TW201927127A - 電磁波屏蔽膜 - Google Patents

Abstract

本發明之課題是可實現一種整體物性獲最佳化之電磁波屏蔽膜。 本發明解決手段之電磁波屏蔽膜，係具有導電性接著劑層與絕緣保護層。電磁波屏蔽膜之拉伸彈性模數為400MPa以上，且斷裂伸度為3%以上。

Description

電磁波屏蔽膜

發明領域 本揭示係關於一種電磁波屏蔽膜。

發明背景 藉由將電磁波屏蔽膜壓接於印刷配線基板之表面，令其導電性接著劑層被嵌入於設在覆蓋印刷配線基板表面之絕緣膜的開口部中，而使導電性接著劑層與印刷配線基板之接地圖案導通。近年來，隨著電子機器微型化之發展，供嵌入導電性接著劑層之開口部的尺寸亦日漸縮小。因此，對導電性接著劑層要求優異之嵌入性(embedding property)。並且，亦要求不使導電性接著劑層因設於印刷配線基板的高低差而產生邊裂。因此，已在檢討控制導電性接著劑層之流動性以使嵌入性良好(例如參照專利文獻1)。 先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1：國際公開第2014/010524號

發明概要 發明欲解決之課題 然而，雖然流動性以外之物性亦會對嵌入性和邊裂帶來影響，但針對流動性以外之物性卻幾乎未曾作考慮。又，電磁波屏蔽膜係不僅只積層有導電性接著劑層還積層有包含絕緣保護層之複數層而形成。因此，為了提升嵌入性及抑制邊裂，需將電磁波屏蔽膜整體之物性予以最佳化。

本揭示之課題是可實現一種整體物性獲最佳化之電磁波屏蔽膜。 用以解決課題之手段

本揭示之電磁波屏蔽膜之一態樣，具有導電性接著劑層與絕緣保護層，並且，該電磁波屏蔽膜之拉伸彈性模數為400MPa以上，斷裂伸度為3%以上。

於電磁波屏蔽膜之一態樣中，可更具有一設於導電性接著劑層與絕緣保護層之間的金屬箔。

於電磁波屏蔽膜之一態樣中，可設為更具有一設於導電性接著劑層與絕緣保護層之間的金屬蒸鍍層，並且，該電磁波屏蔽膜之斷裂伸度為10%以上。

於電磁波屏蔽膜之一態樣中，可設為導電性接著劑層與絕緣保護層相接，並且，該電磁波屏蔽膜之斷裂伸度為10%以上。

本揭示之屏蔽印刷配線基板之一態樣，具有：印刷配線基板，其具有接地電路與絕緣膜，該絕緣膜具有露出接地電路之開口部；及本揭示之電磁波屏蔽膜；並且，導電性接著劑層係與絕緣膜接著而於開口部導通接地電路。 發明效果

依據本揭示之電磁波屏蔽膜可使嵌入性提升。

用以實施發明之形態 本實施形態之電磁波屏蔽膜101，如圖1所示具有絕緣保護層112與導電性接著劑層111。像這樣的電磁波屏蔽膜可令導電性接著劑層111作為屏蔽來發揮機能。另外，亦可如圖2所示，於絕緣保護層112與導電性接著劑層111之間設一屏蔽層113。屏蔽層113只要呈導電性即可，可令其為金屬箔、金屬蒸鍍膜及導電性填料的層等。

本實施形態之電磁波屏蔽膜101，可如圖3所示與印刷配線基板102組合而製成為屏蔽印刷配線基板103。且電磁波屏蔽膜101可為具有屏蔽層113者。

印刷配線基板102，舉例來說，具有：基底構件122；及設於基底構件122上之包含接地電路125的印刷電路。於基底構件122上藉由接著劑層123接著有絕緣膜121。且於絕緣膜121設有露出接地電路125的開口部。於接地電路125之露出部分可設有鍍金層等表面層。另外，印刷配線基板102可為撓性基板亦可為剛性基板。

將電磁波屏蔽膜101接著於印刷配線基板102時，如圖4所示，係以使導電性接著劑層111位於開口部128上之方式將電磁波屏蔽膜101配置於印刷配線基板102上。然後，利用已加熱至預定溫度(譬如120℃)之2片加熱板(未作圖示)，從上下方將電磁波屏蔽膜101與印刷配線基板102夾住並以預定之壓力(譬如0.5MPa)行短時間(譬如5秒鐘)按壓。藉此，電磁波屏蔽膜101會被暫時固定於印刷配線基板102。

繼而，將2片加熱板之溫度設為較前述暫時固定時更高溫之預定溫度(譬如170℃)，並以預定之壓力(譬如3MPa)加壓預定時間(譬如30分鐘)。藉此，可將電磁波屏蔽膜101固定於印刷配線基板102上。在加壓之際，導電性接著劑層111會充分嵌入開口部128中，因而可實現電磁波屏蔽膜101所需之強度及導電性。

即使將導電性接著劑層111之流動性提高，導電性接著劑層111仍不會在被加壓之際流入開口部128，而是往周圍壓出擴散。所以，為了使嵌入性提升，重要的是使導電性接著劑層111變形而被壓入開口部128中。因而，宜使施加於導電性接著劑層111之應力不逸散至周圍。因此，宜提升電磁波屏蔽膜101整體之彈性模數，以對導電性接著劑層111施加大的應力。具體來說，係將電磁波屏蔽膜101整體之彈性模數設為400MPa以上，且宜設為500MPa以上，較佳為設為600MPa以上。

另一方面，導電性接著劑層111被壓入開口部128時，不僅只導電性接著劑層111，而是包含絕緣保護層112等之電磁波屏蔽膜101整體會變形。因此，將斷裂伸度設為3%以上，且宜設為4%以上，較佳為設為5%以上，以使電磁波屏蔽膜101整體具有某種程度的柔軟性。又，彈性模數宜設為15000MPa以下，較佳為設為14900MPa以下，更佳為設為14800MPa以下。

電磁波屏蔽膜101之斷裂伸度會因屏蔽層113之有無及其材質而大變化。於具有由金屬箔構成之屏蔽層113時，要將斷裂伸度增大是困難的，通常為10%以下左右。於具有由金屬蒸鍍層構成之屏蔽層113時，則可確保較大的斷裂伸度，以可確保10%以上之斷裂伸度為佳，較佳為20%以上，更佳為30%以上。即便於不具屏蔽層113時，亦以可確保10%以上之斷裂伸度為佳，較佳為20%以上，更佳為30%以上。又，於不具屏蔽層113時，亦宜將彈性模數設為2000MPa以下，較佳可設為1000MPa以下。另外，彈性模數及斷裂伸度可藉由實施例中所說明之方法來測定。

藉由將電磁波屏蔽膜101之彈性模數及斷裂伸度設為所述之值，不僅顧及嵌入性，亦可抑制於高低差發生邊裂。

於本實施形態中，導電性接著劑層111含有熱塑性樹脂及熱硬化性樹脂等樹脂成分與導電性填料。

導電性接著劑層111含有熱塑性樹脂時，作為熱塑性樹脂可使用例如苯乙烯系樹脂、乙酸乙烯酯系樹脂、聚酯系樹脂、聚乙烯系樹脂、聚丙烯系樹脂、醯亞胺系樹脂及丙烯酸系樹脂等。該等樹脂可單獨使用1種，亦可併用2種以上。

導電性接著劑層111含有熱硬化性樹脂時，作為熱硬化性樹脂可使用例如酚系樹脂、環氧系樹脂、胺甲酸乙酯系樹脂、三聚氰胺系樹脂、聚醯胺系樹脂及醇酸系樹脂等。作為活性能量線硬化性組成物雖無特別限定，但舉例來說，可使用分子中具有至少2個(甲基)丙烯醯氧基之聚合性化合物等。該等組成物可單獨使用1種，亦可併用2種以上。

熱硬化性樹脂舉例來說包含具反應性第1官能基之第1樹脂成分及與第1官能基進行反應之第2樹脂成分。第1官能基舉例來說可設為環氧基、醯胺基或羥基等。第2官能基僅需依第1官能基來作選擇即可，例如第1官能基為環氧基時，第2官能基可設為羥基、羧基、環氧基及胺基等。具體來說，例如令第1樹脂成分為環氧樹脂時，第2樹脂成分可使用：環氧基改質聚酯樹脂、環氧基改質聚醯胺樹脂、環氧基改質丙烯酸樹脂、環氧基改質聚胺甲酸乙酯聚脲樹脂、羧基改質聚酯樹脂、羧基改質聚醯胺樹脂、羧基改質丙烯酸樹脂、羧基改質聚胺甲酸乙酯聚脲樹脂及胺甲酸乙酯改質聚酯樹脂等。該等之中又以羧基改質聚酯樹脂、羧基改質聚醯胺樹脂、羧基改質聚胺甲酸乙酯聚脲樹脂及胺甲酸乙酯改質聚酯樹脂為佳。又，第1樹脂成分為羥基時，第2樹脂成分可使用：環氧基改質聚酯樹脂、環氧基改質聚醯胺樹脂、環氧基改質丙烯酸樹脂、環氧基改質聚胺甲酸乙酯聚脲樹脂、羧基改質聚酯樹脂、羧基改質聚醯胺樹脂、羧基改質丙烯酸樹脂、羧基改質聚胺甲酸乙酯聚脲樹脂及胺甲酸乙酯改質聚酯樹脂等。該等之中又以羧基改質聚酯樹脂、羧基改質聚醯胺樹脂、羧基改質聚胺甲酸乙酯聚脲樹脂、及胺甲酸乙酯改質聚酯樹脂為佳。

熱硬化性樹脂亦可含有促進熱硬化反應之硬化劑。熱硬化性樹脂具有第1官能基及第2官能基時，硬化劑可依第1官能基及第2官能基之種類來適當選擇。於第1官能基為環氧基且第2官能基為羥基時，可使用咪唑系硬化劑、酚系硬化劑及陽離子系硬化劑等。該等可單獨使用1種，亦可併用2種以上。此外，亦可含有消泡劑、抗氧化劑、黏度調節劑、稀釋劑、抗沉降劑、調平劑、耦合劑、著色劑及阻燃劑等作為任擇成分。

導電性填料雖無特別限定，然而舉例來說，可使用金屬填料、被覆金屬樹脂填料、碳填料及該等之混合物。作為金屬填料可列舉銅粉、銀粉、鎳粉、銀包銅粉、金包銅粉、銀包鎳粉及金包鎳粉等。該等金屬粉可利用電解法、霧化法或還原法等來製作。其中又以銀粉、銀包銅粉及銅粉中之任一者為佳。

導電性填料從填料彼此接觸之觀點來看，其平均粒徑宜為1μm以上，較佳為3μm以上，且宜為50μm以下，較佳為40μm以下。導電性填料之形狀並無特別限定，可為球狀、小片狀、樹枝狀或纖維狀等。

導電性填料之含量可按照用途適當選擇，惟於總固體成分中宜為5質量%以上，較佳為10質量%以上，且宜為95質量%以下，較佳為90質量%以下。而從嵌入性之觀點來看，則宜為70質量%以下，較佳為60質量%以下。又，於實現各向異性導電性時，則宜為40質量%以下，較佳為35質量%以下。

於本實施形態中，絕緣保護層112只要具有充分之絕緣性、且可保護導電性接著劑層111及必要時可保護屏蔽層113便無特別限定，舉例來說，可使用熱塑性樹脂、熱硬化性樹脂或活性能量線硬化性樹脂等來形成。

熱塑性樹脂無特別限定，可使用苯乙烯系樹脂、乙酸乙烯酯系樹脂、聚酯系樹脂、聚乙烯系樹脂、聚丙烯系樹脂、醯亞胺系樹脂或丙烯酸系樹脂等。作為熱硬化性樹脂無特別限定，可使用酚系樹脂、環氧系樹脂、胺甲酸乙酯系樹脂、三聚氰胺系樹脂或醇酸系樹脂等。作為活性能量線硬化性樹脂雖無特別限定，然而舉例來說，可使用分子中具有至少2個(甲基)丙烯醯氧基之聚合性化合物等。保護層雖由單獨之材料所形成，但亦可由2種以上之材料形成。

絕緣保護層112可為材質抑或硬度或彈性模數等物性相異之2層以上的積層體。舉例來說，若製成為一低硬度外層與高硬度內層之積層體，因外層具緩衝作用，便可緩和將電磁波屏蔽膜101於印刷配線基板102上加熱加壓之步驟時施加於屏蔽層113之壓力。故可抑制屏蔽層113因設於印刷配線基板102之高低差而遭受破壞。

於絕緣保護層112中，可視需要含有下述成分中之至少1者：硬化促進劑、賦黏劑、抗氧化劑、顏料、染料、塑化劑、紫外線吸收劑、消泡劑、調平劑、填充劑、阻燃劑、黏度調節劑及抗結塊劑等。

絕緣保護層112之厚度無特別限定，可視需要適當地設定，宜設為1μm以上，較佳為4μm以上，並且宜設為20μm以下，較佳為10μm以下，更佳為5μm以下。藉由將絕緣保護層112之厚度設為1μm以上，可充分保護導電性接著劑層111及屏蔽層113。藉由將絕緣保護層112之厚度設為20μm以下，會變得容易將電磁波屏蔽膜101之彈性模數及斷裂伸度設為預定的值。

設置屏蔽層113時，屏蔽層113可利用金屬箔、金屬蒸鍍膜及導電性填料等來形成。

金屬箔雖無特別限定，然而可為鎳、銅、銀、錫、金、鈀、鋁、鉻、鈦及鋅等中之任一者，或是由包含2者以上之合金構成的箔。

金屬箔之厚度雖無特別限定，然而宜為0.5μm以上，較佳為1.0μm以上。金屬箔之厚度為0.5μm以上的話，於傳送10MHz~100GHz之高頻訊號至屏蔽印刷配線基板時，可抑制高頻訊號之衰減量。

又，金屬箔之厚度宜為12μm以下，較佳為10μm以下，更佳為7μm以下。金屬層之厚度為12μm以下的話，可抑制原材料成本且同時屏蔽膜之斷裂伸度亦會變得良好。

金屬蒸鍍膜雖無特別限定，但可蒸鍍鎳、銅、銀、錫、金、鈀、鋁、鉻、鈦及鋅等來形成。對於蒸鍍可使用電鍍法、無電鍍敷法、濺鍍法、電子束蒸鍍法、真空蒸鍍法、化學氣相沉積(CVD)法或金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)法等。

金屬蒸鍍膜之厚度雖無特別限定，但宜為0.05μm以上，較佳為0.1μm以上。金屬蒸鍍膜之厚度為0.05μm以上的話，則電磁波屏蔽膜於屏蔽印刷配線基板中屏蔽電磁波之特性優異。

又，金屬蒸鍍膜之厚度宜小於0.5μm，較佳為小於0.3μm。金屬蒸鍍膜之厚度小於0.5μm的話，電磁波屏蔽膜之抗撓曲性(flex resistance)便優異，而可抑制屏蔽層因設於印刷配線基板之高低差而遭受破壞的情形。

若為導電性填料，則可藉由將摻合了導電性填料之溶劑塗佈於絕緣保護層112之表面並予以乾燥來形成屏蔽層113。導電性填料可使用金屬填料、被覆金屬樹脂填料、碳填料及該等之混合物。作為金屬填料可使用銅粉、銀粉、鎳粉、銀包銅粉、金包銅粉、銀包鎳粉及金包鎳粉等。該等金屬粉可利用電解法、霧化法及還原法來製作。金屬粉之形狀可列舉球狀、小片狀、纖維狀及樹枝狀等。

於本實施形態中，屏蔽層113之厚度雖然只要按照電磁屏蔽效應及耐反覆撓曲/滑動性來適當選擇即可，但為金屬箔時，從確保斷裂伸度之觀點來看宜設在12μm以下。

本實施形態之電磁波屏蔽膜101，舉例來說可依以下方式形成。首先，於支撐基材上塗佈絕緣保護層用組成物，之後，予以加熱乾燥並去除溶劑以形成絕緣保護層112。支撐基材可製成為例如膜狀。支撐基材並無特別定，可利用例如聚烯烴系、聚酯系、聚醯亞胺系或聚伸苯硫系等材料來形成。亦可於支撐基材與保護層用組成物之間設置脫模劑層。

絕緣保護層用組成物可於絕緣保護層用之樹脂組成物中適量添加溶劑及其他摻混劑來調製。溶劑可設為例如甲苯、丙酮、甲基乙基酮、甲醇、乙醇、丙醇及二甲基甲醯胺等。作為其他摻混劑，則可加入交聯劑、聚合用觸媒、硬化促進劑及著色劑等。其他摻混劑只要依需求添加即可，亦可不添加。對支撐基材塗佈保護層用組成物之方法無特別限定，可採用唇塗(lip coating)、缺角輪塗佈(comma coating)、凹版塗佈抑或狹縫式模塗等眾所周知之技術。

其次，視需求於絕緣保護層112上形成屏蔽層113。屏蔽層113之形成方法可按照屏蔽層113之種類適當選擇。電磁波屏蔽膜101為不具屏蔽層113之結構時，則可省略此步驟。

接著，於絕緣保護層112或屏蔽層113上塗佈導電性接著劑層用組成物後，予以加熱乾燥並去除溶劑而形成導電性接著劑層111。

導電性接著劑層用組成物包含導電性接著劑及溶劑。溶劑可為例如甲苯、丙酮、甲基乙基酮、甲醇、乙醇、丙醇及二甲基甲醯胺等。導電性接著劑層用組成物中之導電性接著劑之比率僅需按照導電性接著劑層111之厚度等來適當設定即可。 於屏蔽層113上塗佈導電性接著劑層用組成物之方法無特別限定，可使用唇塗、缺角輪塗佈、凹版塗佈抑或狹縫式模塗等。

導電性接著劑層111之厚度，從控制電磁波屏蔽膜101之彈性模數及斷裂伸度之觀點來看，宜設為1μm~50μm。

另外，亦可視需要於導電性接著劑層111之表面貼合剝離基材(分離膜)。剝離基材可使用下述者：於聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等之基底膜上，將矽系或非矽系之脫模劑塗佈在供形成導電性接著劑層111之側的表面而成者。另外，剝離基材之厚度無特別限定，可適當考量易用性來作決定。 實施例

以下，就本揭示之電磁波屏蔽膜使用實施例更詳細地進行說明。以下之實施例為舉例，而非意圖限定本發明。

＜電磁波屏蔽膜之製作＞ 於屬支撐基材且表面已設置剝離層之PET膜(厚度25μm)的表面，使用線棒塗佈預定之絕緣保護層用樹脂組成物並予以加熱乾燥，藉此形成預定厚度之絕緣保護層。之後，於具有屏蔽層時則藉由預定之方法於絕緣保護層上形成屏蔽層。其次，於絕緣保護層或屏蔽層上藉由線棒塗佈預定之導電性接著劑層用組成物後，進行100℃×3分之乾燥而製得電磁波屏蔽膜。

＜物性之測定＞ 自所得電磁波屏蔽膜製得啞鈴試片(100mm×10mm，標線間20mm)，並使用拉伸試驗機(AGS-X50S，島津製作所製)測定彈性模數、斷裂伸度及最大應力。測定條件係設為拉伸速度：50mm/min、荷重元：50N，彈性模數是從應力(2~3MPa)與斷裂伸度之梯度算出。

＜嵌入性之評價＞ 如圖5所示，於溫度：170℃、時間：30分鐘、壓力：2~3MPa之條件下，使用壓機將電磁波屏蔽膜101接著於試驗用印刷配線基板140，而製得屏蔽印刷配線基板。試驗用印刷配線基板140具有：2條銅箔圖案141，係設於基底膜(未作圖示)上且彼此間隔平行地延伸；及絕緣層(厚度：25μm)142，係覆蓋銅箔圖案且由聚醯亞胺構成；並且，於絕緣層142設有模擬直徑1mm之接地部的開口部143。

利用電阻計151測定形成於試驗用印刷配線板140之2條銅箔圖案141間的電阻值，並測定銅箔圖案141與電磁波屏蔽膜101之連接電阻值，並評價樹脂對開口部143之嵌入性。將開口部每1處之連接電阻值小於300mΩ之情形評定為嵌入性良好(○)，且將成為300mΩ以上之情形評定為嵌入性不良(×)。

(實施例1) 令絕緣保護層用樹脂組成物為由UV硬化性丙烯酸樹脂構成之第1絕緣保護層用樹脂組成物及由橡膠改質環氧樹脂構成之第2絕緣保護層用樹脂組成物，並在PET膜的表面形成厚度2μm之第1絕緣保護層後，於第1絕緣保護層上形成厚度3μm之第2絕緣保護層。

屏蔽層係設為厚度0.15μm之銀蒸鍍膜，其係藉由真空蒸鍍形成於第2絕緣保護層的表面。導電性接著劑層係設定成樹脂成分為橡膠改質環氧樹脂(87質量份)，且令填料為銀包銅粉(13質量份)，並且令厚度為17μm。

所得電磁波屏蔽膜之彈性模數為1311MPa，斷裂伸度為45%，最大應力為19MPa，且嵌入性良好。

(實施例2) 除了令第1絕緣保護層為厚度2μm之環氧基改質聚酯樹脂，且令屏蔽層為厚度0.3μm之銀蒸鍍膜以外，其餘係以與實施例1同樣方式製得電磁波屏蔽膜。

所得電磁波屏蔽膜之彈性模數為1442MPa，斷裂伸度為47%，最大應力為18MPa，且嵌入性良好。

(實施例3) 除了令導電性接著劑層之厚度為5μm以外，其餘係以與實施例2同樣方式製得電磁波屏蔽膜。

所得電磁波屏蔽膜之彈性模數為1235MPa，斷裂伸度為94%，最大應力為18MPa，且嵌入性良好。

(實施例4) 除了令第1絕緣保護層為厚度2μm之環氧基改質聚酯樹脂以外，其餘係以與實施例1同樣方式製得電磁波屏蔽膜。

所得電磁波屏蔽膜之彈性模數為825MPa，斷裂伸度為69%，最大應力為16MPa，且嵌入性良好。

(實施例5) 除了令導電性接著劑層之厚度為5μm以外，其餘係以與實施例4同樣方式製得電磁波屏蔽膜。

所得電磁波屏蔽膜之彈性模數為715MPa，斷裂伸度為83%，最大應力為15MPa，且嵌入性良好。

(實施例6) 除了令第2絕緣保護層之厚度為5μm，導電性接著劑層之樹脂成分為橡膠改質環氧樹脂(40質量份)，填料為銀包銅粉(60質量份)，且未設有屏蔽層以外，其餘係以與實施例2同樣方式製得電磁波屏蔽膜。

所得電磁波屏蔽膜之彈性模數為404MPa，斷裂伸度為119%，最大應力為25MPa，且嵌入性良好。

(實施例7) 除了令第2絕緣保護層之厚度為3μm，且令導電性接著劑層之樹脂成分為橡膠改質環氧樹脂及聚酯樹脂之混合物(以重量比計為99：1)以外，其餘係以與實施例6同樣方式製得電磁波屏蔽膜。

所得電磁波屏蔽膜之彈性模數為685MPa，斷裂伸度為71%，最大應力為55MPa，且嵌入性良好。

(實施例8) 除了令第1絕緣保護層為厚度2μm之酚改質環氧樹脂，第2絕緣保護層為厚度5μm之橡膠改質環氧樹脂，且屏蔽層為厚度5μm之壓延銅箔(rolled copper foil)以外，其餘係以與實施例1同樣方式製得電磁波屏蔽膜。

所得電磁波屏蔽膜之彈性模數為14709MPa，斷裂伸度為4%，最大應力為53MPa，且嵌入性良好。

(實施例9) 除了令壓延銅箔之厚度為2μm以外，其餘係以與實施例8同樣方式製得電磁波屏蔽膜。

所得電磁波屏蔽膜之彈性模數為5916MPa，斷裂伸度為6%，最大應力為28MPa，且嵌入性良好。

(比較例1) 令第1絕緣保護層為厚度7μm之胺甲酸乙酯改質環氧樹脂，且未設有第2絕緣保護層及屏蔽層。導電性接著劑層則係令樹脂成分為胺甲酸乙酯改質環氧樹脂(87質量份)，填料為銀包銅粉(13質量份)，且令厚度為17μm。

所得電磁波屏蔽膜之彈性模數為389MPa，斷裂伸度為164%，最大應力為17MPa，嵌入性不佳。 (比較例2) 除了令第1絕緣保護層之厚度為5μm，屏蔽層為厚度2μm之壓延銅箔，且導電性接著劑層之厚度為12μm以外，其餘係以與比較例1同樣方式製得電磁波屏蔽膜。

所得電磁波屏蔽膜之彈性模數為15394MPa，斷裂伸度為2%，最大應力為100MPa，嵌入性不佳。

就各實施例及比較例進行彙整示於表1。

[表1]產業上之可利用性

本揭示之電磁波屏蔽膜具有優異之嵌入性，從而作為印刷配線基板用之電磁波屏蔽膜等是有用的。

101‧‧‧電磁波屏蔽膜

102‧‧‧印刷配線基板

103‧‧‧屏蔽印刷配線基板

111‧‧‧導電性接著劑層

112‧‧‧絕緣保護層

113‧‧‧屏蔽層

121‧‧‧絕緣膜

122‧‧‧基底構件

123‧‧‧接著劑層

125‧‧‧接地電路

128‧‧‧開口部

140‧‧‧試驗用印刷配線基板

141‧‧‧銅箔圖案

142‧‧‧絕緣層

143‧‧‧開口部

151‧‧‧電阻計

圖1係顯示一實施形態之電磁波屏蔽膜的截面圖。 圖2係顯示電磁波屏蔽膜之變形例的截面圖。 圖3係顯示一實施形態之屏蔽印刷配線基板地截面圖。 圖4係顯示將電磁波屏蔽膜接著於印刷配線基板之步驟的截面圖。 圖5係顯示嵌入性之評價方法的俯視圖。

Claims (5)

1. 一種電磁波屏蔽膜，具有導電性接著劑層與絕緣保護層； 並且，該電磁波屏蔽膜之拉伸彈性模數為400MPa以上，斷裂伸度為3%以上。
2. 如請求項1之電磁波屏蔽膜，其更具有一設於前述導電性接著劑層與前述絕緣保護層之間的金屬箔。
3. 如請求項1之電磁波屏蔽膜，其更具有一設於前述導電性接著劑層與前述絕緣保護層之間的金屬蒸鍍層； 並且，該電磁波屏蔽膜之斷裂伸度為10%以上。
4. 如請求項1之電磁波屏蔽膜，其中前述導電性接著劑層與前述絕緣保護層相接； 並且，該電磁波屏蔽膜之斷裂伸度為10%以上。
5. 一種屏蔽印刷配線基板，具有： 印刷配線基板，其具有接地電路與絕緣膜，該絕緣膜具有露出前述接地電路之開口部；及 如請求項1至4中任一項之電磁波屏蔽膜； 並且，前述導電性接著劑層係與前述絕緣膜接著而於前述開口部導通前述接地電路。