WO2023286182A1 - プラズマ処理方法 - Google Patents

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研太 田丸
孝則 中司
優汰 高木
達也 林
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株式会社日立ハイテク
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    • H01J2237/334—Etching

Definitions

  • the present invention relates to a plasma processing method.
  • Patent Document 1 a first step of removing a residual film in a processing chamber by oxygen gas plasma, and a plasma of a fluorocarbon-based gas or a mixed gas containing a fluorocarbon-based gas are used to remove a deposited film on the wall surface of the processing chamber.
  • a processing method has been proposed that includes a second step of forming a According to such a processing method, the formed deposited film can prevent the generation of foreign matter by suppressing the deterioration of the components in the processing chamber that occurs during plasma etching. can be prevented.
  • Patent Document 1 if the processing method disclosed in Patent Document 1 is executed without placing the wafer on the mounting table, there is a problem that a deposited film is also formed on the mounting table. If a deposited film is formed on the mounting table, the deposited film may adhere to the rear surface of the processed wafer when the wafer is mounted on the mounting table for etching. The deposited film adhering to the processed wafer separates and falls off while being transported together with the processed wafer, becoming foreign matter, and may spread via a transport robot or the like, thereby contaminating the entire transport system.
  • the present invention provides a plasma processing method capable of suppressing the diffusion of contamination to the transport system while forming a deposited film on the inner wall surface of the processing chamber.
  • one typical plasma processing method is a plasma processing method in which a sample placed on a sample stage is plasma-processed in a processing chamber, a first step of removing deposits in the processing chamber using a plasma; After the first step, a second step of depositing deposits in the processing chamber using a mixed gas of hydrofluorocarbon gas and argon (Ar) gas; After the second step, a third step of selectively removing deposits on the sample table using a mixed gas of oxygen (O 2 ) gas and argon (Ar) gas; After the third step, a fourth step of plasma-treating a predetermined number of the samples.
  • a mixed gas of hydrofluorocarbon gas and argon (Ar) gas After the second step, a third step of selectively removing deposits on the sample table using a mixed gas of oxygen (O 2 ) gas and argon (Ar) gas.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a flow chart showing an example of a plasma processing method using the plasma processing apparatus shown in FIG.
  • FIG. 3 is a diagram schematically showing the state of plasma processing for forming a deposited film of CHx using a mixed gas composed of methyl fluoride (CH 3 F) and argon (Ar).
  • FIG. 4 is a diagram schematically showing the state of plasma processing for removing the deposited film using a mixed gas composed of oxygen (O 2 ) and argon (Ar).
  • FIG. 5 is a diagram showing a comparison of the etching rate of the deposited film of the carbon compound when the current value of the solenoid coil is changed with or without the bias in the plasma processing.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of an Electron Cyclotron Resonance (hereinafter referred to as ECR) type plasma etching apparatus using microwaves and magnetic fields as plasma generating means.
  • ECR Electron Cyclotron Resonance
  • the ECR type plasma etching apparatus includes a processing chamber 101 that can be evacuated, a mounting table 103 that is housed in the processing chamber 101 and on which a wafer 102 as a sample is mounted, and a quartz crystal that is provided on the upper surface of the processing chamber 101.
  • a microwave transmission window 104 made of a material, a waveguide 105 provided above it, a magnetron (microwave generator) 106 that oscillates microwaves, and a first high frequency power supply 112 that supplies high frequency power to the magnetron 106 , solenoid coils 107 , 108 , 109 (magnetic field generators) arranged along the axial direction around the processing chamber 101 , and a gas supply pipe 110 for introducing process gas into the processing chamber 101 .
  • the first high-frequency power supply 112 has a function of pulse-modulating the oscillating microwave.
  • the wafer 102 is loaded into the processing chamber 101 from the wafer loading port 111 via a transport robot or the like, and then electrostatically applied to the mounting table 103 by an electrostatic adsorption power source (not shown). be adsorbed.
  • a process gas is then introduced into the processing chamber 101 from the gas supply pipe 110 .
  • the inside of the processing chamber 101 is evacuated by a vacuum pump (not shown) and adjusted to a predetermined pressure (for example, 0.1 Pa to 50 Pa).
  • the magnetron 106 oscillates a microwave with a frequency of 2.45 GHz. supplied within.
  • the magnetic field generated by the solenoid coils 107 , 108 , 109 interacts with the microwave to excite the process gas and generate plasma 113 in the space above the wafer 102 .
  • bias power is applied to the mounting table 103 by a second high-frequency power supply (not shown), and ions in the plasma 113 are vertically accelerated onto the wafer 102 and impinge thereon.
  • a second high-frequency power source (not shown) can apply continuous bias power or time-modulated bias power to the mounting table 103 .
  • the wafer 102 is anisotropically etched by the action of radicals and ions from the plasma 113 .
  • the value of the current supplied to each of the solenoid coils 107, 108 and 109 can be controlled. Therefore, the region where ECR occurs can be changed in the vertical direction by each current value.
  • FIG. 2 is a flow chart of a plasma processing method according to an embodiment of the invention.
  • a gas containing carbon, hydrogen, and fluorine is referred to as a CHF-based gas.
  • step 201 a dummy wafer (dummy sample) carried in via a transfer robot or the like from the wafer loading port 111 is placed on the mounting table 103 so as not to form a deposited film on the mounting table 103 .
  • step 202 After placing the dummy wafer, in step 202 (first process), a mixed gas composed of sulfur hexafluoride (SF 6 ), oxygen (O 2 ), and argon (Ar) is supplied from the gas supply pipe 110 . It is supplied into the processing chamber 101 and subjected to plasma processing to remove residual films (deposits) in the processing chamber 101 .
  • SF 6 sulfur hexafluoride
  • O 2 oxygen
  • Ar argon
  • SF 6 is supplied at 150 mL/min
  • O 2 is supplied at 27 mL/min
  • Ar is supplied at 60 mL/min
  • the processing chamber pressure is 0.6 Pa
  • the microwave power is 1000 W
  • the solenoid coil 107 at the top , 108 and 109 were set to 27/26/0 A, respectively, and the processing time was set to 60 sec.
  • step 203 a mixed gas composed of methyl fluoride (CH 3 F) and argon (Ar) is supplied from the gas supply pipe 110 into the processing chamber 101 to perform plasma processing.
  • a deposition film of CHx is formed on the wall surface.
  • FIG. 3 is a schematic diagram showing a state when a deposited film of CHx is formed on the inner wall surface of the processing chamber. Since the plasma processing in step 203 is performed by applying bias power (high frequency power) to the mounting table 103, the deposited film on the dummy wafer is less deposited than the deposited film on the inner wall of the processing chamber due to ion sputtering. In other words, the amount of deposition can be suppressed by performing both deposition and etching on the dummy wafer by the plasma processing in step 203 .
  • bias power high frequency power
  • CH 3 F is supplied at 100 mL/min
  • Ar is supplied at 100 mL/min
  • the processing chamber pressure is 0.5 Pa
  • the microwave power is 800 W
  • the bias power is 50 W
  • the solenoid coils 107, 108, 109 It is assumed that the current values to the are 27/26/0 A, respectively, and the processing time is 160 sec.
  • methyl fluoride (CH 3 F) gas is used, but other than methyl fluoride (CH 3 F) gas, hydro fluoromethane (CH 2 F 2 ) gas, trifluoromethane (CHF 3 ) gas, etc. may be used. Fluorocarbon gas may also be used.
  • step 204 (third step), a mixed gas composed of oxygen (O 2 ) and argon (Ar) is supplied into the processing chamber 101 from the gas supply pipe 110 while high-frequency power is being supplied to the mounting table 103 .
  • Plasma processing is performed in step 201 to selectively remove the deposited CHx film formed in step 203 on the dummy wafer placed in step 201 .
  • step 205 the dummy wafer mounted on the mounting table 103 is unloaded via a transfer robot or the like. Thereafter, in step 206 (fourth process), a predetermined number of product wafers are plasma-processed. As a result, it is possible to process product wafers while suppressing foreign matter contamination.
  • FIG. 4 is a diagram showing the state when removing the deposited CHx film on the dummy wafer.
  • O 2 is supplied at 30 mL/min
  • Ar is supplied at 150 mL/min
  • the processing chamber pressure is 0.5 Pa
  • the microwave power is 400 W
  • the bias power is 50 W
  • the solenoid coils 107, 108, 109 are 27/26/9 A, respectively
  • the processing time is 230 sec.
  • FIG. 5 shows step 204 when the current value of the solenoid coil is changed when no bias power is applied to the mounting table 103 (no bias) and when bias power is applied (with bias).
  • 2 is a diagram showing a comparison of the etching rate of a deposited film of a carbon compound during the treatment of .
  • the current values to the solenoid coils 107, 108, and 109 are set to 27/26/9 A in common with no bias and with bias. were changed to 27/26/14 A and 27/27/27 A, respectively, and the etching rate was obtained.
  • the etching rate without bias is 92.64 nm/min, while the etching rate with bias is 159.18 nm/min. , it can be seen that the etching progresses more when the bias is applied. Therefore, the deposited film on the wafer can be selectively removed by applying the bias power.
  • the etching rate when comparing the etching rates when the current values to the solenoid coils 107, 108, and 109 are changed, when the current values are 27/26/9 A, the etching rate is 159.18 nm/min.
  • the etching rate is 164.76 nm/min when the current values are 27/26/14 A, respectively, and the etching rate is 172.39 nm when the current values are 27/27/27 A, respectively. /min, it can be seen that the higher the current value, the higher the etching rate.
  • the region where plasma is generated in step 204 approaches the mounting table 103, so that more of the deposited film can be removed. That is, by changing the current value to the solenoid coil 109, the amount of deposition and the amount of etching of the deposited film in step 204 can be arbitrarily adjusted.
  • the present embodiment by selectively removing the deposited film formed on the mounting table while maintaining the deposited film formed on the inner wall surface of the processing chamber, the generation of foreign matter is prevented while protecting the components of the processing chamber. can be prevented. As a result, it is possible to prevent the transport system from being contaminated due to the deposited film being formed on the mounting table. In addition, since the dummy wafer can be reused by removing the deposited film on the dummy wafer, the cost of the dummy wafer can be reduced.
  • the present invention can be implemented even if the dummy wafer is not mounted on the mounting table (that is, steps 201 and 205 in FIG. 4 are omitted). More specifically, when the dummy wafer is not mounted on the mounting table, the deposited CHx film deposited on the mounting table in step 203 can be selectively removed in step 204 . By balancing the CHx deposition amount and the etching amount on the mounting table according to the plasma processing conditions, the deposition amount can be reduced to zero immediately before the product wafer is mounted on the mounting table.

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Abstract

処理室内壁面に堆積膜を形成しつつ、搬送系への汚染の拡散を抑制することができるプラズマ処理方法を提供する。　試料台に載置された試料を処理室内にてプラズマ処理するプラズマ処理方は、プラズマを用いて前記処理室内の堆積物を除去する第一の工程と、前記第一の工程後、ハイドロフルオロカーボンガスとアルゴン(Ａｒ)ガスの混合ガスを用いて堆積物を前記処理室内に堆積させる第二の工程と、前記第二の工程後、酸素(Ｏ２)ガスとアルゴン(Ａｒ)ガスの混合ガスを用いて前記試料台の堆積物を選択的に除去する第三の工程と、前記第三の工程後、所定の枚数の前記試料をプラズマ処理する第四の工程とを有する。

Description

プラズマ処理方法
　本発明は、プラズマ処理方法に関する。
　近年、集積回路など半導体製造における微細化が進んでおり、製品をエッチングする際の要求が厳しくなっている。特に、ウエハ上に付着する異物や汚染は歩留まりを著しく低下させてしまう。このため、異物や汚染の低減技術の開発が進んでいる。特に、異物や汚染の原因が処理室内部品にある場合、処理室内部品への堆積膜の形成が異物や汚染の低減に効果的である。
　特許文献１において、酸素ガスのプラズマにより処理室内の残留膜を除去する第一の工程と、フッ化炭素系ガスもしくはフッ化炭素系ガスを含む混合ガスのプラズマを用いて処理室内壁面に堆積膜を形成する第二の工程とを含む処理方法が提案されている。かかる処理方法によれば、形成された堆積膜がプラズマエッチング時に起こる処理室内部品の劣化を抑えることによる異物発生を防ぐことが出来るため、製品ウエハ上に異物が付着することに起因するパターンの欠陥を防ぐことが出来る。
特開２０００－９１３２７号公報
　しかしながら、特許文献１に開示された処理方法を、載置台上にウエハを載置しないで実行すると、載置台上にも堆積膜が形成されるという問題がある。載置台上に堆積膜が形成されると、エッチング処理のためウエハを載置台に載置して処理を行ったとき、処理済みウエハの裏面に堆積膜が付着する恐れがある。処理済みウエハに付着した堆積膜は、処理済みウエハともに搬送される間に分離・脱落して異物となり、さらに搬送ロボット等を介して拡散され、それにより搬送系全体が汚染される恐れがある。
　一方、単に載置台上への堆積膜の形成を阻止するだけならば、特許文献１に開示された処理方法を実行する間、ダミーウエハを載置台に載置し、処理後に取り出せばよいともいえる。しかし、この方法では載置台上への堆積膜の形成を防止できるが、ダミーウエハ上への堆積膜の形成を阻止することができない。したがって、ダミーウエハ上の堆積膜がダミーウエハともに搬送される間に分離・脱落して異物となり、それにより搬送系が汚染されるという恐れが依然として残る。
　本発明は、処理室内壁面に堆積膜を形成しつつ、搬送系への汚染の拡散を抑制することができるプラズマ処理方法を提供する。
　上記目的を達成するために、代表的な本発明にかかる本発明のプラズマ処理方法の一つは、試料台に載置された試料を処理室内にてプラズマ処理するプラズマ処理方法において、
　プラズマを用いて前記処理室内の堆積物を除去する第一の工程と、
　前記第一の工程後、ハイドロフルオロカーボンガスとアルゴン(Ａｒ)ガスの混合ガスを用いて堆積物を前記処理室内に堆積させる第二の工程と、
　前記第二の工程後、酸素(Ｏ２)ガスとアルゴン(Ａｒ)ガスの混合ガスを用いて前記試料台の堆積物を選択的に除去する第三の工程と、
　前記第三の工程後、所定の枚数の前記試料をプラズマ処理する第四の工程とを有することにより達成される。
　本発明によれば、処理室内壁面に堆積膜を形成しつつ、搬送系への汚染の拡散を抑制することができるプラズマ処理方法を提供できる。
　上記した以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。
図１は、本発明の実施形態にかかる、プラズマ処理装置を模式的に示す断面図である。 図２は、図１に示すプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法の一例を示すフローチャートである。 図３は、フッ化メチル(ＣＨ３Ｆ)とアルゴン(Ａｒ)で構成される混合ガスを用いて、ＣＨｘの堆積膜を形成するプラズマ処理の状態を模式的に示す図である。 図４は、酸素(Ｏ２)とアルゴン(Ａｒ)で構成される混合ガスを用いて、堆積膜を除去するプラズマ処理の状態を模式的に示す図である。 図５は、プラズマ処理におけるバイアスの有無とソレノイドコイルの電流値を変更した場合の炭素化合物の堆積膜に対するエッチングレートを比較して示す図である。
　本発明の実施形態に係るプラズマ処理方法の具体的な実施例を、図面を参照して以下に説明する。
（プラズマ処理装置）
　最初に、本実施形態のプラズマ処理方法を実施するためのプラズマエッチング装置の一例を、図１を参照しながら説明する。図１は、プラズマ生成手段としてマイクロ波と磁界を利用したＥｌｅｃｔｒｏｎ　Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ　Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ(以下、ＥＣＲと称する)型プラズマエッチング装置の概略図である。
　ＥＣＲ型プラズマエッチング装置は、内部を真空排気可能な処理室１０１と、処理室１０１内に収容され、試料であるウエハ１０２を載置する載置台１０３と、処理室１０１の上面に設けられた石英製のマイクロ波透過窓１０４と、その上方に設けられた導波管１０５と、マイクロ波を発振するマグネトロン（マイクロ波発生装置）１０６と、マグネトロン１０６に高周波電力を供給する第一の高周波電源１１２と、処理室１０１の周囲に軸線方向に沿って配設されたソレノイドコイル１０７、１０８、１０９（磁界発生装置）と、処理室１０１内にプロセスガスを導入するガス供給配管１１０とを備える。
　第一の高周波電源１１２は、発振するマイクロ波をパルス変調する機能を備えている。
　プラズマエッチング処理を行う際に、ウエハ１０２は、ウエハ搬入口１１１から、搬送ロボット等を介して処理室１０１内に搬入された後、静電吸着電源(図示せず)によって載置台１０３に静電吸着される。
　次に、プロセスガスが、ガス供給配管１１０から処理室１０１内に導入される。処理室１０１内は、真空ポンプ(図示せず)により減圧排気され、所定の圧力(例えば、０．１Ｐａ-５０Ｐａ)に調整される。
　次に、第一の高周波電源１１２よりマグネトロン１０６に所定の高周波電力を供給すると、マグネトロン１０６から周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波が発振され、かかるマイクロ波は導波管１０５を伝播して処理室１０１内に供給される。
　このとき、ソレノイドコイル１０７、１０８、１０９によって発生された磁界と、マイクロ波との相互作用によってプロセスガスが励起され、ウエハ１０２上部の空間にプラズマ１１３が生成される。
　一方、載置台１０３には、第二の高周波電源(図示せず)によってバイアス電力が印加され、プラズマ１１３中のイオンがウエハ１０２上に垂直に加速され入射する。また、第二の高周波電源(図示せず)は、連続的なバイアス電力または、時間変調されたバイアス電力を載置台１０３に印加することができる。これにより、プラズマ１１３からのラジカルとイオンの作用によって、ウエハ１０２が異方的にエッチングされる。
　ソレノイドコイル１０７、１０８、１０９に、それぞれ供給される電流の値を制御できる。そのため、各電流値によって、ＥＣＲが発生する領域を上下方向に変更することが出来る。
（プラズマ処理方法）
　次に、図１に示したプラズマエッチング装置を用いたプラズマ処理方法を、図面を参照しながら説明する。図２は、本発明の実施形態にかかるプラズマ処理方法のフローチャートである。
　なお、本明細書で、炭素と水素とフッ素を含むガスを、ＣＨＦ系ガスという。
　ステップ２０１において、載置台１０３に堆積膜を形成させないために、ウエハ搬入口１１１から、搬送ロボット等を介して搬入したダミーウエハ（ダミー用試料）を載置台１０３上に載置する。
　ダミーウエハを載置した後、ステップ２０２（第一の工程）において、ガス供給配管１１０から６フッ化硫黄(ＳＦ６)と、酸素(Ｏ２)と、アルゴン(Ａｒ)で構成される混合ガスを処理室１０１内に供給してプラズマ処理を行い、処理室１０１内の残留膜(堆積物)を除去する。
　上記プラズマ処理の条件として、ＳＦ６を１５０ｍＬ／ｍｉｎ、Ｏ２を２７ｍＬ／ｍｉｎ、Ａｒを６０ｍＬ／ｍｉｎで供給し、処理室圧力を０．６Ｐａ、マイクロ波電力を１０００Ｗ、上部にあるソレノイドコイル１０７、１０８，１０９への電流値をそれぞれ２７/２６/０Ａとし、さらに処理時間は６０ｓｅｃとした。
　ステップ２０３（第二の工程）において、ガス供給配管１１０からフッ化メチル(ＣＨ３Ｆ)とアルゴン(Ａｒ)で構成される混合ガスを処理室１０１内に供給してプラズマ処理を行い、処理室内壁面にＣＨｘの堆積膜を形成する。
　図３は、処理室内壁面にＣＨｘの堆積膜を形成するときの状態を示す模式図である。ステップ２０３のプラズマ処理は、載置台１０３に対してバイアス電力（高周波電力）を印加して行われることにより、ダミーウエハ上の堆積膜が、イオンスパッタリングにより処理室内壁の堆積膜に比べて堆積しない。換言すれば、ステップ２０３のプラズマ処理により、ダミーウエハ上では堆積とエッチングの双方を行うことで、その堆積量を抑制することができる。
　上記プラズマ処理の条件として、ＣＨ３Ｆを１００ｍＬ／ｍｉｎ、Ａｒを１００ｍＬ/ｍｉｎで供給し、処理室圧力を０．５Ｐａ、マイクロ波電力を８００Ｗ、バイアス電力を５０Ｗ、ソレノイドコイル１０７、１０８，１０９への電流値をそれぞれ２７/２６/０Ａとし、処理時間を１６０ｓｅｃとする。本実施形態では、フッ化メチル(ＣＨ３Ｆ)ガスを使用したが、フッ化メチル(ＣＨ３Ｆ)ガス以外にジフルオロメタン(ＣＨ２Ｆ２)ガス、トリフルオロメタン(ＣＨＦ３)ガス等のハイドロフルオロカーボンガスを使用しても良い。
　ステップ２０４（第三の工程）において、載置台１０３に高周波電力を供給しつつ、ガス供給配管１１０から酸素(Ｏ２)とアルゴン(Ａｒ)で構成される混合ガスを処理室１０１内に供給してプラズマ処理を行い、ステップ２０１で載置したダミーウエハ上において、ステップ２０３で形成されたＣＨｘの堆積膜を選択的に除去する。
　ステップ２０４のプラズマ処理後に、ステップ２０５において、載置台１０３上に載置したダミーウエハを、搬送ロボット等を介して搬出する。その後、ステップ２０６（第四の工程）において所定枚数の製品ウエハをプラズマ処理する。これにより異物汚染を抑制しつつ、製品ウエハの処理を実現することができる。
　図４は、ダミーウエハ上においてＣＨｘの堆積膜を除去するときの状態を示す図である。ステップ２０４のプラズマ処理は、載置台１０３に対してバイアス電力を印加して行われることにより、処理室内壁面の堆積膜の除去を抑制しつつ、ダミーウエハ上の堆積膜を選択的に除去できる。
　上記プラズマ処理の条件として、Ｏ２を３０ｍＬ／ｍｉｎ、Ａｒを１５０ｍＬ／ｍｉｎで供給し、処理室圧力を０．５Ｐａ、マイクロ波電力を４００Ｗ、バイアス電力を５０Ｗ、ソレノイドコイル１０７、１０８、１０９への電流値をそれぞれ２７/２６/９Ａとし、処理時間を２３０ｓｅｃとする。
　図５は、載置台１０３に対してバイアス電力を印加しない場合（バイアス無）と、バイアス電力を印加した状態（バイアス有）とにおいて、ソレノイドコイルの電流値を変化させたときに、それぞれステップ２０４の処理時の炭素化合物の堆積膜に対するエッチングレートを比較して示す図である。具体的には、バイアス無とバイアス有において、ソレノイドコイル１０７、１０８、１０９への電流値を、共通して２７/２６/９Ａと設定し、さらにバイアス有において、ソレノイドコイル１０７、１０８、１０９への電流値を、それぞれ２７/２６/１４Ａ、２７/２７/２７Ａに変更して、エッチングレートを求めた。
　ソレノイドコイル１０７、１０８、１０９への電流値を共通とした場合、バイアス無のエッチングレートは、９２．６４ｎｍ／ｍｉｎであるのに対して、バイアス有のエッチングレートは、１５９．１８ｎｍ／ｍｉｎであり、エッチングはバイアス有の方がより進行することがわかる。したがって、バイアス電力を印加することによりウエハ上の堆積膜を選択的に除去できる。
　また、ソレノイドコイル１０７、１０８、１０９への電流値を変更した場合のエッチングレートを比較したときに、該電流値がそれぞれ２７/２６/９Ａのときは、エッチングレートが、１５９．１８ｎｍ／ｍｉｎであり、また該電流値がそれぞれ２７/２６/１４Ａのときは、エッチングレートが、１６４.７６ｎｍ/ｍｉｎであり、該電流値がそれぞれ２７/２７/２７Ａのときは、エッチングレートが、１７２.３９ｎｍ/ｍｉｎであることから、電流値を大きくするほどエッチングレートが高くなることがわかる。
　ここで、ソレノイドコイル１０９への電流値を増大するにつれて、ステップ２０４においてプラズマが発生する領域が載置台１０３に近づくため、より多くの堆積膜を除去できる。すなわち、ソレノイドコイル１０９への電流値を変更することにより、ステップ２０４における堆積膜の堆積量とエッチング量とを任意に調整することができる。
　本実施形態によれば、処理室内壁面に形成された堆積膜を維持しつつ、載置台上に形成された堆積膜を選択的に除去することにより、処理室内部品の保護を図りつつ異物発生を防ぐことができる。それにより、載置台上に堆積膜が形成されることに起因して発生しうる搬送系の汚染を防ぐことができる。また、ダミーウエハ上の堆積膜を除去することによりダミーウエハの再利用が可能になるため、ダミーウエハにかかるコストを低減できる。
（変形例）
　なお、本発明は、ダミーウエハを載置台上に載置しない場合でも（すなわち図４のステップ２０１，２０５がなくても）、実現可能である。より具体的には、ダミーウエハを載置台上に載置しない場合、ステップ２０３にて載置台に堆積したＣＨｘの堆積膜を、ステップ２０４にて選択的に除去することができる。プラズマ処理の条件により、載置台上におけるＣＨｘの堆積量とエッチング量を釣り合わせることで、載置台に製品ウエハを載置する直前での堆積量をゼロとすることができる。
　本実施形態は、本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。
　１０１　処理室
　１０２　ウエハ
　１０３　載置台
　１０４　マイクロ波透過窓
　１０５　導波管
　１０６　マグネトロン
　１０７、１０８、１０９　ソレノイドコイル
　１１０　ガス供給配管
　１１１　ウエハ搬入口
　１１２　第一の高周波電源

Claims (7)

  1. 　試料台に載置された試料を処理室内にてプラズマ処理するプラズマ処理方法において、
    　プラズマを用いて前記処理室内の堆積物を除去する第一の工程と、
    　前記第一の工程後、ハイドロフルオロカーボンガスとアルゴン(Ａｒ)ガスの混合ガスを用いて堆積物を前記処理室内に堆積させる第二の工程と、
    　前記第二の工程後、酸素(Ｏ２)ガスとアルゴン(Ａｒ)ガスの混合ガスを用いて前記試料台の堆積物を選択的に除去する第三の工程と、
    　前記第三の工程後、所定の枚数の前記試料をプラズマ処理する第四の工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法。
  2. 　請求項１に記載のプラズマ処理方法において、
    　ダミー用試料が前記第三の工程における前記試料台に載置されていることを特徴とするプラズマ処理方法。
  3. 　請求項２に記載のプラズマ処理方法において、
    　前記ハイドロフルオロカーボンガスは、フッ化メチル(ＣＨ３Ｆ)ガスであることを特徴とするプラズマ処理方法。
  4. 　請求項３に記載のプラズマ処理方法において、
    　高周波電力が前記第二の工程における前記試料台に供給されていることを特徴とするプラズマ処理方法。
  5. 　請求項３に記載のプラズマ処理方法において、
    　高周波電力が前記第三の工程における前記試料台に供給されていることを特徴とするプラズマ処理方法。
  6. 　請求項４に記載のプラズマ処理方法において、
    　高周波電力が前記第三の工程における前記試料台に供給されていることを特徴とするプラズマ処理方法。
  7. 　請求項６に記載のプラズマ処理方法において、
    　前記第一の工程のプラズマは、アルゴン(Ａｒ)ガスと六フッ化硫黄(ＳＦ６)ガスと酸素(Ｏ２)ガスの混合ガスを用いて生成されることを特徴とするプラズマ処理方法。
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