JP2019125686A5

JP2019125686A5 - プラズマ処理装置の部品をクリーニングする方法

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Publication number: JP2019125686A5
Application number: JP2018005002A
Authority: JP
Filing date: 2018-01-16
Publication date: 2020-09-03
Anticipated expiration: 2038-01-16

Claims

プラズマ処理装置の部品をクリーニングする方法であって、前記部品の表面は、前記プラズマ処理装置のチャンバ内に提供された内部空間を画成する表面に含まれ、該方法は、
前記内部空間に第１のガス及び第２のガスを供給することにより、前記部品の前記表面上に被膜を形成する工程であり、該第１のガスに含まれる第１の化合物と該第２のガスに含まれる第２の化合物との重合により、該被膜を構成する化合物が形成され、前記第１の化合物がイソシアネートであり、前記第２の化合物がアミン又は水酸基を有する化合物である、該工程と、
前記内部空間の中で基板処理が実行された後に、該基板処理によって前記被膜上に形成された堆積物を除去する工程であり、前記被膜を構成する前記化合物の解重合が生じるように前記部品が加熱される、該工程と、
を含む方法。
前記内部空間はその中で前記基板処理が行われる第１空間及び該第１空間とは別の第２空間を含み、
前記プラズマ処理装置は、
前記第１空間と前記第２空間との境界上で延在し、それらを介して前記第１空間と前記第２空間とが互いに連通する複数の貫通孔を有する隔壁と、
前記第１空間内でその上に載置された基板を支持するように構成された支持台と、
前記第１空間に接続されたガス供給系と、
前記第２空間に接続された排気装置と、
を含む、
請求項１に記載の方法。
前記内部空間を画成する前記表面は、前記第１空間を画成する第１表面及び前記第２空間を画成する第２表面を含み、
前記部品の前記表面は、前記第２表面に含まれ、
前記部品の表面上に被膜を形成する前記工程の後、前記基板処理の前に、前記第１空間内で生成されたガスのプラズマにより、前記第１表面上で延在する前記被膜を除去する工程を更に含む、請求項２に記載の方法。
前記部品の表面上に被膜を形成する前記工程は、前記支持台上に保護部材が載置された状態で実行され、
前記部品の表面上に被膜を形成する前記工程の後、前記保護部材が前記支持台上から取り除かれた状態で、第１表面上で延在する前記被膜を除去する前記工程が実行される、
請求項３に記載の方法。
前記支持台は、
冷媒用の流路がその中に形成された下部電極と、
前記下部電極上に設けられており、その上に載置された基板を前記第１空間の中で保持するように構成された静電チャックと、
を有し、
前記静電チャックの中にはヒータが設けられており、
前記部品の表面上に被膜を形成する前記工程の後、前記静電チャックの表面上で延在する前記被膜を解重合させて除去するために、前記ヒータを発熱させる工程を更に含む、請求項２に記載の方法。
堆積物を除去する前記工程において、前記部品の中に設けられたヒータ、及び、前記部品に対して非接触で該部品を加熱する非接触ヒータが、前記部品を加熱するために用いられる、請求項１〜５の何れか一項に記載の方法。
前記非接触ヒータは、前記内部空間に対して前記チャンバの外側に設けられている、請求項６に記載の方法。
前記基板処理は、成膜処理及びエッチングのうち少なくとも一方を含む、請求項１〜７の何れか一項に記載の方法。
前記基板処理は、化学気相成長（ＣＶＤ）法による成膜処理、プラズマ強化ＣＶＤ法による成膜処理、原子層堆積（ＡＬＤ）法による成膜処理、又はプラズマ強化ＡＬＤ法による成膜処理を含む、請求項８に記載の方法。
前記基板処理は、前記成膜処理と前記エッチングを含み、該エッチングは前記成膜処理の後に実行されるプラズマエッチングである、請求項８又は９に記載の方法。
前記基板処理において処理される基板は、下地膜及びマスクを有し、該マスクは、該下地膜上に設けられており、開口を提供しており、
前記成膜処理は、原子層堆積法によって行われ、
前記内部空間に前駆体ガスを供給する工程と、
前記内部空間をパージする工程と、
前記内部空間に、前記前駆体ガスに含まれる前駆体と反応する反応性ガスを供給する工程と、
前記内部空間をパージする工程と、
を含み、
前記成膜処理によって前記基板上に形成される膜は、前記開口を画成する前記マスクの側壁面に沿って延在する第１領域及び前記下地膜上で延在する第２領域を含み、
前記プラズマエッチングは、前記第１領域を除去せずに前記第２領域を除去するために実行される、
請求項１０に記載の方法。
反応性ガスを供給する前記工程において、該反応性ガスのプラズマが前記内部空間の中で生成される、請求項１１に記載の方法。