JP2019089697A - 電子装置のカバーガラス及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】本発明は、強化ガラスプレートの一面にポリシラザンを適用したコーティング層を積層してヘイズ状態を有する美しいデザインのカバーを具備する電子装置のカバーガラス及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明による電子装置のカバーガラスは、電子装置の少なくとも一部を形成するガラスプレートと、ガラスプレートの一面に配置され、少なくとも一部がネットワーク構造を形成する第1のコーティング層と、を備え、第1のコーティング層は、シリコン(Si)、酸素(O)、及び少なくとも一つの不純物を含み、Si−Oの結合は、第1のコーティング層の80重量%以上で構成される。【選択図】図2

Description

本発明は、電子装置のカバーガラス及びその製造方法に関する。
電子装置は、家電製品から電子手帳、携帯用マルチメディア再生機、移動通信端末、タブレットPC、映像/音響装置、デスクトップ/ラップトップコンピュータ、車両用ナビゲーションなど、搭載されたプログラムに従って特定機能を実行する装置を意味する。例えば、このような電子装置は、格納された情報を音響又は映像として出力する。電子装置の集積度が高くなり、超高速、大容量無線通信が普遍化され、最近では移動通信端末のような一つの電子装置に多様な機能が搭載されている。例えば、通信機能だけでなく、ゲームのようなエンターテインメント機能、音楽/動映像再生のようなマルチメディア機能、モバイルバンキングのための通信、及びセキュリティ機能、日程管理、又は電子財布のような機能が一つの電子装置に集約されている。
最近、スマートフォンやノートブックのような電子装置の小型化、薄型化、及び携帯性が強調されるに従って、デザイン面で洗練されたガラス素材の部品が採用されて電子装置の外装材に適用しようとする試みがなされている。また、ガラス素材部品の外装材にデザイン的な効果以外に機能的効果を与えるために多様な表面処理技術が開発されている。
ガラス素材の外装材は、特有の脆性のため、これを改善した化学的に又は物理的(熱処理)に強化されたガラス及び粗さが要求される。例えば、ガラスをエッチングするフッ酸(HF)又は酸性フッ化アンモニウム(NHHF)を用いてガラス表面エッチングによる不規則なパターンを形成する化学的エッチングプロセス及び高硬度粒子でガラス表面に衝撃を加えてパターンを形成するサンドブラスト(sandblasting)プロセスが実行される。一例として、酸化物(SiO、B、ZnOなど)粒子を溶剤に混合してコーティングした後に熱処理するプロセスによって外装材が具現される。
ガラス素材を利用する外装材製造方法のうち、化学的エッチングプロセスで使用されるフッ酸(HF)又は酸性フッ化アンモニウム(NHHF)は、毒性が強い物質として環境的な危険性のために使用が規制されている物質であり、ガラス表面を直接的にエッチングして凹凸を生成させるため、量産プロセス中の再作業に難しさがあるという問題点があった。サンドブラストプロセスは、ガラス表面に主にセラミック材質の粒子を衝突させ、衝突エネルギーでガラス表面に微細な傷を出して凹凸を生成させる工法であって、表面が荒く不規則で、ガラス強度を低下させるという問題点があった。酸化物(SiO、B、ZnOなど)粒子コーティングプロセスは、400℃以上の高温での熱処理が必要なプロセスであって、強化されたガラスの応力を弱めることによって強度が落ちるという問題点があった。
韓国公開特許第2016−0061669号公報
本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、ガラスプレートの一面にポリシラザンを適用したコーティング層を積層してヘイズ状態を有する電子装置のカバーガラス及びその製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による電子装置のカバーガラスは、前記電子装置の少なくとも一部を形成するガラスプレートと、前記ガラスプレートの一面に配置され、少なくとも一部がネットワーク構造を形成する第1のコーティング層と、を備え、前記第1のコーティング層は、シリコン(Si)、酸素(O)、及び少なくとも一つの不純物を含み、Si−Oの結合は、前記第1のコーティング層の80重量%以上である。
一実施形態による電子装置は、第1の方向に向かう前面カバー及び前記前面カバーの反対である第2の方向に向かう背面カバーを含み、前記前面カバーの少なくとも一部を形成する透明領域を含むハウジングと、前記ハウジングの内部に配置されたバッテリーと、前記ハウジング内に配置され、前記前面カバーを通じて露出される画面領域を含むディスプレイ装置と、を備え、前記背面カバーは、ガラスプレートと、前記ガラスプレートの一面に配置され、少なくとも一部がネットワーク構造を形成する第1のコーティング層と、前記第1のコーティング層の一面に配置され、前記第1のコーティング層のネットワーク構造に対応する形状に積層された第2のコーティング層を含む。
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様によるネットワーク構造を含む電子装置のカバーガラスの製造方法は、ガラスプレートを用意するプロセスと、前記ガラスプレートの一面に湿式スプレー方式で第1のコーティング層を塗布し、複数回の硬化処理を通じて前記第1のコーティング層を積層するプロセスと、前記第1のコーティング層の一面に第2のコーティング層を積層するプロセスと、を有する。
本発明のカバーガラス及びこれを含む電子装置によれば、強化ガラスプレートの一面にポリシラザンを適用したコーティング層を積層してヘイズ状態を有する洗練されたデザインのカバーを提供することができ、カバーガラスのポリシラザンを適用したコーティング層は光の散乱効果による耐指紋性を提供することができる。
また、本発明のカバーガラスの製造方法によれば、所定の条件の下で複数回の硬化プロセスを通じてガラスプレートに積層されたコーティング層の高い耐久性及び耐化学性を提供することができる。
本発明の他の態様、利点、及び顕著な特徴は、下記の詳細な説明から当業者には公知であり、その詳細な説明は、図面と共に本発明の実施形態で開示する。
本発明の一実施形態による電子装置を示す前面の斜視図である。 本発明の一実施形態による電子装置を示す背面の斜視図である。 図1の電子装置を示す分解斜視図である。 本発明の一実施形態によるカバーガラス400の一部領域を示す断面図である。 第1のコーティング層430の外面の一部領域を拡大した写真である。 図5の第1のコーティング層430の一部領域を2Dハイトマップで示す写真である。 第1のコーティング層430の断面の凹凸形状の高さ(2A)及びピッチの範囲をラインプロファイルで示すグラフである。 図8(A)はカバーガラス500のガラスプレート510と第1のコーティング層530との配置関係を実験装置で示す拡大写真であり、図8(B)は図8(A)の一部領域(P)を追加して示す拡大写真である。 本発明の一実施形態によるガラスプレートに第1のコーティング層及び第2のコーティング層が積層されたカバーガラスの製造方法を示すフローチャートである。 第1のコーティング層に二次硬化プロセスによるFT−IR測定結果を示すグラフである。 第1のコーティング層に二次硬化プロセスによる振動の耐摩耗性を比較して示す写真である。 第2のコーティング層が積層されたガラスカバーに試薬を利用したラビングテスト結果を比較して示す写真である。
以下、本発明を実施するための形態の具体例を、図面を参照しながら詳細に説明する。
本明細書に開示する多様な実施形態による電子装置は、多様な形態の装置からなる。電子装置は、例えばコンピュータ装置、携帯用通信装置(例えば、スマートフォン)、携帯用マルチメディア装置、携帯用医療機器、カメラ、ウェアラブル装置、又は家電装置のうちの少なくとも一つを含む。本発明の実施形態による電子装置は、上記の機器に限定されるものではない。
本明細書の多様な実施形態及び使用される用語は、本明細書に記載された技術を特定の実施形態に対して限定するものではなく、当該実施形態の多様な変更、均等、及び/又は代替を含むものとして理解されなければならない。図面の説明に関連して、類似した構成要素に対しては類似した参照符号が使用される。文脈中で特に明示されない限り、単数形が複数形を含むことは、当業者には容易にわかることである。本明細書では、“A又はB”、“A及び/又はBのうち少なくとも一つ”、“A、B、又はC”又は“A、B、及び/又はCのうち少なくとも一つ”などの表現は、共に列挙した項目の可能な全ての組合せを含む。“第1の”、“第2の”、“最初”、又は“2番目”のような表現は、対応する構成要素を順序又は重要度に関係なく修飾し、一つの構成要素を他の構成要素と区分するために使用するだけであって、対応する構成要素を限定するものではない。一つの(例えば、第1の)構成要素が他の(例えば、第2の)構成要素に“(機能的に又は通信的に)結合され”、又は“接続され”と記載する場合には、一つの構成要素が他の構成要素に直接的に接続されるか又は他の構成要素(例えば、第3の構成要素)を介して接続される。
本明細書で使用される用語“モジュール”は、ハードウェア、ソフトウェア、又はファームウェアで構成されるユニットを含み、例えば論理、論理ブロック、部品、又は回路などの用語と互換的に使用される。モジュールは、一体で構成された部品又は一つ以上の機能を実行する最小単位又はその一部である。例えば、モジュールは、ASIC(Application−Specific Integrated Circuit)で構成される。
本発明の多様な実施形態では、機器(例えば、コンピュータ)読み取り可能な記録媒体(例えば、内蔵メモリ又は外装メモリ)に格納された命令語を含むソフトウェア(例えば、プログラム)で具現される。機器は、記録媒体から格納された命令語を呼び出し、呼び出した命令語に従って動作が可能な装置であって、開示される実施形態による電子装置(例えば、電子装置100)を含む。命令がプロセッサにより実行される場合、プロセッサが直接又はプロセッサの制御の下で他の構成要素を用いて命令に対応する機能を実行する。命令は、コンパイラ又はインタープリタにより生成又は実行されるコードを含む。機械読み取り可能な記録媒体は、非一時的(non−transitory)格納媒体として提供される。ここで、“非一時的”は、格納媒体が信号を含まずに実在(tangible)することを意味するだけであり、データが格納媒体に半永久的又は臨時的に格納されることを区分することではない。
一実施形態によると、本明細書で開示される多様な実施形態による方法はコンピュータプログラム製品に含まれて提供される。コンピュータプログラム製品は、商品として販売者と購買者との間で取引きされる。コンピュータプログラム製品は、機械読み取り可能な記録媒体(例えば、CD−ROM)の形態で、或いはアプリケーションストア(例えば、プレーストア(登録商標)を通じてオンラインで配布される。オンライン配布において、コンピュータプログラム製品の少なくとも一部は、メーカーのサーバ、アプリケーションストアのサーバ、又は中継サーバのメモリのような格納媒体に少なくとも一時格納されるか、或いは臨時に生成される。
本発明の実施形態による構成要素(例えば、モジュール又はプログラム)のそれぞれは、単数又は複数のエンティティで構成され、上記当該サブ構成要素のうちの一部サブ構成要素が省略され、或いは他のサブ構成要素が多様な実施形態に含まれる。代替的に又は追加的に、一部の構成要素(例えば、モジュール又はプログラム)は、一つのエンティティに統合され、統合される前のそれぞれの対応する構成要素により実行される機能を同一に又は類似に実行する。多様な実施形態によると、モジュール、プログラム、又は他の構成要素により実行される動作は、順次に、並列に、反復的に、又はヒューリスティック(heuristic)に実行され、或いは少なくとも一部動作が他の順序で実行されるか、省略されるか、又は他の動作が追加される。以下、図面を参照して、多様な実施形態による電子装置を説明する。本明細書で、ユーザーとは、電子装置を使用する人又は電子装置を使用する装置(例えば、人工知能電子装置)を称する。
本発明の実施形態によるガラス素材を利用する外装材は、成形空間によって多様な形態の外面を有する。例えば、強化ガラスプレートの一面に複数回のコーティング層を通じた表面処理によって製造された電子装置の外面は、緻密な酸化物で優れた耐食性、耐摩耗性、及びヘイズを表現した装飾性外観を有する。
本発明の実施形態によるガラス素材を利用する外装材は、カバーの造成材料及びその造成比を提供する。他の例として、ガラス素材を利用する外装材の製造方法を提供する。ガラスプレートの塗布されたコーティング層は、熱処理を通じて接合強度を向上させ、表面特性及び機械的特性が優れた外装材を提供する。
本発明の一実施形態によるガラス素材を利用する外装材は、携帯用電子機器に提供される厚さが薄く高強度を有するべき内外装材のための部品として使用される。例えば、携帯用電子機器に提供される電子装置は、ディスプレイ装置を含む電子装置である。
図1は、本発明の一実施形態による電子装置の前面を示す斜視図であり、図2は、本発明の一実施形態による電子装置の背面を示す斜視図である。
図1及び図2を参照すると、本実施形態による電子装置100は、第1の面(又は前面)110A、第2の面(又は背面)110B、及び第1の面110Aと第2の面110Bとの間の空間を取り囲む側面110Cを具備するハウジング110を含む。他の実施形態(図示せず)で、ハウジングは、図1の第1の面110A、第2の面110B、及び側面110Cのうちの一部を形成する構造を称することもある。本実施形態によると、第1の面110Aは、少なくとも一部が実質的に透明な前面プレート102(例えば、多様なコーティングレイヤを含むガラスプレート、又はポリマープレート)により形成される。第2の面110Bは、実質的に不透明な背面プレート111により形成される。背面プレート111は、例えばコーティング又は着色されたガラス、セラミック、ポリマー、金属(例えば、アルミニウム、ステンレス鋼(STS)、又はマグネシウム)、又はこれらのうちの少なくとも2個の組合せによって形成される。側面110Cは、前面プレート102及び背面プレート111に結合され、金属及び/又はポリマーを含む側面ベゼル構造(又は“側面部材”)118によって形成される。一実施形態で、背面プレート111及び側面ベゼル構造118は、一体に形成され、同一の物質(例えば、アルミニウムのような金属物質)を含む。
本実施形態で、前面プレート102は、第1の面110Aから背面プレート側に曲がりシームレスに延びる第1の領域110Dを前面プレートの長いエッジの両端に含む。本実施形態(図2を参照)において、背面プレート111は、第2の面110Bから前面プレート側に曲がってシームレスに延びる第2の領域110Eを長いエッジの両端に含む。一実施形態で、前面プレート又は背面プレートが第1の領域又は第2の領域のうちのいずれか一つのみを含む。上記実施形態において、電子装置の側面から見ると、側面ベゼル構造は、上記のような第1の領域又は第2の領域が含まれない側面で第1の厚さ(又は幅)を有し、第1の領域又は第2の領域を含む側面で第1の厚さよりも薄い第2の厚さを有する。
本実施形態によると、電子装置100は、ディスプレイ101、オーディオモジュール(103、107、114)、センサモジュール(104、119)、カメラモジュール(105、112、113)、キー入力装置(115、116、117)、インジケータ106、及びコネクタ穴(108、109)のうちの少なくとも一つ以上を含む。一実施形態で、電子装置100は、構成要素のうちの少なくとも一つ(例えば、キー入力装置(115、116、117)、又はインジケータ106)を省略するか、又は他の構成要素を更に含む。
ディスプレイ101は、例えば前面プレート102の相当部分を通じて露出される。一実施形態で、第1の面110A、及び側面110Cの第1の領域110Dを形成する前面プレート102を通じてディスプレイ101の少なくとも一部が露出される。ディスプレイ101は、タッチ感知回路、タッチの強さ(圧力)を測定する圧力センサ、及び/又は磁場方式のスタイラスペンを検出するデジタイザに結合され、或いは隣接して配置される。一実施形態で、センサモジュール(104、119)の少なくとも一部、及び/又はキー入力装置(115、116、117)の少なくとも一部が第1の領域110D、及び/又は第2の領域110Eに配置される。
オーディオモジュール(103、107、114)は、マイク穴103及びスピーカ穴(107、114)を含む。マイク穴103は、外部のサウンドを獲得するためのマイクが内部に配置され、一実施形態ではサウンドの方向を感知するように複数のマイクが配置される。スピーカ穴(107、114)は、外部スピーカ穴107及び通話用レシーバ穴114を含む。一実施形態では、スピーカ穴(107、114)とマイク穴103が一つの穴で具現されるか、或いはスピーカ穴(107、114)なしにスピーカ(例えば、ピエゾスピーカ)が含まれる。
センサモジュール(104、119)は、電子装置100の内部の作動状態、又は外部の環境状態に対応する電気信号又はデータ値を生成する。センサモジュール(104、119)は、例えばハウジング110の第1の面110Aに配置された第1のセンサモジュール104(例えば、近接センサ)及び/又は第2のセンサモジュール(図示せず)(例えば、指紋センサ)、及び/又はハウジング110の第2の面110Bに配置された第3のセンサモジュール119(例えば、HRM(心拍)センサ)を含む。指紋センサは、ハウジング110の第1の面110A(例えば、ホームキーボタン115)だけでなく、第2の面110Bに配置される。電子装置100は、図示していないセンサモジュール、例えばジェスチャセンサ、ジャイロセンサ、気圧センサ、磁気センサ、加速度センサ、グリップセンサ、カラーセンサ、IR(infrared)センサ、生体センサ、温度センサ、湿度センサ、又は照度センサ104のうちの少なくとも一つを更に含む。
カメラモジュール(105、112、113)は、電子装置100の第1の面110Aに配置された第1のカメラ装置105、及び第2の面110Bに配置された第2のカメラ装置112、及び/又はフラッシュ113を含む。カメラモジュール(105、112)は、一つ又は複数のレンズ、イメージセンサ、及び/又はイメージシグナルプロセッサを含む。フラッシュ113は、例えば発光ダイオード又はキセノンランプ(xenon lamp)を含む。一実施形態では、2個以上のレンズ(広角及び望遠レンズ)及びイメージセンサが電子装置100の一面に配置される。
キー入力装置(115、116、117)は、ハウジング110の第1の面110Aに配置されたホームキーボタン115、ホームキーボタン115の周辺に配置されたタッチパッド116、及び/又はハウジング110の側面110Cに配置されたサイドキーボタン117を含む。他の実施形態で、電子装置100は、言及したキー入力装置(115、116、117)のうちの一部又は全部を含まず、含まれないキー入力装置(115、116、117)は、ディスプレイ101上にソフトキーのような他の形態で具現される。
インジケータ106は、例えばハウジング110の第1の面110Aに配置される。インジケータ106は、例えば電子装置100の状態情報を光形態で提供し、LEDを含む。
コネクタ穴(108、109)は、外部電子装置と電力及び/又はデータを送受信するためのコネクタ(例えば、USBコネクタ)を受容する第1のコネクタ穴108、及び/又は外部電子装置とオーディオ信号を送受信するためのコネクタを受容する第2のコネクタ穴(又はイヤホンジャック)109を含む。
図3は、図1の電子装置を示す展開斜視図である。
図3を参照すると、電子装置300は、側面ベゼル構造310、第1の支持部材311(例えば、ブラケット)、前面プレート320、ディスプレイ330、印刷回路基板340、バッテリー350、第2の支持部材360(例えば、背面ケース)、アンテナ370、及び背面プレート380を含む。一実施形態で、電子装置300は、構成要素のうちの少なくとも一つ(例えば、第1の支持部材311、又は第2の支持部材360)を省略し、或いは他の構成要素を追加して含む。電子装置300の構成要素のうちの少なくとも一つは、図1又は図2の電子装置100の構成要素のうちの少なくとも一つと同一又は類似であり、以下で重複する説明は省略する。
第1の支持部材311は、電子装置300の内部に配置されて側面ベゼル構造310に接続されるか、或いは側面ベゼル構造310と一体に形成される。第1の支持部材311は、例えば金属材質及び/又は非金属(例えば、ポリマー)材質で形成される。第1の支持部材311は、一面にディスプレイ330が結合され、他面に印刷回路基板340が結合される。印刷回路基板340は、プロセッサ、メモリ、及び/又はインターフェースが装着される。プロセッサは、例えば中央処理処置、アプリケーションプロセッサ、グラフィック処理装置、イメージシグナルプロセッサ、センサハブプロセッサ、又は通信プロセッサのうちのいずれか一つ以上を含む。
メモリは、例えば揮発性メモリ又は不揮発性メモリを含む。
インターフェースは、例えばHDMI(登録商標)(High Definition Multimedia Interface)、USB(Universal Serial Bus)インターフェース、SDカードインターフェース、及び/又はオーディオインターフェースを含む。インターフェースは、例えば電子装置300を外部電子装置と電気的又は物理的に接続させ、USBコネクタ、SDカード/MMCコネクタ、又はオーディオコネクタを含む。
バッテリー350は、電子装置300の少なくとも一つの構成要素に電力を供給するための装置であって、例えば再充電が不可能な1次電池、又は再充電が可能な2次電池、又は燃料電池を含む。バッテリー350は、少なくとも一部、例えば印刷回路基板340と実質的に同一の平面上に配置される。バッテリー350は、電子装置100の内部に一体に配置され、電子装置100と着脱可能に配置される。
アンテナ370は、背面プレート380とバッテリー350との間に配置される。アンテナ370は、例えばNFC(Near Field Communication)アンテナ、無線充電アンテナ、及び/又はMST(Magnetic Secure Transmission)アンテナを含む。アンテナ370は、例えば外部装置と近距離通信をするか、或いは充電に必要な電力を無線で送受信する。他の実施形態では、側面ベゼル構造310及び/又は第1の支持部材311の一部又はその組合せによってアンテナ構造が形成される。
図4は、本発明の一実施形態によるカバーガラス400の一部領域を示す断面図である。
図4を参照すると、カバーガラス400は、ガラスプレート410、ガラスプレート410の一面にコーティング処理された第1のコーティング層430、及び第1のコーティング層430の一面にコーティング処理された第2のコーティング層450を含む。図4のカバーガラス400は、図1及び図2のハウジング110と一部又は全部が同一である。
一実施形態によると、モバイル機器のような電子装置は、ガラスプレート410を含む。ガラスプレート410は、第1の方向(+Z)に向かう第1の面411、第1の方向(+Z)と反対である第2の方向(−Z)に向かう第2の面412、及び第1の方向(+Z)に対して垂直方向である第3の方向に向かう側面を含む。ガラスプレート410は、実質的に電子装置の非活性領域を形成する背面カバー及び/又はベゼル領域である。
本実施形態によると、ガラスプレート410には、第1のコーティング層430が積層配置される。例えば、第1のコーティング層430は、ガラスプレート410の少なくとも一面に、コーティングされた無機ポリシラザンが加水分解(hydrolysis)及び/又は水分凝縮反応(water condensation reaction)を通じてSiOに化学変化して形成される。第1のコーティング層430の厚さは、ガラスプレート410の厚さに比べて薄い。
本実施形態によると、第1のコーティング層430は少なくとも一部がネットワーク構造を形成し、ネットワーク構造は無数の凹凸形状を含む。ネットワーク構造は、第2の方向(−Z)に配置されるガラスプレート410を含むカバーガラス400を実質的にヘイズ状態に維持する。例えば、ヘイズ状態は、ユーザーの視界がぼやける状態又は半透明状態を示し、ヘイズ%値に従って透明から不透明に進む中間状態を意味する。
本実施形態によると、第2のコーティング層450は、第1のコーティング層430の一面に積層配置される。第2のコーティング層450は、第1のコーティング層430の凹凸形状に対応する構造で備えられ、カバーガラス400の外面を構成する。第2のコーティング層450は、カバーガラス400の外面にスリップ性及び耐化学性の改善のためのバリアコーティング(barrier coating)層で構成される。
本実施形態によると、第2のコーティング層450の厚さは、第1のコーティング層430の厚さに比べて相対的に薄い。もう一つの例として、第2のコーティング層450は、第1のコーティング層430を有するヘイズ状態を妨害しない透明な材質で構成される。
以下、第1のコーティング層430及び第2のコーティング層450について具体的に説明する。
図5は、第1のコーティング層430の外面の一部領域を拡大した写真であり、図6は、図5の第1のコーティング層430の一部領域を2Dハイトマップで示す写真である。図7は、第1のコーティング層430の断面の凹凸形状の高さ2A及びピッチの範囲をラインプロファイルで示すグラフである。
図5〜図7を参照すると、カバーガラス(例えば、図4のカバーガラス400)は、ガラスプレート(例えば、図4のガラスプレート410)、ガラスプレートの一面にコーティング処理された第1のコーティング層430を含む。図5〜図7のガラスプレート、第1のコーティング層430の構成は、図4のガラスプレート410、第1のコーティング層430の構成と一部又は全部が同一である。
一実施形態によると、第1のコーティング層430は少なくとも一部が多数の凹凸形状を含むネットワーク構造を有し、凹凸形状は無機ポリシラザンがガラスプレート上にコーティングされた後に少なくとも1回の硬化プロセスを通じて形成される。凹凸形状は、不規則なネットワーク形状又は3次元ネットワークパターンで備えられる。
図6及び図7を参照すると、第1のコーティング層430のネットワーク構造は、複数の凹凸形状が異なる高さ及び/又はピッチを有するが、全体的に所定の範囲内の高さ2A及び/又はピッチ値で製造される。例えば、ネットワーク構造の断面から見る凹凸形状の長さ方向に沿って形成された所定のピッチ値λの平均は、およそ20μm〜60μmの範囲を有する。他の例として、長さ方向に対して垂直方向に形成された凹凸形状の所定の高さ2Aの値の平均は、およそ0.5μm〜0.9μmの範囲を有する。もう一つの例として、凹凸形状のピッチλに対する高さAの比率値(A/λ)は0.004〜0.015の範囲の値を有する。
本実施形態によると、第1のコーティング層430の凹凸形状は、カバーガラスの表面粗さを具現する。例えば、第1のコーティング層430の凹凸形状を通じた表面粗さ(surface roughness)の平均値(Ra)は、およそ100nm〜300nmの範囲の値を有する。もう一つの例として、第1のコーティング層430の凹凸形状を通じた表面粗さの二乗平均(RMS:Root Mean Square)は、およそ130nm〜400nmの範囲の値を有する。
一実施形態によると、第1のコーティング層430によりコーティングされたカバーガラスのヘイズ度は、およそ5%〜35%の範囲の値(透過型ヘイズメーター(日本電色工業社)によって測定)を有する。他の例として、第1のコーティング層430によりコーティングされたカバーガラスのヘイズ度はおよそ5%〜25%の範囲の値(透過型ヘイズメーター(日本電色工業社)によって測定)を有する。
図8(A)は、カバーガラス500のガラスプレート510と第1のコーティング層530との配置関係を実験装置で示す拡大写真であり、図8(B)は、図8(A)の一部領域(P)を追加して拡大した写真である。
図8(A)及び図8(B)を参照すると、カバーガラス500は、ガラスプレート510、ガラスプレート510の一面にコーティング処理された第1のコーティング層530を含む。図8(A)及び図8(B)のガラスプレート510及び第1のコーティング層530の構成は、図4のガラスプレート410及び第1のコーティング層430の構成と一部又は全部が同一である。
本実施形態によると、第1のコーティング層530は多数の凹凸形状を有するネットワーク構造を含み、凹凸形状は、ガラスプレート510に当接する面を基準にして他の厚さに比べて相対的に低い谷部(valley portion)531と、ガラスプレート510が当接する面を基準にして他の厚さに比べて相対的に高いピーク部533とを含む。谷部531及びピーク部533を含む第1のコーティング層530は、所定の厚さを有し、例えば谷部531はおよそ300nm〜600nmの範囲の値を有し、ピーク部533はおよそ0.6μm〜2μmの範囲の値を有する。
谷部531及びピーク部533の厚さは、後述する第1のコーティング層530の形成プロセスを通じて具現され、提示するコーティング層の厚さ以上ではヘイズ度の減少及びコーティングの耐久性の低下によるクラッキングなどが発生する可能性が高まる。
以下、第1のコーティング層及び第2のコーティング層のプロセスについて説明する。
図9は、本発明の一実施形態によるガラスプレートに第1のコーティング層及び第2のコーティング層が積層されたカバーガラスの製造方法を示すフローチャートである。
図9を参照すると、カバーガラスは、ガラスプレート、ガラスプレートの一面にコーティング処理された第1のコーティング層、及び第1のコーティング層の一面にコーティング処理された第2のコーティング層を含む。図9のカバーガラスのガラスプレート、第1のコーティング層、及び第2のコーティング層の構成は、図4〜図8のカバーガラス400のガラスプレート410、第1のコーティング層(430、530)、及び第2のコーティング層450の構成と一部又は全部が同一である。
本実施形態によると、プロセス10により、電子装置のカバーガラスに使用されるガラスプレートを用意する。ガラスプレートは、強化ガラス材質からなる。例えば、ガラスプレートは、透明又は多様な色相を示す剛性を有する素材で電子装置の外装材として使用される。
ガラスプレートが備えられた後に、プロセス20により、ガラスプレートの一面に第1のコーティング層を積層する。第1のコーティング層の製造プロセスは、コーティング溶液塗布プロセス(プロセス21)、熱乾燥プロセス(プロセス23)、一次硬化プロセス(プロセス25)、及び二次硬化プロセス(プロセス27)を通じて遂行される。
一実施形態によると、ヘイズコーティングプロセス(プロセス21)は、強化ガラスプレートに無機ポリシラザンが含まれる溶液を用いて湿式コーティングプロセスにより進行される。
一実施形態によると、ヘイズコーティングプロセス(プロセス21)に使用されるポリシラザンは、下記の化学式1のような無機ポリシラザンである。
化学式1の無機ポリシラザンは、重量平均分子量がおよそ2000〜30000の範囲であり、1重量%〜30重量%を溶媒に溶解させ、硬化剤が含まれない組成である。
化学式1のR、R、及びRは、独立的に、水素、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、シリコンに直結した基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、及びアルコキシ基であり、nは整数である。
一実施形態によると、ヘイズコーティングプロセス(プロセス21)は、ヘイズ状態を生成させるために無機ポリシラザンを湿式スプレー方式で塗布する。例えば、プロセス21の湿式スプレー方式で提供されるコーティング溶液のポリシラザンと溶媒との重量%比率は5:95〜20:80の範囲で構成され、ガラスプレートの一面にコーティング溶液が到達する比率は40%である。他の例で、ガラスプレートの一面にコーティング溶液が到達する比率は30%以下である。
本実施形態によると、コーティング溶液塗布プロセス(プロセス21)の後に、熱乾燥プロセス(プロセス23)を進行する。熱乾燥プロセス(プロセス23)は、コーティング溶液の溶剤を除去するプロセスであり、およそ50℃〜200℃の範囲で2min〜20minの範囲の熱乾燥を進行してコーティング液内に含まれる溶剤を除去する。
本実施形態によると、熱乾燥プロセス(プロセス23)の後に、一次硬化プロセス(プロセス25)を進行する。例えば、一次硬化プロセス(プロセス25)は過熱蒸気(super heated steam)硬化プロセスであって、プロセス温度はおよそ100℃〜300℃の範囲でコーティング層の硬化を進行する。
一実施形態によると、下記の化学式2のように、加熱蒸気硬化プロセス(プロセス25)を通じて無機ポリシラザンをSiO膜に変化させる。
一実施形態によると、化学式2の一次硬化反応がガラスプレートに効率的に適用されるために、ガラスプレートを構成する化学構成の強化応力が弱められない温度に設定しなければならない。それによって、プロセス温度はおよそ100℃〜300℃で進行される。例えば、ガラスプレートにコーティング溶液塗布プロセス(プロセス21)を進行した後、400℃以上で硬化による強化プロセスがなされる場合には、不規則な強化によってガラスプレートに大きい曲がりが発生して破損されるか、又は不良品が発生する可能性がある。
本実施形態によると、一次硬化プロセス(プロセス25)の後に、二次硬化プロセス(プロセス27)を進行する。例えば、二次硬化プロセス(プロセス27)は、過酸化水素硬化プロセスとして、一次硬化プロセス(プロセス25)の温度よりも相対的に低い温度で進行される。
図10は、第1のコーティング層に二次硬化プロセス(プロセス27)によるFT−IR測定結果を示すグラフである。図11(A)及び図11(B)は、第1のコーティング層に二次硬化プロセス(プロセス27)による振動の耐摩耗性を比較した写真である。図11(A)は二次硬化プロセスが未処理の写真であり、図11(B)は二次硬化プロセスが処理された写真である。
図9及び図10を参照すると、二次硬化プロセス(プロセス27)は、一次硬化プロセス(プロセス25)で完璧にSiO2膜に進行しない化学結合を補強するために進行される。例えば、二次硬化プロセス(プロセス27)は、一次硬化プロセス(プロセス25)で残留したSi−N、Si−Hの結合を切り、完全なSi−O−Si結合がなされるプロセスであって、第1のコーティング層が全体的にSiO膜に変更されるように進行される。
一実施形態によると、二次硬化プロセス(プロセス27)はおよそ30℃〜200℃の範囲の温度で進行される。例えば、二次硬化プロセス(プロセス27)はおよそ30℃〜100℃の範囲の温度で進行される。二次硬化プロセス(プロセス27)を通じて一次硬化プロセス(プロセス25)以外に追加で第1のコーティング層の硬度を上昇させる。
図10のグラフを参照すると、FT−IR(フーリエ変換赤外)分光法による材料の特性を分析した結果が確認される。L1は、一次硬化プロセスをおよそ120minの間進行した場合である。L2は、一次硬化プロセスをおよそ30minの間進行した後に二次硬化プロセスをおよそ3hの間進行した結果である。L3は、一次硬化プロセスをおよそ60minの間進行した後に二次硬化プロセスをおよそ3hの間進行した結果である。L4は、一次硬化プロセスをおよそ120minの間進行した後に二次硬化プロセスをおよそ3hの間進行した結果である。
上記グラフを通じて、一次硬化プロセス時間の後に二次硬化プロセスが進行される場合、第1のコーティング層が全体的にSiO膜に変化する効果が上昇することが確認される。例えば、一次硬化プロセスのみが2hで進行される場合、Si−H結合を示すA領域及びSi−N結合を示すB領域が存在することが確認される。しかし、二次硬化プロセスが追加されることによって、一次硬化プロセスを30minでのみ進行する場合にも、A領域及びB領域が両方とも消滅することが確認される。
図11(A)及び図11(B)の写真及び下記の表1を参照すると、二次硬化プロセスによる第1のコーティング層の耐久性の改善効果は、硬度比較及び振動の耐摩耗性テスト結果によって確認される。
図11(A)を参照すると、二次硬化プロセスが進行されずに過酸化水素硬化が未処理のサンプルは、所定のテスト条件(研磨(abrasive)環境3000rpm/30min)で上側部Cのコーティングが剥離していることが確認される。これに比して、図11(B)を参照すると、二次硬化プロセスによる過酸化水素硬化処理されたサンプルでは、上側部C’の同一のテスト条件でコーティングが剥離せず、スマートな外観が確認される。それによって、第2の硬化プロセス処理された第1のコーティング層は優れた耐久性を有する。
下記の表1を参照すると、二次硬化プロセスを進行するか否かによる硬度比較が確認される。
硬度の測定サンプル(番号1〜番号6)は、ナノインデンテーション(nano indentation)のために表面凹凸がないようにバーコーティング(bar coating)を通じて特別製作し、測定条件はバーコビッチ圧子(Berkovich indenter)を使用し、圧入深さは過酸化水素未処理サンプルの場合に約150nm、過酸化水素処理サンプルの場合に約100nmを適用する。
表1を確認すると、全て6個のサンプルを通じて二次硬化プロセスが進行されないことによる過酸化水素硬化が未処理のサンプルの硬度を測定し、その後に同一のサンプルを通じて二次硬化プロセスが進行された後の過酸化水素の硬化処理されたサンプルの硬度を測定する。
二次硬化プロセスが進行されないサンプル(番号1〜番号6)は平均的におよそ1324MPaを示すことが確認され、二次硬化プロセスが進行されたサンプル(番号1〜番号6)は平均的におよそ2317MPaを示すことが確認される。二次硬化プロセスを通じて、第1のコーティング層の表面硬度がおよそ1.7倍更に上昇することが確認される。
表面硬度は、乾燥プロセスで溶媒が全部除去され、最終的に二次硬化されて形成されたSiO膜の厚さは、(例えば、図6及び図7を参照すると、ガラスプレート及び接触面(例えば、図4の第1の面)を基準にして、谷部は300nm〜600nmの範囲の値を有し、ピーク部は0.6μm〜2μmの範囲の値を有する)上記の厚さの範囲にある場合に、ヘイズ%と共にコーティングの耐久性を満たす数値が提供される。
図12(A)及び図12(B)は、第2のコーティング層が積層されたガラスカバーに試薬を使用したラビングテスト結果を比較して示す写真である。図12(A)は第2のコーティング層が積層されない写真であり、図12(B)は第2のコーティング層が積層された写真である。
図9、図12(A)及び図12(B)を参照すると、プロセス20による第1のコーティング層430の製造プロセスの後に、第1のコーティング層430の一面に第2のコーティング層450を積層する。第2のコーティング層450の製造プロセスは、耐化学性及び指紋視認性の減少のためにフッ素系化合物又は炭化水素系が含まれる耐指紋コーティングにより進行され、第2のコーティング層を通じてガラスカバーの指紋視認性が低下する。
一実施形態によると、第2のコーティング層を通じたコーティングは、第1のコーティング層(例えば、SiO膜)の耐化学性を改善させて外部環境で接触するエタノールのようなアルコール成分などに対する抵抗性を提供する。他の例として、第2のコーティング層は、機能基としてフッ化炭素鎖又は炭化水素鎖を含んで耐指紋性のような防汚性能を提供する。
以下、実験による第2のコーティング層の効果について説明する。表2では、第2のコーティング層の処理前後による指紋視認性及び指紋拭き取り性の比較を確認する。
表2を参照して、比較例1〜3と本発明の一実施形態の構成とを比較する。
AFは、耐指紋コーティングで表面エネルギーが相対的に低いコーティング(例えば、水接触角(ぬれ性)基準で115度以下)を示し、ASは、耐にじみ性(anti−smudge)コーティングで表面エネルギーが比較的高いコーティング(例えば、水接触角基準で70度以下)を示す。ベア(bare)は、処理プロセスが進行されない強化ガラス(例えば、洗浄時の水接触角基準で10度以下のガラスプレート)を示し、ヘイズは、本発明の一実施形態による第1のコーティング層が適用されたポリシラザンの表面を示す。
下記の数式1により、指紋又は異物に対する視認性及び拭き取り性の有無が数値で確認される。
ピン照明の下で、ΔEは、International Commission on Illuminationで基準として定められた色差(color difference)として処理前後の差値である。例えば、L はコーティング層の指紋処理前の明度値を、L は指紋処理後の明度値をそれぞれ示し、a はコーティング層の処理前の色相値を、a は処理後の色相値をそれぞれ示し、b はコーティング層の処理前の彩度値を、b は処理後の彩度値をそれぞれ示す。
一実施形態により、指紋視認性は油指紋を10回以上適用時に平均値を示し、指紋拭き取り性は1.5kgf面(例えば、ジーンズ)を利用した5回以上拭き適用時に平均値を示す。平均値が小さいほどユーザーによる指紋視認性及び指紋拭き取り性が落ちることを示す。
比較例1は、強化ガラスにAFコーティング処理した例であり、ΔE ab値による指紋視認性はおよそ21.3、指紋拭き取り性はおよそ18.07の値が確認される。
比較例2は、強化ガラスに第1のコーティング層が処理された例であり、ΔE ab値による指紋視認性はおよそ1.12、指紋拭き取り性はおよそ0.54の値が確認される。
比較例3は、強化ガラスにASコーティング処理した例であり、ΔE ab値による指紋視認性はおよそ5.32、指紋拭き取り性はおよそ8.51の値が確認される。
本発明の一実施形態では、強化ガラスに第1のコーティング層及び第2のコーティング層(例えば、AS処理)が処理された場合、ΔE ab値による指紋視認性がおよそ1.16、指紋拭き取り性がおよそ0.22の値が確認される。
本発明の一実施形態によるカバーガラスにおいて、第1のコーティング層及び第2のコーティング層を処理することによって、コーティング層の光の散乱効果によるガラスの耐指紋性及び指紋拭き取り性が向上する。
本発明の一実施形態によるカバーガラスは、電子装置の少なくとも一部を形成するガラスプレートと、ガラスプレートの一面に配置され、少なくとも一部がネットワーク構造を形成する第1のコーティング層と、を備え、第1のコーティング層は、シリコン(Si)、酸素(O)、及び少なくとも一つの不純物を含み、Si−Oの結合は、第1のコーティング層の80重量%以上で構成される。
一実施形態によると、第1のコーティング層は、熱処理により少なくとも2200MPaの硬度の特性を示す。
一実施形態によると、第1のコーティング層のネットワーク構造は、長さ方向に沿って形成された所定のピッチ、及び長さ方向に対して垂直方向に形成された所定の高さを有する凹凸形状を含み、凹凸形状のピッチは、20μm〜60μmの範囲の値を有し、凹凸形状の高さは、0.5μm〜0.9μmの範囲の値を有する。
一実施形態によると、第1のコーティング層のネットワーク構造は、長さ方向に沿って形成された所定のピッチ、及び長さ方向に対して垂直方向に形成された所定の高さを有する凹凸形状を含み、所定のピッチに対する所定の高さの比率は、0.004〜0.015の範囲の値を有する。
一実施形態によると、第1のコーティング層は、ヘイズが5%〜35%の範囲であり、透過率が91%以下である。
一実施形態によると、第1のコーティング層のネットワーク構造は、所定の表面粗さ値を有する凹凸形状を有し、第1のコーティング層の表面粗さの平均値(Ra)は100nm〜300nmの範囲の値を有し、第1のコーティング層の表面粗さの二乗平均(RMS)は130nm〜400nmの範囲の値を有する。
一実施形態によると、第1のコーティング層は、所定の厚さを有する凹凸形状を有し、凹凸形状は、第1のコーティング層がガラスプレート及び接触面(例えば、図4の第1の面)を基準にして低い谷部及び接触面を基準にして高いピーク部を含み、谷部は300nm〜600nmの範囲の値を有し、ピーク部は0.6μm〜2μmの範囲の値を有する。
一実施形態によると、第1のコーティング層の一面に配置され、第1のコーティング層のネットワーク構造に対応する形状に積層された第2のコーティング層を含み、第2のコーティング層は、フッ化炭素鎖又は炭化水素鎖を含んで構成される。
一実施形態によると、第2のコーティング層は、耐指紋視認性を提供し、下記の数式1においてΔE ab値は4以下である。
(L は第2のコーティング層の指紋処理前の明度値を、L は指紋処理後の明度値をそれぞれ示し、a は第2のコーティング層の処理前の色相値を、a は処理後の色相値をそれぞれ示し、b は第2のコーティング層処理前の彩度値を、b は処理後の彩度値をそれぞれ示す。)
一実施形態によると、第2のコーティング層は、透明材質を有し、第1のコーティング層の厚さよりも薄い厚さを有する。
一実施形態による電子装置は、第1の方向に向かう前面カバー及び前面カバーの反対である第2の方向に向かう背面カバーを含み、前面カバーの少なくとも一部を形成する透明領域を含むハウジングと、ハウジングの内部に配置されたバッテリーと、ハウジング内に配置され、前面カバーを通じて露出される画面領域を含むディスプレイ装置と、を備え、背面カバーは、ガラスプレートと、ガラスプレートの一面に配置され、少なくとも一部がネットワーク構造を形成する第1のコーティング層と、第1のコーティング層の一面に配置され、第1のコーティング層のネットワーク構造に対応する形状に積層された第2のコーティング層を含む。
本発明の一実施形態によるネットワーク構造を含む電子装置のカバーガラスの製造方法は、ガラスプレートを用意するプロセスと、ガラスプレートの一面に湿式スプレー方式で第1のコーティング層を塗布し、複数回の硬化処理を通じて第1のコーティング層を積層するプロセスと、第1のコーティング層の一面に第2のコーティング層を積層するプロセスと、を有する。
一実施形態によると、第1のコーティング層を積層するプロセスにおいて、湿式スプレー方式で提供されるコーティング溶液のポリシラザンと溶媒との重量%比は、5:95〜20:80の範囲で構成され、ガラスプレートの一面にコーティング溶液が到達する比率は、40%以下である。
一実施形態によると、第1のコーティング層を積層するプロセスにおいて、第1のコーティング層を形成するために適用されるコーティング溶液は、下記の化学式1を満たす重量平均分子量が2,000〜3,0000の範囲の無機ポリシラザン1重量%〜30重量%を含み、ガラスプレートに湿式スプレー方式で積層される。
(R、R、及びRは、独立的に、水素、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、シリコンに直結した基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、及びアルコキシ基であり、nは整数である。)
一実施形態によると、第1のコーティング層を積層するプロセスは、湿式スプレー方式でコーティング溶液を塗布した後に、熱乾燥プロセス、一次硬化プロセス、及び二次硬化プロセスを含み、熱乾燥プロセスは、50℃〜200℃の範囲で2min〜20minの範囲の熱乾燥を進行してコーティング溶液内の溶剤を除去する。
一実施形態によると、一次硬化プロセスにおいて、過熱蒸気を通じて無機ポリシラザンをSiO膜に変化させ、プロセス温度を100℃〜300℃の範囲の値で行う。
一実施形態によると、二次硬化プロセスで、一次硬化プロセスで残留したSi−N、Si−Hの結合を除去し、Si−O−Si結合に変化させ、プロセス温度を30℃〜200℃の範囲の値で行う。
一実施形態によると、二次硬化プロセスは過酸化水素処理プロセスを含み、二次硬化プロセスで処理された第1のコーティング層は、少なくとも2200MPaの硬度特性を示す。
一実施形態によると、二次硬化プロセスで処理された第1のコーティング層は、ヘイズが5%〜35%の範囲であり、透過率が550nmの光波長で91%以下である。
一実施形態によると、第2のコーティング層を積層するプロセスにおいて、第2のコーティング層は、第1のコーティング層のネットワーク構造に対応する形状を有し、フッ化炭素鎖又は炭化水素鎖を含んで構成される。
以上、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
100、300 電子装置
101、330 ディスプレイ
102 前面プレート
103 マイク穴(オーディオモジュール)
104 近接センサ(照度センサ)(センサモジュール)
105 第1のカメラ装置(カメラモジュール)
106 インジケータ
107 スピーカ穴(オーディオモジュール)
108 第1のコネクタ穴
109 第2のコネクタ穴(イヤホンジャック)
110 ハウジング
110A 第1の面(前面)
110B 第2の面(背面)
110C 側面
110D 第1の領域
110E 第2の領域
111 背面プレート
112 第2のカメラ装置(カメラモジュール)
113 フラッシュ(カメラモジュール)
114 通話用レシーバ穴(オーディオモジュール)
115 ホームキーボタン(キー入力装置)
116 タッチパッド(キー入力装置)
117 サイドキーボタン(キー入力装置)
118 側面ベゼル構造(側面部材)
119 第3のセンサモジュール(HRMセンサ)(センサモジュール)
310 側面ベゼル構造
311 第1の支持部材(ブラケット)
320 前面プレート
340 印刷回路基板
350 バッテリー
360 第2の支持部材(背面ケース)
370 アンテナ
380 背面プレート
400、500 カバーガラス
410、510 ガラスプレート
411 第1の面
412 第2の面
430、530 第1のコーティング層
450 第2のコーティング層
531 谷部
533 ピーク部

Claims (15)

  1. 電子装置のカバーガラスであって、
    前記電子装置の少なくとも一部を形成するガラスプレートと、
    前記ガラスプレートの一面に配置され、少なくとも一部がネットワーク構造を形成する第1のコーティング層と、を備え、
    前記第1のコーティング層は、シリコン(Si)、酸素(O)、及び少なくとも一つの不純物を含み、
    Si−Oの結合は、前記第1のコーティング層の80重量%以上であることを特徴とするカバーガラス。
  2. 前記第1のコーティング層は、熱処理により少なくとも2200MPaの硬度特性を示すことを特徴とする請求項1に記載のカバーガラス。
  3. 前記第1のコーティング層の前記ネットワーク構造は、長さ方向に沿って形成された特定のピッチ、及び前記長さ方向に対して垂直方向に形成された特定の高さを有する少なくとも一つの凹凸形状を有し、
    前記少なくとも一つの凹凸形状の特定のピッチは、20μm〜60μmの範囲の値を有し、
    前記少なくとも一つの凹凸形状の特定の高さは、0.5μm〜0.9μmの範囲の値を有することを特徴とする請求項2に記載のカバーガラス。
  4. 前記第1のコーティング層の前記ネットワーク構造は、長さ方向に沿って形成された特定のピッチ、及び前記長さ方向に対して垂直方向に形成された特定の高さを有する凹凸形状を有し、
    前記特定のピッチに対する前記特定の高さの比率は、0.004〜0.015の範囲を有することを特徴とする請求項2に記載のカバーガラス。
  5. 前記第1のコーティング層は、ヘイズが5%〜35%の範囲であり、透過率が91%以下であることを特徴とする請求項3に記載のカバーガラス。
  6. 前記第1のコーティング層の前記ネットワーク構造は、特定の表面粗さを有する前記少なくとも一つの凹凸形状を有し、
    前記第1のコーティング層の前記表面粗さの平均値(Ra)は100nm〜300nmの範囲の値を有するか、又は前記第1のコーティング層の前記表面粗さの二乗平均(RMS)は130nm〜400nmの範囲の値を有することを特徴とする請求項3に記載のカバーガラス。
  7. 前記第1のコーティング層は、所定の厚さを有する少なくとも一つの凹凸形状を有し、
    前記少なくとも一つの凹凸形状は、谷部及びピーク部を含み、
    前記谷部は、前記第1のコーティング層の一部に位置し、厚さが300nm〜600nmの範囲の値を有し、
    前記ピーク部は、第1のコーティング層の一部に位置し、厚さが0.6μm〜2μmの範囲の値を有することを特徴とする請求項2に記載のカバーガラス。
  8. 前記第1のコーティング層の一面に配置され、前記第1のコーティング層の前記ネットワーク構造に対応する形状に積層された第2のコーティング層を更に含み、
    前記第2のコーティング層は、フッ化炭素鎖又は炭化水素鎖を含むことを特徴とする請求項2に記載のカバーガラス。
  9. 前記第2のコーティング層は、耐指紋視認性を提供し、下記の数式1においてΔE ab値が4以下であることを特徴とする請求項8に記載のカバーガラス。
    (L は第2のコーティング層の指紋処理前の明度値であり、L は指紋処理後の明度値であり、a は第2のコーティング層の処理前の色相値であり、a は処理後の色相値であり、b は第2のコーティング層の処理前の彩度値であり、b は処理後の彩度値である)
  10. 前記第2のコーティング層は、透明材質を有し、前記第1のコーティング層の厚さよりも薄い厚さを有することを特徴とする請求項8に記載のカバーガラス。
  11. ネットワーク構造を含む電子装置のカバーガラスの製造方法であって、
    ガラスプレートを用意するプロセスと、
    前記ガラスプレートの一面に湿式スプレー方式で第1のコーティング層を塗布し、複数回の硬化処理を通じて前記第1のコーティング層を積層するプロセスと、
    前記第1のコーティング層の一面に第2のコーティング層を積層するプロセスと、を有することを特徴とするカバーガラス製造方法。
  12. 前記第1のコーティング層を積層するプロセスにおいて、
    前記湿式スプレー方式で提供されるコーティング溶液のポリシラザンと溶媒との重量%比率は、5:95〜20:80の範囲で構成され、
    前記ガラスプレートの一面に前記コーティング溶液が到達する比率は、40%以下であることを特徴とする請求項11に記載のカバーガラス製造方法。
  13. 前記第1のコーティング層を積層するプロセスにおいて、
    前記第1のコーティング層を形成するために適用される前記コーティング溶液は、下記の化学式1を満たす重量平均分子量が2,000〜30,000の範囲の無機ポリシラザン1重量%〜30重量%を含み、前記ガラスプレートに前記湿式スプレー方式で積層されることを特徴とする請求項12に記載のカバーガラス製造方法。
    (R、R、及びRは、独立的に、水素、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、シリコンに結合した基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、及びアルコキシ基であり、nは整数である)
  14. 前記第1のコーティング層を積層するプロセスは、前記湿式スプレー方式で前記コーティング溶液を塗布した後に、熱乾燥プロセス、一次硬化プロセス、及び二次硬化プロセスを含み、
    前記熱乾燥プロセスは、50℃〜200℃の範囲で2min〜20minの範囲の熱乾燥を進行して前記コーティング溶液内の溶剤を除去し、
    前記二次硬化プロセスは、過酸化水素処理プロセスを含み、
    前記二次硬化プロセスで処理された前記第1のコーティング層は、少なくとも2200MPaの硬度特性を示すことを特徴とする請求項13に記載のカバーガラス製造方法。
  15. 前記一次硬化プロセスにおいて、
    過熱蒸気を通じて前記無機ポリシラザンをSiO膜に変化させ、プロセス温度を100℃〜300℃の範囲で行うことを特徴とする請求項14に記載のカバーガラス製造方法。
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