JP2019165312A - 撮像装置および電子機器 - Google Patents

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Abstract

【課題】高い寸法精度を確保できる撮像装置を提供する。【解決手段】この固体撮像装置は、センサ基板と回路基板との積層構造を含む。センサ基板は、複数の画素を含み、画素ごとに外光を受光して画素信号を生成可能な撮像素子が設けられた有効画素領域を有する。回路基板は、画素信号の信号処理を行う信号処理回路を有する第1部分と、面内方向において第1部分の位置と異なる位置にある第2部分とが一体化されたチップを含む。ここで、センサ基板と回路基板との積層方向において、第1部分および第2部分の双方が有効画素領域と重なり合う位置に設けられている。【選択図】図1A

Description

本開示は、撮像素子を有する撮像装置、およびこれを備えた電子機器に関する。
これまでに、撮像装置の小型化を実現するため、画素信号を生成する撮像素子を含むウェハと、その撮像素子の生成する画素信号の信号処理を行う信号処理回路やメモリ回路などを含むウェハとを接合するWoW(Wafer on Wafer)積層技術が提案されている(例えば特許文献1)。
特開2014−099582号公報
ところで、このような撮像装置は、優れた撮像性能を有することが望まれる。
したがって、高い寸法精度を有しつつ、より効率的に製造可能な撮像装置、およびそれを備えた電子機器を提供することが望まれる。
本開示の一実施形態としての撮像装置は、センサ基板と回路基板との積層構造を含む。センサ基板は、複数の画素を含み、画素ごとに外光を受光して画素信号を生成可能な撮像素子が設けられた有効画素領域を有する。回路基板は、画素信号の信号処理を行う信号処理回路を有する第1部分と、面内方向において第1部分の位置と異なる位置にある第2部分とが一体化されたチップを含む。ここで、センサ基板と回路基板との積層方向において、第1部分および第2部分の双方が有効画素領域と重なり合う位置に設けられている。
本開示の一実施形態としての電子機器は、上記撮像装置を備えたものである。
本開示の一実施形態としての撮像装置および電子機器によれば、簡素な構成でありながら、撮像装置全体の反りや歪みを抑制できる。このため、高い寸法精度を確保しつつ、より効率的に製造することが可能となる。
なお、本開示の効果はこれに限定されるものではなく、以下に記載のいずれの効果であってもよい。
本開示の第1の実施の形態に係る固体撮像装置の全体構成例を表す断面図である。 図1Aに示した固体撮像装置の構成を表す平面図である。 図1Aに示した固体撮像装置の製造方法における一工程を表す断面図である。 図2Aに続く一工程を表す断面図である。 図2Bに続く一工程を表す断面図である。 図2Cに続く一工程を表す断面図である。 図2Dに続く一工程を表す断面図である。 図2Eに続く一工程を表す断面図である。 図2Fに続く一工程を表す断面図である。 図2Gに続く一工程を表す断面図である。 本開示の第1の変形例としての固体撮像装置の全体構成例を表す断面図である。 図3Aに示した固体撮像装置の構成を表す平面図である。 本開示の第2の変形例としての固体撮像装置の全体構成例を表す平面図である。 本開示の第3の変形例としての固体撮像装置の全体構成例を表す平面図である。 本開示の第2の実施の形態に係る固体撮像装置の全体構成例を表す断面図である。 図6Aに示した固体撮像装置の構成を表す平面図である。 本開示の第4の変形例としての固体撮像装置の全体構成例を表す断面図である。 本開示の第3の実施の形態に係る電子機器の全体構成例を表す概略図である。 車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。 車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。 本開示の第5の変形例としての固体撮像装置の全体構成例を表す平面図である。 本開示の第6の変形例としての固体撮像装置の全体構成例を表す平面図である。 第1の参考例としての固体撮像装置の全体構成例を表す断面図である。 第1の参考例としての固体撮像装置の全体構成例を表す平面図である。 第2の参考例としての固体撮像装置の全体構成例を表す平面図である。 第3の参考例としての固体撮像装置の全体構成例を表す平面図である。 第4の参考例としての固体撮像装置の全体構成例を表す平面図である。
以下、本開示の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
1.第1の実施の形態(2層構造の固体撮像装置の例)
2.第1の実施の形態の変形例
3.第2の実施の形態(3層構造の固体撮像装置の例)
4.第3の実施の形態(電子機器への適用例)
5.移動体への応用例
6.その他の変形例
<1.第1の実施の形態>
[固体撮像装置1の構成]
図1Aおよび図1Bは、いずれも本開示の第1の実施の形態としての固体撮像装置1の全体構成例を模式的に表したものである。図1Aは、固体撮像装置1の断面構成を表し、図1Bは、固体撮像装置1の平面構成を表している。図1Aは、図1Bに示したIA−IA切断線に沿った矢視方向の断面図に相当する。
固体撮像装置1は、回路基板10とセンサ基板20との2層構造を有している。本実施の形態では、回路基板10とセンサ基板20との積層方向をZ軸方向とし、回路基板10およびセンサ基板20が広がる面をXY面とする。図1Aおよび図1Bにおいて、符号1Kは固体撮像装置1の外縁を表している。固体撮像装置1における外縁1Kは、回路基板10の最外縁およびセンサ基板20の最外縁と一致している。
回路基板10は、支持基板11と、その上に設けられたロジックチップ12とを有している。ロジックチップ12の周囲には絶縁層16が充填されている。絶縁層16は、例えば酸化シリコン(SiOx)や窒化シリコン(SiNx)などの無機酸化物によって形成されている。支持基板11と絶縁層16とは、例えば酸化膜接合層31を介して接合されている。ロジックチップ12は、有効部分121と、面内方向において有効部分121の位置と異なる位置にあるダミー部分122とが一体化されたものである。ダミー部分122は、例えば有効部分121の周囲を全周に亘って取り囲むように設けられている。有効部分121は、固体撮像素子21Aからの画素信号の信号処理を行う信号処理回路を有する。図1Aおよび図1Bでは、信号処理回路としてのロジック回路15を例示している。また、ロジックチップ12は、積層方向(Z軸方向)において、半導体基板などの基板13の上に回路形成層14が設けられた構造を有する。回路形成層14には、ロジック回路15が設けられている。ロジック回路15は、例えばトランジスタなどの半導体素子151と、配線152とを含んでいる。
センサ基板20は、固体撮像素子21Aを含む素子形成層21に配線層22が積層された構造を有しており、XY面内において、固体撮像素子21Aが設けられた有効画素領域R20を有する。有効画素領域R20とは、例えば遮光領域(OPB)の内側の領域、すなわち、外光を受光可能な領域をいう。固体撮像素子21Aは、フォトダイオードなどにより構成される画素を複数含み、画素単位で外光を受光して画素信号を生成可能なものである。配線層22には、例えば固体撮像素子21Aとセンサ基板20のロジック回路15の配線152との電気的接続を行うための端子部23が設けられている。センサ基板20は、さらに、素子形成層21の上に積層されたカラーフィルタ24およびオンチップレンズ25をそれぞれ複数有している。センサ基板20と回路基板10とは、例えば酸化膜接合層32により接合されている。端子部23は、Z軸方向に延びるコンタクトプラグ33を介して配線152に接続されている。コンタクトプラグ33は、固体撮像素子21Aとロジック回路15とを電気的に接続するものであり、配線層22、酸化膜接合層32および回路形成層14を貫いている。
センサ基板20と回路基板10との積層方向(Z軸方向)において、ロジックチップ12における有効部分121およびダミー部分122の双方が、有効画素領域R20と重なり合う位置に設けられている。但し、ダミー部分122の一部はZ軸方向において有効画素領域R20と重なり合う位置を占めている一方、ダミー部分122の他の一部はZ軸方向において有効画素領域R20の外側にはみ出した位置を占めている。すなわち図1Bに示したように、XY面内において、有効部分121とダミー部分122との境界である有効部分の外縁は有効画素領域R20の外縁20Kの内側となる位置にある。一方、ダミー部分122の外縁であるロジックチップ12の外縁12Kは、有効画素領域R20の外縁20Kの外側となる位置にある。
センサ基板20と回路基板10との積層方向(Z軸方向)において、ロジックチップ12の外縁12Kは、有効画素領域R20の外縁20Kよりも外側となる位置にある。
[固体撮像装置1の製造方法]
続いて、図2A〜図2Hを参照して、固体撮像装置1の製造方法について説明する。図2A〜図2Hは、固体撮像装置1の製造方法における一工程をそれぞれ表す断面図であり、図1Aに対応するものである。
まず、図2Aに示したように、支持基板17とロジックチップ12とをそれぞれ用意したのち、支持基板17にロジックチップ12を、例えば酸化膜接合により接合する。支持基板17とロジックチップ12との界面には酸化膜接合層32が形成される。
次に、図2Bに示したように、支持基板17のロジックチップ12を埋め込むように、絶縁層16を、例えば気相法により形成する。絶縁層16を形成したのち、その絶縁層16の表面を平坦化する。これにより、構造体30が得られる。
次に、図2Cに示したように、構造体30を上下反転させ、平坦化された絶縁層16の表面を別途用意した支持基板11に、例えば酸化膜接合により接合する。支持基板11と絶縁層16との界面には酸化膜接合層31が形成される。
次に、図2Dに示したように、支持基板17を剥離またはエッチングなどにより除去する。これにより、回路基板10が現れる。
次に、図2Eに示したように、センサ基板20の固体撮像素子21Aと回路基板10の配線152との電気的接続を行うためのコンタクトプラグ33Aが形成される。コンタクトプラグ33Aの一端は配線152と接続されており、コンタクトプラグ33Aの他端は酸化膜接合層32の表面に露出している。
次に、図2Fに示したように、構造体20Zを用意する。構造体20Zは、固体撮像素子21Aを含む素子形成層21に配線層22が積層されたものである。配線層22には端子部23が埋設されると共に、端子部23と一端が接続されたコンタクトプラグ33Bが設けられている。コンタクトプラグ33Bの他端は、配線層22の表面に露出している。ここでは、構造体20Zにおける配線層22の表面と、回路基板10の酸化膜接合層32とが対向した状態で、構造体20Zと回路基板10とのXY面内における位置合わせを行う。
構造体20Zと回路基板10とのXY面内における位置合わせののち、図2Gに示したように、構造体20Zと回路基板10との貼り合わせを行う。ここでは、回路基板10に設けられたコンタクトプラグ33Aの他端と、構造体20Zに設けられたコンタクトプラグ33Bの他端とを例えばCu−Cu接合することで、コンタクトプラグ33を形成するようにする。
次に、図2Hに示したように、構造体20Zにおける素子形成層21を薄肉化する。最後に、薄肉化された素子形成層21の上に、カラーフィルタ24とオンチップレンズ25とをそれぞれ複数積層することにより、センサ基板20を形成する(図1A参照)。これにより、固体撮像装置1が完成する。
[固体撮像装置1の作用効果]
以上説明したように、本実施の形態の固体撮像装置1では、回路基板10のロジックチップ12における有効部分121およびダミー部分122の双方が、積層方向においてセンサ基板20における有効画素領域R20と重なり合う位置に設けられている。一般に、XY面内においてロジック回路15が設けられた有効部分121の占める面積は、XY面内において有効画素領域R20の占める面積よりも小さいことが多い。したがって、図13Aおよび図13Bに示した第1の参考例としての固体撮像装置101の場合には、絶縁層116の熱膨張係数とセンサ基板20の熱膨張係数との違いに起因して、固体撮像装置101全体の反りや歪みが大きくなりがちである。固体撮像装置101は、有効画素領域R20の一部と重なり合う位置にのみ、センサ基板20よりも小さな面積を占めるロジックチップ112が配置され、そのロジックチップ112の周囲に絶縁層116が充填されるようにした構造を有する。ロジックチップ112は、固体撮像装置1のロジックチップ12の有効部分121に相当する部分のみ有している。固体撮像装置101は、上述の点を除き、他は固体撮像装置1と実質的に同じ構成である。なお、図13Aおよび図13Bでは、符号101Kは固体撮像装置101の外縁を表している。
その点、固体撮像装置1によれば、有効画素領域R20と重なり合う領域を有効部分121およびダミー部分122により占めるようにしたので、固体撮像装置1全体の反りや歪みを緩和できる。回路基板10においてロジックチップ12の周囲を埋める絶縁層16の体積が減少し、絶縁層16の膨張収縮の影響が低減するからである。このため、本実施の形態の固体撮像装置1では、高い寸法精度が確保され、良好な画像の取り込みを行うことができる。
また、固体撮像装置1では、1つのロジックチップ12のみを回路基板10に設け、その回路基板10とセンサ基板20との接合を行うようにした。このため、XY面内に並ぶように配置された2以上の回路基板をセンサ基板と貼り合わせる場合と比較すると、アライメント作業が1回で済むので、位置精度の向上および製造時の作業性の向上に寄与する。
さらに、固体撮像装置1では、センサ基板20と回路基板10との積層方向(Z軸方向)において、ロジックチップ12の外縁12Kは、有効画素領域R20の外縁20Kよりも外側となる位置にある。このため、ロジックチップ12と有効画素領域R20とのXY面内での位置関係が、ロジックチップ12の外縁12Kが有効画素領域R20を横切る位置関係ではない。よって、回路基板10の熱膨張係数とセンサ基板20の熱膨張係数との違いに起因する固体撮像装置1全体の反りや歪みが緩和され、有効画素領域R20へ及ぶ応力の負荷が軽減される。その結果、線状の劣化画像の発生を効果的に抑制できる。
<2.第1の実施の形態の変形例>
[固体撮像装置1Aの構成]
図3Aは、本開示における第1の変形例(以下、変形例1という。)としての固体撮像装置1Aの全体構成例を表す断面図であり、上記第1の実施の形態の固体撮像装置1を示した図1Aに対応するものである。また、図3Bは、固体撮像装置1Aの構成を表す平面図であり、上記第1の実施の形態の固体撮像装置1を示した図1Bに対応するものである。なお、図3Aは、図3Bに示したIIIA−IIIA切断線に沿った矢視方向の断面図に相当する。
図3Aおよび図3Bに示したように、変形例1としての固体撮像装置1Aでは、ロジックチップ12の有効部分121が、ロジックチップ12の中央よりも紙面左側(−X方向)に偏った位置にある。すなわち、変形例1としての固体撮像装置1Aでは、ロジックチップ12のダミー部分122が、ロジックチップ12の中央よりも紙面右側(+X方向)に位置している。但し、変形例1としての固体撮像装置1Aにおいても、有効部分121およびダミー部分122の双方が、積層方向(Z軸方向)においてセンサ基板20における有効画素領域R20と重なり合う位置に設けられている。
[固体撮像装置1Bの構成]
図4は、本開示における第2の変形例(以下、変形例2という。)としての固体撮像装置1Bの全体構成例を表す平面図であり、上記第1の実施の形態の固体撮像装置1を示した図1Bに対応するものである。
図4に示したように、変形例2としての固体撮像装置1Bでは、ロジックチップ12の有効部分121が、ロジックチップ12の中央よりも紙面下側(−Y方向)に偏った位置にある。すなわち、変形例2としての固体撮像装置1Bでは、ロジックチップ12のダミー部分122が、有効部分121の右側の領域、上側の領域および左側の領域を占めるように設けられている。但し、変形例2としての固体撮像装置1Bにおいても、有効部分121およびダミー部分122の双方が、積層方向(Z軸方向)においてセンサ基板20における有効画素領域R20と重なり合う位置に設けられている。
[固体撮像装置1Cの構成]
図5は、本開示における第3の変形例(以下、変形例3という。)としての固体撮像装置1Cの全体構成例を表す平面図であり、上記第1の実施の形態の固体撮像装置1を示した図1Bに対応するものである。
図5に示したように、変形例3としての固体撮像装置1Cでは、ロジックチップ12の有効部分121が、ロジックチップ12の中央よりも紙面左斜め下側に偏った位置にある。すなわち、変形例3としての固体撮像装置1Cでは、ロジックチップ12のダミー部分122が、有効部分121の右側の領域および上側の領域を占めるように設けられている。但し、変形例2としての固体撮像装置1Bにおいても、有効部分121およびダミー部分122の双方が、積層方向(Z軸方向)においてセンサ基板20における有効画素領域R20と重なり合う位置に設けられている。
[固体撮像装置1A〜1Cの作用効果]
このように、変形例1〜3の固体撮像装置1A〜1Cのいずれにおいても、有効部分121およびダミー部分122の双方が、積層方向(Z軸方向)においてセンサ基板20における有効画素領域R20と重なり合う位置に設けられている。したがって、回路基板10における絶縁層16の熱膨張係数とセンサ基板20の熱膨張係数との違いに起因する固体撮像装置1A全体の反りや歪みを緩和できる。このため、固体撮像装置1A〜1Cのいずれにおいても高い寸法精度が確保され、良好な画像の取り込みを行うことができる。
さらに、固体撮像装置1A〜1Cのいずれにおいても、センサ基板20と回路基板10との積層方向(Z軸方向)において、ロジックチップ12の外縁12Kは、有効画素領域R20の外縁20Kよりも外側となる位置にある。したがって、固体撮像装置1A全体の反りや歪みに起因して有効画素領域R20へ及ぶ応力の負荷が軽減される。その結果、線状の劣化画像の発生を効果的に抑制できる。
これに対し、例えば図14A〜14Cに示した第2から第4の参考例としての固体撮像装置101A〜101Cでは、回路基板110における絶縁層116の熱膨張係数とセンサ基板120の熱膨張係数との違いに起因する、固体撮像装置101A〜101C全体の反りや歪みが顕著に現れやすい。固体撮像装置101A〜101Cは、図13に示した固体撮像装置101と同様、有効画素領域R20の一部と重なり合う位置にのみ、センサ基板20よりも小さな面積を占めるロジックチップ112A〜112Cが配置されたものである。そのロジックチップ112A〜112Cの周囲には、いずれも絶縁層116が充填されている。ロジックチップ112A〜112Cは、固体撮像装置1のロジックチップ12の有効部分121に相当する部分のみ有している。すなわち、固体撮像装置101A〜101Cでは、ロジックチップ112A〜112Cがダミー部分を有さず、ロジックチップ112A〜112Cの各中心位置が有効画素領域R20の中心位置からずれている。したがって、ロジックチップ112A〜112Cの各外縁122Kの一部は有効画素領域R20を横切っている。このような構成により、絶縁層116の熱膨張および熱収縮に伴う応力がXY面内において不均一に現れるので、固体撮像装置101A〜101C全体の反りや歪みが生じやすいと考えられる。なお、図14A〜14Cでは、符号101Kは固体撮像装置101A〜101Cの各外縁を表している。
この点、変形例1〜3の固体撮像装置1A〜1Cによれば、いずれにおいても、有効部分121の中心位置は有効画素領域R20中心位置からずれているものの、ロジックチップ12の中心位置は、有効画素領域R20中心位置と実質的に一致している。このため、XY面内における絶縁層16の分布の対称性が高いので、絶縁層16の熱膨張および熱収縮に伴う応力はXY面内において比較的均質に現れる。よって、固体撮像装置1A〜1C全体の反りや歪みは生じにくいと考えられる。
<3.第2の実施の形態>
[固体撮像装置2の構成]
図6Aおよび図6Bは、いずれも本開示の第2の実施の形態としての固体撮像装置2の全体構成例を模式的に表したものである。図6Aは、固体撮像装置2の断面構成を表し、図6Bは、固体撮像装置2の平面構成を表している。図6Aは、図6Bに示したVIA−VIA切断線に沿った矢視方向の断面図に相当する。
固体撮像装置2は、回路基板40と回路基板10Aとセンサ基板20との3層構造を有している。回路基板10Aおよびセンサ基板20は、いずれも上記第1の実施の形態における固体撮像装置1の回路基板10およびセンサ基板20と実質的に同じ構成を有する。但し、回路基板10Aは、支持基板11を有しておらず、その最下層である酸化膜接合層31を介して回路基板40と接合されている。図6Aおよび図6Bにおいて、符号2Kは固体撮像装置2の外縁を表している。固体撮像装置2における外縁2Kは、回路基板40の最外縁、回路基板10Aの最外縁、およびセンサ基板20の最外縁と一致している。
回路基板40は、支持基板41と、その上に設けられたメモリチップ42とを有している。メモリチップ42の周囲には絶縁層46が充填されている。絶縁層46は、例えば酸化シリコン(SiOx)や窒化シリコン(SiNx)などの無機酸化物によって形成されている。支持基板41と絶縁層46とは、例えば酸化膜接合層34を介して接合されている。メモリチップ42は、有効部分141と、面内方向において有効部分141の位置と異なる位置にあるダミー部分142とが一体化されたものである。ダミー部分142は、例えば有効部分141の周囲を全周に亘って取り囲むように設けられている。固体撮像装置2では、積層方向(Z軸方向)において、メモリチップ42における有効部分141およびダミー部分142の双方が、有効画素領域R20と重なり合う位置に設けられている。有効部分141には、固体撮像素子21Aからの画素信号の信号処理を行う信号処理回路の一部を構成するメモリ回路18が設けられている。また、メモリチップ42は、積層方向(Z軸方向)において、基板43の上に回路形成層44が設けられた構造を有する。積層方向において、メモリ回路18は回路形成層44に設けられている。メモリ回路18は、例えばDRAM(Dynamic Random Access Memory)などの半導体メモリ181と、配線182とを含むものである。
センサ基板20と回路基板10との積層方向(Z軸方向)において、ロジックチップ12の外縁12Kは、有効画素領域R20の外縁20Kよりも外側となる位置にある。
[固体撮像装置2の作用効果]
以上説明したように、本実施の形態の固体撮像装置2では、回路基板10Aのロジックチップ12における有効部分121およびダミー部分122の双方が、積層方向においてセンサ基板20における有効画素領域R20と重なり合う位置に設けられている。さらに、回路基板40のメモリチップ42における有効部分141およびダミー部分142の双方が、有効画素領域R20と重なり合う位置に設けられている。したがって、固体撮像装置2によれば、固体撮像装置1と同様、固体撮像装置2全体の反りや歪みを緩和できる。このため、本実施の形態の固体撮像装置2においても、高い寸法精度が確保され、良好な画像の取り込みを行うことができる。
なお、本実施の形態の固体撮像装置2では、回路基板10Aのロジックチップ12と回路基板40のメモリチップ42との双方が有効画素領域R20と重なり合う位置に設けられるようにした。このため、固体撮像装置1よりも、全体の反りや歪みをよりいっそう緩和できる。なお、回路基板10Aのロジックチップ12および回路基板40のメモリチップ42のいずれか一方のみが有効画素領域R20と重なり合う位置を占めるようにしてもよい。但し、その場合、図7に示した本開示の第4の変形例(変形例4)としての固体撮像装置2Aのように、センサ基板20の接合される回路基板10Aのロジックチップ12が有効画素領域R20と重なり合う位置を占めるようにするほうが好ましい。全体の反りや歪みの緩和という観点において、より効果的だからである。
<4.第3の実施の形態:電子機器への適用例>
図8は、本技術を適用した電子機器としてのカメラ2000の構成例を示すブロック図である。
カメラ2000は、レンズ群などからなる光学部2001、上述の固体撮像装置1,1A〜1C,2,2Aなど(以下、固体撮像装置1等という。)が適用される撮像装置(撮像デバイス)2002、およびカメラ信号処理回路であるDSP(Digital Signal Processor)回路2003を備える。また、カメラ2000は、フレームメモリ2004、表示部2005、記録部2006、操作部2007、および電源部2008も備える。DSP回路2003、フレームメモリ2004、表示部2005、記録部2006、操作部2007および電源部2008は、バスライン2009を介して相互に接続されている。
光学部2001は、被写体からの入射光(像光)を取り込んで撮像装置2002の撮像面上に結像する。撮像装置2002は、光学部2001によって撮像面上に結像された入射光の光量を画素単位で電気信号に変換して画素信号として出力する。
表示部2005は、例えば、液晶パネルや有機ELパネル等のパネル型表示装置からなり、撮像装置2002で撮像された動画または静止画を表示する。記録部2006は、撮像装置2002で撮像された動画または静止画を、ハードディスクや半導体メモリ等の記録媒体に記録する。
操作部2007は、ユーザによる操作の下に、カメラ2000が持つ様々な機能について操作指令を発する。電源部2008は、DSP回路2003、フレームメモリ2004、表示部2005、記録部2006および操作部2007の動作電源となる各種の電源を、これら供給対象に対して適宜供給する。
上述したように、撮像装置2002として、上述した固体撮像装置1等を用いることで、良好な画像の取得が期待できる。
<5.移動体への応用例>
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
図9は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。
車両制御システム12000は、通信ネットワーク12001を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図9に示した例では、車両制御システム12000は、駆動系制御ユニット12010、ボディ系制御ユニット12020、車外情報検出ユニット12030、車内情報検出ユニット12040、及び統合制御ユニット12050を備える。また、統合制御ユニット12050の機能構成として、マイクロコンピュータ12051、音声画像出力部12052、及び車載ネットワークI/F(Interface)12053が図示されている。
駆動系制御ユニット12010は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット12010は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。
ボディ系制御ユニット12020は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット12020は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット12020には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット12020は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
車外情報検出ユニット12030は、車両制御システム12000を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット12030には、撮像部12031が接続される。車外情報検出ユニット12030は、撮像部12031に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット12030は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。
撮像部12031は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部12031は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部12031が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。
車内情報検出ユニット12040は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット12040には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部12041が接続される。運転者状態検出部12041は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット12040は、運転者状態検出部12041から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。
マイクロコンピュータ12051は、車外情報検出ユニット12030又は車内情報検出ユニット12040で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット12010に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ12051は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むADAS(Advanced Driver Assistance System)の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。
また、マイクロコンピュータ12051は、車外情報検出ユニット12030又は車内情報検出ユニット12040で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
また、マイクロコンピュータ12051は、車外情報検出ユニット12030で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット12020に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ12051は、車外情報検出ユニット12030で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。
音声画像出力部12052は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図12の例では、出力装置として、オーディオスピーカ12061、表示部12062及びインストルメントパネル12063が例示されている。表示部12062は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。
図10は、撮像部12031の設置位置の例を示す図である。
図10では、撮像部12031として、撮像部12101、12102、12103、12104、12105を有する。
撮像部12101、12102、12103、12104、12105は、例えば、車両12100のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部12101及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部12105は、主として車両12100の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部12102、12103は、主として車両12100の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部12104は、主として車両12100の後方の画像を取得する。車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部12105は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。
なお、図10には、撮像部12101ないし12104の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲12111は、フロントノーズに設けられた撮像部12101の撮像範囲を示し、撮像範囲12112,12113は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部12102,12103の撮像範囲を示し、撮像範囲12114は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部12104の撮像範囲を示す。例えば、撮像部12101ないし12104で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両12100を上方から見た俯瞰画像が得られる。
撮像部12101ないし12104の少なくとも1つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部12101ないし12104の少なくとも1つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。
例えば、マイクロコンピュータ12051は、撮像部12101ないし12104から得られた距離情報を基に、撮像範囲12111ないし12114内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化(車両12100に対する相対速度)を求めることにより、特に車両12100の進行路上にある最も近い立体物で、車両12100と略同じ方向に所定の速度(例えば、0km/h以上)で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ12051は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御(追従停止制御も含む)や自動加速制御(追従発進制御も含む)等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
例えば、マイクロコンピュータ12051は、撮像部12101ないし12104から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、2輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ12051は、車両12100の周辺の障害物を、車両12100のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ12051は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ12061や表示部12062を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット12010を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。
撮像部12101ないし12104の少なくとも1つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ12051は、撮像部12101ないし12104の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部12101ないし12104の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ12051が、撮像部12101ないし12104の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部12052は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部12062を制御する。また、音声画像出力部12052は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部12062を制御してもよい。
以上、本開示に係る技術が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、撮像部12031に適用され得る。具体的には、図1Aなどに示した固体撮像装置1等を撮像部12031に適用することができる。撮像部12031に本開示に係る技術を適用することにより、車両制御システムの優れた動作が期待できる。
<6.その他の変形例>
以上、いくつかの実施の形態および変形例を挙げて本開示を説明したが、本開示は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば上記第1の実施の形態の固体撮像装置1では、ダミー部分122に半導体素子151および配線152のいずれもが存在しないロジックチップ12を例示したが、本開示はそれに限定されるものではない。本開示では、例えば図11に示した本開示の第5の変形例(変形例5)としての固体撮像装置1Dのように、ダミー部分122は、半導体素子151および配線152を含むダミー回路15Aを有していてもよい。ダミー回路15Aは、回路形成層14に設けられている。ダミー回路15Aは、例えば固体撮像装置1Dの通常動作時には使用せず、ロジック回路15に故障等の異常が生じた場合に使用する冗長回路として利用できる。
また、本開示では、例えば図12に示した本開示の第6の変形例(変形例6)としての固体撮像装置1Eのように、ダミー部分122は、配線152のみを含むダミー回路15Bを有していてもよい。ダミー回路15Bは、回路形成層14に設けられている。あるいは、本開示では、ダミー部分が半導体素子および配線のうち、半導体素子のみ設けられたものであってもよい。
また、上記実施の形態等では、ロジックチップ12の外縁12Kおよびメモリチップ42の外縁42Kが、有効画素領域R20の外縁20Kの位置よりも外側となる位置に存在する場合を例示して説明したが、本開示はこれに限定されるものではない。例えば、ロジックチップ12の外縁12Kおよびメモリチップ42の外縁42Kは、有効画素領域R20の外縁20Kと積層方向においてちょうど重なり合う位置に存在していてもよい。
また、上記実施の形態等において説明した回路基板10,40およびセンサ基板20などにおける各構成要素の配置位置や寸法、形状は、任意に設定し得る。
また、上記実施の形態等では、信号処理回路として、ロジック回路およびメモリ回路を例示したが、本開示はこれに限定されるものではない。本開示の信号処理回路は、例えば、ロジック回路、メモリ回路、電源回路、画像信号圧縮回路、クロック回路および光通信変換回路のうちの少なくとも1つを含むものである。
また、上記第2の実施の形態では、センサ基板20に近い位置から順に、ロジックチップ12を含む回路基板10と、メモリチップ42を含む回路基板40とを積層した構造を例示したが、本開示は、その積層順序を限定するものではない。すなわち、例えば図6Aの固体撮像装置2において、回路基板10と、回路基板40と、センサ基板20とを順に積層するようにしてもよい。
なお、本明細書中に記載された効果はあくまで例示であってその記載に限定されるものではなく、他の効果があってもよい。また、本技術は以下のような構成を取り得るものである。
(1)
複数の画素を含み、前記画素ごとに外光を受光して画素信号を生成可能な撮像素子が設けられた有効画素領域を有するセンサ基板と、
前記画素信号の信号処理を行う信号処理回路を有する第1部分と、面内方向において前記第1部分の位置と異なる位置にある第2部分とが一体化されたチップを含む回路基板と
の積層構造を含み、
前記センサ基板と前記回路基板との積層方向において、前記第1部分および前記第2部分の双方が前記有効画素領域と重なり合う位置に設けられている
撮像装置。
(2)
前記センサ基板と前記回路基板との積層方向において、前記チップの外縁は、前記有効画素領域の外縁と重なり合う位置または前記有効画素領域の外縁よりも外側となる位置にある
上記(1)記載の撮像装置。
(3)
前記撮像素子と前記信号処理回路とを電気的に接続する配線をさらに備えた
上記(1)または(2)記載の撮像装置。
(4)
前記配線は、前記センサ基板に設けられて前記センサ基板の表面に露出した第1の配線部分と、前記回路基板に設けられて前記回路基板の表面に露出した第2の配線部分とを有し、
前記第1の配線部分と前記第2の配線部分とが互いに接合されている
上記(3)記載の撮像装置。
(5)
前記第1部分における前記信号処理回路は、前記画素信号の信号処理に寄与する第1半導体素子を含み、
前記第2部分は、第2半導体素子を含むダミー回路を有する
上記(1)から(4)のいずれか1つに記載の撮像装置。
(6)
前記回路基板は、一の半導体基板と、前記半導体基板の上に設けられて前記信号処理回路および前記ダミー回路が形成された回路形成層とを有する
上記(5)記載の撮像装置。
(7)
前記積層構造は、前記回路基板から見て前記センサ基板と反対側に積層された第3の基板をさらに含む
上記(1)から(6)のいずれか1つに記載の撮像装置。
(8)
前記信号処理回路は、ロジック回路、メモリ回路、電源回路、画像信号圧縮回路、クロック回路および光通信変換回路のうちの少なくとも1つを含む
上記(1)から(7)のいずれか1つに記載の撮像装置。
(9)
撮像装置を備え、
前記撮像装置は、
複数の画素が配列され、外光を受光して画素信号を生成可能な撮像素子が設けられた有効画素領域を有するセンサ基板と、
前記画素信号の信号処理を行う信号処理回路を有する第1部分と、面内方向において前記第1部分の位置と異なる位置にある第2部分とが一体化された回路基板と
の積層構造を含み、
前記センサ基板と前記回路基板との積層方向において、前記第1部分および前記第2部分の双方が前記有効画素領域と重なり合う位置に設けられている
電子機器。
1,1A〜1E,2,2A…固体撮像装置、1K…外縁、10…回路基板、11…支持基板、12…ロジックチップ、121…有効部分、122…ダミー部分、12K…外縁、13…基板、14…回路形成層、15…ロジック回路、151…半導体素子、152…配線、16…絶縁層、17…支持基板、18…メモリ回路、181…半導体メモリ、182…配線、20…センサ基板、21…素子形成層、21A…固体撮像素子、22…配線層、23…端子部、24…カラーフィルタ、25…オンチップレンズ、31,32,34…酸化膜接合層、33…コンタクトプラグ、40…回路基板、41…支持基板、42…メモリチップ、141…有効部分、142…ダミー部分、43…基板、44…回路形成層、46…絶縁層、R20…有効画素領域、

Claims (9)

  1. 複数の画素を含み、前記画素ごとに外光を受光して画素信号を生成可能な撮像素子が設けられた有効画素領域を有するセンサ基板と、
    前記画素信号の信号処理を行う信号処理回路を有する第1部分と、面内方向において前記第1部分の位置と異なる位置にある第2部分とが一体化されたチップを含む回路基板と
    の積層構造を含み、
    前記センサ基板と前記回路基板との積層方向において、前記第1部分および前記第2部分の双方が前記有効画素領域と重なり合う位置に設けられている
    撮像装置。
  2. 前記センサ基板と前記回路基板との積層方向において、前記チップの外縁は、前記有効画素領域の外縁と重なり合う位置または前記有効画素領域の外縁よりも外側となる位置にある
    請求項1記載の撮像装置。
  3. 前記撮像素子と前記信号処理回路とを電気的に接続する配線をさらに備えた
    請求項1記載の撮像装置。
  4. 前記配線は、前記センサ基板に設けられて前記センサ基板の表面に露出した第1の配線部分と、前記回路基板に設けられて前記回路基板の表面に露出した第2の配線部分とを有し、
    前記第1の配線部分と前記第2の配線部分とが互いに接合されている
    請求項3記載の撮像装置。
  5. 前記第1部分における前記信号処理回路は、前記画素信号の信号処理に寄与する第1半導体素子を含み、
    前記第2部分は、第2半導体素子を含むダミー回路を有する
    請求項1記載の撮像装置。
  6. 前記回路基板は、一の半導体基板と、前記半導体基板の上に設けられて前記信号処理回路および前記ダミー回路が形成された回路形成層とを有する
    請求項5記載の撮像装置。
  7. 前記積層構造は、前記回路基板から見て前記センサ基板と反対側に積層された第3の基板をさらに含む
    請求項1記載の撮像装置。
  8. 前記信号処理回路は、ロジック回路、メモリ回路、電源回路、画像信号圧縮回路、クロック回路および光通信変換回路のうちの少なくとも1つを含む
    請求項1記載の撮像装置。
  9. 撮像装置を備え、
    前記撮像装置は、
    複数の画素が配列され、外光を受光して画素信号を生成可能な撮像素子が設けられた有効画素領域を有するセンサ基板と、
    前記画素信号の信号処理を行う信号処理回路を有する第1部分と、面内方向において前記第1部分の位置と異なる位置にある第2部分とが一体化された回路基板と
    の積層構造を含み、
    前記センサ基板と前記回路基板との積層方向において、前記第1部分および前記第2部分の双方が前記有効画素領域と重なり合う位置に設けられている
    電子機器。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021086980A (ja) * 2019-11-29 2021-06-03 キヤノン株式会社 半導体装置、表示装置、表示撮像装置、及び光電変換装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021106192A (ja) * 2019-12-26 2021-07-26 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法、並びに電子機器
JP2022174486A (ja) * 2021-05-11 2022-11-24 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3882738B2 (ja) * 2002-10-24 2007-02-21 ソニー株式会社 複合チップモジュール及びその製造方法、並びに複合チップユニット及びその製造方法
JP3800335B2 (ja) * 2003-04-16 2006-07-26 セイコーエプソン株式会社 光デバイス、光モジュール、半導体装置及び電子機器
JP2009213012A (ja) * 2008-03-06 2009-09-17 Sony Corp 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置
JP5332572B2 (ja) * 2008-12-08 2013-11-06 ソニー株式会社 固体撮像装置、及び電子機器
JP5853351B2 (ja) * 2010-03-25 2016-02-09 ソニー株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子機器
JP5577965B2 (ja) * 2010-09-02 2014-08-27 ソニー株式会社 半導体装置、および、その製造方法、電子機器
JP2013090127A (ja) * 2011-10-18 2013-05-13 Olympus Corp 固体撮像装置および撮像装置
JP5887993B2 (ja) 2012-02-27 2016-03-16 株式会社ニコン 固体撮像装置の製造方法
TWI595637B (zh) * 2012-09-28 2017-08-11 Sony Corp 半導體裝置及電子機器
JP2014099582A (ja) 2012-10-18 2014-05-29 Sony Corp 固体撮像装置
KR102173470B1 (ko) * 2014-01-29 2020-11-03 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 반도체 장치
US9299736B2 (en) * 2014-03-28 2016-03-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Hybrid bonding with uniform pattern density
TWI648986B (zh) 2014-04-15 2019-01-21 日商新力股份有限公司 攝像元件、電子機器
JP6245474B2 (ja) * 2014-04-21 2017-12-13 ソニー株式会社 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、並びに、電子機器
US9613994B2 (en) * 2014-07-16 2017-04-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Capacitance device in a stacked scheme and methods of forming the same
US9581696B2 (en) * 2014-12-22 2017-02-28 Google Inc. Image sensor and light source driver integrated in a same semiconductor package
JP2017076872A (ja) 2015-10-14 2017-04-20 キヤノン株式会社 撮像素子
JP6265962B2 (ja) 2015-11-27 2018-01-24 キヤノン株式会社 撮像素子及び撮像装置
KR102022819B1 (ko) * 2016-05-31 2019-09-18 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 촬상 장치 및 촬상 방법, 카메라 모듈, 및 전자 기기
JP6661506B2 (ja) * 2016-09-23 2020-03-11 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド 固体撮像装置
KR102605618B1 (ko) * 2016-11-14 2023-11-23 삼성전자주식회사 이미지 센서 패키지
KR102619666B1 (ko) * 2016-11-23 2023-12-29 삼성전자주식회사 이미지 센서 패키지
JP6779825B2 (ja) * 2017-03-30 2020-11-04 キヤノン株式会社 半導体装置および機器
US11289526B2 (en) * 2017-04-04 2022-03-29 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging device and electronic apparatus
KR102275684B1 (ko) * 2017-04-18 2021-07-13 삼성전자주식회사 반도체 패키지
KR102380823B1 (ko) * 2017-08-16 2022-04-01 삼성전자주식회사 발열체를 포함하는 칩 구조체
US11756943B2 (en) * 2017-12-29 2023-09-12 Intel Corporation Microelectronic assemblies
US10748879B2 (en) * 2018-02-28 2020-08-18 Sharp Kabushiki Kaisha Image display device and display

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021086980A (ja) * 2019-11-29 2021-06-03 キヤノン株式会社 半導体装置、表示装置、表示撮像装置、及び光電変換装置
JP7418086B2 (ja) 2019-11-29 2024-01-19 キヤノン株式会社 半導体装置、表示装置、表示撮像装置、及び光電変換装置

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