JP2019181632A - ワークの両面研磨装置 - Google Patents
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Abstract
Description
[1]上定盤および下定盤を有する回転定盤と、該回転定盤の中心部に設けられたサンギアと、前記回転定盤の外周部に設けられたインターナルギアと、前記上定盤と前記下定盤との間に設けられ、ワークを保持する1つ以上の保持孔が設けられたキャリアプレートとを備えるワークの両面研磨装置において、
前記上定盤または前記下定盤には、該上定盤または該下定盤の上面から下面まで貫通する1以上の貫通孔が設けられ、
前記研磨パッドには、前記貫通孔に対応する位置に穴が設けられ、
前記ワークの両面研磨中に、前記ワークの厚みを前記1つ以上の貫通孔および穴を介して計測することが可能なワーク厚み計測器をさらに備え、
前記1以上の貫通孔の各々には、中実の窓材が挿入されており、該窓材は、筒部と前記貫通孔の径より大きい径を有するフランジ部とからなり、前記筒部の側面には環状の凹部が設けられ、該環状の凹部にOリングが配置された状態で前記筒部が前記研磨パッド側から前記貫通孔に挿入されていることを特徴とする両面研磨装置。
図1に示した、特許文献1に記載された両面研磨装置100を用いて、シリコンウェーハ(直径:300mm、導電型:P−、P++)の厚みを計測した。具体的には、上定盤2をシリコンウェーハWから離間させて上方に配置し、ウェーハ厚み計測器12を、シリコンウェーハ表面からの距離が約1mとなるような位置に配置した。
従来例1と同様に、シリコンウェーハWの厚みを計測した。ただし、窓材13としては、10000分の両面研磨を行った後(すなわち、使用ライフ=10000分)のものを用いて行った。その他の条件は従来例1と全て同じである。得られた結果を表1に示す。
従来例1と同様に、シリコンウェーハWの厚みを計測した。ただし、窓材13としては、40000分の両面研磨を行った後(すなわち、使用ライフ=40000分)のものを用いて行った。その他の条件は従来例1と全て同じである。得られた結果を表1に示す。
従来例1と同様に、シリコンウェーハWの厚みを計測した。ただし、図2および3に示した本発明による両面研磨装置1を用いて行った。その他の条件は従来例1と全て同じである。得られた結果を表1に示す。
従来例2と同様に、シリコンウェーハWの厚みを計測した。ただし、図2および3に示した本発明による両面研磨装置1を用いて行った。その他の条件は従来例2と全て同じである。得られた結果を表1に示す。
従来例3と同様に、シリコンウェーハWの厚みを計測した。ただし、図2および3に示した本発明による両面研磨装置1を用いて行った。その他の条件は従来例3と全て同じである。得られた結果を表1に示す。
表1から明らかなように、従来例1〜3については、使用ライフ=0分の従来例1に比べて、研磨時間が増えるにつれてウェーハの厚みの測定値が増加しているのに対して、発明例1〜3については、使用ライフ=0分の発明例1に比べて、研磨時間が増えてもウェーハの厚みの測定値がほぼ変わらないことが分かる。このように、本発明によって、ワークの厚みを従来よりも長期に亘って精度よく測定しつつ、ワークの両面研磨を行うことができることが分かる。
2 上定盤
2a 上面
2b 凹部
2c 下面
3 下定盤
4 回転定盤
5 サンギア
6 インターナルギア
7 研磨パッド
8 保持孔
9 キャリアプレート
10 貫通孔
11 穴
12 ワーク厚み計測器
13 窓材
14 筒部
14a 側面
14b 環状の凹部
14c 上面
14d 突出部
15 フランジ部
15a 側面
15b 下面
15c 外周部
16 Oリング
17 接着層
18 固定部材
W ワーク(ウェーハ)
Claims (4)
- 上定盤および下定盤を有する回転定盤と、該回転定盤の中心部に設けられたサンギアと、前記回転定盤の外周部に設けられたインターナルギアと、前記上定盤と前記下定盤との間に設けられ、ワークを保持する1つ以上の保持孔が設けられたキャリアプレートとを備えるワークの両面研磨装置において、
前記上定盤または前記下定盤には、該上定盤または該下定盤の上面から下面まで貫通する1以上の貫通孔が設けられ、
前記研磨パッドには、前記貫通孔に対応する位置に穴が設けられ、
前記ワークの両面研磨中に、前記ワークの厚みを前記1つ以上の貫通孔および穴を介して計測することが可能なワーク厚み計測器をさらに備え、
前記1以上の貫通孔の各々には、中実の窓材が挿入されており、該窓材は、筒部と前記貫通孔の径より大きい径を有するフランジ部とからなり、前記筒部の側面には環状の凹部が設けられ、該環状の凹部にOリングが配置された状態で前記筒部が前記研磨パッド側から前記貫通孔に挿入されていることを特徴とする両面研磨装置。 - 前記筒部は、前記上定盤または前記下定盤の厚みよりも大きな長さを有して前記貫通孔から突出した突出部を有し、該突出部が固定部材によって前記上定盤の上面または前記下定盤の下面に固定されている、請求項1に記載の両面研磨装置。
- 前記貫通孔を区画する前記上定盤の側壁の底部、または前記貫通孔を区画する前記下定盤の側壁の頂部に凹部が設けられており、前記窓材のフランジ部が前記凹部に嵌合されている、請求項1または2に記載の両面研磨装置。
- 前記研磨パッドが前記フランジ部の外周部を覆っている、請求項1〜3のいずれか一項に記載の両面研磨装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021146475A (ja) * | 2020-03-23 | 2021-09-27 | 株式会社Sumco | ワークの両面研磨装置 |
JP7168109B1 (ja) | 2022-01-24 | 2022-11-09 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030180973A1 (en) * | 2002-02-04 | 2003-09-25 | Kurt Lehman | Methods and systems for monitoring a parameter of a measurement device during polishing, damage to a specimen during polishing, or a characteristic of a polishing pad or tool |
US20030205325A1 (en) * | 2001-12-12 | 2003-11-06 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for providing a signal port in a polishing pad for optical endpoint detection |
JP2011249833A (ja) * | 1995-03-28 | 2011-12-08 | Applied Materials Inc | Cmpプロセス中のインシチュウ終点検出に用いるポリッシングパッド |
JP2017052027A (ja) * | 2015-09-08 | 2017-03-16 | 株式会社東京精密 | ウェーハ研磨装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5893796A (en) * | 1995-03-28 | 1999-04-13 | Applied Materials, Inc. | Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus |
JP5917994B2 (ja) * | 2012-04-23 | 2016-05-18 | スピードファム株式会社 | 研磨装置の計測用窓構造 |
JP6197598B2 (ja) * | 2013-11-18 | 2017-09-20 | 株式会社Sumco | ワークの両面研磨装置及び両面研磨方法 |
JP2016064495A (ja) * | 2014-09-24 | 2016-04-28 | 東洋ゴム工業株式会社 | 積層研磨パッド及びその製造方法 |
JP6622105B2 (ja) * | 2016-02-10 | 2019-12-18 | スピードファム株式会社 | 平面研磨装置 |
JP6622117B2 (ja) * | 2016-03-08 | 2019-12-18 | スピードファム株式会社 | 平面研磨装置及びキャリア |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011249833A (ja) * | 1995-03-28 | 2011-12-08 | Applied Materials Inc | Cmpプロセス中のインシチュウ終点検出に用いるポリッシングパッド |
US20030205325A1 (en) * | 2001-12-12 | 2003-11-06 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for providing a signal port in a polishing pad for optical endpoint detection |
US20030180973A1 (en) * | 2002-02-04 | 2003-09-25 | Kurt Lehman | Methods and systems for monitoring a parameter of a measurement device during polishing, damage to a specimen during polishing, or a characteristic of a polishing pad or tool |
JP2017052027A (ja) * | 2015-09-08 | 2017-03-16 | 株式会社東京精密 | ウェーハ研磨装置 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021146475A (ja) * | 2020-03-23 | 2021-09-27 | 株式会社Sumco | ワークの両面研磨装置 |
WO2021192477A1 (ja) * | 2020-03-23 | 2021-09-30 | 株式会社Sumco | ワークの両面研磨装置 |
TWI751860B (zh) * | 2020-03-23 | 2022-01-01 | 日商Sumco股份有限公司 | 工件的兩面研磨裝置 |
KR20220121890A (ko) | 2020-03-23 | 2022-09-01 | 가부시키가이샤 사무코 | 워크의 양면 연마 장치 |
DE112020006964T5 (de) | 2020-03-23 | 2023-01-05 | Sumco Corporation | Einrichtung zum doppelseitigen polieren eines werkstücks |
JP7435113B2 (ja) | 2020-03-23 | 2024-02-21 | 株式会社Sumco | ワークの両面研磨装置 |
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WO2023139945A1 (ja) * | 2022-01-24 | 2023-07-27 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置 |
JP2023107334A (ja) * | 2022-01-24 | 2023-08-03 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置 |
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