JP2019096684A - 電磁波シールドフィルム - Google Patents

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Abstract

【課題】導電性接着剤層だけでなく、絶縁保護層を含む複数の層を積層するとともに、埋め込み性の向上、及び、エッジ切れの抑制をも図ることが出来る電磁波シールドフィルムを提供する。【解決手段】電磁波シールドフィルム101は、導電性接着剤層111と絶縁保護層112とを備える。また更に、導電性接着剤層と前記絶縁保護層との間に金属箔あるいは金属蒸着膜層を備えても良く、電磁波シールドフィルム101の引張弾性率は400MPa以上であり、破断伸びは3%以上である。【選択図】図1

Description

本開示は、電磁波シールドフィルムに関する。
電磁波シールドフィルムは、プリント配線基板の表面に圧着されることにより、導電性接着剤層がプリント配線基板の表面を覆う絶縁フィルムに設けられた開口部に埋め込まれ、導電性接着剤層とプリント配線基板のグランドパターンとを導通させる。近年、電子機器の小型化が進むにつれて、導電性接着剤層を埋め込む開口部の大きさも縮小されている。このため、導電性接着剤層には、優れた埋め込み性が求められている。また、導電性接着剤層は、プリント配線基板に設けられた段差によってエッジ切れが生じないようにすることも求められている。このため、導電性接着剤層の流動性を制御して、埋め込み性を良好にすることが検討されている(例えば、特許文献1を参照。)。
国際公開第2014/010524号
しかしながら、埋め込み性や、エッジ切れには流動性以外の物性も影響を与えるが、流動性以外の物性についてはほとんど考慮されていない。また、電磁波シールドフィルムは、導電性接着剤層だけでなく、絶縁保護層を含む複数の層が積層されて形成されている。このため、埋め込み性の向上や、エッジ切れの抑制のためには、電磁波シールドフィルム全体の物性を最適化する必要がある。
本開示の課題は、全体的な物性を最適化した電磁波シールドフィルムを実現できるようにすることである。
本開示の電磁波シールドフィルムの一態様は、導電性接着剤層と絶縁保護層とを備え、引張弾性率が400MPa以上であり、破断伸びが3%以上である。
電磁波シールドフィルムの一態様において、導電性接着剤層と絶縁保護層との間に設けられた金属箔をさらに備えていてもよい。
電磁波シールドフィルムの一態様において、導電性接着剤層と絶縁保護層との間に設けられた金属蒸着層をさらに備え、破断伸びが10%以上とすることができる。
電磁波シールドフィルムの一態様において、導電性接着剤層と絶縁保護層とが接しており、破断伸びが10%以上とすることができる。
本開示のシールドプリント配線基板の一態様は、グランド回路と、グランド回路を露出する開口部を有する絶縁フィルムとを有するプリント配線基板と、本開示の電磁波シールドフィルムとを備え、導電性接着剤層は、開口部においてグランド回路と導通するように絶縁フィルムと接着されている。
本開示の電磁波シールドフィルムによれば、埋め込み性を向上させることができる。
一実施形態に係る電磁波シールドフィルムを示す断面図である。 電磁波シールドフィルムの変形例を示す断面図である。 一実施形態に係るシールドプリント配線基板を示す断面図である。 電磁波シールドフィルムをプリント配線基板に接着する工程を示す断面図である。 埋め込み性の評価方法を示す平面図である。
本実施形態の電磁波シールドフィルム101は、図1に示すように、絶縁保護層112と導電性接着剤層111とを有する。このような電磁波シールドフィルムは、導電性接着剤層111をシールドとして機能させることができる。なお、図2に示すように、絶縁保護層112と導電性接着剤層111の間にシールド層113を設けることもできる。シールド層113は、導電性であればよく、金属箔、金属蒸着フィルム及び導電性フィラーの層等とすることができる。
本実施形態の電磁波シールドフィルム101は、図3に示すようにプリント配線基板102と組み合わせてシールドプリント配線基板103とすることができる。電磁波シールドフィルム101は、シールド層113を有するものであってもよい。
プリント配線基板102は、例えば、ベース部材122と、ベース部材122の上に設けられたグランド回路125を含むプリント回路を有している。ベース部材122の上には接着剤層123により絶縁フィルム121が接着されている。絶縁フィルム121にはグランド回路125を露出する開口部が設けられている。グランド回路125の露出部分には金めっき層等の表面層が設けられていてもよい。なお、プリント配線基板102は、フレキシブル基板であってもリジッド基板であってもよい。
電磁波シールドフィルム101をプリント配線基板102に接着する際には、図4に示すように、導電性接着剤層111が開口部128の上に位置するように、電磁波シールドフィルム101をプリント配線基板102上に配置する。そして、所定の温度(例えば120℃)に加熱した2枚の加熱板(図示せず)により、電磁波シールドフィルム101とプリント配線基板102とを、上下方向から挟んで所定の圧力(例えば0.5MPa)で短時間(例えば5秒間)押圧する。これによって、電磁波シールドフィルム101はプリント配線基板102に仮止めされる。
続いて、2枚の加熱板の温度を、上記仮止め時よりも高温の所定の温度(例えば、170℃)とし、所定の圧力(例えば3MPa)で所定時間(例えば30分)加圧する。これによって、電磁波シールドフィルム101をプリント配線基板102に固定できる。加圧した際に、導電性接着剤層111が開口部128に十分に埋め込まれることにより、電磁波シールドフィルム101が必要とする強度及び導電性を実現することができる。
導電性接着剤層111の流動性を高くしても、導電性接着剤層111は、加圧した際に開口部128に流れ込むのではなく、周囲へ押し出されて拡がってしまう。このため、埋め込み性を向上させるには、導電性接着剤層111が変形して開口部128に押し込まれるようにすることが重要である。このため、導電性接着剤層111に加えられた応力が周囲に逃げないようにすることが好ましい。このため、電磁波シールドフィルム101全体の弾性率を高くして、導電性接着剤層111に大きな応力が加わるようにすることが好ましい。具体的には、電磁波シールドフィルム101全体の弾性率を400MPa以上、好ましくは500MPa以上、より好ましくは600MPa以上とする。
一方、導電性接着剤層111が開口部128に押し込まれる際には、導電性接着剤層111だけでなく、絶縁保護層112等を含む電磁波シールドフィルム101全体が変形する。このため、電磁波シールドフィルム101全体がある程度の柔軟性を有するように、破断伸びを3%以上、好ましくは4%以上、より好ましくは5%以上とする。また、弾性率を好ましくは15000MPa以下、より好ましくは14900MPa以下、さらに好ましくは14800MPa以下とする。
電磁波シールドフィルム101の破断伸びは、シールド層113の有無及びその材質によって大きく変化する。金属箔からなるシールド層113を有している場合には、破断伸びを大きくすることは困難であり、通常は10%以下程度である。金属蒸着層からなるシールド層113を有している場合には、より大きい破断伸びを確保することが可能であり、好ましくは10%以上、より好ましくは20%以上、さらに好ましくは30%以上の破断伸びを確保することができる。シールド層113を有していない場合にも、好ましくは10%以上、より好ましくは20%以上、さらに好ましくは30%以上の破断伸びを確保することが可能である。また、シールド層113を有していない場合には、弾性率を好ましくは2000MPa以下、より好ましくは1000MPa以下とすることもできる。なお、弾性率及び破断伸びは、実施例において説明する方法により測定することができる。
電磁波シールドフィルム101の弾性率及び破断伸びをこのような値とすることにより、埋め込み性だけでなく、段差におけるエッジ切れの発生も抑えることが可能となる。
本実施形態において、導電性接着剤層111は、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂等の樹脂成分と、導電性フィラーとを含んでいる。
導電性接着剤層111が熱可塑性樹脂を含む場合、熱可塑性樹脂として例えばスチレン系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、イミド系樹脂、及びアクリル系樹脂等を用いることができる。これらの樹脂は、1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
導電性接着剤層111が熱硬化性樹脂を含む場合、熱硬化性樹脂として例えばフェノール系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、メラミン系樹脂、ポリアミド系樹脂及びアルキッド系樹脂等を用いることができる。活性エネルギー線硬化性組成物としては、特に限定されないが、例えば、分子中に少なくとも2個の(メタ)アクリロイルオキシ基を有する重合性化合物等を用いることができる。これらの組成物は、1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
熱硬化性樹脂は、例えば反応性の第1の官能基を有する第1樹脂成分と、第1の官能基と反応する第2樹脂成分とを含む。第1の官能基は、例えばエポキシ基、アミド基、又は水酸基等とすることができる。第2の官能基は、第1の官能基に応じて選択すればよく、例えば第1官能基がエポキシ基である場合、水酸基、カルボキシル基、エポキシ基及びアミノ基等とすることができる。具体的には、例えば第1樹脂成分をエポキシ樹脂とした場合には、第2樹脂成分としてエポキシ基変性ポリエステル樹脂、エポキシ基変性ポリアミド樹脂、エポキシ基変性アクリル樹脂、エポキシ基変性ポリウレタンポリウレア樹脂、カルボキシル基変性ポリエステル樹脂、カルボキシル基変性ポリアミド樹脂、カルボキシル基変性アクリル樹脂、カルボキシル基変性ポリウレタンポリウレア樹脂、及びウレタン変性ポリエステル樹脂等を用いることができる。これらの中でも、カルボキシル基変性ポリエステル樹脂、カルボキシル基変性ポリアミド樹脂、カルボキシル基変性ポリウレタンポリウレア樹脂、及びウレタン変性ポリエステル樹脂が好ましい。また、第1樹脂成分が水酸基である場合には、第2樹脂成分としてエポキシ基変性ポリエステル樹脂、エポキシ基変性ポリアミド樹脂、エポキシ基変性アクリル樹脂、エポキシ基変性ポリウレタンポリウレア樹脂、カルボキシル基変性ポリエステル樹脂、カルボキシル基変性ポリアミド樹脂、カルボキシル基変性アクリル樹脂、カルボキシル基変性ポリウレタンポリウレア樹脂、及びウレタン変性ポリエステル樹脂等を用いることができる。これらの中でも、カルボキシル基変性ポリエステル樹脂、カルボキシル基変性ポリアミド樹脂、カルボキシル基変性ポリウレタンポリウレア樹脂、及びウレタン変性ポリエステル樹脂が好ましい。
熱硬化性樹脂は、熱硬化反応を促進する硬化剤を含んでいてもよい。熱硬化性樹脂が第1の官能基と第2の官能基とを有する場合、硬化剤は、第1の官能基及び第2の官能基の種類に応じて適宜選択することができる。第1の官能基がエポキシ基であり、第2の官能基が水酸基である場合には、イミダゾール系硬化剤、フェノール系硬化剤、及びカチオン系硬化剤等を使用することができる。これらは1種を単独で使用することもでき、2種以上を併用することもできる。この他、任意成分として消泡剤、酸化防止剤、粘度調整剤、希釈剤、沈降防止剤、レベリング剤、カップリング剤、着色剤、及び難燃剤等を含んでいてもよい。
導電性フィラーは、特に限定されないが、例えば、金属フィラー、金属被覆樹脂フィラー、カーボンフィラー及びそれらの混合物を使用することができる。金属フィラーとしては、銅粉、銀粉、ニッケル粉、銀コ−ト銅粉、金コート銅粉、銀コートニッケル粉、及び金コートニッケル粉等を挙げることができる。これら金属粉は、電解法、アトマイズ法、又は還元法等により作製することができる。中でも銀粉、銀コート銅粉及び銅粉のいずれかが好ましい。
導電性フィラーは、フィラー同士の接触の観点から、平均粒子径が好ましくは1μm以上、より好ましくは3μm以上、好ましくは50μm以下、より好ましくは40μm以下である。導電性フィラーの形状は特に限定されず、球状、フレーク状、樹枝状、又は繊維状等とすることができる。
導電性フィラーの含有量は、用途に応じて適宜選択することができるが、全固形分中で好ましくは5質量%以上、より好ましくは10質量%以上、好ましくは95質量%以下、より好ましくは90質量%以下である。埋め込み性の観点からは、好ましくは70質量%以下、より好ましくは60質量%以下である。また、異方導電性を実現する場合には、好ましくは40質量%以下、より好ましくは35質量%以下である。
本実施形態において、絶縁保護層112は、充分な絶縁性を有し、導電性接着剤層111及び必要な場合にはシールド層113を保護できれば特に限定されないが、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、又は活性エネルギー線硬化性樹脂等を用いて形成することができる。
熱可塑性樹脂は、特に限定されないが、スチレン系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、イミド系樹脂、又はアクリル系樹脂等を用いることができる。熱硬化性樹脂としては、特に限定されないが、フェノール系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、メラミン系樹脂、又はアルキッド系樹脂等を用いることができる。活性エネルギー線硬化性樹脂としては、特に限定されないが、例えば、分子中に少なくとも2個の(メタ)アクリロイルオキシ基を有する重合性化合物等を用いることができる。保護層は、単独の材料により形成されていても、2種以上の材料から形成されていてもよい。
絶縁保護層112は、材質又は硬度若しくは弾性率等の物性が異なる2層以上の積層体であってもよい。例えば、硬度が低い外層と、硬度が高い内層との積層体とすれば、外層がクッション効果を有するため、電磁波シールドフィルム101をプリント配線基板102に加熱加圧する工程においてシールド層113に加わる圧力を緩和できる。このため、プリント配線基板102に設けられた段差によってシールド層113が破壊されることを抑えることができる。
絶縁保護層112には、必要に応じて、硬化促進剤、粘着性付与剤、酸化防止剤、顔料、染料、可塑剤、紫外線吸収剤、消泡剤、レベリング剤、充填剤、難燃剤、粘度調節剤、及びブロッキング防止剤等の少なくとも1つが含まれていてもよい。
絶縁保護層112の厚さは、特に限定されず、必要に応じて適宜設定することができるが、好ましくは1μm以上、より好ましくは4μm以上、そして好ましくは20μm以下、より好ましくは10μm以下、さらに好ましくは5μm以下とすることができる。絶縁保護層112の厚さを1μm以上とすることにより導電性接着剤層111及びシールド層113を充分に保護することができる。絶縁保護層112の厚さを20μm以下とすることにより、電磁波シールドフィルム101の弾性率及び破断伸びを所定の値とすることが容易となる。
シールド層113を設ける場合、シールド層113は、金属箔、金属蒸着膜及び導電性フィラー等により形成することができる。
金属箔は、特に限定されないが、ニッケル、銅、銀、錫、金、パラジウム、アルミニウム、クロム、チタン、及び亜鉛等のいずれか、又は2つ以上を含む合金からなる箔とすることができる。
金属箔の厚さは、特に限定されないが、0.5μm以上が好ましく、1.0μm以上がより好ましい。金属箔の厚さが0.5μm以上であると、シールドプリント配線基板に10MHz〜100GHzの高周波信号を伝送したときに、高周波信号の減衰量を抑制することができる。
また、金属箔の厚さは12μm以下が好ましく、10μm以下がより好ましく、7μm以下がさらに好ましい。金属層の厚さが12μm以下であると、原材料コストを抑えることが出来るとともに、シールドフィルムの判断伸びが良好となる。
金属蒸着膜は、特に限定されないが、ニッケル、銅、銀、錫、金、パラジウム、アルミニウム、クロム、チタン、及び亜鉛等を蒸着して形成することができる。蒸着には、電解メッキ法、無電解メッキ法、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、化学気相堆積(CVD)法、又はメタルオーガニック堆積(MOCVD)法等を用いることができる。
金属蒸着膜の厚さは、特に限定されないが、0.05μm以上が好ましく、0.1μm以上がより好ましい。金属蒸着膜の厚さが0.05μm以上であると、シールドプリント配線基板において電磁波シールドフィルムが電磁波をシールドする特性に優れる。
また、金属蒸着膜の厚さは0.5μm未満が好ましく、0.3μm未満であることがより好ましい。金属蒸着膜の厚さが0.5μm未満であると、電磁波シールドフィルムの耐屈曲性が優れ、プリント配線基板に設けられた段差によってシールド層が破壊されることを抑えることができる。
導電性フィラーの場合、導電性フィラーを配合した溶剤を、絶縁保護層112の表面に塗布して乾燥することにより、シールド層113を形成することができる。導電性フィラーは、金属フィラー、金属被覆樹脂フィラー、カーボンフィラー及びそれらの混合物を使用することができる。金属フィラーとして、銅粉、銀粉、ニッケル粉、銀コ−ト銅粉、金コート銅粉、銀コートニッケル粉、及び金コートニッケル粉等を用いることができる。これら金属粉は、電解法、アトマイズ法、還元法により作成することができる。金属粉の形状は、球状、フレーク状、繊維状、樹枝状等が挙げられる。
本実施形態においてシールド層113の厚さは、求められる電磁シールド効果及び繰り返し屈曲・摺動耐性に応じて適宜選択すればよいが、金属箔である場合には、破断伸びを確保する観点から12μm以下とすることが好ましい。
本実施形態の電磁波シールドフィルム101は、例えば以下のようにして形成することができる。まず、支持基材の上に、絶縁保護層用組成物を塗布した後、加熱乾燥して溶剤を除去し、絶縁保護層112を形成する。支持基材は例えばフィルム状とすることができる。支持基材は、特に限定されず、例えばポリオレフィン系、ポリエステル系、ポリイミド系、又はポリフェニレンサルファイド系等の材料により形成することができる。支持基材と保護層用組成物との間に、離型剤層を設けてもよい。
絶縁保護層用組成物は、絶縁保護層用の樹脂組成物に溶剤及びその他の配合剤を適量加えて調製することができる。溶剤は、例えば、トルエン、アセトン、メチルエチルケトン、メタノール、エタノール、プロパノール及びジメチルホルムアミド等とすることができる。その他の配合剤としては、架橋剤や重合用触媒、硬化促進剤、及び着色剤等を加えることができる。その他の配合剤は必要に応じて加えればよく、加えなくてもよい。支持基材に保護層用組成物を塗布する方法は、特に限定されず、リップコーティング、コンマコーティング、グラビアコーティング、又はスロットダイコーティング等の、公知の技術を採用することができる。
次に、必要に応じて絶縁保護層112の上に、シールド層113を形成する。シールド層113の形成方法は、シールド層113の種類に応じて適宜選択することができる。電磁波シールドフィルム101がシールド層113を有さない構成である場合には、この工程を省略することができる。
次に、絶縁保護層112又はシールド層113の上に、導電性接着剤層用組成物を塗布した後、加熱乾燥して溶剤を除去し、導電性接着剤層111を形成する。
導電性接着剤層用組成物は、導電性接着剤と溶剤とを含む。溶剤は、例えば、トルエン、アセトン、メチルエチルケトン、メタノール、エタノール、プロパノール及びジメチルホルムアミド等とすることができる。導電性接着剤層用組成物中における導電性接着剤の比率は、導電性接着剤層111の厚さ等に応じて適宜設定すればよい。
シールド層113の上に導電性接着剤層用組成物を塗布する方法としては、特に限定されず、リップコーティング、コンマコーティング、グラビアコーティング、又はスロットダイコーティング等を用いることができる。
導電性接着剤層111の厚さは、電磁波シールドフィルム101の弾性率及び破断伸びを制御する観点から、1μm〜50μmとすることが好ましい。
なお、必要に応じて、導電性接着剤層111の表面に剥離基材(セパレートフィルム)を貼り合わせてもよい。剥離基材は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のベースフィルム上に、シリコン系又は非シリコン系の離型剤を、導電性接着剤層111が形成される側の表面に塗布されたものを使用することができる。なお、剥離基材の厚さは特に限定されるものではなく、適宜、使い易さを考慮して決定することができる。
以下に、本開示の電磁波シールドフィルムについて実施例を用いてさらに詳細に説明する。以下の実施例は例示であり、本発明を限定することを意図するものではない。
<電磁波シールドフィルムの作製>
支持基材である表面に剥離層を設けたPETフィルム(厚さ25μm)の表面に、所定の絶縁保護層用樹脂組成物を、ワイヤーバーを用いて塗布し、加熱乾燥することで、所定の厚さの絶縁保護層を形成した。この後、シールド層を有する場合には所定の方法により絶縁保護層の上にシールド層を形成した。次に、絶縁保護層又はシールド層の上に所定の導電性接着剤層用組成物をワイヤーバーにより塗布した後、100℃×3分の乾燥を行い電磁波シールドフィルムを作製した。
<物性の測定>
得られた電磁波シールドフィルムから、ダンベル試験片(100mm×10mm、標線間20mm)を作成し、引張試験機(AGS−X50S、島津製作所製)を用いて、弾性率、破断伸び及び最大応力を測定した。測定条件は、引張速度:50mm/min、ロードセル:50Nとし、弾性率は応力(2〜3MPa)と破断伸びの傾斜から算出した。
<埋め込み性の評価>
図5に示すように、試験用プリント配線基板140にプレス機を用いて温度:170℃、時間:30分、圧力:2〜3MPaの条件で、電磁波シールドフィルム101を接着し、シールドプリント配線基板を作製した。試験用プリント配線基板140は、ベースフィルム(図示せず)の上に設けられた互いに間隔をおいて平行に延びる2本の銅箔パターン141と、銅箔パターンを覆うポリイミドからなる絶縁層(厚さ:25μm)142とを有しており、絶縁層142には、直径が1mmのグランド接続部を模擬した開口部143を設けた。
試験用プリント配線板140に形成された2本の銅箔パターン141間の電気抵抗値を抵抗計151により測定し、銅箔パターン141と電磁波シールドフィルム101との接続抵抗値を測定し、開口部143への樹脂の埋め込み性を評価した。開口部1箇所あたりの接続抵抗値が300mΩ未満の場合を埋め込み性が良好(○)とし、300mΩ以上となった場合を埋め込み性が不良(×)とした。
(実施例1)
絶縁保護層用樹脂組成物をUV硬化性アクリル樹脂からなる第1絶縁保護層用樹脂組成物と、ゴム変性エポキシ樹脂からなる第2絶縁保護層用樹脂組成物とし、PETフィルムの表面に厚さが2μmの第1絶縁保護層を形成した後、第1絶縁保護層の上に厚さが3μmの第2絶縁保護層を形成した。
シールド層は、第2絶縁保護層の表面に真空蒸着により形成した、厚さが0.15μmの銀蒸着膜とした。導電性接着剤層は、樹脂成分をゴム変性エポキシ樹脂(87質量部)とし、フィラーを銀コート銅粉(13質量部)とし、厚さを17μmとした。
得られた電磁波シールドフィルムの弾性率は1311MPa、破断伸びは45%、最大応力は19MPaであり、埋め込み性は良好であった。
(実施例2)
第1絶縁保護層を厚さが2μmのエポキシ変性ポリエステル樹脂とし、シールド層を厚さが0.3μmの銀蒸着膜としたこと以外は、実施例1と同様にして電磁波シールドフィルムを作製した。
得られた電磁波シールドフィルムの弾性率は1442MPa、破断伸びは47%、最大応力は18MPaであり、埋め込み性は良好であった。
(実施例3)
導電性接着剤層の厚さを5μmとしたこと以外は、実施例2と同様にして電磁波シールドフィルムを作製した。
得られた電磁波シールドフィルムの弾性率は1235MPa、破断伸びは94%、最大応力は18MPaであり、埋め込み性は良好であった。
(実施例4)
第1絶縁保護層を厚さが2μmのエポキシ変性ポリエステル樹脂としたこと以外は、実施例1と同様にして電磁波シールドフィルムを作製した。
得られた電磁波シールドフィルムの弾性率は825MPa、破断伸びは69%、最大応力は16MPaであり、埋め込み性は良好であった。
(実施例5)
導電性接着剤層の厚さを5μmとしたこと以外は、実施例4と同様にして電磁波シールドフィルムを作製した。
得られた電磁波シールドフィルムの弾性率は715MPa、破断伸びは83%、最大応力は15MPaであり、埋め込み性は良好であった。
(実施例6)
第2絶縁保護層の厚さを5μmとし、導電性接着剤層の樹脂成分をゴム変性エポキシ樹脂(40質量部)、フィラーを銀コート銅粉(60質量部)とし、シールド層を設けなかったこと以外は、実施例2と同様にして電磁波シールドフィルムを作製した。
得られた電磁波シールドフィルムの弾性率は404MPa、破断伸びは119%、最大応力は25MPaであり、埋め込み性は良好であった。
(実施例7)
第2絶縁保護層の厚さを3μmとし、導電性接着剤層の樹脂成分をゴム変性エポキシ樹脂及びポリエステル樹脂の混合物(重量比で99:1)としたこと以外は実施例6と同様にして電磁波シールドフィルムを作製した。
得られた電磁波シールドフィルムの弾性率は685MPa、破断伸びは71%、最大応力は55MPaであり、埋め込み性は良好であった。
(実施例8)
第1絶縁保護層を厚さが2μmのフェノール変性エポキシ樹脂とし、第2絶縁保護層を厚さが5μmのゴム変性エポキシ樹脂とし、シールド層を厚さが5μmの圧延銅箔としたこと以外は実施例1と同様にして電磁波シールドフィルムを作製した。
得られた電磁波シールドフィルムの弾性率は14709MPa、破断伸びは4%、最大応力は53MPaであり、埋め込み性は良好であった。
(実施例9)
圧延銅箔の厚さを2μmとしたこと以外は、実施例8と同様にして電磁波シールドを作製した。
得られた電磁波シールドフィルムの弾性率は5916MPa、破断伸びは6%、最大応力は28MPaであり、埋め込み性は良好であった。
(比較例1)
第1絶縁保護層を、厚さが7μmのウレタン変性エポキシ樹脂とし、第2の絶縁保護層及びシールド層は設けなかった。導電性接着剤層は、樹脂成分をウレタン変性エポキシ樹脂(87質量部)とし、フィラーを銀コート銅粉(13質量部)とし、厚さを17μmとした。
得られた電磁波シールドフィルムの弾性率は389MPa、破断伸びは164%、最大応力は17MPaであり、埋め込み性は不良であった。
(比較例2)
第1絶縁保護層の厚さを5μmとし、シールド層を厚さが2μmの圧延銅箔とし、導電性接着剤層の厚さを12μmとしたこと以外は、比較例1と同様にして電磁波シールドフィルムを作製した。
得られた電磁波シールドフィルムの弾性率は15394MPa、破断伸びは2%、最大応力は100MPaであり、埋め込み性は不良であった。
表1に各実施例及び比較例についてまとめて示す。
Figure 2019096684
本開示の電磁波シールドフィルムは、埋め込み性に優れ、プリント配線基板用の電磁波シールドフィルム等として有用である。
101 電磁波シールドフィルム
102 プリント配線基板
103 シールドプリント配線基板
111 導電性接着剤層
112 絶縁保護層
113 シールド層
121 絶縁フィルム
122 ベース部材
123 接着剤層
125 グランド回路
128 開口部
140 試験用プリント配線基板
141 銅箔パターン
142 絶縁層
143 開口部
151 抵抗計

Claims (5)

  1. 導電性接着剤層と絶縁保護層とを備え、
    引張弾性率が400MPa以上であり、
    破断伸びが3%以上である、電磁波シールドフィルム。
  2. 前記導電性接着剤層と前記絶縁保護層との間に設けられた金属箔をさらに備えている、請求項1に記載の電磁波シールドフィルム。
  3. 前記導電性接着剤層と前記絶縁保護層との間に設けられた金属蒸着層をさらに備え、
    破断伸びが10%以上である、請求項1に記載の電磁波シールドフィルム。
  4. 前記導電性接着剤層と前記絶縁保護層とが接しており、
    破断伸びが10%以上である、請求項1に記載の電磁波シールドフィルム。
  5. グランド回路と、前記グランド回路を露出する開口部を有する絶縁フィルムとを有するプリント配線基板と、
    請求項1〜4のいずれか1項に記載の電磁波シールドフィルムとを備え、
    前記導電性接着剤層は、前記開口部において前記グランド回路と導通するように前記絶縁フィルムと接着されている、シールドプリント配線基板。
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