JP2000241959A - 転写パターンのシミュレーション方法 - Google Patents
転写パターンのシミュレーション方法Info
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- JP2000241959A JP2000241959A JP4273399A JP4273399A JP2000241959A JP 2000241959 A JP2000241959 A JP 2000241959A JP 4273399 A JP4273399 A JP 4273399A JP 4273399 A JP4273399 A JP 4273399A JP 2000241959 A JP2000241959 A JP 2000241959A
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- mask pattern
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】シミュレーションに用いるパターンを実際に形
成されているパターンに近づけることによって、シミュ
レーション結果の精度を向上させる。 【解決手段】露光用マスクを投影露光装置を介して被露
光基板上に転写して得られる転写パターンのシミュレー
ション方法として、前記マスクパターンとして、マスク
パターンの設計データに対して一定寸法量正のバイアス
量Δを付加するリサイズ処理を行い、第１のマスクパタ
ーンデータを形成する工程と、第１のマスクパターンデ
ータの各頂点位置に対して所定の角処理を行い、第２の
マスクパターンデータを形成する工程と、第２のマスク
パターンデータに対して負のバイアス量Δ’を付加する
リサイズ処理を行い、第３のマスクパターンデータを形
成する工程とを含むことを特徴とする。
成されているパターンに近づけることによって、シミュ
レーション結果の精度を向上させる。 【解決手段】露光用マスクを投影露光装置を介して被露
光基板上に転写して得られる転写パターンのシミュレー
ション方法として、前記マスクパターンとして、マスク
パターンの設計データに対して一定寸法量正のバイアス
量Δを付加するリサイズ処理を行い、第１のマスクパタ
ーンデータを形成する工程と、第１のマスクパターンデ
ータの各頂点位置に対して所定の角処理を行い、第２の
マスクパターンデータを形成する工程と、第２のマスク
パターンデータに対して負のバイアス量Δ’を付加する
リサイズ処理を行い、第３のマスクパターンデータを形
成する工程とを含むことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、露光用マスクを用
いた転写パターンのシミュレーション方法に係わり、特
にパターンコーナー部での仕上がり形状のシミュレーシ
ョン予測精度向上に関する。
いた転写パターンのシミュレーション方法に係わり、特
にパターンコーナー部での仕上がり形状のシミュレーシ
ョン予測精度向上に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩに必要な転写パターンの微細化が
進むに従って、用いられる露光装置の光源の短波長化、
投影光学系の高ＮＡ化、高解像レジスト使用、変形照明
や位相シフトマスク等の超解像技術の使用などが行われ
てきている。
進むに従って、用いられる露光装置の光源の短波長化、
投影光学系の高ＮＡ化、高解像レジスト使用、変形照明
や位相シフトマスク等の超解像技術の使用などが行われ
てきている。
【０００３】このような技術によって、光学的にみて微
細なパターン、即ちｋ1 値（パターン寸法を、用いる露
光装置の露光波長λ、開口数ＮＡとした時λ／ＮＡで規
格化した値）がより小さなパターンまでをウェハ上に転
写できるようになってきている。しかしこのようなｌｏ
ｗ−ｋ1 パターンを転写する場合、光近接効果（ＯＰ
Ｅ：Optical Proximity Effects）により、パターン配
置等に起因する所望パターンと転写パターンの間のずれ
が顕在化してくる。
細なパターン、即ちｋ1 値（パターン寸法を、用いる露
光装置の露光波長λ、開口数ＮＡとした時λ／ＮＡで規
格化した値）がより小さなパターンまでをウェハ上に転
写できるようになってきている。しかしこのようなｌｏ
ｗ−ｋ1 パターンを転写する場合、光近接効果（ＯＰ
Ｅ：Optical Proximity Effects）により、パターン配
置等に起因する所望パターンと転写パターンの間のずれ
が顕在化してくる。
【０００４】所望パターンと転写パターンとの間のずれ
を補正するために、設計パターンより得られるレジスト
パターンのシミュレーションを行って、設計パターンを
変更して転写パターンと所望パターンとを一致させるこ
とが行われている。
を補正するために、設計パターンより得られるレジスト
パターンのシミュレーションを行って、設計パターンを
変更して転写パターンと所望パターンとを一致させるこ
とが行われている。
【０００５】露光用マスクの設計パターンから得られる
レジストパターンのシミュレーション方法としては、従
来は設計パターンがそのままマスク形状になっているも
のとして、フーリエ結像理論に基づいて計算を行うこと
がほとんどであった。ところが、近年パターンの微細
化、主な露光装置の転写倍率の１／５から１／４への変
更等もあって、マスク上でのパターンサイズが１μｍを
切るようになってきており、露光用マスクに形成された
パターンと設計パターンとのずれが顕在化する箇所がで
てくるようになった。
レジストパターンのシミュレーション方法としては、従
来は設計パターンがそのままマスク形状になっているも
のとして、フーリエ結像理論に基づいて計算を行うこと
がほとんどであった。ところが、近年パターンの微細
化、主な露光装置の転写倍率の１／５から１／４への変
更等もあって、マスク上でのパターンサイズが１μｍを
切るようになってきており、露光用マスクに形成された
パターンと設計パターンとのずれが顕在化する箇所がで
てくるようになった。
【０００６】特にマスクパターンコーナー部において
は、角の丸まり、いわゆるコーナーラウンディングが見
られるようになってきている。このようなマスクを用い
て露光を行った場合、実際に形成されるレジスト形状と
設計パターンをそのまま用いたシミュレーションより得
られるレジスト形状との間に有為な差が見出されるよう
になってきている。
は、角の丸まり、いわゆるコーナーラウンディングが見
られるようになってきている。このようなマスクを用い
て露光を行った場合、実際に形成されるレジスト形状と
設計パターンをそのまま用いたシミュレーションより得
られるレジスト形状との間に有為な差が見出されるよう
になってきている。
【０００７】マスク上のコーナーラウンディングの形状
を決定する要因としては、主にマスク描画手段自体の解
像力（要因１）と、マスクエッチングプロセス（要因
２）との二つが挙げられる。
を決定する要因としては、主にマスク描画手段自体の解
像力（要因１）と、マスクエッチングプロセス（要因
２）との二つが挙げられる。
【０００８】解像力は、用いる描画ビームのビーム径に
依存するが、凸部コーナーと凹部コーナーとの間で解像
力に起因する形状差が生じることは通常起こらないと考
えられるので、要因１によって凸部コーナーと凹部コー
ナーとで丸まり形状に差が生じるとは考えにくい。
依存するが、凸部コーナーと凹部コーナーとの間で解像
力に起因する形状差が生じることは通常起こらないと考
えられるので、要因１によって凸部コーナーと凹部コー
ナーとで丸まり形状に差が生じるとは考えにくい。
【０００９】しかし、一般的にマスク寸法の面内均一性
の向上の観点からレジスト仕上がりに対してエッチング
量の押しを若干量行うことが多く、要因２によって凸部
コーナーと凹部コーナーとの間でコーナーラウンディン
グ形状に差が生じるということは十分考えられる。
の向上の観点からレジスト仕上がりに対してエッチング
量の押しを若干量行うことが多く、要因２によって凸部
コーナーと凹部コーナーとの間でコーナーラウンディン
グ形状に差が生じるということは十分考えられる。
【００１０】図７を用いて、いかにしてマスク仕上がり
形状において凸部コーナーと凹部コーナーのラウンディ
ング量が異なるかについて説明する。図７において、７
１がマスク描画後のレジスト形状とする。斜線ハッチン
グされた側にレジストが残っているものとして図示して
いる。レジスト後の段階でほぼ、描画時の解像力に応じ
てコーナー部に一様な曲率半径（Ｒ）でのラウンディン
グがついた形状となる。このレジストパターンをエッチ
ングマスクとしてマスク遮光部材（Ｃｒ等）を加工した
場合、前述したようにエッチングを若干量押す（オーバ
ー量Δｘ）とする。
形状において凸部コーナーと凹部コーナーのラウンディ
ング量が異なるかについて説明する。図７において、７
１がマスク描画後のレジスト形状とする。斜線ハッチン
グされた側にレジストが残っているものとして図示して
いる。レジスト後の段階でほぼ、描画時の解像力に応じ
てコーナー部に一様な曲率半径（Ｒ）でのラウンディン
グがついた形状となる。このレジストパターンをエッチ
ングマスクとしてマスク遮光部材（Ｃｒ等）を加工した
場合、前述したようにエッチングを若干量押す（オーバ
ー量Δｘ）とする。
【００１１】エッチングの進む向きが常にエッチング面
の法線方向であるとすると、エッチング後には、７２に
示す形状のように仕上がると考えられる。７２に示すよ
うに、凸部コーナーでは（Ｒ−Δｘ）、凹部では（Ｒ＋
Δｘ）のようにコーナーの凹凸によってその曲率半径が
変化することとなる。この場合結果として、凸部と凹部
とのラウンディング量が異なる形状が得られることがあ
る。
の法線方向であるとすると、エッチング後には、７２に
示す形状のように仕上がると考えられる。７２に示すよ
うに、凸部コーナーでは（Ｒ−Δｘ）、凹部では（Ｒ＋
Δｘ）のようにコーナーの凹凸によってその曲率半径が
変化することとなる。この場合結果として、凸部と凹部
とのラウンディング量が異なる形状が得られることがあ
る。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、実際
にマスクに形成されているパターンと設計パターンとが
異なるため、設計パターンを用いたシミュレーションで
は、ウエハ上の像強度分布等の結果の精度が劣化すると
いう問題があった。
にマスクに形成されているパターンと設計パターンとが
異なるため、設計パターンを用いたシミュレーションで
は、ウエハ上の像強度分布等の結果の精度が劣化すると
いう問題があった。
【００１３】本発明の目的は、シミュレーションに用い
るパターンを実際に形成されているパターンに近づける
ことによって、シミュレーション結果の精度を向上させ
得る露光用マスクのシミュレーション方法を提供するこ
とにある。
るパターンを実際に形成されているパターンに近づける
ことによって、シミュレーション結果の精度を向上させ
得る露光用マスクのシミュレーション方法を提供するこ
とにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】［構成］本発明は、上記
目的を達成するために以下のように構成されている。
目的を達成するために以下のように構成されている。
【００１５】（１） 本発明（請求項１）の転写パター
ンの露光方法は、露光用マスクを投影露光装置を介して
被露光基板上に転写して得られる転写パターンのシミュ
レーション方法として、前記マスクパターンとして、マ
スクパターンの設計データに対して一定寸法量正のバイ
アス量Δを付加するリサイズ処理を行い、第１のマスク
パターンデータを形成する工程と、第１のマスクパター
ンデータの各頂点位置に対して所定の角処理を行い、第
２のマスクパターンデータを形成する工程と、第２のマ
スクパターンデータに対して負のバイアス量Δ’を付加
するリサイズ処理を行い、第３のマスクパターンデータ
を形成する工程とを含むことを特徴とする。
ンの露光方法は、露光用マスクを投影露光装置を介して
被露光基板上に転写して得られる転写パターンのシミュ
レーション方法として、前記マスクパターンとして、マ
スクパターンの設計データに対して一定寸法量正のバイ
アス量Δを付加するリサイズ処理を行い、第１のマスク
パターンデータを形成する工程と、第１のマスクパター
ンデータの各頂点位置に対して所定の角処理を行い、第
２のマスクパターンデータを形成する工程と、第２のマ
スクパターンデータに対して負のバイアス量Δ’を付加
するリサイズ処理を行い、第３のマスクパターンデータ
を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【００１６】本発明の好ましい実施態様を以下に示す。
【００１７】前記正のバイアス量Δと前記負のバイアス
量Δ’との加算結果が設計データに対するマスクバイア
ス量であり、該正のバイアス量Δが描画用レジストパタ
ーンのバイアス量に相当する。
量Δ’との加算結果が設計データに対するマスクバイア
ス量であり、該正のバイアス量Δが描画用レジストパタ
ーンのバイアス量に相当する。
【００１８】前記角処理が、第１のマスクパターンデー
タの各頂点部を頂点部のパターンに内接する曲率半径Ｒ
の円弧に変換する処理である。
タの各頂点部を頂点部のパターンに内接する曲率半径Ｒ
の円弧に変換する処理である。
【００１９】前記角処理が、第１のマスクパターンデー
タの各頂点部を頂点部のパターンに内接する曲率半径Ｒ
の円弧を連続する複数の線分への置き換え処理である。
タの各頂点部を頂点部のパターンに内接する曲率半径Ｒ
の円弧を連続する複数の線分への置き換え処理である。
【００２０】前記連続する複数の線分への置き換え処理
は、前記頂点部を該頂点部のパターンに内接する曲率半
径Ｒの円弧に変換した場合のパターン面積の変化と同等
の変化量を有するようにする。
は、前記頂点部を該頂点部のパターンに内接する曲率半
径Ｒの円弧に変換した場合のパターン面積の変化と同等
の変化量を有するようにする。
【００２１】［作用］本発明は、上記構成によって以下
の作用・効果を有する。
の作用・効果を有する。
【００２２】本手法を用いて得られるマスク形状は、実
際に形成されるマスクパターンに近いため、より高精度
な計算結果を得ることが可能となる。また、一律に角処
理のみを行う手法に比べ、処理上の負荷の増大をそれほ
ど受けない。
際に形成されるマスクパターンに近いため、より高精度
な計算結果を得ることが可能となる。また、一律に角処
理のみを行う手法に比べ、処理上の負荷の増大をそれほ
ど受けない。
【００２３】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を以下に図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００２４】図１及び図２に用いて、本実施形態の概要
を説明する。図１は、本発明の一実施形態に係わる実形
状模擬マスクパターン作成工程のフローチャートを示す
図である。図２は、本発明の一実施形態に係わる実形状
模擬マスクパターンの形成工程を模式的に示す図であ
る。
を説明する。図１は、本発明の一実施形態に係わる実形
状模擬マスクパターン作成工程のフローチャートを示す
図である。図２は、本発明の一実施形態に係わる実形状
模擬マスクパターンの形成工程を模式的に示す図であ
る。
【００２５】先ず、シミュレーションに先立ち、実形状
を模擬したマスクデータを作成する（ステップＳ１）。
この実形状模擬マスクデータの作成を以下に説明する。
先ず、図２（ａ）に示すように、マスク加工プロセスに
よる一律変換差を考慮して、マスク描画データに対して
一律な正のバイアス量Δを設計データに付与する（ステ
ップＳ１−１）。なお、バイアス量Δは、通常マスク描
画用レジストの仕上がり寸法と設計寸法との差に相当す
る。
を模擬したマスクデータを作成する（ステップＳ１）。
この実形状模擬マスクデータの作成を以下に説明する。
先ず、図２（ａ）に示すように、マスク加工プロセスに
よる一律変換差を考慮して、マスク描画データに対して
一律な正のバイアス量Δを設計データに付与する（ステ
ップＳ１−１）。なお、バイアス量Δは、通常マスク描
画用レジストの仕上がり寸法と設計寸法との差に相当す
る。
【００２６】次いで、図２（ｂ）に示すように、パター
ンの角部に対して描画装置の解像力に起因した一律な丸
め処理を行う（ステップＳ１−２）。丸め処理の実行例
を図３に示す。描画後のレジスト形状が、電子露光，光
露光に関わらず描画時の露光量分布に応じるとすると、
描画データの角部に対する実際のレジスト仕上がり形状
は凸コーナー部、凹コーナー部に関わらず一定の曲率半
径を有する事になる。なお、実用上、各コーナー部で丸
め処理を行う代わりに、丸め処理と同等の面積変化量を
伴う角落とし処理で代用しても構わない。
ンの角部に対して描画装置の解像力に起因した一律な丸
め処理を行う（ステップＳ１−２）。丸め処理の実行例
を図３に示す。描画後のレジスト形状が、電子露光，光
露光に関わらず描画時の露光量分布に応じるとすると、
描画データの角部に対する実際のレジスト仕上がり形状
は凸コーナー部、凹コーナー部に関わらず一定の曲率半
径を有する事になる。なお、実用上、各コーナー部で丸
め処理を行う代わりに、丸め処理と同等の面積変化量を
伴う角落とし処理で代用しても構わない。
【００２７】次いで、図２（ｃ）に示すように、図２
（ａ）に示した工程で行ったリサイズ量と逆方向に対し
て一律な負のバイアス量Δ’を付加して、リサイズ処理
を行う。正のバイアス量Δと負のバイアス量Δ’の絶対
値が等しいことが理想ではあるが実際のプロセスでは全
く同じになるとは限らないので必要に応じてΔ’の値も
与えることは可能である。
（ａ）に示した工程で行ったリサイズ量と逆方向に対し
て一律な負のバイアス量Δ’を付加して、リサイズ処理
を行う。正のバイアス量Δと負のバイアス量Δ’の絶対
値が等しいことが理想ではあるが実際のプロセスでは全
く同じになるとは限らないので必要に応じてΔ’の値も
与えることは可能である。
【００２８】次に、図４及び図７を用いて、リサイズ処
理によるマスクパターン形状変化について説明する。図
４（ａ）の４１は、“従来の技術”の図７の７１に示し
た実際のマスク描画後のレジスト形状を、ＣＡＤ上でモ
デル化したものを示している。これまで述べてきたリサ
イズ処理とは、図４（ａ）に示すように、元の図形の各
辺をリサイズ量だけ各辺に対し垂直方向に移動した後、
移動した各辺を接続し直す処理を想定している。接続し
直された図形は図４（ｂ）の４２で示されるような形状
となる。
理によるマスクパターン形状変化について説明する。図
４（ａ）の４１は、“従来の技術”の図７の７１に示し
た実際のマスク描画後のレジスト形状を、ＣＡＤ上でモ
デル化したものを示している。これまで述べてきたリサ
イズ処理とは、図４（ａ）に示すように、元の図形の各
辺をリサイズ量だけ各辺に対し垂直方向に移動した後、
移動した各辺を接続し直す処理を想定している。接続し
直された図形は図４（ｂ）の４２で示されるような形状
となる。
【００２９】角処理された部分については、リサイズ処
理の結果角処理量が変化し、凸部コーナーで小さく、凹
部コーナーで大きな角処理量になり、図７の７２に示し
たエッチング後のマスク形状を模擬することが可能とな
る。ここまでで、実形状模擬マスクデータの作成が終了
する。
理の結果角処理量が変化し、凸部コーナーで小さく、凹
部コーナーで大きな角処理量になり、図７の７２に示し
たエッチング後のマスク形状を模擬することが可能とな
る。ここまでで、実形状模擬マスクデータの作成が終了
する。
【００３０】そして次に、ＮＡ，λ，σ等の露光条件を
設定した後（ステップＳ２）、計算を行う（ステップＳ
３）。次に、計算結果を図５に示す。計算条件は以下に
示すものを用いた。投影光学系開口数（ＮＡ）＝０．
６、露光波長（λ）＝２４８ｎｍ、コヒーレンスファク
ター（σ）＝０．７５，ＣＯＧ（（クロムｏｎグラス）
４倍体マスク、０．１８μｍデザイン（ｏｎ ｗａｆｅ
ｒ）、ｊｕｓｔｆｏｃｕｓ、空間像計算 マスクコーナー処理： （ａ）一様角処理（各コーナー部に一律９０ｎｍ辺の直
角２等辺三角形で処理） （ｂ）本発明手法（４５ｎｍリサイズ→上記一様角処理
→４５ｎｍリサイズ） 図５（ｃ）にて示す結果より明らかなように、角処理の
手法により転写シミュレーション結果が大幅に異なるこ
とが予想される。即ち、転写シミュレーション精度向上
を図るには本発明手法のようになるべくマスクの実作成
プロセスに近いものを模擬したマスク形状変換を行った
後に光学像計算を行うことが必要となってくる。
設定した後（ステップＳ２）、計算を行う（ステップＳ
３）。次に、計算結果を図５に示す。計算条件は以下に
示すものを用いた。投影光学系開口数（ＮＡ）＝０．
６、露光波長（λ）＝２４８ｎｍ、コヒーレンスファク
ター（σ）＝０．７５，ＣＯＧ（（クロムｏｎグラス）
４倍体マスク、０．１８μｍデザイン（ｏｎ ｗａｆｅ
ｒ）、ｊｕｓｔｆｏｃｕｓ、空間像計算 マスクコーナー処理： （ａ）一様角処理（各コーナー部に一律９０ｎｍ辺の直
角２等辺三角形で処理） （ｂ）本発明手法（４５ｎｍリサイズ→上記一様角処理
→４５ｎｍリサイズ） 図５（ｃ）にて示す結果より明らかなように、角処理の
手法により転写シミュレーション結果が大幅に異なるこ
とが予想される。即ち、転写シミュレーション精度向上
を図るには本発明手法のようになるべくマスクの実作成
プロセスに近いものを模擬したマスク形状変換を行った
後に光学像計算を行うことが必要となってくる。
【００３１】以下に本発明に基づく角処理手法の違いに
よる転写シミュレーション結果の影響を比較した例を図
３及び図６にて示す。角処理手法は、図３に示すよう
に、円弧処理からそれを多角形近似したものまでが想定
できる。マスクパターンは図６（ａ）に示す様に、角処
理手法を幾種類か変化させて実行した。露光条件は図５
にて用いたものと同じとした。図６（ｂ）に転写シミュ
レーション（空間像）での結果を示す。転写パターンは
空間像強度＝０．３となる所でしきい値をとり表示して
いる。このように角処理においては処理される面積を同
等にするようにさえすればかなりの精度で一番現実に近
い形状（円形）とほぼ同等の転写シミュレーション結果
が得られることがわかる。
よる転写シミュレーション結果の影響を比較した例を図
３及び図６にて示す。角処理手法は、図３に示すよう
に、円弧処理からそれを多角形近似したものまでが想定
できる。マスクパターンは図６（ａ）に示す様に、角処
理手法を幾種類か変化させて実行した。露光条件は図５
にて用いたものと同じとした。図６（ｂ）に転写シミュ
レーション（空間像）での結果を示す。転写パターンは
空間像強度＝０．３となる所でしきい値をとり表示して
いる。このように角処理においては処理される面積を同
等にするようにさえすればかなりの精度で一番現実に近
い形状（円形）とほぼ同等の転写シミュレーション結果
が得られることがわかる。
【００３２】なお本発明にて提示した処理は、簡単なＣ
ＡＤコマンドの組み合わせで実現することができ、これ
により得られるマスク形状を用いることでウェハ上に得
られる像強度分布のシミュレーション結果の精度が向上
した。
ＡＤコマンドの組み合わせで実現することができ、これ
により得られるマスク形状を用いることでウェハ上に得
られる像強度分布のシミュレーション結果の精度が向上
した。
【００３３】なお、本実施例ではマスクコーナー処理と
して各設定（リサイズ量、角丸め量）は各マスク描画プ
ロセスに応じて変更すべきもである。更に、リサイズ量
に対しても、設計寸法とマスク仕上がり寸法との差くマ
スクバイアス）に応じて、トータルのリサイズ量を非０
にすることも何ら差し支えない。また、本実施例中での
パターン角部形状は全て直角であったが、本質的になん
らパターン角部での頂角の大きさを本発明が限定するも
のではないことは明らかである。
して各設定（リサイズ量、角丸め量）は各マスク描画プ
ロセスに応じて変更すべきもである。更に、リサイズ量
に対しても、設計寸法とマスク仕上がり寸法との差くマ
スクバイアス）に応じて、トータルのリサイズ量を非０
にすることも何ら差し支えない。また、本実施例中での
パターン角部形状は全て直角であったが、本質的になん
らパターン角部での頂角の大きさを本発明が限定するも
のではないことは明らかである。
【００３４】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変
形して実施することが可能である。
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変
形して実施することが可能である。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、シ
ミュレーションに用いるパターンを実際に形成されてい
るパターンに近づけることによって、シミュレーション
結果の精度を向上させ得る。
ミュレーションに用いるパターンを実際に形成されてい
るパターンに近づけることによって、シミュレーション
結果の精度を向上させ得る。
【図１】本発明の一実施形態に係わる実形状模擬マスク
パターン作成工程のフローチャートを示す図。
パターン作成工程のフローチャートを示す図。
【図２】本発明の一実施形態に係わる実形状模擬マスク
パターンの形成工程を模式的に示す図。
パターンの形成工程を模式的に示す図。
【図３】本発明の一実施形態に係わる丸め処理の実行例
を示す図。
を示す図。
【図４】リサイズ処理によるマスクパターン形状変化に
ついて説明するための図。
ついて説明するための図。
【図５】計算結果を示す図。
【図６】角処理手法の違いによる転写シミュレーション
結果の影響を比較した例を示す図。
結果の影響を比較した例を示す図。
【図７】マスク仕上がり形状において凸部コーナーとコ
ーナーのラウンディング量が異なるかについて説明する
ための図。
ーナーのラウンディング量が異なるかについて説明する
ための図。
４１…マスク描画後のレジスト形状をＣＡＤ上でモデル
化したもの ４２…４１に負のバイアス量を与えたもの
化したもの ４２…４１に負のバイアス量を与えたもの
Claims (5)
- 【請求項１】露光用マスクを投影露光装置を介して被露
光基板上に転写して得られる転写パターンのシミュレー
ション方法として、 前記マスクパターンとして、マスクパターンの設計デー
タに対して一定寸法量正のバイアス量Δを付加するリサ
イズ処理を行い、第１のマスクパターンデータを形成す
る工程と、 第１のマスクパターンデータの各頂点位置に対して所定
の角処理を行い、第２のマスクパターンデータを形成す
る工程と、 第２のマスクパターンデータに対して負のバイアス量
Δ’を付加するリサイズ処理を行い、第３のマスクパタ
ーンデータを形成する工程とを含むことを特徴とする転
写パターンのシミュレーション方法。 - 【請求項２】前記正のバイアス量Δと前記負のバイアス
量Δ’との加算結果が設計データに対するマスクバイア
ス量であり、該正のバイアス量Δが描画用レジストパタ
ーンのバイアス量に相当することを特徴とする請求項１
に記載の転写パターンのシミュレーション方法。 - 【請求項３】前記角処理が、第１のマスクパターンデー
タの各頂点部を頂点部のパターンに内接する曲率半径Ｒ
の円弧に変換する処理であることを特徴とする請求項１
に記載の転写パターンのシミュレーション方法。 - 【請求項４】前記角処理が、第１のマスクパターンデー
タの各頂点部を頂点部のパターンに内接する曲率半径Ｒ
の円弧を連続する複数の線分への置き換え処理であるこ
とを特敏とする請求項１に記載の転写パターンのシミュ
レーション方法。 - 【請求項５】前記連続する複数の線分への置き換え処理
は、前記頂点部を該頂点部のパターンに内接する曲率半
径Ｒの円弧に変換した場合のパターン面積の変化と同等
の変化量を有するようにすることを特徴とする請求項４
に記載の転写パターンシミュレーション方法。
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