JP2019109499A5 - - Google Patents

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  1. 所定の設計パターンデータにもとづき、フォトマスク基板上に描画を行うことによって、ホール/ドットパターンを含む転写用パターンを備えたフォトマスクとするための、パターン描画方法であって、
    前記フォトマスクを露光することによって被転写体上に得られるホール/ドットパターンのCDが目標値となるように、予め求めた補正値に従って、前記設計パターンデータを補正して、補正パターンデータを得る補正工程と、
    前記補正パターンデータを適用し、描画装置を用いて描画を行う描画工程と、を含み、
    前記描画装置は、前記フォトマスク基板面と平行な面内において、X方向、及び前記X方向に垂直なY方向に対して、CD制御精度が異なる駆動方式によるものであり、
    前記補正工程では、前記設計パターンデータに対し、前記ホール/ドットパターンのCDについて、X方向及びY方向のうち、CD制御精度の高い方向のCDを変更する補正を施すことによって、補正パターンデータを得ることを特徴とする、パターン描画方法。
  2. 所定の設計パターンデータにもとづき、フォトマスク基板上に描画を行うことによって、ホール/ドットパターンを含む転写用パターンを備えたフォトマスクとするための、パターン描画方法であって、
    前記フォトマスクを露光することによって被転写体上に得られるホール/ドットパターンの面積が目標値に等しくなるように、予め求めた補正値に従って、前記設計パターンデータを補正して、補正パターンデータを得る補正工程と、
    前記補正パターンデータを適用し、描画装置を用いて描画を行う描画工程と、を含み、
    前記描画装置は、前記フォトマスク基板面と平行な面内において、X方向、及び前記X方向に垂直なY方向に対して、CD制御精度が異なる駆動方式によるものであり、
    前記補正工程では、前記設計パターンデータに対し、前記ホール/ドットパターンのCDについて、X方向及びY方向のうち、CD制御精度の高い方向のCDを変更する補正を施すことによって、補正パターンデータを得ることを特徴とする、パターン描画方法。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20220090668A (ko) 2020-12-22 2022-06-30 삼성디스플레이 주식회사 임계선폭 오차 관리방법 및 이를 이용한 포토마스크 제조방법

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3437314B2 (ja) * 1995-03-16 2003-08-18 富士通株式会社 位相シフトマスク、パターン形成方法及び半導体装置の製造方法
KR100393227B1 (ko) * 2001-07-21 2003-07-31 삼성전자주식회사 전자빔 리소그래피시 선폭변화를 보정하여 노광하는 방법및 이를 기록한 기록매체
KR100429879B1 (ko) * 2001-09-19 2004-05-03 삼성전자주식회사 포토마스크 제조시 현상 단계에서 발생하는 선폭 변화를보정하여 노광하는 방법 및 이를 기록한 기록매체
CN1258695C (zh) * 2003-07-15 2006-06-07 南亚科技股份有限公司 接触孔洞光学邻近效应修正和掩模及半导体装置制造方法
JP4563101B2 (ja) * 2004-07-30 2010-10-13 大日本印刷株式会社 マスクパターンデータ補正方法
JP2006235515A (ja) * 2005-02-28 2006-09-07 Sharp Corp フォトマスクおよび表示パネルの製造方法
US7617475B2 (en) * 2006-11-13 2009-11-10 United Microelectronics Corp. Method of manufacturing photomask and method of repairing optical proximity correction
JP4607139B2 (ja) * 2007-03-19 2011-01-05 株式会社リコー 追記型情報記録媒体及びマスター基板
KR101161919B1 (ko) * 2008-03-28 2012-07-20 호야 가부시키가이샤 다계조 포토마스크 및 그 제조 방법과 패턴 전사 방법
KR20110121462A (ko) * 2010-04-30 2011-11-07 주식회사 하이닉스반도체 컨택홀 패턴의 임계치수(cd) 보정방법
US8736084B2 (en) * 2011-12-08 2014-05-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Structure and method for E-beam in-chip overlay mark
KR101555015B1 (ko) * 2012-12-28 2015-09-22 주식회사 잉크테크 전도성 패턴의 형성방법
TWI575308B (zh) * 2013-05-03 2017-03-21 聯華電子股份有限公司 修正輔助圖案的方法
JP6324044B2 (ja) * 2013-12-03 2018-05-16 キヤノン株式会社 セルのパターンの作成方法、マスクパターンの作成方法、プログラム、情報処理装置、マスク製造方法
JP6189242B2 (ja) * 2014-03-28 2017-08-30 Hoya株式会社 フォトマスクの製造方法、フォトマスク及び表示装置の製造方法

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