TWI710848B - 圖案描繪方法、光罩之製造方法、顯示裝置用之光罩、及顯示裝置之製造方法 - Google Patents

圖案描繪方法、光罩之製造方法、顯示裝置用之光罩、及顯示裝置之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI710848B
TWI710848B TW107143816A TW107143816A TWI710848B TW I710848 B TWI710848 B TW I710848B TW 107143816 A TW107143816 A TW 107143816A TW 107143816 A TW107143816 A TW 107143816A TW I710848 B TWI710848 B TW I710848B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
pattern
hole
correction
photomask
mask
Prior art date
Application number
TW107143816A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201928508A (zh
Inventor
金谷健一
Original Assignee
日商Ｈｏｙａ股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 filed Critical 日商Ｈｏｙａ股份有限公司
Publication of TW201928508A publication Critical patent/TW201928508A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI710848B publication Critical patent/TWI710848B/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/76—Patterning of masks by imaging
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/76—Patterning of masks by imaging
    • G03F1/78—Patterning of masks by imaging by charged particle beam [CPB], e.g. electron beam patterning of masks

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本發明之課題在於：於製造最終製品即電子器件(例如顯示裝置)時，減少圖案CD(Critical Dimension，臨界尺寸)之變動，獲得穩定之良率或生產效率。
本發明之圖案描繪方法包含：修正步驟，其根據預先求出之修正值修正設計圖案資料，而獲得修正圖案資料，以使藉由將光罩曝光而於被轉印體上獲得之孔/點圖案之CD與目標值相等；及描繪步驟，其應用修正圖案資料，使用描繪裝置進行描繪。描繪裝置係利用以下之驅動方式者：於與光罩基板面平行之面內，對於X方向、及垂直於X方向之Y方向，CD控制精度不同。於修正步驟中，對於設計圖案資料，針對孔/點圖案之CD，實施變更X方向及Y方向中CD控制精度較高之方向之CD的修正，藉此獲得修正圖案資料。

Description

圖案描繪方法、光罩之製造方法、顯示裝置用之光罩、及顯示裝置之製造方法
本發明係關於一種可有用地應用於用以製造電子器件之光罩，尤其是用以製造以液晶顯示面板(LCD，Liquid Crystal Display)、或有機EL(Electro Luminescence：電致發光)顯示器(OLED，Organic Light Emitting Diode：有機發光二極體)等為代表之顯示裝置之光罩的光罩之製造方法、及該製造方法中使用之圖案描繪方法。
於專利文獻1(以下稱為文獻1)記載有於製造光罩時，修正顯影階段中產生之圖案線寬變化而曝光之方法。該曝光方法包含以下階段：藉由具有特定線寬之測試圖案於光罩基板上形成測定圖案；將光罩基板上之區域分割成網格，對各網格測定上述測定圖案之線寬，決定測定之線寬與上述測試圖案之線寬之差即圖案線寬變化量△CD；作成表示與任意決定之基準網格之距離為r之網格中上述測定之圖案線寬變化量△CD(r)相對於上述距離r之分佈的圖表；自上述圖表預測與上述基準網格之距離為x之光罩基板上 之任意點中圖案線寬變化量△CD(x)；對上述光罩基板上之各點修正圖案線寬資料，以使上述預測之圖案線寬變化量△CD(x)為負之區域之圖案線寬變寬，上述預測之圖案線寬變化量△CD(x)為正之區域之圖案線寬變窄；及將針對上述光罩基板上之各點修正之圖案線寬資料應用於曝光裝備。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2003-107665號公報
根據文獻1，於製造半導體裝置製造用之光罩時，可補償顯影階段中產生之圖案線寬變化而提高圖案線寬之均一度。
然而，根據本發明者之研究，除製造光罩時於顯影階段中產生之圖案線寬變化外，還有使圖案線寬(即CD：Critical Dimension，臨界尺寸)變動之要因。例如，於製造光罩之過程中，有因描繪裝置而產生之CD誤差，或，於使用光罩於被轉印體上將圖案曝光之階段或曝光後之圖案之顯影等各個階段，皆有發生CD變化之要因。因此，僅以文獻1之方法，不容易藉由光罩之曝光而獲得優異之器件(顯示裝置等)。
因此，本發明以於製造最終製品即電子器件(例如顯示裝置)時，減少 圖案CD之變動，而獲得穩定之良率或生產效率為課題而完成了本發明。
(第1態樣)
本發明之第1態樣係一種圖案描繪方法，其特徵在於其係基於特定之設計圖案資料，於光罩基板上進行描繪，藉此形成具備包含孔/點圖案之轉印用圖案的光罩者，且包含以下步驟：修正步驟，其係根據預先求出之修正值修正上述設計圖案資料，獲得修正圖案資料，以使藉由將上述光罩曝光而於被轉印體上獲得之孔/點圖案之CD與目標值相等；及描繪步驟，其應用上述修正圖案資料，使用描繪裝置進行描繪；且上述描繪裝置係利用以下之驅動方式者：於與上述光罩基板面平行之面內，對於X方向、及垂直於上述X方向之Y方向，CD控制精度不同，於上述修正步驟中，對於設計圖案資料，針對上述孔/點圖案之CD，實施變更X方向及Y方向中CD控制精度較高之方向之CD的修正，藉此獲得修正圖案資料。
(第2態樣)
本發明之第2態樣係如上述第1態樣記載之圖案描繪方法，其中於上述修正步驟中，求出使被轉印體上獲得之孔/點圖案之CD與目標值相等的上述轉印用圖案之孔/點圖案之目標面積，且基於上述轉印用圖案之孔/點圖案之目標面積，對於上述設計圖案資料，針對上述孔/點圖案之CD，實施變更X方向及Y方向中CD控制精度較高之方向之CD的修正，藉此獲得修正圖案資料。
(第3態樣)
本發明之第3態樣係一種圖案描繪方法，其特徵在於其係基於特定之設計圖案資料，於光罩基板上進行描繪，藉此形成具備包含孔/點圖案之轉印用圖案的光罩者，且包含以下步驟：修正步驟，其係根據預先求出之修正值修正上述設計圖案資料，獲得修正圖案資料，以使藉由將上述光罩曝光而於被轉印體上獲得之孔/點圖案之面積與目標值相等；及描繪步驟，其應用上述修正圖案資料，使用描繪裝置進行描繪；且上述描繪裝置係利用以下之驅動方式者：於與上述光罩基板面平行之面內，對於X方向、及垂直於上述X方向之Y方向，CD控制精度不同，於上述修正步驟中，對於設計圖案資料，針對上述孔/點圖案之CD，實施變更X方向及Y方向中CD控制精度較高之方向之CD的修正，藉此獲得修正圖案資料。
(第4態樣)
本發明之第4態樣係如上述第3態樣記載之圖案描繪方法，其中上述修正步驟求出上述被轉印體上之孔/點圖案之目標面積，基於上述被轉印體上之孔/點圖案之目標面積，求出上述轉印用圖案之孔/點圖案之目標面積，基於上述轉印用圖案之孔/點圖案之目標面積，對於上述設計圖案資料，針對上述孔/點圖案之CD，實施變更X方向及Y方向中CD控制精度較高之方向之CD的修正，藉此獲得修正圖案資料。
(第5態樣)
本發明之第5態樣係如上述第1至第4態樣中任一態樣記載之圖案描繪 方法，其中上述描繪裝置為使用雷射射束進行描繪之雷射描繪裝置。
(第6態樣)
本發明之第6態樣係如上述第1至第4態樣中任一態樣記載之圖案描繪方法，其中上述轉印用圖案中之孔/點圖案之X-CD及Y-CD未達將上述光罩曝光之曝光裝置之解像臨界尺寸。
(第7態樣)
本發明之第7態樣係如上述第1至第4態樣中任一態樣記載之圖案描繪方法，其中上述轉印用圖案中之孔/點圖案之X-CD及Y-CD未達3μm。
(第8態樣)
本發明之第8態樣係如上述第1至第4態樣中任一態樣記載之圖案描繪方法，其中上述描繪裝置於進行沿X方向雷射射束以固定之發送寬送出之動作後，沿Y方向進行固定寬之照射動作，並交替重複該等動作，藉此於光罩基板上進行描繪。
(第9態樣)
本發明之第9態樣係如上述第1至第4態樣中任一態樣記載之圖案描繪方法，其中上述修正步驟將以使上述設計圖案資料所含之孔/點圖案之面積、與上述光罩基板上之孔/點圖案之面積相等之方式求出的CD修正值置換為上述設計圖案資料之CD，而獲得修正圖案資料。
(第10態樣)
本發明之第10態樣係如上述第1至第4態樣中任一態樣記載之圖案描繪方法，其具有於上述修正步驟之前，獲得使用上述描繪裝置進行圖案描繪而成之預備遮罩的步驟、及藉由上述預備遮罩之X-CD及Y-CD而掌握上述修正值的修正值掌握 步驟。
(第11態樣)
本發明之第11態樣係一種光罩之製造方法，其包含如上述第1至第4態樣中任一態樣記載之圖案描繪方法。
(第12態樣)
本發明之第12態樣係一種光罩，其特徵在於其係具備包含複數個孔/點圖案之轉印用圖案者，且上述轉印用圖案中之複數個孔/點圖案之X-CD及Y-CD未達3μm，上述轉印用圖案中之複數個孔/點圖案包含孔/點圖案群，其等具有X-CD互不相同，且彼此面積相等之四角形狀。
(第13態樣)
本發明之第13態樣係一種顯示裝置之製造方法，其包含：準備如上述第12態樣記載之光罩之步驟，及使用光學系統之數值孔徑為0.08~0.20之曝光裝置，將上述轉印用圖案轉印至被轉印體上。
(第14態樣)
本發明之第14態樣係一種顯示裝置之製造方法，其特徵在於其係包含藉由將基於特定之設計圖案資料形成之光罩曝光而將光罩之轉印用圖案轉印至被轉印體上者，且包含以下步驟：修正步驟，其係根據預先求出之修正值修正上述設計圖案資料，獲得修正圖案資料，以使藉由將上述光罩曝光而於被轉印體上獲得之孔/點圖案之CD與目標值相等；描繪步驟，其應用上述修正圖案資料，使用描繪裝置對光罩基板進 行描繪；對上述光罩基板實施顯影及蝕刻，形成具有上述轉印用圖案之光罩之步驟；及藉由曝光裝置將上述光罩曝光，而於被轉印體上形成孔/點圖案之步驟；且上述轉印用圖案中之孔/點圖案之X-CD及Y-CD未達3μm，於上述修正步驟中，對於上述設計圖案資料中之上述孔/點圖案之CD，實施變更X方向及Y方向中上述描繪裝置之CD控制精度較高之方向之CD的修正，藉此獲得修正圖案資料。
(第15態樣)
本發明之第15態樣係如上述第14態樣記載之顯示裝置之製造方法，其具有於上述修正步驟之前，獲得具備使用上述描繪裝置進行描繪之預備轉印用圖案之預備遮罩的步驟；及藉由使用上述預備遮罩由上述曝光裝置進行曝光，而形成於被轉印體上之上述孔/點圖案之CD，而掌握上述修正值的修正值掌握步驟。
藉由應用本發明，確實地進行光罩描繪所用之設計圖案資料之修正，並將修正後之光罩曝光，藉此提高於被轉印體(即，用以製造器件之被加工體)上獲得之轉印圖像之CD精度。
CD:線寬(臨界尺寸)
W1:設計尺寸
X:方向
X-CD:X方向之CD
Y:方向
Y-CD:Y方向之CD
圖1(a)係具有孔圖案之二元遮罩之俯視概略圖，圖1(b)及(c)係顯示針 對X方向、及與X方向垂直之Y方向之CD，測定遮罩上之CD相對於正方形之孔圖案之設計尺寸的誤差，並加以繪製之圖。
圖2係模式性顯示雷射描繪裝置之雷射射束之發送動作之圖。
圖3係顯示Y方向之圖案的CD控制狀態的圖。
圖4係顯示X方向之圖案的CD控制狀態的圖。
圖5(A)~(C)係顯示作為模擬對象之遮罩圖案之例之圖。
圖6(a)~(d)係於將圖5所示之遮罩圖案曝光時形成於被轉印體上之空間圖像，且係在與圖5之各遮罩圖案所示之虛線對應之位置上假想性切斷之被轉印體上的空間圖像。
圖7係顯示對各尺寸之孔圖案改變X-CD、Y-CD時之轉印圖像中之X-CD之變動量的圖。
圖8(a)~(d)係顯示光學模擬結果之圖。
當前於顯示裝置領域中，強烈要求像素之微細化、高積體化，又，期望為更明亮且省電力，同時期望高速顯示、廣視角之顯示性能提高。
例如，說到上述顯示裝置所用之薄膜電晶體(Thin Film Transisto：TFT)，若構成TFT之複數個圖案中形成於層間絕緣膜之接觸孔未確實地發揮連接上層及下層圖案之作用，則不保證正確之動作。另一方面，例如為了儘量地擴大液晶顯示裝置之開口率，成為明亮、省電力之顯示裝置，而要求充分地縮小接觸孔之徑(CD)等，且伴隨顯示裝置之高密度化之要求，亦期望孔圖案之徑之微細化(例如未達3μm)。例如，需要徑為0.8μm 以上且未達3μm之微細之孔圖案，故尋求穩定且效率良好地形成此之技術。
然而，與顯示裝置相比，於積體度較高且圖案之微細化顯著進展之半導體裝置(LSI，Large Scale Integration：大型積體電路)製造用光罩領域中，為了獲得高解像性，有推薦對曝光裝置應用高數值孔徑NA(Numerical Aperture)(例如超過0.2)之光學系統並使曝光用光短波長化的情況。其結果，於該領域中，多使用KrF或ArF之準分子雷射(分別為248nm、193nm之單一波長)。用以製造光罩之描繪裝置亦採用EB(Electron Beam，電子射束)描繪裝置。
另一方面，於顯示裝置製造用之微影技術領域中，一般不應用如上所述之方法來提高解像性。例如，該領域中使用之曝光裝置具有之光學系統之NA(數值孔徑)為0.08~0.2左右。又，曝光光源亦多使用i線、h線、或g線，藉由使用主要包含該等之寬波長光源，而獲得用以照射大面積(例如，一邊為300~2000mm之四邊形)之光罩之光量，故而強烈傾向於重視生產效率或成本。
於該狀況下，在製造顯示裝置時如上所述對圖案之微細化要求提高。此處，將半導體裝置製造用之技術直接應用於顯示裝置之製造仍存在若干問題。例如，技術上難以轉換至具有高NA(數值孔徑)之高解像度之曝光裝置，且需更大之投資。又，關於曝光波長之變更(例如如半導體製造裝置般以單一波長使用如ArF準分子雷射之短波長)，若應用於具有大面 積之顯示裝置，則除生產效率降低以外，就需要大量投資之方面亦不佳。即，顯示裝置製造用光罩之問題點在於無法在追求先前沒有之微細化的同時保證既存之優勢即成本或效率。
顯示裝置製造用之曝光裝置多數情況下可解像之圖案(圖例孔圖案)之臨界尺寸為3μm左右。另一方面，作為顯示裝置製造用之光罩，有要求具有3μm左右之尺寸、或低於此之未達3μm之CD之孔/點圖案之情形。因此，即使為曝光裝置不保證之微細CD，亦尋求細緻地轉印之方法。
[CD修正之必要性]
於製造顯示裝置時，強烈要求以特定之尺寸穩定地形成CD(Critical Dimension：以下意指圖案寬而使用)較小之孔圖案或點圖案。另一方面，因將光罩曝光而使形成於被轉印體(顯示面板基板等)上之該等圖案之尺寸會與設計不一樣，而其變動之要因則有若干種存在。
例如，於光罩之製造步驟中，有光罩具備之孔圖案或點圖案之CD偏離設計值之情形。
以下，主要以形成孔圖案之情形為例進行說明，但本發明不僅可應用於孔圖案亦可應用於點圖案。與此相關聯，於本說明書中將「孔圖案或點圖案」簡化記載為「孔/點圖案」。
於製造光罩時，首先，基於欲獲得之器件(顯示裝置等)之設計，進行 光罩之設計而作成描繪用圖案資料(設計圖案資料)。接著，使用該設計圖案資料，由描繪裝置於光罩基板上進行描繪。光罩基板可為於透明基板上形成有用以形成光罩圖案之光學膜(遮光膜等)及光阻膜的光罩基底，或亦可為對積層之光學膜之局部進行圖案化後，為了進行進一步之圖案化而形成光學膜或光阻膜而成的光罩中間體。進行描繪後之該等光罩基板被送至顯影步驟。以藉由顯影形成之光阻圖案作為蝕刻遮罩，進行光學膜之圖案化，藉此獲得具備轉印用圖案之光罩。理想而言，獲得之光罩之設計應成為忠實反映設計圖案資料者，且光罩上之圖案CD應與設計圖案資料所示者一致。
然而，隨著處理圖案之微細化，於測定獲得之光罩之CD時，有於測定之CD與設計圖案資料之CD間發生偏移之情況。作為其原因包含有例如於自描繪裝置具備之雷射振盪器分割之複數個雷射射束存在輸出之個體差異之情形、或於雷射頭之驅動中發生細微之變動等各種原因，但其中包含具有再現性而以相同之傾向發生之CD誤差。
於此種情形時，認為只要預先使用特定之設計圖案資料進行描繪，作成預備遮罩，進行形成之轉印用圖案之CD測定，藉此掌握CD誤差傾向，並反映該CD誤差傾向地修正實際欲獲得之光罩之設計圖案資料，則可獲得如設計之光罩(案例1：遮罩CD不良之情形)。
再者，於使用光罩藉由曝光裝置於被轉印體(顯示器面板基板等)上進行圖案轉印之情形時，有於獲得之轉印圖像上產生與目標CD之誤差之情 形。即使於使用之光罩具備之轉印用圖案中未發生CD誤差時，亦有發生此種案例之情形(案例2：面板CD不良之情形)。
作為案例2之原因，有例如於曝光前形成於被轉印體上之光阻膜之膜厚發生面內分佈之情形、或於顯影過程中顯影液之供給發生面內不均之情形等時，有因被轉印體上之位置，引起本應相同之CD出現偏差之情形。尤其，顯示裝置用之基板(母玻璃等)因尺寸較大(一邊超過1000mm~3000mm等)、光阻劑塗布裝置或顯影裝置之構造或濕處理之液流等無法完全避免面內之處理條件變得不均一。
再者，將光罩曝光時使用之曝光裝置亦有因裝置構成上之原因而發生面內之光量分佈之情形。
即使於如上所述之處理條件、曝光條件之面內不均一，認為只要使用相同之裝置，則對於具有再現性而顯現之CD誤差，可藉由掌握其傾向，並採取用以降低誤差之方法來減少影響。具體而言，可推測較為有效的是：使因該等面內不均一之要因而產生之轉印圖像之CD不均一化預先反應到光罩之圖案資料，並進行抵銷因該等不均一產生之CD之增加、減少之傾向的修正。
[關於CD修正之難度]
因此，例如於光罩製造過程中，考慮因該描繪裝置引起之CD誤差。於進行預先形成之光罩之CD測定，且該CD與設計圖案資料之CD不同之 情形時，由於預先抵銷該CD誤差，故應可修正設計圖案資料之CD。例如，基於光罩之CD測定之結果，認為若光罩上之孔圖案之X-CD(將X方向之CD稱為X-CD)過大，則進行使設計圖案資料中對應之孔圖案之X-CD減少之修正，或，若Y-CD(將Y方向之CD稱為Y-CD)過小，則進行使設計圖案資料中對應之Y-CD增加之修正即可。然而，根據本發明者之檢討，此種設計圖案資料之修正亦產生未必能獲得滿意結果之情形。
[描繪之X-CD、Y-CD之控制性差異]
以下，以具有孔圖案作為轉印用圖案之光罩為例進行說明。光罩具有之孔圖案(此處亦稱為遮罩孔圖案)有用地用作例如用以於被轉印體上形成接觸孔之轉印用圖案。且，該圖案係由於近來高精細之顯示裝置而微細化之傾向更明顯。
另一方面，作為微細之CD舉出例如具有未達光罩曝光用之曝光裝置之解像臨界尺寸之尺寸的圖案。生產具有此種微細圖案之顯示器件之案例不在少數。若為具有此種CD之圖案，則於光罩製造上產生困難，且難以於光罩上形成具有如設計之正確尺寸的圖案。
另，曝光裝置之解像臨界尺寸R根據以下之式定義。
R=k×(λ/NA)
係數k為常數，此處設為0.61。又，λ為曝光所用之光之波長。於使用包含例如i線、h線、g線等複數個波長之光(亦稱為寬波長光)之情形時，作為波長λ，使用複數個波長之平均值(考慮到所含之波長之光強度之 加權平均)。或，亦可簡單地以代表波長(例如i線)為波長λ。又，NA為曝光裝置之投影光學系統之遮罩側之數值孔徑。
如此，於光罩製造之過程中，作為難以形成如設計之轉印用圖案之背景與以下情況有關：隨著圖案微細化之傾向，對於描繪圖案時使用之描繪裝置而言，CD精度並無餘裕。
因此，本發明者就光罩具有之CD精度進行驗證。此處，於欲在光罩上形成正方形之孔圖案(挖空圖案)以便於被轉印體上形成孔圖案之情形時，就其CD控制性進行檢討。
準備於包含透明材料之基板上，成膜Cr系之遮光膜，且進而於其表面形成正型光阻膜之光罩基底。接著，使用雷射描繪裝置，對光阻膜描繪複數個一邊為設計尺寸W1(μm)之正方形之孔圖案。此處，使W1自5.5μm逐漸減小，且變化至大約1.0μm。
描繪後，藉由以顯影形成光阻圖案，進而以該光阻圖案為遮罩，對遮光膜進行濕蝕刻而製作於光罩基板上具有孔圖案之二元遮罩(圖1(a))。
接著，測定所形成之二元遮罩之孔圖案之尺寸。即，圖1(b)及(c)為針對X方向、及與其垂直之Y方向之CD(分別稱為X-CD、Y-CD)，測定二元遮罩上之CD相對於正方形之孔圖案之設計尺寸之誤差，並加以繪製者。
圖1(b)、(c)皆係隨著作為設計尺寸之CD自5.5μm減小，二元遮罩之X-CD及Y-CD之誤差向負側發生變化，進而自作為設計尺寸之CD低於3μm之附近開始，二元遮罩之CD誤差量之絕對值急遽增大。
另一方面，上述舉動在X-CD與Y-CD間不同。Y-CD之誤差量之變化描繪出順滑之曲線，相對於此，X-CD之誤差量之變化可見不規則之凹凸。若與Y-CD相比，則可知X-CD之誤差量之變化不穩定，且難以預測。
此時使用之描繪裝置為雷射描繪裝置，且於沿X方向以固定之發送寬送出雷射射束之動作後，沿Y方向進行固定寬之照射動作，藉由交替重複該等動作而於光罩基板上進行描繪。即，可知形成於光罩上之圖案之CD精度根據描繪裝置之驅動機制，在X方向與Y方向之CD控制性上出現差異。
圖2係模式性顯示上述描繪裝置之射束之發送動作。此處，顯示以下狀況：重複將特定射束徑(此處顯示單射束描繪機之情形)之雷射射束以特定之發送寬沿X方向送出，隨後沿Y方向以特定之寬進行掃描之動作，且於描繪區域整體進行描繪。另，該等動作可僅藉由出射雷射射束之雷射頭之移動而實現，又，亦可藉由移動與載置有光罩基板之載台移動之相對位置而實現上述動作。
於圖3、4顯示X、Y各個方向之圖案之CD控制狀況。圖案之Y-CD可 藉由接通/斷開(ON/OFF)雷射光束之電源而控制(圖3)。另一方面，X-CD藉由雷射射束之排列寬(及視需要調整端部之雷射射束之功率)而控制(圖4)。即，由於X-CD與Y-CD之控制方法不同，故控制精度亦出現差異。若與圖1(b)、(c)之結果綜合研究，則可推定於該描繪裝置中，與X-CD之控制相比，Y-CD之控制精度更高，於在圖案資料上進行CD修正之情形時，可將再現性較佳，且與目標一樣之修正值反映到描繪，而獲得特定之效果。
又，於上文中，對沿X方向以固定之發送寬送出雷射射束之動作後，一面沿Y方向進行固定寬之掃描，一面照射雷射光，且藉由交替地重複該等動作而描繪之描繪裝置進行了說明，但未必限定於該方式。例如，雷射射束之照射動作除對沿Y方向延伸之固定寬之區域一面掃描一面接通/斷開照射之動作(掃描動作)外，亦可對該固定寬之區域，進行伴隨功率調整之統一照射之動作(單發照射)。又，不限定於雷射，其他之能量射束(例如LED(Light Emitting Diode：發光二極體)等)係只要可獲得本發明之效果，則皆可應用稍後敘述之本發明。
再者，於上文中，對單射束進行了說明，但於使複數(多)個射束動作而進行描繪之描繪裝置中，亦有X方向之CD控制精度與Y方向之CD控制精度出現差異之情形，於該情形時當然亦可應用本發明。
[光罩上之CD與被轉印體上之CD之相關性]
然而，於被轉印體上形成之圖案CD在面內顯示不均一之CD誤差之情 形時，採用針對每個出現CD誤差之圖案，於用以製造光罩之圖案資料中進行適當之CD修正以消除該不良的方法。因此，於使光罩之X-CD、Y-CD變化特定量之情形時，形成於被轉印體上之空間圖像(光強度分佈)如何變化、且轉印至被轉印體上之圖案之CD發生何種變化，就此進行光學模擬予以檢討。
於圖5顯示作為模擬對象之遮罩圖案之例。一般於被轉印體上形成接觸孔等孔圖案時將孔圖案之形狀設為正方形。此處，準備將被轉印體上之光阻劑設為正型，且具有正方形之挖空圖案(A)之光罩，並將其徑(1邊之長度)設為10μm(參考例1)、及2.0μm(參考例2)。
(B)係對上述2個正方形圖案(A)，將X-CD增加0.025μm者(分別為參考例3、4)。
(C)係對上述2個正方形圖案(A)，將Y-CD增加0.025μm者(分別為參考例5、6)。
於圖5中，X及Y意指於光罩面內相互垂直之方向，且與關於圖1、圖2中說明之描繪裝置之驅動方向之X、Y方向無關。
應用之模擬條件如下。
曝光裝置之光學系統：NA=0.08，同調因子σ=0.7
曝光波長設為包含g線、h線、i線之寬波長光，且其強度比g：h： i=1：1：1。
於圖6顯示將圖5所示之遮罩圖案曝光時形成於被轉印體上之空間圖像。另，該空間圖像為在與圖5之各圖案所示之虛線對應之位置假想性切斷之被轉印體上的空間圖像(光強度分佈)。
根據圖6明確以下之點。於CD相對較大時(圖6之(a)、(b))，遮罩上之CD變化相對忠實地反映到被轉印體上之空間圖像。此處，遮罩之X-CD之增加表現為空間圖像中之X方向之CD增加。遮罩上之Y-CD之增加未影響空間圖像之X方向之CD。
另一方面，若孔CD之絕對值減小且未達曝光裝置之解像臨界尺寸(圖6(c)、(d))，則即使於遮罩上增加X-CD或增加Y-CD，於顯現出之空間圖像中，X方向之CD亦大致相同地增加。於該情形時，可見被轉印體上之空間圖像，比遮罩上之孔圖案具有之X-CD、Y-CD之尺寸，與該孔圖案之面積更具相關性。即，預測面積相同之孔圖案描繪大致相同之空間圖像，藉此，可預測只要不加上光罩以外之要因，則被轉印體上獲得之孔/點圖案之CD大致相同。
此時，形成於被轉印體上之轉印圖像係由於產生無法忽略之程度之光繞射之影響，故即使於遮罩上為四角形之圖案，角亦帶有弧度而接近圓形。因此，於該級別之微細之CD中，被轉印之孔圖案之CD進行X-CD、Y-CD區分之意義不深，且接近近似之圓之直徑。於該情形時，有時將形 成於被轉印體上之孔/點圖案之X-CD、Y-CD之平均值簡稱為CD。
根據圖7，可更明確地理解該現象。此處，顯示以下者：對具有正方形(X-CD=Y-CD)之孔圖案，且一邊為1.5~10μm之6種孔圖案之光罩，分別進行僅對X-CD(柱狀圖左側)或僅對Y-CD(柱狀圖右側)增加0.025μm之修正時，形成於被轉印體上之孔圖案之X-CD變動量。此處，隨著X-CD、Y-CD減小，藉由提高於此相應之曝光用光之照射光量，而於被轉印體上形成目標CD(此處為與光罩上同樣之1.5~10μm之各CD)之孔圖案。
另，於圖7中，X及Y意指光罩面內、及被轉印體之面內相互垂直之方向，且與關於圖1、圖2中說明之描繪裝置之驅動方式之X、Y方向無關。
據此，於CD相對較大之情形時，遮罩上之X-CD之修正反映到被轉印體上之X-CD。另一方面，隨著CD微細化，遮罩上僅對X-CD之修正、僅對Y-CD之修正皆成為使被轉印體上之X-CD變化之要因。尤其，可知於具有低於3μm之CD之情形時，該傾向更明顯，當變為2μm以下之CD時，遮罩上之X-CD之修正、對Y-CD之修正皆對被轉印體上之轉印圖像之X-CD大致同樣地發揮作用。又，此處，轉印圖像中之CD變化量增大且超過X-CD之修正量(0.025μm)。其係意指受到隨著圖案變得微細，被轉印體上之CD差相對於遮罩上之CD差擴大之現象(MEEF：Mask Error Enhancement Factor(遮罩錯誤增強因子)增加)之影響。
根據上文，可知於修正光罩之設計圖案資料之情形時，無須將修正量均等地分配至X-CD與Y-CD，且與修正前同樣地設為正方形之圖案。又，基於圖1之見解，可明確當然對CD精度之控制性較佳之方向(根據上述描繪裝置為Y-CD方向)進行修正更有利。此係由於若根據X-CD之描繪精度判斷，則CD誤差之再現性亦較低，且於進行X-CD修正時，有修正後發生新的CD誤差之風險。考慮到該點，期望不對X-CD進行修正，而儘量僅利用Y-CD之修正使被轉印體上之轉印圖像之CD精度提高。
其結果，於修正圖案資料，除無修正之正方形圖案外，還包含有僅對描繪精度較高之方向實施CD修正之結果，即X-CD彼此互不相同(Y-CD彼此固定)、或Y-CD彼此互不相同(X-CD彼此固定)之複數個四角形(長方形)之圖案資料。接著，使用該修正圖案資料進行描繪，獲得之光罩包含彼此形狀不同，但彼此面積相等之孔/點圖案群。即，包含有1組以上之彼此X-CD不同(因而Y-CD不同)且面積相等之四角形狀之孔/點圖案之組合，亦將其稱為同一面積之孔/點圖案群。
根據該結果，可判明以下情況。即，於對光罩之設計圖案實施CD修正時，考慮到描繪裝置之構造，較為有效的是：僅修正X-CD及Y-CD中CD控制精度較高之CD。根據該方法，可於光罩上獲得具有所需面積，且同一面積之孔/點圖案群，藉由將該光罩曝光，容易得到用以於被轉印體上獲得具有如設計之CD之孔/點圖案的修正效果。
此處，CD控制性較高之CD可藉由預先掌握描繪裝置之控制性之傾向 而決定。
另，光罩於描繪裝置之CD控制未必限定於圖3、圖4記載者，於在X-CD與Y-CD之間控制精度出現差異之描繪裝置中，亦可進行與上述同樣之研究。
作為CD控制性較高之方向之進而定量之判斷方法，就圖1(b)及(c)所示之曲線，針對未見到CD誤差量朝負方向降低之2.5μm以上之設計尺寸，分別算出CD誤差量之標準偏差，並將標準偏差較小者設為CD控制性較高之方向。於圖1中，明顯Y方向(圖1(c))之標準偏差較小。
又，亦可對各個設計尺寸中之CD誤差量，使用近似曲線進行最小平方擬合，分別算出近似曲線與CD誤差量之差之標準偏差，並將標準偏差較小者設為CD控制性較高之方向。
此種修正方法對遮罩圖案之X-CD或Y-CD(較佳為X-CD及Y-CD)接近曝光裝置之解像臨界尺寸R之微細圖案應用時特別有效。於顯示裝置製造用之投影曝光裝置中，一般解像臨界尺寸R如下。此處，係數k可應用0.061。又，由於NA之值可設為0.08以上(更具體而言為0.08~0.2)，故認為3.0μm左右為解像臨界尺寸，概略而言可將未達3.0μm以未達解像臨界尺寸處理。若將來NA之值提高(例如變為0.1~0.2左右之情形等)，則由於解像臨界尺寸R之值亦變化，故成為應用本發明之對象之孔/點圖案之CD可能變化，但仍可同樣地應用本發明之方法。
R=k*λ/NA
例如，於上述之例中，由於描繪裝置之Y-CD之控制精度高於X-CD之控制精度，故較佳藉由僅修正遮罩圖案之Y-CD而成為具有所需面積之孔/點圖案之光罩。此處，所需面積係指為了於被轉印體上形成具有期望之CD之孔/點圖案而作為光罩上之孔/點圖案所需之面積。又，於為了獲得上述所需之面積而僅修正Y-CD，而導致Y-CD之值超過上述R(例如3.0μm)之情形時，可將Y-CD設為未達R，並藉由X-CD之修正僅補足用以滿足上述所需面積之CD之不足量。
具體而言，為顯示裝置製造用之光罩，且形成於光罩上之轉印用圖案之X-CD及Y-CD未達上述R之情形時，較佳應用本發明，又，於該轉印用圖案具有孔/點圖案之情形時，可有利地應用本發明。作為具體之例，於X-CD及Y-CD未達3μm之情形時，效果較為顯著。又，X-CD及Y-CD較佳為0.8μm以上。X-CD及Y-CD更佳為1.0~2.5μm，進而較佳為1.5μm~2.5μm。
使用此種轉印用圖案，可於被轉印體上獲得CD(X-CD及Y-CD)為1.0~4.0μm左右之轉印圖像。換言之，於欲在被轉印體上獲得之孔/點圖案之CD為1.0~4.0μm時，可較佳地應用本發明。
又，修正X-CD或Y-CD時之修正幅度(增減量)之較佳範圍為±(0.01~0.15)μm左右。若修正幅度過大，則有光罩上之圖案面積與被轉印體上之空間圖像之相關精度降低之缺點，若過小，則無法充分獲得修正之優點。 只要修正幅度為上述範圍內，則可更細緻地進行遮罩之尺寸修正，且可使被轉印體上獲得之圖案精度更接近期望值。修正幅度之更佳範圍為±(0.01~0.10μm)。
(實施例1)
於圖8顯示光學模擬之結果。
圖8(c)係設想將具有正方形之孔圖案之光罩曝光以於被轉印體(面板)上形成X-CD、Y-CD皆為2.5μm之孔圖案。此處，用於描繪之設計圖案資料係X-CD、Y-CD皆為2.5μm。且，假想將同一尺寸之孔圖案形成於光罩上。
然而，起因於描繪裝置之精度，於所得之光罩(作為預備遮罩)之孔圖案中，X-CD於2.4~2.6μm之範圍內變動。此時，使該預備遮罩曝光，並繪製形成於被轉印體上之光學圖像之X-CD與Y-CD者為圖8(c)。另，預備遮罩具備使用描繪裝置進行描繪之預備轉印用圖案。於圖8之各圖表中，橫軸表示光罩上之X-CD之變動量，縱軸表示形成於被轉印體上之光學圖像中之X-CD(虛線)、Y-CD(實線)的變動量。
於圖8(c)中，儘管預備遮罩上僅X-CD變動，但形成於被轉印體上之光學圖像之X-CD與Y-CD隨著預備遮罩上之X-CD之變動，大致同樣地於約2.35~大約2.6μm之間變動。
接著，對設計圖案資料實施修正。具體而言，算出孔設計值為2.5μm之正方形之面積(2.5×2.5=6.25μm2)，且不變更設計圖案資料之X-CD(保持設計值X-CD=2.5μm)，且根據實際形成於預備遮罩之孔圖案之X-CD求出成為上述面積之Y-CD，並修正設計圖案資料之Y-CD獲得修正圖案資料(修正步驟)。接著，使用如此獲得之修正圖案資料形成光罩。
例如，於預備遮罩上形成X-CD為2.400μm，Y-CD為2.500μm之孔圖案時，該面積為6.000μm2。然而，期望於光罩上獲得具有面積6.25μm2之孔圖案。因此，不使設計圖案資料之與該預備遮罩上之該孔圖案對應的X-CD(=2.50μm)變更，另一方面，將設計圖案資料之Y-CD修正為2.604μm。接著，藉由上述描繪裝置進行描繪(描繪步驟)。
獲得之光罩如設計圖案資料，且除無修正之正方形(X-CD=Y-CD=2.5μm)之孔圖案外，還具有根據X-CD之變動修正Y-CD之長方形之孔圖案。且，該等孔圖案與設計圖案資料中之X-CD、Y-CD不同，但面積相等。又，於設計圖案資料中具有相同之X-CD、Y-CD之孔/點圖案彼此在光罩上之面積亦相等。即，此處，將以使形成於光罩上之轉印用圖案之面積相等之方式求得之CD修正值置換成設計圖案資料之CD，而獲得修正圖案資料。
又，當將該光罩曝光，並將該轉印用圖案轉印至被轉印體上時，於該光學圖像中，獲得X-CD與Y-CD為大致固定之CD(2.5μm±0.05μm)之孔圖案(圖8(d))。可知若使用該方法，可於被轉印體上穩定地形成具有目 標尺寸且具有固定之CD之孔圖案。其係由於只要相對於欲在被轉印體上獲得之目標CD為±0.1μm以內(更佳為±0.05μm)則為允許範圍內之故。
另，欲於被轉印體上形成之孔/點圖案之目標CD與光罩上之X-CD、Y-CD亦可未必相等。於本案說明書中，設計圖案資料為表示光罩上之尺寸者。可根據需要，對形成於被轉印體上之圖案之目標CD，增加(或減少)特定之偏移值，形成光罩之設計圖案資料，並將其設為上述設計圖案資料之X-CD、Y-CD。
另一方面，圖8(a)、(b)係顯示假想以X-CD、Y-CD皆為4.0μm之正方形之孔圖案為設計圖案資料之情形，且進行與上述同樣操作之情形。於圖8(a)顯示光罩上之X-CD於3.9~4.1μm之幅度變動，且Y-CD仍為設計值時，形成於被轉印體上之光學圖像之X-CD及Y-CD。又，算出孔設計值為4.0μm之正方形之面積，且不變更設計圖案資料之X-CD(保持設計值X-CD=4.0μm不變)，且根據實際形成於預備遮罩之孔圖案之X-CD，求出成為與上述面積相等之Y-CD，並修正設計圖案資料之Y-CD。接著，使用如此獲得之修正圖案資料形成光罩。於圖8(b)顯示使用該光罩獲得之被轉印體上之光學圖像之X-CD、Y-CD。
然而，於該尺寸(大於曝光裝置之解像臨界尺寸)時，將光罩曝光而形成於被轉印體上之光學圖像之X-CD、Y-CD與上述實施例1相比，與設計值4.0μm之變動較大。
根據上文，研究於具有未達曝光裝置之解像臨界尺寸之CD之光罩中，求出修正光罩上獲得之孔/點圖案時(對應於上述之案例1)之修正圖案資料的方法。
於將光罩之設計圖案資料中之X-CD設為Xm(des)、Y-CD設為Ym(des)、面積設為Sm(des)，將形成之預備遮罩中之實際X-CD設為Xm(act)、Y-CD設為Ym(act)、面積設為Sm(act)，將修正圖案資料中之X-CD設為Xm(cor)、Y-CD設為Ym(cor)、面積設為Sm(cor)時，可設為Ym(cor)={Sm(des)/Sm(act)}*Ym(act)……(1)。此處，(des)、(act)、(cor)分別意指設計值、實際值、修正值，且Xm(cor)=Xm(des)。
即，於修正遮罩CD不良之情形時，修正CD控制性較高方向之CD(此處為Y-CD)以維持設計圖案資料中之孔/點圖案之面積，並形成修正圖案資料。結果，獲得之轉印圖像大致與設計圖案資料中設為目標者相同。
於掌握修正值之步驟中，可藉由掌握為了獲得預備遮罩而用之預備遮罩用設計圖案資料所含之孔/點圖案、與形成於預備遮罩上之孔/點圖案之彼此面積之相關性而決定CD(此處為Y-CD)之修正量。當然，由於孔/點圖案之面積、與X-CD、Y-CD之各數值有關，故結果為了進行獲得上述(1)式之值，亦可於計算修正值之階段，以任何順序使用任一值來計算。
(實施例2)
於基於欲在被轉印體上獲得之圖案之設計，形成光罩之設計圖案資料，並基於此形成具有轉印用圖案之光罩，且使用曝光裝置轉印圖案之情形時，假想被轉印體上獲得之CD偏離目標值之情形(案例2之情形)。於該情形時，轉印用圖案之X-CD、Y-CD未達曝光裝置之解像臨界尺寸。
於該情形時，為使形成於被轉印體上之轉印圖像之CD與目標值一致，只要於光罩製造步驟中反饋該偏移，使用修正圖案資料，準備新修正後之光罩即可。且，CD與目標值之偏離可為因光罩之CD偏移而引起者，亦可為因曝光過程而引起者，又可為因其兩者而引起者。
且，於該情形時，於作成修正圖案資料時，CD之修正並非使X-CD、Y-CD之值均等變化，而係藉由變更CD控制精度較高者(此處為Y-CD)之值而獲得修正圖案資料。
首先，準備預備遮罩。該預備遮罩為藉由使用預備設計圖案資料之描繪步驟而製造者。
此處，將光罩設計圖案資料中之X-CD設為Xm(des)、Y-CD設為Ym(des)、面積設為Sm(des)，將欲在被轉印體上獲得之圖案之目標X-CD設為Xp(tar)、Y-CD設為Yp(tar)、面積設為Sp(tar)， 將形成之預備遮罩中之實際X-CD設為Xm(act)、Y-CD設為Ym(act)、面積設為Sm(act)，將由曝光裝置曝光預備遮罩，並於被轉印體上獲得之轉印圖像之X-CD設為Xp(act)、Y-CD設為Yp(act)、面積設為Sp(act)，將修正圖案資料中之X-CD設為Xm(cor)、Y-CD設為Ym(cor)、面積設為Sm(cor)。
此處，(tar)意指目標值，Sp(tar)較佳預先自Xp(tar)與Yp(tar)、及圖案形狀(圓或橢圓等)求出。
此時，根據以下之關係式求出Sm(cor)。
Sm(cor)=Sm(act)*{Sp(tar)/Sp(act)}
接著，求出用以滿足該Sm(cor)之修正圖案資料。即，由於遮罩上之圖案為四角形，故Ym(cor)=Sm(cor)/Xm(act)
此處Xm(cor)仍為Xm(des)不變。
即，於形成於被轉印體之圖案之CD偏離目標值之情形時，為了獲得自被轉印體上之目標CD所得之目標面積，必須求出遮罩上之必要面積，並基於此，修正CD控制性較高之方向之CD(此處為Y-CD)，並形成修正圖案資料。
又，伴隨圖案微細化，於無法忽略MEEF之影響之情形時，可將MEEF之值之係數乘以上文中求出之修正量。
於上述說明中，以於被轉印體上形成孔圖案之情形為例，但當然亦可對點圖案應用同樣之方法。
實際之設計圖案資料係於被轉印體(面板)上配置有成為同一孔/點圖案之複數個孔/點圖案。為了獲得本發明之修正圖案資料，較佳對各個孔/點圖案之每一者進行上述計算。其係因為CD偏移之原因有隨光罩面內之位置等而各異之情形之故。
另，於上述實施例2中，亦與實施例1同樣，即使計算之順序不同，只要可獲得相同之結果即可。
本發明不限定於上述之實施例1、實施例2。
本發明進而包含應用上述描繪方法之光罩之製造方法。
本發明進而包含顯示裝置之製造方法，該製造方法包含使用如此製造之光罩將轉印用圖案轉印至被轉印體上。此處，顯示裝置包含用以組入至作為最終製品之顯示裝置之顯示裝置用器件。
作為曝光裝置較有用的是使用具有數值孔徑NA為0.08~0.20、同調 因子σ為0.2~0.7左右之光學系統之投影式等倍曝光裝置，可應用主要作為FPD用曝光裝置而為人所知者。曝光波長較佳使用i線、h線、g線之任一者，亦可使用包含該等全部之寬波長光。
可將轉印用圖案轉印至被轉印體上之正型光阻劑，亦可使用負型光阻劑。又，亦可將被轉印體上之光阻劑設為作為蝕刻遮罩之光阻劑圖案，或，亦可轉印至用以形成立體構造物之感光性樹脂。
應用本發明製造之光罩之用途不特別限制。
例如，作為顯示裝置製造用之光罩，適於用以形成接觸孔之光罩。該光罩尤其可用於形成所謂之孤立孔圖案。再者，亦可形成彩色濾光片之光間隔件等構造物。
該光罩可為所謂之二元遮罩，或，亦可為用以於被轉印體上形成具有複數個殘膜量之立體之光阻劑圖案的多灰階光罩。或，又可為能使用相移膜提高對比度等之相移遮罩。
又，本發明包含根據上述製造方法獲得之光罩。
光罩具有之轉印用圖案具有以下之形狀：包含複數個長方形之孔圖案，於將長方形之長邊尺寸設為X-CD時，上述複數個孔圖案彼此之X-CD互不相同，且面積相同。於將短邊尺寸設為Y-CD時，較佳X-CD及Y-CD 為3μm以下。
或，光罩具有之轉印用圖案具有以下之形狀：包含複數個長方形之點圖案，於將長方形之長邊尺寸設為X-CD時，上述複數個點圖案彼此之X-CD互不相同，且面積相同。於將短邊尺寸設為Y-CD時，較佳X-CD及Y-CD未達3μm。
或，上述轉印用圖案進而具有與上述長方形之孔/點圖案同一面積之正方形之孔/點圖案。
此處，具有複數個面積之圖案為在基於欲獲得之器件之設計的設計圖案資料(即實施修正前之圖案資料)中具有相同之CD(X-CD及Y-CD)之圖案，因此，可為用以在最終之製品中發揮相同功能的圖案。
只要應用本發明之描繪方法、使用其之光罩之製造方法，則可於被轉印體內遍及面內全域將CD誤差量抑制為允許範圍以下，而有助於良率或生產效率。
另，應用本發明之光罩之用途無特別限定。可較佳地應用於使用包含液晶或有機EL之顯示裝置製造用之光罩，製造該等顯示裝置之各個層之情況。
又，光罩可為所謂之二元遮罩，或亦可為包含具有特定透過率之功 能性膜圖案者(多灰階光罩、相移光罩等)。
X-CD:X方向之CD
Y-CD:Y方向之CD

Claims (15)

  1. 一種圖案描繪方法，其特徵在於其係用以基於特定之設計圖案資料，於光罩基板上進行描繪，藉此形成具備包含孔/點圖案之轉印用圖案的光罩者，且包含以下步驟：修正步驟，其係根據預先求出之修正值修正上述設計圖案資料，而獲得修正圖案資料，以使藉由將上述光罩曝光而於被轉印體上獲得之孔/點圖案之CD(Critical Dimension，臨界尺寸)與目標值相等；及描繪步驟，其應用上述修正圖案資料，使用描繪裝置進行描繪；且上述描繪裝置係利用以下之驅動方式者：於與上述光罩基板面平行之面內，對於X方向、及垂直於上述X方向之Y方向，CD控制精度不同，於上述修正步驟中，對於上述設計圖案資料，針對上述孔/點圖案之CD，實施變更X方向及Y方向中CD控制精度較高之方向之CD的修正，藉此獲得修正圖案資料。
  2. 如請求項1之圖案描繪方法，其中於上述修正步驟中，求出使被轉印體上獲得之孔/點圖案之CD與目標值相等的上述轉印用圖案之孔/點圖案之目標面積，且基於上述轉印用圖案之孔/點圖案之目標面積，對於上述設計圖案資料，針對上述孔/點圖案之CD，實施變更X方向及Y方向中CD控制精度較高之方向之CD的修正，藉此獲得修正圖案資料。
  3. 一種圖案描繪方法，其特徵在於：其係用以基於特定之設計圖案資 料，於光罩基板上進行描繪，藉此形成具備包含孔/點圖案之轉印用圖案的光罩者，且包含以下步驟：修正步驟，其係根據預先求出之修正值修正上述設計圖案資料，而獲得修正圖案資料，以使藉由將上述光罩曝光而於被轉印體上獲得之孔/點圖案之面積與目標值相等；及描繪步驟，其應用上述修正圖案資料，使用描繪裝置進行描繪；且上述描繪裝置係利用以下之驅動方式者：於與上述光罩基板面平行之面內，對於X方向、及垂直於上述X方向之Y方向，CD控制精度不同，於上述修正步驟中，對於上述設計圖案資料，針對上述孔/點圖案之CD，實施變更X方向及Y方向中CD控制精度較高之方向之CD的修正，藉此獲得修正圖案資料。
  4. 如請求項3之圖案描繪方法，其中上述修正步驟係求出上述被轉印體上之孔/點圖案之目標面積，基於上述被轉印體上之孔/點圖案之目標面積，求出上述轉印用圖案之孔/點圖案之目標面積，基於上述轉印用圖案之孔/點圖案之目標面積，對於上述設計圖案資料，針對上述孔/點圖案之CD，實施變更X方向及Y方向中CD控制精度較高之方向之CD的修正，藉此獲得修正圖案資料。
  5. 如請求項1至4中任一項之圖案描繪方法，其中上述描繪裝置為使用雷射射束進行描繪之雷射描繪裝置。
  6. 如請求項1至4中任一項之圖案描繪方法，其中上述轉印用圖案中之孔/點圖案之X-CD及Y-CD未達將上述光罩曝光之曝光裝置之解像臨界尺寸。
  7. 如請求項1至4中任一項之圖案描繪方法，其中上述轉印用圖案中之孔/點圖案之X-CD及Y-CD未達3μm。
  8. 如請求項1至4中任一項之圖案描繪方法，其中上述描繪裝置於進行沿X方向雷射射束以固定之發送寬送出之動作後，沿Y方向進行固定寬之照射動作，並交替重複該等動作，藉此於光罩基板上進行描繪。
  9. 如請求項1至4中任一項之圖案描繪方法，其中上述修正步驟將以使上述設計圖案資料所含之孔/點圖案之面積、與上述光罩基板上之孔/點圖案之面積相等之方式求出的CD修正值置換為上述設計圖案資料之CD，而獲得修正圖案資料。
  10. 如請求項1至4中任一項之圖案描繪方法，其具有於上述修正步驟之前，獲得使用上述描繪裝置進行圖案描繪而成之預備遮罩的步驟，及根據上述預備遮罩之X-CD及Y-CD掌握上述修正值的修正值掌握步驟。
  11. 一種光罩之製造方法，其包含如請求項1至4中任一項之圖案描繪方法。
  12. 一種顯示裝置用之光罩，其特徵在於其係具備包含複數個孔/點圖案之轉印用圖案者，且上述轉印用圖案中之複數個孔/點圖案之X-CD及Y-CD未達3μm，上述轉印用圖案中之複數個孔/點圖案包含孔/點圖案群，其等具有X-CD互不相同，且彼此面積相等之四角形狀。
  13. 一種顯示裝置之製造方法，其包含：準備如請求項12之光罩之步驟，及使用光學系統之數值孔徑為0.08~0.20之曝光裝置，將上述轉印用圖案轉印至被轉印體上。
  14. 一種顯示裝置之製造方法，其特徵在於其係包含將基於特定之設計圖案資料形成之光罩曝光而將光罩之轉印用圖案轉印至被轉印體上者，且包含以下步驟：修正步驟，其係根據預先求出之修正值修正上述設計圖案資料，而獲得修正圖案資料，以使藉由將上述光罩曝光而於被轉印體上獲得之孔/點圖案之CD與目標值相等；描繪步驟，其應用上述修正圖案資料，使用描繪裝置對光罩基板進行描繪；對上述光罩基板實施顯影及蝕刻，形成具有上述轉印用圖案之光罩之步驟；及藉由曝光裝置將上述光罩曝光，而於被轉印體上形成孔/點圖案之步 驟；且上述轉印用圖案中之孔/點圖案之X-CD及Y-CD未達3μm，於上述修正步驟中，針對上述設計圖案資料中之上述孔/點圖案之CD，實施變更X方向之X-CD及Y方向之Y-CD中上述描繪裝置之CD控制精度較高之方向之CD的修正，藉此獲得修正圖案資料。
  15. 如請求項14之顯示裝置之製造方法，其具有於上述修正步驟之前，獲得具備使用上述描繪裝置進行描繪之預備轉印用圖案之預備遮罩的步驟、及藉由使用上述預備遮罩由上述曝光裝置曝光，而形成於被轉印體上之上述孔/點圖案之CD，而掌握上述修正值的修正值掌握步驟。
TW107143816A 2017-12-18 2018-12-06 圖案描繪方法、光罩之製造方法、顯示裝置用之光罩、及顯示裝置之製造方法 TWI710848B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017241926 2017-12-18
JP2017-241926 2017-12-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201928508A TW201928508A (zh) 2019-07-16
TWI710848B true TWI710848B (zh) 2020-11-21

Family

ID=67104956

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107143816A TWI710848B (zh) 2017-12-18 2018-12-06 圖案描繪方法、光罩之製造方法、顯示裝置用之光罩、及顯示裝置之製造方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7126925B2 (zh)
KR (1) KR102229514B1 (zh)
CN (1) CN110007555B (zh)
TW (1) TWI710848B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220090668A (ko) 2020-12-22 2022-06-30 삼성디스플레이 주식회사 임계선폭 오차 관리방법 및 이를 이용한 포토마스크 제조방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008234752A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Ricoh Co Ltd 追記型情報記録媒体及びマスター基板
CN103165582A (zh) * 2011-12-08 2013-06-19 台湾积体电路制造股份有限公司 用于电子束芯片中重叠标记的结构和方法
TW201443555A (zh) * 2013-05-03 2014-11-16 United Microelectronics Corp 修正輔助圖案的方法
TW201523124A (zh) * 2013-12-03 2015-06-16 Canon Kk 圖案產生方法、記錄媒體、資訊處理設備、以及光罩製造方法
CN104919572A (zh) * 2012-12-28 2015-09-16 印可得株式会社 导电图案的形成方法、导电膜、导电图案及透明导电膜

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3437314B2 (ja) * 1995-03-16 2003-08-18 富士通株式会社 位相シフトマスク、パターン形成方法及び半導体装置の製造方法
KR100393227B1 (ko) * 2001-07-21 2003-07-31 삼성전자주식회사 전자빔 리소그래피시 선폭변화를 보정하여 노광하는 방법및 이를 기록한 기록매체
KR100429879B1 (ko) 2001-09-19 2004-05-03 삼성전자주식회사 포토마스크 제조시 현상 단계에서 발생하는 선폭 변화를보정하여 노광하는 방법 및 이를 기록한 기록매체
CN1258695C (zh) * 2003-07-15 2006-06-07 南亚科技股份有限公司 接触孔洞光学邻近效应修正和掩模及半导体装置制造方法
JP4563101B2 (ja) * 2004-07-30 2010-10-13 大日本印刷株式会社 マスクパターンデータ補正方法
JP2006235515A (ja) 2005-02-28 2006-09-07 Sharp Corp フォトマスクおよび表示パネルの製造方法
US7617475B2 (en) 2006-11-13 2009-11-10 United Microelectronics Corp. Method of manufacturing photomask and method of repairing optical proximity correction
KR101161919B1 (ko) * 2008-03-28 2012-07-20 호야 가부시키가이샤 다계조 포토마스크 및 그 제조 방법과 패턴 전사 방법
KR20110121462A (ko) * 2010-04-30 2011-11-07 주식회사 하이닉스반도체 컨택홀 패턴의 임계치수(ｃｄ) 보정방법
JP6189242B2 (ja) * 2014-03-28 2017-08-30 Hoya株式会社 フォトマスクの製造方法、フォトマスク及び表示装置の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008234752A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Ricoh Co Ltd 追記型情報記録媒体及びマスター基板
CN103165582A (zh) * 2011-12-08 2013-06-19 台湾积体电路制造股份有限公司 用于电子束芯片中重叠标记的结构和方法
CN104919572A (zh) * 2012-12-28 2015-09-16 印可得株式会社 导电图案的形成方法、导电膜、导电图案及透明导电膜
TW201443555A (zh) * 2013-05-03 2014-11-16 United Microelectronics Corp 修正輔助圖案的方法
TW201523124A (zh) * 2013-12-03 2015-06-16 Canon Kk 圖案產生方法、記錄媒體、資訊處理設備、以及光罩製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201928508A (zh) 2019-07-16
JP7126925B2 (ja) 2022-08-29
JP2019109499A (ja) 2019-07-04
CN110007555A (zh) 2019-07-12
KR20190073276A (ko) 2019-06-26
CN110007555B (zh) 2022-07-08
KR102229514B1 (ko) 2021-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5331638B2 (ja) 表示装置製造用フォトマスクの製造方法及び描画装置
US20100053590A1 (en) System and method for manufacturing a flat panel display
KR101024477B1 (ko) 마스크 블랭크 및 포토마스크
CN107015433A (zh) 用于压印光刻的无缝大面积主模板的制造
KR101295479B1 (ko) 다계조 포토마스크의 제조 방법 및 패턴 전사 방법
USRE46390E1 (en) Pattern forming method, processing method, and processing apparatus
CN105093812A (zh) 阵列基板母板及其制作方法、掩膜板
CN104656370A (zh) 光掩模的制造方法、光掩模和图案转印方法
TWI710848B (zh) 圖案描繪方法、光罩之製造方法、顯示裝置用之光罩、及顯示裝置之製造方法
JP2000241959A (ja) 転写パターンのシミュレーション方法
CN109388018A (zh) 光掩模的修正方法、光掩模的制造方法、光掩模和显示装置的制造方法
KR20150120543A (ko) 미세 패턴을 포함하는 포토마스크를 이용한 유기발광디스플레이용 새도우 마스크의 제조 방법，그 새도우 마스크 및 이를 이용한 유기발광디스플레이의 제조 방법
CN104950569A (zh) 光掩模的制造方法、光掩模以及显示装置的制造方法
US20060192933A1 (en) Multiple exposure apparatus and multiple exposure method using the same
KR101603282B1 (ko) 반투과 패턴을 포함하는 포토마스크를 이용한 유기발광디스플레이용 새도우 마스크의 제조 방법，그 새도우 마스크 및 이를 이용한 유기발광디스플레이의 제조 방법
CN109725487B (zh) 图案描绘方法、光掩模和显示装置用器件的制造方法
JP2004119570A (ja) 露光量設定方法、露光方法およびこれを用いた露光装置
KR20080061999A (ko) 웨이퍼 패턴 선폭 균일도를 개선하는 포토마스크 및제조방법
CN219202128U (zh) 一种曝光装置、及包含该曝光装置的光刻设备
JP2006047881A (ja) 露光装置および積層基板の製造方法
JPH0315065A (ja) 露光用マスクの製造方法
Yoshida Technical trends of large-size photomasks for flat panel displays
JP2023537485A (ja) インプリントのための多目的整合の管理
JP2010123767A (ja) 露光装置、露光方法及びプログラム
JP2020202228A (ja) マスクブランクの製造方法、塗布装置