JP2019153801A - 凹所およびキャップを有する、中心部が可撓性の片面研磨ヘッド - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (22)
- シリコンウエハの片面研磨用の研磨ヘッド組立体であって、
下部に沿って凹所を有する研磨ヘッドであって、前記凹所は凹面を有している、研磨ヘッドと、
前記凹所内に配置されたキャップであって、環状壁および前記環状壁に渡って延在する床部を有し、前記床部は前記凹面から離間して、前記凹面との間にチャンバを形成しており、前記チャンバは加圧されて前記床部を撓ませるように構成されており、前記環状壁は前記研磨ヘッドに接着剤で取り付けられている、キャップと
を含んでいる、研磨ヘッド組立体。 - 前記環状壁は、前記研磨ヘッドに、前記環状壁の外面に沿って取り付けられている、請求項1に記載の研磨ヘッド組立体。
- 前記研磨ヘッドおよび前記キャップのうちの1つは金属材料でできており、研磨剤が前記金属材料と接触して反応するのを防止するために非金属バリアを有している、請求項1に記載の研磨ヘッド組立体。
- 前記金属材料は鋳造アルミニウムである、請求項3に記載の研磨ヘッド組立体。
- 前記非金属バリアは非金属コーティングである、請求項3に記載の研磨ヘッド組立体。
- 前記非金属バリアは、前記研磨剤が前記研磨ヘッドと接触して反応するのを防止するために前記研磨ヘッドの外面に沿うバンドである、請求項3に記載の研磨ヘッド組立体。
- 前記バンドはプラスチック製である、請求項6に記載の研磨ヘッド組立体。
- さらに、裏当てフィルムを含み、前記裏当てフィルムは前記バンドの少なくとも一部と重なって間にシールを形成する、請求項6に記載の研磨ヘッド組立体。
- 前記非金属バリアは、前記研磨剤が前記キャップと接触して反応するのを防止するために前記キャップの底面に沿う保護シートである、請求項3に記載の研磨ヘッド組立体。
- 前記保護シートは、前記研磨ヘッド組立体に接着剤で取り付けられている、請求項9に記載の研磨ヘッド組立体。
- 前記保護シートは、前記キャップの前記底面に積層して形成されている、請求項9に記載の研磨ヘッド組立体。
- 前記保護シートはプラスチックである、請求項9に記載の研磨ヘッド組立体。
- 前記非金属バリアは、前記研磨ヘッドの外面に沿うバンド、および前記キャップの底面に沿う保護シートを含んでいる、請求項3に記載の研磨ヘッド組立体。
- 前記バンドと前記保護シートは重なり、互いに取り付けられて、間にシールを形成している、請求項13に記載の研磨ヘッド組立体。
- さらに、裏当てフィルムを含み、前記バンドは前記保護シートの一部と重なって間にシールを形成し、前記裏当てフィルムは前記保護シートと前記バンドの両方の少なくとも一部と重なって、蛇行路に前記シールを形成している、請求項14に記載の研磨ヘッド組立体。
- さらに、前記チャンバ内に配置されて前記床部を変形させるかまたは変形を制限するストッパーを含んでいる、請求項1に記載の研磨ヘッド組立体。
- さらに、前記キャップを撓ませるための加圧流体源を含んでいる、請求項1に記載の研磨ヘッド組立体。
- さらに、前記加圧流体源と接続されて前記キャップの撓みを制限するコントローラーを含んでいる、請求項17に記載の研磨ヘッド組立体。
- 前記コントローラーは、前記キャップの撓みをウエハごとに調整するように構成されている、請求項18に記載の研磨ヘッド組立体。
- さらに、液体と一緒に用いられて表面張力によって前記ウエハを前記研磨ヘッド組立体に保持する裏当てフィルムを前記研磨ヘッド組立体の下部に沿って含んでいる、請求項1に記載の研磨ヘッド組立体。
- さらに、表面張力によって前記ウエハを前記研磨ヘッド組立体に保持するための液体を前記研磨ヘッド組立体の下部に沿って含んでいる、請求項1に記載の研磨ヘッド組立体。
- さらに、表面張力によって前記研磨ヘッド組立体の下部に沿って保持されるウエハを含んでいる、請求項1に記載の研磨ヘッド組立体。
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US10556317B2 (en) * | 2016-03-03 | 2020-02-11 | P.R. Hoffman Machine Products Inc. | Polishing machine wafer holder |
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JP7349791B2 (ja) * | 2019-01-16 | 2023-09-25 | 株式会社東京精密 | Cmp装置 |
KR102270392B1 (ko) * | 2019-10-01 | 2021-06-30 | 에스케이실트론 주식회사 | 웨이퍼 연마 헤드, 웨이퍼 연마 헤드의 제조방법 및 그를 구비한 웨이퍼 연마 장치 |
CN111823130A (zh) * | 2020-07-17 | 2020-10-27 | 中国科学院微电子研究所 | 一种抛光头及抛光装置 |
US20220410340A1 (en) * | 2021-06-25 | 2022-12-29 | Globalwafers Co., Ltd. | Polishing head assembly having recess and cap |
CN113510609B (zh) * | 2021-07-12 | 2023-09-08 | 长鑫存储技术有限公司 | 晶圆以及晶圆的处理方法 |
US20230201994A1 (en) * | 2021-12-23 | 2023-06-29 | Globalwafers Co., Ltd. | Polishing head assembly having recess and cap |
CN117976799B (zh) * | 2024-03-28 | 2024-06-11 | 广东省旭晟半导体股份有限公司 | 一种提高led封装器件出光效率的封装方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07112364A (ja) * | 1993-10-18 | 1995-05-02 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハの研磨方法および研磨装置 |
JP2001179605A (ja) * | 1999-10-15 | 2001-07-03 | Ebara Corp | ポリッシング装置および方法 |
JP2004327547A (ja) * | 2003-04-22 | 2004-11-18 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハ研磨装置及びその研磨ヘッド並びにウエーハ研磨方法 |
JP2013004928A (ja) * | 2011-06-21 | 2013-01-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 研磨ヘッド、研磨装置及びワークの研磨方法 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3329644B2 (ja) | 1995-07-21 | 2002-09-30 | 株式会社東芝 | 研磨パッド、研磨装置及び研磨方法 |
US6146259A (en) * | 1996-11-08 | 2000-11-14 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with local pressure control for a chemical mechanical polishing apparatus |
US6056632A (en) * | 1997-02-13 | 2000-05-02 | Speedfam-Ipec Corp. | Semiconductor wafer polishing apparatus with a variable polishing force wafer carrier head |
US5964653A (en) | 1997-07-11 | 1999-10-12 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a flexible membrane for a chemical mechanical polishing system |
JP3076291B2 (ja) | 1997-12-02 | 2000-08-14 | 日本電気株式会社 | 研磨装置 |
JP2000084836A (ja) * | 1998-09-08 | 2000-03-28 | Speedfam-Ipec Co Ltd | キャリア及び研磨装置 |
US6162116A (en) | 1999-01-23 | 2000-12-19 | Applied Materials, Inc. | Carrier head for chemical mechanical polishing |
JP4122103B2 (ja) * | 1999-02-17 | 2008-07-23 | 不二越機械工業株式会社 | ウェーハの研磨装置 |
US6623343B2 (en) * | 2000-05-12 | 2003-09-23 | Multi Planar Technologies, Inc. | System and method for CMP head having multi-pressure annular zone subcarrier material removal control |
WO2001087541A2 (en) * | 2000-05-12 | 2001-11-22 | Multi-Planar Technologies, Inc. | Pneumatic diaphragm head having an independent retaining ring and multi-region pressure control, and method to use the same |
US6722965B2 (en) * | 2000-07-11 | 2004-04-20 | Applied Materials Inc. | Carrier head with flexible membranes to provide controllable pressure and loading area |
JP2002086352A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-03-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 接着装置、および研磨治具 |
JP2002270551A (ja) * | 2001-03-13 | 2002-09-20 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 研磨ヘッドおよびこれを用いた研磨装置 |
US6893327B2 (en) | 2001-06-04 | 2005-05-17 | Multi Planar Technologies, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus and method having a retaining ring with a contoured surface |
JP2003039306A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-13 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウエーハ研磨装置 |
US20030124963A1 (en) * | 2001-12-27 | 2003-07-03 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a non-stick membrane |
JP4090247B2 (ja) | 2002-02-12 | 2008-05-28 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置 |
US6755726B2 (en) * | 2002-03-25 | 2004-06-29 | United Microelectric Corp. | Polishing head with a floating knife-edge |
US7255771B2 (en) | 2004-03-26 | 2007-08-14 | Applied Materials, Inc. | Multiple zone carrier head with flexible membrane |
US7364496B2 (en) | 2006-03-03 | 2008-04-29 | Inopla Inc. | Polishing head for polishing semiconductor wafers |
JP2007307623A (ja) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Elpida Memory Inc | 研磨装置 |
JP2007331093A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-12-27 | Elpida Memory Inc | 研磨装置 |
JP2007324497A (ja) * | 2006-06-05 | 2007-12-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性体およびこの弾性体を具備した研磨装置 |
JP4374370B2 (ja) | 2006-10-27 | 2009-12-02 | 信越半導体株式会社 | 研磨ヘッド及び研磨装置 |
CN101827685A (zh) | 2007-11-20 | 2010-09-08 | 信越半导体股份有限公司 | 研磨头及研磨装置 |
JP2010225711A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Consortium For Advanced Semiconductor Materials & Related Technologies | 研磨方法 |
JP5807580B2 (ja) * | 2012-02-15 | 2015-11-10 | 信越半導体株式会社 | 研磨ヘッド及び研磨装置 |
-
2014
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2015
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-
2020
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07112364A (ja) * | 1993-10-18 | 1995-05-02 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハの研磨方法および研磨装置 |
JP2001179605A (ja) * | 1999-10-15 | 2001-07-03 | Ebara Corp | ポリッシング装置および方法 |
JP2004327547A (ja) * | 2003-04-22 | 2004-11-18 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハ研磨装置及びその研磨ヘッド並びにウエーハ研磨方法 |
JP2013004928A (ja) * | 2011-06-21 | 2013-01-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 研磨ヘッド、研磨装置及びワークの研磨方法 |
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