JP2019139982A - 蓄電デバイス - Google Patents
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Abstract
Description
正極集電体の表面に正極活物質層が形成された正極本体部と、正極集電部と、を有する正極体と、
負極集電体の表面に負極活物質層が形成された負極本体部と、負極集電部と、を有する負極体と、
を備え、
1対の前記正極体及び前記負極体と、該1対の前記正極体及び前記負極体の間に介在するイオン伝導媒体と、で形成された単セルが並列接続され、
前記正極集電部同士及び前記負極集電部同士のうちの少なくとも一方が、温度上昇に伴い電気抵抗が上昇する抵抗上昇部を介して接続されているものである。
[実施例]
(電池の作製)
厚み15μmのアルミニウム集電箔に、一般的なリチウムイオン二次電池用の正極合材を塗工して、正極体を作製した。また、厚み10μmの銅集電箔に、一般的なリチウムイオン二次電池用の負極合材を塗工して、負極体を作製した。各電極とも、合材塗工面は50×80mmで両面塗工とし、合材が塗工されていない集電箔表面が露出した部分であるタブ部を20×20mmとした。電極1枚あたりの集電箔込みの厚さは、正極が200μm、負極が150μmであった。
図4に示すように、PTCサーミスタを正極タブのみに配設した以外は実施例1と同様に実施例2の電池を作製した。また、図5に示すように、PTCサーミスタを負極タブのみに配設した以外は実施例1と同様に実施例3の電池を作製した。
PTCサーミスタを正極タブ、負極タブのいずれにも配設しなかった以外は実施例1と同様に比較例1,2の電池を作製した。
電池を4.1Vに満充電後(比較例2は満充電後ではなく3.4Vに充電後)、図8のX部に釘(φ2mm)を0.5mm刺し込み、内部短絡状態を保持した。そして、内部短絡部近傍のX部、電極左端のA部、正極タブ部のB部、負極タブ部のC部に熱電対を貼付し、各部の温度を測定した。また、電池の外観状態を観察した。なお、釘刺し深さ0.5mmは、図1の一番上の単セル20だけが内部短絡する程度の深さである。
表1に、各電池の釘刺し時における各部の最高到達温度を示した。最高到達温度は、正負極タブのいずれにもPTCサーミスタを配設しない従来の枚葉積層型電池である比較例1,2では、内部短絡部である釘部の次に正極タブの昇温が顕著であり480℃以上の高温となった。また、負極タブでも電極左端よりも昇温が顕著であり280℃以上の高温となった。これに対して、正負極タブの両方又は一方にPTCサーミスタを配設した実施例1〜3では、正極タブが140℃以下、負極タブが125℃以下であった。これは、内部短絡してから比較的早期に高温となるタブに配設されたPTCサーミスタによって、タブ同士の間を流れる電流が抑制され、内部短絡部への電子の供給が抑制され、内部短絡部のジュール発熱をより抑制できたためと推察された。特に、正極タブにPTCサーミスタを配設した実施例1,2では、負極タブのみにPTCサーミスタを配設した実施例3よりも、全体的に温度上昇が小さかった。これは、アルミニウム製の正極タブの方が、銅製の負極タブよりも、内部短絡が生じてからより早期に高温になり、PTCサーミスタの抵抗が上昇して若干発熱するためと推察された。タブが比較的早期に高温になる点や、アルミニウム製のタブの方が銅製のタブよりも早期に高温になる点は、集電箔やタブの電子抵抗、熱容量、熱伝達速度などに基づいてシミュレーションした結果ともよく一致した。正負極タブの両方にPTCサーミスタを配設した実施例1と、正極タブのみにPTCサーミスタを配設した実施例2とを比較すると、負極タブは実施例1が高温で、釘部と電極左端は実施例2が高温であった。これは、実施例1では負極タブに配設されたPTCサーミスタの抵抗が内部短絡による発熱で僅かに上昇したことに起因すると推察された。すなわち、PTCサーミスタの抵抗上昇によってPTCサーミスタに隣接する負極タブの温度が上昇する一方、内部短絡部への電子供給量の減少によって釘部周辺でのジュール発熱が減少し釘部や電極左端での温度上昇が抑制されたためと推察された。
Claims (10)
- 正極集電体の表面に正極活物質層が形成された正極本体部と、正極集電部と、を有する正極体と、
負極集電体の表面に負極活物質層が形成された負極本体部と、負極集電部と、を有する負極体と、
を備え、
1対の前記正極体及び前記負極体と、該1対の前記正極体及び前記負極体の間に介在するイオン伝導媒体と、で形成された単セルが並列接続され、
前記正極集電部同士及び前記負極集電部同士のうちの少なくとも一方が、温度上昇に伴い電気抵抗が上昇する抵抗上昇部を介して接続されている、
蓄電デバイス。 - 前記抵抗上昇部は、PTCサーミスタである、
請求項1に記載の蓄電デバイス。 - 前記抵抗上昇部は、抵抗値の立ち上がり温度が、80℃以上120℃以下である、
請求項1又は2に記載の蓄電デバイス。 - 前記抵抗上昇部は、20℃での抵抗値が1cm2あたり3Ω以下である。
請求項1〜3のいずれか1項に記載の蓄電デバイス。 - (a)前記正極体はシート状の部材であり、前記正極集電部の投影面積PT(m2)の前記正極本体部の投影面積PM(m2)に対する割合であるPT/PMの値が、1/5以下であるか、
(b)前記負極体はシート状の部材であり、前記負極集電部の投影面積NT(m2)の前記負極本体部の投影面積NM(m2)に対する割合であるNT/NMの値が、1/5以下であるか、
のうちの少なくとも一方を満たす、請求項1〜4のいずれか1項に記載の蓄電デバイス。 - (a)前記正極集電部の投影面積PTは0.4cm2以上3000cm2以下であるか、
(b)前記負極集電部の投影面積NTは0.4cm2m2以上3000cm2以下であるか、
のうちの少なくとも一方を満たす、請求項1〜5のいずれか1項に記載の蓄電デバイス。 - 前記正極集電部がアルミニウムで形成され、該正極集電部同士が、前記抵抗上昇部を介して接続されている、
請求項1〜6のいずれか1項に記載の蓄電デバイス。 - 前記負極集電部が銅で形成され、該負極集電部同士が、前記抵抗上昇部を介して接続されている、
請求項1〜7のいずれか1項に記載の蓄電デバイス。 - 前記正極集電部同士及び前記負極集電部同士の両方が、前記抵抗上昇部を介して接続されている、
請求項1〜8のいずれか1項に記載の蓄電デバイス。 - 前記正極集電部同士及び前記負極集電部同士のうちの一方が、前記抵抗上昇部を介して接続されている、
請求項1〜8のいずれか1項に記載の蓄電デバイス。
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