CN103080041A - 介质烧结体及其制造方法以及介质谐振器 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及介质烧结体及其制造方法以及介质谐振器。本发明的介质烧结体包含作为主要成分的Ba、Nb以及Zn和Co中的至少一种，以及作为次要成分的K和Ta。在X射线衍射测量中的（111）面峰值的峰值强度p2与（310）面峰值的峰值强度p1的比率A为0.9至1.5。（111）面峰值的半带宽C的范围是0.12至0.22°。（111）面峰值的d值D的范围是2.363至2.371。该介质烧结体具有钙钛矿结构。

Description

介质烧结体及其制造方法以及介质谐振器
相关申请的交叉引用
本国际申请要求2010年9月2日提交的日本专利申请No.2010-196853的优先权，在此并入其全部内容作为参考。
技术领域
本发明涉及一种应用于例如介质谐振器、介质滤波器、介质天线以及介质基底的介质烧结体。本发明还涉及制造上述介质烧结体的方法以及还涉及介质谐振器。
背景技术
已经对各种组分的介质烧结体进行研究以使其应用于诸如微波和毫波（milliwave）的高频范围。在这些介质烧结体中，基于BaZnCoNb（以下称为“BZCN”，参见专利文献1和2）的介质烧结体具有优良的稳定性，这是因为它们具有相对大的Q值（无负载情况下的品质因数）、适度地大的相对介电常数以及小谐振频率温度系数。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：JP-A-2003-201177
专利文献2：JP-A-2004-315330
发明内容
本发明解决的问题
然而，现有技术的BZCN基介质烧结体的Q值随烧结体不同而呈现很大变化，且这样的介质烧结体在工业生产中缺乏稳定性。
基于上述情况提出本发明，且本发明的目的是提供一种具有大Q值和小Q值变化的介质烧结体及其制造方法以及一种介质谐振器。
解决问题的手段
本发明的介质烧结体包含作为主要成分的Ba、Nb以及Zn和Co中的至少一种，以及作为次要成分的K和Ta，在X射线衍射测量中的（111）面峰值的峰值强度p2与（310）面峰值的峰值强度p1的比值A为0.9至1.5，所述（111）面峰值的半带宽C的范围是0.12至0.22°，所述（111）面峰值的d值D的范围是2.363至2.371，且介质烧结体具有钙钛矿结构。
在本发明的介质烧结体中，峰值强度比值A是0.9至1.5，因此Q值大且Q值变化小。
此外，在本发明的介质烧结体中，在X射线衍射测量中的所述（111）面峰值的半带宽C的范围是0.12至0.22°；因此发生结晶并且Q值提高。当半带宽超过0.22°时，换言之，当半带宽宽时，不发生结晶且Q值降低。另一方面，当半带宽小于0.12°时，换言之，当半带宽太窄时，结晶过度且晶粒边界面开始产生影响，并Q值降低。
此外，在本发明的介质烧结体中，在X射线衍射测量中的所述（111）面峰值的d值D的范围是2.363至2.371；因此晶格中的原子有序排列，并且Q值提高。当d值D小于2.363时，某些原子会脱离晶格，换言之，排列会变得不稳定，结果是产生晶格应变，并且Q值降低。另一方面，当d值D大于2.371时，排列变得不均匀，且不发生结晶，结果是发生松动，并且Q值降低。d值D的单位是
Figure BDA00002874394800021
此外，因为本发明的介质烧结体包含K和Ta，因此Q值大于不包含K和Ta的介质烧结体的Q值。此外，即使在K和Ta的含量少时，本发明的介质烧结体的Q值也远大于不包含上述元素的介质烧结体的Q值。
此外，本发明的介质烧结体包含Zn和Co中的至少一种。Zn和Co含量的比例变化使得能在宽范围内选择Q值和τf的绝对值。特别地，通过增加Zn含量可大幅提高Q值。具体而言，当Zn和Co含量的比例变化时，Q值呈现出峰值，且以不同于相对介电常数εr和τf的绝对值的属性的方式不可预见地变化。此外，Zn含量的增加可同时提高Q值和εr，并降低τf的绝对值。
此外，因为本发明的介质烧结体具有钙钛矿结构，因此可获得高Q值。X射线衍射显示BaZnNb基组分、BaCoNb基组分或KTa基组分没有形成单独峰值，这归因于构成元素；取而代之的是出现单一固溶体峰值分布。该峰值分布类似于BaZnNb基组分的峰值分布，且可确定本发明的介质烧结体具有BaZnNb基组分的钙钛矿结构。
本发明的介质烧结体优选包含Ba5Nb4O15结晶相。可通过X射线衍射测量确认是否存在Ba5Nb4O15结晶相。可在2θ=29.5°附近确认Ba5Nb4O15结晶相。Ba5Nb4O15结晶相是在钙钛矿晶格顺序排列时观察到的一种亚结晶相。Ba5Nb4O15结晶相的存在可用作确定钙钛矿结构是否顺序排列的判断依据。
本发明的介质烧结体优选还包含氧化锆。含有氧化锆可提高烧结稳定性并进一步提高Q值。相对于由上述组分公式表示的组分的100重量份，氧化锆含量优选小于0.3重量份（氧化锆组分小于0.3wt%）。
优选地，氧化锆存在于介质烧结体的晶粒边界面处。特别优选地，在介质烧结体的晶粒边界面处普遍存在氧化锆的浓度大于其他区域中的浓度。在介质烧结体的晶粒边界面处存在氧化锆使得能够利用较小的热量移动物质，并能容易地沉淀Ba5Nb4O15结晶相（可更容易地获得超晶格结构）。因此能获得高Q值。
优选地，本发明的介质烧结体包含作为主要组分的K、Ba、Nb和Ta以及Zn和Co中的至少一种，且上述构成元素的组分比基本满足组分公式：（100-a）[Bau{（ZnvCo1-v）wNbx}Oδ1]-a[KyTazOδ2]（0.5≤a≤25,0.98≤u≤1.03,0≤v≤1,0.274≤w≤0.374,0.646≤x≤0.696,0.5≤y≤2.5,0.8≤z≤1.2）。
在这种情况下，因为本发明的介质烧结体包含K和Ta，因此Q值大于不包含这些元素的介质烧结体的Q值。此外，即使在K和Ta含量少时，Q值也远大于不包含这些元素的介质烧结体的Q值。此外，特别在a=2.5附近观察峰值（最大值）时，Q值呈现出不可预测、意想不到的属性。
此外，因为本发明的介质烧结体包含K和Ta，因此谐振频率温度系数（以下也简称为“τf”）的绝对值小。此外，即使在K和Ta含量小时，τf的绝对值也可被设置为远小于不包含这些元素的介质烧结体的τf的绝对值。此外，特别在a=5附近观察峰值（最大值）时，τf呈现出不可预测、意想不到的属性。此外，含有K和Ta可降低制造介质烧结体的烧结温度。
在上述组分公式中，代表K和Ta含量的比例的变量a是0.5≤a≤25。当变量a等于或大于0.5时，可充分获得上述效果。另一方面，当变量a等于或小于25时，可较容易地在烧结过程期间保持模制的形状，且可容易地获得介质烧结体。不特别限制值a，只要其处于上述范围内即可。但是，考虑到要获得上述效果，则值a优选为1≤a≤20，更优选1≤a≤10，且进一步优选2≤a≤8。
在上述组分公式中，y是0.5≤y≤2.5（优选地，1.0≤y≤2.0）。因为变量y等于或大于0.5，因此介质烧结体可在其制造过程期间被充分烧结。此外，由于变量y处于该范围内，因此Q值和谐振频率的乘积（以下称为“f×Q值”）可被设置为足够大的值。此外，z是0.8≤z≤1.2。z为0.9≤z≤1.1的范围是优选地，因为f×Q值在该范围内特别大。
此外，本发明的介质烧结体包含Zn和Co中的至少一种。Zn和Co含量的比例变化使得能在宽范围内选择Q值和τf的绝对值。特别地，通过提高Zn含量可大幅提高Q值。具体地，在Zn和Co含量比例变化时，Q值呈现出峰值，且以不同于相对介电常数εr和τf的绝对值的属性的方式不可预见地变化。此外，Zn含量的提高可同时提高Q值和εr并降低τf的绝对值。
代表Zn含量比例的变量v的变化范围为0≤v≤1。不特别限制值v，且其优选为0.3≤v≤1，以便提高所有的介电特性。进一步优选地，v是0.4≤v≤0.8，以便保持大Q值。特别优选地，v是0.4≤v≤0.75，以便获得具有大Q值和小τf绝对值的良好均衡的所需介电特性。代表Co含量比例的变量1-v类似地在0≤1-v≤1范围内变化。
变量u是0.98≤u≤1.03，优选0.99≤u≤1.02。在值u处于上述范围内时，f×Q值可具有足够大的值。此外，在变量u等于或小于1.03时，介质烧结体可在其制造过程期间被充分烧结。变量w是0.274≤w≤0.374，优选0.294≤w≤0.354。在值w处于上述范围内时，f×Q值可具有足够大的值。变量x是0.646≤x≤0.696，优选0.656≤x≤0.686。在值x处于上述范围内时，f×Q值可具有足够大的值。
δ1和δ2的值通常是所含金属的等效值。对这些值没有特别限制，只要不丧失所需介电特性即可。例如，δ1可以是2.9≤δ1≤3.1且δ2可以是2.5≤δ2≤4。
在本发明的介质烧结体中，由以下两项代表组分公式：Bau{（ZnvCo1-v）wNbx}Oδ1项（以下简称为“BZCN基组分”），以及“KyTazOδ2”项（以下简称为“KTa基组分”）。但是，在实际介质烧结体中，BZCN基组分和KTa基组分形成为单一固溶体组分，这能通过X射线衍射测量中仅缺少KTa基组分的衍射峰值（31.69°）来证实。
因此本发明的介质烧结体能获得在仅为BZCN基组分的介质烧结体的情况下难以实现的大的Q值和小的τf绝对值，且可在良好均衡的情况下获得这些和其他介电特性。
本发明的介质烧结体除上述成分外例如还包含Mn或W。在包含Mn的情况下，相对于由组分公式（100-a）[Bau{（ZnvCo1-v）wNbx}Oδ1]-a[KyTazOδ2]代表的组分的100重量份来说，按照MnO2来计算的Mn含量是0.02至3重量份，优选0.02至2.5重量份，更优选0.02至2重量份，特别优选0.02至1.5重量份，最优选0.05至1.5重量份。在包含W的情况下，按照WO3来计算的W含量是0.02至4.5重量份，优选0.02至4重量份，更优选0.02至3.5重量份，特别优选0.02至3重量份，最优选0.03至2重量份。Mn或W含量（按照氧来计算）优选是0.02重量份或较多，因为这能抑制Q值的保留率在高温下降低并保持更期望的Q值。Mn含量（按照氧来计算）优选是3重量份或较少，或W含量（按照氧来计算）优选是4.5重量份或较少，因为这能避免Q值在室温和高温下降低并使得τf绝对值较小以保持更期望的介电特性。
通过添加通常为诸如MnO2和WO3形式的氧化物使介质烧结体中存在Mn和W。但是，Mn和W的形式不限于氧化物，只要这些元素可包含在介质烧结体中即可。例如，Mn和W可以盐、卤化物以及醇盐的形式添加。
在本发明的介质烧结体中，优选包含K、Ba、Nb和Ta以及Zn和Co中至少一种的组分基本满足以下特定的组分公式（上述组分公式的示例）。
特定的组分公式：
98.8Ba1.02（ZnvCo（1-v））0.308Nb0.692Oδ1-1.2K1.5TaOδ2
通过基本满足上述特定组分公式，介质烧结体可具有更大的Q值以及更小的Q值变化。
优选地，本发明的介质烧结体的比重例如是6.2或较少或者6.25或较多。当比重处于该范围内时，介质烧结体可具有更大的Q值以及更小的Q值变化。
本发明的介质烧结体的体积优选是15cm3或较少。在该体积范围内可获得更大的Q值。此外，对于处于该范围内的介质烧结体体积而言，与介质烧结体的体积处于上述范围之外的情况相比，在不添加氧化锆（或在仅添加少量氧化锆时）的情况下可获得更大的Q值。
例如可通过在煅烧原料之后添加氧化锆且随后执行烧结来获得本发明的介质烧结体。原料例如是以基本上满足上述组分公式（例如，上述特定组分公式）的组分比制备的上述构成元素的混合物。
优选地，在其他原料（包括Ba、Nb、Zn和Co）煅烧之后添加氧化锆。以此方式能抑制煅烧期间的Zr和Nb之间发生反应的现象，以免导致将降低Q值的组分变化。注意到上述现象可在混合氧化锆和其他原料之后执行煅烧时发生。
添加的氧化锆相对于由上述组分公式代表的组分的100重量份优选小于0.3重量份（氧化锆含量小于0.3wt%）。这种设置可提高烧结稳定性，这能进一步提高Q值。
烧结中的烧结温度的范围优选是1,375至1,600摄氏度，特别优选1,425至1,575摄氏度。在上述烧结温度范围内，介质烧结体可具有更期望的介电特性。烧结的持续时间范围优选是2至10小时。该持续时间范围对于提高烧结稳定性和使特性变化较小来说是有效果的。
在本发明的介质烧结体中，通过调整烧结温度和烧结持续时间中一者或两者，峰值强度比率A可容易地设定在0.9至1.5的范围内。
假设持续时间恒定，则烧结温度和峰值强度比率A具有以下关系。峰值强度比率A随烧结温度上升至预定温度而逐渐增大。大于预定温度时，峰值强度比率A随烧结温度上升而逐渐减小。
此外，假设烧结温度恒定，则持续时间和峰值强度比率A具有以下关系。峰值强度比率A随持续时间上升至预定持续时间而逐渐增大。大于预定持续时间时，峰值强度比率A随持续时间上升而逐渐减小。
根据烧结温度和峰值强度比率A之间的关系以及持续时间和峰值强度比率A之间的关系，通过调整烧结温度和持续时间中一者或两者，峰值强度比率A可容易地在0.9至1.5的范围内被设定为任意值。
煅烧温度优选的范围是从1,000至1,200摄氏度。可在该煅烧温度范围内获得所需成型性和高f×Q值。
注意到介电特性εr和τf的值在TE011模式中测量，且f×Q值在下述TE01δ模式中测量。采用f×Q值的原因是f×Q值的计算能减轻谐振频率波动的影响，该波动会不可避免地发生在介电常数测量的每次测量中。这能更精确的评估介电损失。
本发明的介质谐振器可由介质烧结体制备。本发明的介质谐振器具有大的Q值和小的Q值变化。
附图说明
图1是表示实施例1中的介质烧结体的X射线衍射测量结果的曲线图。
图2是表示实施例3的介质烧结体的SEM图像的相片。
图3是表示实验示例中的介质烧结体的X射线衍射测量结果的曲线图。
具体实施方式
以下说明本发明的实施例
实施例1
1.介质烧结体的制备
如下制备介质烧结体。
（i）依次称重碳酸钡、氧化锌、氧化钴、氧化铌、碳酸钾以及氧化钽以使K、Ba、Nb、Ta、Zn和Co组分比满足以下特定组分公式。随后利用振动式磨碎机粉碎并混合上述组分。
特定组分公式：
98.8Ba1.02（ZnvCo（1-v））0.308Nb0.692Oδ1-1.2K1.5TaOδ2
在特定组分公式中，v是0.40且δ1和δ2是所含金属的等效值。
（ii）粉碎并混合处理后的粉末在1,100摄氏度下煅烧4小时。
（iii）在添加水、粘合剂和氧化锆之后利用滚筒筛磨碎机粉碎并混合煅烧后的粉末。相对于100重量份的煅烧后的粉末，分别以40重量份、2重量份以及0.1重量份添加水、粘合剂和氧化锆。PVA用作粘合剂。
（iv）借助喷雾干燥器使粉末成粒，且利用压机将成粒粉末模制成谐振器的形状（外径41mm，内径23mm，厚度17mm；中空圆柱形状）。
（v）在500摄氏度下脱脂8小时之后，在表1中列出的烧结温度和持续时间的情况下，在大气气氛下对模制物进行烧结以获得烧结体（介质烧结体）。
在12种不同的烧结温度和持续时间条件下执行烧结（表1中的第1至第12）。在各个条件下制备介质烧结体。在各个条件下制备总计六个介质烧结体（n）。此外，对12个介质烧结体中每一个都执行评估，如下文所述。在n＝6时计算最大值、最小值以及变化（下文说明）。
表1
Figure BDA00002874394800101
2.介质烧结体的评估
峰值强度比率A的评估
对所制备的各个介质烧结体执行X射线衍射测量。图1表示X射线衍射测量结果的一个示例。在X射线衍射测量结果中，计算（310）面的峰值（2θ=73°附近）的峰值强度p1以及（111）面的峰值（2θ=38°附近）的峰值强度p2。而且，计算峰值强度p2与峰值强度p1的峰值强度比率A（p2/p1）。表1中示出所计算的峰值强度比率A。这里，峰值强度是指峰值高度。
（2）比重B的测量
利用阿基米德方法测量所制备的各个介质烧结体的比重B。结果显示于表1中。
（3）半带宽C的测量
在X射线衍射测量结果中，测量所述（111）面的峰值（2θ=38°附近，具有峰值强度p2的峰值）的半带宽C。半带宽C是强度（高度）为最大值一半部分处的峰值宽度。半带宽的单位是度。
（4）d值D的测量
测量所制备的各个介质烧结体的所述（111）面的峰值（2θ=38°的附近；具有峰值强度p2的峰值）的d值D。d值D是指依据布拉格条件的原子晶格面之间的间隔。即，d值D对应于依据布拉格条件的d，如下所示。
2dsinθ=nλ，
其中θ是原子晶格面和X射线之间的角度，λ是X射线的波长，且n是整数。
可通过X射线衍射测量获得d值D。在本实施例中，在X射线衍射测量中，Cu管用作X射线管，且采用Cu-Kα1射线（波长：
Figure BDA00002874394800111
）。
（5）f×Q值的测量
所制备的各个介质烧结体都形成为具有34mm的外径、19mm的内径以及14mm的厚度的圆柱形状，以制备测量样本。利用介质谐振器方法在TE01δ模式下测量测量样本的谐振频率f和Q值。f×Q值（n＝6）的“平均值”、“最大值”、“最小值”、“最大值-最小值”以及“变化”从表1中所示的测量的f和Q值计算。通过以下公式定义变化，且单位是百分比。
变化＝100*（（最大值）-（最小值））/平均值
（6）测量结果
在峰值强度比率A是0.9至1.5、半带宽C是0.12至0.22°以及d值D是2.363至2.371的介质烧结体中的f×Q值高且变化小。另一方面，在峰值强度比率A、半带宽C以及d值D处于上述范围之外的介质烧结体中的f×Q值低或变化大。
在具有0.9至1.5的峰值强度比率A的介质烧结体中的比重B是6.2或较少或者6.25或较多。上述介质烧结体具有高的f×Q值以及小的变化。注意到比重B具有随烧结的烧结温度降低而增大的趋势。此外，比重B具有随烧结的持续时间延长而减小的趋势。谐振频率f被测量为约1.8GHz。
在表1和下述表2中，附加了*的序号代表处于本发明范围之外的示例。
实施例2
以基本上类似于实施例1的方式制备并评估介质烧结体。但是在示例2中，在代表K、Ba、Nb、Ta、Zn以及Co组分的特定组分公式中的v=0.35或0.50。
表2中列出实施例2的介质烧结体的烧结温度以及烧结的持续时间以及评估结果。
表2
如实施例1中所述，其中峰值强度比率A为0.9至1.5、半带宽C为0.12至0.22°以及d值D为2.363至2.371的介质烧结体中的f×Q值高且变化小。另一方面，其中峰值强度比率A、半带宽C以及d值D处于上述范围外的介质烧结体中的f×Q值低或变化大。
注意到比重B具有随烧结的烧结温度降低而增大的趋势。此外，比重B具有随烧结的持续时间延长而减小的趋势。谐振频率f被测量为约1.8GHz。
实施例3
以基本上类似于实施例1的方式制备并评估介质烧结体。但是在示例3中，在代表K、Ba、Nb、Ta、Zn以及Co组分的特定组分公式中的v=0.50。添加至煅烧后的粉末中的水和粘合剂的量相对于100重量份的煅烧后的粉末分别是40重量份和2重量份。添加至煅烧后的粉末的氧化锆的量相对于100重量份的煅烧后的粉末是0重量份、0.1重量份、0.2重量份、0.3重量份或0.5重量份。在上述五种不同量的氧化锆的情况下制备介质烧结体。
表3示出实施例3的介质烧结体的烧结温度以及烧结的持续时间以及评估结果。虽然表3中进行了适当省略，但是介质烧结体具有0.9至1.5的峰值强度比率A、0.12至0.22°的半带宽C以及2.363至2.371的d值D。
表3
在所含的ZrO2小于0.3wt%的实验示例中，与其中不含ZrO2的实验示例相比可进一步提高Q值。但是，在添加的ZrO2是0.3wt%或较多时，与ZrO2的含量小于0.3wt%的样本相比，Q值有降低的趋势。特别是在添加的ZrO2是0.5wt%时，Q值显著降低。可推测晶粒边界面之间的空间中存在ZrO2。可推测，在不添加ZrO2的情况下，Q值由于不能封闭晶粒空间而相对降低。还可推测，在过量添加ZrO2的情况下，晶粒空间加宽并导致物质分离，从而导致Q值降低。此外，过量添加ZrO2会增多孔洞并降低介质烧结体的比重。
借助SEM（扫描电子显微镜）观察表3中的介质烧结体No.30（0.5wt%的ZrO2含量）。还利用EDS（能量色散X射线分析仪）检查介质烧结体No.30的表面元素分布。图2中示出SEM图像。可在SEM图像中确认孔洞部分α。在孔洞部分α中大量暴露晶粒边界面。在EDS分析中，与其他区域相比，在孔洞部分α中（晶粒边界面）检测到更多的Zr。与其他区域相比，在孔洞部分α中（晶粒边界面）检测到很少的Nb。这些结果证明氧化锆（反常地）存在于晶粒边界面处，且封闭晶粒边界空间。表3中的介质烧结体No.27（0.1wt%的ZrO2含量）的分析与介质烧结体NO.30的结果相同。
注意到在晶粒边界面处存在氧化锆使得能利用较小的热量移动物质并能容易地沉淀Ba5Nb4O15结晶相（可更容易地获得超晶格结构）。因此可获得较高的Q值。
实验示例
以与实施例3的介质烧结体No.30基本上类似的方式制备介质烧结体。但是，在本实验示例中，在不同时间点添加氧化锆。即，当粉碎并混合碳酸钡、氧化锌、氧化钴、氧化铌、碳酸钾以及氧化钽（在煅烧之前）时添加氧化锆，而不是在煅烧之后添加。
对如上所述制备的介质烧结体进行X射线衍射测量。X射线衍射测量结果示于图3中。在图3中，与图1中所示的测量结果（通过在煅烧之后添加氧化锆而制备的介质烧结体的测量结果）相比，能更容易检测到以空心圆指示的峰值（2θ≈77.0°,81.5°,81.7°）。据信，具有图3中的空心圆的峰值归因于煅烧期间的Zr和Nb的反应而导致的组分变化。组分变化导致Q值降低。
应注意到本发明无论如何也不由上述实施例限定，且在不脱离本发明精神的情况下可存在各种实施例。例如，介质烧结体中的K、Ba、Nb、Ta、Zn和Co组分可在满足组分公式（（100-a）[Bau{（ZnvCo1-v）wNbx}Oδ1]-a[KyTazOδ2]）（0.5≤a≤25,0.98≤u≤1.03,0≤v≤1,0.274≤w≤0.374,0.646≤x≤0.696,0.5≤y≤2.5,0.8≤z≤1.2）的范围内任意设定。即使在这种情况下，通过调整烧结温度和/或烧结持续时间而在0.9至1.5的范围内将峰值强度比率A设定为任意值。
还可通过调整烧结温度和/或烧结持续时间而在6.2或较少或者6.25或较多的范围内调整比重B。
此外，当制备介质烧结体时，在不添加水和粘合剂的情况下，可在煅烧粉末之后仅添加氧化锆。在这种情况下还可通过公知技术进行模制。
当介质烧结体构造为不包含K和Ta时，X射线衍射测量的结果与包含K和Ta时相同。但是，烧结的容易实现程度不如包含K和Ta的情况那样可取。而且，构造为包含K和Ta的介质烧结体与构造为不包含上述元素的介质烧结体相比具有较大的Q值。

Claims (8)

1.一种介质烧结体，包括：
作为主要成分的Ba、Nb以及Zn和Co中的至少一种；以及
作为次要成分的K和Ta；
具有0.9至1.5的在X射线衍射测量中的（111）面峰值的峰值强度p2与（310）面峰值的峰值强度p1的比率A，
具有范围从0.12至0.22°的所述（111）面峰值的半带宽C，
具有范围从2.363至2.371的所述（111）面峰值的d值D，以及
具有钙钛矿结构。
2.根据权利要求1所述的介质烧结体，其中所述介质烧结体包括Ba5Nb4O15结晶相。
3.根据权利要求1或2所述的介质烧结体，其中所述介质烧结体还包括氧化锆。
4.根据权利要求3的所述介质烧结体，其中包括的所述氧化锆小于0.3wt%。
5.根据权利要求3或4的所述介质烧结体，其中在晶粒边界面处存在所述氧化锆。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的介质烧结体，
其中所述介质烧结体包含作为构成元素的K、Ba、Nb和Ta以及Zn和Co中的至少一种，以及
其中所述构成元素的组分比基本上满足以下组分公式：（100-a）[Bau{（ZnvCo1-v）wNbx}Oδ1]-a[KyTazOδ2]（0.5≤a≤25,0.98≤u≤1.03,0≤v≤1,0.274≤w≤0.374,0.646≤x≤0.696,0.5≤y≤2.5,0.8≤z≤1.2）。
7.一种制造权利要求1至6中任一项所述的介质烧结体的方法，
该方法包括在煅烧原料之后添加氧化锆，随后执行烧结。
8.一种由权利要求1至6中任一项所述的介质烧结体制备的介质谐振器。
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