JP2009176853A - 電磁波シールド用積層体及びその製造方法 - Google Patents
電磁波シールド用積層体及びその製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】絶縁樹脂層(A)、厚さ1〜5μmの極薄導体層(B)及び液晶ポリマー層(C)が順次形成されてなる積層構造を有する電磁波シールド用積層体。この電磁波シールド用積層体の製造方法は、支持基材上に剥離層を介して厚さ1〜5μmの極薄導体層(B)が設けられた支持基材付き極薄導体の極薄導体層上に樹脂溶液を塗工、熱処理し、極薄導体層上に絶縁樹脂層(A)を形成する工程、次いで、前記支持基材を剥離する工程、支持基材の剥離によって露出された極薄導体の表面に液晶ポリマー層(C)を設ける工程を有する。
【選択図】なし
Description
本発明の電磁波シールド用積層体(積層体と略称することがある)は、絶縁樹脂層(A)、極薄導体層(B)及び液晶ポリマー層(C)が順次形成されてなる積層構造を有する。電磁波シールド用積層体は、この基本積層構造を有せば、絶縁樹脂層(A)や液晶ポリマー層(C)の片側又は両側に他の層を有してもよく、他の層は1層のみからなるものであっても、複数層からなるものであってもよい。通常、他の層には保護フィルムなどが任意に設けられる。
(1)芳香族又は脂肪族ジヒドロキシ化合物
(2)芳香族又は脂肪族ジカルボン酸
(3)芳香族ヒドロキシカルボン酸
(4)芳香族ジアミン、芳香族ヒドロキシアミンまたは芳香族アミノカルボン酸
これらの加圧処理方法は特に限定されるものではなく、一対の加熱ロールによるロールラミネートやベルトプレス、通常もしくは真空タイプのハイドロプレス等を用いることができる。
ガラス製反応器に、N,N-ジメチルアセトアミド850gを仕込み、続いて撹拌下において63.18gの4,4'-ジアミノ-2,2'-ジメチル ビフェニル及び9.67gの1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼンとを添加し、その後、完全に溶解させた。この溶液に、57.12gのピロメリット酸二無水物及び19.26gの3,3'-4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物を順次少量ずつ加えていき、添加終了後に引き続いて3時間の室温撹拌を行ない、重合反応を完結させた。この重合反応によって得られたポリイミド前駆体溶液はポリマー濃度15重量%及びB型粘時計による25℃でのみかけ粘度20000mPa・sであった。
厚み18μmの銅箔からなる支持基材上に剥離層を介して厚み3μmの極薄銅箔が設けられた支持基材付き極薄銅箔を準備した。この極薄銅箔の表面に合成例1で得られたポリイミド前駆体を塗布し、乾燥、熱処理を行い、厚み25μmのポリイミド樹脂層を形成した。ここで、乾燥は、130℃で4分、イミド化のための熱処理は130〜340℃の温度範囲で昇温しながら約12分行った。形成されたポリイミド樹脂層の引張弾性率は9GPaであった。ここで得られた積層物は、支持基材/極薄銅箔/ポリイミド樹脂層からなり、支持基材と極薄銅箔間は剥離層を有し、容易に分離可能なものである。次に、支持基材を極薄銅箔から剥離除去し、剥離面側の銅箔面に市販の液晶ポリマーフィルム(商品名:べクスター、融点:280℃、厚み:25μm、芳香族ポリエステル型)を260℃で10分間熱圧着させて、ポリイミド層、極薄銅箔層、液晶ポリマー層が順次形成されてなる積層体を得た。
厚み18μmの銅箔による支持基材上に剥離層を介して厚み2μmの極薄銅箔が設けられた実施例1と極薄銅箔の厚みのみ異なる支持基材付き極薄銅箔を準備した。この極薄銅箔の表面に合成例1で得られたポリイミド前駆体を塗布し、実施例1と同様の条件で乾燥、熱処理を行い、厚み6μmのポリイミド樹脂層を形成した。形成されたポリイミド樹脂層の引張弾性率は9GPaであった。ここで得られた積層物は、支持基材/極薄銅箔/ポリイミド樹脂層からなり、支持基材と極薄銅箔間は剥離層を有し、容易に分離可能なものである。次に、支持基材の銅箔を剥離除去し、剥離面側の銅箔面に市販の25μmの液晶ポリマーフィルム(クラレ製、商品名べクスター、融点:280℃)を260℃で10分間熱圧着させて、ポリイミド層、極薄銅箔層、液晶ポリマー層が順次形成されてなる積層体を得た。
Claims (6)
- 絶縁樹脂層(A)、厚さ1〜5μmの極薄導体層(B)及び液晶ポリマー層(C)が順次形成されてなる積層構造を有することを特徴とする電磁波シールド用積層体。
- 極薄導体層(B)が、支持基材上に剥離層を介して厚さ1〜5μmの極薄導体層(B)が設けられた支持基材付き極薄導体層(B)に由来するものである請求項1記載の電磁波シールド用積層体。
- 液晶ポリマー層(C)が、融点が250〜350℃、厚み15〜50μmの範囲にある請求項1又は2に記載の電磁波シールド用積層体。
- 絶縁樹脂層(A)が、引張弾性率3〜10GPa、厚み5〜25μmの範囲のポリイミド樹脂である請求項1〜3何れかに記載の電磁波シールド用積層体。
- 支持基材上に剥離層を介して厚さ1〜5μmの極薄導体層(B)が設けられた支持基材付き極薄導体の極薄導体層上に樹脂溶液を塗工、熱処理し、極薄導体層上に絶縁樹脂層(A)を形成する工程、次いで、前記支持基材を剥離する工程、支持基材の剥離によって露出された極薄導体の表面に液晶ポリマー層(C)を設ける工程を有することを特徴とする絶縁樹脂層(A)、厚さ1〜5μmの極薄導体層(B)及び液晶ポリマー層(C)が順次形成された電磁波シールド用積層体の製造方法。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の電磁波シールド用積層体を、配線回路基板の回路上に、液晶ポリマー層(C)が接するように配置し、液晶ポリマー層(C)の融点より10〜100℃低い温度範囲で加熱加圧して接着することを特徴とする電磁波シールド材付き配線回路基板の製造方法。
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