由来の特性Ｘ線強度をＳｒ２とした際に、
Ｓｒ１に対するＳｒ２の強度比（Ｓｒ２／Ｓｒ１）は、２以上であり、好ましくは５以上であり、さらに好ましくは１０〜１００の範囲にある。

均一相ではなく、Ｓｒ組成の異なる２相構造とすることで、作用機序は必ずしも明らかではないが、実質的に鉛を使用しないにもかかわらず、比誘電率、直流破壊電圧および交流破壊電圧を高く、常温での誘電損失を小さく、発熱特性、温度特性を良好にすることができる。

２つの相は、Ｓｒ組成が明確に異なる相分離構造を形成する。ここで、Ｓｒ組成が明確に異なるとは、ＥＰＭＡ測定における各点でのＳｒ由来の特性Ｘ線の強度と、その頻度とをプロットした際に、２つのピークに分離され、低Ｓｒ相のピークと、高Ｓｒ相のピークとが互いに重ならないことを言う。

第１相（低Ｓｒ相）でＳｒ特性Ｘ線強度にばらつきがある場合には、Ｓｒ１は第１相に属する領域からのＳｒ特性Ｘ線強度の平均値を用いる。第２相（高Ｓｒ相）でＳｒ特性Ｘ線強度にばらつきがある場合には、Ｓｒ２は第２相に属する領域からのＳｒ特性Ｘ線強度の平均値を用いる。

第１相は連続相であってもよく、不連続相であってもよい。同様に第２相も連続相であってもよく、不連続相であってもよい。しかしながら、第１実施形態では、各相は結晶粒子からなることが好ましい。

各相が結晶粒子からなる場合には、第１相は結晶粒径０．０５〜１５μｍ、さらに好ましくは０．１〜１０μｍの誘電体粒子からなり、第２相は結晶粒径０．０５〜１５μｍ、さらに好ましくは０．１〜１０μｍの誘電体粒子からなる。結晶粒径を調整することにより、比誘電率、直流破壊電圧、交流破壊電圧をより良好にすることができる。

結晶粒径は、円相当径により求める。「円相当径」は粒子の投影面積と同じ面積を持つ円の直径を意味し、ヘイウッド径とも呼ばれる。円相当径は、ＳＴＥＭ−ＥＤＳによるイメージ画像から求められる。

第１実施形態の誘電体組成物では、上記第１相と第２相とが特定の比率で存在していることが好ましい。具体的には、ＥＰＭＡでの観察視野の全面積に対する第１相の面積割合をＸ、第２相の面積割合をＹとした際に、Ｙに対するＸの面積比（Ｘ／Ｙ）が、好ましくは０．１以上であり、さらに好ましくは０．２以上であり、特に好ましくは０．２５〜４である。Ｘ／Ｙ比が０．１以上にあることで、発熱特性、温度特性をより良好にすることができる。

ここで面積割合とは、焼結体断面における観察視野の全面積に対する第１相（低Ｓｒ相）および第２相（高Ｓｒ相）のぞれぞれの面積の割合であり、ＳＴＥＭ−ＥＤＳによるイメージ画像から求められる。

第１実施形態の誘電体組成物は、実質的に第１相（低Ｓｒ相）と第２相（高Ｓｒ相）とからなり、中間的な相（すなわち、Ｓｒ濃度が第１相と第２相との間にある相）は含まない。したがって、第１実施形態の誘電体組成物ではＥＰＭＡでの観察視野の全面積に対する第１相と第２相との合計面積割合（Ｘ＋Ｙ）が好ましくは９５％以上であり、さらに好ましくは９７％以上であり、特に好ましくは９９％以上である。Ｘ＋Ｙを調整することにより、交流破壊電圧、誘電損失、温度特性をより良好にすることができる。

第１実施形態の誘電体組成物における第１相の面積割合Ｘは、ＥＰＭＡでの観察視野の全面積に対し、好ましくは５〜９５％であり、さらに好ましくは１０〜９０％であり、特に好ましくは１５〜６０％である。また、第２相の面積割合Ｙは、好ましくは５〜９５％であり、さらに好ましくは１０〜９０％であり、特に好ましくは４０〜８５％である。Ｘ、Ｙを調整することにより、交流破壊電圧、誘電損失、温度特性をより良好にすることができる。

第１実施形態の誘電体組成物は、Ｓｒに加えて、Ｂａ、Ｃａ、ＢｉおよびＴｉを含む。誘電体組成物におけるカチオン（Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ、Ｂｉ、Ｔｉ等）の合計を１００カチオン％とした場合、第１実施形態における各元素の好ましい含有量は、以下のとおりである。
Ｓｒ：０．０３〜１２．５カチオン％
Ｂａ：２２〜４９．８カチオン％
Ｃａ：０．０５〜５．９カチオン％
Ｂｉ：０．２〜２３．６カチオン％
Ｔｉ：４７〜５０カチオン％

第１実施形態に係る誘電体組成物は、上記第１相（低Ｓｒ相）と第２相（高Ｓｒ相）とからなる複合相を主成分として含有する。このような複合相を主成分として含むことにより、実質的に鉛を使用しなくても、１２５０以上の高い比誘電率をもちながら、温度特性が−２５℃〜１２５℃で２０％〜−５９％と良く、４．９ｋＶ／ｍｍ以上の高い交流破壊電圧、１１．２ｋＶ／ｍｍ以上の高い直流破壊電圧を有し、１ｋＨｚでの誘電損失が０．４２％以下、１ＭＨｚでの誘電損失が９．８％以下と小さく、さらに９０ｋＨｚ・２５０Ｖ／ｍｍ印加時の発熱（ΔＴ）が１５℃以下と良好な発熱特性を有する誘電体磁器組成物を得ることができる。

一方、主成分の構造が上記の要件を満たさないと、比誘電率、誘電損失、温度特性、発熱特性、直流破壊電圧および交流破壊電圧の何れか１つ以上が悪化することがある。

なお、第１実施形態に係る誘電体組成物では、実質的に鉛を使用しないとは、具体的には、誘電体組成物全体を１００重量％とした場合において鉛の含有量が０．００１重量％以下である場合を指す。第１実施形態に係る誘電体組成物では、鉛を実質的に使用しないことで、環境負荷を小さくすることができる。

第１実施形態に係る誘電体組成物は、上記主成分に加え、種々の副成分を含有することができる。たとえば、副成分としてマンガンを含む化合物、鉄を含む化合物、クロムを含む化合物、スズを含む酸化物、ジスプロシウムを含む酸化物、ニオブを含む酸化物などを用いても良い。これらは１種単独で、または２種以上を組み合わせて用いても良い。これらを適量用いることで、誘電損失を小さくし、比誘電率、直流破壊電圧および交流破壊電圧を大きくできる。

副成分を用いる場合、その含有量は、主成分全体を１００重量％とした場合において、それぞれＭｎＣＯ_３、Ｆｅ_２Ｏ_３、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２、Ｄｙ_２Ｏ_３、Ｎｂ_２Ｏ_５換算で合計０〜３重量％であり、好ましくは０．２〜１．５重量％であり、さらに好ましくは０．２５〜１．０重量％である。

第２実施形態
本発明の第２の実施形態に係る誘電体組成物は、Ｂａ、Ｃａ、Ｂｉ、ＴｉおよびＳｒを含む。該組成物に関してＥＰＭＡによりＳｒ由来の特性Ｘ線強度を測定した際に、Ｓｒ特性Ｘ線強度の異なる３相を含む。

ＥＰＭＡ観察、ＳＥＭ観察、元素マッピング等は前記と同様に行う。第２実施形態に係る誘電体組成物のＳｒマッピングの概略図を図４示す。図４において、斜線で示した粒子２０はＳｒ特性Ｘ線強度が比較的小さい相（低Ｓｒ相）であり、ドットで示した粒子２１はＳｒ特性Ｘ線強度が比較的大きな相（高Ｓｒ相）である。また、模様が付されていない粒子２２は、Ｓｒ特性Ｘ線強度が低Ｓｒ相と高Ｓｒ相との間にあり、以下では「中Ｓｒ相」と記載することがある。

第２実施形態に係る誘電体組成物は、ＥＰＭＡによる組成分析によって、Ｓｒ特性Ｘ線強度の異なる３相の構造を有することが確認できる。ここで、各相は連続相であってもよく、不連続相であってもよい。また、３相はＳｒ特性Ｘ線強度が明確に異なり、これは各相のＳｒ組成が異なることを意味している。

ここで、Ｓｒ特性Ｘ線強度が比較的小さい相（低Ｓｒ相）を第１相として、Ｓｒ特性Ｘ線強度が比較的大きな相（高Ｓｒ相）を第２相とし、Ｓｒ特性Ｘ線強度が第１相と第２相との間にある相（中Ｓｒ相）を第３相とすると、
第１相のＳｒ由来の特性Ｘ線強度をＳｒ１、第２相のＳｒ由来の特性Ｘ線強度をＳｒ２、第３相のＳｒ由来の特性Ｘ線強度をＳｒ３とした際に、
Ｓｒ３に対するＳｒ１の強度比（Ｓｒ１／Ｓｒ３）が０．６以下であり、好ましくは０．２５〜０．６の範囲にあり、また
Ｓｒ３に対するＳｒ２の強度比（Ｓｒ２／Ｓｒ３）が１．４以上であり、好ましくは１．４〜５の範囲にある。

均一相ではなく、Ｓｒ組成の異なる３相構造とすることで、作用機序は必ずしも明らかではないが、実質的に鉛を使用しないにもかかわらず、比誘電率、直流破壊電圧および交流破壊電圧を高く、常温での誘電損失を小さく、発熱特性、温度特性を良好にすることができる。

３つの相は、Ｓｒ組成が明確に異なる相分離構造を形成する。ここで、Ｓｒ組成が明確に異なるとは、ＥＰＭＡ測定における各点でのＳｒ由来の特性Ｘ線の強度と、その頻度とをプロットした際に、３つのピークに分離され、低Ｓｒ相のピークと、中Ｓｒ相のピークと、高Ｓｒ相のピークとが互いに重ならないことを言う。

第１相（低Ｓｒ相）でＳｒ特性Ｘ線強度にばらつきがある場合には、Ｓｒ１は第１相に属する領域からのＳｒ特性Ｘ線強度の平均値を用いる。第２相（高Ｓｒ相）でＳｒ特性Ｘ線強度にばらつきがある場合には、Ｓｒ２は第２相に属する領域からのＳｒ特性Ｘ線強度の平均値を用いる。第３相（中Ｓｒ相）でＳｒ特性Ｘ線強度にばらつきがある場合には、Ｓｒ３は第３相に属する領域からのＳｒ特性Ｘ線強度の平均値を用いる。

第１相は連続相であってもよく、不連続相であってもよい。同様に第２相も連続相であってもよく、不連続相であってもよい。同様に第３相も連続相であってもよく、不連続相であってもよい。しかしながら、第２実施形態では、各相は結晶粒子からなることが好ましい。

各相が結晶粒子からなる場合には、第１相は結晶粒径０．０５〜１５μｍ、さらに好ましくは０．１〜１０μｍの誘電体粒子からなり、第２相は結晶粒径０．０５〜１５μｍ、さらに好ましくは０．１〜１０μｍの誘電体粒子からなり、第３相は結晶粒径０．０５〜１５μｍ、さらに好ましくは０．１〜１０μｍの誘電体粒子からなる。結晶粒径を調整することにより、直流破壊電圧および交流破壊電圧、誘電損失、温度特性をより良好にすることができる。結晶粒径は、前記と同様に円相当径により求める。

第２実施形態の誘電体組成物では、上記第１相と第２相と第３相とが特定の比率で存在していることが好ましい。具体的には、ＥＰＭＡでの観察視野の全面積に対する第１相の面積割合をＸ、第２相の面積割合をＹ、第３相の面積割合をＺとした際に、Ｙに対するＸの面積比（Ｘ／Ｙ）が、好ましくは０．１以上であり、さらに好ましくは０．３以上であり、特に好ましくは０．５〜２である。Ｘ／Ｙ比が０．１以上にあることで温度特性、発熱特性をより良好にすることができる。
また、Ｙに対するＺの面積比（Ｚ／Ｙ）が好ましくは０．１７以上であり、さらに好ましくは０．２以上であり、特に好ましくは０．２〜１８である。Ｚ／Ｙ比を調整することで、直流破壊電圧、誘電損失をより良好にすることができる。

ここで面積割合とは、前記と同様にＳＴＥＭ−ＥＤＳによるイメージ画像から求められる。

第２実施形態の誘電体組成物は、実質的に第１相（低Ｓｒ相）と第２相（高Ｓｒ相）と、Ｓｒ濃度が第１相と第２相との間にある第２相（中Ｓｒ相）とからなる。したがって、第２実施形態の誘電体組成物ではＥＰＭＡでの観察視野の全面積に対する第１相と第２相第３相との合計面積割合（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ）が好ましくは９５％以上であり、さらに好ましくは９７％以上であり、特に好ましくは９９％以上であることが好ましい。Ｘ＋Ｙ＋Ｚを調整することにより、比誘電率、直流破壊電圧、誘電損失をより小さく、発熱特性、温度特性をより良好にすることができる。

第２実施形態の誘電体組成物における第１相の面積割合Ｘは、ＥＰＭＡでの観察視野の全面積に対し、好ましくは２〜４６％であり、さらに好ましくは５〜４５％であり、特に好ましくは１０〜４０％である。また、第２相の面積割合Ｙは、好ましくは２〜４６％であり、さらに好ましくは５〜４５％であり、特に好ましくは１０〜４０％である。また、第３相の面積割合Ｚは、好ましくは８〜９６％であり、さらに好ましくは１０〜９０％であり、特に好ましくは２０〜８０％である。Ｘ、Ｙ、Ｚを調整することにより、比誘電率、直流破壊電圧、誘電損失をより小さく、発熱特性、温度特性をより良好にすることができる。

第２実施形態の誘電体組成物は、Ｓｒに加えて、Ｂａ、Ｃａ、ＢｉおよびＴｉを含む。誘電体組成物におけるカチオン（Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ、Ｂｉ、Ｔｉ等）の合計を１００カチオン％とした場合、第２実施形態における各元素の好ましい含有量は、以下のとおりである。
Ｓｒ：１．５〜３０カチオン％
Ｂａ：１１．７〜３７．４カチオン％
Ｃａ：０．０５〜５．９カチオン％
Ｂｉ：０．２〜２３．６カチオン％
Ｔｉ：４７〜５０カチオン％

第２実施形態に係る誘電体組成物は、上記第１相（低Ｓｒ相）と第２相（高Ｓｒ相）と第３相（中Ｓｒ相）とからなる複合相を主成分として含有する。このような複合相を主成分として含むことにより、実質的に鉛を使用しなくても、１２５０以上の高い比誘電率をもちながら、温度特性が−２５℃〜１２５℃で１６％〜−５２％と良く、３．６ｋＶ／ｍｍ以上の高い交流破壊電圧、１１．２ｋＶ／ｍｍ以上の高い直流破壊電圧を有し、１ｋＨｚでの誘電損失が０．３４％以下、１ＭＨｚでの誘電損失が９．１％以下と小さく、さらに９０ｋＨｚ・２５０Ｖ／ｍｍ印加時の発熱（ΔＴ）が１５℃以下と良好な発熱特性を有する誘電体磁器組成物を得ることができる。

一方、主成分の構造が上記の要件を満たさないと、比誘電率、誘電損失、温度特性、発熱特性、直流破壊電圧および交流破壊電圧の何れか１つ以上が悪化することがある。

なお、第２実施形態に係る誘電体組成物では、実質的に鉛を使用しないとは、具体的には、誘電体組成物全体を１００重量％とした場合において鉛の含有量が０．００１重量％以下である場合を指す。第２実施形態に係る誘電体組成物では、鉛を実質的に使用しないことで、環境負荷を小さくすることができる。

第２実施形態に係る誘電体組成物は、前記副成分を含むことができ、その添加量も前記と同様である。

誘電体組成物の製造方法
以下、第１および第２実施形態に係る誘電体組成物の製造方法について例をあげて説明するが、誘電体組成物の製造方法は下記の方法に限定されない。

まず、本実施形態に係る誘電体組成物の原料粉末を準備する。原料粉末としては、各成分の化合物、または焼成により各成分となる化合物の粉末を準備する。各成分のうち、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）およびチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３）については、原料を準備する時点でチタン酸バリウム粉末およびチタン酸ストロンチウム粉末を準備することが好ましい。

また、チタン酸ビスマスカルシウム（ＣａＢｉ_４Ｔｉ_４Ｏ_１５）は予め調製されたものであってもよく、誘電体の焼成時にチタン酸ビスマスカルシウムを生成する原材料を用いてもよい。チタン酸ビスマスカルシウムを生成する原材料としては、例えば酸化ビスマス、酸化チタンおよび炭酸カルシウムが挙げられるが、これらに限定はされない。予め調製したチタン酸ビスマスカルシウムを用いた方が、直流破壊電圧および交流破壊電圧および温度特性を向上させ、誘電損失を低下させることができる。

副成分については、各元素の酸化物のほか、焼成後に各元素の酸化物となりうる化合物、例えば炭酸塩、硝酸塩、硫酸塩等を準備することが可能である。

次に、各成分の原料粉末を混合して混合粉末を得る。混合方法には特に制限はなく、通常用いられる方法、例えば乾式混合、湿式混合等を用いることができる。

第１実施形態に係る２相構造の誘電体組成物を得る方法は特に限定はされず、また第２実施形態に係る３相構造の誘電体組成物を得る方法も特に限定はされない。しかしながら、主成分組成を制御することで、相分離状態を制御でき、２相構造あるいは３相構造の誘電体組成物が得られる。相構造の制御方法についての非制限的な具体例を説明する。

主成分は、チタン酸バリウムの含有量をＢａＴｉＯ_３換算でａモル％、チタン酸ストロンチウムの含有量をＳｒＴｉＯ_３換算でｂモル％、およびチタン酸ビスマスカルシウムの含有量をＣａＢｉ_４Ｔｉ_４Ｏ_１５換算でｃモル％とし、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００とした場合において、
前記ａ、ｂおよびｃが下記範囲内の値であることが好ましい。

前記ａ、ｂおよびｃにより規定される範囲を、三元系相図上に示すと、下記点Ａ、点Ｂ、点Ｃおよび点Ｄの４点に囲まれる範囲内となる。
点Ａ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（４０，４０，２０）
点Ｂ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（８０，０．１，１９．９）
点Ｃ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（９８，１，１）
点Ｄ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（４０，５９．５，０．５）

主成分組成を上記範囲に制御することで、主成分が２相分離しやすく、第１実施形態に係る誘電体組成物を簡便に得られる。ただし、主成分組成が、下記の範囲にあると、３相構造を形成しやすい。

すなわち、第２実施形態に係る３相構造に誘電体組成物を調製する際には、主成分組成におけるａ、ｂおよびｃは、下記の範囲にあることがより好ましい。
好ましいａ、ｂおよびｃにより規定される範囲を、三元系相図上に示すと、下記点Ａ´、点Ｂ´、点Ｃ´および点Ｄ´の４点に囲まれる範囲となる。
点Ａ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（４０，４０，２０）
点Ｂ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（７５．５，４．５，２０）
点Ｃ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（７５．５，２４．４，０．１）
点Ｄ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（４０，５９．９，０．１）
上記各点の位置を示す三元系相図を図５に示す。

すなわち、第２実施形態に係る３相構造の誘電体組成物を得る際には、各主成分の組成が点Ａ´、点Ｂ´、点Ｃ´および点Ｄ´の４点に囲まれる範囲内（Ａ´Ｂ´Ｃ´Ｄ´の四角形内）点に囲まれる範囲内にあることが好ましい。
一方、第１実施形態に係る２相構造の誘電体組成物を得る際は、各主成分の組成が点Ａ、点Ｂ、点Ｃおよび点Ｄの４点に囲まれる範囲内（ＡＢＣＤの四角形内）であり、かつ四角形Ａ´Ｂ´Ｃ´Ｄ´の範囲を除く範囲にあることが好ましい。

一方、チタン酸バリウムの含有量が５０モル％未満であると、比誘電率、発熱特性、温度特性の少なくとも一つが悪化することがある。チタン酸バリウムの含有量が８３モル％を超えると、誘電損失、発熱特性の少なくとも一つが悪化することがある。

また、チタン酸ビスマスカルシウムの含有量が０．５モル％未満であると温度特性、誘電損失および発熱特性の何れか１つ以上が低下することがあり、５モル％を超えると、比誘電率が低下することがある。

上記のように主成分組成を決定し、かつ必要に応じ副成分を混合した後、前記混合粉末を造粒し、造粒後に必要に応じて整粒を行い、顆粒粉末を得る。造粒方法に特に制限はない。例えば、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）水溶液を前記混合粉末に添加して造粒する方法がある。また、整粒方法にも特に限定はない。例えば、粗大な造粒粉末を取り除くためにふるいにかけてもよい。

次に、顆粒粉末を成形し、誘電体組成物からなる成形体を得る。成形方法に特に制限はなく、通常用いられる方法を用いることができる。例えば加圧成形を用いることができる。加圧時の圧力に特に制限はない。例えば２００〜６００ＭＰａとすることができる。

次に、得られた成形体を焼成することで、誘電体組成物からなる焼結体を得る。焼成条件に特に制限はない。焼成温度は１１００〜１３５０℃とすることができる。焼成雰囲気にも特に制限はない。例えば、空気中、窒素雰囲気中、または窒素および水素を用いた還元雰囲気中とすることができるがその他の雰囲気中でもよい。

なお、高温で長時間の焼成を行うと、各成分が拡散し、均一相を形成しやすい。このため、本実施形態の相分離構造を形成するためには、１３００℃以上の高温で焼成する場合には、焼成時間は０．５〜３時間とすることが好ましい。また、１１００〜１３００℃程度で焼成を行う場合には、焼成時間は１〜４．５時間とすることが好ましい。

各相が結晶粒子の場合、その粒径は、焼成条件や原料粒子の粒径により制御できる。たとえばＳｒを含有するチタン酸ストロンチウムや炭酸ストロンチウムとして粒径の大きな原料を用いると、第２相（高Ｓｒ相）の粒径を大きくでき、またストロンチウムを含有しない原料粒子として粒径の大きな粒子を用いると、第１相（低Ｓｒ相）の粒径を大きくできる。また、焼成温度を比較的高く、かつ焼成時間を比較的長くすることで、粒子成長が起こり、粒径は増大する。また原料粒子間のイオン拡散により、Ｓｒ濃度が低Ｓｒ相と高Ｓｒ相との間の第３相（中Ｓｒ相）の生成が促進され、その粒径も大きくなる。

また、原料粒子として、チタン酸バリウム粉末、チタン酸ストロンチウム粉末、チタン酸ビスマスカルシウム粉末に代えて、これらの原料粉である炭酸バリウム、炭酸ストロンチウム、酸化ビスマス粉末、酸化チタン粉末および炭酸カルシウム粉末を用いると、組成が均一な相が形成されやすく、この結果、第３相（中Ｓｒ相）の生成が促進される。

また、各相の面積割合は、原料粒子の配合により制御できる。たとえばＳｒを含有するチタン酸ストロンチウムや炭酸ストロンチウムを多く用いると、第２相（高Ｓｒ相）の面積割合Ｙが増大する。またストロンチウムを含有しない原料粒子の割合を多くすると、第１相（低Ｓｒ相）の面積割合Ｘが増大する。粒径を大きくできる。また、焼成温度を比較的高く、かつ焼成時間を比較的長くすることで、原料粒子間のイオン拡散により、Ｓｒ濃度が低Ｓｒ相と高Ｓｒ相との間の第３相（中Ｓｒ相）の生成が促進され、その面積割合も増大する。

また、原料粒子として、チタン酸バリウム粉末、チタン酸ストロンチウム粉末、チタン酸ビスマスカルシウム粉末に代えて、これらの原料粉である炭酸バリウム、炭酸ストロンチウム、酸化ビスマス粉末、酸化チタン粉末および炭酸カルシウム粉末を用いると、組成が均一な相が形成されやすく、この結果、第３相（中Ｓｒ相）の面積割合が増大する。

次いで、得られた焼結体に一対の電極を接合させる。一対の電極は、例えば、得られた焼結体の対向する２面に接合させる。

また、得られた焼結体に電極を接合させる方法に特に制限はない。例えば、得られた焼結体に電極ペーストを塗装し、７００〜９００℃で焼付けすることで、得られた焼結体に電極を接合させることができる。電極ペーストとしては、たとえばＡｇペースト、Ｃｕペーストなどが使用できる。

さらに、電極を介して端子を接続する。電極を介して端子を接続する方法に特に制限はない。さらに、端子の一部を露出させるように、誘電体組成物の周囲全面にわたって樹脂被覆を行う。被覆方法および被覆させる樹脂の種類に特に制限はない。

このようにして図１に記載の単板型コンデンサを得ることができる。当該単板型コンデンサは、本実施形態に係る誘電体組成物を用いることにより、非常に高い電圧で用いることが可能となる。

なお、上記の説明では本実施形態に係る電子部品を図１に示す単板型コンデンサとして製造方法を説明したが、本発明の電子部品は単板型コンデンサに限定されず、積層型コンデンサ等、単板型コンデンサ以外のコンデンサであってもよい。積層型コンデンサ等の製造方法には特に制限はなく、既知の製造方法を用いることができる。また、本発明の電子部品の用途には特に制限はないが、高周波用コンデンサや高電圧用コンデンサとして好適に用いることができる。

以下、本発明をさらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されない。

（実施例および比較例）
原料粉末として、チタン酸バリウム粉末、チタン酸ストロンチウム粉末、チタン酸ビスマスカルシウム粉末、酸化ビスマス粉末、酸化チタン粉末および炭酸カルシウム粉末、および副成分粉末を準備し、最終的に表１に記載された実施例および比較例の組成物が得られるように秤量した。なお、表１のＢＴとはチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）を表し、ＳＴとはチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３）を表し、ＣＢＴとはチタン酸ビスマスカルシウム（ＣａＢｉ_４Ｔｉ_４Ｏ_１５）を表す。

各原料粉末を混合した後に、ポットミルを用いて平均粒径が０．５〜３μｍ程度になるように微粉砕した。各試験例での原料粉末の平均粒径を表１に示す。微粉砕した原料粉末の粒径を、レーザー回折式粒度分布測定器にて測定し、個数積算粒度分布におけるＤ５０を平均粒径とした。微粉砕した粉末を脱水乾燥した後に、有機結合剤としてポリビニルアルコールを添加し、造粒および整粒を行い、顆粒粉末とした。

前記顆粒粉末を３００ＭＰａの圧力で成形し、直径１６．５ｍｍ、厚さ０．６５ｍｍの円板状の成形体とした。

前記成形体を空気中、１１００〜１３５０℃で４時間焼成し円板状の磁器素体を得た。各試験例での焼成温度を表１に示す。得られた磁器素体の組成が、所定の酸化物または炭酸塩換算で、表１に示す組成になっていることを蛍光Ｘ線分析で確認した。次に前記磁器素体の両面にＡｇ電極ペーストを塗装し、空気雰囲気中で焼き付けをして、コンデンサ試料を得た。コンデンサ試料は、以下に示す評価を全て行うために必要な数を製造した。

得られた誘電体組成物の相分離構造および各相の粒径は以下の方法で確認した。
（ＳＥＭ、ＥＰＭＡ）
各試料について焼結後の焼結体を切断した断面を鏡面研磨し、鏡面研磨を施した面に対して走査型電子顕微鏡像（Scanning Electron Microscope：ＳＥＭ）を撮影した。さらに、前記ＳＥＭ像と同一の視野でＥＰＭＡ（Electron Probe Micro Analyzer）で観察し、各Ｓｒのマッピング分析を行った。

ＳＥＭ像の撮影およびＥＰＭＡマッピングは、１つの試料あたり１個の焼結体の断面について、いずれも倍率５０００倍で２５μｍ×２０μｍの視野を１０視野設定し、３００〜１０００個の粒子の粒径、面積等が測定できるようにして行った。

ＳＥＭ像にて各粒子の輪郭を確定させた。各粒子の輪郭の概略図が図２である。

さらに、Ｓｒマッピングの概略図に前記各粒子の輪郭を重ねあわせた概略図を図３、図４に示す。なお、図３、図４において斜線がついている部分は、ＳｒマッピングにおいてＳｒ特性Ｘ線強度が低い部分（低Ｓｒ相）であり、ドットがついている部分はＳｒ特性Ｘ線強度が高い部分（高Ｓｒ相）である。また、模様が付されていない部分（中Ｓｒ相）は、Ｓｒ特性Ｘ線強度が低Ｓｒ相と高Ｓｒ相との間にある。

（ＥＰＭＡ強度比）
Ｓｒ特性Ｘ線強度が比較的小さい相（低Ｓｒ相）のＳｒ特性Ｘ線強度の平均値をＳｒ１、Ｓｒ特性Ｘ線強度が比較的大きな相（高Ｓｒ相）のＳｒ特性Ｘ線強度の平均値をＳｒ２、Ｓｒ特性Ｘ線強度が低Ｓｒ相と高Ｓｒとの間にある相（中Ｓｒ相）のＳｒ特性Ｘ線強度の平均値をＳｒ３とした。
これらの解析結果から、誘電体組成物が２相構造の場合にはＳｒ２／Ｓｒ１を、３相構造の場合にはＳｒ１／Ｓｒ３、Ｓｒ２／Ｓｒ３を算出した。

（各相の粒径、平均粒径）
各試料についてＳｒ特性Ｘ線強度の異なる各粒子の面積から円相当径を算出し、平均粒径を算出した。

試料番号２７〜３２では、各粒子についてＳｒ特性Ｘ線強度の違いはなく、Ｓｒ組成が均一で、平均粒径３μｍの結晶粒子によって誘電体が形成されていることを確認した。

（各相の占める面積割合）
各相の占める面積割合は、平均粒径測定時のＳＥＭ画像、ＥＰＭＡ元素マッピングより算出した。低Ｓｒ相の占める面積割合をＸ、高Ｓｒ相の占める面積割合をＹ、中Ｓｒ相の占める面積割合をＺとした。
これらの解析結果から、誘電体組成物が２相構造の場合にはＸ／Ｙを、３相構造の場合にはＸ／Ｙ、Ｚ／Ｙを算出した。

また、得られたコンデンサ試料について、比誘電率、誘電損失、絶縁抵抗、直流破壊電圧および交流破壊電圧、静電容量温度特性を評価した。以下、評価方法について説明する。

（比誘電率（εｓ））
比誘電率（εｓ）は、円板状のコンデンサ試料に対して、温度２５℃、周波数１ｋＨｚ、入力信号レベル（測定電圧）１．０Ｖｒｍｓの条件下でＬＣＲメータを用いて測定された静電容量から算出した。本実施例では、εｓ≧１２５０を良好とし、εｓ≧１４００をさらに良好とした。

（誘電損失）
基準温度２５℃における誘電損失（ｔａｎδ）は、コンデンサ試料に対し、ＬＣＲメータにて、周波数１ｋＨｚ、入力信号レベル（測定電圧）１．０Ｖｒｍｓの条件下で測定した。また、１ＭＨｚ、測定電圧１．０Ｖｒｍｓの条件下でも測定した。
本実施例では、周波数１ｋＨｚにおける誘電損失（ｔａｎδ）は、０．５％以下を良好とした。周波数１ＭＨｚにおける誘電損失（ｔａｎδ）は、１０％以下を良好とした。

（絶縁抵抗（ＩＲ））
コンデンサ試料に対し、絶縁抵抗計（アドバンテスト社製Ｒ８３４０Ａ）を用いて、２０℃において５００Ｖの直流電圧を、コンデンサ試料に１０秒間印加し、印加後５０秒放置した後の絶縁抵抗ＩＲを測定した。本実施例では、５．０×１０^５ＭΩ以上を良好とした。

（発熱特性）
Ａｇ電極焼付後に１０００ｐＦとなるように素地の直径を変えた試料を作成し、素地にリード線を取り付けて絶縁樹脂で塗装後、ＡＣ９０ｋＨｚ２５０Ｖ（１ｍｍあたり２５０Ｖ／ｍｍ）印加後素子の温度が安定する温度を測定した。素子温度と環境温度との差（ΔＴ）を求めた。ΔＴが小さいほど、発熱性が低いことを意味する。本実施例ではΔＴ１５℃以下を良好とした。

（交流破壊電圧）
交流破壊電圧（ＡＣ−Ｅｂ、ｋＶ／ｍｍ）の測定は、下記の方法で行った。得られたコンデンサ試料の両端に対して、交流電場を与えた。交流電場の大きさを２００Ｖ／ｓの速さで上昇させていき、交流耐圧測定機でリーク電流の変化を観察した。リーク電流が５０ｍＡとなったときの電場を、コンデンサ試料の厚さで除し、単位厚み当りの交流破壊電圧（ＡＣ−Ｅｂ）とした。ＡＣ−Ｅｂが高いほど、交流破壊電圧が高く、交流電圧に対する耐圧性に優れているといえる。本実施例では、ＡＣ−Ｅｂ≧３．５ｋＶ／ｍｍを良好とし、ＡＣ−Ｅｂ≧５．１ｋＶ／ｍｍをさらに良好とした。

（直流破壊電圧）
直流破壊電圧（ＤＣ−Ｅｂ、ｋＶ／ｍｍ）の測定は、下記の方法で行った。得られたコンデンサ試料の両端に対して、直流電場を与えた。直流電場の大きさを１００Ｖ／ｓの速さで上昇させていき、リーク電流の変化を観察した。リーク電流が１００ｍＡとなったときの電場を、コンデンサ試料の厚さで除し、単位厚み当りの直流破壊電圧（ＤＣ−Ｅｂ）とした。ＤＣ−Ｅｂが高いほど、直流破壊電圧が高く、直流電圧に対する耐圧性に優れているといえる。本実施例では、ＤＣ−Ｅｂ≧１０ｋＶ／ｍｍを良好とし、ＤＣ−Ｅｂ≧１４ｋＶ／ｍｍをさらに良好とした。

（温度特性）
温度特性ＴＣ（％）の測定方法は以下の通りである。まず、−２５℃〜＋１２５℃の範囲で温度を変化させて各温度の静電容量を測定した。静電容量はＬＣＲメータを用い、周波数１ＫＨｚ、入力信号レベル１Ｖｒｍｓの条件下で測定した。そして、基準温度＋２５℃での静電容量をＣ_２５、Ｔ（℃）での静電容量をＣ_Ｔとした場合に、以下の式に従い各温度でのＴＣを測定した。
ＴＣ（％）＝｛（Ｃ_Ｔ−Ｃ_２５）／Ｃ_２５｝×１０^２

本実施例では、−２５℃〜＋１２５℃の範囲内で常に−６０≦ＴＣ≦＋２２となる場合を良好とした。本実施例では、−２５℃および＋１２５℃でＴＣが上記の範囲内であるコンデンサ試料は、−２５℃〜＋１２５℃の範囲内の他の温度でもＴＣが上記の範囲内となった。したがって、表２には−２５℃、８５℃および＋１２５℃でのＴＣを記載した。ただし、−２５℃〜＋１２５℃の範囲内で常に−６０≦ＴＣ≦＋２２の範囲内とならなくても上述した本願発明の目的を達成することはできる。
以上の測定結果を表２にまとめる。

表中の「＊」は比較例を示す。表２より、本発明の第１実施形態のようにＳｒ濃度が異なる２相の相分離構造を有する誘電体組成物では、鉛を使用しないにもかかわらず、１２５０以上の高い比誘電率をもちながら、温度特性が−２５℃〜１２５℃で２０％〜−５９％と良く、４．９ｋＶ／ｍｍ以上の高い交流破壊電圧、１１．２ｋＶ／ｍｍ以上の高い直流破壊電圧を有し、１ｋＨｚでの誘電損失が０．４２％以下、１ＭＨｚでの誘電損失が９．８％以下と小さく、さらに９０ｋＨｚ・２５０Ｖ／ｍｍ印加時の発熱（ΔＴ）が１５℃以下と良好な発熱特性を有する。

また、本発明の第２実施形態のようにＳｒ濃度が異なる３相の相分離構造を有する誘電体組成物では、鉛を使用しないにもかかわらず、１２５０以上の高い比誘電率をもちながら、温度特性が−２５℃〜１２５℃で１６％〜−５２％と良く、３．６ｋＶ／ｍｍ以上の高い交流破壊電圧、１１．２ｋＶ／ｍｍ以上の高い直流破壊電圧を有し、１ｋＨｚでの誘電損失が０．３４％以下、１ＭＨｚでの誘電損失が９．１％以下と小さく、さらに９０ｋＨｚ・２５０Ｖ／ｍｍ印加時の発熱（ΔＴ）が１５℃以下と良好な発熱特性を有する。

１・・・単板コンデンサ
１０・・・誘電体組成物
１２ａ，１２ｂ・・・端子
１４ａ，１４ｂ・・・電極
１６・・・合成樹脂
２０・・・Ｓｒ特性Ｘ線強度が比較的小さい相（低Ｓｒ相）
２１・・・Ｓｒ特性Ｘ線強度が比較的大きな相（高Ｓｒ相）
２２・・・Ｓｒ特性Ｘ線強度が中程度の相（中Ｓｒ相）

Claims (9)

1. Ｂａ、Ｃａ、Ｂｉ、ＴｉおよびＳｒを含む誘電体組成物であって、
   ＥＰＭＡによりＳｒ由来の特性Ｘ線強度を測定した際に、Ｓｒ特性Ｘ線強度の異なる２相を含み、
   ＥＰＭＡにより測定される第１相のＳｒ由来の特性Ｘ線強度をＳｒ１、
   ＥＰＭＡにより測定される第２相のＳｒ由来の特性Ｘ線強度をＳｒ２とした際に、
   Ｓｒ１に対するＳｒ２の強度比（Ｓｒ２／Ｓｒ１）が、２以上である誘電体組成物。
2. 前記第１相が結晶粒径０．１μｍ以上１０μｍ以下の誘電体粒子からなり、
   前記第２相が結晶粒径０．１μｍ以上１０μｍ以下の誘電体粒子からなる、請求項１に記載の誘電体組成物。
3. ＥＰＭＡでの観察視野の全面積に対する第１相の面積割合をＸ、
   ＥＰＭＡでの観察視野の全面積に対する第２相の面積割合をＹとした際に、
   Ｙに対するＸの面積比（Ｘ／Ｙ）が、０．１以上である請求項１または２に記載の誘電体組成物。
4. ＥＰＭＡでの観察視野の全面積に対する第１相と第２相との合計面積割合（Ｘ＋Ｙ）が９５％以上である請求項３に記載の誘電体組成物。
5. Ｂａ、Ｃａ、Ｂｉ、ＴｉおよびＳｒを含む誘電体組成物であって、
   ＥＰＭＡによりＳｒ由来の特性Ｘ線強度を測定した際に、Ｓｒ特性Ｘ線強度の異なる３相を含み、
   ＥＰＭＡにより測定される第１相のＳｒ由来の特性Ｘ線強度をＳｒ１と、
   ＥＰＭＡにより測定される第２相のＳｒ由来の特性Ｘ線強度をＳｒ２と、
   ＥＰＭＡにより測定される第３相のＳｒ由来の特性Ｘ線強度をＳｒ３とした際に、
   Ｓｒ３に対するＳｒ１の強度比（Ｓｒ１／Ｓｒ３）が０．６以下であり、
   Ｓｒ３に対するＳｒ２の強度比（Ｓｒ２／Ｓｒ３）が１．４以上である誘電体組成物。
6. 前記第１相が結晶粒径０．１μｍ以上１０μｍ以下の誘電体粒子からなり、
   前記第２相が結晶粒径０．１μｍ以上１０μｍ以下の誘電体粒子からなり、
   前記第３相が結晶粒径０．１μｍ以上１０μｍ以下の誘電体粒子からなる、請求項５に記載の誘電体組成物。
7. ＥＰＭＡでの観察視野の全面積に対する第１相の面積割合をＸ、
   ＥＰＭＡでの観察視野の全面積に対する第２相の面積割合をＹとした際に、
   ＥＰＭＡでの観察視野の全面積に対する第３相の面積割合をＺとした際に、
   Ｙに対するＸの面積比（Ｘ／Ｙ）が、０．１以上であり、
   Ｙに対するＺの面積比（Ｚ／Ｙ）が０．１７以上である請求項５または６に記載の誘電体組成物。
8. ＥＰＭＡでの観察視野の全面積に対する第１相と第２相と第３相との合計面積割合（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ）が９５％以上である請求項７に記載の誘電体組成物。
9. 請求項１〜８のいずれかに記載の誘電体組成物含む電子部品。

Images