CN110769664B - 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法 - Google Patents

电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110769664B
CN110769664B CN201810846178.6A CN201810846178A CN110769664B CN 110769664 B CN110769664 B CN 110769664B CN 201810846178 A CN201810846178 A CN 201810846178A CN 110769664 B CN110769664 B CN 110769664B
Authority
CN
China
Prior art keywords
film layer
metal
layer
electromagnetic shielding
hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810846178.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110769664A (zh
Inventor
苏陟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangzhou Fangbang Electronics Co Ltd
Original Assignee
Guangzhou Fangbang Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guangzhou Fangbang Electronics Co Ltd filed Critical Guangzhou Fangbang Electronics Co Ltd
Priority to CN201810846178.6A priority Critical patent/CN110769664B/zh
Publication of CN110769664A publication Critical patent/CN110769664A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110769664B publication Critical patent/CN110769664B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0073Shielding materials
    • H05K9/0081Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
    • H05K9/0088Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising a plurality of shielding layers; combining different shielding material structure

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

本发明实施例提供了一种电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法,其中,电磁屏蔽膜包括层叠设置的树脂膜层和胶膜层,树脂膜层上设有第一通孔,第一通孔处设有金属凸起,金属凸起由可熔金属在预设的温度下从第一通孔的一侧流至另一侧后瞬间冷却形成;金属凸起伸入所述胶膜层。通过在树脂膜层上设置所述第一通孔,同时在第一通孔处设置由可熔金属在预设的温度下从第一通孔的一侧流至另一侧后瞬间冷却形成的金属凸起,并使金属凸起伸入胶膜层,从而使得金属凸起在压合过程中能够刺穿胶膜层,与线路板地层接触,保证干扰电荷正常导出,实现屏蔽功能。

Description

电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法
技术领域
本发明涉及电子领域,尤其涉及一种电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法。
背景技术
随着电子工业的迅速发展,电子产品进一步向小型化,轻量化,组装高密度化发展,极大地推动挠性电路板的发展,从而实现元件装置和导线连接一体化。挠性电路板可广泛应用于手机、液晶显示、通信和航天等行业。
在国际市场的推动下,功能挠性电路板在挠性电路板市场中占主导地位,而评价功能挠性电路板性能的一项重要指标是电磁屏蔽((Electromagnetic InterferenceShielding,简称EMI Shielding)。随着手机等通讯设备功能的整合,其内部组件急剧高频高速化。例如:手机功能除了原有的音频传播功能外,照相功能已成为必要功能,且WLAN(Wireless Local Area Networks,无线局域网)、GPS(Global Positioning System,全球定位系统)以及上网功能已普及,再加上未来的感测组件的整合,组件急剧高频高速化的趋势更加不可避免。在高频及高速化的驱动下所引发的组件内部及外部的电磁干扰、信号在传输中衰减以及插入损耗和抖动问题逐渐严重。
目前,现有线路板常用的屏蔽膜包括屏蔽层和导电胶层,通过导电胶层将屏蔽层与线路板地层连接,进而将干扰电荷导入线路板地层,实现屏蔽。但是在高温时,由于导电胶层膨胀,使得导电胶层内的原本互相接触的导电粒子拉开或是将原本与线路板地层相接触的导电粒子拉开,导致接地失效,不能将干扰电荷迅速导出,无法实现屏蔽功能。
发明内容
本发明实施例的目的是提供一种电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法,能够实现屏蔽膜与线路板地层可靠连接,进而实现高可靠性的屏蔽功能。
为实现上述目的,本发明实施例提供了一种电磁屏蔽膜,包括层叠设置的树脂膜层和胶膜层,所述树脂膜层上设有贯穿其上下表面的第一通孔,所述第一通孔处设有金属凸起,所述金属凸起由可熔金属在预设的温度下从所述第一通孔的一侧流至另一侧后瞬间冷却形成;所述金属凸起伸入所述胶膜层。
作为上述方案的改进,所述可熔金属为铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银和金中的任意一种单金属或任意多种合金。
作为上述方案的改进,所述预设的温度为300℃至2000℃。
作为上述方案的改进,所述金属凸起的表面设有凸状的导体颗粒;所述导体颗粒的高度为0.1μm-30μm。
作为上述方案的改进,所述电磁屏蔽膜还包括第一屏蔽层,所述第一屏蔽层设于所述树脂膜层靠近所述金属凸起的一侧,并覆盖所述金属凸起,从而在所述第一屏蔽层的外表面与所述金属凸起对应的位置形成凸起部。
作为上述方案的改进,所述凸起部的表面设有凸状的导体颗粒。
作为上述方案的改进,所述胶膜层包括含有导电粒子的黏着层;或,所述胶膜层包括不含导电粒子的黏着层。
作为上述方案的改进,所述第一屏蔽层分别包括金属屏蔽层、碳纳米管屏蔽层、铁氧体屏蔽层和石墨烯屏蔽层中的一种或多种。
作为上述方案的改进,所述金属屏蔽层包括单金属屏蔽层和/或合金屏蔽层;其中,所述单金属屏蔽层由铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银和金中的任意一种材料制成,所述合金屏蔽层由铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银和金中的任意两种或两种以上的材料制成。
作为上述方案的改进,所述电磁屏蔽膜还包括保护膜层,所述保护膜层设于所述树脂膜层远离所述胶膜层的一侧。
与现有技术相比,本发明实施例公开了一种电磁屏蔽膜,通过在所述树脂膜层上设置所述第一通孔,同时在所述第一通孔处设置由可熔金属在预设的温度下从所述第一通孔的一侧流至另一侧后瞬间冷却形成的所述金属凸起,并使所述金属凸起伸入所述胶膜层,从而使得所述金属凸起在压合的过程中能够刺穿所述胶膜层,以实现可靠的接地,进而保证干扰电荷正常导出,实现屏蔽功能。
本发明实施例还对应提供了一种线路板,包括印刷线路板上述任意一项所述的电磁屏蔽膜,所述电磁屏蔽膜通过其胶膜层与所述印刷线路板相压合;所述金属凸起刺穿所述胶膜层,并延伸至所述印刷线路板的地层。
与现有技术相比,本发明实施例公开了一种线路板,所述线路板包括印刷线路板和上述任意一项所述的电磁屏蔽膜,所述电磁屏蔽膜通过其胶膜层与所述印刷线路板相压合,所述金属凸起刺穿所述胶膜层,并与所述印刷线路板的地层连接,实现干扰电荷顺利导出,进而实现屏蔽功能。
本发明实施例还对应提供了一种电磁屏蔽膜的制备方法,适用于制备上述任意一项所述的电磁屏蔽膜,包括步骤:
S1、形成树脂膜层;其中,所述树脂膜层具有贯穿其上下表面的第一通孔;
S2、在所述第一通孔处形成金属凸起;其中,所述金属凸起伸出所述第一通孔;
S3、在所述树脂膜层形成有所述金属凸起的一侧形成胶膜层。
作为上述方案的改进,在步骤S2中,所述在所述第一通孔处形成金属凸起,具体为:
在所述第一通孔处设置可熔金属,并在预设的温度下使所述可熔金属从所述第一通孔的一侧流至另一侧后瞬间冷却,从而在所述第一通孔处形成所述金属凸起。
作为上述方案的改进,在所述树脂膜层形成有所述金属凸起的一侧形成胶膜层前,还包括以下步骤:
通过物理打毛、化学镀、物理气相沉积、化学气相沉积、蒸发镀、溅射镀、电镀和混合镀中的一种或多种工艺在所述金属凸起的外表面形成导体颗粒。
作为上述方案的改进,在所述树脂膜层形成有所述金属凸起的一侧形成胶膜层前,还包括以下步骤:
在所述树脂膜层形成有所述金属凸起的一侧形成第一屏蔽层,并使所述第一屏蔽层覆盖所述金属凸起,从而在所述第一屏蔽层的外表面与所述金属凸起对应的位置形成凸起部。
作为上述方案的改进,在步骤S3中,所述在所述树脂膜层形成有所述金属凸起的一侧形成胶膜层,具体为:
在离型膜上涂布胶膜层,然后将所述胶膜层压合转移至所述树脂膜层形成有所述金属凸起的一侧,从而在所述树脂膜层形成有所述金属凸起的一侧形成胶膜层;或
直接在所述树脂膜层形成有所述金属凸起的一侧涂布胶膜层,从而在所述树脂膜层形成有所述金属凸起的一侧形成胶膜层。
与现有技术相比,本发明实施例所提供的电磁屏蔽膜的制备方法,通过在所述树脂膜层的所述第一通孔处形成所述金属凸起,并在所述树脂膜层形成有所述金属凸起的一侧形成胶膜层,从而使得所述金属凸起在压合的过程中能够刺穿胶膜层,实现可靠的接地,实用性强。
附图说明
图1是本发明实施例1中的电磁屏蔽膜的一个角度的结构示意图;
图2是本发明实施例1中的电磁屏蔽膜的另一个角度的结构示意图;
图3是本发明实施例2中的电磁屏蔽膜的结构示意图;
图4是本发明实施例3中的电磁屏蔽膜的结构示意图;
图5是本发明实施例4中的线路板的结构示意图;
图6是本发明实施例5中的电磁屏蔽膜的制备方法的流程示意图。
其中,1、树脂膜层;11、第一通孔;12、金属凸起;13、导体颗粒;2、胶膜层;3、保护膜层;4、第一屏蔽层;41、凸起部;5、印刷线路板。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
参见图1,是本发明实施例1所提供的电磁屏蔽膜的一个角度的结构示意图;
参见图2,是本发明实施例1所提供的电磁屏蔽膜的另一个角度的结构示意图;
结合图1和图2所示,所述电磁屏蔽膜,包括层叠设置的树脂膜层1和胶膜层2,所述树脂膜层1上设有贯穿其上下表面的第一通孔11,所述第一通孔11处设有金属凸起12,所述金属凸起12由可熔金属在预设的温度下从所述第一通孔的一侧流至另一侧后瞬间冷却形成;所述金属凸起12伸入所述胶膜层2。
在本发明实施例中,通过在所述树脂膜层1上设置所述第一通孔11,同时在所述第一通孔11处设置由可熔金属在预设的温度下从所述第一通孔11的一侧流至另一侧后瞬间冷却形成的所述金属凸起12,并使所述金属凸起12伸入所述胶膜层2,从而使得所述金属凸起12在压合的过程中能够刺穿所述胶膜层2,以实现可靠的接地,进而保证干扰电荷正常导出,实现屏蔽功能。本实施例的所述电磁屏蔽膜无需设置导电胶层,因此有效地避免了在高温时,由于导电胶层膨胀而导致接地失效的问题。
具体地,在形成所述金属凸起12的过程中,所述预设的温度为300℃至2000℃。因此,形成所述金属凸起12的过程,具体表现为:在300℃至2000℃的温度下,使所述可熔金属熔化;并在所述可熔金属从所述第一通孔11远离所述胶膜层2的一侧流至另一侧后,使所述可熔金属瞬间冷却,所述可熔金属凝固,从而在所述第一通孔11靠近所述胶膜层2的一侧形成所述金属凸起12。其中,所述可熔金属为铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银和金中的任意一种单金属或任意多种合金。
在本发明实施例中,需要说明的是,附图所示的所述金属凸起12的结构仅仅是示例性的。由于所述金属凸起12是由可熔金属在预设的温度下从所述第一通孔11的一侧流至另一侧后瞬间冷却形成,因此,在其中一种情况中,可熔金属几乎完全从所述第一通孔11流出,在所述第一通孔11内没有残余,因此形成的所述金属凸起12可以如附图所示,所述金属凸起12形成于所述第一通孔11和所述胶膜层2的边界处;在另一种情况中,所述第一通孔11内残余有可熔金属,所述第一通孔11甚至被可熔金属填满,因此形成的所述金属凸起12的一端位于所述第一通孔11内,所述金属凸起12的另一端伸出所述第一通孔11;在又一种情况中,在所述树脂膜层1远离所述胶膜层2的一侧表面残留有可熔金属,因此,形成的所述金属凸起12可以是贯穿所述第一通孔11。此外,本发明中的所述金属凸起12并不受图示及上述形状的限制,只要是具有刺穿及导电功能的金属凸起,均在本发明的保护范围之内。
在本发明实施例中,为了进一步确保能够在所述第一通孔11处形成所述金属凸起12,优选地,本实施例中所述第一通孔11的横截面面积为0.1μm2-1mm2
此外,为了保证干扰电荷正常导出,本实施例中每1cm2所述树脂膜层1中的所述第一通孔11的个数为10-1000个。相应地,每1cm2所述树脂膜层1中的所述金属凸起12的个数为10-1000个,因此,保证了所述金属凸起12在压合的过程中能够刺穿所述胶膜层2,从而保证干扰电荷正常导出。
在本发明实施例中,所述第一通孔11可以规则或不规则地分布在所述树脂膜层1上;其中,所述第一通孔11规则地分布在所述树脂膜层1上是指各个第一通孔11的形状相同,且均匀地分布在所述树脂膜层1上;所述第一通孔11不规则地分布在所述树脂膜层1上是指各个第一通孔11的形状各异,且无序地分布在所述树脂膜层1上。优选地,各个第一通孔11的形状相同,且各个第一通孔11均匀分布在所述树脂膜层1上。此外,所述第一通孔11可以是圆形通孔,还可以是其它任意形状的通孔,本发明附图仅以所述第一通孔11是圆形通孔进行举例说明,但其他任何形状的所述第一通孔11都在本发明的保护范围之内。
在本发明实施例中,所述树脂膜层1包括相对设置的第一表面和第二表面,所述第一表面与所述胶膜层2相接触;所述第二表面与所述保护膜层3相接触。需要说明的是,所述第一表面和所述第二表面可以是任何形状的表面,例如,可以为如图1所示的平整表面,也可以为起伏状的非平整表面,或者其他粗糙面;另外,所述第一表面和所述第二表面可以是规则的表面,也可以是不规则的表面。本发明附图仅以所述第一表面和所述第二表面均为平整表面进行举例说明,其他任何形状的第一表面和第二表面都在本发明的保护范围之内。此外,需要说明的是,本实施例附图的所述树脂膜层1可以为单层结构,也可以为多层结构。
在本发明实施例中,所述胶膜层2的其中一种结构,具体表现为:所述胶膜层2包括含有导电粒子的黏着层。通过使所述胶膜层2包括含有导电粒子的黏着层,使得所述胶膜层2具有黏合的作用,以使所述接线板和电磁屏蔽膜紧密黏合,同时所述胶膜层2还具有导电的功能,其与所述金属凸起12相配合,将干扰电子迅速导入所述接线板的地层中。其中,所述导电粒子可以为相互分离的导电粒子,也可以为团聚而成的大颗粒导电粒子;当所述导电粒子为相互分离的导电粒子时,可进一步提高电气接触的面积,提高电气接触的均匀度;而当所述导电粒子为团聚而成的大颗粒导电粒子,可增加刺穿强度。
在本发明实施例中,所述胶膜层2的另一种结构,具体表现为:所述胶膜层2包括不含导电粒子的黏着层。通过使所述胶膜层2包括不含导电粒子的黏着层,使得所述胶膜层2具有黏合的作用,以使所述接线板和电磁屏蔽膜紧密黏合,同时由于所述胶膜层2包括不含导电粒子,降低使用过程中线路板的插入损耗,提高屏蔽效能的同时改善线路板的弯折性。
此外,本实施例中所述胶膜层2的厚度为1μm-80μm。所述胶膜层2所用材料选自以下几种:改性环氧树脂类、丙烯酸类、改性橡胶类、改性热塑性聚酰亚胺类。所述胶膜层2的外表面可以为无起伏的平整表面,也可以是平缓起伏的非平整表面。
如图1所示,为了保护所述树脂膜层1,本实施例中所述电磁屏蔽膜还包括保护膜层3,所述保护膜层3设于所述树脂膜层1远离所述胶膜层2的一侧。所述保护膜层3起到保护作用,从而保证所述树脂膜层1在使用过程中不被划伤破损,维持所述电磁屏蔽膜的高屏蔽效能。此外,所述保护膜层3包括PPS薄膜层、PEN薄膜层、聚酯薄膜层、聚酰亚胺薄膜层、环氧树脂油墨固化后形成的膜层、聚氨酯油墨固化后形成的膜层、改性丙烯酸树脂固化后形成的膜层或聚酰亚胺树脂固化后形成的膜层。
在本发明实施例中,需要说明的是,所述电磁屏蔽膜可以是重复的多层结构。具体地,所述电磁屏蔽膜可以是包括多个依次层叠设置的所述树脂膜层1,且由多个所述树脂膜层1形成的整体的一侧设有所述胶膜层2,另一侧设有所述保护膜层3;与所述胶膜层2相接触的所述树脂膜层1上的第一通孔11处设有金属凸起12,所述金属凸起12伸入所述胶膜层2。
参见图3,为本发明实施例2所提供的电磁屏蔽膜的结构示意图;
如图3所示,本实施例中的所述电磁屏蔽膜,其与实施例1的区别在于,所述金属凸起12的表面设有凸状的导体颗粒13。通过在所述金属凸起12的表面设置所述导体颗粒13,进一步保证所述金属凸起12在压合的过程中能够顺利地刺穿所述胶膜层2,进而保证干扰电荷正常导出。
优选地,所述导体颗粒13集中分布于所述金属凸起12的表面的向外凸出的位置上,这样更容易刺穿所述胶膜层2。当然,所述金属凸起12的表面的非凸部也可以有导体颗粒13分布。此外,所述导体颗粒13还可以分布于所述树脂膜层1靠近所述胶膜层2的一面的其他位置上,而不仅分布于所述金属凸起12的表面,如图3所示。当然,所述导体颗粒22还可以仅分布于所述金属凸起12。
在具体实施当中,如图3所示,可以先形成所述金属凸起12,然后再通过其他工艺在所述金属凸起12的外表面形成所述导体颗粒13。当然,所述金属凸起12和导体颗粒13也可以是通过一次成型工艺形成的整体结构。
在本发明实施例中,所述导体颗粒13可与所述胶膜层2的外表面存在一定的距离,也可与所述胶膜层2的外表面相接触或延伸出所述胶膜层2的外表面。
在本发明实施例中,为了进一步确保所述金属凸起12能够顺利刺穿所述胶膜层2,优选地,所述导体颗粒13的高度为0.1μm-30μm。
在本发明实施例中,所述导体颗粒13包括金属颗粒、碳纳米管颗粒和铁氧体颗粒中的一种或多种。此外,所述金属颗粒包括单金属颗粒和/或合金颗粒;其中,所述单金属颗粒由铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银和金中的任意一种材料制成,所述合金颗粒由铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银和金中的任意两种或两种以上的材料制成。需要说明的是,所述导体颗粒13可以与所述金属凸起12的材料相同,也可以不相同。
在本发明实施例中,需要说明的是,如图3所示的所述导体颗粒13的形状仅仅是示例性的,由于工艺手段及参数上的差异,所述导体颗粒13还可以为团簇状、挂冰状、钟乳石状、树枝状等其他形状。此外,本发明中的所述导体颗粒13并不受图示及上述形状的限制,只要是具有刺穿及导电功能的导体颗粒,均在本发明的保护范围之内。
在本发明实施例中,需要说明的是,所述电磁屏蔽膜可以是重复的多层结构;具体地,所述电磁屏蔽膜可以是包括多个依次层叠设置的所述树脂膜层1,且由多个所述树脂膜层1形成的整体的一侧设有所述胶膜层2,另一侧设有所述保护膜层3;与所述胶膜层2相接触的所述树脂膜层1上的第一通孔11处设有金属凸起12,所述金属凸起12伸入所述胶膜层2,且所述金属凸起12的表面设有凸状的导体颗粒13。此外,本实施例的所述电磁屏蔽膜的其它结构和工作原理与实施例1相同,在此不做更多的赘述。
参见图4,为本发明实施例3所提供的电磁屏蔽膜的结构示意图;
如图4所示,本实施例中的所述电磁屏蔽膜,其与实施例1的区别在于,所述电磁屏蔽膜还包括第一屏蔽层4,所述第一屏蔽层4设于所述树脂膜层1靠近所述金属凸起12的一侧,并覆盖所述金属凸起12,从而在所述第一屏蔽层4的外表面与所述金属凸起12对应的位置形成凸起部41。通过在所述树脂膜层1靠近所述金属凸起12的一侧设置所述第一屏蔽层4,并使所述第一屏蔽层4覆盖所述金属凸起12,从而实现在所述第一屏蔽层4的外表面与所述金属凸起12对应的位置形成凸起部41,进而进一步保证所述金属凸起12在压合的过程中能够顺利地刺穿胶膜层2,进而保证干扰电荷正常导出。
在本发明实施例中,需要说明的是,所述凸起部41的形状可以与所述金属凸起12的形状相同,也可以与所述金属凸起12的形状不同,附图所示的所述凸起部41的形状仅仅是示例性的。
在本发明实施例中,为了更进一步确保所述凸起部41能够刺穿所述胶膜层2,本实施例中所述凸起部41的表面设有凸状的导体颗粒13。
优选地,所述导体颗粒13集中分布于所述凸起部41的表面的向外凸出的位置上,这样更容易刺穿所述胶膜层2。当然,所述凸起部41的表面的非凸部也可以有导体颗粒13分布。此外,所述导体颗粒13还可以分布于所述第一屏蔽层4靠近所述胶膜层2的一面的其他位置上,而不仅分布于所述凸起部41的表面,如图3所示。当然,所述导体颗粒22还可以仅分布于所述凸起部41。
在具体实施当中,如图4所示,可以先形成所述第一屏蔽层4,然后再通过其他工艺在所述第一屏蔽层4远离所述树脂膜层1的一侧形成所述导体颗粒13。当然,所述第一屏蔽层4和导体颗粒13可以是通过一次成型工艺形成的整体结构。其中,需要说明的是,所述导体颗粒13集中分布于所述凸起部41上。
在本发明实施例中,所述导体颗粒13可与所述胶膜层2的外表面存在一定的距离,也可与所述胶膜层2的外表面相接触或延伸出所述胶膜层2的外表面。
在本发明实施例中,为了保证所述凸起部41能够顺利刺穿所述胶膜层2,优选地,所述导体颗粒13的高度为0.1μm-30μm。
在本发明实施例中,所述导体颗粒13包括金属颗粒、碳纳米管颗粒和铁氧体颗粒中的一种或多种。此外,所述金属颗粒包括单金属颗粒和/或合金颗粒;其中,所述单金属颗粒由铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银和金中的任意一种材料制成,所述合金颗粒由铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银和金中的任意两种或两种以上的材料制成。需要说明的是,所述导体颗粒13可以与所述第一屏蔽层4的材料相同,也可以不相同。
在本发明实施例中,需要说明的是,如图4所示的所述导体颗粒13的形状仅仅是示例性的,由于工艺手段及参数上的差异,所述导体颗粒13还可以为团簇状、挂冰状、钟乳石状、树枝状等其他形状。此外,本发明中的所述导体颗粒13并不受图示及上述形状的限制,只要是具有刺穿及导电功能的导体颗粒,均在本发明的保护范围之内。
在本发明实施例中,所述第一屏蔽层4的厚度为0.1μm-45μm。可以理解的,为了保证所述第一屏蔽层4具有良好的导电性,所述第一屏蔽层4包括金属屏蔽层、碳纳米管屏蔽层、铁氧体屏蔽层和石墨烯屏蔽层中的一种或多种。此外,所述金属屏蔽层包括单金属屏蔽层和/或合金屏蔽层;其中,所述单金属屏蔽层由铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银和金中的任意一种材料制成,所述合金屏蔽层由铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银和金中的任意两种或两种以上的材料制成。
在本发明实施例中,需要说明的是,本实施例附图的第一屏蔽层4可以为单层结构,也可以为多层结构。另外,根据实际生产和应用的需要,本实施例附图的第一屏蔽层4可设置为网格状、发泡状等。
在本发明实施例中,需要说明的是,所述电磁屏蔽膜可以是重复的多层结构;具体地,所述电磁屏蔽膜可以是包括多个依次层叠设置的所述树脂膜层1,且由多个所述树脂膜层1形成的整体的一侧设有所述胶膜层2,另一侧设有所述保护膜层3;与所述胶膜层2相接触的所述树脂膜层1上的第一通孔11处设有金属凸起12;所述第一屏蔽层4设于所述树脂膜层1靠近所述金属凸起12的一侧,并覆盖所述金属凸起12,从而在所述第一屏蔽层4的外表面与所述金属凸起12对应的位置形成凸起部41。此外,本实施例的所述电磁屏蔽膜的其它结构和工作原理与实施例1相同,在此不做更多的赘述。
参见图5,为本发明实施例4提供的线路板的结构示意图;
如图5所示,为了解决相同的技术问题,本发明实施例还提供一种线路板,包括印刷线路板5以及实施例1所述的电磁屏蔽膜,所述电磁屏蔽膜通过其胶膜层2与所述印刷线路板5相压合;所述金属凸起12刺穿所述胶膜层2,并延伸至所述印刷线路板5的地层。
在本实施例中,关于电磁屏蔽膜的实现方式可参考上述实施例1的描述,在此不再赘述。
优选地,所述印刷线路板5为挠性单面、挠性双面、挠性多层板、刚挠结合板中的一种。
在本发明实施例中,通过上述结构,在压合过程中,利用设于所述树脂膜层1上的所述金属凸起12将所述胶膜层2刺穿,从而使得所述金属凸起12的外表面至少一部分与所述印刷电路板7的地层连接,进而实现将干扰电荷导入地中,避免了干扰电荷的积聚而形成干扰源,影响线路板的正常工作。此外,需要说明的是,本实施例的所述线路板可以将其结构中采用的实施例1的所述电磁屏蔽膜替换为实施例2或3所述的电磁屏蔽膜,在此不做更多的赘述。
参见图6,为本发明实施例5提供的电磁屏蔽膜制备方法的流程示意图;
如图6所示,该方法适用于实施例1所述的电磁屏蔽膜的制备,包括步骤:
S1、形成树脂膜层;其中,所述树脂膜层具有贯穿其上下表面的第一通孔;
具体地,通过以下方式形成所述树脂膜层:
在载体膜上形成保护膜层,在所述保护膜层上形成树脂膜层;或
在带载体的可剥离层表面形成树脂膜层,在所述树脂膜层上形成保护膜层,将所述带载体的可剥离层剥离;
其中,所述树脂膜层具有贯穿其上下表面的第一通孔。所述第一通孔的横截面面积为0.1μm2-1mm2;每1cm2所述树脂膜层中的所述第一通孔的个数为10-1000个。
S2、在所述第一通孔处形成金属凸起;其中,所述金属凸起伸出所述第一通孔;
其中,所述在所述第一通孔处形成金属凸起,具体为:在所述第一通孔处设置可熔金属,并在预设的温度下使所述可熔金属从所述第一通孔的一侧流至另一侧后瞬间冷却,从而在所述第一通孔处形成所述金属凸起。其中,所述可熔金属为铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银和金中的任意一种单金属或任意多种合金;所述预设的温度为300℃至2000℃。
S3、在所述树脂膜层形成有所述金属凸起的一侧形成胶膜层。
具体地,在离型膜上涂布胶膜层,然后将所述胶膜层压合转移至所述树脂膜层形成有所述金属凸起的一侧,从而在所述树脂膜层形成有所述金属凸起的一侧形成胶膜层;或
直接在所述树脂膜层形成有所述金属凸起的一侧涂布胶膜层,从而在所述树脂膜层形成有所述金属凸起的一侧形成胶膜层。
在适用于制备实施例2所述的电磁屏蔽膜的另一优选实施例中,在步骤S3前还包括步骤:
通过物理打毛、化学镀、物理气相沉积、化学气相沉积、蒸发镀、溅射镀、电镀和混合镀中的一种或多种工艺在所述金属凸起的外表面形成导体颗粒。
在适用于制备实施例3所述的电磁屏蔽膜的另一优选实施例中,在步骤S3前还包括步骤:
在所述树脂膜层形成有所述金属凸起的一侧形成第一屏蔽层,并使所述第一屏蔽层覆盖所述金属凸起,从而在所述第一屏蔽层的外表面与所述金属凸起对应的位置形成凸起部;
通过物理打毛、化学镀、物理气相沉积、化学气相沉积、蒸发镀、溅射镀、电镀和混合镀中的一种或多种工艺在所述凸起部的外表面形成导体颗粒。
在本发明实施例中,所述电磁屏蔽膜的制备方法,通过在所述树脂膜层的所述第一通孔处形成所述金属凸起,并在所述树脂膜层形成有所述金属凸起的一侧形成胶膜层,从而使得所述金属凸起在压合的过程中能够刺穿所述胶膜层,实现可靠的接地,实用性强。
综上,本发明实施例提供一种电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法,所述电磁屏蔽膜,包括层叠设置的树脂膜层1和胶膜层2,所述树脂膜层1上设有贯穿其上下表面的第一通孔11,所述第一通孔11处设有金属凸起12,所述金属凸起12由可熔金属在预设的温度下从所述第一通孔11的一侧流至另一侧后瞬间冷却形成;所述金属凸起12伸入所述胶膜层2。通过在所述树脂膜层1上设置所述第一通孔11,同时在所述第一通孔11处设置由可熔金属在预设的温度下从所述第一通孔11的一侧流至另一侧后瞬间冷却形成的所述金属凸起12,并使所述金属凸起12伸入所述胶膜层,从而使得所述金属凸起12在压合的过程中能够刺穿所述胶膜层2,以实现可靠的接地,进而保证干扰电荷正常导出,实现屏蔽功能。
以上所述是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (16)

1.一种电磁屏蔽膜,其特征在于,包括层叠设置的树脂膜层和胶膜层,所述树脂膜层上设有贯穿其上下表面的第一通孔,所述第一通孔处设有金属凸起,所述金属凸起由可熔金属在预设的温度下从所述第一通孔的一侧流至另一侧后瞬间冷却形成;所述金属凸起伸入所述胶膜层,使得所述金属凸起在压合的过程中能够刺穿所述胶膜层。
2.如权利要求1所述的电磁屏蔽膜,其特征在于,所述可熔金属为铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银和金中的任意一种单金属或任意多种合金。
3.如权利要求1所述的电磁屏蔽膜,其特征在于,所述预设的温度为300℃至2000℃。
4.如权利要求1所述的电磁屏蔽膜,其特征在于,所述金属凸起的表面设有凸状的导体颗粒;所述导体颗粒的高度为0.1μm-30μm。
5.如权利要求1所述的电磁屏蔽膜,其特征在于,所述电磁屏蔽膜还包括第一屏蔽层,所述第一屏蔽层设于所述树脂膜层靠近所述金属凸起的一侧,并覆盖所述金属凸起,从而在所述第一屏蔽层的外表面与所述金属凸起对应的位置形成凸起部。
6.如权利要求5所述的电磁屏蔽膜,其特征在于,所述凸起部的表面设有凸状的导体颗粒。
7.如权利要求1所述的电磁屏蔽膜,其特征在于,所述胶膜层包括含有导电粒子的黏着层;或,
所述胶膜层包括不含导电粒子的黏着层。
8.如权利要求5所述的电磁屏蔽膜,其特征在于,所述第一屏蔽层分别包括金属屏蔽层、碳纳米管屏蔽层、铁氧体屏蔽层和石墨烯屏蔽层中的一种或多种。
9.如权利要求8所述的电磁屏蔽膜,其特征在于,所述金属屏蔽层包括单金属屏蔽层和/或合金屏蔽层;其中,所述单金属屏蔽层由铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银和金中的任意一种材料制成,所述合金屏蔽层由铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银和金中的任意两种或两种以上的材料制成。
10.如权利要求1-9任一项所述的电磁屏蔽膜,其特征在于,所述电磁屏蔽膜还包括保护膜层,所述保护膜层设于所述树脂膜层远离所述胶膜层的一侧。
11.一种线路板,其特征在于,包括印刷线路板和权利要求1至10任意一项所述的电磁屏蔽膜,所述电磁屏蔽膜通过其胶膜层与所述印刷线路板相压合;所述金属凸起刺穿所述胶膜层,并延伸至所述印刷线路板的地层;所述印刷线路板为挠性单面、挠性双面、挠性多层板、刚挠结合板中的一种。
12.一种电磁屏蔽膜的制备方法,其特征在于,适用于制备权利要求1至10任一项所述的电磁屏蔽膜,包括步骤:
S1、形成树脂膜层;其中,所述树脂膜层具有贯穿其上下表面的第一通孔;
S2、在所述第一通孔处形成金属凸起;其中,所述金属凸起伸出所述第一通孔;
S3、在所述树脂膜层形成有所述金属凸起的一侧形成胶膜层。
13.如权利要求12所述的电磁屏蔽膜的制备方法,其特征在于,在步骤S2中,所述在所述第一通孔处形成金属凸起,具体为:
在所述第一通孔处设置可熔金属,并在预设的温度下使所述可熔金属从所述第一通孔的一侧流至另一侧后瞬间冷却,从而在所述第一通孔处形成所述金属凸起。
14.如权利要求12所述的电磁屏蔽膜的制备方法,其特征在于,在所述树脂膜层形成有所述金属凸起的一侧形成胶膜层前,还包括以下步骤:
通过物理打毛、化学镀、物理气相沉积、化学气相沉积、蒸发镀、溅射镀、电镀和混合镀中的一种或多种工艺在所述金属凸起的外表面形成导体颗粒。
15.如权利要求12所述的电磁屏蔽膜的制备方法,其特征在于,在所述树脂膜层形成有所述金属凸起的一侧形成胶膜层前,还包括以下步骤:
在所述树脂膜层形成有所述金属凸起的一侧形成第一屏蔽层,并使所述第一屏蔽层覆盖所述金属凸起,从而在所述第一屏蔽层的外表面与所述金属凸起对应的位置形成凸起部。
16.如权利要求12所述的电磁屏蔽膜的制备方法,其特征在于,在步骤S3中,所述在所述树脂膜层形成有所述金属凸起的一侧形成胶膜层,具体为:
在离型膜上涂布胶膜层,然后将所述胶膜层压合转移至所述树脂膜层形成有所述金属凸起的一侧,从而在所述树脂膜层形成有所述金属凸起的一侧形成胶膜层;或
直接在所述树脂膜层形成有所述金属凸起的一侧涂布胶膜层,从而在所述树脂膜层形成有所述金属凸起的一侧形成胶膜层。
CN201810846178.6A 2018-07-27 2018-07-27 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法 Active CN110769664B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810846178.6A CN110769664B (zh) 2018-07-27 2018-07-27 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810846178.6A CN110769664B (zh) 2018-07-27 2018-07-27 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110769664A CN110769664A (zh) 2020-02-07
CN110769664B true CN110769664B (zh) 2024-02-06

Family

ID=69327002

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810846178.6A Active CN110769664B (zh) 2018-07-27 2018-07-27 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110769664B (zh)

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002232133A (ja) * 2001-01-31 2002-08-16 Denso Corp 基板の接続方法および接続構造並びに多層基板
JP2003023256A (ja) * 2002-05-27 2003-01-24 Toshiba Corp 印刷配線板およびその製造方法
JP2004072125A (ja) * 2003-11-10 2004-03-04 Toshiba Corp 印刷配線板の製造方法および印刷配線板
JP2004281667A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Yamaichi Electronics Co Ltd 多層配線板の製造方法
CN102479724A (zh) * 2010-11-22 2012-05-30 钰桥半导体股份有限公司 一种散热增益型堆叠式半导体组件的制作方法
CN103578804A (zh) * 2013-11-01 2014-02-12 电子科技大学 一种刚挠结合印制电路板的制备方法
CN103579128A (zh) * 2012-07-26 2014-02-12 宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司 芯片封装基板、芯片封装结构及其制作方法
WO2014065252A1 (ja) * 2012-10-24 2014-05-01 ポリマテック・ジャパン株式会社 電磁波シールドガスケットおよび電磁波シールド構造
CN203585898U (zh) * 2013-11-29 2014-05-07 深圳市日上光电股份有限公司 大角度卡槽led模组
CN105101762A (zh) * 2014-05-06 2015-11-25 昆山雅森电子材料科技有限公司 薄型化高传输电磁干扰屏蔽膜及其制造方法和应用
CN106003916A (zh) * 2016-05-04 2016-10-12 胡银坤 一种电磁屏蔽膜
CN107079611A (zh) * 2014-12-05 2017-08-18 拓自达电线株式会社 电磁波屏蔽膜
CN107969100A (zh) * 2017-11-07 2018-04-27 天诺光电材料股份有限公司 一种无导电颗粒电磁屏蔽膜及其制备方法
CN108323145A (zh) * 2018-03-14 2018-07-24 广州方邦电子股份有限公司 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法
CN108323144A (zh) * 2018-03-14 2018-07-24 广州方邦电子股份有限公司 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法
CN208754635U (zh) * 2018-07-27 2019-04-16 广州方邦电子股份有限公司 电磁屏蔽膜及线路板

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002232133A (ja) * 2001-01-31 2002-08-16 Denso Corp 基板の接続方法および接続構造並びに多層基板
JP2003023256A (ja) * 2002-05-27 2003-01-24 Toshiba Corp 印刷配線板およびその製造方法
JP2004281667A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Yamaichi Electronics Co Ltd 多層配線板の製造方法
JP2004072125A (ja) * 2003-11-10 2004-03-04 Toshiba Corp 印刷配線板の製造方法および印刷配線板
CN102479724A (zh) * 2010-11-22 2012-05-30 钰桥半导体股份有限公司 一种散热增益型堆叠式半导体组件的制作方法
CN103579128A (zh) * 2012-07-26 2014-02-12 宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司 芯片封装基板、芯片封装结构及其制作方法
WO2014065252A1 (ja) * 2012-10-24 2014-05-01 ポリマテック・ジャパン株式会社 電磁波シールドガスケットおよび電磁波シールド構造
CN103578804A (zh) * 2013-11-01 2014-02-12 电子科技大学 一种刚挠结合印制电路板的制备方法
CN203585898U (zh) * 2013-11-29 2014-05-07 深圳市日上光电股份有限公司 大角度卡槽led模组
CN105101762A (zh) * 2014-05-06 2015-11-25 昆山雅森电子材料科技有限公司 薄型化高传输电磁干扰屏蔽膜及其制造方法和应用
CN107079611A (zh) * 2014-12-05 2017-08-18 拓自达电线株式会社 电磁波屏蔽膜
CN106003916A (zh) * 2016-05-04 2016-10-12 胡银坤 一种电磁屏蔽膜
CN107969100A (zh) * 2017-11-07 2018-04-27 天诺光电材料股份有限公司 一种无导电颗粒电磁屏蔽膜及其制备方法
CN108323145A (zh) * 2018-03-14 2018-07-24 广州方邦电子股份有限公司 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法
CN108323144A (zh) * 2018-03-14 2018-07-24 广州方邦电子股份有限公司 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法
CN208754635U (zh) * 2018-07-27 2019-04-16 广州方邦电子股份有限公司 电磁屏蔽膜及线路板

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
塑料表面溅射电磁屏蔽膜的研究;毛一帆;董树荣;;真空(第04期);全文 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN110769664A (zh) 2020-02-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108323144B (zh) 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法
TWI715825B (zh) 接地構件、屏蔽印刷配線板及屏蔽印刷配線板之製造方法
WO2018147426A1 (ja) シールドフィルム、シールドプリント配線板及びシールドプリント配線板の製造方法
CN110783022B (zh) 导电胶膜、线路板及导电胶膜的制备方法
CN209947452U (zh) 导电胶膜及线路板
CN110769667B (zh) 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法
CN110769665B (zh) 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法
CN110769668B (zh) 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法
CN209461175U (zh) 导电胶膜及线路板
CN110784984A (zh) 自由接地膜、线路板及自由接地膜的制备方法
CN110769664B (zh) 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法
CN110769670B (zh) 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法
CN110784993A (zh) 自由接地膜、线路板及自由接地膜的制备方法
CN110769586A (zh) 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法
CN208754627U (zh) 电磁屏蔽膜及线路板
CN110784983A (zh) 自由接地膜、线路板及自由接地膜的制备方法
CN110784986A (zh) 自由接地膜、线路板及自由接地膜的制备方法
CN110691503B (zh) 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法
CN110691500B (zh) 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法
CN110783017B (zh) 导电胶膜、线路板及导电胶膜的制备方法
CN110784992A (zh) 自由接地膜、线路板及自由接地膜的制备方法
CN208754635U (zh) 电磁屏蔽膜及线路板
CN110769669B (zh) 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法
CN110784989A (zh) 自由接地膜、线路板及自由接地膜的制备方法
CN110769671B (zh) 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant