JP6511473B2 - 電磁波シールドフィルム - Google Patents
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Description
図1に示すように、一実施形態の電磁波シールドフィルム100は、凸部110a及び凹部110bからなる凹凸を有する導電性のシールド層110と、シールド層110の第1の面に接して設けられた接着剤層120とを備えている。シールド層110の凸部110aは、接着剤層120により被覆されている。シールド層110の凸部110aの少なくとも一部は、電磁波シールドフィルム100をプリント配線板に加圧して貼り付けた際に、接着剤層120を突き抜ける。
シールド層110は、金属膜又は導電性粒子からなる導電膜等とすることができる。金属膜は、例えば、ニッケル、銅、銀、錫、金、パラジウム、アルミニウム、クロム、チタン若しくは亜鉛又はこれらのいずれか1つ以上を含む合金等により形成することができる。金属膜を形成する方法としては、例えば、圧延法、電解めっき法、無電解めっき法、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、CVD法、又はメタルオーガニック法等を用いることができる。
接着剤層120は、絶縁性としても導電性としてもよい。小径の開口部への充填性の観点からは、接着剤層120を絶縁性とすることが好ましい。接着剤層120を金属粒子等の導電性フィラーを含まない層とすることにより、接着剤層120の厚さをより薄くすることが可能となるという利点も得られる。
本実施形態の電磁波シールドフィルムは、保護層130を有していてもよい。保護層130は、シールド層110を保護できる所定の機械的強度、耐薬品性及び耐熱性等を満たしていればよい。保護層130は、充分な絶縁性を有し、接着剤層120及びシールド層110を保護できれば特に限定されないが、例えば、熱可塑性樹脂組成物、熱硬化性樹脂組成物、又は活性エネルギー線硬化性組成物等を用いることができる。
以下に、電磁波シールドフィルム100の製造方法の一例について説明する。本実施形態の電磁波シールドフィルム100の製造方法は以下の方法に限定されない。
まず、図2(a)に示すように、支持基材140の上に保護層用組成物を塗布して保護層130を形成する。保護層用組成物は、樹脂組成物132に粒子133、溶剤及びその他の配合剤を適量加えて調製することができる。粒子133は、特に限定されず、公知の微粒子を用いることができる。このような粒子としては、例えば、シリカ若しくはアルミナ等の無機粒子、又は樹脂微粒子等とすることができる。粒子133の平均粒径は、1μm以上、好ましくは4μm以上、そして20μm以下、好ましくは15μm以下、より好ましくは10μm以下とすることができる。粒子133の配合量は、樹脂組成物132と粒子133との合計に対して1質量%以上、好ましくは5質量%以上、そして30質量%以下、好ましくは20質量%以下とすることができる。溶剤は、例えば、トルエン、アセトン、メチルエチルケトン、メタノール、エタノール、プロパノール及びジメチルホルムアミド等とすることができる。その他の配合剤としては、架橋剤や重合用触媒、硬化促進
剤、及び着色剤等を加えることができる。その他の配合剤は必要に応じて加えればよく、加えなくてもよい。
支持基材140と保護層用組成物との間に、離型剤層を設けてもよい。
次に、図2(b)に示すように、表面に凸部110aを有するシールド層110を形成する。表面に凸部110aを有するシールド層110は、凹凸形状を有する保護層130の表面に、厚さが0.1μm〜10μm程度の金属膜を形成することにより容易に形成できる。金属膜の形成は、電解めっき法、無電解めっき法、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、CVD法、又はメタルオーガニック法等により行うことができる。
次に、図2(c)に示すように、シールド層110の上に接着剤層用組成物を塗布して、接着剤層120を形成する。接着剤層用組成物は、樹脂組成物と溶剤とを含む。樹脂組成物は、特に限定されないが、スチレン系樹脂組成物、酢酸ビニル系樹脂組成物、ポリエステル系樹脂組成物、ポリエチレン系樹脂組成物、ポリプロピレン系樹脂組成物、イミド系樹脂組成物、アミド系樹脂組成物、若しくはアクリル系樹脂組成物等の熱可塑性樹脂組成物、又はフェノール系樹脂組成物、エポキシ系樹脂組成物、ウレタン系樹脂組成物、メラミン系樹脂組成物、若しくはアルキッド系樹脂組成物等の熱硬化性樹脂組成物等とすることができる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。溶剤は、例えば、トルエン、アセトン、メチルエチルケトン、メタノール、エタノール、プロパノール及びジメチルホルムアミド等とすることができる。必要に応じて、接着剤層用組成物に硬化促進剤、粘着性付与剤、酸化防止剤、顔料、染料、可塑剤、紫外線吸収剤、消泡剤、レベリング剤、充填剤、難燃剤、及び粘度調節剤等の少なくとも1つが含まれていてもよい。接着剤層用組成物中における樹脂組成物の比率は、接着剤層120の厚さ等に応じて適宜設定すればよい。
本実施形態の電磁波シールドフィルム100は、以下のようなシールドプリント配線板に用いることができる。図3に示すように、シールドプリント配線板300は、プリント配線板200と、電磁波シールドフィルム100とを有している。
支持基材として、厚さが60μmで、表面に離型処理を施したPETフィルムを用いた。支持基材の上に、所定の粒径のシリカ粒子、ビスフェノールA型エポキシ系樹脂及びメチルエチルケトンを含む保護層用組成物(固形分量30質量%)を塗布し、加熱乾燥することにより保護層を形成した。次いで、保護層の表面に厚さが0.5μmの銀を蒸着することにより、シールド層を形成した。次いで、シールド層の表面にエポキシ系樹脂からなる接着剤を塗布して所定の厚さの接着剤層を形成した。
接着剤層を形成した後の電磁波シールドフィルムの厚みから接着剤層を形成する前の保護層とシールド層との積層体の厚みを引いた値を、接着剤層の厚みとした。なお、それぞれの厚みは、マイクロメーター((株)ミツトヨ製、MDH−25)を用い、JIS C 2151に準拠して測定した。
シールド層表面の最大山高さ(Rp)は、Lasertec社製の共焦点顕微鏡を用い、JIS B0651:2001に準拠して測定した。
プリント配線板の表面に電磁波シールドフィルムを仮貼り(120℃、0.5MPa、5秒)した後、加熱加圧(170℃、3MPa、30分)してシールドプリント配線板を形成した。プリント配線板には、互いに間隔をおいて平行に延びる2本の銅箔パターンと、銅箔パターンを覆う厚さが25μmのポリイミドからなる絶縁層を有するものを用いた。絶縁層には、それぞれの銅箔パターンを露出する開口部を設けた。開口部の直径は1mmとした。2本の銅箔パターンの間の電気抵抗値を抵抗計により測定することにより、銅箔パターンと電磁波シールドフィルムとの接続性を評価した。電気抵抗が0.4Ω未満の場合を接続性が良好であるとした。
保護層用組成物に加える粒子を粒径4μmのシリカ(電気化学工業(株)製、FB−5SDC)とし、シリカの含有量は樹脂組成物とシリカとの合計に対して15質量%とした。得られた保護層の厚さは6μmであった。シールド層表面の最大山高さは4.5μmであった。接着剤層の厚さは3μmとした。抵抗値は0.1Ωであった。
保護層用組成物に加える粒子を粒径9μmのシリカ(電気化学工業(株)製、FB−12D)とし、シリカの含有量は樹脂組成物とシリカとの合計に対して5質量%とした。得られた保護層の厚さは7μmであった。シールド層表面の最大山高さは5.2μmであった。接着剤層の厚さは3μmとした。抵抗値は0.2Ωであった。
接着剤層の厚さを5μmとした以外は実施例2と同様にした。抵抗値は0.2Ωであった。
保護層用組成物に加える粒子を粒径9μmのシリカ(電気化学工業(株)製、FB-12D)とし、シリカの含有量は樹脂組成物とシリカとの合計に対して15質量%とした。得られた保護層の厚さは11μmであった。シールド層表面の最大山高さは9.1μmであった。接着剤層の厚さは3μmとした。抵抗値は0.1Ωであった。
接着剤層の厚さを5μmとした以外は実施例4と同様にした。抵抗値は0.1Ωであった。
接着剤層の厚さを8μmとした以外は実施例4と同様にした。抵抗値は0.1Ωであった。
保護層用組成物に加える粒子を粒径14μmのシリカ(電気化学工業(株)製、FB−940)とし、シリカの含有量は樹脂組成物とシリカとの合計に対して5質量%とした。得られた保護層の厚さは16μmであった。シールド層表面の最大山高さは8.7μmであった。接着剤層の厚さは3μmとした。抵抗値は0.2Ωであった。
接着剤層の厚さを5μmとした以外は実施例7と同様にした。抵抗値は0.2Ωであった。
接着剤層の厚さを8μmとした以外は実施例7と同様にした。抵抗値は0.1Ωであった。
保護層用組成物に加える粒子を粒径14μmのシリカ(電気化学工業(株)製、FB−940)とし、シリカの含有量は樹脂組成物とシリカとの合計に対して15質量%とした。得られた保護層の厚さは20μmであった。シールド層表面の最大山高さは16.3μmであった。接着剤層の厚さは3μmとした。抵抗値は0.1Ωであった。
接着剤層の厚さを5μmとした以外は実施例10と同様にした。抵抗値は0.1Ωであった。
接着剤層の厚さを8μmとした以外は実施例10と同様にした。抵抗値は0.1Ωであった。
保護層用組成物に加える粒子を粒径14μmのシリカ(電気化学工業(株)社製、FB−940)とし、シリカの含有量は樹脂組成物とシリカとの合計に対して25質量%とした。得られた保護層の厚さは20μmであった。シールド層表面の最大山高さは14.6μmであった。接着剤層の厚さは3μmとした。抵抗値は0.2Ωであった。
接着剤層の厚さを5μmとした以外は実施例13と同様にした。抵抗値は0.2Ωであった。
接着剤層の厚さを8μmとした以外は実施例13と同様にした。抵抗値は0.2Ωであった。
保護層用組成物に加える粒子を粒径4μmのシリカ(電気化学工業(株)製、FB−5SDC)とし、シリカの含有量は樹脂組成物とシリカとの合計に対して5質量%とした。得られた保護層の厚さは5μmであった。シールド層表面の最大山高さは2.2μmであった。接着剤層の厚さは3μmとした。抵抗値は0.6Ωであった。
接着剤層の厚さを5μmとした以外は比較例1と同様にした。抵抗値は1.4Ωであった。
接着剤層の厚さを8μmとした以外は比較例1と同様にした。抵抗値は1.8Ωであった。
接着剤層の厚さを5μmとした以外は実施例1と同様にした。抵抗値は0.5Ωであった。
接着剤層の厚さを8μmとした以外は実施例1と同様にした。抵抗値は1.3Ωであった。
接着剤層の厚さを8μmとした以外は実施例2と同様にした。抵抗値は0.5Ωであった。
110 シールド層
110a 凸部
120 接着剤層
130 保護層
132 樹脂組成物
133 粒子
140 支持基材
200 プリント配線板
210 ベース層
220 プリント回路
220A 信号回路
220B グランド回路
230 絶縁層
300 シールドプリント配線板
Claims (9)
- 凹凸を有する導電性のシールド層と、
前記凹凸を被覆する接着剤層とを備え、
前記凹凸の最大山高さの値は、4μm以上、20μm以下で、且つ前記接着剤層の厚さよりも大きく、
前記接着剤層は、導電性粒子を含有する、電磁波シールドフィルム。 - 前記シールド層の前記接着剤層と反対側の面に保護層を備えている、
請求項1に記載の電磁波シールドフィルム。 - 前記保護層は、前記シールド層側の面の最大山高さの値が、前記接着剤層の厚さ以上、20μm以下である、請求項2に記載の電磁波シールドフィルム。
- 前記保護層は、粒径が1μm以上、20μm以下の粒子を含有する、請求項2又は3に記載の電磁波シールドフィルム。
- 保護層を準備する工程と、
前記保護層の上に凹凸を有する導電性のシールド層を形成する工程と、
前記シールド層の最大山高さの値よりも厚さが薄く、且つ、前記凹凸を被覆する接着剤層を形成する工程とを備え、
前記凹凸は、最大山高さの値が4μm以上、20μm以下であり、
前記接着剤層は、導電性粒子を含有する、電磁波シールドフィルムの製造方法。 - 前記保護層を準備する工程は、最大山高さが4μm以上、20μm以下の凹凸を表面に有する保護層を形成する工程である、請求項5に記載の電磁波シールドフィルムの製造方法。
- 前記保護層を準備する工程は、支持基材の上に、樹脂組成物と粒子とを含む保護層用組成物を塗布して硬化させる工程であり、
前記粒子の粒径は、1μm以上、20μm以下である、請求項5又は6に記載の電磁波シールドフィルムの製造方法。 - 前記保護層を準備する工程は、支持基材の上に樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層に凹凸を形成する工程とを含む、請求項5又は6に記載の電磁波シールドフィルムの製造方法。
- 前記凹凸を形成する工程は、前記樹脂層をエンボス加工処理する工程を含む、請求項8に記載の電磁波シールドフィルムの製造方法。
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